CN100385706C - 有机电致发光元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件(也称为“有机EL元件”)。
背景技术
通常的有源矩阵方式的有机EL元件，是将光从TFT阵列衬底侧取出到外部的底发射结构。在此情况下，存在将要射出的光的一部分被像素电路遮挡起来、即数值孔径降低这样的缺点，特别是伴随清晰度增高此问题愈加显著。相对于此，为了改善有机EL元件的数值孔径，而提出将光从作为与TFT阵列衬底相反一侧的上表面取出的顶发射结构。
例如，在日本专利申请公开特开2001-43980号公报中，通过由使光反射的阳极和使光透射的阴极夹持包含发光层、空穴传输层等的有机EL层来构成顶发射结构的有机EL元件。在此有机EL元件中，作为阳极的材料，使用Cr等周期表的5族或者6族的金属。在此情况下，阳极显示出低至小于4.8eV的功函数。但是，当对电离电位大于等于5.0eV的空穴传输层注入空穴时，在这样的功函数小的阳极中，就会导致注入效率下降以及驱动电压上升的问题。
作为对上述特开2001-43980公报中所公开的技术的改进，在日本专利申请公开特开2002-198182公报中公开了以下结构：在光反射性的阳极部位上叠层膜厚为1～10nm的功函数较大的Au材料作为空穴注入用薄膜层。这将提高空穴注入效率，并且通过提高Au膜的透射率来使阳极部位承担反射光的任务。但是，在此构成中，存在作为空穴注入用薄膜层所示的Au等高功函数的金属不适合平版印刷技术等精细加工的问题。Au等高功函数的金属在化学上稳定难以通过蚀刻进行除去是不适合精细加工的主要原因。因此，在上述特开2002-198182公报中，在进行空穴注入用薄膜层的蒸镀时，通过阴影掩模仅在开口部选择性地使其蒸镀，来形成高功函数的金属膜的图案。但是，即使在此制造方法中，图案的加工精度也低，在推进高清晰化上还不够。进而，在此制造方法中，存在以下问题：在制造具有本构成的元件时，需要高精度地对准阴影掩模，为此，生产率降低。结果，为形成空穴注入用薄膜层而对高功函数的金属膜进行精细加工很难的这种状况没有被改变，并没有使问题得到解决。
如上面那样，在以往的顶发射结构中，并没有见到能够提高向有机EL层的空穴的注入效率、具备用于将来自有机EL层的发光取出到前面的光反射特性并且可形成高清晰图案这样的阳极结构。为此，就存在着即使通过采用顶发射结构来提高数值孔径，也没能做到综合性能的提高这样的重大问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机电致发光元件及其制造方法，其具有能够提高向有机EL层的空穴的注入效率，且具备用于将来自有机EL层的发光取出到前面的光反射特性，进而可形成高清晰图案这样的阳极结构。
为了达到上述目的，本发明的技术方案提供一种有机电致发光元件，具备：衬底；在上述衬底的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜；在由上述阳极分离膜所划分的区域内在上述衬底的上面形成的阳极导电层；以及用绝缘体形成的元件分离膜，该元件分离膜包围上述阳极分离膜并且向下变宽。
根据本发明，由于阳极分离膜隔开各像素区域，故在用于在各像素区域形成阳极导电层的蒸镀中，即使不进行利用阴影掩模的选择性的蒸镀或利用蚀刻的构图等，也能够使在相邻的各像素中应分别成为像素电极的各阳极分离膜成为电切断的状态。从而，就可容易地形成高清晰的图案。其结果，作为阳极导电层的材料，就能够没有任何问题地选择以往高精细的加工困难的高功函数的金属，通过使用高功函数的金属来形成阳极导电层，就能够提高向有机EL层的空穴的注入效率。进而，还能够具备用于将发光取出到前面的光反射特性。
本发明上述以及其他的目的、特征、方案以及优点，根据与附图关联起来进行理解的有关本发明的下面的详细说明将会明白。
附图说明
图1是根据本发明的实施形态1中的有机EL元件的截面图。
图2是根据本发明的实施形态2中的有机EL元件的制造方法的第1工序的说明图。
图3是根据本发明的实施形态2中的有机EL元件的制造方法的第2工序的说明图。
图4是根据本发明的实施形态2中的有机EL元件的制造方法的第3工序的说明图。
图5是根据本发明的实施形态2中的有机EL元件的制造方法的第4工序的说明图。
图6是根据本发明的实施形态3、4、5中的有机EL元件的截面图。
图7是根据本发明的实施形态6中的有机EL元件的截面图。
图8是根据本发明的实施形态7中的有机EL元件的截面图。
图9是根据本发明的实施形态8中的有机EL元件的截面图。
图10是根据本发明的实施形态9中的有机EL元件的截面图。
图11是根据本发明的实施形态10中的有机EL元件的截面图。
具体实施方式
(实施形态1)
参照图1，对根据本发明的实施形态1中的有机EL元件进行说明。此有机EL元件具备衬底1、在衬底1的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜3、阳极导电层2和元件分离膜4。阳极分离膜3的上面比下面大。阳极分离膜3的侧面为斜面，即所谓的“倒锥形形状”。阳极导电层2在由阳极分离膜3平面地按逐个像素进行了划分的区域内形成在衬底1的上面。元件分离膜4用绝缘体形成，从而将阳极分离膜3包围起来并具有较宽的下侧。作为更加明确的特征，在此有机EL元件中，还在阳极分离膜3的上面作为与阳极导电层2相同种类的膜而形成导电层7。导电层7由元件分离膜4所覆盖。
在图1的例子中，阳极导电层2是具有主要对光进行反射的性质的金属层。阳极导电层2起到所谓像素电极的作用，元件分离膜4的开口部分由阳极导电层2所覆盖。在元件分离膜4的开口部分处，有机EL层5被配置在阳极导电层2的上侧。有机EL层5被配置成覆盖在元件分离膜4的开口部分所露出的阳极导电层2的上侧并且还在元件分离膜4上部分地进行延伸。阴极导电层6被配置成覆盖此有机EL层5的上面，进而还覆盖元件分离膜4的上侧。阴极导电层6由能够透射光(下面，称为“光透射性的”)的材料组成，连续跨越多个像素区域而形成。
尽管在图1中没有示出，但除此之外，有关吸湿剂、密封构件、密封剂、偏振片、各种光学膜，如以往那样的部件均与以往同样地进行配置。
进而，阳极导电层2最好是包含功函数大于等于4.8eV的层(下面，称为“高功函数层”)。在图1的例子中，阳极导电层2是由单一的金属层所组成的结构，此金属层对应于高功函数层，也可以将阳极导电层2作为多层的叠层结构并在其中包含至少一层高功函数层。
作为高功函数层的材料，使用功函数较大的金属Au、Pt、Ir、Pd、Se、Ni、Co、Os或者包含它们的合金等。功函数的值，如上述那样最好是大于等于4.8eV，大于等于5.0eV则更好。
阳极分离膜3例如由丙烯酸、聚酰亚胺或酚醛清漆等树脂成分构成。或者，也可以由无机绝缘膜构成。
作为构成有机EL层5的化合物，没有特别限制，能够使用低分子、高分子、在高分子基质中分散了低分子的化合物等。作为有机EL层的形成方法，能够使用真空蒸镀或真空蒸镀的阴影掩模构图等干法工艺。除此之外，还能够使用旋涂、浇铸、浸涂、喷墨印刷、丝网印刷、凹版印刷等湿法工艺或者各种印刷法。
作为阴极导电层6，只要是光透射性的导电性膜即可，例如，使用ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等的膜。另外，也可以在这些光透射性的导电性膜上，薄薄地叠层用于改善电子注入特性的金属电极和绝缘膜。作为光透射率，最好是大于等于50％，大于等于70％则更好。作为阴极导电层6的形成方法，可适用溅射、CVD、真空蒸镀等方法。
在本实施形态中，由于上面比下面大的形状的阳极分离膜3隔开各像素区域，故在用于在各像素区域形成阳极导电层2的蒸镀中，就能够使在相邻的各像素中应分别成为像素电极的阳极分离膜3彼此之间可靠地成为电切断的状态。即使不进行利用阴影掩模的选择性的蒸镀或利用蚀刻的构图等也可容易地形成高清晰的图案。从而，作为阳极导电层的材料，就能够没有任何问题地选择以往高精细的加工困难的高功函数的金属。作为阳极导电层的制造方法，能够采用溅射等通常的薄膜制作方法。
在本实施形态中的有机EL元件中，由于能够这样用高功函数的金属形成作为像素电极的阳极导电层2，故能够提高向有机EL层5的空穴注入效率。相对于阳极导电层2逐个像素区域个别地进行配置，阴极导电层6作为共用电极进行形成和使用。
下面对在形成阳极分离膜3以及元件分离膜4时如何获得如上述那样的所希望的形状进行说明。这能够通过操作对于各材料的曝光、显影、蚀刻、烘焙等的条件来进行。例如，如果作为阳极分离膜3使用负型的感光性酚醛清漆树脂以提高感光性，则在曝光时在膜的上部光被吸收，在膜的下部就几乎不会引起光反应。若在此状态下进行显影，则膜的上部就难以溶解于显影液，越靠近下部就越容易溶解于显影液，所以就能够得到上面比下面大的、所谓的“倒锥形形状”的图案。另外，例如，作为元件分离膜4使用正型的感光性聚酰亚胺树脂，在通过通常的显影形成了图案后，进行200℃左右的后烘焙，由此就能够形成下面比上面大、即下方宽大形状的所谓的“正锥形形状”。此外，为了进行更可靠的覆盖，希望元件分离膜4比阳极分离膜3更厚。
此外，在本实施形态中，示出彩色显示用的有机EL元件的例子，在该情况下，有机EL层5的一部分被逐个像素地划分为各个层。但是，在单色显示用的有机EL元件的情况下本发明也可适用，在该情况下，有机EL层也可以是跨越多个像素的连续的结构。
(实施形态2)
参照图2～图5及图1，对根据本发明的实施形态2中的有机EL元件的制造方法进行说明。
如图2所示那样，在衬底1的上面，用绝缘体形成阳极分离膜3的图案。其中，阳极分离膜3使用实施形态1中所示例的方法形成为上面比下面还要大。接着，如图3所示那样形成金属膜。此时，若如图3的箭头所示那样从正上方进行金属的蒸镀，则由于阳极分离膜3的形状，在衬底1上面和阳极分离膜3的上面以在物理上和电气上分断的形式形成金属膜，分别成为阳极导电层2和导电层7。如图4所示那样，用绝缘体形成元件分离膜4。元件分离膜4使用实施形态1中所示例的方法形成为越靠近下方越宽大。如图5所示那样形成有机EL层5。有机EL层5形成为覆盖阳极导电层2以及元件分离膜4的上侧。但是，有机EL层5的一部分形成为对应于阳极导电层2的各个露出部分，即对应于每个像素区域的分离图案。不过尽管在彩色显示用的有机EL元件的情况下，一般都这样逐个像素区域进行划分而形成，但在单色显示用的有机EL元件的情况下，有机EL层也可以不逐个像素区域进行划分而是延续连结起来地进行形成。进而，形成阴极导电层6以覆盖有机EL层5以及元件分离膜4的上侧，由此就得到图1所示的有机EL元件。阴极导电层6的形成方法如在实施形态1中所说明的那样。
根据本实施形态，就能够容易地制造在实施形态1中所说明的有机EL元件。
(实施形态3)
参照图6，对根据本发明的实施形态3中的有机EL元件进行说明。在此有机EL元件中，阳极导电层2为多层结构。阳极导电层2也可以是大于等于3层的叠层结构，作为叠层结构的一例，在图6中示出由层2a和层2b组成的两层结构的例子。在这样的多层结构的阳极导电层2中，作为最接近有机EL层5一侧的层，即作为最上层的层2b，使用在实施形态1中所说明的金属种类。即，作为层2b的材料最好是功函数较大的材料。例如，最好是Au、Pt、Ir、Pd、Se、Ni、Co、Os或者包含它们的合金等。另一方面，作为在构成阳极导电层2的层之中距有机EL层5较远一侧的层2a，可使用与功函数无关的任何导电性薄膜。例如，使用Al、Ti、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Mo、W以及这些金属的合金等。在接触衬底1的层2a中最好是使用与衬底1的粘附性较好的材料。
阳极导电层2中的最上层，如在实施形态1中所说明的阳极导电层2的形成方法那样，从上侧开始在全部面上进行蒸镀，利用阳极分离膜3的形状划分各个像素电极的图案而形成，但关于阳极导电层2之中最上层以外的层，也可以预先通过通常的平版印刷技术来进行构图。
其他结构与在实施形态1中所说明的相同。特别是，阳极分离膜3的上面比下面大。阳极分离膜3的上端部中的上面和侧面所成的角度为90°以下，在截面图中所看到的阳极分离膜3是所谓的垂直形状或者所谓倒锥形形状。另外，元件分离膜4越靠近下方越宽大。元件分离膜4的上端部中的上面和侧面所成的角度为90°以上，若在截面图中观看则成为所谓垂直形状或者所谓正锥形形状。
在本实施形态中的有机EL元件中，与实施形态1同样，阳极导电层2可容易地形成为在衬底1的上面和在阳极分离膜3的上面几何学上和电学上都被分隔开地进行配置。从而，就可容易地形成用其他的方法做不到的利用高功函数材料的像素电极的高清晰图案。通过用高功函数的材料形成像素电极就能够提高向有机EL层的空穴注入效率，还能够使作为有机EL元件的效率提高。
进而，在本实施形态中的有机EL元件中，如图6所示那样阳极导电层2为多层结构，能够用不同的材料来形成与衬底1等的下层构成物接触的层和与有机EL层5接触的层，所以材料的选择自由度增高。从而，通过对最上层和最下层选择适当的材料，就能够提高空穴注入效率，并且能够提高阳极导电层2对于衬底1等的下层构成物的粘附性。
(实施形态4)
参照图6，对根据本发明的实施形态4中的有机EL元件进行说明。在此有机EL元件中，阳极导电层2为多层结构。作为最上层的层2b使用高功函数的材料，与实施形态3相同。
在本实施形态中，作为最上层也作为高功函数层的层2b，为了光透射性而将膜厚设在大于等于0.5nm小于等于10nm的范围内。进而，对作为紧邻最上层之下的层2a，使用高反射率的材料。例如，使用Al、Ag以及它们的合金等。作为此高反射率的材料，最好是使用在可见区域中反射率大于等于80％的材料。这最好是用于从上开始的第2层以及第2层下面的任何层。关于阳极导电层2之中最上层以外的层，也可以预先通过通常的平版印刷技术来进行构图。
其他构成与在实施形态1中所说明的相同。
在本实施形态中的有机EL元件中，与实施形态1同样，可容易地形成利用高功函数材料的像素电极的高清晰图案，作为其结果，向有机EL层的空穴的注入效率提高，作为有机EL元件的效率提高。
进而，通过对最上层以及紧邻其下的层选择适当的材料，就能够提高空穴注入效率，并且能够提高作为阳极导电层2整体进行发挥的反射率。从而，就能够提高对于有机EL发光现象的光取出效率，并能够使作为有机EL元件的效率提高。
(实施形态5)
参照图6，对根据本发明的实施形态5中的有机EL元件进行说明。在此有机EL元件中，阳极导电层2为多层结构。作为最上层的层2b使用高功函数的材料，与实施形态3、4相同。
在本实施形态中，作为最上层也作为高功函数层的层2b，为了确保光透射性而将膜厚设在大于等于0.5nm小于等于10nm的范围内。进而，对作为紧邻最上层之下的层2a，使用因波长而引起的反射率的变动较少的材料。例如，使用Cr、Mo、Ta以及它们的合金等。关于阳极导电层2之中最上层以外的层，也可以预先通过通常的平版印刷技术来进行构图。
其他构成与在实施形态1中所说明的相同。
在本实施形态中的有机EL元件中，与实施形态1同样，可容易地形成利用高功函数的材料的像素电极的高清晰图案，作为其结果，向有机EL层的空穴的注入效率提高，作为有机EL元件的效率提高。
进而，通过对最上层以及紧邻其下的层选择适当的材料，就能够提高空穴注入效率，作为阳极导电层2整体，就能够几乎不改变发光光谱地反射有机EL层所发出的光。从而，就能够获得可正确地显示颜色的有机EL元件。
(实施形态6)
参照图7，对根据本发明的实施形态6中的有机EL元件进行说明。此有机EL元件，除阳极分离膜的形状不同这一点以外，与实施形态1中的相同。本实施形态中的有机EL元件，如图7所示那样具备阳极分离膜3h。阳极分离膜3h，在上面比下面大这一点上与实施形态1中的相同，但相对于实施形态1中的阳极分离膜3为倒锥形形状，本实施形态的阳极分离膜3h在截面图中观看具有T字形那样的形状。
这样的阳极分离膜3h能够通过叠层蚀刻速率不同的两种层并进行蚀刻而得到。例如，通过使用通常的抗蚀剂在包含CF4以及CHF3等氟基气体的气氛中，对在氧化硅膜之上叠层了氮化硅膜的两层结构进行干法蚀刻，从而对氧化硅膜和氮化硅膜双方进行构图。紧接着，通过用HF水溶液对下层的氧化硅膜进行蚀刻，就能够得到阳极分离膜3h。这是因为对HF水溶液蚀刻速率较大的氧化硅膜从侧面除去较多，而蚀刻速率较小的氮化硅膜从侧面除去较少，结果在截面图上观看就成为T字形的形状。
另外，作为形成阳极分离膜3h的其他方法，例如，使用通常的抗蚀剂在包含CF4以及CHF3等氟基气体的气氛中，对在氮化硅膜之上重叠了氧化硅膜的两层结构进行干法蚀刻，由此对氮化硅膜和氧化硅膜双方进行构图。紧接着，通过用热磷酸对下层的氮化硅膜进行蚀刻，就能够得到阳极分离膜3h。这是因为对热磷酸蚀刻速率较大的氮化硅膜从侧面除去较多，而蚀刻速率较小的氧化硅膜从侧面除去较少，结果在截面图上观看就成为T字形的形状。
根据本实施形态中的有机EL元件这样的构成，也能够得到与实施形态1同样的效果。也可以在本实施形态的构成上组合实施形态3、4、5的构成。
(实施形态7)
参照图8，对根据本发明的实施形态7中的有机EL元件进行说明。除阳极分离膜的形状不同这一点以外，此有机EL元件与实施形态1中的相同。本实施形态中的有机EL元件，如图8所示那样具备阳极分离膜3i。阳极分离膜3i在上面比下面大这一点上与实施形态1中的相同，但相对于实施形态1中的阳极分离膜3为倒锥形形状，本实施形态的阳极分离膜3i的侧面为凹状的曲面。
这种形状的阳极分离膜，例如，可在进行了下面<1>～<4>的任一步骤后通过曝光、显影而实现。
<1>使化学放大型正抗蚀剂的膜上面暴露在碱气氛中。
<2>使化学放大型正抗蚀剂的膜上面浸入到碱性溶液中。
<3>使化学放大型负抗蚀剂的膜上面暴露在酸气氛中。
<4>使化学放大型负抗蚀剂的膜上面浸入到酸性溶液中。
根据本实施形态中的有机EL元件这样的构成，也能够得到与实施形态1同样的效果。也可以在本实施形态的构成上组合实施形态3、4、5的构成。
(实施形态8)
参照图9，对根据本发明的实施形态8中的有机EL元件进行说明。除阳极分离膜的形状不同这一点以外，此有机EL元件与实施形态1中的相同。本实施形态中的有机EL元件，如图9所示那样具备阳极分离膜3j。阳极分离膜3j在上面比下面大这一点上与实施形态1中的相同，但相对于实施形态1中的阳极分离膜3为倒锥形形状，本实施形态的阳极分离膜3j的侧面为凸状的曲面。
这种形状的阳极分离膜，例如，可在进行了下面<5>～<8>中的任一步骤后通过曝光、显影而实现。
<5>在预先将衬底1暴露在酸气氛中以后配置化学放大型正抗蚀剂。
<6>在预先将衬底1浸入到酸性溶液中以后配置化学放大型正抗蚀剂。
<7>在预先将衬底1暴露在碱气氛中以后配置化学放大型负抗蚀剂。
<8>在预先将衬底1浸入到碱性溶液中以后配置化学放大型负抗蚀剂。
在这里，由于紧邻阳极分离膜之下的层为衬底1，故在<5>～<8>中，对衬底1进行使用了酸或者碱的处理，在紧邻阳极分离膜之下的层为衬底1以外的层的情况下对该相应的层进行处理即可。
根据本实施形态中的有机EL元件这样的构成，也能够得到与实施形态1同样的效果。也可以在本实施形态的构成上组合实施形态3、4、5的构成。
(实施形态9)
参照图10，对根据本发明的实施形态9中的有机EL元件进行说明。除阳极分离膜的形状不同这一点以外，此有机EL元件与实施形态1中的相同。本实施形态中的有机EL元件，如图10所示那样具备阳极分离膜3k。阳极分离膜3k的上面与下面为相同大小，即所谓的“垂直形状”。这样形状的阳极分离膜可通过公知技术进行通常的曝光、显影而实现。
即使在本实施形态中的有机EL元件这样的构成中，在蒸镀用于阳极导电层的金属膜时，因由阳极分离膜3k所产生的高低差，金属膜被隔断。从而，就能够使与相互邻接的像素对应的备像素电极成为电切断的状态，所以结果就能够得到与实施形态1同样的效果。也可以在本实施形态的构成上组合实施形态3、4、5的构成。
其中，为了更可靠地防止与相互邻接的像素对应的各像素电极电连结起来，如实施形态1、6、7、8所示那样，在形成阳极分离膜时，使上面比下面大则更好。
(实施形态10)
参照图11，对根据本发明的实施形态10中的有机EL元件进行说明。有关阳极分离膜、元件分离膜的形状以及阳极导电层的两层的组合方法，此有机EL元件与实施形态3(参照图6)相同。在实施形态3中，紧邻阳极导电层2或阳极分离膜3下侧进行接触的层为衬底1，但在本实施形态中，紧邻下侧进行接触的层是层间绝缘膜27，在此配置着TFT阵列以及配线。具体来讲，在衬底1的上面对应于各像素地配置栅电极21，形成栅极绝缘膜22以覆盖包括栅电极21在内的衬底1的上面。在此栅极绝缘膜22的上侧，在对应于各栅电极21的位置上形成半导体薄膜23，分别构成TFT元件。形成层间绝缘膜26以覆盖包括半导体薄膜23在内的栅极绝缘膜22的上面。形成源电极24、漏电极25以在上下方向上贯通层间绝缘膜26并分别连接到半导体薄膜23的源极侧、漏极侧。形成层间绝缘膜27以覆盖包括源电极24、漏电极25在内的层间绝缘膜26的上面。形成像素接触孔28以在上下方向上贯通层间绝缘膜27，作为像素电极的阳极导电层2和漏电极25进行电连接。虽然在图11中没有表示，但对源电极24另外设置配线，通过这些TFT元件的集合构成TFT阵列。此外，阳极导电层2也可以取代漏电极25与源电极24进行连接。
这里所述的TFT阵列等为通常的构成，能够通过以往的工艺进行制造。在层间绝缘膜26、27的材料上没有特别限制，可使用丙烯酸、聚酰亚胺、酚醛清漆等的树脂成分或者无机绝缘体。
根据这样的构成，就取得以下效果：在通过TFT元件来驱动有机EL元件的有源矩阵方式的有机EL显示装置中，向有机EL层的空穴的注入效率提高，作为有机EL元件的效率提高。
在实施形态1～9中，通过与本实施形态同样地进行构成，也能够使其适应于有源矩阵方式的显示装置。
构图
虽然对本发明详细地进行了说明示例，但应明确地理解为这仅仅是用于示例，而不应被作为一种限制，发明的精神和范围只由附加的权利要求书的范围所限定。
Claims (7)
1.一种有机电致发光元件，具备：
衬底；
在上述衬底的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜；
在由上述阳极分离膜所划分的区域内在上述衬底的上面形成的阳极导电层；以及
用绝缘体形成的元件分离膜，该元件分离膜包围上述阳极分离膜并且向下变宽，并具有露出上述阳极导电层的开口部分；
配置在上述开口部分的上述阳极导电层的上侧的有机电致发光层；
被配置为覆盖上述有机电致发光层和上述元件分离膜的上侧的阴极导电层，
其中，上述阳极分离膜的上面比下面大。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于：
在上述阳极分离膜的上面还形成有与上述阳极导电层相同种类的膜，该膜被上述元件分离膜所覆盖。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其特征在于：
上述阳极导电层包含功函数大于等于4.8eV的高功函数层。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光元件，其特征在于：
上述阳极导电层是两层或多于两层的叠层结构，上述高功函数层在上述叠层结构中位于最上层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光元件，其特征在于：
上述阳极导电层在上述叠层结构的从上开始的第2层或第2层下面的层中包含在可见区域中的反射率大于等于80％的层。
6.根据权利要求3所述的有机电致发光元件，其特征在于：
上述高功函数层的厚度大于等于0.5nm小于等于10nm。
7.一种有机电致发光元件的制造方法，包括：
在衬底的上面用绝缘体形成上面比下面大的阳极分离膜的步骤；
从上述衬底的上侧向包含上述阳极分离膜的区域用金属形成阳极导电层的步骤；以及
用绝缘体形成元件分离膜以便包围上述阳极分离膜的步骤，该元件分离膜形成为向下变宽的形状，且具有露出上述阳极导电层的开口部分；
在上述开口部分的上述阳极导电层的上侧形成有机电致发光层的步骤；和
以覆盖上述有机电致发光层和上述元件分离膜的上侧的方式形成阴极导电层的步骤。
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