CN100477129C - 薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤：首先，于基板上形成栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖此栅极；接着，于栅绝缘层上形成源极/漏极层，此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层；继之，于源极/漏极层上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层；最后，于绝缘层之开口中形成通道层，使通道层与源极/漏极层电连接，且通道层由上述开口中暴露出来。

Description

薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示元件及其制造方法，且特别涉及一种无须制造保护层之有机电致发光显示元件及其制造方法。

背景技术

信息通讯产业已成为现今的主流产业，特别是便携式的各种通讯显示产品更是发展的重点。而由于平面显示器是人与信息之间的沟通界面，因此其发展显得特别重要。其中，有机电致发光显示器(organicelectro-luminescent display，OELD)以其自发光、广视角、省电、工艺简易、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力，因此可望成为下一代平面显示器之主流。

有机电致发光显示器是一种利用有机发光材料的自发光特性来达到显示效果的显示器，其中依照有机发光材料的分子量分为小分子有机电致发光显示器(small molecule OELD，SM-OELD)与高分子电致发光显示器(polymer electro-luminescent device，PELD)两大类。两者之发光结构皆是由一对电极以及有机材料层所构成。当施加直流电压时，空穴从阳极(anode)注入有机发光材料层，而电子从阴极(cathode)注入有机发光材料层，因为外加电场所造成的电位差，使得空穴与电子两种载流子(carrier)在有机发光材料层中移动并产生辐射复合(radiativerecombination)。部分由电子空穴再结合所放出之能量会将有机发光材料分子激发形成单一激态分子。当单一激态分子释放能量回到基态时，其中一定比例的能量会以光子的方式放出而发光，此即为有机电致发光显示器的发光原理。

图1为一种公知之主动式有机电致发光显示器(Active Matrix OLED)的剖面示意图。请参照图1所示，传统的有机电致发光显示器之像素结构100适于通过基板110上之扫描配线(图中未表示)以及数据配线(图中未表示)所控制。此像素结构100主要包括切换薄膜晶体管(switch TFT)120、驱动薄膜晶体管(driving TFT)130以及有机电致发光单元140。

一般而言，在制造有机电致发光显示器之像素结构100时，是先于基板110上分别形成栅极121与栅极131。此栅极121与栅极131可例如是由透明导电材料，例如：铟锡氧化物(Indium tin oxide，ITO)，所形成。之后，于基板110上形成栅绝缘层112；此栅绝缘层112覆盖住栅极121与栅极131，且具有接触窗开口(contact hole)112a，以暴露出部分的栅极131。接下来，于栅绝缘层112上对应于栅极121处形成源极122与漏极123；同样地，在栅绝缘层112上对应于栅极131处形成源极132与漏极133。切换薄膜晶体管之漏极123是通过接触窗开口112a与驱动薄膜晶体管130之栅极131电连接。此外，漏极133向右延伸的部分即可作为有机电致发光单元140之阳极141。

之后，形成有机通道层124与134。有机通道层124覆盖住部分的源极122与漏极123；而有机通道层134覆盖住部分的源极132与漏极133；此外，形成有机通道层124与134之材料可为五苯(Pentacene)。接着，在切换薄膜晶体管120与驱动薄膜晶体管130上形成保护层(passivationlayer)150，以保护切换薄膜晶体管120与驱动薄膜晶体管130免于受潮及受损。保护层150中具有对应于阳极141之接触窗开口150a，发光层142即是形成于此接触窗开口150a中。之后，于保护层150上全面性地形成金属层160，以作为有机电致发光单元140之阴极143。至此，即完成有机电致发光显示器之像素结构100的制造。

然而，当利用有机材料来形成上述保护层150时，由于有机材料并无法利用黄光工艺来进行图案化工艺，因此，很难将有机电致发光单元140的阳极141暴露出来。此外，当蚀刻此有机材料以形成接触窗开口150a时，容易造成薄膜晶体管元件特性的衰退。

再者，由于一般的有机材料大都容易因受潮或氧化而改变其材料特性，进而影响其发光机制。因此，当有机电致发光显示器在进行封装时，通常会额外加入一层吸湿材料，以防止有机材料层受潮氧化，然而，此举将会增加其封装工艺的复杂度。

发明内容

本发明之目的是提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以解决传统的有机薄膜晶体管制造过程中，在对其保护层进行图案化工艺时，造成元件特性衰退的问题。

本发明之另一目的是提供一种有机电致发光显示元件及其制造方法，此制造方法通过绝缘层中的多个开口，以定义出薄膜晶体管之通道层与有机电致发光单元之发光层的位置，之后，再于上述开口中形成通道层与发光层。如此，即可免去保护层的制造，以避免公知技术中因保护层之图案化工艺而造成元件特性降低的问题，进而提高此显示元件之使用寿命。

为达上述或是其它目的，本发明提出一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤：首先，于基板上形成栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖此栅极；接着，于栅绝缘层上形成源极/漏极层，此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层；继之，于源极/漏极层上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层；最后，于绝缘层之开口中形成通道层，使通道层与源极/漏极层电连接，且通道层是由上述开口中暴露出来。

在本发明之一实施例中，形成上述通道层之方法包括利用荫罩(shadow mask)进行沉积工艺。

在本发明之一实施例中，形成上述通道层之方法包括喷印工艺(ink-jetprinting)。

为达上述或是其它目的，本发明另提出一种薄膜晶体管，其主要包括基板、栅极、栅绝缘层、源极/漏极层、绝缘层以及通道层。栅极是设置于基板上。栅绝缘层是设置于基板上，且覆盖上述栅极。源极/漏极层是设置于栅绝缘层上，且源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层。绝缘层是设置于源极/漏极层上，且绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层及部分的源极/漏极层。通道层是设置于绝缘层之开口中，此外，通道层由上述开口中暴露出来，且与源极/漏极层电连接。

在本发明之一实施例中，上述基板包括软质基板或硬质基板。其中，软质基板包括塑料基板或是金属箔片(metal foil)；而硬质基板包括玻璃基板、石英基板或是硅基板。

在本发明之一实施例中，绝缘层之材料包括有机材料、无机材料或是有机无机复合材料。

在本发明之一实施例中，上述有机材料包括高分子材料。

在本发明之一实施例中，上述绝缘层之材料包括氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。而吸湿剂包括碱土族之氧化物。

在本发明之一实施例中，通道层之材料包括有机半导体材料或是无机半导体材料。

在本发明之一实施例中，上述有机半导体材料包括五苯(pentacene)。

为达上述或是其它目的，本发明再提出一种有机电致发光显示元件的制造方法，其包括下列步骤：首先，于基板上形成第一栅极与第二栅极；之后，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖第一栅极与第二栅极，且栅绝缘层具有接触窗开口，以暴露出部分的第二栅极；接着，于栅绝缘层上形成第一源极/漏极层、第二源极/漏极层与阳极，其中，部分的第一源极/漏极层填入接触窗开口中，使第一漏极层与第二栅极电连接，且第二漏极层与阳极电连接；之后，于栅绝缘层上形成绝缘层，此绝缘层具有第一开口、第二开口以及第三开口，以分别暴露出第一栅极上方之部分的栅绝缘层及部分的第一源极/漏极层、第二栅极上方之部分的栅绝缘层及部分的第二源极/漏极层，以及部分的阳极；继之，于绝缘层之第一开口及第二开口内分别形成第一通道层与第二通道层，其中，第一通道层与第二通道层分别与第一源极/漏极层及第二源极/漏极层电连接；最后，于绝缘层之第三开口内依次形成发光层以及阴极，其中，发光层覆盖于部分的阳极上，且阴极覆盖于发光层上。

在本发明之一实施例中，形成绝缘层的步骤包括：于栅绝缘层上全面性地形成绝缘层；之后，图案化此绝缘层，以形成上述之第一开口、第二开口以及第三开口。

在本发明之一实施例中，图案化此绝缘层的方法包括湿式蚀刻或干式蚀刻。

在本发明之一实施例中，形成第一通道层与第二通道层之方法包括利用荫罩进行沉积工艺。

在本发明之一实施例中，形成第一通道层与第二通道层之方法包括喷印工艺。

为达上述或是其它目的，本发明更提出一种有机电致发光显示元件，适于设置于基板上。此显示元件主要包括驱动电路以及有机电致发光单元。驱动电路包括切换薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管，此切换薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管分别包括栅极、栅绝缘层、源极/漏极层、绝缘层以及通道层。栅极是设置于基板上。栅绝缘层是设置于基板上，且覆盖上述栅极。源极/漏极层是设置于栅绝缘层上，且源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层。绝缘层是设置于源极/漏极层上，且绝缘层具有开口，以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层及部分的源极/漏极层。通道层是设置于绝缘层之开口中，其中，通道层由开口中暴露出来，且与源极/漏极层电连接。此外，切换薄膜晶体管之源极/漏极层与驱动薄膜晶体管之栅极电连接。有机电致发光单元包括阳极、发光层以及阴极。阳极是设置于基板上，且与驱动薄膜晶体管之源极/漏极层电连接。发光层是设置于阳极上。阴极是设置于发光层上。

在本发明之一实施例中，栅绝缘层延伸至基板与阳极之间。

在本发明之一实施例中，绝缘层延伸至阳极上，且绝缘层具有另一开口，以暴露出部分的阳极。而发光层设置于绝缘层之另一开口中。

在本发明之一实施例中，栅绝缘层中具有接触窗开口，此接触窗开口暴露出驱动薄膜晶体管之部分的栅极，而切换薄膜晶体管之部分的源极/漏极层填入接触窗开口中，使切换薄膜晶体管之源极/漏极层通过接触窗开口与驱动薄膜晶体管之栅极电连接。

在本发明之一实施例中，上述基板包括软质基板或硬质基板。其中，软质基板包括塑料基板或是金属箔片；而硬质基板包括玻璃基板、石英基板或是硅基板。

在本发明之一实施例中，绝缘层之材料包括有机材料、无机材料或是有机无机复合材料。

在本发明之一实施例中，上述有机材料包括高分子材料。

在本发明之一实施例中，上述绝缘层之材料包括氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。此吸湿剂包括碱土族之氧化物。

在本发明之一实施例中，上述通道层之材料包括有机半导体材料或是无机半导体材料。

在本发明之一实施例中，上述有机半导体材料包括五苯。

在本发明之一实施例中，上述发光层之材料包括有机小分子发光材料、有机高分子发光材料或是混合有机小分子及高分子之发光材料。

在本发明之一实施例中，驱动薄膜晶体管之通道层与有机电致发光单元之阴极电绝缘。

综上所述，本发明提出一种全新的有机电致发光显示元件的制造方法，在其制造过程中完全无须制造保护层。如此一来，即可避免传统的有机电致发光显示元件中因保护层之制造及图案化所造成之元件特性衰退的问题，进而延长有机电致发光显示元件之使用寿命。

为让本发明之上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为一种公知之主动式有机电致发光显示器的剖面示意图。

图2A～2E为本发明较佳实施例中一种薄膜晶体管的制造流程剖面示意图。

图3A～3F为本发明较佳实施例中一种有机电致发光显示元件的制造流程剖面示意图。

图4为本发明之有机电致发光显示元件与一封装基板组合后的剖面示意图。

主要元件标记说明

100：像素结构

110：基板

112：栅绝缘层

112a：接触窗开口

120：切换薄膜晶体管

121：栅极

122：源极

123：漏极

124：通道层

130：驱动薄膜晶体管

131：栅极

132：源极

133：漏极

134：通道层

140：有机电致发光单元

141：阳极

142：发光层

143：阴极

150：保护层

150a：接触窗开口

160：金属层

200：薄膜晶体管

210：基板

220：栅极

230：栅绝缘层

240：源极/漏极层

250：绝缘层

250a：开口

260：通道层

300：有机电致发光显示元件

310：基板

320：切换薄膜晶体管

321：第一栅极

322：第一源极/漏极层

323：第一通道层

330：驱动薄膜晶体管

331：第二栅极

332：第二源极/漏极层

333：第二通道层

340：有机电致发光单元

341：阳极

342：发光层

343：阴极

350：栅绝缘层

350a：接触窗开口

360：绝缘层

360a：第一开口

360b：第二开口

360c：第三开口

400：封装基板

具体实施方式

图2A～2E为本发明较佳实施例中一种薄膜晶体管的制造流程剖面示意图。首先，请参照图2A，于基板210上形成栅极220。在本发明之一实施例中，形成栅极220之方法可先于基板210上沉积上一层导体层(图中未表示)，之后，再利用光刻掩膜(图中未表示)配合光刻及蚀刻工艺以图案化上述之导体层，以于基板210上形成栅极220。上述之光刻及蚀刻步骤为一般的半导体制造工艺，因此，关于这些步骤的详细内容为所属技术领域的技术人员所周知，于此不再赘述。而上述基板210可为软质基板或是硬质基板。其中，软质基板包括塑料基板或是金属箔片；而硬质基板包括玻璃基板、石英基板或是硅基板。本发明对于基板210之材质不作任何限制。此外，栅极220可由铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)等透明导电材料所组成。

接着，请参照图2B，于基板210上形成栅绝缘层230，以覆盖栅极220。形成栅绝缘层230之方法可为物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)或化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)。此外，当采用硅晶片作为基板210之材料时，栅绝缘层230之材料可为氮化硅或氧化硅。

之后，请参照图2C，于栅绝缘层230上形成源极/漏极层240，此源极/漏极层240暴露出栅极220上方之部分的栅绝缘层230。形成源极/漏示)，之后，再利用湿蚀刻或干蚀刻工艺图案化上述导体材料层，以形成图2C中所示之源极/漏极层240。而源极/漏极层240可由铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(indiure zinc oxide，IZO)等透明导电材料所组成。

一般而言，在传统的薄膜晶体管之制造流程中，当形成源极/漏极层240之后，会直接于栅极上方之部分栅绝缘层上形成通道层，之后，再全面性地覆盖上一层保护层，如此，即完成薄膜晶体管之制造。然而，本发明之特点即在于：当形成源极/漏极层240之后，直接于源极/漏极层240上形成绝缘层，此绝缘层具有开口，以定义出通道层之位置，接着，再于绝缘层之开口内形成通道层。如此一来，即无须制造保护层，以避免传统的薄膜晶体管中因保护层之制造及图案化所造成之元件特性衰退的问题。

请继续参照图2D，于源极/漏极层240上形成绝缘层250，此绝缘层250中具有开口250a，以暴露出栅极220上方之部分的栅绝缘层230与部分的源极/漏极层240。在本发明之一实施例中，绝缘层250可由有机材料、无机材料或是有机无机复合材料所组成。更进一步而言，有机材料包含高分子材料，例如：光刻胶；而无机材料可为氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。在此步骤中，若采用吸湿剂作为绝缘层250之材料，则其不仅具有绝缘的作用，且亦可防止有机材料层受潮氧化，如此，将有助于延长薄膜晶体管之使用寿命。一般而言，吸湿剂可由碱土族的氧化物所构成，例如：氧化钙、氧化镁等。

最后，请参照图2E，于绝缘层250之开口250a中形成通道层260，使通道层260与源极/漏极层240电连接，且通道层260会从开口250a中暴露出来。形成此通道层260之方法，可利用荫罩进行沉积工艺，或是利用喷印工艺(ink-jet printing)将通道层260之材料喷印至开口250a中，以形成通道层260。至此，即完成薄膜晶体管200之制造。在本发明之一实施例中，通道层260之材料可为有机半导体材料或是无机半导体材料，使所形成之薄膜晶体管200为有机薄膜晶体管或是无机薄膜晶体管。此外，有机薄膜晶体管中常用的有机半导体材料为五苯(Pentacene)。

以下将详细说明本发明依据上述工艺制造而成的薄膜晶体管。

请继续参照图2E，薄膜晶体管200包括基板210、栅极220、栅绝缘层230、源极/漏极层240、绝缘层250以及通道层260。栅极220是设置于基板210上。而栅绝缘层230是设置于基板210上，且覆盖上述栅极220。源极/漏极层240是设置于栅绝缘层230上，且暴露出栅极220上方之部分的栅绝缘层230。本发明之特点即是在源极/漏极层240上设置绝缘层250，此绝缘层250具有开口250a，此开口250a暴露出栅极220上方之部分的栅绝缘层230及部分的源极/漏极层240，以定义出通道层260之位置。通道层260是设置于绝缘层250之开口250a中，并由开口250a中暴露出来，且通道层260与源极/漏极层240电连接。

由于上述薄膜晶体管之制造方法中可省略掉制造保护层的步骤，如此，即可避免传统的薄膜晶体管中因保护层之制造及图案化所造成之元件特性衰退的问题。而以下将配合附图说明应用此薄膜晶体管之有机电致发光显示元件的制造过程。

图3A～3F为本发明较佳实施例中一种有机电致发光显示元件的制造流程剖面示意图。首先，请参照图3A，于基板310上形成第一栅极321与第二栅极331。上述基板310可为软质基板或是硬质基板。其中，软质基板包括塑料基板或是金属箔片；而硬质基板包括玻璃基板、石英基板或是硅基板。本发明对于基板310之材质不作任何限制。而第一栅极321与第二栅极331之制造方式，可先于基板310上沉积一层透明导电层，之后，再利用光刻及蚀刻工艺形成第一栅极321与第二栅极331。在本发明之一实施例中，第一栅极321与第二栅极可由铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)等透明导电材料所组成。

之后，请参照图3B，于基板310上形成栅绝缘层350，以覆盖第一栅极321与第二栅极331，且栅绝缘层350具有接触窗开口350a，以暴露出部分的第二栅极331。在本发明之一实施例中，形成栅绝缘层350之方法可先利用物理气相沉积法或是化学气相沉积法于基板310上形成绝缘层，其材料可为氮化硅、氧化硅或其它绝缘材料，之后，再利用光刻及蚀刻工艺于栅绝缘层350中形成接触窗开口350a，以暴露出部分的第二栅极331。

接下来，请参照图3C，于栅绝缘层350上形成第一源极/漏极层322，第二源极/漏极层332与阳极341，其中，部分的第一源极/漏极层322是填入于接触窗开口350a中，使第一源极/漏极层322中的漏极与第二栅极331电连接，且第二源极/漏极层332中的漏极与阳极341电连接。在本发明之一较佳实施例中，形成第一源极/漏极层322、第二源极/漏极层332及阳极341的步骤与上述薄膜晶体管200中所述之形成源极/漏极层240的步骤相同，所以，在此不再重述。

之后，请参照图3D，于栅绝缘层350上形成绝缘层360，此绝缘层360具有第一开口360a、第二开口360b以及第三开口360c，以分别暴露出第一栅极321上方之部分的栅绝缘层350及部分的第一源极/漏极层322、第二栅极331上方之部分的栅绝缘层350及部分的第二源极/漏极层332，以及部分的阳极341。在此步骤中，可先于栅绝缘层350上全面性地形成绝缘层，之后，再利用湿式蚀刻或是干式蚀刻进行绝缘层之图案化工艺，以形成上述之第一开口360a、第二开口360b与第三开口360c。此外，绝缘层360可由有机材料、无机材料或是有机无机复合材料所组成。更进一步而言，有机材料包含高分子材料，例如：光刻胶；而无机材料可为氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。在此步骤中，若采用吸湿剂作为绝缘层360之材料，则其不仅具有绝缘的作用，且亦可防止后续形成之有机半导体层受潮氧化，如此，将有助于延长有机电致发光显示元件之使用寿命。一般而言，吸湿剂可由碱土族的氧化物所构成，例如：氧化钙、氧化镁等。

接下来，请参照图3E，于绝缘层360之第一开口360a及第二开口360b内分别形成第一通道层323与第二通道层333，而此第一通道层323与第二通道层333分别与第一源极/漏极层322及第二源极/漏极层332电连接。而形成第一通道层323与第二通道层333的方法，可利用荫罩进行沉积工艺，或是利用喷印工艺将半导体材料喷印至第一开口360a与第二开口360b中，以形成第一通道层323与第二通道层333。在本发明之一实施例中，第一通道层323与第二通道层333之材料可为有机半导体材料或是无机半导体材料，使所形成之薄膜晶体管为有机薄膜晶体管或是无机薄膜晶体管。而在有机薄膜晶体管中常用的有机半导体材料为五苯。

最后，请参照图3F，于绝缘层360之第三开口360c内依次形成发光层342以及阴极343。发光层342覆盖于部分的阳极341上，而阴极343则是覆盖干发光层342上。在本发明之一实施例中，发光层342之材料可为有机小分子发光材料、有机高分子发光材料或是混合有机小分子及高分子之发光材料。至此，即完成有机电致发光显示元件300之制造流程。

图4为依据上述工艺制造而成之有机电致发光显示元件与封装基板组合后之剖面示意图。请参照图4，本发明之有机电致发光显示元件300主要包括驱动电路以及有机电致发光单元340；有机电致发光单元340是通过驱动电路之驱动而发光。

驱动电路包含切换薄膜晶体管320以及与其电连接之驱动薄膜晶体管330。切换薄膜晶体管320包括第一栅极321、栅绝缘层350、第一源极/漏极层322、绝缘层360以及第一通道层323。第一栅极321是设置于基板310上。栅绝缘层350是设置于基板310上，且覆盖上述第一栅极321。第一源极/漏极层322是设置于栅绝缘层350上，且第一源极/漏极层322暴露出第一栅极321上方之部分的栅绝缘层350。绝缘层360是设置于第一源极/漏极层322上，且绝缘层360具有第一开口360a，以暴露出第一栅极321上方之部分的栅绝缘层350及部分的第一源极/漏极层322。第一通道层323是设置于绝缘层360之第一开口360a中，此外，第一通道层323由第一开口360a中暴露出来，且与第一源极/漏极层322电连接。驱动薄膜晶体管330之结构大致上与切换薄膜晶体管320相同，所以，在此不再重述。而切换薄膜晶体管320之第一源极/漏极层322通过栅绝缘层350中的接触窗开口350a与驱动薄膜晶体管330中的第二栅极331电连接。此外，切换薄膜晶体管320与驱动薄膜晶体管330可为有机薄膜晶体管或是无机薄膜晶体管，本发明对此不作任何限制。

有机电致发光单元340主要包含阳极341、发光层342以及阴极343。阳极341与驱动薄膜晶体管330之第二栅极331电连接，以通过驱动薄膜晶体管330提供驱动有机电致发光单元340运行所需之电流。发光层342是形成于绝缘层360之第三开口360c中，且位于阳极341上。此发光层342之材料可为有机小分子发光材料、有机高分子发光材料或是混合有机小分子及高分子之发光材料，本发明对于发光层342之材料不作任何限制。值得注意的是，阴极343是位于发光层342上，且与驱动薄膜晶体管330之第二通道层333电绝缘。

当依据上述工艺制造完有机电致发光显示元件300之后，可将其与封装基板400面对面地结合，以完成其封装。

综上所述，本发明提出一种全新的有机电致发光显示元件的制造方法，通过绝缘层定义出薄膜晶体管之通道层与有机电致发光单元之发光层的位置，且在绝缘层上无须制造保护层。如此一来，即可避免传统的有机电致发光显示元件中因保护层之制造及图案化所造成之元件特性衰退的问题，进而延长有机电致发光显示元件之使用寿命。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与改进，因此本发明之保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (30)

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：

于基板上形成栅极；

于该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该栅极；

于该栅绝缘层上形成源极/漏极层，该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；

于该源极/漏极层上形成绝缘层，该绝缘层具有开口，以暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层与部分该源极/漏极层；以及

于该绝缘层之该开口中形成通道层，使该通道层与该源极/漏极层电连接，且该通道层由该开口中暴露出来。

2.根据权利要求1所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是形成该通道层之方法包括利用荫罩进行沉积工艺。

3.根据权利要求1所述之薄膜晶体管的制造方法，其特征是形成该通道层之方法包括喷印工艺。

4.一种薄膜晶体管，其特征是包括：

基板；

栅极，设置于该基板上；

栅绝缘层，设置于该基板上，且覆盖该栅极；

源极/漏极层，设置于该栅绝缘层上，且该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；

绝缘层，设置于该源极/漏极层上，且该绝缘层具有开口，以暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层及部分该源极/漏极层；以及

通道层，设置于该绝缘层之该开口中，其中该通道层由该开口中暴露出来，且与该源极/漏极层电连接。

5.根据权利要求4所述之薄膜晶体管，其特征是该基板包括软质基板或硬质基板。

6.根据权利要求4所述之薄膜晶体管，其特征是该绝缘层之材料包括有机材料、无机材料或是有机无机复合材料。

7.根据权利要求6所述之薄膜晶体管，其特征是该有机材料包括高分子材料。

8.根据权利要求6所述之薄膜晶体管，其特征是该绝缘层之材料包括氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。

9.根据权利要求8所述之薄膜晶体管，其特征是该吸湿剂包括碱土族之氧化物。

10.根据权利要求4所述之薄膜晶体管，其特征是该通道层之材料包括有机半导体材料或是无机半导体材料。

11.根据权利要求10所述之薄膜晶体管，其特征是该有机半导体材料包括五苯。

12.一种有机电致发光显示元件的制造方法，其特征是包括：

于基板上形成第一栅极与第二栅极；

于该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该第一栅极与该第二栅极，且该栅绝缘层具有接触窗开口，以暴露出部分该第二栅极；

于该栅绝缘层上形成第一源极/漏极层、第二源极/漏极层与阳极，其中，部分该第一源极/漏极层填入该接触窗开口中，使该第一漏极层与该第二栅极电连接，且该第二漏极层与该阳极电连接；

于该栅绝缘层上形成绝缘层，该绝缘层具有第一开口、第二开口以及第三开口，以分别暴露出该第一栅极上方之部分该栅绝缘层及部分该第一源极/漏极层、该第二栅极上方之部分该栅绝缘层及部分该第二源极/漏极层，以及部分该阳极；

于该绝缘层之该第一开口及该第二开口内分别形成第一通道层与第二通道层，其中，该第一通道层与该第二通道层分别与该第一源极/漏极层及该第二源极/漏极极层电连接；以及

于该绝缘层之该第三开口内依次形成发光层以及阴极，其中，该发光层覆盖于部分该阳极上，且该阴极覆盖于该发光层上。

13.根据权利要求12所述之有机电致发光显示元件的制造方法，其特征是形成该绝缘层的步骤包括：

于该栅绝缘层上全面性地形成绝缘层；以及

图案化该绝缘层，以形成该第一开口、该第二开口以及该第三开口。

14.根据权利要求13所述之有机电致发光显示元件的制造方法，其特征是图案化该绝缘层的方法包括湿式蚀刻或干式蚀刻。

15.根据权利要求12所述之有机电致发光显示元件的制造方法，其特征是形成该第一通道层与该第二通道层之方法包括利用荫罩进行沉积工艺。

16.根据权利要求12所述之有机电致发光显示元件的制造方法，其特征是形成该第一通道层与该第二通道层之方法包括喷印工艺。

17.一种有机电致发光显示元件，适于设置于基板上，其特征是该显示元件包括：

驱动电路，包括切换薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管，该切换薄膜晶体管及该驱动薄膜晶体管分别包括：

栅极，设置于该基板上；

栅绝缘层，设置于该基板上，且覆盖该栅极；

源极/漏极层，设置于该栅绝缘层上，且该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层；

绝缘层，设置于该源极/漏极层上，且该绝缘层具有开口，以暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层及部分该源极/漏极层；以及

通道层，设置于该绝缘层之该开口中，其中，该通道层由该开口中暴露出来，且与该源极/漏极层电连接；

其中，该切换薄膜晶体管之该源极/漏极层与该驱动薄膜晶体管之该栅极电连接；

有机电致发光单元，包括：

阳极，设置于该基板上，且与该驱动薄膜晶体管之该源极/漏极层电连接；

发光层，设置于该阳极上；以及

阴极，设置于该发光层上。

18.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该栅绝缘层延伸至该基板与该阳极之间。

19.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该绝缘层延伸至该阳极上，且该绝缘层具有另一开口，以暴露出部分该阳极。

20.根据权利要求19所述之有机电致发光显示元件，其特征是该发光层设置于该绝缘层之该另一开口中。

21.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该栅绝缘层中具有接触窗开口，该接触窗开口暴露出该驱动薄膜晶体管之部分该栅极，而该切换薄膜晶体管之部分该源极/漏极层填入该接触窗开口中，使该切换薄膜晶体管之该源极/漏极层通过该接触窗开口与该驱动薄膜晶体管之该栅极电连接。

22.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该基板包括软质基板或硬质基板。

23.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该绝缘层之材料包括有机材料、无机材料或是有机无机复合材料。

24.根据权利要求23所述之有机电致发光显示元件，其特征是该有机材料包括高分子材料。

25.根据权利要求23所述之有机电致发光显示元件，其特征是该绝缘层之材料包括氮化硅、氧化硅或是吸湿剂。

26.根据权利要求25所述之有机电致发光显示元件，其特征是该吸湿剂包括碱土族之氧化物。

27.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该通道层之材料包括有机半导体材料或是无机半导体材料。

28.根据权利要求27所述之有机电致发光显示元件，其特征是该有机半导体材料包括五苯。

29.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该发光层之材料包括有机小分子发光材料、有机高分子发光材料或是混合有机小分子及高分子之发光材料。

30.根据权利要求17所述之有机电致发光显示元件，其特征是该驱动薄膜晶体管之该通道层与该有机电致发光单元之该阴极电绝缘。

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