CN109786394A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括具有显示区域和设置在显示区域的外部的外围区域的基底。显示区域包括多个像素。显示装置还包括设置在显示区域中的无机绝缘层。无机绝缘层包括设置在所述多个像素之间的区域中的沟槽。显示装置还包括填充沟槽的有机材料层、第一连接布线和第二连接布线。第一连接布线设置在有机材料层上，与所述多个像素叠置，并且在第二方向上延伸。第二连接布线与第一连接布线绝缘并且在与第二方向交叉的第一方向上延伸。

Description

显示装置
本申请要求于2017年11月15日提交的第10-2017-0152503号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
发明的示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括显示元件和控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件包括例如薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和布线。
增加电连接到一个显示元件的TFT的数量和将电信号传输到TFT的布线的数量可以引起更精确地控制显示元件的发射和发射程度的能力。
发明内容
发明构思的示例性实施例包括一种具有增加的强度以免受外部冲击影响的柔性显示装置。
根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括具有显示区域和设置在显示区域的外部的外围区域的基底。显示区域包括多个像素。显示装置还包括设置在显示区域中的无机绝缘层。无机绝缘层包括设置在所述多个像素之间的区域中的沟槽。显示装置还包括填充沟槽的有机材料层、第一连接布线和第二连接布线。第一连接布线设置在有机材料层上，与所述多个像素叠置，并且在第二方向上延伸。第二连接布线与第一连接布线绝缘并且在与第二方向交叉的第一方向上延伸。
在示例性实施例中，有机材料层围绕所述多个像素的至少一些。
在示例性实施例中，有机材料层围绕所述多个像素中的每个。
在示例性实施例中，所述多个像素包括在第二方向上彼此相邻设置的第一像素和第二像素，第一像素的扫描线通过有机材料层与第二像素的扫描线分隔开，第一像素的扫描线通过第一连接布线连接到第二像素的扫描线。
在示例性实施例中，第一连接布线的伸长率比第一像素的扫描线的伸长率大，第一连接布线的伸长率比第二像素的扫描线的伸长率大。
在示例性实施例中，有机材料层延伸到无机绝缘层的上表面。
在示例性实施例中，显示装置还包括覆盖第一连接布线的层间绝缘层。层间绝缘层包括使有机材料层暴露的开口。显示装置还包括填充所述开口的上有机材料层。
在示例性实施例中，有机材料层的上表面的至少一部分包括不平坦表面。
在示例性实施例中，所述多个像素中的每个包括驱动薄膜晶体管和存储电容器，驱动薄膜晶体管与存储电容器叠置。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在外围区域中的弯曲区域中的可弯曲有机材料层。弯曲区域围绕在第二方向上延伸的弯曲轴弯曲。显示装置还包括在第一方向上在可弯曲有机材料层之上通过的扇出布线。
在示例性实施例中，可弯曲有机材料层利用与有机材料层的材料相同的材料与有机材料层同时形成，扇出布线利用与第一连接布线或第二连接布线的材料相同的材料与第一连接布线或第二连接布线同时形成。
根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域；第一像素；第二像素，在显示区域中在第二方向上与第一像素相邻设置；至少一条第一连接布线，将第一像素连接到第二像素；第一扫描线，包括在第一像素中并且在第二方向上延伸；第二扫描线，包括在第二像素中并且在第二方向上延伸；以及栅极绝缘层，覆盖第一扫描线和第二扫描线。栅极绝缘层包括设置在第一像素与第二像素之间的区域中的沟槽。显示装置还包括：有机材料层，填充沟槽；以及扫描连接线，设置在栅极绝缘层和有机材料层之上。扫描连接线通过接触孔将第一扫描线连接到第二扫描线，扫描连接线包括在所述至少一条第一连接布线中。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示区域中的第三像素。第三像素在与第二方向交叉的第一方向上与第一像素相邻。显示装置还包括将第一像素连接到第三像素的至少一条第二连接布线。包括在第一像素中的第一半导体层通过有机材料层与包括在第三像素中的第三半导体层分隔开，包括在所述至少一条第二连接布线中的中间连接线横跨有机材料层并且通过接触孔将第一半导体层连接到第三半导体层。
在示例性实施例中，所述至少一条第一连接布线通过层间绝缘层与所述至少一条第二连接布线绝缘。
在示例性实施例中，所述至少一条第二连接布线还包括驱动电压线和数据线。
在示例性实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括驱动薄膜晶体管和存储电容器。驱动薄膜晶体管与存储电容器叠置，第一像素的存储电容器的上电极通过包括在所述至少一条第一连接布线中的网格连接线连接到第二像素的存储电容器的上电极。
在示例性实施例中，显示装置还包括覆盖所述至少一条第一连接布线的层间绝缘层。层间绝缘层包括使有机材料层暴露的开口。显示装置还包括填充层间绝缘层的开口的上有机材料层。
在示例性实施例中，所述至少一条第一连接布线的伸长率比第一扫描线的伸长率或第二扫描线的伸长率大。
在示例性实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括有机发光二极管，该有机发光二极管包括像素电极、面对像素电极的对电极以及设置在像素电极与对电极之间的中间层。中间层包括有机发射层。第一像素和第二像素中的每个还包括覆盖有机发光二极管的封装层。封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和设置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。
在示例性实施例中，显示装置的显示区域是可折叠的或可卷曲的。
如上所述，根据发明构思的示例性实施例的显示装置包括具有设置在多个像素之间的区域中的沟槽的无机绝缘层以及填充沟槽的有机材料层，从而得到具有增加的强度以免受外部冲击影响的改善的柔性显示装置。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的框图。
图3是根据发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的一个像素的等效电路图。
图4是示出根据发明构思的示例性实施例的相邻像素的存储电容器和多个薄膜晶体管的位置的平面图。
图5至图9是针对每层示出根据发明构思的示例性实施例的图4中示出的诸如存储电容器和多个薄膜晶体管的元件的平面图。
图10是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。
图11是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线III-III'截取的剖视图。
图12是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图13是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图14是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图15是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图16是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。
图17是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。
图18是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的图。
图19是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的图。
图20是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的图。
图21是示出来自关于发明构思的示例性实施例和对比示例的外部冲击实验的数据的图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述发明构思的示例性实施例。贯穿附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。
将理解的是，在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来将一个元件与另一元件区分开，并且元件不受这些术语限制。因此，示例性实施例中的“第一”元件可以在另一示例性实施例中被描述为“第二”元件。
如在这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”、“结合到”另一组件或“与”另一组件“相邻”时，该组件可以直接在所述另一组件上、直接连接到、直接结合到所述另一组件或与所述另一组件直接相邻，或者可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，该组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或更多个中间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，该组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或更多个中间组件也可以覆盖所述另一组件。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
可以包括诸如以有机发光二极管(OLED)为例的各种显示元件的像素PX可以布置在基底110的显示区域DA中。传输将被施加到显示区域DA的电信号的各种布线可以布置在基底110的外围区域PA中。在显示区域DA中显示图像。在下文中，为了便于描述，描述了包括作为显示元件的OLED的显示装置。然而，发明构思不限于此。例如，发明构思的示例性实施例可应用于各种类型的显示装置，诸如液晶显示装置、电泳显示装置和无机EL显示装置。
图2是根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的框图。
根据参照图2描述的示例性实施例的有机发光显示装置包括包含多个像素PX的显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
显示单元10包括在显示区域DA中布置在多条扫描线SL1至SLn+1、多条数据线DL1至DLm和多条发射控制线EL1至ELn的交叉处的多个像素PX。像素PX以矩阵布置。多条扫描线SL1至SLn+1和多条发射控制线EL1至ELn在第二方向上延伸，多条数据线DL1至DLm和驱动电压线ELVDDL在第一方向上延伸。第一方向在这里也可以被称为列方向，第二方向在这里也可以被称为行方向。在一条像素线中，多条扫描线SL1至SLn+1的n值可以与多条发射控制线EL1至ELn的n值不同。
每个像素PX连接到与显示单元10连接的多条扫描线SL1至SLn+1之中的三条扫描线。扫描驱动器20产生三个扫描信号并且通过多条扫描线SL1至SLn+1向每个像素PX传输扫描信号。例如，扫描驱动器20向扫描线SL2至SLn、前一扫描线SL1至SLn-1或下一扫描线SL3至SLn+1顺序地供应扫描信号。
初始化电压线IL可以从外部电源VINT接收初始化电压并且向每个像素PX供应初始化电压。
每个像素PX连接到与显示单元10连接的多条数据线DL1至DLm中的一条，并且连接到与显示单元10连接的多条发射控制线EL1至ELn中的一条。
数据驱动器30通过多条数据线DL1至DLm向每个像素PX传输数据信号。当向扫描线SL1至SLn+1供应扫描信号时，向由扫描信号选择的像素PX供应数据信号。
发射控制驱动器40产生发射控制信号并且通过多条发射控制线EL1至ELn向每个像素PX传输发射控制信号。发射控制信号控制像素PX的发射时间。在示例性实施例中，根据像素PX的内部结构，可以省略发射控制驱动器40。
控制器50将从显示装置外部接收的多个图像信号IR、IG和IB转换为多个图像数据信号DR、DG和DB，并且向数据驱动器30传输多个图像数据信号DR、DG和DB。控制器50还可以接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK。控制器50产生用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的控制信号，并且分别向适当的驱动器传输所产生的控制信号。例如，控制器50产生控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS和控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS，并且分别向适当的驱动器传输所产生的控制信号。
像素PX中的每个接收外部驱动电源电压ELVDD和共电源电压ELVSS。驱动电源电压ELVDD可以是预设的高电平电压，共电源电压ELVSS可以是比驱动电源电压ELVDD低的电压或接地电压。通过驱动电压线ELVDDL向每个像素PX供应驱动电源电压ELVDD。
像素PX中的每个响应于通过数据线DL1至DLm传输的数据信号而通过利用供应到发光元件的驱动电流来发射预设亮度的光。
图3是根据发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图3，像素PX包括信号线121、122、123和151、连接到信号线的多个薄膜晶体管(TFT)T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst、初始化电压线131、驱动电压线152以及有机发光二极管(OLED)OLED。存储电容器Cst包括第一电极C1和第二电极C2。
虽然图3示出了每个像素PX包括信号线121、122、123和151、初始化电压线131以及驱动电压线152的示例性实施例，但是发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，信号线121、122、123和151以及/或者初始化电压线131中的至少一条可以被相邻像素PX共用。
TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线包括传输扫描信号Sn的扫描线121、向第一初始化TFT T4和第二初始化TFTT7传输前一扫描信号Sn-1的前一扫描线122、向操作控制TFT T5和发射控制TFT T6传输发射控制信号En的发射控制线123以及与扫描线121交叉并且传输数据信号Dm的数据线151。驱动电压线152向驱动TFT T1传输驱动电源电压ELVDD，初始化电压线131传输使驱动TFTT1和OLED OLED的像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一电极C1，驱动TFT T1的驱动源电极S1通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线152，驱动TFT T1的驱动漏电极D1通过发射控制TFT T6电连接到OLED OLED的像素电极。驱动TFT T1响应于开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm并且向OLED OLED供应驱动电流IOLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2连接到扫描线121，开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线151，开关TFT T2的开关漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线152。开关TFT T2响应于通过扫描线121传输的扫描信号Sn而导通，并且执行向驱动TFT T1的驱动源电极S1传输通过数据线151传输的数据信号Dm的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线121，补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且通过发射控制TFT T6连接到OLED OLED的像素电极，补偿TFT T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一电极C1、第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3响应于通过扫描线121传输的扫描信号Sn而导通并且通过将驱动TFT T1的驱动栅电极G1电连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1来使驱动TFT T1二极管连接。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线122，第一初始化TFTT4的第一初始化漏电极D4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线131，第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4连接到存储电容器Cst的第一电极C1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4响应于通过前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且通过向驱动TFT T1的驱动栅电极G1传输初始化电压Vint来执行使驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线123，操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线152，操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线123，发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3，发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和OLED OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6响应于通过发射控制线123传输的发射控制信号En而同时导通。因此，驱动电源电压ELVDD被传输到OLED OLED，因此，引起驱动电流IOLED流过OLED OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线122，第二初始化TFT的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和OLED OLED的像素电极，第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和初始化电压线131。第二初始化TFT T7响应于通过前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1而导通以使OLED OLED的像素电极初始化。
虽然图3示出了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线122的示例性实施例，但是发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线122并且响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动，第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并且响应于通过该单独的信号线传输的信号而被驱动。如图3的示例性实施例中所示的源电极S1至S7和漏电极D1至D7的位置可以根据晶体管的类型(例如，p型或n型)而改变。
下面描述根据发明构思的示例性实施例的每个像素PX的具体操作。
在初始化时间段期间，当通过前一扫描线122供应前一扫描信号Sn-1时，第一初始化TFT T4响应于前一扫描信号Sn-1而导通，驱动TFT T1通过经由初始化电压线131供应的初始化电压Vint而初始化。
在数据编程时间段期间，当通过扫描线121供应扫描信号Sn时，开关TFT T2和补偿TFT T3响应于扫描信号Sn而导通。在这种情况下，驱动TFT T1通过导通的补偿TFT T3而二极管连接并且正向偏置。
然后，向驱动TFT T1的驱动栅电极G1施加补偿电压(Dm+Vth)，补偿电压(Dm+Vth)从数据信号Dm减小驱动TFT T1的阈值电压(Vth)(数据信号Dm通过数据线151供应，Vth具有负值)。
向存储电容器Cst的两个相对端施加驱动电源电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)，并且与两个相对端之间的电压差对应的电荷存储在存储电容器Cst中。
在发射时间段期间，操作控制TFT T5和发射控制TFT T6响应于通过发射控制线123供应的发射控制信号En而导通。同驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压与驱动电源电压ELVDD之间的电压差对应的驱动电流IOLED产生，并且通过发射控制TFT T6向OLED OLED供应驱动电流IOLED。
图4是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置中的彼此相邻设置的像素PX1、PX2和PX3的存储电容器以及多个薄膜晶体管的位置的平面图。图5至图9是针对每层示出根据发明构思的示例性实施例的图4中示出的诸如存储电容器和多个薄膜晶体管的元件的平面图。图10是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线I-I'和线II-II'截取的剖视图。
参照图4至图10，根据发明构思的示例性实施例的显示装置包括无机绝缘层和有机材料层161，无机绝缘层包括设置在多个像素之间的区域中的沟槽GR，有机材料层161填充沟槽GR。显示装置可以包括设置在有机材料层161上的第一连接布线140。第一连接布线140在第二方向上延伸并且在第二方向上跨过有机材料层161。显示装置还可以包括设置在有机材料层161上的第二连接布线150。第二连接布线150在第一方向上延伸并且在第一方向上跨过有机材料层161。根据示例性实施例，显示装置可以包括第一连接布线140和/或第二连接布线150。第一方向与第二方向交叉。
在这里，将理解的是，术语“在多个像素之间”可以表示“在多个像素电路之间”。像素电路用于驱动显示元件(例如，OLED)，并且是不包括显示元件的像素电极的部分。
在这里，在示例性实施例中，设置在第一连接布线140下方并且包括无机材料的阻挡层101、缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114可以统称为无机绝缘层。无机绝缘层包括设置在相邻像素之间的区域中的沟槽GR。
图10示出了无机绝缘层包括沟槽GR。例如，在示例性实施例中，阻挡层101关于作为相邻像素的第一像素PX1和第二像素PX2是连续的。缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114可以分别包括位于相邻像素之间的区域中的开口111a、112a、113a和114a。如图10中所示，在示例性实施例中，开口111a、112a、113a和114a形成沟槽GR。
例如，在示例性实施例中，阻挡层101关于第一像素PX1和第二像素PX2连续地形成并且不包括形成在其中的开口或裂口，沟槽GR以分别在缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114中形成开口111a、112a、113a和114a的方式在第一像素PX1与第二像素PX2之间的区域中的无机绝缘层中形成在阻挡层101上方。
因此，包括阻挡层101、缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114的无机绝缘层包括位于相邻像素之间的区域中的沟槽GR。沟槽GR也可以被称为形成在无机绝缘层中的凹槽。
在这里，将理解的是，如下面进一步详细描述的，无机绝缘层的沟槽可以表示沟槽部分地延伸穿过包括在无机绝缘层中的层中的一些而不是全部的结构，或者沟槽完全延伸穿过包括在无机绝缘层中的层的全部以暴露基底110的结构。
无机绝缘层可以包括与上述的沟槽GR不同的各种类型的沟槽。例如，在示例性实施例中，阻挡层101的上表面的一部分被去除，而缓冲层111的下表面未被去除。
无机绝缘层的沟槽GR的宽度GRW可以是若干μm。例如，无机绝缘层的沟槽GR的宽度GRW可以具有大约5μm至大约10μm之间的值。
为了形成沟槽GR，在形成第三栅极绝缘层114之后，可以执行单独的掩模工艺和蚀刻工艺。可以通过蚀刻工艺形成分别形成在缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114中的开口111a、112a、113a和114a。蚀刻工艺可以是例如干法蚀刻工艺。
有机材料层161填充无机绝缘层的沟槽GR。第一连接布线140和第二连接布线150在有机材料层161所在的区域中设置在有机材料层161之上。下面进一步详细地描述有机材料层161。
无机绝缘层的沟槽GR的至少一部分和有机材料层161可以设置在多个像素之间。例如，在图4中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161围绕像素PX1和PX2。例如，有机材料层161围绕第一像素PX1的外围和第二像素PX2的外围。例如，在示例性实施例中，如图4中所示，沟槽GR可以包括在第一方向和第二方向上延伸的多个部分，所述多个部分形成相邻地围绕像素并且将像素彼此分离的网格。然而，发明构思不限于此。
例如，在示例性实施例中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以在第一像素PX1与第二像素PX2之间的区域中在第一方向上延伸，而不围绕第一像素PX1与第二像素PX2。可选择地，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以在像素之间的区域中在第二方向上延伸。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161减少外部冲击对显示装置的影响。例如，参照无机绝缘层不包括沟槽GR的对比示例，因为无机绝缘层的硬度比有机材料层161的硬度高，所以由于外部冲击而在无机绝缘层中发生裂纹的可能性高。在不包括沟槽GR的无机绝缘层中发生裂纹的情况下，在设置在无机绝缘层中或上方的各种信号线中发生裂纹的可能性高。因此，会发生诸如断开的缺陷。
相反，参照根据发明构思的示例性实施例的显示装置，因为无机绝缘层包括位于像素之间的区域中的沟槽GR并且有机材料层161填充沟槽GR，所以即使当外部冲击施加到显示装置时，裂纹传播的可能性也低。此外，因为有机材料层161的硬度比无机绝缘层的硬度低，所以有机材料层161可以吸收来自外部冲击的应力，并且因此有效地降低设置在有机材料层161之上的第一连接布线140和第二连接布线150上的应力集中。
在示例性实施例中，第一连接布线140和第二连接布线150设置在有机材料层161之上并且将像素彼此连接。在示例性实施例中，第一连接布线140和第二连接布线150在有机材料层161所不处在的区域中设置在无机绝缘层之上。第一连接布线140和第二连接布线150可以用作将电信号传输到像素的布线。
因为第一连接布线140和第二连接布线150将像素彼此连接，所以第一连接布线140和第二连接布线150与显示装置的其他布线相比更长。因此，应力施加到第一连接布线140和第二连接布线150的可能性会高。
因此，可以通过包括具有高伸长率的材料的第一连接布线140和第二连接布线150来防止第一连接布线140和第二连接布线150中的诸如裂纹或断开的缺陷。例如，第一连接布线140和第二连接布线150可以包括铝(Al)。第一连接布线140和第二连接布线150可以具有多层结构。在示例性实施例中，第一连接布线140和第二连接布线150可以具有钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的堆叠结构。在示例性实施例中，第一连接布线140和第二连接布线150的伸长率可以比设置在其下方的导电层的伸长率高。
在下文中，参照图4至图10进一步详细地描述根据示例性实施例的显示装置。
图5至图9中的每个示出了布置在同一层中的布线、电极、半导体层等的布置。绝缘层可以设置在图5至图8中示出的层之间。例如，第一栅极绝缘层112(参见图10)可以设置在图5中示出的层与图6中示出的层之间。第二栅极绝缘层113(参见图10)可以设置在图6中示出的层与图7中示出的层之间。第三栅极绝缘层114(参见图10)可以设置在图7中示出的层与图8中示出的层之间。层间绝缘层115(参见图10)可以设置在图8中示出的层与图9中示出的层之间。图5至图9中示出的层可以通过限定在上述的绝缘层中的至少一些中的接触孔彼此电连接。
参照图4、图5和图10，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的对应的半导体层AS1至AS7设置在同一层中并且包括相同的材料。例如，半导体层AS1至AS7可以包括多晶硅。
半导体层AS1至AS7设置在缓冲层111(参见图10)上，缓冲层111设置在基底110之上。基底110可以包括例如玻璃材料、金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺(PI)的塑料材料。缓冲层111可以包括例如以SiOx为例的氧化物层和/或以SiNx为例的氮化物层。
基底110可以包括例如玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。在基底110包括柔性或可弯曲材料的情况下，基底110可以包括诸如以聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、PEN、PET、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、PI、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)为例的聚合物树脂。基底110可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。多层结构还可以包括无机层。在示例性实施例中，基底110可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
阻挡层101可以进一步设置在基底110与缓冲层111之间。阻挡层101可以防止杂质从基底110等向半导体层AS1至AS7中的渗透或者使杂质从基底110等向半导体层AS1至AS7中的渗透最小化。阻挡层101可以包括例如无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括例如无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
缓冲层111可以增加基底110的上表面的平坦化，并且可以包括无机材料，诸如以氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅为例。
驱动TFT T1的驱动半导体层AS1、开关TFT T2的开关半导体层AS2、补偿TFT T3的补偿半导体层AS3、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层AS4、操作控制TFT T5的操作控制半导体层AS5、发射控制TFT T6的发射控制半导体层AS6和第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层AS7可以彼此连接，并且可以以各种形状弯曲。
半导体层AS1至AS7中的每个可以包括沟道区以及分别位于沟道区的相对侧处的源区和漏区。例如，源区和漏区可以掺杂有杂质，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区分别与源电极和漏电极对应。在下文中，源区和漏区也可以分别被称为源电极和漏电极。
驱动半导体层AS1包括驱动沟道区A1以及分别位于驱动沟道区A1的相对侧处的驱动源区S1和驱动漏区D1。驱动半导体层AS1可以具有弯曲形状，因此，驱动沟道区A1可以形成为比其他沟道区A2至A7长。例如，驱动沟道区A1的长度可以大于其他沟道区A2至A7的长度。例如，驱动半导体层AS1可以通过具有多次弯曲的形状(形成诸如以欧米伽(Omega)符号或字母“S”为例的形状)而在窄空间中形成长沟道。因为驱动沟道区A1的长度长，所以施加到驱动栅电极G1的栅极电压的驱动范围变宽，因此，可以精确地控制从OLED OLED发射的光的灰度级，从而改善显示质量。
开关半导体层AS2包括开关沟道区A2以及分别位于开关沟道区A2的相对侧处的开关源区S2和开关漏区D2。开关漏区D2连接到驱动源区S1。
补偿半导体层AS3包括补偿沟道区A3a和A3c以及分别位于补偿沟道区A3a和A3c的相对侧处的补偿源区S3和补偿漏区D3。通过补偿半导体层AS3形成的补偿TFT T3包括双晶体管并且包括两个补偿沟道区A3a和A3c。位于补偿沟道区A3a和A3c之间的区域A3b是掺杂有杂质的区域，并且局部地用作双晶体管中的一个的源区并同时用作双晶体管中的另一个的漏区。
第一初始化半导体层AS4包括第一初始化沟道区A4a和A4c以及分别位于第一初始化沟道区A4a和A4c的相对侧处的第一初始化源区S4和第一初始化漏区D4。通过第一初始化半导体层AS4形成的第一初始化TFT T4包括双晶体管并且包括两个第一初始化沟道区A4a和A4c。位于第一初始化沟道区A4a和A4c之间的区域A4b是掺杂有杂质的区域，并且局部地用作双晶体管中的一个的源区并同时用作双晶体管中的另一个的漏区。
操作控制半导体层AS5包括操作控制沟道区A5以及分别位于操作控制沟道区A5的相对侧处的操作控制源区S5和操作控制漏区D5。操作控制漏区D5可以连接到驱动源区S1。
发射控制半导体层AS6包括发射控制沟道区A6以及分别位于发射控制沟道区A6的相对侧处的发射控制源区S6和发射控制漏区D6。发射控制源区S6可以连接到驱动漏区D1。
第二初始化半导体层AS7包括第二初始化沟道区A7以及分别位于第二初始化沟道区A7的相对侧处的第二初始化源区S7和第二初始化漏区D7。
第一栅极绝缘层112(参见图10)设置在半导体层AS1至AS7上。第一栅极绝缘层112可以包括例如包括氧化物或氮化物的无机材料。例如，第一栅极绝缘层112可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
在这里描述的示例性实施例中，像素的半导体层AS1至AS7彼此分离。例如，第一像素PX1的半导体层AS1至AS7与第二像素PX2的半导体层AS1至AS7分隔开。
参照图4、图6和图10，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1设置在第一栅极绝缘层112之上。扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1设置在同一层中，并且包括相同的材料。例如，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1可以包括Mo、Cu和Ti，并且可以包括单层或多层。
驱动栅电极G1是岛型电极并且与驱动半导体层AS1的驱动沟道区A1叠置。驱动栅电极G1用作驱动TFT T1的栅电极并且也用作存储电容器Cst的第一电极C1。例如，驱动栅电极G1和第一电极C1可以是一体。
扫描线121、前一扫描线122和发射控制线123的突出部分与TFT T2至T7的栅电极对应。
扫描线121的与开关沟道区A2以及补偿沟道区A3a和A3c叠置的区域分别对应于开关栅电极G2以及补偿栅电极G3a和G3b。前一扫描线122的与第一初始化沟道区A4a和A4c以及第二初始化沟道区A7叠置的区域分别对应于第一初始化栅电极G4a和G4b以及第二初始化栅电极G7。发射控制线123的与操作控制沟道区A5和发射控制沟道区A6叠置的区域分别对应于操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。
补偿栅电极G3a和G3b是包括第一补偿栅电极G3a和第二补偿栅电极G3b的双栅电极，并且可以防止或减少漏电流的发生。
在这里描述的示例性实施例中，像素的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1彼此分离。例如，第一像素PX1的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1分别与第二像素PX2的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1分隔开。
第一像素PX1的扫描线121、前一扫描线122和发射控制线123可以通过设置在不同的层中的第一连接布线140分别向后连接到第二像素PX2的扫描线121、前一扫描线122和发射控制线123。
第二栅极绝缘层113(参见图10)设置在扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和驱动栅电极G1之上。第二栅极绝缘层113可以包括例如包括氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅极绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
参照图4、图7和图10，存储电容器Cst的第二电极C2和初始化电压线131设置在第二栅极绝缘层113上。
存储电容器Cst的第二电极C2和初始化电压线131设置在同一层中并且包括相同的材料。例如，存储电容器Cst的第二电极C2和初始化电压线131可以包括包含例如Mo、Cu和Ti的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。
在这里描述的示例性实施例中，像素的存储电容器Cst的第二电极C2和初始化电压线131彼此分离。例如，第一像素PX1的存储电容器Cst的第二电极C2与第二像素PX2的存储电容器Cst的第二电极C2分隔开，第一像素PX1的初始化电压线131与第二像素PX2的初始化电压线131分隔开。
第三栅极绝缘层114(参见图10)设置在存储电容器Cst的第二电极C2和初始化电压线131上。第三栅极绝缘层114可以包括包含例如氧化物或氮化物的无机材料。例如，第三栅极绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
参照图4、图8和图10，在第二方向上延伸的第一连接布线140设置在第三栅极绝缘层114上。第一连接布线140从第一像素PX1延伸到第二像素PX2并且将第一像素PX1连接到第二像素PX2。第一连接布线140可以连接在第二方向上布置的像素。
在这里描述的示例性实施例中，设置在第一连接布线140下方的诸如半导体层AS1至AS7、信号线121、122和123、初始化电压线131以及存储电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2的导电层针对每个像素分离。因此，可以防止或减少会从一个像素到另一像素发生的应力的传播。因为第一连接布线140可以包括具有高伸长率的材料，所以可以使由应力引起的缺陷最小化。
第一连接布线140可以包括发射控制连接线141、网格连接线142、扫描连接线143、前一扫描连接线144和初始化电压连接线145。
发射控制连接线141通过穿过第三栅极绝缘层114和第二栅极绝缘层113的接触孔CNT1a和CNT1b将第一像素PX1的发射控制线123连接到第二像素PX2的发射控制线123。发射控制连接线141可以与第一像素PX1的发射控制线123以及第二像素PX2的发射控制线123叠置，并且在第二方向上延伸。
网格连接线142通过穿过第三栅极绝缘层114的接触孔CNT3a和CNT2b将第一像素PX1的第二电极C2连接到第二像素PX2的第二电极C2。因为存储电容器Cst的第二电极C2连接到驱动电压线152并且因此接收驱动电源电压，所以网格连接线142可以将驱动电源电压传输到在第二方向上布置的像素。由于网格连接线142，所以即使不确保布置有在第一方向上延伸的单独的驱动电压线的空间，也可以形成具有网格结构的驱动电压线。因此，可以进一步确保存储电容器Cst的空间，因此，可以实现高质量的显示装置。
扫描连接线143通过穿过第三栅极绝缘层114和第二栅极绝缘层113的接触孔CNT4a和CNT4b将第一像素PX1的扫描线121连接到第二像素PX2的扫描线121。扫描连接线143可以与第一像素PX1的扫描线121以及第二像素PX2的扫描线121叠置，并且在第二方向上延伸。
前一扫描连接线144通过穿过第三栅极绝缘层114和第二栅极绝缘层113的接触孔CNT5a和CNT5b将第一像素PX1的前一扫描线122连接到第二像素PX2的前一扫描线122。前一扫描连接线144可以与第一像素PX1的前一扫描线122以及第二像素PX2的前一扫描线122叠置，并且在第二方向上延伸。
初始化电压连接线145通过穿过第三栅极绝缘层114的接触孔CNT6a和CNT6b将第一像素PX1的初始化电压线131连接到第二像素PX2的初始化电压线131。初始化电压连接线145可以与第一像素PX1的初始化电压线131以及第二像素PX2的初始化电压线131叠置，并且在第二方向上延伸。
如上所述，因为第一连接布线140在设置在第一像素PX1与第二像素PX2之间的有机材料层161之上通过并且将第一像素PX1连接到第二像素PX2，所以第一连接布线140可以将电信号供应到像素。
层间绝缘层115(参见图10)可以设置在第一连接布线140上。层间绝缘层115可以包括例如包括氧化物或氮化物的无机材料。例如，层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
参照图4、图9和图10，在第一方向上延伸的第二连接布线150设置在层间绝缘层115之上。第二连接布线150通过层间绝缘层115与第一连接布线140绝缘。第二连接布线150可以包括数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155。
数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155设置在同一层中并且包括相同的材料。例如，数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155可以包括具有高伸长率的导电材料。
例如，数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155可以包括铝。在示例性实施例中，数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线151通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT7连接到开关TFT T2的开关源区S2。数据线151可以连接在第一方向上布置的像素，例如，第一像素PX1和第三像素PX3。
驱动电压线152通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT8连接到操作控制TFT T5的操作控制源区S5。
驱动电压线152通过穿过层间绝缘层115和第三栅极绝缘层114的接触孔CNT9连接到存储电容器Cst的第二电极C2。驱动电压线152可以连接在第一方向上布置的像素，例如，第一像素PX1和第三像素PX3。
第一节点连接线153传输使驱动TFT T1和像素电极310(参见图10)初始化的初始化电压Vint。第一节点连接线153通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT11连接到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7，并且通过穿过层间绝缘层115和第三栅极绝缘层114的接触孔CNT17连接到初始化电压线131。
第二节点连接线154通过接触孔CNT12和CNT13将驱动栅电极G1连接到补偿TFT T3的补偿漏区D3。岛型的驱动栅电极G1可以通过第二节点连接线154电连接到补偿TFT T3。
中间连接线155可以通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT14连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源区S7。中间连接线155可以通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT15连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区D6。
数据线151、驱动电压线152和中间连接线155可以于在第一方向上的相邻像素以及第一像素PX1与第三像素PX3之间的有机材料层161之上通过，并且可以连接在第一方向上的相邻像素。
平坦化层116(参见图10)设置在数据线151、驱动电压线152、第一节点连接线153、第二节点连接线154和中间连接线155之上。平坦化层116可以包括例如有机材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。可选择地，平坦化层116可以包括无机材料。平坦化层116可以使覆盖TFT T1至T7的保护层的上部大体平坦化。平坦化层116可以包括单层或多层。
参照图10，有机材料层161填充第一像素PX1与第二像素PX2之间的无机绝缘层的沟槽GR的至少一部分。在示例性实施例中，有机材料层161不完全填充沟槽GR。例如，在示例性实施例中，有机材料层161填充沟槽GR的第一部分并且不填充沟槽GR的第二部分。
在示例性实施例中，有机材料层161完全填充沟槽GR。因此，可以有效地吸收外部冲击。例如，在示例性实施例中，有机材料层161延伸到无机绝缘层的上表面。在这种情况下，由于有机材料层161的特性，所以有机材料层161的上表面可以具有凸出形状。例如，如图10中所示，有机材料层161的最大高度h可以大于沟槽GR的深度d。
由有机材料层161的上表面和无机绝缘层的上表面形成的角可以在大约45°内。如果有机材料层161的上表面与无机绝缘层的上表面之间的边界区域的斜面太陡，则在使导电层图案化以形成第一连接布线140的工艺期间，导电层的导电材料在边界区域处不会被去除，而是会残留。在这种情况下，残留的导电材料会在其他导电层之间引起短路。因此，有机材料层161的上表面可以相对于无机绝缘层的上表面具有平缓的斜面。
有机材料层161可以包括例如亚克力、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚丙烯酸酯、聚芳酯(PAR)和HMDSO中的至少一种。
根据示例性实施例，有机材料层161在第一连接布线140下方设置在无机绝缘层的位于第一像素PX1与第二像素PX2之间的区域中的使第一像素PX1和第二像素PX2分离的沟槽GR中。因此，可以防止应力或裂纹从第一像素PX1向第二像素PX2的传播。
OLED OLED(参见图10)可以设置在平坦化层116之上。OLED OLED包括像素电极310、对电极330和布置在像素电极310与对电极330之间的中间层320。中间层320包括发射层。
像素电极310通过限定在平坦化层116中的接触孔CNT16连接到中间连接线155，并且通过中间连接线155连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区D6。
像素限定层117可以设置在平坦化层116之上。像素限定层117通过包括与每个子像素对应的开口(例如，使像素电极310的中央部分暴露的开口)来限定像素。像素限定层117可以通过增大像素电极310的边缘与位于像素电极310之上的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘处发生电弧或其他不期望的形成。像素限定层117可以包括例如以PI或HMDSO为例的有机材料。
OLED OLED的中间层320可以包括例如低分子材料或聚合物材料。在中间层320包括低分子材料的情况下，中间层320可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等以单一构造或复合构造堆叠的结构，并且可以包括各种有机材料，诸如以铜酞菁(CuPc)、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)为例。这些层可以例如通过真空蒸发形成。
在中间层320包括聚合物材料的情况下，中间层320可以大体具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括例如PEDOT，EML可以包括例如以聚苯撑-乙烯撑(PPV)类材料和聚芴类材料为例的聚合物材料。中间层320可以例如通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
中间层320的结构不限于上述的结构，并且可以具有各种结构。例如，在示例性实施例中，中间层320可以包括关于多个像素电极310具有一体的层，或者可以包括被图案化以分别与多个像素电极310对应的层。
对电极330设置在显示区域DA中。如图10中所示，对电极330可以设置为使得其覆盖显示区域DA。也就是说，对电极330可以关于多个OLED OLED形成为一体以与多个像素电极310对应。
因为OLED OLED会受外部湿气或氧的损坏，所以封装层400可以覆盖并且保护OLEDOLED。封装层400可以覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部。封装层400可以包括例如第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖对电极330，并且可以包括例如陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物、In2O3、SnO2、ITO、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。诸如以覆层为例的其他层可以包括在第一无机封装层410与对电极330之间。因为第一无机封装层410沿位于其下方的结构，所以第一无机封装层410的上表面未被平坦化。
有机封装层420覆盖第一无机封装层410。与第一无机封装层410不同，有机封装层420的上表面可以是基本平坦的。例如，有机封装层420的与显示区域DA对应的部分的上表面可以形成为基本平坦的。有机封装层420可包括例如亚克力、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛(POM)、PAR和HMDSO中的至少一种。
第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括例如陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物、In2O3、SnO2、ITO、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
因为封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二封装层430，所以即使在封装层400内部会发生裂纹，封装层400也可以通过上述的多层结构防止裂缝在第一无机封装层410与有机封装层420之间或在有机封装层420与第二无机封装层430之间扩展。因此，可以防止外部湿气或氧可渗透到显示区域DA中所通过的路径的形成或者可以使外部湿气或氧可渗透到显示区域DA中所通过的路径的形成最小化。
用于防止掩模的损坏的间隔件可以进一步设置在像素限定层117上，并且诸如以用于减少外部光反射的偏振层、黑矩阵、滤色器和/或包括触摸电极的触摸屏层为例的各种功能层可以设置在封装层400上。
图11是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线III-III'截取的剖视图。
参照图11，中间连接线155的一端通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT14连接到第一像素PX1的第二初始化TFT T7的第二初始化源区S7。
中间连接线155的另一端通过穿过层间绝缘层115、第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔CNT15连接到第三像素PX3的发射控制TFT T6的发射控制漏区D6。
中间连接线155在设置在第一像素PX1与第三像素PX3之间的有机材料层161之上通过，将第一像素PX1连接到第三像素PX3，并且在第一方向上延伸。有机材料层161可以在中间连接线155下方设置在无机绝缘层的位于第一像素PX1与第三像素PX3之间的区域中的使第一像素PX1与第三像素PX3分离的沟槽GR中。因此，可以防止应力或裂纹的传播。
图12至图15是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。例如，图12至图15是示出根据发明构思的示例性实施例的与图4中的线I-I'和线II-II'对应的位置的剖视图。在图12至图15中，与图10的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。为了便于解释，在这里可以省略前面描述的元件的详细描述。
参照图12，根据示例性实施例的显示装置还包括在像素之间的区域中形成在层间绝缘层115中的开口115a和填充开口115a的上有机材料层163。因此，第一连接布线140可以设置在有机材料层161与上有机材料层163之间。
在层间绝缘层115是无机绝缘层的情况下，可以通过在像素之间的区域中形成开口115a来防止施加到层间绝缘层115的应力的传播。因为上有机材料层163设置在开口115a中，所以上有机材料层163可以吸收施加到显示装置的应力。
因为有机材料层161设置在第一连接布线140下方，并且上有机材料层163设置在第一连接布线140上，所以第一连接布线140可以更强地抵抗外部应力。
上有机材料层163可以包括与有机材料层161的材料相同的材料。上有机材料层163可以包括例如亚克力、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、PAR和HMDSO中的至少一种。
参照图13，在示例性实施例中，位于第一像素PX1与第二像素PX2之间的沟槽GR1的形状与图10的示例性实施例中的沟槽GR的形状不同。
在图13中，在示例性实施例中，无机绝缘层之中的阻挡层101和缓冲层111关于像素是连续的。例如，阻挡层101和缓冲层111不包括形成在其中的开口或裂口。第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114分别包括位于相邻像素之间的区域中的开口112a、113a和114a。因此，包括阻挡层101、缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114的无机绝缘层可以理解为具有位于第一像素PX1与第二像素PX2之间的区域中的沟槽GR1。
可以通过在形成第三栅极绝缘层114之后利用单独的掩模工艺和蚀刻工艺形成沟槽GR1。因此，可以根据需要来形成无机绝缘层的沟槽GR1的形状。
可以例如通过形成第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114的对应的开口112a、113a和114a的蚀刻工艺来实现图13中示出的结构。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的沟槽形状可以变化。例如，根据示例性实施例，沟槽形状可以延伸穿过形成无机绝缘层的一些层或所有层。例如，在示例性实施例中，阻挡层101、缓冲层111和第一栅极绝缘层112可以关于第一像素PX1和第二像素PX2连续地形成，仅第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114可以分别具有形成沟槽的开口113a和114a，或者可以仅去除第二栅极绝缘层113的一部分。
有机材料层161可以填充沟槽GR1，连接相邻像素的第一连接布线140可以设置在有机材料层161上。
根据发明构思的示例性实施例，形成在无机绝缘层中的沟槽部分地延伸穿过无机绝缘层。例如，在图10和图12中示出的示例性实施例中，沟槽GR延伸穿过第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113、第一栅极绝缘层112和缓冲层111，但是不延伸穿过阻挡层101。在图13中示出的示例性实施例中，沟槽GR1延伸穿过第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112，但是不延伸穿过缓冲层111和阻挡层101。
根据发明构思的示例性实施例，形成在无机绝缘层中的沟槽完全延伸穿过无机绝缘层。例如，在图14中示出的示例性实施例中，沟槽GR2延伸穿过第三栅极绝缘层114、第二栅极绝缘层113、第一栅极绝缘层112、缓冲层111和阻挡层101。经由在相邻像素之间的区域中分别形成在阻挡层101、缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和第三栅极绝缘层114中的开口101a、111a、112a、113a和114a来形成图14中的沟槽GR2。
沟槽GR2的宽度可以是若干μm。可以通过在形成第三栅极绝缘层114之后执行单独的掩模工艺和干法蚀刻来形成沟槽GR2。因此，可以根据需要修改沟槽GR2的形状。
有机材料层161填充沟槽GR2，连接相邻像素的第一连接布线140可以设置在有机材料层161上。
根据发明构思的示例性实施例，沟槽(例如，GR、GR1、GR2)的宽度可以在朝向基底110的方向上逐渐减小。
参照图15，在示例性实施例中，有机材料层161具有形成在其上表面的至少一部分中的不平坦表面161s。根据示例性实施例，不平坦表面161s可以仅形成在有机材料层161的中央部分中或者可以形成在有机材料层161的整个表面上。
因为有机材料层161包括不平坦表面161s，所以第一连接布线140的设置在有机材料层161上的上表面和/或下表面可以具有与有机材料层161的不平坦表面161s对应的形状。
因为第一连接布线140关于像素长距离延伸，所以与其他布线相比，施加到第一连接布线140的应力的量可以较大。通过将第一连接布线140的上表面和/或下表面形成为具有与不平坦表面161s对应的形状，可以减少施加到第一连接布线140的拉应力的量。
在示例性实施例中，通过在有机材料层161的上表面的至少一部分中形成不平坦表面161s来增大有机材料层161的上表面的表面积以及第一连接布线140的上表面和下表面的表面积。有机材料层161的上表面以及第一连接布线140的上表面和下表面的宽的表面积意味着可以使有机材料层161和第一连接布线140的形状改变以减小拉应力的裕度大。
虽然这里示出的平面图示出为包括沟槽GR，但是将理解的是，平面图可以包括根据发明构思的示例性实施例的沟槽GR1或沟槽GR2。
图16和图17是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。
参照图16和图17，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以对像素进行分组并且围绕被分组的像素。例如，在图16中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161围绕两个像素，例如，第一像素PX1和第二像素PX2。在图17中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161围绕四个像素PX1、PX2、PX3和PX4。可以对被分组的像素的数量进行各种修改。
被分组的像素的数量可以相同或者可以根据一个显示装置内的位置而不同。例如，在很可能存在裂纹或应力的区域中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以围绕一个像素，而在剩余区域中，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以围绕多个像素。可选择地，无机绝缘层的沟槽GR和有机材料层161可以仅形成在显示区域DA的一部分中。
图18和图19是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的图。图18示出了显示区域被折叠，图19示出了显示区域被卷曲。
因为根据示例性实施例的显示装置在显示区域DA中包括无机绝缘层的沟槽GR和填充沟槽GR的有机材料层161，所以如图18和图19中所示，显示区域DA可以是可折叠的或可卷曲的。
例如，即使当显示区域DA折叠或卷曲时，因为显示装置包括无机绝缘层的沟槽GR，所以也减少了发生裂纹的可能性，填充无机绝缘层的沟槽GR的有机材料层161可以吸收由弯曲引起的拉应力。
图20是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的图。参照图20，根据示例性实施例的显示装置包括位于外围区域PA中的弯曲区域BA，弯曲区域BA围绕弯曲轴BAX弯曲。显示装置还可以包括位于弯曲区域BA中的弯曲沟槽GR'和填充弯曲沟槽GR'的弯曲有机材料层161'。显示装置还可以包括扇出布线150'，扇出布线150'设置在弯曲有机材料层161'之上，从显示区域DA延伸，并且跨过弯曲区域BA。
弯曲沟槽GR'表示形成在无机绝缘层的与弯曲区域BA对应的部分中的沟槽。当在显示区域DA中的无机绝缘层中形成沟槽GR(参见图10)时，可以同时形成弯曲沟槽GR'。
弯曲有机材料层161'可以填充弯曲沟槽GR'并吸收在显示装置弯曲时施加的拉应力。弯曲有机材料层161'可以与显示区域DA中的有机材料层161同时形成，并且可以包括与有机材料层161的材料相同的材料。
扇出布线150'表示将电信号传输到显示区域DA的设置在外围区域PA中的布线，电信号从布置在外围区域PA中的驱动集成电路(IC)或柔性印刷电路板提供。
扇出布线150'可以与显示区域DA中的第一连接布线140或第二连接布线150同时形成，并且可以包括与第一连接布线140或第二连接布线150的材料相同的材料。例如，扇出布线150'可以包括具有高伸长率的材料。例如，扇出布线150'可以包括铝。扇出布线150'可以具有多层结构。在示例性实施例中，Ti/Al/Ti的堆叠结构可应用于扇出布线150'。
通过该结构，根据示例性实施例的显示装置可以使显示区域DA和/或外围区域PA折叠或卷曲。
图21是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的抗冲击测试的结果的图。图21示出了当笔从预设高度落在显示区域DA上时半导体层与栅电极之间的漏电流的测量数据。
区域2101中的数据是与根据对比示例的显示装置对应的实验数据，在根据对比示例的显示装置中不在像素之间的区域中形成无机绝缘层的沟槽和有机材料层。区域2102中的数据是与根据发明构思的示例性实施例的显示装置对应的实验数据，在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中形成无机绝缘层的沟槽和有机材料层以围绕一个像素。
在对比示例中，当笔从大约3cm或更大的高度落下时，发生大约1.0E-11A或更大的漏电流。相反，根据发明构思的示例性实施例，即使当笔从大约7cm的高度落下时，也未发生大约1.0E-11A或更大的漏电流。因此，本发明构思的示例性实施例提供了抵抗外部冲击的改善的保护。
虽然已经参照发明构思的示例性实施例具体示出并描述了发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和设置在所述显示区域的外部的外围区域，其中，所述显示区域包括多个像素；
无机绝缘层，设置在所述显示区域中，其中，所述无机绝缘层包括设置在所述多个像素之间的区域中的沟槽；
有机材料层，填充所述沟槽；
第一连接布线，设置在所述有机材料层上，其中，所述第一连接布线与所述多个像素叠置并且在第二方向上延伸；以及
第二连接布线，与所述第一连接布线绝缘，其中，所述第二连接布线在与所述第二方向交叉的第一方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机材料层围绕所述多个像素中的至少一些。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机材料层围绕所述多个像素中的每个。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素包括在所述第二方向上彼此相邻设置的第一像素和第二像素，所述第一像素的扫描线通过所述有机材料层与所述第二像素的扫描线分隔开，并且所述第一像素的所述扫描线通过所述第一连接布线连接到所述第二像素的所述扫描线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一连接布线的伸长率比所述第一像素的所述扫描线的伸长率大，并且所述第一连接布线的所述伸长率比所述第二像素的所述扫描线的伸长率大。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机材料层延伸到所述无机绝缘层的上表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
层间绝缘层，覆盖所述第一连接布线，其中，所述层间绝缘层包括使所述有机材料层暴露的开口；以及
上有机材料层，填充所述开口。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机材料层的上表面的至少一部分包括不平坦表面。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括驱动薄膜晶体管和存储电容器，其中，所述驱动薄膜晶体管与所述存储电容器叠置。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
可弯曲有机材料层，设置在所述外围区域中的弯曲区域中，其中，所述弯曲区域围绕在所述第二方向上延伸的弯曲轴弯曲；以及
扇出布线，在所述第一方向上在所述可弯曲有机材料层之上通过。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述可弯曲有机材料层利用与所述有机材料层的材料相同的材料与所述有机材料层同时形成，并且所述扇出布线利用与所述第一连接布线或所述第二连接布线的材料相同的材料与所述第一连接布线或所述第二连接布线同时形成。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域；
第一像素；
第二像素，在所述显示区域中在第二方向上与所述第一像素相邻设置；
至少一条第一连接布线，将所述第一像素连接到所述第二像素；
第一扫描线，包括在所述第一像素中并且在所述第二方向上延伸；
第二扫描线，包括在所述第二像素中并且在所述第二方向上延伸；
栅极绝缘层，覆盖所述第一扫描线和所述第二扫描线，其中，所述栅极绝缘层包括设置在所述第一像素与所述第二像素之间的区域中的沟槽；
有机材料层，填充所述沟槽；以及
扫描连接线，设置在所述栅极绝缘层和所述有机材料层之上，
其中，所述扫描连接线通过接触孔将所述第一扫描线连接到所述第二扫描线，所述扫描连接线包括在所述至少一条第一连接布线中。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三像素，设置在所述显示区域中，其中，所述第三像素在与所述第二方向交叉的第一方向上与所述第一像素相邻；以及
至少一条第二连接布线，将所述第一像素连接到所述第三像素，
其中，包括在所述第一像素中的第一半导体层通过所述有机材料层与包括在所述第三像素中的第三半导体层分隔开，并且包括在所述至少一条第二连接布线中的中间连接线横跨所述有机材料层并且通过接触孔将所述第一半导体层连接到所述第三半导体层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述至少一条第一连接布线通过层间绝缘层与所述至少一条第二连接布线绝缘。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述至少一条第二连接布线还包括驱动电压线和数据线。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个像素包括驱动薄膜晶体管和存储电容器，所述驱动薄膜晶体管与所述存储电容器叠置，并且所述第一像素的所述存储电容器的上电极通过包括在所述至少一条第一连接布线中的网格连接线连接到所述第二像素的所述存储电容器的上电极。
17.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
层间绝缘层，覆盖所述至少一条第一连接布线，其中，所述层间绝缘层包括使所述有机材料层暴露的开口；以及
上有机材料层，填充所述层间绝缘层的所述开口。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述至少一条第一连接布线的伸长率比所述第一扫描线的伸长率或所述第二扫描线的伸长率大。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个像素包括：
有机发光二极管，包括像素电极、面对所述像素电极的对电极以及设置在所述像素电极与所述对电极之间的中间层，其中，所述中间层包括有机发射层；以及
封装层，覆盖所述有机发光二极管，其中，所述封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和设置在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置的所述显示区域是可折叠的或可卷曲的。
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