CN108074960A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置。显示装置包括：基板，包括显示区域和周围区域，并且在周围区域中弯曲轴周围是柔性的；在显示区域中的数据线和驱动电压线；无机绝缘层，限定与柔性区域对应的开口；第一导电层和第二导电层，在周围区域中并在开口周围相互间隔开；有机绝缘层，覆盖第一导电层和第二导电层；以及连接导电层，通过有机绝缘层的接触孔连接第一导电层和第二导电层，并且第一导电层和第二导电层包括与数据线和驱动电压线中的一个的材料相同的材料，并且连接导电层包括与数据线和驱动电压线中的另一个的材料相同的材料。

Description

显示装置
本申请要求2016年11月18日提交的韩国专利申请第10－2016－0154453号的优先权以及由此产生的所有权益，在此通过引用的方式将其全部内容并入本文。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置的目的被多样化。同样，由于显示装置具有薄的厚度并且重量轻，显示装置的使用范围被逐渐扩大，随着显示装置以各种形式被利用，诸如减小非显示区域的面积的显示装置的设计目的被多样化。
发明内容
示例性实施例涉及一种显示装置，该显示装置具有其中非显示区域的至少一部分是柔性的结构。然而，这些示例性实施例作为示例被提供，并且本公开的范围不限于此。
将在以下描述中部分地阐述附加的特征，并且将从该描述中部分地明确或者可以通过实践所展示实施例而习得附加的特征。
根据示例性实施例，一种显示装置包括：基板，包括显示区域以及在显示区域之外的周围区域，周围区域包括柔性区域，其中基板在位于柔性区域中并且沿一个方向延伸的弯曲轴周围是柔性的；数据线和驱动电压线，布置在显示区域中；无机绝缘层，在基板上并且限定与柔性区域对应的开口；第一导电层和第二导电层，布置在周围区域中并且在开口周围相互间隔开；有机绝缘层，覆盖第一导电层和第二导电层；以及连接导电层，在有机绝缘层上。连接导电层通过分别限定在有机绝缘层中的接触孔连接第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层包括与数据线和驱动电压线中的一个的材料相同的材料，并且连接导电层包括与数据线和驱动电压线中的另一个的材料相同的材料。
在示例性实施例中，第一导电层和第二导电层可以被布置在无机绝缘层上。
在示例性实施例中，有机绝缘层的一部分可以被布置在数据线和驱动电压线之间。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括在开口内并且包括与第一导电层和第二导电层的材料相同的材料的第三导电层。
在示例性实施例中，连接导电层可以通过限定在有机绝缘层中的附加的接触孔连接至第三导电层。
在示例性实施例中，连接导电层可以包括将第一导电层连接至第三导电层的第一连接导电层，以及将第二导电层连接至第三导电层并且与第一连接导电层间隔开的第二连接导电层。
在示例性实施例中，第三导电层可以包括在开口内相互间隔开的多个子导电层，并且连接导电层可以进一步包括附加的连接导电层，附加的连接导电层连接多个子导电层中相邻的子导电层。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括附加的驱动电压线，附加的驱动电压线与驱动电压线的至少一部分重叠，与驱动电压线间隔开，并且电连接至驱动电压线。
在示例性实施例中，附加的驱动电压线可以包括与数据线的材料相同的材料。
在示例性实施例中，基板可以包括塑料层，并且在开口内的有机绝缘层的至少一部分可以直接接触基板的塑料层。
在示例性实施例中，基板可以进一步包括无机阻挡层，无机阻挡层在塑料层上并且限定与无机绝缘层的开口对应并暴露塑料层的开口。
根据示例性实施例，一种显示装置包括：基板，包括显示区域以及在显示区域之外、包括柔性区域的周围区域；薄膜晶体管，布置在显示区域中并且包括半导体层和栅电极；无机绝缘层，在基板上，并且覆盖栅电极并限定与柔性区域对应的开口；像素电极，布置在显示区域中并且连接至薄膜晶体管；第一布线层和第二布线层，布置在显示区域中并且在无机绝缘层与像素电极之间；第一导电层和第二导电层，布置在周围区域中，在开口周围相互间隔开，并且在无机绝缘层上；覆盖第一导电层和第二导电层的有机绝缘层；以及连接导电层，在有机绝缘层上并且通过分别限定在有机绝缘层中的接触孔连接第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层包括与第一布线层和第二布线层中的一个的材料相同的材料，并且连接导电层包括与第一布线层和第二布线层中的另一个的材料相同的材料。
在示例性实施例中，有机绝缘层的一部分可以被布置在第一布线层和第二布线层之间。
在示例性实施例中，第一布线层和第二布线层可以通过限定在有机绝缘层中的附加的接触孔相互连接。
在示例性实施例中，第一布线层和第二布线层可以分别是上驱动电压线和下驱动电压线。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括数据线和驱动电压线，数据线和驱动电压线在显示区域中并且电连接至薄膜晶体管，第一布线层和第二布线层中的一个可以是数据线，并且第一布线层和第二布线层中的另一个可以是驱动电压线。
在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括第三导电层，第三导电层在开口内并且包括与第一导电层和第二导电层的材料相同的材料。
在示例性实施例中，连接导电层可以通过限定在有机绝缘层中的附加的接触孔连接第三导电层。
在示例性实施例中，连接导电层可以包括多个子连接导电层，并且多个子连接导电层中的每一个可以连接第一导电层至第三导电层中两个相邻的导电层。
在示例性实施例中，基板可以包括塑料层，并且有机绝缘层的在开口内的至少一部分可以通过开口直接接触塑料层。
示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以通过减小非显示区域的面积实现“无边框(bezel-less)”并且可以最小化诸如断开的缺陷的出现。然而，本公开的范围不限于该效果。
附图说明
结合附图、从示例性实施例的以下说明将使得这些和/或其他特征将变得明显，其中：
图1是显示装置的示例性实施例的平面图；
图2是显示装置的一部分的示例性实施例的透视图；
图3是图1的显示装置的一个像素的示例性实施例的电路图；
图4是图1的显示装置的一个像素的示例性实施例的平面图；
图5是显示装置的一部分的示例性实施例的剖视图；
图6是沿方向K观察的图5的包括柔性区域的周围区域的示例性实施例的平面图；
图7A和图7B分别是根据比较例的包括柔性区域的周围区域的平面图和剖视图；
图8是显示装置的一个像素的另一示例性实施例的平面图；
图9是显示装置的一部分的另一示例性实施例的剖视图；
图10至图12是显示装置的周围区域的一部分的其他示例性实施例的剖视图；以及
图13至图15分别是图10至图12的平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例，将在附图中示出并且在书面描述中详细描述示例性实施例。当涉及参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特征以及实现这些的方法将变得明显。然而，本公开可以以许多不同形式具体化并且不应解释为限于在此所阐述的示例性实施例。
如在此所使用，术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任意和全部组合。
当诸如“中的至少一个”的表述接在一列要素之后时修饰整列的要素，而不修饰该列的单个要素。
下文中，将参照附图更完整描述本公开，附图中示出了本公开的示例性实施例。当参照附图进行描述时，附图中相同的参考数字表示相同或对应的要素，并且将省略其重复描述。
将理解的是，当要素被称作在另一要素“上”时，其可以直接在另一要素上或者它们之间可以存在中间要素。相反，当要素被称作“直接”在另一要素“上”时，不存在中间要素。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并未排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。
进一步，诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语可以在此用于描述如附图中所示一个要素与另一要素的关系。将理解的是，相对术语意在包含装置的除了附图中所示朝向之外的不同朝向。例如，如果一个附图中的装置被翻转，则描述为在其他要素的“下”侧的要素将被定位在其他要素的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”的朝向，取决于附图的特定朝向。类似地，如果一个附图中的装置被翻转，描述为在其他要素“下面”或“之下”的要素将被定位在其他要素“之上”。因此，示例性术语“下面”或“之下”可以包含“之上”和“之下”的朝向。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以用于在此描述各个部件，但是这些部件不应受限于这些术语。这些部件仅用于区分一个部件与另一个部件。
如在此所使用，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文明确给出相反指示。
将进一步理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”指定所述特征或部件的存在，但是并不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
为了方便说明，附图中的要素的大小可能被夸大。换言之，由于附图中部件的大小和厚度为了方便说明而被任意地示出，以下示例性实施例不限于此。
当可以不同地实施某一示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以在同一时刻同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解的是，当层、区域或部件被称作“连接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接连接”至另一层、区域或部件，或者可以“间接连接”至另一层、区域或部件而在它们之间插入另一层、区域或部件。例如，将理解的是，当层、区域或部件被称作“电连接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接电连接”至另一层、区域或部件，或者可以“间接电连接”至另一层、区域或部件而在它们之间插入另一层、区域或部件。
除非另外限定，包括在此使用的技术术语和科技术语的所有术语具有与本公开所属技术领域普通技术人员通常所理解的相同的含义。将进一步理解的是，术语，诸如在通常所使用词典中所限定的那些术语，应该解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在此明确如此限定。
在以下示例性实施例中，x轴、y轴和z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以解释为更宽广意义。例如，x轴、y轴和z轴可以相互垂直，或者可以表示并未相互垂直的不同方向。
图1是显示装置1的示例性实施例的平面图，并且图2是显示装置1的一部分的示例性实施例的透视图。
参照图1，显示装置1包括在基板100上的显示单元10。显示单元10包括像素P。像素P中的每个连接至沿y方向延伸的扫描线SL，以及沿x方向延伸并与y方向交叉的数据线DL。
在示例性实施例中，每个像素P可以例如发出红光、绿光、蓝光或白光，并且包括有机发光二极管(“OLED”)。显示单元10通过从像素P发出的光提供预定的图像并限定显示区域DA。在此，像素P表示发出如上所述红光、绿光、蓝光或白光的子像素。
周围区域PA被布置在显示区域DA的外侧。在示例性实施例中，例如，周围区域PA可以围绕显示区域DA。周围区域PA是其中并未设置像素P并且不通过从像素P发出的光提供预定图像的区域。在示例性实施例中，周围区域PA可以包括第一扫描驱动器20、第二扫描驱动器30、端子部分40、驱动电压供应线60以及公共电压供应线70。
在示例性实施例中，第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以被布置在基板100的周围区域PA中，产生扫描信号，并且通过扫描线SL将扫描信号传输至像素P。在示例性实施例中，例如，第一扫描驱动器20可以在显示单元10的左侧，并且第二扫描驱动器30可以在显示单元10的右侧。然而，本发明不限于此。在另一示例性实施例中，显示装置1可以仅包括在左侧或右侧的一个扫描驱动器。
端子部分40可以被布置在基板100的一侧并且包括多个端子41、42、43和44。端子部分40可以不采用绝缘层覆盖，暴露至外部，并且电连接至柔性印刷电路板(“FPCB”)。
FPCB将控制器80电连接至端子部分40。从控制器80传输的信号或电力移动至连接至端子部分40的布线21、31、51、61和71。
控制器80接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，并且产生用于控制第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30的驱动的控制信号。所产生的控制信号可以分别通过端子43以及布线21和31被传输至第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30的扫描信号通过扫描线SL被提供至像素P。此外，控制器80分别通过连接至FPCB的端子42和44以及布线61和71将驱动电压ELVDD和公共电压ELVSS供应至驱动电压供应线60和公共电压供应线70。驱动电压ELVDD通过驱动电压线PL被提供至每个像素P，并且公共电压ELVSS可以被提供至像素P的对电极。
数据驱动器50可以在FPCB中。数据驱动器50将数据信号提供至每个像素P。数据驱动器50的数据信号通过端子41、连接至端子41的布线51以及连接至布线51的数据线DL被提供至像素P。尽管图1示出了数据驱动器50在FPCB中，但是本发明不限于此。在另一示例性实施例中，数据驱动器50可以在基板100的周围区域PA中。
驱动电压供应线60在周围区域PA中。在示例性实施例中，例如，驱动电压供应线60可以在端子部分40和显示单元10之间。通过连接至端子42的布线61从控制器80所提供的驱动电压ELVDD如上所述通过驱动电压线PL被提供至每个像素P。
公共电压供应线70在周围区域PA中并将公共电压ELVSS提供至每个像素P的OLED的对电极(例如阴极)。在示例性实施例中，例如，公共电压供应线70具有一侧开口的环形形状，并且可以沿着基板100的除了端子部分40之外的边缘延伸。
周围区域PA包括柔性区域BA。柔性区域BA可以在端子部分40与显示单元10之间。柔性区域BA可以沿与布线21、31、51、61和71的延伸方向交叉的方向延伸。在示例性实施例中，例如，柔性区域BA可以沿y方向延伸，具有沿着x方向的预定宽度。柔性区域BA将基板100划分为包括显示区域DA的第一区域1A，以及相对于柔性区域BA作为第一区域1A的相对侧的第二区域2A。也即，柔性区域BA在第一区域1A和第二区域2A之间。第一区域1A可以包括周围区域PA的一部分以及显示区域DA。第二区域2A可以仅包括周围区域PA的一部分。
显示装置1可以在柔性区域BA周围弯曲或弯折。如图2中所示，显示装置1的基板100的一部分是弯曲的。在示例性实施例中，例如，基板100在沿y方向延伸的弯曲轴BAX周围弯曲，并且因此显示装置1具有类似弯曲基板100的弯曲形状。基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料(例如聚合物树脂)。为了方便说明，图2示出了基板100被弯曲的结构，而不是整个显示装置1。
图3是图1的显示装置1的一个像素P的示例性实施例的电路图。
参照图3，像素P可以包括信号线SLn、SLn-1、EL和DL，连接至信号线SLn、SLn-1、EL和DL的多个薄膜晶体管(“TFT”)T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，存储电容器Cst，初始化电压线VL，驱动电压线PL，以及OLED。
尽管图3示出了每个像素P包括信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL的情形，但是本发明不限于此。在另一示例性实施例中，信号线SLn、SLn-1、EL和DL以及初始化电压线VL中的至少一个可以由相邻像素所共用。
TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6以及第二初始化TFT T7。
信号线包括传输扫描信号Sn的扫描线SLn，将先前扫描信号Sn-1传输至第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的先前扫描线SLn-1，将发射控制信号En传输至操作控制TFTT5和发射控制TFT T6的发射控制线EL，以及与扫描线SLn交叉并且将数据信号Dm传输至开关TFT T2的数据线DL。驱动电压线PL通过操作控制TFT T5将驱动电压ELVDD传输至驱动TFTT1，并且初始化电压线VL将初始化电压Vint通过第一初始化TFT T4传输至驱动TFT T1以用于初始化并且通过第二初始化TFT T7传输至OLED的像素电极以用于初始化。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接至第一存储电容器板Cst1，驱动TFT T1的驱动源电极S1通过操作控制TFT T5电连接至驱动电压线PL，并且驱动TFT T1的驱动漏电极D1通过发射控制TFT T6电连接至OLED的像素电极。驱动TFT T1响应于开关TFT T2的开关操作而接收数据信号Dm并且将驱动电流IOLED供应至OLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2连接至扫描线SLn，开关TFT T2的开关源电极S2连接至数据线DL，并且开关TFT T2的开关漏电极D2连接至驱动TFT T1的驱动源电极S1并通过操作控制TFT T5电连接至驱动电压线PL。开关TFT T2响应于通过扫描线SLn传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将数据信号Dm从数据线DL传输至驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接至扫描线SLn，补偿TFT T3的补偿源电极S3连接至驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且通过发射控制TFT T6电连接至OLED的像素电极，并且补偿TFT T3的补偿漏电极D3连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化TFTT4的第一初始化漏电极D4以及驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3响应于通过扫描线SLn传输的扫描信号Sn而导通，并且导通的TFT T3使得驱动TFT T1通过将驱动TFT T1的驱动栅电极G1电连接至驱动TFT T1的驱动漏电极D1来起二极管的作用。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接至先前扫描线SLn-1，第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4连接至第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7以及初始化电压线VL，并且第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3以及驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4响应于通过先前扫描线SLn-1传输的先前扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压Vint传输至驱动TFT T1的驱动栅电极G1来初始化驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接至发射控制线EL，操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接至驱动电压线PL，并且操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接至驱动TFT T1的驱动源电极S1并连接至开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接至发射控制线EL，发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接至驱动TFT T1的驱动漏电极D1并连接至补偿TFT T3的补偿源电极S3，并且发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6连接至第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7并连接至OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时导通，将驱动电压ELVDD传输至OLED，并允许驱动电流IOLED流过OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接至先前扫描线SLn-1，第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7连接至发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6并连接至OLED的像素电极，并且第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接至第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4并连接至初始化电压线VL。第二初始化TFT T7响应于通过先前扫描线SLn-1传输的先前扫描信号Sn-1而导通，并使用初始化电压Vint来初始化OELD的像素电极。
尽管图3示出了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接至先前扫描线SLn-1的情形，但是本发明不限于此。在另一示例性实施例中，第一初始化TFT T4可以连接至先前扫描线SLn-1并响应于先前扫描信号Sn-1而驱动，并且第二初始化TFT T7可以连接至不同的信号线(例如下一个扫描线)并响应于通过不同的信号线传输的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接至驱动电压线PL，并且OLED的对电极连接至公共电压ELVSS。因此，OLED可以通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED并发光来显示图像。
尽管图3示出了补偿TFT T3和第一初始化TFT T4具有双栅电极，但是本发明不限于此。例如，在另一示例性实施例中，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4可以具有一个栅电极。此外，在又一示例性实施例中，除了补偿TFT T3和第一初始化TFT T4之外，其他TFT T1、T2、T5、T6和T7中的至少一个也可以具有双栅电极，并且可以做出各种修改。
图4是图1的显示装置1的一个像素P的示例性实施例的平面图，图5是显示装置1的一部分的示例性实施例的剖视图，图6是沿方向K观察的图5的包括柔性区域BA的周围区域PA的示例性实施例的平面图，并且图7A和图7B分别是根据比较例的包括柔性区域的周围区域的平面图和剖视图。具体地，图7B是沿着图7A的线VIIb-VIIb’截取的剖视图。为了便于描述，图5示出了显示装置1并未弯曲的状态，并且图5的显示区域DA的剖视图对应于一个像素P的沿着图4的线A-A’和B-B’截取的示例性实施例的剖视图。
图4是图3的一个像素P的多个TFT和电容器的位置的示例性实施例的设置图。图4中所示的设置是一个像素P的设置图。与图4的像素相同或类似的像素可以被设置在图4的像素的顶部、底部、左侧和右侧。
首先，主要描述图4和图5的显示区域DA，并且然后描述图5至图7B的柔性区域BA。
参照图4，扫描线121、先前扫描线122以及发射控制线123沿x方向延伸，并且数据线171以及驱动电压线172和178沿与x方向交叉的y方向延伸。
驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6以及第二初始化TFT T7可以被布置在缓冲层BL上(参照图5)。
对应于驱动TFT T1的驱动半导体层130a、对应于开关TFT T2的开关半导体层130b、对应于补偿TFT T3的补偿半导体层130c、对应于第一初始化TFT T4的初始化半导体层130d、对应于操作控制TFT T5的操作控制半导体层130e、对应于发射控制TFT T6的发射控制半导体层130f以及对应于第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层130g可以被布置在缓冲层BL上。这些半导体层可以相互连接，并且可以以各种形式弯折。
在示例性实施例中，半导体层可以包括例如多晶硅。半导体层中的每个可以包括未掺杂有杂质的沟道区，源区和漏区。源区和漏区被分别布置在沟道区的相对侧并且掺杂有杂质。半导体层的沟道区与扫描线121、先前扫描线122或发射控制线123重叠。半导体层可以通过将扫描线121、先前扫描线122或发射控制线123用作自对准掩模来掺杂杂质。在此，杂质的类型可以取决于TFT的类型而改变，并且包括N型杂质或P型杂质。沟道区、在沟道区一侧的源区以及在沟道区另一侧的漏区也可以称作有源层。也即，TFT具有有源层并且有源层包括沟道区、源区和漏区。
掺杂的源区和漏区分别对应于TFT的源电极和漏电极。在示例性实施例中，如图4和图5的显示区域DA中所示，驱动源电极可以对应于掺杂有杂质的驱动源区176a，并且驱动漏电极可以对应于掺杂有杂质的驱动漏区177a。下文中，为了便于描述，替代于源电极或漏电极而使用源区或漏区的术语。
驱动TFT T1包括驱动栅电极125a，以及包含驱动沟道区、驱动源区176a和驱动漏区177a的驱动半导体层130a。驱动半导体层130a的驱动沟道区与驱动栅电极125a重叠。驱动半导体层130a的驱动沟道区具有弯折的形状并且因此可以具有长的沟道长度。尽管图4示出了驱动沟道区具有“Ω”形状的弯折形状，但是本发明不限于此。驱动栅电极125a可以用作驱动TFT T1的栅电极，并且同时用作如下所述存储电容器Cst的第一存储电容器板。第一栅绝缘层GI1(参照图5)在驱动半导体层130a与驱动栅电极125a之间。在示例性实施例中，第一栅绝缘层GI1可以是包括例如SiON、SiOx和/或SiNx的无机层。驱动源区176a如下所述连接至开关漏区177b和操作控制漏区177e，并且驱动漏区177a如下所述连接至补偿源区176c和发射控制源区176f。
开关TFT T2包括开关栅电极125b，以及包含开关沟道区、开关源区176b和开关漏区177b的开关半导体层130b。开关半导体层130b的开关沟道区与开关栅电极125b重叠，并且开关栅电极125b对应于扫描线121的与开关半导体层130b的开关沟道区重叠的部分。开关源区176b通过限定在第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2和层间绝缘层ILD中的接触孔164电连接至数据线171。在示例性实施例中，第二栅绝缘层GI2和层间绝缘层ILD可以是包括例如SiON、SiOx和/或SiNx的无机层。开关漏区177b连接至驱动TFT T1和操作控制TFT T5。
补偿TFT T3包括补偿栅电极125c1和125c2，以及包含补偿沟道区、补偿源区176c和补偿漏区177c的补偿半导体层130c。补偿半导体层130c的补偿沟道区与补偿栅电极125c1和125c2重叠。补偿栅电极125c1和125c2对应于扫描线121的与补偿半导体层130c的补偿沟道区重叠的部分。补偿栅电极125c1和125c2是包括第一栅电极125c1和第二栅电极125c2的双栅电极，并且可以防止或减小泄漏电流的发生。补偿漏区177c可以通过连接构件174连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板125a。存储电容器Cst的第一存储电容器板125a也可以用作如上所述的驱动TFT T1的栅电极。
连接构件174可以包括与数据线171的材料相同的材料，并且可以与数据线171被布置的层在同一层中。连接构件174的一端可以通过限定在第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD中的接触孔166电连接至补偿漏区177c和初始化漏区177d。连接构件174的另一端可以通过限定在第二栅绝缘层GI2和层间绝缘层ILD中的接触孔167电连接至第一存储电容器板125a。连接构件174的另一端也可以通过第二存储电容器板127中的存储电容器开口127a连接至第一存储电容器板125a。
第一初始化TFT T4包括第一初始化栅电极125d1和125d2，以及包含第一初始化沟道区、第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d的第一初始化半导体层130d。第一初始化半导体层130d的第一初始化沟道区与第一初始化栅电极125d1和125d2重叠。第一初始化栅电极125d1和125d2对应于先前扫描线122的与第一初始化半导体层130d的第一初始化沟道区重叠的部分。第一初始化栅电极125d1和125d2是包括第一栅电极125d1和第二栅电极125d2的双栅电极，并且可以防止或减小泄漏电流的发生。第一初始化源区176d通过初始化连接线173连接至初始化电压线124。初始化电压线124包括与第二存储电容器板127的材料相同的材料，并且可以与第二存储电容器板127被布置在同一层中。初始化连接线173的一端可以通过限定在第二栅绝缘层GI2和层间绝缘层ILD中的接触孔161电连接至初始化电压线124。初始化电压线124的另一端可以通过限定在第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD中的接触孔162电连接至初始化源区176d。
操作控制TFT T5包括操作控制栅电极125e，以及包含操作控制沟道区、操作控制源区176e和操作控制漏区177e的操作控制半导体层130e。操作控制半导体层130e的操作控制沟道区与操作控制栅电极125e重叠。操作控制栅电极125e对应于发射控制线123的与操作控制半导体层130e的操作控制沟道区重叠的部分。操作控制源区176e可以通过限定在第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD中的接触孔165电连接至下驱动电压线172。在该情形中，下驱动电压线172的与接触孔165相邻的部分可以对应于操作控制源区176e，也即，操作控制TFT T5的源电极。
发射控制TFT T6包括发射控制栅电极125f，以及包含发射控制沟道区、发射控制源区176f和发射控制漏区177f的发射控制半导体层130f。发射控制半导体层130f的发射控制沟道区与发射控制栅电极125f重叠。发射控制栅电极125f对应于发射控制线123的与发射控制半导体层130f的发射控制沟道区重叠的部分。发射控制漏区177f可以通过限定在第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD中的接触孔163电连接至在层间绝缘层ILD上的中间连接层175。中间连接层175、数据线171以及下驱动电压线172可以被布置在层间绝缘层ILD上。中间连接层175通过接触孔183电连接至辅助连接层179。辅助连接层179通过接触孔185电连接至OLED的像素电极310。
第二初始化TFT T7包括第二初始化栅电极125g，以及包含第二初始化沟道区、第二初始化源区176g和第二初始化漏区177g的第二初始化半导体层130g。第二初始化半导体层130g的第二初始化沟道区与第二初始化栅电极125g重叠。第二初始化栅电极125g对应于先前扫描线122的与第二初始化半导体层130g的第二初始化沟道区重叠的部分。第二初始化源区176g连接至发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6以及OLED的像素电极310。第二初始化漏区177g连接至第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4以及初始化电压线124。第二初始化TFT T7响应于通过先前扫描线122所传输的先前扫描信号Sn-1而导通，并且初始化OLED的像素电极310。
存储电容器Cst包括第一存储电容器板125a和第二存储电容器板127。第二存储电容器板127与第一存储电容器板125a重叠，两者之间具有第二栅绝缘层GI2。
在示例性实施例中，扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123以及也用作第一存储电容器板的驱动栅电极125a可以直接在同一层诸如第一栅绝缘层GI1上，如在图5的显示区域DA中所示。在示例性实施例中，扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123以及也用作第一存储电容器板的驱动栅电极125a可以包括Mo、Al、Cu、Ti等中的至少一种，并且包括单层或多层。例如，扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123以及也用作第一存储电容器板的驱动栅电极125a可以是包括Mo的单层。
在示例性实施例中，第二存储电容器板127和初始化电压线124可以直接在同一层上，诸如在如图5的显示区域DA中所示的第二栅绝缘层GI2上。在示例性实施例中，第二存储电容器板127和初始化电压线124可以包括Mo、Al、Cu、Ti等中的至少一种，并且包括单层或多层。例如，第二存储电容器板127和初始化电压线124可以是包括Mo的单层或者包括Mo/Al/Mo的多层。
在示例性实施例中，数据线171、下驱动电压线172、初始化连接线173、连接构件174以及中间连接层175可以直接在同一层上，诸如在如图5的显示区域DA中所示的层间绝缘层ILD上。数据线171、下驱动电压线172、初始化连接线173、连接构件174以及中间连接层175可以包括相同材料。在示例性实施例中，数据线171、下驱动电压线172、初始化连接线173、连接构件174以及中间连接层175可以包括例如Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种，并且包括单层或多层。在示例性实施例中，数据线171、下驱动电压线172、初始化连接线173、连接构件174以及中间连接层175可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
下驱动电压线172电连接至上驱动电压线178。在示例性实施例中，例如，下驱动电压线172通过限定在下驱动电压线172与上驱动电压线178之间的第一有机绝缘层PL1中的接触孔181电连接至上驱动电压线178。驱动电压线172和178将恒定电信号也即驱动电压ELVDD供应至多个像素。为了实施提供高品质图像的显示装置，希望不会出现驱动电压线172和178的电压降。由于示例性实施例的驱动电压线具有相互电连接的下驱动电压线172和上驱动电压线178，例如，根据示例性实施例，上驱动电压线178电连接至下驱动电压线172，可以减小或最小化示例性实施例的驱动电压线的电阻。因此，即使为了实施高分辨率显示装置而减小像素P的面积，也可以有效地减小由于驱动电压线172和178的电阻导致的电压降。
在示例性实施例中，上驱动电压线178可以包括例如Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种，并且包括单层或多层。在示例性实施例中，上驱动电压线178可以具有包括例如Ti/Al/Ti的多层结构。
如图4和图5中所示，钝化层PVX可以在数据线171、下驱动电压线172、初始化连接线173、连接构件174以及中间连接层175上。在示例性实施例中，钝化层PVX可以包括例如SiNx。由于SiNx中的氢与半导体层的悬空键结合，并且消除半导体层的缺陷位，可以改善TFT的电学特性。
尽管未示出，钝化层PVX可以覆盖从周围区域PA暴露的布线的一部分并且保护布线。例如，不具有钝化层PVX的布线21、31、51、61和71的至少一部分可以从周围区域PA的一部分暴露，并且暴露的部分可能被在图案化像素电极310(参见图5)时所使用的蚀刻剂损伤。然而，根据示例性实施例，钝化层PVX可以通过覆盖布线21、31、51、61和71的该部分来保护布线21、31、51、61和71。
上驱动电压线178和辅助连接层179可以采用第二有机绝缘层PL2覆盖。第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2可以包括有机材料。在示例性实施例中，有机材料可以包括诸如酰亚胺类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物，或具有苯酚类基团的聚合物衍生物，丙烯类聚合物，芳醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物，乙烯醇类聚合物或其混合物。
OLED可以在第二有机绝缘层PL2上。OLED可以包括像素电极310、对电极330以及它们之间的中间层320。中间层320可以包括发射层。
像素限定层150可以被布置在像素电极310上。像素限定层150通过包括与每个子像素对应的开口，也即暴露像素电极310的至少中心部分的开口来限定像素。此外，像素限定层150可以通过增大像素电极310的边缘与对电极330之间的距离来防止在像素电极310和对电极330之间出现电弧等。在示例性实施例中，像素限定层150可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺(“PI”)或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)。
在示例性实施例中，中间层320可以包括低分子材料或聚合物材料。在中间层320包括低分子材料的情形中，中间层320可以具有空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等堆叠为单个构造或复合构造的结构，并且可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(“CuPc”)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’－二苯基-联苯二胺(“NPB”)以及三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)。这些层可以通过真空蒸发来提供。
在中间层320包括聚合物材料的情形中，中间层320可以具有例如包括HTL和EML的结构。在该情形中，HTL可以包括PEDOT，并且EML可以包括聚合物材料，诸如聚对苯乙炔(“PPV”)类材料以及聚芴类材料。中间层320的结构不限于上述结构，而是可以具有各种结构。在示例性实施例中，例如，中间层320可以是覆盖多个像素电极310的一个层，或可以包括多层，该多层中的每层被图案化成与多个像素电极310中的每个对应。
对电极330可以被布置在显示区域DA的上部分中并且覆盖显示区域DA。也即，对电极330可以具有覆盖多个OLED的一个主体并且对应于多个像素电极310。
由于OLED可能容易被外部湿气或氧气损伤，因此可以通过采用封装层400覆盖OLED来保护OLED。封装层400可以覆盖显示区域DA并延伸至显示区域DA的外部。封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。
在示例性实施例中，第一无机封装层410可以覆盖对电极330并包括例如SiOx、SiNx和/或SiON。尽管未示出，但是诸如盖帽层的其他层可以被布置在第一无机封装层410与对电极330之间。由于第一无机封装层410可以沿着其下方不均匀结构被布置并且沿着显示区域DA具有相同厚度，因此第一无机封装层410的上表面可以是不平坦的。有机封装层420覆盖第一无机封装层410。不同于第一无机封装层410，有机封装层420可以沿着显示区域DA具有可变厚度使得有机封装层420的与显示区域DA对应的上表面可以近似是平坦的。在示例性实施例中，有机封装层420可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚碳酸酯(“PC”)、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛(“POM”)、聚芳酯和HMDSO中的至少一种。在示例性实施例中，第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420并且包括例如SiOx、SiNx和/或SiON。
借助封装层400的上述多层结构，甚至当裂缝出现在封装层400内时，封装层400也可以防止裂缝在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者在有机封装层420与第二无机封装层430之间转移。因此，封装层400可以防止或最小化外部湿气或氧气通过其穿透至显示区域DA中的路径的形成。尽管未示出，偏振板可以通过使用透光粘合剂被布置在封装层400上。偏振板是用于减小外部光反射的结构。替代于偏振板，可以使用包括黑矩阵和滤色器的层。
参考在图5的柔性区域BA周围的周围区域PA，在基板100上的缓冲层BL、第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD可以共同地称作无机绝缘层IL。在示例性实施例中，无机绝缘层IL可以包括无机材料，诸如SiOx、SiNx和/或SiON。图5示出了在柔性区域BA周围的周围区域PA中的无机绝缘层IL包括缓冲层BL、第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD。在另一示例性实施例中，无机绝缘层IL可以包括例如缓冲层BL、第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD中的至少一个。
无机绝缘层IL包括对应于柔性区域BA的开口OP。缓冲层BL、第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2以及层间绝缘层ILD可以分别限定对应于柔性区域BA的开口op1、op2、op3和op4。
如果无机绝缘层IL从第一区域1A连续地提供至第二区域2A而在柔性区域BA中没有开口OP，则在显示装置1弯曲时，应力可能被施加至无机绝缘层IL。由于不同于有机层，无机层具有高硬度，裂缝可能由于显示装置1的弯曲而容易出现在无机绝缘层IL中。在裂缝出现在无机绝缘层IL中的情形中，裂缝等也可能出现在布置在无机绝缘层IL上的第一导电层213a和第二导电层213b中并且引起诸如断开的缺陷。
然而，根据本发明的示例性实施例，由于无机绝缘层IL包括开口OP，因此无机绝缘层IL可以有效地防止或减少由于应力引起的裂缝等的出现。在该情形中，开口OP具有沿x方向的、大于柔性区域BA宽度的宽度OW，并且因此最小化由裂缝引起的缺陷。
基板100可以通过包括至少一个塑料层来具有柔性或可弯曲的特性。基板100可以包括第一塑料层101和第二塑料层105。基板100可以包括第一阻挡层103和第二阻挡层107。第一阻挡层103可以被布置在第一塑料层101和第二塑料层105之间，并且第二阻挡层107可以被布置在第二塑料层105和缓冲层BL之间。
在示例性实施例中，第一塑料层101和第二塑料层105可以包括例如PI、聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、PEN、PET、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、PC、三醋酸纤维素(“TAC”)、醋酸丙酸纤维素(“CAP”)、环烯烃聚合物以及环烯烃共聚物中的至少一种。
在示例性实施例中，第一阻挡层103和第二阻挡层107可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机材料，并且防止外部杂质穿透至第一塑料层101和第二塑料层105中并损伤或退化TFT。
第二阻挡层107可以限定对应于柔性区域BA的开口107a。基板100的第二塑料层105可以通过第二阻挡层107的开口107a被暴露。类似以上描述，为了防止在显示装置1弯曲时由于对第二阻挡层107的应力而出现裂缝，第二阻挡层107可以具有与无机绝缘层IL的开口OP对应的开口107a。在本说明书中，“对应”可以理解为“重叠”。
尽管图5示出了由缓冲层BL限定的开口op1、由第一栅绝缘层GI1限定的开口op2、由第二栅绝缘层GI2限定的开口op3、由层间绝缘层ILD限定的开口op4以及由第二阻挡层107限定的开口107a的内侧面相互一致，但是本发明不限于此。在另一示例性实施例中，开口op1、op2、op3、op4和107a的内侧面可以不相互一致，并且开口op1、op2、op3、op4和107a可以分别具有不同的大小。在该情形中，无机绝缘层IL的开口OP可以被限定为开口op1、op2、op3、op4和107a中具有最小尺寸的一个开口。
第一导电层213a和第二导电层213b在无机绝缘层IL例如层间绝缘层ILD上相互间隔开。第一导电层213a与第二导电层213b分离，而在它们之间具有由无机绝缘层IL所限定的开口OP。相互分离的第一导电层213a和第二导电层213b由第一有机绝缘层PL1上的连接导电层215电连接。在柔性区域BA中相互分离的第一导电层213a和第二导电层213b的结构、以及将第一导电层213a连接至第二导电层213b的连接导电层215的结构可以对应于布线21、31、51、61和71中的至少一个的结构。
第一导电层213a和第二导电层213b被布置在同一层上，该层可以是与其上布置数据线171和下驱动电压线172的层类似的层，并且包括与数据线171和下驱动电压线172之一的材料相同的材料。连接导电层215与其上布置上驱动电压线178和辅助连接层179的层被布置在同一层上，并且包括与上驱动电压线178和数据线171之一的材料相同的材料。钝化层PVX可以被布置在第一或第二导电层213a或213b与连接导电层215之间，具体的在第一或第二导电层213a或213b与第一有机绝缘层PL1之间。钝化层PVX限定与由无机绝缘层IL所限定的开口OP对应的开口PVX-op，并且限定在第一和第二导电层213a和213b与连接导电层215之间用于接触的孔PVX-h。连接导电层215通过接触孔CNT接触第一导电层213a和第二导电层213b。钝化层PVX可以保护布线的一部分，例如在周围区域PA中图5中未示出的其他区域中的第一导电层213a和第二导电层213b的并未采用第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2覆盖的部分。
可以通过在限定开口OP的无机绝缘层IL上形成导电材料层(未示出)并随后刻蚀导电材料层来提供第一导电层213a和第二导电层213b。在示例性实施例中，无机绝缘层IL可以具有例如从大约至大约的厚度。在该情形中，在无机绝缘层IL的开口OP中的导电材料层(未示出)的一部分可能由于无机绝缘层IL的台阶差而保留，并且因此剩余图案213s可能保留在第二阻挡层107上。如图6以及图5的周围区域PA中所示，剩余图案213s靠近开口OP的边缘，也即，无机绝缘层IL的内侧面。下文中，为了便于描述，主要描述存在剩余图案213s的状态。
如果第一导电层213a和第二导电层213b未在它们之间的无机绝缘层IL的开口中间隔开，也即，如果如图7A和图7B中所示导电层2213延伸而并未在无机绝缘层IL的开口OP中断开，则由于在相邻导电层2213之间剩余的剩余图案2213s而可能在相邻导电层2213之间发生短路。在此，每个导电层2213可以是参照图1如上所述的布线21、31、51、61和71中的至少一个。在该情形中，显示装置1的正常操作是不可能的。
然而，根据如上所述本发明的示例性实施例，第一导电层213a和第二导电层213b相互间隔开，由此避免与剩余图案213s短路并且通过连接导电层215电连接。因此，在示例性实施例中，布线例如参照图1如上所述的布线21、31、51、61和71可以容易地执行它们的功能而不具有不必要的电短路。尽管图5示出了在开口OP中图案化第三导电层213c的状态，但是可以省略第三导电层213c。第三导电层213c可以具有与第一导电层213a和第二导电层213b的材料相同的材料。
参照图5，布置在第一和第二导电层213a和213b与连接导电层215之间的第一有机绝缘层PL1的一部分填充无机绝缘层IL的开口OP的至少一部分。第一有机绝缘层PL1的一部分被布置在无机绝缘层IL的开口OP内。第一有机绝缘层PL1在无机绝缘层IL开口OP内的至少一部分可以通过开口OP和第二阻挡层107的开口107a直接接触第二塑料层105。连接导电层215也可以采用第二有机绝缘层PL2和像素限定层150覆盖。尽管图5示出了像素限定层150仅延伸至显示区域DA的结构，但是像素限定层150可以在另一示例性实施例中延伸至柔性区域BA。
考虑到包括有机材料的第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2的特性，第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2中出现裂缝的可能性是低的。因此，第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2可以有效地防止或最小化在连接导电层215的与柔性区域BA对应的部分中出现裂缝。此外，由于作为有机层的第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2具有比无机层的硬度低的硬度，第一有机绝缘层PL1和第二有机绝缘层PL2可以吸收由于显示装置1的弯曲而出现的拉应力，并且因此有效地最小化拉应力集中在第一导电层213a、第二导电层213b和/或连接导电层215上。
图8是在显示装置的显示区域中一个像素的另一示例性实施例的平面图，并且图9是显示装置的一部分的另一示例性实施例的剖视图。为了方便描述，图9示出了显示装置并未弯曲的状态，并且图9的显示区域DA的剖视图对应于沿着图8的线C-C’和D-D’截取的显示装置的一个像素的另一示例性实施例的剖视图。
尽管图4和图5示出了显示装置1的驱动电压线包括包含上驱动电压线178和下驱动电压线172的双层的情形，但是本发明不限于此。
如图8和图9中所示，驱动电压线可以是包括上驱动电压线178的单层。图9的上驱动电压线178可以通过比图4和图5的上驱动电压线178具有更大的面积来解决电压降等问题。由于除了图8和图9的驱动电压线包括上驱动电压线178的单层之外，图8和图9的驱动电压线与参照图4和图5如上所述的驱动电压线相同，因此省略其他构造的重复描述。
图10至图12是显示装置的周围区域的一部分的其他示例性实施例的剖视图，并且图13至图15分别是图10至图12的平面图。由于图10至图12中所示显示装置的示例性实施例具有与参照图5和图9如上所述示例性实施例相同的结构，仅在显示装置的柔性区域BA周围的结构具有差异，为了方便描述仅在图10至图12中示出了柔性区域BA周围的周围区域PA。
参照图10和图13，电连接第一导电层213a和第二导电层213b的连接导电层215也可以将开口OP中的第三导电层213c电连接至第一导电层213a和第二导电层213b。
参照图11和图14，连接导电层215可以包括相互间隔开的第一连接导电层215a和第二连接导电层215b。第一连接导电层215a可以将第一导电层213a电连接至第三导电层213c。第二连接导电层215b可以将第三导电层213c电连接至第二导电层213b。
参照图12和图15，相互间隔开的第三导电层213c1和213c2可以被布置在开口OP中。在该情形中，连接导电层215可以包括相互间隔开的第一至第三连接导电层215a、215b和215c。第一连接导电层215a可以将第一导电层213a电连接至靠近第一导电层213a布置的第三导电层213c1。第二连接导电层215b可以将第二导电层213b电连接至靠近第二导电层213b布置的第三导电层213c2。第三连接导电层215c可以电连接导电层213c1和213c2。
如图11、图14、图12和图15中所示，在连接导电层215包括相互间隔开的多个连接导电层的情形中，与连接导电层是一个单层的情形相比，可以进一步减小在显示装置弯曲时由于施加至连接导电层215的拉应力而出现裂缝等的可能性。
尽管已经参照附图中所示的示例性实施例描述了本公开，其仅提供作为示例，并且本领域普通技术人员将理解的是，可以在其中做出形式和细节上的各种改变及其等价形式而不脱离由以下权利要求所限定的本公开的精神和范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域以及在所述显示区域外的周围区域，所述周围区域包括柔性区域，并且所述基板在位于所述柔性区域中并沿一个方向延伸的弯曲轴周围是柔性的；
数据线和驱动电压线，布置在所述显示区域中；
无机绝缘层，在所述基板上并且限定与所述柔性区域对应的开口；
第一导电层和第二导电层，布置在所述周围区域中并且在所述开口周围相互间隔开；
有机绝缘层，覆盖所述第一导电层和所述第二导电层；以及
连接导电层，在所述有机绝缘层上，
其中所述连接导电层通过分别限定在所述有机绝缘层中的接触孔连接所述第一导电层和所述第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层包括与所述数据线和所述驱动电压线中的一个的材料相同的材料，并且所述连接导电层包括与所述数据线和所述驱动电压线中的另一个的材料相同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电层和所述第二导电层被布置在所述无机绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层的一部分被布置在所述数据线和所述驱动电压线之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括第三导电层，所述第三导电层在所述开口内并且包括与所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同的材料。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述连接导电层通过限定在所述有机绝缘层中的附加的接触孔连接所述第三导电层。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述连接导电层包括：
第一连接导电层，将所述第一导电层连接至所述第三导电层；以及
第二连接导电层，将所述第二导电层连接至所述第三导电层，
其中所述第二连接导电层与所述第一连接导电层间隔开。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第三导电层包括在所述开口内相互间隔开的多个子导电层，并且所述连接导电层进一步包括附加的连接导电层，所述附加的连接导电层连接所述多个子导电层中相邻的子导电层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括附加的驱动电压线，所述附加的驱动电压线与所述驱动电压线的至少一部分重叠，与所述驱动电压线间隔开，并且电连接至所述驱动电压线。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述附加的驱动电压线包括与所述数据线的材料相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板包括塑料层，并且所述有机绝缘层的在所述开口内的至少一部分直接接触所述基板的所述塑料层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括无机阻挡层，所述无机阻挡层在所述塑料层上，并且限定与所述无机绝缘层的所述开口对应并暴露所述塑料层的开口。
12.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域以及在所述显示区域外的周围区域，所述周围区域包括柔性区域；
薄膜晶体管，布置在所述显示区域中并且包括半导体层和栅电极；
无机绝缘层，在所述基板上，并且覆盖所述栅电极并限定与所述柔性区域对应的开口；
像素电极，布置在所述显示区域中并且连接至所述薄膜晶体管；
第一布线层和第二布线层，布置在所述显示区域中并且在所述无机绝缘层与所述像素电极之间；
第一导电层和第二导电层，布置在所述周围区域中，在所述开口周围相互间隔开，并且在所述无机绝缘层上；
有机绝缘层，覆盖所述第一导电层和所述第二导电层；以及
连接导电层，在所述有机绝缘层上并且通过分别限定在所述有机绝缘层中的接触孔连接所述第一导电层和所述第二导电层，
其中所述第一导电层和所述第二导电层包括与所述第一布线层和所述第二布线层中的一个的材料相同的材料，并且所述连接导电层包括与所述第一布线层和所述第二布线层中的另一个的材料相同的材料。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层的一部分被布置在所述第一布线层和所述第二布线层之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一布线层和所述第二布线层通过限定在所述有机绝缘层中的附加的接触孔相互连接。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一布线层和所述第二布线层分别是上驱动电压线和下驱动电压线。
16.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括数据线和驱动电压线，所述数据线和所述驱动电压线在所述显示区域中并且电连接至所述薄膜晶体管，
其中所述第一布线层和所述第二布线层中的一个是所述数据线，并且所述第一布线层和所述第二布线层中的另一个是所述驱动电压线。
17.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括第三导电层，所述第三导电层在所述开口内并且包括与所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同的材料。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述连接导电层通过限定在所述有机绝缘层中的附加的接触孔连接所述第三导电层。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述连接导电层包括多个子连接导电层，并且所述多个子连接导电层中的每一个连接所述第一导电层至所述第三导电层中两个相邻的导电层。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述基板包括塑料层，并且所述有机绝缘层的在所述开口内的至少一部分通过所述开口直接接触所述塑料层。
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