KR20200092535A - 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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KR20200092535A
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line
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이선화
이동훈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 터치 감지 유닛은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 라운드부에 배치되는 제1 터치 전극에 접속되는 구동 라인, 및 상기 제2 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 상기 라운드부에 배치되는 제2 터치 전극에 접속되는 감지 라인을 구비하고, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인은 서로 교차한다.

Description

터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치{TOUCH SENSING UNIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
사용자에게 영상을 제공하는 스마트 폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 텔레비전(TV) 등의 전자기기는 영상을 표시하기 위한 표시 장치를 포함한다. 표시 장치는 영상을 생성하여 표시하는 표시 패널 및 다양한 입력 장치를 포함한다.
스마트 폰이나 태블릿 PC를 중심으로 터치 입력을 인식하는 터치 감지 유닛이 표시 장치의 입력 장치로 많이 적용되고 있다. 터치 감지 유닛은 사용자의 터치 입력 여부를 판단하고, 해당 위치를 터치 입력 좌표로 산출한다.
한편, 최근에는 스마트 폰의 표시 패널이 소정의 곡률로 형성된 라운드부를 포함하도록 디자인되고 있다. 이 경우, 터치 감지 유닛은 라운드부에서 터치 입력을 감지하기 위해서는 소정의 곡률로 형성되어야 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지할 수 있는 터치 감지 유닛을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 터치 감지 유닛은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 라운드부에 배치되는 제1 터치 전극에 접속되는 구동 라인, 및 상기 제2 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 상기 라운드부에 배치되는 제2 터치 전극에 접속되는 감지 라인을 구비하고, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인은 서로 교차한다.
또한, 상기 라운드부에서 상기 구동 라인에 접속되는 제1 터치 전극의 평면 형태는 상기 제1 터치 전극과 상기 라운드부 이외의 영역에 배치된 다른 제1 터치 전극의 평면 형태와 상이할 수 있다.
또한, 상기 라운드부에서 상기 감지 라인에 접속되는 제2 터치 전극의 평면 형태는 상기 제2 터치 전극과 상기 라운드부 이외의 영역에 배치된 다른 제2 터치 전극의 평면 형태와 상이할 수 있다.
또한, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 복수의 터치 신호층들을 포함하며, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 상기 구동 라인과 상기 감지 라인의 교차 영역에서 상기 복수의 터치 신호층들 중에 하나의 터치 신호층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층을 포함하며, 상기 구동 라인의 제1 터치 신호층과 상기 감지 라인의 제2 터치 신호층은 서로 교차할 수 있다.
또한, 상기 제2 터치 신호층은 상기 제1 터치 신호층 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 터치 전극들과 상기 제2 터치 전극들은 상기 제2 터치 신호층과 동일한 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 터치 전극들을 연결하며, 상기 제2 터치 전극과 교차하는 연결 전극을 더 구비하고, 상기 연결 전극은 상기 제1 터치 신호층과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 터치 감지 유닛은 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들에 전기적으로 연결되는 구동 라인들, 상기 제2 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 감지 라인들, 및 상기 제2 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 감지 라인들을 구비하고, 상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 적어도 하나는 상기 구동 라인들 중 적어도 하나와 서로 교차한다.
또한, 상기 터치 센서 영역은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하며, 상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 적어도 하나는 상기 라운드부에 배치된 상기 제2 터치 전극들 중 어느 하나에 접속되고, 상기 구동 라인들 중 적어도 하나는 상기 라운드부에 배치된 상기 제1 터치 전극들 중 어느 하나에 접속될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 일 측에 배치되며, 상기 제2 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 타 측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 감지 라인들의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들에 접속된 제1 터치 패드들, 및 상기 제2 그룹의 감지 라인들에 접속된 제2 터치 패드들을 더 구비할 수 있다.
또한, 상기 제1 터치 패드들은 패드 영역의 일 측에 배치되고, 상기 제2 터치 패드들은 패드 영역의 타 측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 가장 바깥쪽에 배치된 감지 라인과 상기 제2 그룹의 감지 라인들 중 가장 바깥쪽에 배치된 감지 라인을 둘러싸는 가드 라인을 더 구비할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 터치 감지 유닛은 복수의 라운드부들을 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 구동 라인들, 상기 제1 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 구동 라인들, 상기 제2 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 감지 라인들, 및 상기 제2 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 감지 라인들을 구비하고, 상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 일부는 상기 복수의 라운드부들 중 어느 하나에 배치된 제2 터치 전극들에 접속되며, 상기 제1 그룹의 구동 라인들은 상기 복수의 라운드부들 중 다른 하나에 배치된 제1 터치 전극들에 접속된다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 제1 그룹의 구동 라인들과 상기 제2 그룹의 구동 라인들 사이에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들과 상기 제1 그룹의 구동 라인들 사이에 배치되는 가드 라인을 더 구비할 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제1 측에 배치되며, 상기 제2 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제2 측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 구동 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제1 측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 그룹의 구동 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제3 측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 감지 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 감지 라인들의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 상기 제1 그룹의 구동 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 구동 라인들의 개수보다 적을 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 터치 감지 유닛은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들 중 상기 라운드부에 배치된 제1 터치 전극들과 접속되는 구동 라인들, 및 상기 제2 터치 전극들 중 상기 라운드부에 배치된 제2 터치 전극들과 접속되는 감지 라인들을 구비하고, 상기 구동 라인들과 상기 감지 라인들은 교대로 배치된다.
또한, 상기 구동 라인들과 상기 감지 라인들 각각은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층을 포함하며, 상기 제1 터치 전극들과 상기 제2 터치 전극들은 상기 제2 터치 신호층과 동일한 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 터치 전극들을 연결하는 연결 전극을 더 구비하고, 상기 제2 터치 전극은 상기 제1 터치 신호층과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소들을 포함하는 표시 영역을 포함하는 표시 유닛, 및 상기 표시 영역과 중첩하는 터치 센서 영역을 포함하는 터치 감지 유닛을 구비하고, 상기 터치 감지 유닛은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들, 상기 제1 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 라운드부에 배치되는 제1 터치 전극에 접속되는 구동 라인, 및 상기 제2 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 상기 라운드부에 배치되는 제2 터치 전극에 접속되는 감지 라인을 구비하고, 상기 구동 라인과 상기 감지 라인은 서로 교차한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치에 의하면, 구동 라인과 감지 라인의 교차 영역에서 구동 라인은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층 중 어느 하나를 포함하고, 감지 라인은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층 중 다른 하나를 포함할 수 있다. 이로 인해, 라운드부에 배치된 터치 센서들에 연결되는 구동 라인과 감지 라인이 서로 단락(short)되는 것을 방지할 수 있으므로, 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지하도록 터치 센서들을 배치할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치에 의하면, 라운드부에서 구동 라인과 감지 라인이 교차하지 않도록 구동 라인들과 감지 라인들을 설계함으로써, 라운드부에 배치된 터치 센서들에 연결되는 구동 라인과 감지 라인이 서로 단락(short)되는 것을 방지할 수 있으므로, 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지하도록 터치 센서들을 배치할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치에 의하면, 구동 라인들과 감지 라인들이 복수의 터치 신호층들을 포함함으로써, 저항을 낮출 수 있다. 따라서, 구동 신호의 주파수를 낮추지 않고도 구동 신호에 의해 상호 정전 용량을 충전하는 속도를 높일 수 있으므로, 터치 감도를 높일 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널, 표시 구동 회로, 표시 회로 보드, 및 터치 구동 회로를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 터치 감지 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 터치 센서들의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 7은 도 6의 A1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅱ-Ⅱ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 5의 B1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 10은 도 9의 B11 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 11은 도 10의 Ⅲ-Ⅲ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 10의 Ⅳ-Ⅳ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 13는 도 10의 Ⅲ-Ⅲ’의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 10의 Ⅳ-Ⅳ’의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 3의 터치 감지 유닛의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 16은 도 15의 B2 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 17은 도 15의 C1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 18은 도 15의 D1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 19는 도 3의 터치 감지 유닛의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 20은 도 19의 C2 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 21은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 23은 도 22의 Ⅴ-Ⅴ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 24는 도 23의 표시 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 25는 도 23의 터치 감지 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 26은 도 22의 터치 센서들의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 27은 도 26의 A2 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 28은 도 27의 Ⅵ-Ⅵ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널, 표시 구동 회로, 표시 회로 보드, 및 터치 구동 회로를 보여주는 평면도이다.
본 명세서에서, “상부”, “탑”, “상면”은 표시 패널(100)을 기준으로 상부 방향, 즉 Z축 방향을 가리키고, “하부”, “바텀”, “하면”은 표시 패널(100)을 기준으로 하부 방향, 즉 Z축 방향의 반대 방향을 가리킨다. 또한, “좌”, “우”, “상”, “하”는 표시 패널(100)을 평면에서 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, “좌”는 X축 방향의 반대 방향, “우”는 X축 방향, “상”은 Y축 방향, “하”는 Y축 방향의 반대 방향을 가리킨다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 및 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다. 표시 장치(10) 는 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 전계방출 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치, 양자점 발광 표시 장치, 및 마이크로 LED 표시 장치 중 어느 하나일 수 있다. 이하에서는, 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치인 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동 회로(200), 회로 보드(300), 및 터치 구동 회로(400)를 포함한다.
표시 패널(100)은 구부러지거나, 휘어지거나, 벤딩되거나, 접히거나, 말릴 수 있는 플렉서블(flexible) 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판은 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
표시 패널(100)은 메인 영역(MA)과 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 돌출된 돌출 영역(PA)을 포함할 수 있다.
메인 영역(MA)은 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 형성될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 모서리 또는 코너(corner)는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 표시 장치(10)의 평면 형태는 모서리 또는 코너(corner)가 둥글게 형성된 사각형으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다.
메인 영역(MA)은 화소들이 형성되어 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변 영역인 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 가장자리에서부터 표시 패널(100)의 가장자리까지의 영역으로 정의될 수 있다.
표시 영역(DA)은 도 2와 같이 제1 표시 라운드부(DRD1), 제2 표시 라운드부(DRD2), 제3 표시 라운드부(DRD3), 및 제4 표시 라운드부(DRD4)를 포함할 수 있다. 제1 표시 라운드부(DRD1)는 제1 표시 단변(DSS1)과 제1 표시 장변(DLS1) 사이의 모서리 또는 코너(corner)에 해당한다. 제2 표시 라운드부(DRD2)는 제1 표시 단변(DSS1)과 제2 표시 장변(DLS2) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제3 표시 라운드부(DRD3)는 제2 표시 단변(DSS2)과 제1 표시 장변(DLS1) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제4 표시 라운드부(DRD4)는 제2 표시 단변(DSS2)과 제2 표시 장변(DLS2) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제1 표시 라운드부(DRD1), 제2 표시 라운드부(DRD2), 제3 표시 라운드부(DRD3), 및 제4 표시 라운드부(DRD4)는 실질적으로 동일한 곡률을 가지거나 서로 상이한 곡률을 가질 수 있다. 또는, 제1 표시 라운드부(DRD1), 제2 표시 라운드부(DRD2), 제3 표시 라운드부(DRD3), 및 제4 표시 라운드부(DRD4) 중 적어도 두 개는 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 또한, 제1 표시 라운드부(DRD1), 제2 표시 라운드부(DRD2), 제3 표시 라운드부(DRD3), 및 제4 표시 라운드부(DRD4) 각각은 실질적으로 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 가질 수 있다.
표시 영역(DA)에는 화소들 뿐만 아니라, 화소들에 접속되는 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 전원 라인이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 스캔 라인들에 스캔 신호들을 인가하기 위한 스캔 구동부, 및 데이터 라인들과 표시 구동 회로(200)를 연결하는 링크 라인들이 배치될 수 있다.
또한, 메인 영역(MA)은 도 2와 같이 평탄하게 형성된 평탄부(FA), 평탄부(FA)의 좌측에서 연장된 제1 곡면부(CA1), 평탄부(FA)의 우측에서 연장된 제2 곡면부(CA2), 평탄부(FA)의 상측에서 연장된 제3 곡면부(CA3), 및 평탄부(FA)의 하측에서 연장된 제4 곡면부(CA4)를 포함할 수 있다. 제1 곡면부(CA1)는 제1 벤딩 라인(BL1)을 따라 제1 곡률로 구부러진 영역을 가리킨다. 제2 곡면부(CA2)는 제2 벤딩 라인(BL2)을 따라 제2 곡률로 구부러진 영역을 가리킨다. 제3 곡면부(CA3)는 제3 벤딩 라인(BL3)을 따라 제3 곡률로 구부러진 영역을 가리킨다. 제4 곡면부(CA4)는 제4 벤딩 라인(BL4)을 따라 제4 곡률로 구부러진 영역을 가리킨다. 제1 내지 제4 곡률들은 실질적으로 동일하거나 또는 서로 상이할 수 있다. 또한, 제1 내지 제4 곡률들 각각은 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 가질 수 있다.
제1 내지 제4 곡면부들(CA1, CA2, CA3, CA4) 중 적어도 하나는 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 제1 내지 제4 곡면부들(CA1, CA2, CA3, CA4) 모두가 표시 영역(DA)에 배치되는 것을 예시하였으며, 이 경우 제1 내지 제4 곡면부들(CA1, CA2, CA3, CA4)에서도 표시 패널(100)의 영상이 보일 수 있다.
돌출 영역(PA)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 돌출 영역(PA)은 도 2와 같이 메인 영역(MA)의 하 측으로부터 돌출될 수 있다. 돌출 영역(PA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이는 메인 영역(MA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이보다 작을 수 있다.
돌출 영역(PA)은 벤딩 영역(BA)과 패드 영역(PDA)을 포함할 수 있다. 이 경우, 패드 영역(PDA)은 벤딩 영역(BA)의 일 측에 배치되고, 메인 영역(MA)은 벤딩 영역(BA)의 타 측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 패드 영역(PDA)은 벤딩 영역(BA)의 하 측에 배치되고, 메인 영역(MA)은 벤딩 영역(BA)의 상 측에 배치될 수 있다.
벤딩 영역(BA)은 제5 벤딩 라인(BL5)을 따라 제5 곡률로 구부러진 영역을 가리킨다. 표시 패널(100)이 벤딩되기 전에 표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)의 일면은 상부를 향하고 있으나, 표시 패널(100)이 벤딩된 후에는 표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)의 일면은 하부를 향하게 된다. 이로 인해, 패드 영역(PDA)은 메인 영역(MA)의 하부에 배치될 수 있으며, 메인 영역(MA)과 중첩될 수 있다.
표시 패널(100)은 메인 영역(MA)에서 도 3과 같이 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 박막 봉지층(TFEL)을 갖는 표시 유닛(DU)과, 터치 센서층(TSL)을 갖는 터치 감지 유닛(TDU)을 포함할 수 있다. 도 3에서는 터치 센서층(TSL)을 갖는 터치 감지 유닛(TDU)이 표시 패널(100)에 포함되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 터치 감지 유닛(TDU)은 별도의 터치 패널로 형성될 수 있으며, 이 경우 별도의 터치 패널은 표시 패널(100) 상에 부착될 수 있다.
표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)에는 표시 구동 회로(200)와 회로 보드(300)에 전기적으로 연결되는 패드들이 배치될 수 있다.
표시 구동 회로(200)는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 출력한다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급할 수 있다. 또한, 표시 구동 회로(200)는 전원 라인에 전원 전압을 공급하며, 스캔 구동부에 스캔 제어 신호들을 공급할 수 있다. 표시 구동 회로(200)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 패드 영역(PDA)에서 표시 패널(100) 상에 장착될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
패드들은 표시 구동 회로(200)에 전기적으로 연결되는 표시 패드들과 터치 라인들에 전기적으로 연결되는 터치 패드들을 포함할 수 있다.
회로 보드(300)는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 패드들 상에 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드(300)의 리드 라인들은 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 보드(300)는 연성 인쇄 회로 보드(flexible prinited circuit board), 인쇄 회로 보드(printed circuit board) 또는 칩온 필름(chip on film)과 같은 연성 필름(flexible film)일 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 표시 패널(100)의 터치 센서층(TSL)의 터치 전극들에 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 터치 센서층(TSL)의 터치 전극들에 구동 신호들을 인가하고 터치 전극들의 정전 용량 값들을 측정한다. 구동 신호는 복수의 구동 펄스들을 갖는 신호일 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 정전 용량 값들에 따라 터치 입력 여부를 판단할 수 있을 뿐만 아니라, 터치가 입력된 터치 좌표들을 산출할 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 회로 보드(300) 상에 배치될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 집적회로(IC)로 형성되어 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치된 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 박막 봉지층(TFEL)을 갖는 표시 유닛(DU)과, 터치 센서층(TSL)을 갖는 터치 감지 유닛(TDU)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 구부러지거나, 휘어지거나, 벤딩되거나, 접히거나, 말릴 수 있는 플렉서블 기판일 수 있다. 플렉서블 기판의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)에는 화소들 각각의 박막 트랜지스터들 뿐만 아니라, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 스캔 제어 라인들, 및 패드들과 데이터 라인들을 연결하는 링크 라인들 등이 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 스캔 구동부(110)가 도 5와 같이 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)에 형성되는 경우, 스캔 구동부(110)는 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 박막 트랜지스터층(TFTL)의 화소들 각각의 박막 트랜지스터들, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 전원 라인들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 스캔 제어 라인들과 링크 라인들은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL) 상에는 발광 소자층(EML)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 화소들과 화소들을 정의하는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 발광층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광층은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 박막 트랜지스터를 통해 제1 전극에 소정의 전압이 인가되고, 제2 전극에 캐소드 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동되며, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광 소자층(EML)의 화소들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
발광 소자층(EML) 상에는 박막 봉지층(TFEL)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 박막 봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 박막 봉지층(TFEL)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하는 역할을 한다. 이를 위해, 박막 봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
박막 봉지층(TFEL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA) 모두에 배치될 수 있다. 구체적으로, 박막 봉지층(TFEL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 발광 소자층(EML)을 덮으며, 비표시 영역(NDA)의 박막 트랜지스터층(TFTL)을 덮도록 배치될 수 있다.
박막 봉지층(TFEL) 상에는 터치 센서층(TSL)이 배치될 수 있다. 터치 센서층(TSL)이 박막 봉지층(TFEL) 상에 바로 배치됨으로써, 터치 센서층(TSL)을 포함하는 별도의 터치 패널이 박막 봉지층(TFEL) 상에 부착되는 경우보다 표시 장치(10)의 두께를 줄일 수 있는 장점이 있다.
터치 센서층(TSL)은 정전 용량 방식으로 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 전극들과 패드들과 터치 전극들을 연결하는 터치 라인들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서층(TSL)은 자기 정전 용량(self-capacitance) 방식 또는 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식으로 사용자의 터치를 감지할 수 있다.
터치 센서층(TSL)의 터치 전극들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 터치 센서층(TSL)의 터치 라인들은 비표시 영역(NDA)에서 배치될 수 있다.
터치 센서층(TSL) 상에는 커버 윈도우가 추가로 배치될 수 있으며, 이 경우 터치 센서층(TSL)과 커버 윈도우는 투명 접착 부재에 의해 부착될 수 있다.
도 4는 도 3의 표시 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 표시 유닛(DU)의 화소(P)들, 스캔 라인(SL)들, 데이터 라인(DL)들, 전원 라인(PL), 스캔 제어 라인(SCL)들, 스캔 구동부(110), 표시 구동 회로(200), 및 표시 패드들(DP) 만을 도시하였다.
도 4를 참조하면, 스캔 라인(SL)들, 데이터 라인(DL)들, 전원 라인(PL), 및 화소(P)들은 표시 영역(DA)에 배치된다. 스캔 라인(SL)들은 제1 방향(X축 방향)으로 나란하게 형성되고, 데이터 라인(DL)들은 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)으로 나란하게 형성될 수 있다. 전원 라인(PL)은 제2 방향(Y축 방향)으로 데이터 라인(DL)들과 나란하게 형성된 적어도 하나의 라인과 상기 적어도 하나의 라인으로부터 제1 방향(X축 방향)으로 분지된 복수의 라인들을 포함할 수 있다.
화소(P)들 각각은 스캔 라인(SL)들 중 적어도 어느 하나, 데이터 라인(DL)들 중 어느 하나, 및 전원 라인(PL)에 접속될 수 있다. 화소(P)들 각각은 구동 트랜지스터와 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터들, 유기 발광 다이오드, 및 커패시터를 포함할 수 있다. 화소(P)들 각각은 스캔 라인(SL)으로부터 스캔 신호가 인가되는 경우 데이터 라인(DL)의 데이터 전압을 인가 받으며, 게이트 전극에 인가된 데이터 전압에 따라 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급함으로써 발광할 수 있다.
스캔 구동부(110)는 적어도 하나의 스캔 제어 라인(SCL)을 통해 표시 구동 회로(200)에 연결된다. 그러므로, 스캔 구동부(110)는 표시 구동 회로(200)의 스캔 제어 신호를 입력 받을 수 있다. 스캔 구동부(110)는 스캔 제어 신호에 따라 스캔 신호들을 생성하여 스캔 라인(SL)들에 공급한다.
도 4에서는 스캔 구동부(110)가 표시 영역(DA)의 좌측의 비표시 영역(NDA)에 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스캔 구동부(110)는 표시 영역(DA)의 좌측과 우측의 비표시 영역(NDA)에 형성될 수 있다.
표시 구동 회로(200)는 표시 패드들(DP)에 접속되어 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호들을 입력 받는다. 표시 구동 회로(200)는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 데이터 전압들로 변환하여 링크 라인(LL)들을 통해 데이터 라인(DL)들에 공급한다. 또한, 표시 구동 회로(200)는 스캔 제어 라인(SCL)을 통해 스캔 구동부(110)를 제어하기 위한 스캔 제어 신호를 생성하여 공급한다. 스캔 구동부(110)의 스캔 신호들에 의해 데이터 전압들이 공급될 화소(P)들이 선택되며, 선택된 화소(P)들에 데이터 전압들이 공급된다. 표시 구동 회로(200)는 집적회로(IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 기판(SUB) 상에 부착될 수 있다.
도 5는 도 3의 터치 감지 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해 터치 센서(TS)들, 제1 터치 라인들(TL1~TL25), 제2 터치 라인들(RL1~RL40), 제1 터치 패드들(TP1), 및 제2 터치 패드들(TP2) 만을 도시하였다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 제1 터치 라인들을 구동 라인들(TL1~TL25)로 설명하고, 제2 터치 라인들을 감지 라인들(RL1~RL40)로 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 터치 감지 유닛(TDU)은 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 센서 영역(TSA)과 터치 센서 영역(TSA)의 주변에 배치되는 터치 주변 영역(TPA)을 포함한다.
터치 센서 영역(TSA)은 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4)를 포함할 수 있다. 제1 라운드부(RD1)는 제1 단변(SS1)과 제1 장변(LS1) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제2 라운드부(RD2)는 제1 단변(SS1)과 제2 장변(LS2) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제3 라운드부(RD3)는 제2 단변(SS2)과 제1 장변(LS1) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제4 라운드부(RD4)는 제2 단변(SS2)과 제2 장변(LS2) 사이의 모서리 또는 코너에 해당한다. 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4)는 실질적으로 동일한 곡률을 가지거나 서로 상이한 곡률을 가질 수 있다. 또는, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 중 적어도 두 개는 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 또한, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 각각은 실질적으로 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 가질 수 있다.
터치 센서 영역(TSA)은 표시 유닛(DU)의 표시 영역(DA)과 중첩하고, 터치 주변 영역(TPA)은 표시 유닛(DU)의 비표시 영역(NDA)에 중첩할 수 있다. 이 경우, 제1 라운드부(RD1)와 제1 표시 라운드부(DRD1)는 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 제2 라운드부(RD2)와 제2 표시 라운드부(DRD2)는 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 제3 라운드부(RD3)와 제3 표시 라운드부(DRD3)는 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 제4 라운드부(RD4)와 제4 표시 라운드부(DRD4)는 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 곡률을 가질 수 있다. 제1 단변(SS1)과 제1 표시 단변(DSS1)은 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제2 단변(SS2)과 제2 표시 단변(DSS2)은 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제1 장변(LS1)과 제1 표시 장변(LSS1)은 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제2 장변(LS2)과 제2 표시 장변(DLS2)은 서로 중첩할 수 있으며, 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다.
터치 센서(TS)들은 터치 센서 영역(TSA)에 배치될 수 있다. 도 5에서는 터치 센서 영역(TSA)에는 제1 방향(X축 방향)으로 25 개의 터치 센서(TS)들이 배치되고, 제2 방향(Y축 방향)으로 40 개의 터치 센서(TS)들이 배치되는 것을 예시하였으나, 터치 센서 영역(TSA)에 배치되는 터치 센서(TS)들의 개수는 이에 한정되지 않는다. 즉, 도 5와 같이 터치 센서(TS)들은 40 개의 행들과 25 개의 열들에 배치될 수 있다.
터치 센서(TS)들은 도 5와 같이 사각 형태로 정의될 수 있다. 하지만, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 각각의 곡률로 인하여, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)는 사각 형태를 가질 수 없다. 즉, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)의 평면 형태는 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 이외의 영역에 배치된 터치 센서(TS)의 평면 형태와 상이할 수 있다. 이로 인해, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)의 면적은 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 이외의 영역에 배치된 터치 센서(TS)의 면적과 상이할 수 있다. 또한, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에서의 배치 위치에 따라 터치 센서(TS)의 면적은 상이할 수 있다.
터치 센서(TS)들 각각은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결되는 제2 터치 전극(RE)과 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결되는 제1 터치 전극(TE)들을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)이 그들의 교차 영역들에서 서로 단락되는 것을 방지하기 위해, 제1 터치 전극(TE)들은 연결 전극(BE)들을 통해 연결될 수 있다. 터치 센서(TS)들 각각에 대한 자세한 설명은 도 6 내지 도 8을 결부하여 후술한다.
구동 라인(TL)들과 감지 라인(RL)들은 터치 주변 영역(TPA)에 배치될 수 있다. 구동 라인(TL)들은 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들과 전기적으로 연결될 수 있고, 감지 라인(RL)들은 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결된다. 이로 인해, 구동 라인들(TL1~TL25)은 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결된 터치 센서(TS)들 중 일 측 끝에 배치된 터치 센서(TS)의 제1 터치 전극(TE)에 접속된다.
예를 들어, 도 5와 같이 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25)은 터치 센서 영역(TSA)의 하측 끝에 배치된 제1 내지 제25 열들의 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들에 일대일로 연결될 수 있다. 제1 구동 라인(TL1)은 터치 센서 영역(TSA)의 가장 우측에 배치되는 제1 열의 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들에 연결될 수 있다. 제25 구동 라인(TL25)은 터치 센서 영역(TSA)의 가장 좌측에 배치되는 제25 열의 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들에 연결될 수 있다. 도 5에서는 제1 열이 터치 센서 영역(TSA)의 가장 우측이고, 제25 열이 터치 센서 영역(TSA)의 가장 우측이며, 제2 내지 제24 열이 제1 열과 제25 열 사이에 순차적으로 배치된 것을 예시하였다.
또한, 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결된다. 이로 인해, 감지 라인들(RL1~RL40)은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결된 터치 센서(TS)들 중 일 측 또는 타 측 끝에 배치된 터치 센서(TS)의 제2 터치 전극(RE)에 접속된다.
예를 들어, 도 5와 같이 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치될 수 있다. 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치된 제1 내지 제27 행들의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 일대일로 연결될 수 있다. 제1 감지 라인(RL1)은 터치 센서 영역(TSA)의 가장 하측에 배치되는 제1 행의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 연결될 수 있다. 제27 감지 라인(RL27)은 터치 센서 영역(TSA)의 제27 행의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 연결될 수 있다. 도 5에서는 제1 행이 터치 센서 영역(TSA)의 가장 하측이고, 제2 내지 제27 행이 제1 행으로부터 상측 방향(Y축 방향)으로 순차적으로 배치된 것을 예시하였다.
또한, 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치될 수 있다. 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치된 제28 내지 제40 행들의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 일대일로 연결될 수 있다. 제28 감지 라인(RL28)은 터치 센서 영역(TSA)의 제28 행의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 연결될 수 있다. 제40 감지 라인(RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 제40 행의 터치 센서(TS)들의 제2 터치 전극(RE)들에 연결될 수 있다. 도 5에서는 제28 내지 제40 행이 제27 행으로부터 상측 방향(Y축 방향)으로 순차적으로 배치된 것을 예시하였다.
한편, 본 명세서에서 설명의 편의를 위해, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)은 제1 그룹의 감지 라인들 또는 제1 그룹의 제2 터치 라인들로 정의되고, 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 제2 그룹의 감지 라인들 또는 제2 그룹의 제2 터치 라인들로 정의될 수 있다. 이 경우, 제1 그룹의 감지 라인들(RL1~RL27)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치되고, 제2 그룹의 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치될 수 있다.
또한, 제1 그룹의 감지 라인들은 27 개인 반면에, 제2 그룹의 감지 라인들은 13 개일 수 있다. 즉, 제1 그룹의 감지 라인들의 개수와 제2 그룹의 감지 라인들의 개수는 상이할 수 있다. 제2 그룹의 감지 라인들의 길이들이 제1 그룹의 감지 라인들의 길이들에 비해 길기 때문에, 제2 그룹의 감지 라인들의 폭들을 제1 그룹의 감지 라인들의 폭들보다 넓게 형성하는 경우, 제1 그룹의 감지 라인들과 제2 그룹의 감지 라인들 사이의 저항 편차를 최소화할 수 있다.
제1 가드 라인(GL1)은 제40 감지 라인(RL40)의 우측에 배치될 수 있다. 제2 가드 라인(GL2)은 제1 구동 라인(TL1)과 제28 감지 라인(RL28) 사이에 배치될 수 있다. 제3 가드 라인(GL3)은 제1 감지 라인(RL1)과 제2 접지 라인(GRL2) 사이에 배치될 수 있다. 제4 가드 라인(GL4)은 제27 감지 라인(RL27)의 좌측에 배치될 수 있다. 제5 가드 라인(GL5)은 터치 센서 영역(TSA)의 우측, 상측, 및 좌측을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제5 가드 라인(GL5)은 제1 터치 패드들(TP1) 중 어느 하나와 제2 터치 패드들(TP2) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 또한, 제5 가드 라인(GL5)은 제27 감지 라인(RL27)과 제4 가드 라인(GL4) 사이와 제40 감지 라인(GL40)과 제1 가드 라인(GL1) 사이에 배치될 수 있다.
제1 접지 라인(GRL1)은 제1 가드 라인(GL1)의 우측에 배치될 수 있다. 제2 접지 라인(GRL2)은 제2 터치 패드들(TP2) 중에 가장 왼쪽에 배치된 제2 터치 패드에 접속될 수 있다. 제3 접지 라인(GRL3)은 제1 터치 패드들(TP1) 중에 가장 오른쪽에 배치된 제1 터치 패드에 접속될 수 있다. 제2 접지 라인(GRL2)은 제3 가드 라인(GL3)의 좌측에 배치되고, 제3 접지 라인(GRL3)은 제2 가드 라인(GL2)의 우측에 배치되리 수 있다. 제2 접지 라인(GRL2)과 제3 접지 라인(GRL3)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 접지 라인(GRL4)은 제4 가드 라인(GL4)의 좌측에 배치될 수 있다.
제1 접지 라인(GRL1)과 제4 접지 라인(GRL4)은 표시 패널(100)의 좌측, 상측, 및 우측에서 가장 외곽에 배치된다. 제2 접지 라인(GRL2)과 제3 접지 라인(GRL3)은 표시 패널(100)의 하측에 배치된다. 이로 인해, 터치 센서 영역(TSA), 구동 라인들(TL1~TL25), 및 감지 라인들(RL1~RL40)은 제1 접지 라인(GRL1), 제2 접지 라인(GRL2), 제3 접지 라인(GRL3), 및 제4 접지 라인(GRL4)에 의해 둘러싸이도록 배치될 수 있다. 그러므로, 외부로부터 정전기가 인가되는 경우, 정전기는 제1 접지 라인(GRL1), 제2 접지 라인(GRL2), 및 제3 접지 라인(GRL3)으로 방전될 수 있다. 즉, 터치 센서 영역(TSA), 구동 라인들(TL1~TL25), 및 감지 라인들(RL1~RL40)은 정전기로부터 보호될 수 있다.
또한, 제1 가드 라인(GL1)은 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)이 제1 접지 라인(GRL1)의 전압 변화에 의해 영향을 받는 것을 최소화하는 역할을 할 수 있다. 제2 가드 라인(GL2)은 제1 감지 라인(RL1)과 제1 구동 라인(TL1)이 서로 영향을 받는 것을 최소화하는 역할을 할 수 있다. 제3 가드 라인(GL3)은 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)이 제2 접지 라인(GRL2)의 전압 변화에 의해 영향을 받는 것을 최소화하는 역할을 할 수 있다. 제4 가드 라인(GL4)은 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 제4 접지 라인(GRL4)의 전압 변화에 의해 영향을 받는 것을 최소화하는 역할을 할 수 있다. 제5 가드 라인(GL5)은 터치 센서 영역(TSA)과 감지 라인들(RL1~RL40)이 주변의 전압 변화에 의해 영향을 받는 것을 최소화하는 역할을 할 수 있다.
이를 위해, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 상호 정전 용량 방식으로 구동되는 경우, 제1 가드 라인(GL1), 제2 가드 라인(GL2), 제3 가드 라인(GL3), 제4 가드 라인(GL4), 및 제5 가드 라인(GL5)에는 접지 전압이 인가될 수 있다. 또한, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 자기 정전 용량 방식으로 구동되는 경우, 제1 가드 라인(GL1), 제2 가드 라인(GL2), 제3 가드 라인(GL3), 제4 가드 라인(GL4), 및 제5 가드 라인(GL5)에는 구동 라인들(TL1~TL25) 및 감지 라인들(RL1~RL40)에 인가되는 구동 신호들과 동일한 구동 신호들이 인가될 수 있다. 상호 정전 용량 방식과 자기 정전 용량 방식에 대한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.
제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25), 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27), 제4 가드 라인(GL4), 제3 접지 라인(GRL3), 및 제4 접지 라인(GRL4)은 제1 터치 패드들(TP1)에 접속될 수 있다. 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40), 제1 가드 라인(GL1), 제2 가드 라인(GL2), 제3 가드 라인(GL3), 제5 가드 라인(GL5), 제1 접지 라인(GRL1), 및 제2 접지 라인(GRL2)은 제2 터치 패드들(TP2)에 접속될 수 있다.
본 명세서에서는 설명의 편의를 위해, 표시 패드들(DP)은 도 4에만 도시하고, 제1 터치 패드들(TP1)과 제2 터치 패드들(TP2)은 도 5에만 도시하였으나, 표시 패드들(DP), 제1 터치 패드들(TP1), 및 제2 터치 패드들(TP2)은 표시 패널(100)의 돌출 영역(PA)의 끝 단에 함께 배치될 수 있다. 이 때, 표시 패드들(DP)은 제1 터치 패드들(TP1)과 제2 터치 패드들(TP2) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 패드들(TP1)은 표시 패드들(DP)의 좌측에 배치되며, 제2 터치 패드들(TP2)은 표시 패드들(DP)의 우측에 배치될 수 있다.
도 6은 도 5의 터치 센서들의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 7은 도 6의 A1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 터치 센서(TS)들 각각은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결된 제2 터치 전극(RE)들, 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결된 제1 터치 전극(TE)들, 및 제2 터치 전극(RE)들과 제1 터치 전극(TE)들이 그들의 교차 영역들에서 서로 단락되는 것을 방지하기 위해, 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 제1 터치 전극(TE)들을 연결하는 연결 전극(BE)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 서로 소정의 간격으로 떨어져 배치되므로, 서로 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 상호 정전 용량 방식 또는 자기 정전 용량 방식으로 구동될 수 있다. 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 상호 정전 용량 방식으로 구동되는 경우, 구동 라인들(TL1~TL40) 을 통해 제1 터치 전극(TE)들에 구동 신호들을 공급하여, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들 사이에 형성되는 상호 정전 용량들을 충전한다. 그리고 나서, 감지 라인들(RL1~RL40)을 통해 제2 터치 전극(RE)들의 차지 변화량들을 측정하며, 제2 터치 전극(RE)들의 차지 변화량들에 따라 터치 입력 여부를 판단한다. 구동 신호는 복수의 구동 펄스들을 갖는 신호일 수 있다.
두 번째로, 터치 센서(TS)들의 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 자기 정전 용량 방식으로 구동되는 경우, 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)을 통해 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들 모두에 구동 신호들을 공급하여, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들의 자기 정전 용량들을 충전한다. 그리고 나서, 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)을 통해 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들의 자기 정전 용량들의 차지 변화량들을 측정하며, 자기 정전 용량들의 차지 변화량들에 따라 터치 입력 여부를 판단한다.
제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 도 7과 같이 메쉬 형태 또는 그물망 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들을 포함하는 터치 센서층(TSL)이 도 4와 같이 박막 봉지막(TFEL) 상에 바로 형성되는 경우, 발광 소자층(EML)의 제2 전극과 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE)들 또는 제2 터치 전극(RE)들 사이의 거리가 가깝기 때문에, 발광 소자층(EML)의 제2 전극과 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE) 또는 제2 터치 전극(RE) 사이에 기생 정전 용량(parasitic capacitance)이 크게 형성될 수 있다. 기생 정전 용량은 발광 소자층(EML)의 제2 전극과 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE) 또는 제2 터치 전극(RE) 사이의 중첩 면적에 비례하므로, 상기 기생 정전 용량을 줄이기 위해 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 산화물 도전층의 통 전극으로 형성되는 것보다 도 7과 같이 메쉬 형태 또는 그물망 형태의 전극으로 형성되는 것이 바람직하다.
연결 전극(BE)들은 평면 상 “<” 또는 “>”와 같이 적어도 한 번 절곡되도록 형성될 수 있으나, 연결 전극(BE)들 각각의 평면 형태는 이에 한정되지 않는다. 연결 전극(BE)들은 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 연결 전극(BE)들 각각은 도 7과 같이 제1 터치 전극(TE)들과 중첩 영역에서 제1 콘택홀(CT1)들을 통해 제1 터치 전극(TE)들과 연결될 수 있다.
도 6과 같이 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들로부터 이격되도록 더미 전극들(또는 플로팅 전극들)(DE1, DE2, DE3)이 배치될 수 있다. 더미 전극(DE1, DE2, DE3)들은 제1 터치 전극(TE)에 의해 둘러싸이거나 제2 터치 전극(RE)에 의해 둘러싸이도록 배치될 수 있다. 더미 전극(DE1, DE2, DE3)들은 메쉬 형태 또는 그물망 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 더미 전극(DE1, DE2, DE3)들에는 어떠한 전압도 인가되지 않는다. 더미 전극(DE1, DE2, DE3)들의 면적이 넓을수록 발광 소자층(EML)의 제2 전극과 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE)들 또는 제2 터치 전극(RE)들 사이에 기생 정전 용량이 작아지며, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들 사이에 상호 정전 용량이 작아질 수 있다. 상기 기생 정전 용량이 작아지는 경우 상호 정전 용량이 충전되는 충전 속도를 높일 수 있는 장점이 있으나, 상호 정전 용량이 작아지는 경우 터치 노이즈의 영향력이 커질 수 있다. 따라서, 더미 전극(DE1, DE2, DE3)들의 면적은 상기 기생 정전 용량과 상기 상호 정전 용량을 고려하여 적절하게 설정되는 것이 바람직하다.
제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 메쉬 형태 또는 그물망 형태로 형성되므로, 서브 화소들(R, G, B)은 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들과 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 즉, 서브 화소들(R, G, B)은 메쉬 형태 또는 그물망 형태의 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들에 의해 매트릭스 형태로 배치되는 영역들에 배치될 수 있다.
서브 화소들(R, G, B)은 제1 색을 발광하는 제1 서브 화소(R), 제2 색을 발광하는 제2 서브 화소(G), 및 제3 색을 발광하는 제3 서브 화소(B)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서는, 제1 서브 화소(R)가 적색 서브 화소, 제2 서브 화소(G)가 녹색 서브 화소, 제3 서브 화소(B)가 청색 서브 화소인 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 하나의 제1 서브 화소(R), 두 개의 제2 서브 화소(G)들, 및 하나의 제3 서브 화소(B)는 하나의 화소(P)로 정의될 수 있다. 화소(P)는 계조를 표현할 수 있는 한 그룹의 서브 화소들을 가리킨다.
도 7에서는 제1 서브 화소(R), 제2 서브 화소(G), 및 제3 서브 화소(B)가 육각형의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 서브 화소(R), 제2 서브 화소(G), 및 제3 서브 화소(B)는 육각형 이외에 다른 다각형, 원형 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다. 또한, 도 7에서는 제3 서브 화소(B)의 크기가 가장 크고, 제2 서브 화소(G)의 크기가 가장 작은 것을 예시하였으나, 서브 화소들(R, G, B)의 크기는 이에 한정되지 않는다.
도 8은 도 7의 Ⅱ-Ⅱ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 박막 트랜지스터(120)들, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 보호막(150), 및 평탄화막(160)을 포함한다.
기판(SUB)의 일면 상에는 버퍼막(BF)이 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(120)들과 발광 소자층(EML)의 유기 발광층(172)을 보호하기 위해 기판(SUB)의 일면 상에 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(BF)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 생략될 수 있다.
버퍼막(BF) 상에는 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 도 8에서는 박막 트랜지스터(120)가 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(210)들은 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
버퍼막 상에는 액티브층(121)이 형성된다. 액티브층(121)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브층(121)은 ITZO(인듐, 주석, 티타늄을 포함하는 산화물)나 IGZO(인듐, 갈륨, 주석을 포함하는 산화물)를 포함할 수 있다. 버퍼막과 액티브층(121) 사이에는 액티브층(121)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(121) 상에는 게이트 절연막(130)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 게이트 전극(122)과 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트 전극(122)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(122)과 게이트 라인 상에는 층간 절연막(140)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(140)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(140) 상에는 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 형성될 수 있다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 각각은 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(121)에 접속될 수 있다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(213)과 드레인 전극(124) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 절연하기 위한 보호막(150)이 형성될 수 있다. 보호막(150)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
보호막(150) 상에는 박막 트랜지스터(120)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(160)이 형성될 수 있다. 평탄화막(160)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL) 상에는 발광 소자층(EML)이 형성된다. 발광 소자층(EML)은 발광 소자(170)들과 화소 정의막(180)을 포함한다.
발광 소자(170)들과 화소 정의막(180)은 평탄화막(160) 상에 형성된다. 발광 소자(170)들 각각은 제1 전극(171), 유기 발광층(172), 및 제2 전극(173)을 포함할 수 있다.
제1 전극(171)은 평탄화막(160) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(171)은 보호막(150)과 평탄화막(160)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)에 접속된다.
유기 발광층(172)을 기준으로 제2 전극(173) 방향으로 발광하는 상부 발광(top emission) 구조에서 제1 전극(171)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
유기 발광층(172)을 기준으로 제1 전극(171) 방향으로 발광하는 하부 발광(bottom) 구조에서 제1 전극(171)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(171)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
화소 정의막(180)은 서브 화소들(R, G, B)을 정의하는 화소 정의막으로 역할을 하기 위해 평탄화막(250) 상에서 제1 전극(171)을 구획하도록 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(171)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
서브 화소들(R, G, B) 각각은 제1 전극(171), 유기 발광층(172), 및 제2 전극(173)이 순차적으로 적층되어 제1 전극(171)으로부터의 정공과 제2 전극(173)으로부터의 전자가 유기 발광층(172)에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다. 도 8에서는 설명의 편의를 위해 제1 서브 화소(R)만을 예시하였으나, 제2 서브 화소(G)와 제3 서브 화소(B)는 제1 서브 화소(R)와 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다.
제1 전극(171)과 화소 정의막(180) 상에는 유기 발광층(172)이 형성된다. 유기 발광층(172)은 유기 물질을 포함하여 소정의 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(172)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 물질층, 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 적색 서브 화소(R)의 유기 발광층(172)은 적색 광을 발광하고, 녹색 서브 화소(G)의 유기 발광층(172)은 녹색 광을 발광하며, 청색 서브 화소(B)의 유기 발광층(172)은 청색 광을 발광할 수 있다. 또는, 서브 화소들(R, G, B)의 유기 발광층(172)들은 백색 광을 발광할 수 있으며, 이 경우 적색 서브 화소(R)는 적색 컬러필터층을 더 포함하고, 녹색 서브 화소(G)는 녹색 컬러필터층을 더 포함하며, 청색 서브 화소(B)는 청색 컬러필터층을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(173)은 유기 발광층(172) 상에 형성된다. 제2 전극(173)은 유기 발광층(172)을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 전극(173)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(173) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
상부 발광 구조에서 제2 전극(173)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(173)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
하부 발광 구조에서 제2 전극(173)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
발광 소자층(EML) 상에는 박막 봉지층(TFEL)이 형성된다. 박막 봉지층(TFEL)은 봉지막(190)을 포함한다.
봉지막(190)은 제2 전극(173) 상에 배치된다. 봉지막(190)은 유기 발광층(172)과 제2 전극(173)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 또한, 봉지막(190)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하기 위해 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지막(190)은 제2 전극(173) 상에 배치된 제1 무기막, 제1 무기막 상에 배치된 유기막, 유기막 상에 배치된 제2 무기막을 포함할 수 있다. 제1 무기막과 제2 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
박막 봉지층(TFEL) 상에는 터치 센서층(TSL)이 형성된다. 도 5에서 설명한 바와 같이, 터치 센서층(TSL)은 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들, 구동 라인들(TL1~TL25), 감지 라인들(RL1~RL40), 가드 라인들(GL1, GL2, GL3, GL4, GL5), 및 접지 라인들(GRL1, GRL2, GRL3, GRL4)을 포함한다. 도 8에서는 설명의 편의를 위해 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE), 제2 터치 전극(RE), 및 연결 전극(BE)만을 예시하였다. 봉지막(190) 상에는 버퍼막이 추가로 형성될 수 있다.
봉지막(190) 또는 추가의 버퍼막 상에는 연결 전극(BE)들이 형성된다. 연결 전극(BE)들은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
연결 전극(BE)들 상에는 제1 터치 절연막(TINS1)이 형성된다. 제1 터치 절연막(TINS1)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 터치 절연막(TINS1)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 터치 절연막(TINS1) 상에는 제1 터치 전극(TE)과 제2 터치 전극(RE)이 형성된다. 제1 터치 전극(TE)과 제2 터치 전극(RE)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 터치 절연막(TINS1)에는 제1 절연막(INS1)을 관통하여 연결 전극(BE)을 노출하는 제1 콘택홀(CT1)들이 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE)은 제1 콘택홀(CT1)들을 통해 연결 전극(BE)에 접속될 수 있다.
제1 터치 전극(TE)과 제2 터치 전극(RE) 상에는 제2 터치 절연막(TINS2)이 형성된다. 제2 터치 절연막(TINS2)은 제1 터치 전극(TE), 제2 터치 전극(RE), 및 연결 전극(BE)으로 인해 형성된 단차를 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 제2 터치 절연막(TINS2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
도 8에 도시된 실시예에 의하면, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 봉지막(190) 상에 바로 형성되므로, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들을 포함하는 별도의 터치 패널을 봉지막(190) 상에 부착할 때보다 표시 장치(10)의 두께를 줄일 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 실시예에 의하면, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들이 메쉬 형태 또는 그물망 형태의 전극들로 형성됨으로써, 화소 정의막(180)과 중첩하게 배치된다. 이로 인해, 서브 화소들(R, G, B)의 개구 영역이 줄어드는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들과 제2 전극(173) 간의 기생 정전 용량을 줄일 수 있다.
도 9는 도 5의 B1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 9에는 터치 센서 영역(TSA)의 제3 라운드부(RD3)의 확대 평면도가 도시되어 있다.
도 9에서는 설명의 편의를 위해, 터치 센서(TS)들, 제3 라운드부(RD3)의 터치 센서(TS)들에 연결되는 제21 내지 제25 구동 라인들(TL21~TL25), 제3 라운드부(RD3)의 터치 센서(TS)들에 연결되는 제1 내지 제5 감지 라인들(RL1~RL5)만을 예시하였다. 또한, 도 9에서는 설명의 편의를 위해 제i 행과 제j 열에 배치된 터치 센서를 제i-j 터치 센서로 설명하기로 한다. 예를 들어, 제1 행과 제25 열에 배치된 터치 센서를 제1-25 터치 센서(TS1-25)로 설명하기로 한다.
도 9를 참조하면, 제1-22 터치 센서(TS1-22), 제1-23 터치 센서(TS1-23), 제1-24 터치 센서(TS1-24), 제2-24 터치 센서(TS2-24), 제2-25 터치 센서(TS2-25), 제3-25 터치 센서(TS3-25), 및 제4-25 터치 센서(TS4-25)는 제3 라운드부(RD3)에 배치되므로, 사각 형태를 가질 수 없다. 이와 유사하게, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 및 제3 라운드부(RD3)에 배치된 터치 센서(TS)들 역시 사각 형태를 가질 수 없다.
이로 인해, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)의 평면 형태는 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 이외의 영역에 배치된 터치 센서(TS)의 평면 형태와 상이할 수 있다. 즉, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에서의 배치 위치에 따라 터치 센서(TS)의 평면 형태는 상이할 수 있다.
또한, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)의 면적은 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 및 제4 라운드부(RD4) 이외의 영역에 배치된 터치 센서(TS)의 면적과 상이할 수 있다. 즉, 제1 라운드부(RD1), 제2 라운드부(RD2), 제3 라운드부(RD3), 또는 제4 라운드부(RD4)에서의 배치 위치에 따라 터치 센서(TS)의 면적은 상이할 수 있다.
도 9와 같이 제21 구동 라인(TL21)은 제1-21 터치 센서(TS1-21)에 접속되고, 제22 구동 라인(TL22)은 제1-22 터치 센서(TS1-22)에 접속될 수 있다. 제23 구동 라인(TL23)은 제1-23 터치 센서(TS1-23)에 접속되고, 제24 구동 라인(TL24)은 제1-24 터치 센서(TS1-24)에 접속될 수 있다. 제25 구동 라인(TL25)은 제2-25 터치 센서(TS2-25)에 접속될 수 있다.
즉, 제2 내지 제24 구동 라인들(TL2~TL24)은 제1 행에 배치된 제1-2 내지 제1-24 터치 센서들(TS1-2~TS1-24)에 일대일로 접속될 수 있다. 또한, 제3 라운드부(RD3)의 곡률과 제4 라운드부(RD4)의 곡률로 인하여, 제1-1 터치 센서(TS1-1)와 제1-25 터치 센서(TS1-25)는 존재하지 않으므로, 제1 구동 라인(TL1)은 제2 행에 배치된 제2-1 터치 센서(TS2-1)에 접속되고, 제25 구동 라인(TL25)은 제2 행에 배치된 제2-25 터치 센서(TS2-25)에 접속될 수 있다.
도 9와 같이 제3 라운드부(RD3)의 곡률로 인하여, 제1-25 터치 센서(TS1-25)는 존재하지 않으므로, 제1 감지 라인(RL1)은 제1-24 터치 센서(TS1-24)에 접속될 수 있다. 제2 감지 라인(RL2)은 제2-25 터치 센서(TS2-25)에 접속되고, 제3 감지 라인(RL3)은 제3-25 터치 센서(TS3-25)에 접속될 수 있다. 제4 감지 라인(RL4)은 제4-25 터치 센서(TS4-25)에 접속되며, 제5 감지 라인(RL5)은 제5-25 터치 센서(TS5-25)에 접속될 수 있다.
즉, 제2 내지 제27 감지 라인들(RL2~RL27)은 제25 열에 배치된 제2-25 내지 제27-25 터치 센서들(TS2-25~TS27-25)에 일대일로 접속될 수 있다. 또한, 제3 라운드부(RD3)의 곡률로 인하여, 제1-25 터치 센서(TS1-25)는 존재하지 않으므로, 제1 감지 라인(RL1)은 제24 열에 배치된 제1-24 터치 센서(TS1-24)에 접속될 수 있다.
이와 유사하게, 제28 내지 제39 감지 라인들(RL28~RL39)은 제1 열에 배치된 제28-1 내지 제39-1 터치 센서들(TS28-1~TS39-1)에 일대일로 접속될 수 있다. 또한, 제2 라운드부(RD2)의 곡률로 인하여, 제40-1 터치 센서(TS40-1)는 존재하지 않으므로, 제40 감지 라인(RL40)은 제39 열에 배치된 제39-2 터치 센서(TS39-2)에 접속될 수 있다.
앞서 살펴본 바와 같이, 제3 라운드부(RD3)의 곡률로 인해 제1 감지 라인(RL1)은 제24 열에 배치된 제1-24 터치 센서(TS1-24)에 접속되며, 제25 구동 라인(TL25)은 제25 열에 배치된 제2-25 터치 센서(TS2-25)에 접속된다. 이로 인해, 제1 감지 라인(RL1)은 적어도 하나의 구동 라인과 교차될 수 있다. 예를 들어, 도 9와 같이 제1 감지 라인(RL1)은 제24 구동 라인(TL24) 및 제25 구동 라인(TL25)과 교차될 수 있다. 또한, 제2 감지 라인(RL2)은 제25 구동 라인(TL25)과 교차될 수 있다.
도 10은 도 9의 B11 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 11은 도 10의 Ⅲ-Ⅲ’의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 12는 도 10의 Ⅳ-Ⅳ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25)과 제1 내지 제40 감지 라인들(RL1~RL40)은 저항을 낮추기 위해 복수의 터치 신호층들을 포함할 수 있다. 도 12에서는 제1 감지 라인(RL1)과 제2 감지 라인(RL2)이 제1 터치 신호층(TSL1)과 제2 터치 신호층(TSL2)을 포함하는 것을 예시하였다. 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25)과 제3 내지 제40 감지 라인들(RL3~RL40) 역시 제1 감지 라인(RL1) 및 제2 감지 라인(RL2)과 동일하게 제1 터치 신호층(TSL1)과 제2 터치 신호층(TSL2)을 포함할 수 있다.
제1 터치 신호층(TSL1)은 봉지막(190) 또는 추가의 버퍼막 상에 형성될 수 있다. 제1 터치 신호층(TSL1)은 연결 전극(BE)들과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제1 터치 신호층(TSL1)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 터치 신호층(TSL2)은 제1 터치 절연막(TINS1) 상에 형성될 수 있다. 제2 터치 신호층(TSL2)은 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25), 제1 내지 제40 감지 라인들(RL1~RL40), 가드 라인들(GL1, GL2, GL3, GL4, GL5), 및 접지 라인들(GRL1, GRL2, GRL3, GRL4)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 터치 신호층(TSL2)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 터치 절연막(TINS1)에는 제1 절연막(INS1)을 관통하여 제1 터치 신호층(TSL1)을 노출하는 제2 콘택홀(CT2)들이 형성될 수 있다. 제2 터치 신호층(TSL2)은 제2 콘택홀(CT2)들을 통해 제1 터치 신호층(TSL1)에 접속될 수 있다. 제2 콘택홀(CT2)들의 간격은 수십 ㎛ 내지 수천 ㎛일 수 있다.
제1 감지 라인(RL1)은 제24 구동 라인(TL24) 및 제25 구동 라인(TL25)과 교차하여 제1-24 터치 센서(TS1-24)의 제2 터치 전극(RE)에 접속될 수 있다. 제24 구동 라인(TL24)은 제1-24 터치 센서(TS1-24)의 제1 터치 전극(TE)에 접속될 수 있다.
제1 감지 라인(RL1)이 제24 구동 라인(TL24) 또는 제25 구동 라인(TL25)과 단락(short)되는 것을 방지하기 위해, 제1 감지 라인(RL1)은 그와 제24 구동 라인(TL24) 및 제25 구동 라인(TL25)의 교차 영역에서 제1 터치 신호층(TSL1)과 제2 터치 신호층(TSL2) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다. 이 경우, 제24 구동 라인(TL24) 및 제25 구동 라인(TL25)은 상기 교차 영역에서 제1 터치 신호층(TSL1)과 제2 터치 신호층(TSL2) 중 다른 하나만을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 11 및 도 12와 같이 제1 감지 라인(RL1)의 제2 터치 센서층(TSL2)은 제24 구동 라인(TL24)의 제1 터치 센서층(TSL1) 및 제25 구동 라인(TL25)의 제1 터치 센서층(TSL1)과 교차할 수 있다. 또는, 도 13 및 도 14와 같이 제1 감지 라인(RL1)의 제1 터치 신호층(TSL1)은 제24 구동 라인(TL24)의 제2 터치 센서층(TSL2) 및 제25 구동 라인(TL25)의 제2 터치 센서층(TSL2)과 교차할 수 있다.
도 10 내지 도 12에 도시된 실시예에 의하면, 구동 라인들과 감지 라인들이 복수의 터치 신호층들을 포함함으로써, 저항을 낮출 수 있다. 따라서, 구동 신호의 주파수를 낮추지 않고도 구동 신호에 의해 상호 정전 용량을 충전하는 속도를 높일 수 있으므로, 터치 감도를 높일 수 있다.
또한, 도 10 내지 도 12에 도시된 실시예에 의하면, 구동 라인과 감지 라인의 교차 영역에서 구동 라인은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층 중 어느 하나를 포함하고, 감지 라인은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층 중 다른 하나를 포함할 수 있다. 이로 인해, 라운드부에 배치된 터치 센서들에 연결되는 구동 라인과 감지 라인이 서로 단락(short)되는 것을 방지할 수 있으므로, 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지하도록 터치 센서들을 배치할 수 있다.
도 15는 도 3의 터치 감지 유닛의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 15에 도시된 실시예는 구동 라인과 감지 라인이 교차하지 않도록 배치되는 것에서 도 5에 도시된 실시예와 차이가 있다. 따라서, 도 15에 도시된 실시예에서는 도 5에 도시된 실시예와 중복된 설명은 생략한다.
도 15를 참조하면, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되며, 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치된다. 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되므로, 제3 라운드부(RD3)에서 구동 라인과 감지 라인은 더 이상 교차하지 않는다. 대신에, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되므로, 제4 라운드부(RD4)에서 제1 내지 제4 감지 라인들(RL1~RL4)은 터치 센서(TS)들에 접속될 수 있다. 이 경우, 제4 라운드부(RD4)에서 구동 라인이 감지 라인과 교차하는 것을 방지하기 위해, 제1 내지 제4 구동 라인들(TL1~TL4)은 제2 라운드부(RD2)에서 터치 센서(TS)들에 접속될 수 있다.
예를 들어, 도 16과 같이 제21 구동 라인(TL21)은 제1-21 터치 센서(TS1-21)에 접속되고, 제22 구동 라인(TL22)은 제1-22 터치 센서(TS1-22)에 접속될 수 있다. 제23 구동 라인(TL23)은 제1-23 터치 센서(TS1-23)에 접속되고, 제24 구동 라인(TL24)은 제1-24 터치 센서(TS1-24)에 접속될 수 있다. 제25 구동 라인(TL25)은 제2-25 터치 센서(TS2-25)에 접속될 수 있다.
또한, 도 17과 같이 제1 감지 라인(RL1)은 제1-2 터치 센서(TS1-2)에 접속되고, 제2 감지 라인(RL2)은 제2-25 터치 센서(TS2-1)에 접속되며, 제3 감지 라인(RL3)은 제3-1 터치 센서(TS3-1)에 접속될 수 있다. 제4 감지 라인(RL4)은 제4-1 터치 센서(TS4-1)에 접속되며, 제5 감지 라인(RL5)은 제5-1 터치 센서(TS5-1)에 접속될 수 있다.
또한, 도 18과 같이 제1 구동 라인(TL1)은 제40-2 터치 센서(TS40-2)에 접속되고, 제2 구동 라인(TL2)은 제39-1 터치 센서(TS39-1)에 접속되며, 제3 구동 라인(TL3)은 제38-1 터치 센서(TS38-1)에 접속될 수 있다. 제4 구동 라인(TL4)은 제37-1 터치 센서(TS37-1)에 접속되며, 제5 구동 라인(TL5)은 제36-1 터치 센서(TS36-1)에 접속될 수 있다.
제1 내지 제4 구동 라인들(TL1~TL4)은 제27 감지 라인(RL27)의 우측에 배치될 수 있다. 이 경우, 제6 가드 라인(GL6)이 제27 감지 라인(RL27)과 제1 구동 라인(TL1) 사이에 배치될 수 있다.
제1 가드 라인(GL1)은 제27 감지 라인(RL27)의 우측에 배치될 수 있다. 제2 가드 라인(GL2)이 제5 구동 라인(TL5)과 제1 감지 라인(RL1) 사이에 배치될 수 있다. 제4 가드 라인(GL4)은 제40 감지 라인(RL40)의 좌측에 배치될 수 있다. 제5 가드 라인(GL5)은 제27 감지 라인(RL27)과 제1 가드 라인(GL1) 사이와 제40 감지 라인(GL40)과 제4 가드 라인(GL4) 사이에 배치될 수 있다.
도 15에 도시된 실시예에서, 제1 내지 제4 구동 라인들(TL1~TL4)은 제1 그룹의 구동 라인들 또는 제1 그룹의 제1 터치 라인들로 정의되고, 제5 내지 제25 구동 라인들(TL5~TL25)은 제2 그룹의 구동 라인들 또는 제2 그룹의 제1 터치 라인들로 정의될 수 있다. 또한, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)은 제1 그룹의 감지 라인들 또는 제1 그룹의 제2 터치 라인들로 정의되고, 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 제2 그룹의 감지 라인들 또는 제2 그룹의 제2 터치 라인들로 정의될 수 있다.
이 경우, 제1 그룹의 감지 라인들(RL1~RL27)은 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되고, 제2 그룹의 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치될 수 있다. 제1 그룹의 구동 라인들(TL1~TL4)은 제1 그룹의 감지 라인들(RL1~RL27)의 우측에 배치될 수 있다. 제2 그룹의 구동 라인들(TL5~TL25)은 터치 센서 영역(TSA)의 하측에 배치될 수 있다. 제1 그룹의 감지 라인들(RL1~RL27)은 제1 그룹의 구동 라인들(TL1~TL4)과 제2 그룹의 구동 라인들(TL5~TL25) 사이에 배치될 수 있다.
도 15에 도시된 실시예에 의하면, 라운드부에서 구동 라인과 감지 라인이 교차하지 않도록 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)을 설계한다. 예를 들어, 제2 라운드부(RD2)에서 제1 내지 제4 구동 라인들(TL1~TL4)을 터치 센서(TS)들에 접속하며, 제3 라운드부(RD3)에서 제22 내지 제25 구동 라인들(TL22~TL25)을 터치 센서(TS)들에 접속하고, 제4 라운드부(RD4)에서 제1 내지 제4 감지 라인들(RL1~RL4)을 터치 센서(TS)들에 접속한다. 이로 인해, 라운드부에 배치된 터치 센서들에 연결되는 구동 라인과 감지 라인이 서로 단락(short)되는 것을 방지할 수 있으므로, 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지하도록 터치 센서들을 배치할 수 있다.
또한, 도 15에 도시된 실시예에 의하면, 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25)과 제1 내지 제40 감지 라인들(RL1~RL40)은 저항을 낮추기 위해 복수의 터치 신호층들을 포함할 수 있다.
도 19는 도 3의 터치 감지 유닛의 또 다른 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 19에 도시된 실시예는 제4 라운드부(RD4)에서 구동 라인들과 감지 라인들이 교대로 배치되는 것에서 도 5에 도시된 실시예와 차이가 있다. 따라서, 도 15에 도시된 실시예에서는 도 5에 도시된 실시예와 중복된 설명은 생략한다.
도 19를 참조하면, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되며, 제28 내지 제40 감지 라인들(RL28~RL40)은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측에 배치된다. 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되므로, 제3 라운드부(RD3)에서 구동 라인과 감지 라인은 더 이상 교차하지 않는다. 대신에, 제1 내지 제27 감지 라인들(RL1~RL27)이 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치되므로, 제4 라운드부(RD4)에서 제1 내지 제4 감지 라인들(RL1~RL4)은 터치 센서(TS)들에 접속될 수 있다. 이 경우, 제4 라운드부(RD4)에서 구동 라인이 감지 라인과 교차하는 것을 방지하기 위해, 제1 내지 제4 구동 라인들(TL1~TL4)과 제1 내지 제4 감지 라인들(RL1~RL4)은 제4 라운드부(RD4)에서 터치 센서(TS)들에 접속될 수 있다.
예를 들어, 도 20과 같이 제4 구동 라인(TL4), 제3 구동 라인(TL3), 제1 감지 라인(RL1), 제2 구동 라인(TL2), 제2 감지 라인(RL2), 제1 구동 라인(TL1), 제3 감지 라인(RL3), 및 제4 감지 라인(RL4)의 순서로 배치될 수 있다. 이때, 제4 구동 라인(TL4)은 제1-4 터치 센서(TS1-4)에 접속되고, 제3 구동 라인(TL3)은 제1-3 터치 센서(TS1-3)에 접속될 수 있다. 또한, 제1 감지 라인(RL1)과 제2 구동 라인(TL2)은 제1-2 터치 센서(TS1-2)에 접속되며, 제2 감지 라인(RL2)과 제1 구동 라인(TL1)은 제2-1 터치 센서(TS2-1)에 접속될 수 있다. 또한, 제3 감지 라인(RL3)은 제3-1 터치 센서(TS3-1)에 접속되고, 제4 감지 라인(RL4)은 제4-1 터치 센서(TS4-1)에 접속될 수 있다.
한편, 도 19에 도시된 B2 영역의 확대 평면도는 도 16과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
제1 가드 라인(GL1)은 제27 감지 라인(RL27)의 우측에 배치될 수 있다. 제4 가드 라인(GL4)은 제40 감지 라인(RL40)의 좌측에 배치될 수 있다. 제5 가드 라인(GL5)은 제27 감지 라인(RL27)과 제1 가드 라인(GL1) 사이와 제40 감지 라인(GL40)과 제4 가드 라인(GL4) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 감지 라인과 구동 라인이 서로 영향을 받는 것을 최소화하기 위해, 제3 구동 라인(TL3)과 제1 감지 라인(RL1) 사이, 제1 감지 라인(RL1)과 제2 구동 라인(TL2) 사이, 제2 구동 라인(TL2)과 제2 감지 라인(RL2) 사이, 제2 감지 라인(RL2)과 제1 구동 라인(TL1) 사이, 및 제1 구동 라인(TL1)과 제3 감지 라인(RL3) 사이에는 가드 라인들 추가로 배치될 수 있다.
도 19에 도시된 실시예에 의하면, 라운드부에서 구동 라인과 감지 라인이 교차하지 않도록 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)을 설계한다. 예를 들어, 제4 라운드부(RD4)에 배치된 터치 센서(TS)들에 접속되는 구동 라인들과 감지 라인들을 교대로 배치한다. 이로 인해, 라운드부에 배치된 터치 센서들에 연결되는 구동 라인과 감지 라인이 서로 단락(short)되는 것을 방지할 수 있으므로, 소정의 곡률로 형성된 라운드부에서 터치 입력을 감지하도록 터치 센서들을 배치할 수 있다.
또한, 도 19에 도시된 실시예에 의하면, 제1 내지 제25 구동 라인들(TL1~TL25)과 제1 내지 제40 감지 라인들(RL1~RL40)은 저항을 낮추기 위해 복수의 터치 신호층들을 포함할 수 있다.
도 21은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다. 도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 21 및 도 22에 도시된 실시예는 표시 패널(100)이 평탄하게 형성되며, 터치 감지 유닛(500) 상에 터치 회로 보드(410)가 배치되는 것에서 도 1 및 도 2에 도시된 실시예와 차이가 있다. 도 21 및 도 22에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예와 중복된 설명은 생략하고, 도 1 및 도 2에 도시된 실시예와의 차이점 위주로 설명한다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동 회로(200), 회로 보드(300), 및 터치 구동 회로(400)를 포함한다.
도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널(100)이 플렉서블 표시 패널인 반면에, 도 21 및 도 22에 도시된 표시 패널(100)은 리지드(rigid) 표시 패널일 수 있다.
표시 장치(10)의 평면 형태가 모서리들 또는 코너들이 둥글게 형성된 사각형으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 표시 패널(100)은 실질적으로 평탄하게 형성될 수 있다.
표시 패널(100)은 표시 영역에 배치되어 영상을 표시하는 화소들과 비표시 영역에 배치된 표시 패드들을 포함할 수 있다. 표시 패드들은 표시 패널(100)의 일 측 가장자리에서 표시 패널(100) 상에 형성되어 표시 회로 보드(300)에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 구동 회로(200)는 터치 감지 유닛(500)에 의해 덮이지 않고 노출된 표시 패널(100) 상에 접착될 수 있다. 또는, 표시 구동 회로(200)는 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
터치 감지 유닛(500)은 표시 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 터치 감지 유닛(500)은 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 형성될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 모서리(corner)는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 터치 감지 유닛(500)의 평면 형태는 사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 터치 감지 유닛(500)의 평면 형태는 표시 패널(100)의 평면 형태와 유사할 수 있다. 터치 감지 유닛(500)은 실질적으로 평탄하게 형성될 수 있다.
터치 감지 유닛(500)은 터치 센서 영역에 배치되어 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 전극들과 터치 주변 영역에 배치된 터치 패드들을 포함할 수 있다. 터치 패드들은 터치 감지 유닛(500)의 일 측 가장자리에서 터치 감지 유닛(500) 상에 형성되어 터치 회로 보드(410)에 전기적으로 연결될 수 있다.
터치 회로 보드(410)는 이방성 도전 필름을 이용하여 터치 감지 유닛(500)의 터치 전극 패드들 상에 부착될 수 있다. 이로 인해, 터치 회로 보드(410)의 리드 라인들은 터치 감지 유닛(500)의 터치 전극 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 회로 보드(410)는 연성 인쇄 회로 보드, 인쇄 회로 보드 또는 칩온 필름과 같은 연성 필름일 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 집적회로(IC)로 형성되어 터치 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
도 23은 도 22의 Ⅴ-Ⅴ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 23에 도시된 실시예는 박막 봉지층(TFEL)이 생략되며, 대신에 제2 기판(SUB2)이 발광 소자층(EML) 상에 배치되는 것에서 도 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 도 23에서는 도 3에 도시된 실시예와 중복된 설명은 생략한다.
도 23을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 유닛(DU), 터치 감지 유닛(TDU), 및 표시 유닛(DU)과 터치 감지 유닛(TDU)을 접착하는 접착 부재(SEAL)를 포함할 수 있다.
표시 유닛(DU)은 제1 기판(SUB1), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML)을 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1)이 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 이루어진 리지드(rigid) 기판으로 형성되고, 박막 봉지층(TFEL)을 포함하지 않는 것을 제외하고, 표시 유닛(DU)은 도 3에서 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 도 23에서는 표시 유닛(DU)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
터치 감지 유닛(TDU)은 제2 기판(SUB2)과 터치 센서층(TSL)을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 이루어진 리지드(rigid) 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 발광 소자층(EML)을 봉지하는 봉지 기판으로 역할을 할 수 있다.
제2 기판(SUB2) 상에는 터치 센서층(TSL)이 배치될 수 있다. 터치 센서층(TSL)은 도 3에서 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 도 23에서는 터치 센서층(TSL)에 대한 자세한 설명은 생략한다.
접착 부재(SEAL)는 표시 유닛(DU)의 제1 기판(SUB1)과 터치 감지 유닛(TDU)의 제2 기판(SUB2)을 접착할 수 있다. 접착 부재(SEAL)는 프릿(frit) 접착층, 자외선 경화형 수지, 또는 열 경화형 수지일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 3에서는 발광 소자층(EML)과 제2 기판(SUB2) 사이에 공간이 비어 있는 것을 예시하였으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 발광 소자층(EML)과 제2 기판(SUB2) 사이에 충전 필름이 배치될 수 있다. 충전 필름은 에폭시 충전필름 또는 실리콘 충전 필름일 수 있다.
도 24는 도 23의 표시 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다. 도 25는 도 23의 터치 감지 유닛의 일 예를 상세히 보여주는 평면도이다.
도 24 및 도 25에 도시된 실시예는 표시 패드들(DP)이 표시 패널(100)의 제1 기판(SUB1) 상에 형성되고, 터치 패드들(TP)이 제2 기판(SUB2) 상에 형성되는 것에서 도 4 및 도 5에 도시된 실시예와 차이가 있다.
도 26은 도 22의 터치 센서들의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 26을 참조하면, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 평면 상 다이아몬드 형태로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 표시 장치(10)의 영상을 시청할 때 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들에 의해 모아레(moire) 현상이 발생하는 것을 방지하기 위해, 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE)들은 평면 상 올록볼록한 변들을 가질 수 있다.
도 27은 도 26의 A2 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 28은 도 27의 Ⅵ-Ⅵ’의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 27 및 도 28에 도시된 실시예는 발광 소자층(EML) 상에 제2 기판(SUB2)이 배치되고, 제2 기판(SUB2)이 터치 센서층(TSL)의 제1 터치 전극(TE)들, 제2 터치 전극(RE)들, 연결 전극(BE)들, 터치 섬 전극(TEI)들, 구동 라인들(TL1~TL25), 감지 라인들(RL1~RL40), 가드 라인들(GL1, GL2, GL3, GL4, GL5), 및 접지 라인들(GRL1, GRL2, GRL3, GRL4)이 형성된다. 도 27 및 도 28에서는 설명의 편의를 위해 제2 기판(SUB2) 상에 제1 터치 전극(TE)들과 제2 터치 전극(RE), 제1 터치 전극(TE)들 사이에 배치된 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 연결 전극(CE)만이 형성된 것을 예시하였다.
제2 기판(SUB2) 상에는 연결 전극(CE)들이 형성된다. 연결 전극(CE)들 각각은 제1 터치 전극(TE)과 제1 터치 섬 전극(TEI)을 연결한다. 연결 전극(CE)들 각각의 일 단은 제1 터치 전극(TE)에 접속되고, 타 단은 제1 터치 섬 전극(TEI)에 접속될 수 있다.
연결 전극(CE)들은 불투명한 금속 도전층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결 전극(CE)들은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이로 인해, 연결 전극(CE)들은 서브 화소들(R, G, B)의 개구율이 낮아지는 것을 방지하기 위해, 서브 화소들(R, G, B)과 중첩되지 않으며, 화소 정의막(180)과 중첩되게 배치될 수 있다.
연결 전극(CE)들 상에는 제1 터치 절연막(TINS1)이 형성된다. 제1 터치 절연막(TNIS1)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
제1 터치 절연막(TINS1) 상에는 제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성된다. 제1 터치 전극(TE)은 제1 터치 절연막(TINS1)을 관통하여 연결 전극(CE)을 노출하는 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 연결 전극(CE)과 접속될 수 있다. 제1 터치 섬 전극(TEI)은 제1 터치 절연막(TINS1)을 관통하여 연결 전극(CE)을 노출하는 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 연결 전극(CE)과 접속될 수 있다. 이로 인해, 제1 터치 전극(TE)과 제1 터치 섬 전극(TEI)은 연결 전극(CE)을 통해 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 열들 각각에서 제2 방향(Y축 방향)으로 배치된 제1 터치 전극(TE)들은 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속 산화물(TCO)로 형성될 수 있다. 이로 인해, 제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들은 화소(P)들과 중첩하여도 화소(P)의 개구율이 저하되지 않는다.
제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들 상에는 제2 터치 절연막(TINS2)이 형성된다. 제2 터치 절연막(TINS2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
한편, 도 10 및 도 11을 결부하여 설명한 바와 같이, 도 21 내지 도 28에 도시된 실시예는 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)이 제1 터치 신호층(TSL1)과 제2 터치 신호층(TSL2)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 터치 신호층(TSL1)이 연결 전극(CE)들과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되고, 제2 터치 신호층(TSL2)이 제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 즉, 제1 터치 신호층(TSL1)은 제2 기판(SUB2) 상에 배치되며, 불투명한 금속 물질, 예를 들어 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다. 이에 비해, 제2 터치 신호층(TSL2)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속 산화물(TCO)로 형성될 수 있다.
또는, 제2 기판(SUB2) 상에 제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들이 형성되고, 제1 터치 절연막(TINS1) 상에 연결 전극(CE)들이 형성될 수 있으며, 이 경우 제1 터치 신호층(TSL1)은 제1 터치 전극(TE)들, 제1 터치 섬 전극(TEI)들, 및 제2 터치 전극(RE)들과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되고, 제2 터치 신호층(TSL2)이 연결 전극(CE)들과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 즉, 제1 터치 신호층(TSL1)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속 산화물(TCO)로 형성되고, 제2 터치 신호층(TSL2)은 불투명한 금속 물질, 예를 들어 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다.
또한, 도 15에 도시된 실시예와 도 19에 도시된 실시예 역시 구동 라인들(TL1~TL25)과 감지 라인들(RL1~RL40)이 불투명한 제1 터치 신호층(TSL1)과 투명한 제2 터치 신호층(TSL2)을 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 표시 구동 회로 300: 회로 보드
400: 터치 구동 회로 410: 터치 회로 보드
500: 터치 감지 유닛 DU: 표시 유닛
TDU: 터치 감지 유닛 SEAL: 접착 부재
SUB1: 제1 기판 SUB2: 제2 기판
TFTL: 박막 트랜지스터층 EML: 발광 소자층
TFEL: 박막 봉지층 TE: 제1 터치 전극
TEI: 제1 터치 섬 전극 RE: 제2 터치 전극
TL1~TL25: 구동 라인들 RL1~RL40: 감지 라인들
CE: 연결 전극 TSL1: 제1 터치 신호층
TSL2: 제2 터치 신호층 GL1: 제1 가드 라인
GL2: 제2 가드 라인 GL3: 제3 가드 라인
GL4: 제4 가드 라인 GL5: 제5 가드 라인
GRL1: 제1 접지 라인 GRL2: 제2 접지 라인
GRL3: 제3 접지 라인

Claims (27)

  1. 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들;
    상기 제1 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 라운드부에 배치되는 제1 터치 전극에 접속되는 구동 라인; 및
    상기 제2 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 상기 라운드부에 배치되는 제2 터치 전극에 접속되는 감지 라인을 구비하고,
    상기 구동 라인과 상기 감지 라인은 서로 교차하는 터치 감지 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라운드부에서 상기 구동 라인에 접속되는 제1 터치 전극의 평면 형태는 상기 제1 터치 전극과 상기 라운드부 이외의 영역에 배치된 다른 제1 터치 전극의 평면 형태와 상이한 터치 감지 유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 라운드부에서 상기 감지 라인에 접속되는 제2 터치 전극의 평면 형태는 상기 제2 터치 전극과 상기 라운드부 이외의 영역에 배치된 다른 제2 터치 전극의 평면 형태와 상이한 터치 감지 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 복수의 터치 신호층들을 포함하며,
    상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 상기 구동 라인과 상기 감지 라인의 교차 영역에서 상기 복수의 터치 신호층들 중에 하나의 터치 신호층을 포함하는 터치 감지 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 구동 라인과 상기 감지 라인 각각은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층을 포함하며,
    상기 구동 라인의 제1 터치 신호층과 상기 감지 라인의 제2 터치 신호층은 서로 교차하는 터치 감지 유닛.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 터치 신호층은 상기 제1 터치 신호층 상에 배치되는 터치 감지 유닛.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극들과 상기 제2 터치 전극들은 상기 제2 터치 신호층과 동일한 층에 배치되는 터치 감지 유닛.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극들을 연결하며, 상기 제2 터치 전극과 교차하는 연결 전극을 더 구비하고,
    상기 연결 전극은 상기 제1 터치 신호층과 동일한 층에 배치되는 터치 감지 유닛.
  9. 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들;
    상기 제1 터치 전극들에 전기적으로 연결되는 구동 라인들;
    상기 제2 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 감지 라인들; 및
    상기 제2 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 감지 라인들을 구비하고,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 적어도 하나는 상기 구동 라인들 중 적어도 하나와 서로 교차하는 터치 감지 유닛.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 터치 센서 영역은 곡률을 갖는 라운드부를 포함하며,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 적어도 하나는 상기 라운드부에 배치된 상기 제2 터치 전극들 중 어느 하나에 접속되고,
    상기 구동 라인들 중 적어도 하나는 상기 라운드부에 배치된 상기 제1 터치 전극들 중 어느 하나에 접속되는 터치 감지 유닛.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 일 측에 배치되며,
    상기 제2 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 타 측에 배치되는 터치 감지 유닛.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 감지 라인들의 개수보다 적은 터치 감지 유닛.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들에 접속된 제1 터치 패드들; 및
    상기 제2 그룹의 감지 라인들에 접속된 제2 터치 패드들을 더 구비하는 터치 감지 유닛.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 터치 패드들은 패드 영역의 일 측에 배치되고, 상기 제2 터치 패드들은 패드 영역의 타 측에 배치되는 터치 감지 유닛.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 가장 바깥쪽에 배치된 감지 라인과 상기 제2 그룹의 감지 라인들 중 가장 바깥쪽에 배치된 감지 라인을 둘러싸는 가드 라인을 더 구비하는 터치 감지 유닛.
  16. 복수의 라운드부들을 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들;
    상기 제1 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 구동 라인들;
    상기 제1 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 구동 라인들;
    상기 제2 터치 전극들 중 일부에 전기적으로 연결되는 제1 그룹의 감지 라인들; 및
    상기 제2 터치 전극들 중 나머지에 전기적으로 연결되는 제2 그룹의 감지 라인들을 구비하고,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들 중 일부는 상기 복수의 라운드부들 중 어느 하나에 배치된 제2 터치 전극들에 접속되고,
    상기 제1 그룹의 구동 라인들은 상기 복수의 라운드부들 중 다른 하나에 배치된 제1 터치 전극들에 접속되는 터치 감지 유닛.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 제1 그룹의 구동 라인들과 상기 제2 그룹의 구동 라인들 사이에 배치되는 터치 감지 유닛.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들과 상기 제1 그룹의 구동 라인들 사이에 배치되는 가드 라인을 더 구비하는 터치 감지 유닛.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제1 측에 배치되며,
    상기 제2 그룹의 감지 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제2 측에 배치되는 터치 감지 유닛.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 구동 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제1 측에 배치되는 터치 감지 유닛.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 그룹의 구동 라인들은 상기 터치 센서 영역의 제3 측에 배치되는 터치 감지 유닛.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 감지 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 감지 라인들의 개수보다 적은 터치 감지 유닛.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 그룹의 구동 라인들의 개수가 상기 제2 그룹의 구동 라인들의 개수보다 적은 터치 감지 유닛.
  24. 곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들;
    상기 제1 터치 전극들 중 상기 라운드부에 배치된 제1 터치 전극들과 접속되는 구동 라인들; 및
    상기 제2 터치 전극들 중 상기 라운드부에 배치된 제2 터치 전극들과 접속되는 감지 라인들을 구비하고,
    상기 구동 라인들과 상기 감지 라인들은 교대로 배치되는 터치 감지 유닛.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 구동 라인들과 상기 감지 라인들 각각은 제1 터치 신호층과 제2 터치 신호층을 포함하며,
    상기 제1 터치 전극들과 상기 제2 터치 전극들은 상기 제2 터치 신호층과 동일한 층에 배치되는 터치 감지 유닛.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제1 터치 전극들을 연결하는 연결 전극을 더 구비하고,
    상기 제2 터치 전극은 상기 제1 터치 신호층과 동일한 층에 배치되는 터치 감지 유닛.
  27. 화소들을 포함하는 표시 영역을 포함하는 표시 유닛; 및
    상기 표시 영역과 중첩하는 터치 센서 영역을 포함하는 터치 감지 유닛을 구비하고,
    상기 터치 감지 유닛은,
    곡률을 갖는 라운드부를 포함하는 터치 센서 영역에 배치된 제1 터치 전극들과 제2 터치 전극들;
    상기 제1 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 라운드부에 배치되는 제1 터치 전극에 접속되는 구동 라인; 및
    상기 제2 터치 전극들 중 상기 터치 센서 영역의 상기 라운드부에 배치되는 제2 터치 전극에 접속되는 감지 라인을 구비하고,
    상기 구동 라인과 상기 감지 라인은 서로 교차하는 표시 장치.
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