CN107437554A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括：保护层；基板，包括与显示区域相邻的非显示区域；以及子像素，在显示区域中并且包括导电层、导电层上的无机绝缘层、无机绝缘层上的有机绝缘层以及连接至导电层的显示器件。显示装置进一步包括：电源线，包括电连接至子像素的第一电源线和第二电源线；以及绝缘坝，作为非显示区域中的至少一个层。非显示区域包括绝缘坝、电源线、以及不包括有机绝缘层的间隔区域。保护层覆盖电源线的暴露部分。

Description

显示装置
相关申请的引证
通过引证将于2016年5月27日提交的并且题名为“显示装置”的韩国专利申请第10-2016-0065708号的全部内容结合于本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及一种显示装置。
背景技术
已经开发出具有显示器的各种电子产品。实例包括智能电话、膝上型电脑、数码相机、可携式摄像机、便携式信息终端、或平板个人电脑、桌上型电脑、电视机、室外广告板以及平视显示器。最近，已经开发出轻薄、柔性显示器。一个实例是在一个方向上弯曲或折曲的有机发光显示器。
发明内容
根据一个或多个实施方式，一种显示装置包括：保护层；基板，包括与显示区域相邻的非显示区域；子像素，在显示区域中并且包括导电层、导电层上的无机绝缘层、无机绝缘层上的有机绝缘层以及连接至导电层的显示器件；电源线，包括电连接至子像素的第一电源线和第二电源线；以及绝缘坝，作为非显示区域中的至少一个层，其中，非显示区域包括绝缘坝、电源线和间隔区域，该间隔区域不包括有机绝缘层，并且其中，保护层覆盖电源线的暴露部分。
间隔区域可以对应于有机绝缘层的区域与绝缘坝的区域之间的开口区域，并且电源线的暴露部分可以在间隔区域中暴露。保护层可以覆盖电源线的延伸至间隔区域的暴露部分。
不同的电压可以施加至第一电源线和第二电源线，第一电源线的边缘部分和第二电源线的边缘部分可以在间隔区域中暴露，并且保护层可以选择性地覆盖第一电源线的暴露的边缘部分和第二电源线的暴露的边缘部分。
保护层可以从第一电源线的暴露的边缘部分和第二电源线的暴露的边缘部分的每个中延伸出并且覆盖在相对于基板的一个方向上布置的第一电源线、第二电源线、有机绝缘层以及绝缘坝的全部。
电源线可以与导电层在相同的层上，并且保护层可以与覆盖导电层的无机绝缘层在相同的层上。导电层可以包括第一导电层和第一导电层之上的第二导电层，有机绝缘层可以包括第一导电层与第二导电层之间的第一有机绝缘层和第二导电层上的第二有机绝缘层，并且无机绝缘层可以介于第一导电层和第一有机绝缘层之间，在间隔区域中的电源线可以与第一导电层在相同的层上，并且保护层可以与覆盖第一导电层的无机绝缘层在相同的层上。
电源线可具有单个导电层结构，该结构包括与第一导电层在相同的层上的至少一个导电部分。电源线可以包括：第一导电部分，包括钛(Ti)；第二导电部分，在第一导电部分上并且包括铝(Al)；以及第三导电部分，在第二导电部分上并且包括钛(Ti)。
保护层可以具有与覆盖第一导电层的无机绝缘层在相同的层上的单层结构。绝缘坝可以包括彼此间隔开的多个坝。
绝缘坝可以与多个有机绝缘层在相同的层上，所述多个有机绝缘层包括与覆盖第一导电层的第一有机绝缘层对应的第一平坦化层、与覆盖第二导电层的第二有机绝缘层对应的第二平坦化层、与限定子像素的第三有机绝缘层对应的像素限定层、以及与沿着子像素而放置的第四有机绝缘层对应的间隔件中的一个或多个，并且多个有机绝缘层可以在相对于基板的垂直方向上堆叠。坝可具有朝着基板的边缘增加的高度。
第一导电层可以在基板之上，无机绝缘层可以在第一导电层上并且包括暴露第一导电层的部分的开口，第一有机绝缘层可以在无机绝缘层上并且可以包括暴露第一导电层的部分的开口，第二导电层可以在第一有机绝缘层上，并且第二有机绝缘层可以在第二导电层上并且包括开口，第二导电层穿过该开口电连接至显示器件。
显示装置可以包括位于基板之上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：包括源极区、漏极区以及连接源极区至漏极区的沟道区的活性层；以及栅电极，在活性层之上并且与活性层绝缘，其中，第一导电层电连接至源极区和漏极区中的一个。
显示装置在基板之上可包括：像素电极，连接至第二导电层；中间层，在像素电极上并且包括发射层；以及相对电极，在中间层上。第一电源线可以包括对应于显示区域的第一主线和在第一方向上从第一主线延伸出的第一连接线，并且第二电源线可以包括围绕第一主线的不同端部和显示区域的其他区域的第二主线和在第一方向上从第二主线延伸出的第二连接线。
根据一个或多个其他实施方式，一种显示装置包括：显示区域；非显示区域；第一坝，在非显示区域中；电源线，用于显示区域；以及保护层，在非显示区域中，保护层覆盖电源线在非显示区域中未被第一坝覆盖的部分。第一坝可具有足以阻挡封装显示区域DA的材料流动至非显示区域的侧端部的高度。显示装置可以包括非显示区域中的第二坝，其中，保护层覆盖在第一坝和第二坝之间的区域中的电源线。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，对于本领域技术人员而言特征将变得显而易见，其中：
图1示出显示装置的子像素的实施方式；
图2示出子像素的布局实施方式；
图3示出沿着图2中的截面线III-III'的子像素的示图；
图4示出沿着图2中的截面线IV-IV'的子像素的示图；
图5示出包括有机绝缘层、电源线和绝缘坝的实施方式；
图6示出包括有机绝缘层、电源线、绝缘坝和保护层的实施方式；
图7示出沿着图5中的截面线VII-VII'的示图；
图8示出包括有机绝缘层、电源线、绝缘坝和保护层的另一个实施方式；以及
图9示出沿着图5中的截面线IX-IX'的示图。
具体实施方式
现在将参考附图描述示例性实施方式；然而，它们可以以不同的形式体现并且不应当被解释为限于本文中的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开内容将是详尽和完整的，并且将示例性实现方式充分传达给本领域技术人员。实施方式(或其部分)可以结合以形成另外的实施方式。
在附图中，为了图示的清楚，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，在层或元件被称为在另一层或基板上时，该层或元件可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，在层被称为在在另一层之下时，其可直接在另一层之下，或者也可存在一个或多个中间层。另外，还将理解的是，在层被称为在两个层之间时，该层可以是两个层之间的唯一的层，或者还可存在一个或多个中间层。相同的参考数字通篇指代相同的元件。
在元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可以直接地连接或耦接至另一元件，或者间接地连接或耦接至另一个元件，使一个或多个中间元件插入在其间。此外，在元件被称为“包括”组件时，除非存在不同的公开内容，否则这表示该元件可以进一步包括另一组件，而不是把另一组件排除在外。
一些实施方式可以对应于在一个子像素中具有7Tr-1Cap结构(例如，7个薄膜晶体管(TFT)和1个电容器)的有源矩阵(AM)型有机发光显示装置。其他实施方式可具有不同的结构。例如，有机发光显示装置的实施方式可在一个子像素中包括多个TFT和一个或多个电容器，并且可具有其中可以进一步形成单独的电线，可以省去电线等的各种结构中的一种。有机发光显示装置可以包括分别是用于显示图像的最小单元的多个子像素。每个像素可以包括多个子像素。
图1示出作为显示装置中的子像素的代表的子像素的实施方式。例如，显示装置可以是有机发光显示装置。
参照图1，子像素包括多条信号线、连接至信号线的多个TFT、存储电容器Cst以及有机发光器件OLED。信号线可以在多个子像素之间共用。
TFT包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、驱动控制TFT T5、发射控制TFT T6以及旁通TFT T7。
信号线包括：扫描线121，用来提供扫描信号Sn；前一扫描线122，用来将前一扫描信号Sn-1传送至初始化TFT T4和旁通TFT T7；发射控制线123，用来将发射控制信号En传送至驱动控制TFT T5和发射控制TFT T6；数据线176，与扫描线121交叉以用来传送数据信号Dm；第一电源线177和178，与数据线176基本平行并且传送驱动电压ELVDD；以及初始化电压线124，用来传送初始化电压Vint以初始化驱动TFT T1。第一电源线177和178可以是在不同层上的下部电源线177和上部电源线178。下部电源线177可以电连接至上部电源线178。
驱动TFT T1包括：栅电极G1，连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板125a；源电极S1，经由驱动控制TFT T5连接至第一电源线177和178；以及漏电极D1，经由发射控制TFT T6电连接至有机发光器件OLED的像素电极。驱动TFT T1可以根据由开关TFT T2进行的开关操作来接收数据信号Dm，以便将发射电流IOLED供应至有机发光器件OLED。
开关TFT T2包括：栅电极G2，连接至扫描线121；源电极S2，连接至数据线176；漏电极D2，连接至驱动TFT T1的源电极S1并且经由驱动控制TFT T5连接至第一电源线177和178。开关TFT T2可以根据来自扫描线121的扫描信号Sn而导通并且可以执行开关操作以通过数据线176将数据信号Dm传送至驱动TFT T1的源电极S1。
补偿TFT T3包括：栅电极G3，连接至扫描线121；源电极S3，连接至驱动TFT T1的漏电极D1并且因此经由发射控制TFT T6连接至有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)；以及漏电极D3，连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板125a、初始化TFT T4的漏电极D4和驱动TFT T1的栅电极G1。补偿TFT T3可以根据来自扫描线121的扫描信号Sn导通并且可以通过将驱动TFT T1的栅电极G1电连接至漏电极D1来二极管般连接驱动TFT T1。
初始化TFT T4包括：栅电极G4，连接至前一扫描线122；源电极S4，连接至旁通TFTT7的漏电极D7和初始化电压线124；以及漏电极D4，连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板125a、补偿TFT T3的漏电极D3和驱动TFT T1的栅电极G1。初始化TFT T4可以根据来自前一扫描线122的前一扫描信号Sn-1导通并且可以将初始化电压Vint传送至驱动TFTT1的栅电极G1以便执行初始化操作，从而初始化驱动TFT T1的栅电极G1的电压。
驱动控制TFT T5包括：栅电极G5，连接至发射控制线123；源电极S5，连接至第一电源线177和178；以及漏电极D5，连接至驱动TFT T1的源电极S1和开关TFT T2的漏电极D2。
发射控制TFT T6包括：栅电极G6，连接至发射控制线123；源电极S6，连接至驱动TFT T1的漏电极D1和补偿TFT T3的源电极S3；以及漏电极D6，电连接至旁通TFT T7的源电极S7和有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)。驱动控制TFT T5和发射控制TFTT6根据来自发射控制线123的发射控制信号En同时导通以允许发射电流IOLED基于到有机发光器件OLED的驱动电压ELVDD而流向有机发光器件OLED。
旁通TFT T7包括：栅电极G7，连接至前一扫描线122；源电极S7，连接至发射控制TFT T6的漏电极D6和有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)；以及漏电极D7，连接至初始化电压线124。旁通TFT T7可以通过前一扫描线122将前一扫描信号Sn-1传送至栅电极G7。前一扫描信号Sn-1指示具有截止旁通TFT T7的预定电平的电压。在旁通TFT T7截止时，一部分驱动电流Id会作为旁通电流Ibp流经旁通TFT T7。
参照图1，例如，初始化TFT T4和旁通TFT T7可以连接至前一扫描线122。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2可以连接至第一电源线177和178。有机发光器件OLED的相对电极193(例如，参考图4)可以连接至共用电压ELVSS。因此，有机发光器件OLED可以基于从驱动TFT T1接收的发射电流IOLED发射光并且因此可以显示图像。补偿TFT T3和初始化TFT T4可以具有例如双栅电极。
图2示出在图1中的子像素的布局实施方式。多个半导体层和多个导电层可以被放入一个子像素中，绝缘层可以分别插入在不同层上的器件之间，并且接触孔可以形成在一些绝缘层中，使得在不同层上的导电层可以电连接至彼此。
有机发光显示装置的子像素包括沿着行方向布置并且分别将扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发射控制信号En和初始化电压Vint提供至子像素的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124。
有机发光显示装置的子像素可以包括数据线176以及第一电源线170，第一电源线170包括与扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124交叉的下部电源线177和上部电源线178，并且数据线176以及第一电源线170分别将数据信号Dm和驱动电压ELVDD施加至子像素。
子像素可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、驱动控制TFT T5、发射控制TFT T6、旁通TFT T7、存储电容器Cst以及有机发光器件OLED(例如，参考图4)。
驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、驱动控制TFT T5、发射控制TFT T6以及旁通TFT T7形成有具有弯曲形状的活性层。活性层可以包括：与驱动TFT T1对应的驱动活性层、与开关TFT T2对应的开关活性层、与补偿TFT T3对应的补偿活性层、与初始化TFT T4对应的初始化活性层、与驱动控制TFT T5对应的操作控制活性层ACTe(例如，参考图4)、与发射控制TFT T6对应的发射控制活性层ACTf(例如，参考图3)以及与旁通TFT T7对应的旁通活性层。
例如，活性层可以包括多晶硅。另外，活性层可以包括沟道区以及源极区和漏极区。沟道区不掺杂有杂质并且因此具有半导体特性。源极区和漏极区在沟道区的不同侧上并且掺杂有杂质并且因此具有导电性。使用的杂质(例如，N型或P型杂质)可以根据TFT的类型而改变。
掺杂源极区或掺杂漏极区可以对应于TFT的源电极或漏电极。例如，驱动源电极可以对应于在驱动活性层的驱动沟道区131a的外围中的掺杂有杂质的驱动源极区133a。驱动漏电极可以对应于在驱动沟道区131a的外围中的掺杂有杂质的驱动漏极区135a。TFT之间的活性层的部分可以是掺杂有杂质的配线并且因此用来电连接TFT。
存储电容器Cst可以在子像素中。存储电容器Cst可以包括第一存储电容器板125a和第二存储电容器板127，使第二绝缘层142(例如，参考图3)介于它们之间。第一存储电容器板125a还可以起到驱动栅电极125a的作用。例如，驱动栅电极125a和第一存储电容器板125a可以是一个主体。
第一存储电容器板125a可具有与相邻的子像素间隔开的岛形式。第一存储电容器板125a可以与扫描线121、前一扫描线122和发射控制线123包括相同的材料层。
第二存储电容器板127可以在相邻的子像素上延伸并且与初始化电压线124和/或屏蔽层126包括相同的材料层。存储开口127h可以形成在第二存储电容器板127中。第一存储电容器板125a和补偿TFT T3的漏极区135c可以经由存储开口127h使用连接构件174电连接至彼此。第二存储电容器板127可以经由层间绝缘层160中的接触孔168连接至下部电源线177。
驱动TFT T1包括驱动活性层和驱动栅电极125a。驱动活性层包括驱动源极区133a、驱动漏极区135a、以及连接驱动源极区133a和驱动漏极区135a的驱动沟道区131a。驱动栅电极125a还可以起到第一存储电容器板125a的作用。驱动活性层的驱动沟道区131a可以与驱动栅电极125a平面地重叠。驱动源极区133a和驱动漏极区135a可以放置在相对于驱动沟道区131a的不同的方向上。驱动TFT T1的驱动源极区133a可以连接至开关漏极区135b和操作控制漏极区135e。驱动漏极区135a可以连接至补偿源极区133c和发射控制源极区133f。
开关TFT T2包括开关活性层和开关栅电极125b。开关活性层包括开关沟道区131b、开关源极区133b和开关漏极区135b。开关源极区133b可以经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔164电连接至数据线176。开关TFTT2可以用作开关器件以选择发射目标子像素。开关栅电极125b可以连接至扫描线121，开关源极区133b可以连接至数据线176，并且开关漏极区135b可以连接至驱动TFT T1和驱动控制TFT T5。
补偿TFT T3包括补偿活性层以及补偿栅电极125c1和125c2。补偿活性层包括补偿沟道区131c1、131c2和131c3、补偿源极区133c以及补偿漏极区135c。补偿栅电极125c1和125c2是包括第一补偿电极125c1和第二补偿电极125c2的双栅电极，并且可以起到防止或减少漏电流的作用。
补偿TFT T3的补偿漏极区135c可以经由连接构件174连接至第一存储电容器板125a。补偿沟道区131c1、131c2和131c3可以包括对应于第一补偿电极125c1的部分131c1、对应于第二补偿电极125c2的部分131c3、以及部分131c1与131c3之间的部分131c2。
屏蔽层126可以由与初始化电压线124和第二存储电容器板127相同的材料层形成，可以放置在部分131c2上，并且可以经由层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔169连接至下部电源线177。两个部分131c1与131c3之间的部分131c2掺杂有杂质并且然后具有导电性。因此，如果不布置屏蔽层126，则邻近于部分131c2的数据线176会形成寄生电容器。因为数据线176根据将在子像素中实现的分辨率来施加具有不同强度的数据信号，所以寄生电容的量可以相应地改变。因为补偿TFT T3电连接至驱动TFT T1，所以在补偿TFT T3中的寄生电容的量改变时，驱动电流Id和发射电流IOLED改变，所以从子像素发射的光的分辨率会改变。
然而，如果连接至下部电源线177并且因此恒定电压被施加至其的屏蔽层126布置在部分131c1与131c3之间的部分131c2上，则部分131c2和屏蔽层126可以形成具有基本恒定量的电容的寄生电容器。寄生电容的量会显著大于由部分131c2与数据线176形成的寄生电容。因此，与由部分131c2与屏蔽层126形成的寄生电容的量相比，由于施加至数据线176的数据信号的改变而导致的寄生电容的量变化会非常小，并且，在一些情况下，可以处于可忽略的水平。因此，可以防止由寄生电容的量变化所引起的从子像素发射的光的分辨率的变化。
连接构件174可以与数据线176和下部电源线177包括相同的材料层。连接构件174可具有经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔166连接至补偿漏极区135c和初始化漏极区135d的第一端部，以及经由第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔167连接至第一存储电容器板125a的第二端部。连接构件174的第二端部可以经由第二存储电容器板127中的存储开口127h连接至第一存储电容器板125a。
初始化TFT T4包括初始化活性层ACTd以及初始化栅电极125d1和125d2。初始化活性层ACTd包括初始化沟道区131d1、131d2和131d3、初始化源极区133d以及初始化漏极区135d。初始化栅电极125d1和125d2是包括第一初始化栅电极125d1和第二初始化栅电极125d2的双栅电极，起到防止或减少漏电流的作用。初始化沟道区131d1、131d2和131d3包括对应于第一初始化栅电极125d1的区域131d1、对应于第二初始化栅电极125d2的区域131d2以及它们之间的区域131d3。
初始化源极区133d经由初始化连接线173连接至初始化电压线124。初始化连接线173具有经由第二绝缘层142和层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔161连接至初始化电压线124的第一端部，以及经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔162连接至初始化源极区133d的初始化连接线173的第二端部。
驱动控制器TFT T5包括操作控制活性层ACTe(例如，参考图4)和操作控制栅电极125e。操作控制活性层ACTe包括操作控制沟道区131e、操作控制源极区133e和操作控制漏极区135e。操作控制源极区133e可以经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔165电连接至下部电源线177。
发射控制TFT T6包括发射控制活性层ACTf和发射控制栅电极125f。发射控制活性层ACTf包括发射控制沟道区131f、发射控制源极区133f和发射控制漏极区135f。第一导电层175可以在发射控制TFT T6之上并且经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160(例如，参考图3)中的接触孔163连接至发射控制活性层ACTf的发射控制漏极区135f。第一导电层175可以由与数据线176和下部电源线177相同的材料层形成。第一导电层175可以电连接至第二导电层179，并且因此可以电连接至有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)。
旁通TFT T7包括旁通活性层和旁通栅电极125g。旁通活性层包括旁通源极区133g、旁通漏极区135g和旁通沟道区131g。旁通漏极区135g连接至初始化TFT T4的初始化源极区133d，使得旁通漏极区135g可以经由初始化连接线173连接至初始化电压线124。旁通源极区133g可以电连接至有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)。
第二导电层179可以在第一导电层175之上并且可以经由第一有机绝缘层171(例如，参考图3)中的接触孔183电连接至第一导电层175。有机发光器件OLED的像素电极191(例如，参考图4)可以在第二导电层179之上并且可以经由第二导电层179与像素电极191之间的第二有机绝缘层181(例如，参考图3)中的接触孔185连接至第二导电层179。例如，第一导电层175和第二导电层179可以是用于连接发射控制活性层ACTf(例如，参考图3)的发射控制漏极区135f与像素电极191(例如，参考图4)的中间连接层。第二导电层179可以由与上部电源线178相同的材料层形成。
上部电源线178可以经由第二有机绝缘层181(例如，参考图4)中的接触孔187连接至下部电源线177。第一电源线170可以包括电连接至上部电源线178的下部电源线177。因为这种配置，子像素中的第一电源线170的区域可被减少或最小化。结果，第一电源线170的电阻可以降低。减少第一电源线170的电压降可以导致提高图像质量。
图3是沿图2的线III-III'截取的子像素的截面图，并且图4是沿图2的线IV-IV'截取的子像素的截面图，
参照图3和图4，有机发光显示装置包括多个子像素。每个子像素包括：在基板110之上的第一导电层175；无机绝缘层172，在第一导电层175上并且包括暴露第一导电层175的部分的开口172h3；第一有机绝缘层171，在无机绝缘层172上并且包括暴露第一导电层175的该部分的开口171h1；第二导电层179，在第一有机绝缘层171上以接触经由开口171h1暴露的第一导电层175的该部分；以及第二有机绝缘层181，在第二导电层179上并且包括用作其中第二导电层179与有机发光器件OLED电连接至彼此的通道的开口181h5。
基板110可以包括诸如玻璃材料、金属材料、塑料材料等的各种材料中的至少一种。根据本实施方式，基板110可以是柔性基板。
基板110可以包括用于显示图像的显示区域DA和在显示区域DA的外围处的非显示区域NDA(例如，参考图5)。多个子像素布置在显示区域DA中。图2示出布置在基板110的显示区域DA中的一个子像素。多个TFT T1、TFT T2、TFT T3、TFT T4、TFT T5、TFT T6和TFT T7(参考图2)以及连接至多个TFT T1、TFT T2、TFT T3、TFT T4、TFT T5、TFT T6和TFT T7中的至少一个的有机发光器件OLED可以在基板110之上。
现在将描述第一导电层175、与第一导电层175在相同的层上的下部电源线177、第二导电层179以及与第二导电层179在相同的层上的上部电源线178的布局。
驱动控制TFT T5和发射控制TFT T6在基板110之上。子像素中的其他TFT在图3和图4中没有示出。因此，现在将参考驱动控制TFT T5和发射控制TFT T6描述图2的子像素的截面结构。
驱动控制TFT T5可以包括操作控制活性层ACTe和操作控制栅电极125e。发射控制TFT T6可以包括发射控制活性层ACTf和发射控制栅电极125f。相应的活性层ACTe和ACTf可以包括非晶硅、多晶硅、或有机半导体材料。相应的活性层ACTe和ACTf可以包括相应的源极区133e和133f、相应的漏极区135e和135f、以及用于连接源极区和漏极区的相应的沟道区131e和131f。相应的栅电极125e和125f在相应的活性层ACTe和ACTf之上。基于施加至相应的栅电极125e和125f的信号，相应的源极区133e和133f可以与相应的漏极区135e和135f电连接。例如，栅电极125e和125f中的每一个在考虑相对于相邻层的粘附、堆叠目标层的表面的平坦化、成形性等的情况下，可以形成为单层或多堆叠层。
为了将相应的活性层ACTe和ACTf与相应的栅电极125e和125f绝缘，包括无机材料的第一绝缘层141可以介于活性层ACTe和ACTf与栅电极125e和125f之间。包括无机材料的第二绝缘层142可以在栅电极125e和125f上。层间绝缘层160可以在第二绝缘层142上。层间绝缘层160可以包括无机材料。
包括无机材料的缓冲层111可以介于TFT T5和TFT T6与基板110之间。缓冲层111可以提高基板110的表面的平坦化或者可以防止杂质从基板110迁移至活性层ACTe和ACTf中。
第一导电层175和下部电源线177可以在层间绝缘层160上，并且例如在考虑导电性等的情况下，可以形成为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多堆叠层。
在本实施方式中，第一导电层175和下部电源线177中的每个可具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆叠结构。第一导电层175可以经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔163电连接至发射控制活性层ACTf的发射控制漏极区135f并且邻近于发射控制TFT T6。下部电源线177可以经由第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔165电连接至操作控制活性层ACTe的操作控制源极区133e并且邻近于驱动控制TFT T5。
无机绝缘层172可以在层间绝缘层160之上以覆盖第一导电层175和下部电源线177。第一有机绝缘层171可以在无机绝缘层172上。无机绝缘层172和第一有机绝缘层171可以从第一导电层175的顶表面连续延伸至下部电源线177的顶表面。
无机绝缘层172可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。无机绝缘层172可以覆盖第一导电层175和下部电源线177，使得无机绝缘层172可以防止第一导电层175和下部电源线177的金属材料被氧化。
第一有机绝缘层171可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机材料，并且可以通过溶解由于第一导电层175和下部电源线177而导致的台阶来使基板110的表面平坦化。根据本实施方式，第一有机绝缘层171可以是第一平坦化层。
第二导电层179和上部电源线178可以在第一有机绝缘层171上，并且在考虑导电性等的情况下，可以形成为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多堆叠层。
第二导电层179可具有堆叠结构，该堆叠结构包括：第一导电部分179a，包括钛(Ti)；第二导电部分179b，在第一导电部分179a上并且包括铝(Al)；以及第三导电部分179c，在第二导电部分179b上并且包括钛(Ti)。在这点上，第一导电层175可与第二导电层179具有相同的结构。在一个实施方式中，第一导电层175和第二导电层179中的每个可以包括各种金属材料中的至少一种或者可以形成为各种金属材料的组合。
无机绝缘层172可以包括暴露第一导电层175的部分的开口172h3。第一有机绝缘层171可以包括暴露第一导电层175的经由开口172h3暴露的该部分的开口171h1。第二导电层179可以经由开口171h1和开口172h3电连接至第一导电层175。开口171h1和开口172h3可以是连接第一导电层175与第二导电层179的接触孔183。
无机绝缘层172可以进一步包括暴露下部电源线177的部分的开口172h7。第一有机绝缘层171可以进一步包括暴露下部电源线177的经由开口172h7暴露的该部分的开口171h6。上部电源线178可以经由开口171h6和172h7与下部电源线177电连接。例如，因为第一电源线170被配置为包括在不同层上的下部电源线177和上部电源线178，所以第一电源线170可以占据减少的或最小的区域，并且可以减少或最小化第一电源线170的电阻。开口171h6和172h7可以是连接下部电源线177与上部电源线178的接触孔187。
上部电源线178可以包括向第二存储电容器板127(例如，参考图2)的区域突出的区域178a，该区域与区域178a平面地重叠，并且上部电源线178可以经由第一有机绝缘层171和无机绝缘层172中的接触孔187电连接至下部电源线177。
因为下部电源线177经由层间绝缘层160中的接触孔168(例如，参考图2)电连接至第二存储电容器板127，所以上部电源线178可以电连接至第二存储电容器板127。例如，上部电源线178的突出区域178a和第二存储电容器板127可以起到一个电容器板的作用。
这样的配置可以与起到第一存储电容器板125a(例如，参考图2)的作用的驱动栅电极125a交互操作，从而提供存储电容器Cst的稳定电容。存储电容器Cst可以与在子像素中占据较大区域的驱动TFT T1平面地重叠。通过这样做，存储电容器Cst可以在子像素中占据减少的或最小的区域并且可具有高电容。
第二导电层179可以在第一有机绝缘层171上。第二有机绝缘层181可以在第二导电层179上。在这点上，第二有机绝缘层181可以包括开口181h5，并且第二导电层179可以经由开口181h5电连接至有机发光器件OLED。第二有机绝缘层181可以包括诸如丙烯酰基(压克力)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机材料。
有机发光器件OLED包括：像素电极191；中间层192，在像素电极191上并且包括发射层；以及相对电极193，在中间层192上。有机发光器件OLED可以在第二有机绝缘层181上。像素电极191可以经由第一导电层175和第二导电层179电连接至发射控制活性层ACTf的发射控制漏极区135f。根据本实施方式，第一有机绝缘层171可以是第二平坦化层。
像素电极191可以是半透明电极(translucent electrode)或反射电极。当像素电极191是半透明电极时，像素电极191可以包括透明导电层。包括暴露像素电极191的至少一部分的开口并且限定像素区域的像素限定层可以在像素电极191上。间隔件可以沿着子像素位于像素限定层上。间隔件可以牢固地设定基板110和封装层的组合。
中间层192中的发射层可以包括小分子有机材料或聚合物有机材料。中间层192还可以包括功能层，诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
在另一个实施方式中，中间层192可具有不同的结构。中间层192可以包括作为分别在子像素中的像素电极191上方延伸的一个主体的层或者可以包括被图案化成对应于像素电极191中的每一个的层。
相对电极193可以布置为在子像素上方延伸的并且对应于像素电极191的一个主体。相对电极193可以是半透明电极或反射电极。
封装有机发光器件OLED的封装层可以在相对电极193上。例如，封装层可以是包括无机层和有机层的薄膜封装层。
图5示出包括图1的显示装置中的有机绝缘层530、电源线170和180、以及绝缘坝510和520的实施方式。图6是包括有机绝缘层530、电源线170和180、绝缘坝510和520、以及保护层572的实施方式的放大平面图。图7是沿图5中的线VII-VII'截取的显示装置的截面图。
参照图5、图6和图7，基板110可以包括用于显示图像的显示区域DA和在显示区域DA的外围处的非显示区域NDA。多个子像素在显示区域DA中。
电源线170和180可以在基板110之上。电源线170和180可以是第一电源线170和第二电源线180。不同的电压可以施加至第一电源线170和第二电源线180。在本实施方式中，第一电源线170可以是第一电源电压线ELVDD。第二电源线180可以是第二电源电压线ELVSS。第二电源线180可以电连接至相对电极193(例如，参考图4)。
第一电源线170可以包括布置为与显示区域DA的边相对应的第一主线170a和第一连接线170b。如果显示区域DA是矩形的，则第一主线170a可以对应于显示区域DA的一个边。第一主线170a可以与显示区域DA的一个边平行。对应于第一主线170a的显示区域DA的边可以邻近于焊盘单元。
第一连接线170b可以在第一方向上从第一主线170a延伸出。第一方向从显示区域DA朝向焊盘单元。第一连接线170b可以电连接至焊盘单元。第一电源线170的侧端部的部分170e可以被暴露。
第二电源线180可以包括围绕第一主线170a的不同端部和显示区域DA的其他区域的第二主线180a、以及在第一方向上从第二主线180a延伸出的第二连接线180b。第二连接线180b可以电连接至焊盘单元。第二电源线180的侧端部的部分180e可以被暴露。第一连接线170b和第二连接线180b可以在第二方向上彼此间隔开。间隙可以存在于第一连接线170b和第二连接线180b之间。
电源线170和180可以与图2的子像素中的第一导电层175或第二导电层179中的一个放置在相同的层上。在本实施方式中，电源线170和180可以与第一导电层175在相同的层上。电源线170和180可以与第一导电层175包括相同的材料。例如，电源线170和180中的每个可具有堆叠结构，该堆叠结构包括：包括钛(Ti)的第一导电部分、包括铝(Al)的第二导电部分和包括钛(Ti)的第三导电部分。
例如，绝缘坝510和520可以在显示区域DA的外部区域中的至少一个层上。绝缘坝510和520可以围绕显示区域DA。绝缘坝510和520可以阻挡用于封装显示区域DA的有机材料朝着基板110的侧端部流动。因此，绝缘坝510和520可以防止产生有机材料的边末端(edgetail)。
没有有机绝缘层530的间隔区域SA1、SA2和SA3可以布置在非显示区域600中，在非显示区域600中放置电源线170和180以及绝缘坝510和520。例如，有机绝缘层530可以在显示区域DA上。有机绝缘层530可以覆盖子像素中的多个器件。有机绝缘层530可以在显示区域DA的边缘上延伸。在本实施方式中，有机绝缘层530可以覆盖第二主线180a的边缘。
间隔区域SA1、SA2和SA3可以对应于在其中放置有机绝缘层530以及绝缘坝510和520的区域之间的间隙，并且可以布置在从中已经移去有机绝缘层530的开口区域中。间隔区域SA1、SA2和SA3可以被布置为允许有机绝缘层530与绝缘坝510和520间隔开。
在本实施方式中，有机绝缘层530包括第一层531和第一层531上的第二层532。第一层531可以与第二有机绝缘层181(例如，参考图3)放置在相同的层上。第二层532可以与用于限定像素区的像素限定层在相同的层上。在一个实施方式中，有机绝缘层530可以包括显示区域DA中的多个有机绝缘层。显示区域DA中的有机绝缘层中的每个可具有单层结构或多层结构。
绝缘坝510和520可以是彼此间隔开的第一绝缘坝510和第二绝缘坝520。第一绝缘坝510可以在第二电源线180的第二主线180a之上。第二绝缘坝520可以覆盖第二主线180a的另一边缘。在另一个实施方式中，第一绝缘坝510和第二绝缘坝520的位置可以不同。
第一绝缘坝510包括第一坝部分511和第一坝部分511上的第二坝部分512。第一坝部分511可以与第二有机绝缘层181(例如，参考图3)在相同的层上。第二坝部分512可以与对应于每个子像素的有机绝缘层(例如，图7的第二层532)在相同的层上。第二坝部分512可以进一步包括沿着每个子像素的间隔件。第一坝部分511可以是第二平坦化层以覆盖第二导电层179(例如，参考图3)。第二坝部分512可以是用于一个或多个对应的子像素的像素限定层。第一坝部分511和第二坝部分512可以相对于基板110在垂直方向上堆叠。
第二绝缘坝520包括第一坝部分521、第一坝部分521上的第二坝部分522以及第二坝部分522上的第三坝部分523。第一坝部分521可以与第一有机绝缘层171(例如，参考图3)在相同的层上。第二坝部分522可以与第二有机绝缘层181(例如，参考图3)在相同的层上。第三坝部分523可以与对应于每个子像素的有机绝缘层(例如，图7的第二层532)在相同的层上。
第三坝部分523可以进一步包括沿着每个子像素的间隔件。第一坝部分521可以是用于覆盖第一导电层175(例如，参考图3)的第一平坦化层。第二坝部分522可以是用于覆盖第二导电层179(例如，参考图3)的第二平坦化层。第三坝部分523可以是用于限定每个子像素的像素限定层。第一坝部分521、第二坝部分522和第三坝部分523可以相对于基板110在垂直方向上堆叠。在一个实施方式中，绝缘坝510和520中的每个可以包括至少一个有机绝缘层。
第一绝缘坝510和第二绝缘坝520可以相对于基板110在垂直方向上彼此间隔开。绝缘坝510和520的高度可以朝着基板110的侧面增加。例如，第二绝缘坝520的高度可以高于第一绝缘坝510的高度。
在非显示区域600中，第一间隔区域SA1可以在有机绝缘层530和第一绝缘坝510之间。第二间隔区域SA2可以在第一绝缘坝510和第二绝缘坝520之间。第三间隔区域SA3可以是第二绝缘坝520的外部区域。
第一电源线170的至少一部分和第二电源线180的至少一部分可以在间隔区域SA1、SA2和SA3中暴露在外部。第一电源线170和第二电源线180中的每个可具有堆叠结构，该堆叠结构包括：包括钛(Ti)的第一导电部分、包括铝(Al)的第二导电部分和包括钛(Ti)的第三导电部分。在制造工序过程中，由于铝(Al)与钛(Ti)的蚀刻比率之间的差异，台阶覆盖缺陷会出现在第一电源线170和第二电源线180的暴露部分处。
因此，保护层572可以布置在间隔区域SA1、SA2和SA3中暴露的第一电源线170和第二电源线180的部分上。保护层572可以覆盖第一电源线170和第二电源线180的延伸至第一间隔区域SA1、第二间隔区域SA2和第三间隔区域SA3的暴露部分。例如，第一电源线170的边缘部分170e和第二电源线180的边缘部分180e可以在第一间隔区域SA1、第二间隔区域SA2和第三间隔区域SA3中暴露。保护层572可以覆盖第一电源线170的暴露的边缘部分170e和第二电源线180的暴露的边缘部分180e。
参照图6，在非显示区域600中，保护层572可以从第一电源线170的暴露的边缘部分170e和第二电源线180的暴露的边缘部分180e中的每个延伸出。保护层572可以覆盖在相对于基板110的第二方向上布置的所有的第一电源线170、第二电源线180、有机绝缘层530以及绝缘坝510和520。
非显示区域600中的第一电源线170和第二电源线180可以与子像素中的第一导电层175和第二导电层179中的一个在相同的层上。在本实施方式中，第一电源线170和第二电源线180可以与第一导电层175在相同的层上。
非显示区域600中的第一电源线170和第二电源线180中的每个可具有单个导电层结构，该导电层结构包括与第一导电层175在相同的层上的至少一个导电部分。例如，子像素中的第一电源线170具有双层结构，该双层结构包括与第一导电层175在相同的层上的下部电源线177和与第二导电层179在相同的层上的上部电源线178。然而，非显示区域600中的第一电源线170和第二电源线180可以与下部电源线177在相同的层上并且可以包括相同的材料。
保护层572可以与用于覆盖第一导电层175的无机绝缘层172在相同的层上。保护层572可以具有与用于覆盖第一导电层175的无机绝缘层172在相同的层上的单层结构。保护层572可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料，并且可以覆盖第一电源线170和第二电源线180。因此，保护层572可以防止第一电源线170和第二电源线180的金属材料被氧化。
图8是包括有机绝缘层530、电源线170和180、绝缘坝510和520、以及保护层872的实施方式的放大平面图。图9是沿着线IX-IX'截取的图8的显示装置的截面图。
参照图8和图9，电源线170和180可以在基板110之上。电源线170和180可以是第一电源线170和第二电源线180。电源线170和180可以与图2的子像素中的第一导电层175和第二导电层179中的一个在相同的层上。在本实施方式中，电源线170和180可以与第一导电层175在相同的层上。
第一电源线170可具有堆叠结构，该堆叠结构包括：包括钛(Ti)的第一导电部分171a、包括铝(Al)的第二导电部分171b和包括钛(Ti)的第三导电部分171c。第二电源线180可具有堆叠结构，该堆叠结构包括：包括钛(Ti)的第一导电部分181a、包括铝(Al)的第二导电部分181b和包括钛(Ti)的第三导电部分181c。
绝缘坝510和520可以被放置为显示区域DA的外部区域中的至少一个层。绝缘坝510和520是在相对于基板110在第二方向上彼此间隔开的第一绝缘坝510和第二绝缘坝520。
没有有机绝缘层530的间隔区域SA1、SA2和SA3可以布置在非显示区域800中，该非显示区域800包括电源线170和180以及绝缘坝510和520。有机绝缘层530可以从显示区域DA延伸出。在本实施方式中，有机绝缘层530可以覆盖第二主线180a的边缘。间隔区域SA1、SA2和SA3可以对应于介于其中放置有机绝缘层530以及绝缘坝510和520的区域之间的间隙，并且可以布置在从中已经移去有机绝缘层530的开口区域中。
第一电源线170的至少一部分和第二电源线180的至少一部分可以在间隔区域SA1、SA2和SA3中暴露在外部。保护层872可以布置在第一电源线170和第二电源线的180的暴露部分上。保护层872可以选择性地覆盖第一电源线170和第二电源线180的延伸至第一间隔区域SA1、第二间隔区域SA2和第三间隔区域SA3的暴露部分。
例如，与图6的实施方式不同，保护层872的第一保护层872a可以覆盖第二电源线180的暴露的第一边缘部分180e。保护层872的第二保护层872b可以覆盖第一电源线170的暴露的第一边缘部分170e。保护层872的第三保护层872c可以覆盖第一电源线170的暴露的第二边缘部分170f。保护层872的第四保护层872d可以覆盖第二电源线180的暴露的第二边缘部分180f。
保护层872的形状在各种实施方式之中可以是不同的，设置的保护层872覆盖间隔区域SA1、SA2和SA3中的第一电源线170和第二电源线180的暴露部分。保护层872可以防止外界空气和湿气透过第一电源线170和第二电源线180的暴露部分渗透。
本文中描述的方法、处理和/或操作可以通过由计算机、处理器、控制器或者其他信号处理设备执行的代码或指令来执行。计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备可以是本文中描述的那些或者除本文中描述的元件之外的一个元件。因为详细描述了形成方法(或者计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施方式的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备转换成用于执行本文中描述的方法的专用处理器。
本文中描述的实施方式的控制器、驱动器和其他处理特征可以以例如可包括硬件、软件或两者的逻辑来实现。当至少部分地以硬件实现时，控制器、驱动器和其他处理特征可以是，例如，各种集成电路中的任一个，包括但不限于：专用的集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门的组合、片上系统、微处理器或者其他类型的处理或控制电路。
当至少部分地以软件实现时，控制器、驱动器和其他处理特征可以包括例如用于存储例如由计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备执行的代码或指令的存储器或其他存储设备。计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备可以是本文中描述的那些或者除本文中描述的元件之外的一个元件。因为详细描述了形成方法(或者计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施方式的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备转换成用于执行本文中描述的方法的专用处理器。
根据一个或多个上述实施方式，在显示装置中，电源线在非显示区域中的暴露部分可以由保护层覆盖。因此，可以防止电源线的台阶覆盖缺陷并且可以阻断外界空气和湿气进入至显示区域的渗透路径。
本文已公开了示例实施方式，并且尽管使用了特定术语，但是它们仅被用于和被解译为一般和描述性的意义，而不是为了限制的目的。在一些实例中，除非另有指示，否则对如提交本发明的领域的普通技术人员显而易见的是，可以单独使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合地使用结合具体实施方式所描述的特征、特性和/或元件。因此，可以在没有背离权利要求中阐述的实施方式的精神和范围的情况下作出形式和细节上的各种变化。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
保护层；
基板，包括与显示区域相邻的非显示区域；
子像素，位于所述显示区域中并且包括导电层、所述导电层上的无机绝缘层、所述无机绝缘层上的有机绝缘层以及连接至所述导电层的显示器件；
电源线，包括电连接至所述子像素的第一电源线和第二电源线；以及
绝缘坝，作为所述非显示区域中的至少一个层，其中，所述非显示区域包括所述绝缘坝、所述电源线以及不包括所述有机绝缘层的间隔区域，并且其中，所述保护层覆盖所述电源线的暴露部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述间隔区域与所述有机绝缘层的区域和所述绝缘坝的区域之间的开口区域对应，并且
所述电源线的所述暴露部分在所述间隔区域中被暴露。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述保护层覆盖所述电源线的延伸至所述间隔区域的所述暴露部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
不同的电压被施加至所述第一电源线和所述第二电源线，
所述第一电源线的边缘部分和所述第二电源线的边缘部分在所述间隔区域中被暴露，并且
所述保护层选择性地覆盖所述第一电源线的暴露的边缘部分和所述第二电源线的暴露的边缘部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述保护层从所述第一电源线的所述暴露的边缘部分和所述第二电源线的所述暴露的边缘部分的每个中延伸出，并且覆盖在相对于所述基板的一个方向上布置的所述第一电源线、所述第二电源线、所述有机绝缘层以及所述绝缘坝的全部。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述电源线与所述导电层在相同的层上，并且
所述保护层与覆盖所述导电层的所述无机绝缘层在相同的层上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述导电层包括第一导电层和所述第一导电层之上的第二导电层，
所述有机绝缘层包括所述第一导电层与所述第二导电层之间的第一有机绝缘层以及所述第二导电层之上的第二有机绝缘层，并且
所述无机绝缘层介于所述第一导电层与所述第一有机绝缘层之间，
在所述间隔区域中的所述电源线与所述第一导电层在相同的层上，并且
所述保护层与覆盖所述第一导电层的所述无机绝缘层在相同的层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述电源线具有单个导电层结构，所述单个导电层结构包括与所述第一导电层在相同的层上的至少一个导电部分。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电源线包括：包括钛(Ti)的第一导电部分、在所述第一导电部分上并且包括铝(Al)的第二导电部分、以及在所述第二导电部分上并且包括钛(Ti)的第三导电部分。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述保护层具有与覆盖所述第一导电层的所述无机绝缘层在相同的层上的单层结构。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述绝缘坝包括彼此间隔开的多个坝。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：
所述绝缘坝与多个有机绝缘层在相同的层上，所述多个有机绝缘层包括与覆盖所述第一导电层的所述第一有机绝缘层对应的第一平坦化层、与覆盖所述第二导电层的所述第二有机绝缘层对应的第二平坦化层、与限定所述子像素的第三有机绝缘层对应的像素限定层以及与沿着所述子像素而放置的第四有机绝缘层对应的间隔件中的一个或多个，并且
所述多个有机绝缘层在相对于所述基板的垂直方向上堆叠。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述坝具有朝着所述基板的边缘增加的高度。
14.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一导电层在所述基板之上，
所述无机绝缘层在所述第一导电层上并且包括暴露所述第一导电层的部分的开口，
所述第一有机绝缘层在所述无机绝缘层上并且包括暴露所述第一导电层的所述部分的开口，
所述第二导电层在所述第一有机绝缘层上，并且
所述第二有机绝缘层在所述第二导电层上并且包括所述第二导电层穿过其而电连接至所述显示器件的开口。
15.根据权利要求7所述的显示装置，在所述基板之上进一步包括：
薄膜晶体管，包括：活性层，包括源极区、漏极区和将所述源极区连接至所述漏极区的沟道区；以及栅电极，在所述活性层之上并且与所述活性层绝缘，其中，所述第一导电层电连接至所述源极区和所述漏极区中的一个。
16.根据权利要求7所述的显示装置，在所述基板之上进一步包括：
像素电极，连接至所述第二导电层；
中间层，在所述像素电极上并且包括发射层；以及
相对电极，在所述中间层上。
17.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一电源线包括与所述显示区域对应的第一主线和沿第一方向从所述第一主线延伸出的第一连接线，并且
所述第二电源线包括围绕所述第一主线的不同端部和所述显示区域的其他区域的第二主线以及沿所述第一方向从所述第二主线延伸出的第二连接线。
18.一种显示装置，包括：
显示区域；
非显示区域；
第一坝，在所述非显示区域中；
电源线，用于所述显示区域；以及
保护层，在所述非显示区域中，所述保护层覆盖所述电源线在所述非显示区域中未被所述第一坝覆盖的部分。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一坝具有足以阻挡对所述显示区域进行封装的材料流动至所述非显示区域的侧端部的高度。
20.根据权利要求18所述的显示装置，进一步包括：
第二坝，在所述非显示区域中，
其中，所述保护层覆盖在所述第一坝与所述第二坝之间的区域中的所述电源线。
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