CN112864340A - 一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，其中显示面板包括：基板；第一导电层，第一导电层位于基板一侧的非显示区，第一导电层与显示区的像素电极连接；第一光刻胶层，第一光刻胶层与第一导电层位于基板的同一侧，第一光刻胶层上设置有开口，开口暴露第一导电层的部分；第二导电层，第二导电层与开口暴露的第一导电层接触；封装层，封装层位于第二导电层远离基板的一侧。本发明实施例提供的技术方案中第二导电层与开口暴露的第一导电层接触；沿开口延伸方向形成第二金属层，以形成具有引线作用的辅助电极，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的可靠性。

Description

一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。

背景技术

在OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示面板的非显示区中，导电层上通常覆盖一导电性良好的金属层，作为辅助电极，可以降低膜层电阻，进而降低功耗。

但是辅助电极表面极易被氧化和腐蚀，现有技术中通过酸刻蚀的方式形成辅助电极，使辅助电极容易发生侧蚀，导致辅助电极脱落或辅助电极之间短路后出现一系列功能不良的现象，降低了器件的可靠性。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，以解决辅助电极发生侧蚀的问题，保证器件的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括显示区和非显示区，所述显示面板包括：

基板；

第一导电层，所述第一导电层位于所述基板一侧的所述非显示区，所述第一导电层与所述显示区的像素电极连接；

第一光刻胶层，所述光刻胶层与所述第一导电层位于所述基板的同一侧，并覆盖所述第一导电层，所述第一光刻胶层上设置有开口，所述开口暴露所述第一导电层的部分；

第二导电层，位于所述第一导电层远离所述基板侧一侧，所述第二导电层与所述开口暴露的所述第一导电层接触；

封装层，所述封装层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧。

可选的，所述第二导电层位于所述开口内；所述第一光刻胶层在远离所述基板方向上的高度大于或等于所述第二导电层在远离所述基板方向上的高度。

可选的，还包括第二光刻胶层，所述第二光刻胶层位于所述封装层靠近所述基板的一侧，所述第二光刻胶层用于将所述封装层贴合在所述第二导电层远离所述基板的一侧。

可选的，所述第一光刻胶层远离所述基板的一侧包括多个凹槽，多个所述凹槽呈矩阵排布；所述第二光刻胶层填充所述凹槽。

可选的，沿所述第二导电层延伸方向，呈矩阵排布的多个所述凹槽连通。

可选的，所述凹槽在垂直于所述第二导电层延伸的方向上的截面为梯形；所述梯形包括第一边和第二边，所述第一边靠近所述第二导电层，所述第二边远离所述第二导电层；所述第一边的长度大于所述第二边。

可选的，所述第一导电层的材料包括氧化铟锡；

所述第二导电层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第一金属层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述基板的一侧；所述第三金属层位于所述第二金属层远离所述基板的一侧；所述第一金属层和所述第三金属层的材料包括钼；所述第二金属层的材料包括铝。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述方法包括：

提供基板；

形成第一导电层，所述第一导电层位于所述基板一侧的所述非显示区，所述第一导电层与所述显示区的像素电极连接；

形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第一导电层位于所述基板的同一侧，并覆盖所述第一导电层，所述第一光刻胶层上设置有开口，所述开口暴露所述第一导电层的部分；

形成第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二导电层与所述开口暴露的所述第一导电层接触；

形成封装层，所述封装层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧。

可选的，所述形成第二导电层之前，还包括：

于所述第一光刻胶封装层远离所述基板的一侧形成多个凹槽，多个所述凹槽呈矩阵排布。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第一方面中任一所述的显示面板。

本发明实施例提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，其中显示面板包括：基板；第一导电层，第一导电层位于所述基板一侧的非显示区，第一导电层与显示区的像素电极连接；第一光刻胶层，光刻胶层与第一导电层位于基板的同一侧，并覆盖第一导电层，第一光刻胶层上设置有开口，开口暴露第一导电层的部分；第二导电层，位于第一导电层远离基板侧一侧，第二导电层与开口暴露的所述第一导电层接触；封装层，封装层位于第二导电层远离基板的一侧。本发明实施例提供的技术方案通过设置第一光刻胶层，光刻胶层与第一导电层位于所述基板的同一侧，并覆盖所述第一导电层，第一光刻胶层上设置有开口，开口暴露所述第一导电层的部分；在位于第一导电层远离基板侧一侧形成第二导电层，第二导电层与开口暴露的第一导电层接触；沿开口延伸方向形成第二金属层，以形成具有引线作用的辅助电极，改变辅助电极图形化的方式，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的可靠性。

附图说明

图1是现有技术中提供的一种显示面板非显示区的局部放大图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；

图3是图2所述结构中沿A1-A2方向的剖面结构图；

图4是图2所述结构中沿A1-A2方向的另一种剖面结构图；

图5是本发明实施例提供的一种凹槽结构的俯视图；

图6是本发明实施例提供的一种凹槽结构的侧视图；

图7是本发明实施例提供的另一种凹槽结构的俯视图；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图9是本发明实施例提供的步骤S120中各步骤中显示面板的剖面结构图；

图10是本发明实施例提供的步骤S130中各步骤中显示面板的剖面结构图；

图11是本发明实施例提供的步骤S140中显示面板的剖面结构图；

图12是本发明实施例提供的步骤S150中显示面板的剖面结构图；

图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；

图14是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是现有技术中提供的一种显示面板非显示区的局部放大图，参考图1，目前，在OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示面板的非显示区中，位于基板一侧的连接驱动芯片与显示区像素电极的导电层1上，通常覆盖一导电性良好的金属层2，覆盖有金属层2的导电层1之间隔开，导电层1和金属层2起到引线的作用。金属层2作为辅助电极，可以降低膜层电阻，进而降低功耗。例如通常采用金属Al作为辅助电极，覆盖在ITO层上面起到引线的作用。现有技术中通过酸刻蚀的方式形成辅助电极，但是发现纯铝表层极易被氧化和腐蚀，尤其是在刻蚀过程容易发生侧蚀，导致Al层脱落或辅助电极之间发生短路。Al层脱落后，引线的总电阻变大，从而导致传输到显示区像素电极上的驱动信号减小，影响显示画面的显示效果；辅助电极之间发生短路后，无法正常的控制显示区像素的亮灭；降低了器件的可靠性。

有鉴于此，首先，本发明实施例提供一种显示面板，以解决该问题。图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图3是图2所述结构中沿A1-A2方向的剖面图，参考图2-3，本发明实施例提供的显示面板包括显示区100和非显示区200，该显示面板还包括：

基板10；

第一导电层20，第一导电层20位于基板10一侧的所述非显示区200，第一导电层20与显示区100的像素电极连接；

第一光刻胶层30，第一光刻胶层30与第一导电层20位于基板10的同一侧，并覆盖第一导电层20，第一光刻胶层30上设置有开口32，开口32暴露所述第一导电层20的部分；

第二导电层40，位于第一导电层20远离所述基板10侧一侧，第二导电层40与开口32暴露的第一导电层20接触；

封装层50，封装层50位于第二导电层40远离基板10的一侧。

具体的，显示面板包括显示区100和非显示区200，显示区100对应具有有机发光结构，实现画面的显示，非显示区200对应的区域不呈现画面。有机发光结构通常包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极用作阳极并且可以由各种导电材料形成。例如，第一电极可以根据它的用途形成为透明电极或反射电极。发光层位于第一电极上，发光层被图案化为与每个子像素对应，即，与图案化的第一电极对应。发光层可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成，有机发光结构还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。第二电极(作为有机发光器件OLED的阴极)位于发光层上。与第一电极相似，第二电极可以形成为透明电极或反射电极。如果在第一电极和第二电极之间施加驱动信号，则发光层发光。

非显示区200中，基板10一侧设置有第一导电层20，第一导电层20与有机发光结构位于基板10的同一侧。第一导电层20的一端与显示区的像素电极(第一电极或第二电极)连接。基板10可以为玻璃基板10，第一导电层20的材料可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。在形成第一导电层20时，可以在玻璃基板10上形成ITO层，并对ITO层远离玻璃基板10的一侧涂覆第三光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，并将经过光照分解的第三光刻胶层除去，保留未曝光部分的第三光刻胶层；以保留下的第三光刻胶层为掩膜版，去除未覆盖第三光刻胶层的ITO层，使ITO层实现图形化，并在图形化ITO层后去除第三光刻胶层，图案化后的ITO即为第一导电层20。

显示面板还包括第一光刻胶层30，第一光刻胶层30与第一导电层20位于基板10的同一侧，并覆盖第一导电层20，第一光刻胶层30上设置有开口32，开口32暴露第一导电层20的部分；第二导电层40，位于第一导电层20远离基板10侧一侧，第二导电层40与开口32暴露的第一导电层20接触。

具体的，第一光刻胶层30覆盖第一导电层20可以理解为第一封装胶层围绕第一导电层20的外侧设置，覆盖第一导电层20的上表面以及两侧。第一光刻胶层30可以保护第一导电层20免受外部湿气和氧等的影响。第一光刻胶层30上设置有开口32，第一导电层20连接显示区的像素电极，显示面板中的电源模块可以通过第一导电层20向显示区的像素电极提供驱动信号，显示面板中的电源模块可以集成在驱动芯片上。第一光刻胶层30上的开口32沿第一导电层20的延伸方向设置，第二导电层40位于开口32内与开口32暴露的第一导电层20接触，即第二导电层40沿开口32延伸方向设置，换句话说，第二导电层40与第一导电层层叠设置。第一导电层20和第二导电层40的相对位置及各自宽度可根据实际需要进行调整，需要强调的是，第二导电层40的宽度小于或等于第一导电层20的宽度。由于开口32延伸方向为图形化后的第一导电层20的延伸方向，第二导电层40位于开口32内，第二导电层40沿开口32延伸方向设置，因此可以实现第二导电层40的图形化，形成辅助电极。本发明实施例提供的技术方案通过改变辅助电极图形化的方式，保证了第一导电层20和第二导电层40共同形成引线400，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的可靠性。

显示面板还包括封装层50，对于显示面板的显示区100，封装层50位于有机发光结构上。显示区100的封装层50保护发光层和其它薄层免受外部湿气和氧等的影响。封装层50可以为玻璃盖板。对于显示面板的非显示区200，封装层50位于第二导电层40上。非显示区200的封装层50保护第二导电层40免受外部湿气和氧等的影响。显示区的封装层50与非显示区200的封装层50为同一玻璃盖板。

本发明实施例提供的显示面板，第一光刻胶层上设置的开口延伸方向为图形化后的第一导电层的延伸方向，由于第二导电层位于开口内，从而第二导电层沿开口延伸方向设置，因此可以实现第二导电层的图形化，形成辅助电极。本发明实施例提供的技术方案通过改变辅助电极图形化的方式，保证了第一导电层和第二导电层的引线的作用，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的工作特性可靠性。

可选的，第二导电层40位于开口32内；第一光刻胶层30在远离基板10方向上的高度大于或等于第二导电层40在远离基板10方向上的高度。

具体的，第二导电层40位于第一光刻胶层30的开口32内，第二导电层40靠近基板10的一侧与开口32暴露的第一导电层20接触，第二导电层40的侧壁与第一光刻胶层30接触。第一光刻胶层30可以减少水汽和氧气对第二导电层40的侧壁侵蚀，避免出现辅助电极脱落以及辅助电极之间短路等情况，进一步的保证了器件的可靠性。第一光刻胶层30在基板10厚度方向上的高度大于或等于第二导电层40在远离基板10方向上的高度。优选地，第一光刻胶层30在远离基板10方向上的高度等于第二导电层40在远离基板10方向上的高度，可以保证封装层50与第二导电层40之间可以贴合，避免产生空腔，尽可能的减小显示面板的厚度。需要说明的是，第二导电层40形成后，第一光刻胶层30不需要去除，直接进行封装，第一光刻胶层30还可以对图形化的第二导电层40的侧壁进行保护，并且可以减少显示面板的制备工序，进而防止第一光刻胶层30去除的工艺中所用到的碱性溶液对第一导电层20以及第二导电层40的侧壁和上表面的损坏。进一步的避免了出现辅助电极脱落以及辅助电极之间短路的情况，保证了器件的可靠性。

可选的，图4是图2所述结构中沿A1-A2方向的另一种剖面结构图，参考图4，显示面板还包括第二光刻胶层60，第二光刻胶层60位于封装层50靠近基板10的一侧，第二光刻胶层60用于将封装层50贴合在第二导电层40远离基板10的一侧。第二光刻胶层60与第一光刻胶层30均为正性胶或均为异性胶。

可选的，图5是本发明实施例提供的一种凹槽结构的俯视图，参考图4-5，第一光刻胶层30远离基板10的一侧包括多个凹槽31，多个凹槽31呈矩阵排布；第二光刻胶层60填充凹槽31。

具体的，第一光刻胶层30远离基板10的一侧包括多个凹槽31，对第一光刻胶层30远离基板10的一侧进行曝光显影以及图形化，形成多个呈矩阵排布的凹槽31。通过第二光刻胶层60将封装层50贴合在第二导电层40远离基板10的一侧时，部分的第二光刻胶层60流入凹槽31并填充每个凹槽31。固化第二光刻胶层60后，第二光刻胶层60填充在凹槽31内可以提高第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。进一步的避免了出现辅助电极脱落以及辅助电极之间短路等情况，保证了器件的可靠性。

可选的，图6是本发明实施例提供的一种凹槽31结构的侧视图，参考图6，，凹槽31在垂直于第二导电层40延伸的方向上的截面为梯形；梯形包括第一边b和第二边a，第一边b靠近第二导电层40，第二边a远离第二导电层40；第一边b的长度大于第二边a。

具体的，在垂直于第二导电层40延伸的方向上，凹槽31的截面为梯形。梯形包括第一边b和第二边a，第一边b靠近第二导电层40，第二边a远离第二导电层40；第一边b的长度大于第二边a。也就是说，第一边b为梯形的下底，第二边a为梯形的上底。填充在凹槽31内的第二光刻胶层60固化后，形成的结构为棱台结构。棱台结构的第二光刻胶层60远离基板10一侧的上底面在基板10上的投影，小于棱台结构的第二光刻胶层60靠近基板10一侧的下底面在基板10上的投影。棱台结构的第二光刻胶层60可以进一步的提高第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。因为第一光刻胶层30上形成的凹槽31口部的面积小于凹槽31底部的面积，即使在凹槽31内的第二光刻胶层60与第一光刻胶层30之间开裂的情况下，凹槽31内棱台结构的第二光刻胶层60可以起到防止显示面板开裂的效果。

可选的，图7是本发明实施例提供的另一种凹槽结构的俯视图，参考图7，沿第二导电层40延伸方向，呈矩阵排布的多个凹槽31连通。

具体的，沿第二导电层40延伸方向，呈矩阵排布的多个凹槽31之间没有设置间隔，呈矩阵排布的多个凹槽31之间连通。第一光刻胶层30远离基板10的一侧的多个凹槽31，呈矩阵排布。矩阵中列的方向为沿第二导电层40延伸的方向。也就是说，沿第二导电层40延伸方向，每列上的多个凹槽31连通形成一个较大的凹槽31，减少了第一光刻胶层30的材料，降低了成本。另外，形成多列较大的凹槽31，凹槽31的空间增大，便于第二光刻胶层60的填充。在填充第二光刻胶层60时，便于凹槽31内空气的排出，降低凹槽31内空气的遗留量，从而使第二光刻胶层60可以填满凹槽31内的空间，提高凹槽31内第二光刻胶层60填充的均匀性以及与第一光刻胶层30的贴合性，进一步的提高了第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。同样的，每列上的多个凹槽31连通形成一个较大的凹槽31在垂直于第二导电层40延伸的方向上的截面为梯形；梯形包括第一边和第二边，第一边靠近第二导电层40，所述第二边远离第二导电层40；第一边的长度大于第二边。与上述实施例具有同样的技术效果，这里不再赘述。

可选的，第一导电层20的材料包括氧化铟锡；第二导电层40包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；第一金属层位于第一导电层20远离基板10的一侧，第二金属层位于第一金属层远离基板10的一侧；第三金属层位于第二金属层远离基板10的一侧；第一金属层和第三金属层的材料包括钼；第二金属层的材料包括铝。

具体的，第一导电层20的材料包括氧化铟锡；第二导电层40包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第二导电层40的膜层结构为层叠的钼层、铝层和钼层，其中铝层位于两层钼层之间。其中靠近基板10的钼层起到过渡及增强附着力的作用，铝层起到降低阻值的作用，远离基板10的钼层起到保护的作用。

可选的，第二导电层40可以实现只包括铝层。本发明实施例通过将第二导电层40设置于第一光刻胶层30的开口32内，开口32延伸方向为图形化后的第一导电层20的延伸方向，从而使第二导电层40图形化，形成具有引线作用的辅助电极，替代了现有技术中的酸刻蚀工序，能彻底消除酸刻蚀带来的侧蚀问题。并且，第二导电层40形成后，第一光刻胶层30不需要去除，直接进行封装，第一光刻胶层30可以对图形化的第二导电层40的侧壁进行保护。因此，第二导电层40可以只包括铝层，没有金属掺杂及多余膜层的存在可以有效的降低电阻，进而降低显示面板的功耗。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，显示面板包括显示区和非显示区，图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，参考图8，方法包括：

S110、提供基板。

S120、形成第一导电层，第一导电层位于基板一侧的非显示区，第一导电层与显示区的像素电极连接。

具体的，基板10可以为玻璃基板10，第一导电层20的材料可以为氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)。图9是本发明实施例提供的步骤S120中各步骤中显示面板的剖面结构示意图，参考图9，在形成第一导电层20时，可以在玻璃基板10上形成ITO层，并对ITO层远离玻璃基板10的一侧涂覆第三光刻胶层70；对光刻胶层进行曝光显影，并将经过光照分解的第三光刻胶层70除去，保留未曝光部分的第三光刻胶层70；以保留下的第三光刻胶层70为掩膜版，去除未覆盖第三光刻胶层70的ITO层，使ITO层实现图形化，并在图形化ITO层后去除第三光刻胶层70。形成的第一导电层20位于基板10一侧的非显示区，第一导电层20与显示区的像素电极连接。显示面板中的电源模块可以通过第一导电层20向显示区的像素电极提供电源信号，显示面板中的电源模块可以集成在非显示区的驱动芯片上。

S130、形成第一光刻胶层，第一光刻胶层与第一导电层位于基板的同一侧，并覆盖第一导电层，第一光刻胶层上设置有开口，开口暴露第一导电层的部分。

具体的，图10是本发明实施例提供的步骤S130中各步骤中显示面板的剖面结构图，参考图10，围绕第一导电层20的外侧涂覆光刻胶材料以形成第一光刻胶层30。第一光刻胶层30覆盖第一导电层20的上表面，并覆盖第一导电层20的两侧侧壁。第一光刻胶层30可以保护第一导电层20免受外部湿气和氧等的影响。对第一光刻胶层30进行曝光显影，在第一光刻胶层30上形成开口32，开口32暴露部分的第一导电层20，第一光刻胶层30上的开口32沿第一导电层20的延伸方向设置，开口32的延伸方向即为图形化的第一导电层20的延伸方向。从而使第二导电层40图形化，形成具有引线作用的辅助电极。本发明实施例提供的技术方案通过改变辅助电极图形化的方式，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的可靠性。

S140、形成第二导电层，第二导电层位于第一导电层远离基板的一侧，第二导电层与开口暴露的第一导电层接触。

具体的，图11是本发明实施例提供的步骤S140中显示面板的剖面结构图，参考图11，于第一光刻胶层30的开口32内形成第二导电层40，第二导电层40与开口32暴露的第一导电层20接触。第一光刻胶层30上的开口32沿第一导电层20的延伸方向设置，第二导电层40位于开口32内与开口32暴露的第一导电层20接触，即第二导电层40沿开口32延伸方向设置。开口32延伸方向为图形化后的第一导电层20的延伸方向，从而使第二导电层40图形化，形成具有引线作用的辅助电极。在形成第二导电层40时，可以在使用掩膜板的作用下，采用溅射的方式在开口32内溅射第二导电层40。可选的，第二导电层40可以包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第二导电层40的膜层结构为层叠的钼层、铝层和钼层，其中铝层位于两层钼层之间。其中靠近基板10的钼层起到过渡及增强附着力的作用，铝层起到降低阻值的作用，远离基板10的钼层起到保护的作用。第二导电层40也可以只包括铝层。没有金属掺杂及多余膜层的存在可以有效的降低电阻，进而降低显示面板的功耗。

第一光刻胶层30上设置的开口32延伸方向为图形化后的第一导电层20的延伸方向，由于第二导电层40位于开口32内，从而第二导电层40沿开口32延伸方向设置，因此可以实现第二导电层40的图形化，形成辅助电极。本发明实施例提供的技术方案通过改变辅助电极图形化的方式，保证了第一导电层20和第二导电层40的引线的作用，替代现有技术中的酸刻蚀工序，从而解决了辅助电极发生侧蚀的问题，保证了器件的工作特性可靠性。

S150、形成封装层，封装层位于第二导电层远离基板的一侧。

具体的，图12是本发明实施例提供的步骤S150中显示面板的剖面结构图，参考图12，显示面板还包括封装层50，对于显示面板的显示区，封装层50位于有机发光结构上。显示区的封装层50保护发光层和其它薄层免受外部湿气和氧等的影响。封装层50可以为玻璃盖板。对于显示面板的非显示区，封装层50位于第二导电层40上。非显示区的封装层50保护第二导电层40免受外部湿气和氧等的影响。显示区的封装层50与非显示区的封装层50为同一玻璃盖板。封装层50通过第二光刻胶层60贴合在第二导电层40远离基板10的一侧。其中，第二光刻胶层60与第一光刻胶层30均为正性胶或均为异性胶。

可选的，形成第二导电层40之前，还包括：

于第一光刻胶封装层50远离基板10的一侧形成多个凹槽，多个凹槽呈矩阵排布。

具体的，图13是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图13，对第一光刻胶层30远离基板10的一侧进行曝光显影以及图形化，形成多个呈矩阵排布的凹槽31。通过第二光刻胶层60将封装层50贴合在第二导电层40远离基板10的一侧时，部分的第二光刻胶层60可以流入凹槽31并填充每个凹槽31。固化第二光刻胶层60后，第二光刻胶层60填充在凹槽31内可以提高第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。

可选的，在垂直于第二导电层40延伸的方向上，凹槽31的截面为梯形。梯形包括第一边和第二边，第一边靠近第二导电层40，第二边远离第二导电层40；第一边的长度大于第二边。填充在凹槽31内的第二光刻胶层60固化后，形成的结构为棱台结构。棱台结构的第二光刻胶层60远离基板10一侧的上底面的在基板10上的投影，小于棱台结构的第二光刻胶层60靠近基板10一侧的下底面的在基板10上的投影。凹槽31内棱台结构的第二光刻胶层60可以进一步的提高第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。可选的，沿第二导电层40延伸方向，呈矩阵排布的多个凹槽31连通。每列上的多个凹槽31连通形成一个较大的凹槽31，减少了第一光刻胶层30的材料，降低了成本。另外，形成多列较大的凹槽31，凹槽31的空间增大，便于第二光刻胶层60的填充。在填充第二光刻胶层60时，便于凹槽31内空气的排出，从而使第二光刻胶层60可以填满凹槽31内的空间，提高凹槽31内第二光刻胶的均匀性以及与第一光刻胶的贴合性，进一步的提高第二光刻胶层60的附着力，防止显示面板的开裂。

本发明实施例还提供了一种显示装置，图14是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，包括上述任意实施例所述的显示面板，具有相同的技术效果，这里不再赘述

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述显示面板包括：

基板；

第一导电层，所述第一导电层位于所述基板一侧的所述非显示区，所述第一导电层与所述显示区的像素电极连接；

第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第一导电层位于所述基板的同一侧，并覆盖所述第一导电层，所述第一光刻胶层上设置有开口，所述开口暴露所述第一导电层的部分；

第二导电层，位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二导电层与所述开口暴露的所述第一导电层接触；

封装层，所述封装层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二导电层位于所述开口内；所述第一光刻胶层在远离所述基板方向上的高度大于或等于所述第二导电层在远离所述基板方向上的高度。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括第二光刻胶层，所述第二光刻胶层位于所述封装层靠近所述基板的一侧，所述第二光刻胶层用于将所述封装层贴合在所述第二导电层远离所述基板的一侧。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一光刻胶层远离所述基板的一侧包括多个凹槽，多个所述凹槽呈矩阵排布；所述第二光刻胶层填充所述凹槽。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，沿所述第二导电层延伸方向，呈矩阵排布的多个所述凹槽连通。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述第二导电层延伸的方向上的截面为梯形；所述梯形包括第一边和第二边，所述第一边靠近所述第二导电层，所述第二边远离所述第二导电层；所述第一边的长度大于所述第二边。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层的材料包括氧化铟锡；

所述第二导电层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第一金属层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述基板的一侧；所述第三金属层位于所述第二金属层远离所述基板的一侧；所述第一金属层和所述第三金属层的材料包括钼；所述第二金属层的材料包括铝。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述方法包括：

提供基板；

形成第一导电层，所述第一导电层位于所述基板一侧的所述非显示区，所述第一导电层与所述显示区的像素电极连接；

形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第一导电层位于所述基板的同一侧，并覆盖所述第一导电层，所述第一光刻胶层上设置有开口，所述开口暴露所述第一导电层的部分；

形成第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第二导电层与所述开口暴露的所述第一导电层接触；

形成封装层，所述封装层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成第二导电层之前，还包括：

于所述第一光刻胶封装层远离所述基板的一侧形成多个凹槽，多个所述凹槽呈矩阵排布。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一所述的显示面板。

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