CN107579094A - 具有保护性结构的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括基底，基底包括构造为显示图像的显示区域以及设置在显示区域的至少一侧上的非显示区域。多个像素设置在显示区域中。有机绝缘层设置在基底上。像素限定层设置在有机绝缘层上。密封层至少部分覆盖显示区域和非显示区域，并包括无机材料。有机绝缘层和像素限定层具有设置于其中的凹谷。凹谷通过沿显示区域的周界去除有机绝缘层和像素限定层的一部分来形成。

Description

具有保护性结构的显示装置
本申请要求于2016年7月4日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0084417号韩国专利申请以及于2016年10月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0133504号韩国专利申请的优先权，这些韩国专利申请中的每个的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有保护性结构的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置可包括均具有发光的有机发光器件(OLED)的多个像素。有机发光器件可包括两个电极以及置于两个电极之间的有机发射层。通过使从电极中的一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴复合可形成激子。电子和空穴的复合发生在有机发射层中。当这些激子释放能量时，有机发光器件可发光。可以通过密封层密封有机发光器件来保护OLED免受污染。
发明内容
一种显示装置包括基底，基底包括构造为显示图像的显示区域以及设置在显示区域的至少一侧上的非显示区域。多个像素设置在显示区域中。有机绝缘层设置在基底上。像素限定层设置在有机绝缘层上。密封层至少部分覆盖显示区域和非显示区域，并包括无机材料。有机绝缘层和像素限定层具有设置于其中的凹谷。凹谷通过沿显示区域的周界去除有机绝缘层和像素限定层的一部分来形成。
一种有机发光显示(OLED)装置包括基底。多个OLED像素设置在基底的显示区域上。密封层至少部分覆盖基底的显示区域。凹入的凹谷围绕显示区域的周边形成。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下的详细描述，对本公开的更加彻底的理解以及本公开的许多随附的方面将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是示出在图1中示出的显示装置的平面图；
图3是示出根据本发明的示例性实施例的像素为发光器件的情况的等效电路图；
图4是用于示出显示区域和非显示区域中的一些像素而沿图2的线I-I’截取的剖视图；
图5是示出与根据本发明的示例性实施例的显示装置的非显示区域中的凹谷(valley)相关的一些组件的平面图；
图6是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线II-II’截取的剖视图；
图7是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线II-II’截取的剖视图；
图8是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线III-III’截取的剖视图；
图9A至图9D是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线III-III’截取的剖视图；
图10A至图10C是示出在根据本发明的示例性实施例的显示装置中通过各种方法形成的凹谷的平面图；
图11是示出与根据本发明的示例性实施例的显示装置的非显示区域中的凹谷和覆层(clad)相关的一些组件的平面图；
图12A和图12B是在根据本发明的实施例的显示装置中沿图11的线IV-IV’截取的剖视图。
具体实施方式
为了清楚起见，在描述本公开的附图中示出的示例性实施例中，采用了特定术语。然而，本公开不意图局限于所选择的特定术语，将理解的是每个特定元件包括以相似方式操作的全部技术等同物。
在整个说明书和附图中，同样的附图标记可用于指示相同或相似的元件。在附图中，为了示出的清楚，可夸大组件的尺寸。
现在将参照示出了本发明的示例性实施例的附图更充分地描述本发明。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图。图2是示出图1中示出的显示装置的平面图。
参照图1和图2，根据本发明的示例性实施例的显示装置可包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素PXL以及连接至像素PXL的线部分LP。
基底SUB可包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧上的非显示区域NDA。例如，非显示区域NDA可设置在基底SUB的外围上，并且可至少部分地围绕显示区域DA。
基底SUB可具有基本四边形的形状，例如，矩形形状。根据本发明的示例性实施例，基底SUB可包括均设置在第一方向DR1上的一对短边以及均设置在与第一方向交叉的第二方向DR2上的一对长边。根据本发明的示例性实施例，为便于说明，基底SUB的从一条短边以顺序的方式连接的四条边可被称为第一边S1至第四边S4。
然而，基底SUB的形状不限于此并可具有各种形状。例如，基底SUB可具有各种形状，诸如包括直边的闭合多边形；圆形或椭圆形；半圆形、半椭圆形或包括直线和/或曲线的其他闭合形状。根据本发明的示例性实施例，当基底SUB具有至少一条直边时，基底SUB的至少一些拐角(corner)可被倒弧(curved)。例如，当基底SUB具有矩形形状时，相邻直边彼此相交(meet)的部分可由具有预定曲率的曲线代替。例如，矩形形状的顶点可包括曲边，所述曲边具有连接至两条相邻的直线的两个相邻的端部并具有预定的曲率。此曲率可根据曲边的位置而变化。例如，曲率可根据曲线开始的位置及曲线的长度而变化。
显示区域DA可指提供多个像素PXL以显示其图像的区域。显示区域DA可具有与基底SUB的形状对应的形状。例如，以与基底SUB的形状相同的方式，显示区域DA可具有各种形状，诸如包括直边的闭合多边形；包括曲边的圆形或椭圆形；包括直线和曲线的半圆形或半椭圆形。根据本发明的示例性实施例，当显示区域DA具有至少一条直边时，显示区域DA的至少一些拐角可被倒弧。
像素PXL可设置在基底SUB的显示区域DA上。每个像素PXL可为用于显示图像的最小单元。可以根据显示装置的期望的分辨率来设置任意数量的像素PXL。像素PXL可发射白色光和/或彩色光。每个像素PXL可发射红色、绿色和蓝色中任意一种颜色的光。然而，本发明不限于此。例如，每个像素PXL可发射青色、品红、黄色等颜色的光。
每个像素PXL可为包括有机发射层的发光器件。然而，本发明不限于此。在不脱离本发明的范围的情况下，像素可包括液晶器件、电泳显示器件或电湿润显示器件。
图3是示出图2中示出的像素PXL为发光器件的示例的等效电路图。
参照图3，如图2示出的每个像素PXL可包括连接至线部分的薄膜晶体管、连接至薄膜晶体管的发光器件EL以及电容器Cst。
薄膜晶体管可包括配置为控制发光器件EL的驱动薄膜晶体管TR2以及配置为切换驱动薄膜晶体管TR2的开关薄膜晶体管TR1。在本发明的示例性实施例中，一个像素PXL可包括两个薄膜晶体管(TR1和TR2)。然而，本发明不限于此。一个像素PXL可包括一个薄膜晶体管和一个电容器，或者包括至少三个薄膜晶体管和至少两个电容器。例如，一个像素PXL可包括总共七个薄膜晶体管、发光器件和存储电容器。
开关薄膜晶体管TR1可包括栅电极、源电极和漏电极。开关薄膜晶体管TR1的栅电极可连接至栅极线GL，开关薄膜晶体管TR1的源电极可连接至数据线DL。开关薄膜晶体管TR1的漏电极可结合至驱动薄膜晶体管TR2的栅电极。开关薄膜晶体管TR1可响应于施加到栅极线GL的扫描信号将施加到数据线DL的数据信号传输至驱动薄膜晶体管TR2。
驱动薄膜晶体管TR2可包括栅电极、源电极和漏电极。驱动薄膜晶体管TR2的栅电极可连接至开关薄膜晶体管TR1，驱动薄膜晶体管TR2的源电极可连接至第一电源线ELVDD，驱动薄膜晶体管TR2的漏电极可连接至发光器件EL。
发光器件EL可包括发射层以及彼此相对的第一电极和第二电极，发射层置于第一电极和第二电极之间。发光器件EL的第一电极可连接至驱动薄膜晶体管TR2的漏电极。发光器件EL的第二电极可连接至第二电源线ELVSS，使得可以向第二电极施加共电压。发射层可响应于来自驱动薄膜晶体管TR2的输出信号而发光。可通过控制发射层使其发光或抑制其发光来显示图像。从发射层发射的光可根据发射层的材料而变化，并可为彩色光或白色光。
电容器Cst可连接在驱动薄膜晶体管TR2的栅电极和源电极之间，可使电容器Cst充电并保持输入到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极的数据信号。
参照图1至图3，根据本发明的示例性实施例，多个像素PXL可以以矩阵形式布置，所述矩阵形式包括在第一方向DR1上延伸的行和在第二方向DR2上延伸的列。然而，像素PXL的布置不限于此布置，像素PXL可具有各种其他布置。例如，像素PXL可在正交方向上或倾斜方向上布置。
非显示区域NDA可指基底SUB的未设置有像素PXL的区域。例如，可不在非显示区域NDA上显示图像。
线部分LP连接至像素PXL，驱动器连接至线部分LP。驱动器配置为驱动像素PXL。线部分LP和驱动器两者可设置在非显示区域NDA上。
线部分LP可连接至像素PXL。线部分LP可将信号供应至每个像素PXL并可包括栅极线GL、数据线DL、第一电源线ELVDD和第二电源线ELVSS。线部分LP还可包括期望的其他线。
线部分LP可跨过显示区域DA和非显示区域NDA设置。
线部分LP可连接至驱动器。驱动器可通过线部分LP将信号供应至每个像素PXL，以控制每个像素PXL的驱动。
驱动器可包括将扫描信号沿着栅极线GL提供到每个像素的扫描驱动器、将数据信号沿着数据线DL提供到每个像素PXL的数据驱动器以及控制扫描驱动器和数据驱动器的时序控制器。
根据本发明的示例性实施例，扫描驱动器可直接安装在基底SUB上。当扫描驱动器直接安装在基底SUB上时，可与形成像素PXL同时地形成扫描驱动器。然而，扫描驱动器安装的位置和方式不限于此。例如，扫描驱动器可形成在单独的芯片上并通过玻璃上芯片(chip-on-glass)技术设置在基底SUB上。可选择地，扫描驱动器可安装在印刷电路板上并通过连接构件连接到基底SUB。
根据本发明的示例性实施例，数据驱动器可直接安装到基底SUB上。然而，本发明不限于此。数据驱动器可形成在单独芯片中，并且此单独芯片可连接至基底SUB。根据本发明的示例性实施例，当数据驱动器形成在单独芯片中并连接至基底SUB时，可通过玻璃上芯片或塑料上芯片(chip-on-plastic)技术设置数据驱动器。可选择地，数据驱动器可安装在印刷电路板上，并通过连接构件连接至基底SUB。根据本发明的示例性实施例，数据驱动器可通过膜上芯片(chip-on-film)(COF)方法来制造并连接至基底SUB。
根据本发明的示例性实施例，非显示区域NDA还可包括从非显示区域NDA延伸的附加区域ADA。附加区域ADA可从形成非显示区域NDA的边突出。根据本发明的示例性实施例，示出的是附加区域ADA从基底SUB的一条短边延伸。然而，附加区域ADA也可从一条长边或四条边中的至少两条边延伸。根据本发明的示例性实施例，数据驱动器可设置在附加区域ADA上或连接至附加区域ADA。然而，本发明不限于此，并且可布置各种组件。
根据本发明的示例性实施例，显示装置的至少一部分可为柔性的，并且显示装置在柔性部分处可被弯曲。例如，显示装置可包括弯曲区域BA，弯曲区域BA为柔性的并在一个方向上弯曲。显示装置也可包括平坦区域FA，平坦区域FA设置在弯曲区域BA的至少一侧上并为平坦的而非弯曲的。平坦区域FA可为或可不为柔性的。
例如，根据本发明的示例性实施例，示出的是弯曲区域BA设置在附加区域ADA中。根据本发明的示例性实施例，第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2设置为彼此间隔开，弯曲区域BA置于第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2之间。第一平坦区域FA1可包括显示区域DA。根据本发明的示例性实施例，弯曲区域BA可与显示区域DA分开。
在弯曲区域BA中，当显示装置被沿折叠线折叠时，弯曲线可设置在弯曲区域BA中。在此，术语“折叠”并不意味着固定的形式，而是意味着原始形式可转换为其他形式。例如，术语“折叠”可指被沿弯曲线折叠、被弯曲或被像卷轴一样卷起。因此，根据本发明的示例性实施例，第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2的表面可彼此平行设置。然而，本发明不限于此特定布置。例如，显示装置可被折叠，使得第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2的表面可形成预定的角度(例如，锐角、直角和钝角)。
根据本发明的示例性实施例，附加区域ADA随后可被沿折叠线弯曲，使得可以减小边框的宽度。
图4是用于示出显示区域和非显示区域中的一些像素的沿图2的线I-I’截取的剖视图。图4概念性地示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置。
如图1所示，根据本发明的示例性实施例的显示装置可被部分弯曲。然而，为便于说明，图4示出了未被弯曲的显示装置。在涉及下面将要描述的实施例的剖视图或平面图中示出了未被弯曲的显示装置，以供参考。
在下文中，参照图1至图4，详细描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
根据本发明的示例性实施例，多个像素PXL可设置在显示区域DA上。每个像素PXL可包括连接到线部分LP中的相应线的晶体管、结合到晶体管的发光器件以及电容器Cst。晶体管可包括用于控制发光器件的驱动晶体管和用于切换驱动晶体管的开关晶体管。
为便于说明，图3示出了一个像素PXL的两个晶体管和一个电容器。然而，本发明不限于此。一个像素PXL可包括至少两个晶体管和至少一个电容器，例如，每个像素可包括至少三个晶体管和至少两个电容器。
根据本发明的示例性实施例的像素PXL可设置在基底SUB上。
基底SUB可包括诸如玻璃或树脂的绝缘材料。此外，基底SUB可包括柔性材料，使得基底SUB可被弯曲或折叠。基底SUB可具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和/或醋酸丙酸纤维素。然而，基底SUB可包括除上述材料之外的各种材料。例如，基底SUB可包括纤维增强塑料(FRP)。
缓冲层BF可形成在基底SUB上。缓冲层BF可防止杂质扩散到开关晶体管和驱动晶体管中。缓冲层BF可设置为单层，或者设置为包括至少两层的多层结构。
缓冲层BF可为包括无机材料的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。当缓冲层BF具有多层结构时，各层可包括彼此相同或不同的材料。根据基底SUB的材料和工艺条件，可省略缓冲层BF。
有源图案ACT可设置在缓冲层BF上并可包括半导体材料。有源图案ACT可包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区。有源图案ACT可为包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体的半导体图案。沟道区可为未掺杂有杂质的半导体图案，例如，本征半导体。源区和漏区可为掺杂有杂质的半导体图案。杂质可包括n型杂质、p型杂质和/或其他金属。
栅极绝缘层GI可设置在有源图案ACT上。栅极绝缘层GI可为包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。对于栅极绝缘层GI的无机材料，可使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶(Teflon)的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
栅电极GE和电容器下电极LE可设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的位置处的区域。
栅电极GE和电容器下电极LE可包括金属和/或合金。例如，栅电极GE可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和/或铜(Cu)的金属和/或它们的合金。此外，栅电极GE可包括单层。然而，本发明不限于此。例如，栅电极GE可具有包括至少两种金属和/或合金的多层结构。
根据本发明的示例性实施例，尽管未示出，但是包括栅极线的其他线可与栅电极GE和电容器下电极LE由相同的材料形成并与栅电极GE和电容器下电极LE形成在同一层上。包括栅极线的线可直接或间接结合到每个像素PXL中的一些晶体管，例如，晶体管的栅电极GE。
层间绝缘层IL可设置在栅电极GE和电容器下电极LE上。层间绝缘层IL可为包括无机材料的无机绝缘层。无机材料的示例可包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。
电容器上电极UE可设置在层间绝缘层IL上。电容器上电极UE可包括金属和/或合金。例如，电容器上电极UE可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和/或铜(Cu)的金属和/或它们的合金。此外，电容器上电极UE可包括单层，但是本发明不限于此。例如，电容器上电极UE可具有包括至少两种金属和/或合金的多层结构。
电容器下电极LE和电容器上电极UE以及置于其间的层间绝缘层IL可形成电容器Cst。根据本发明的示例性实施例，电容器Cst可包括电容器下电极LE和电容器上电极UE。然而，本发明不限于此，可以以各种构造形成电容器Cst。
第一绝缘层INS1可设置在电容器上电极UE上。第一绝缘层INS1可为包括无机材料的无机绝缘层。无机材料的示例可包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。
源电极SE和漏电极DE可设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE可通过形成在第一绝缘层INS1、层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI中的接触孔分别与有源图案ACT的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE可包括金属和/或合金。例如，源电极SE和漏电极DE可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和/或铜(Cu)的金属和/或它们的合金。此外，源电极SE和漏电极DE中的每个可包括单层。然而，本发明不限于此。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可具有包括至少两种金属和/或合金的多层结构。
根据本发明的示例性实施例，数据线或第一电源线可与源电极SE和漏电极DE由相同的材料形成并可与源电极SE和漏电极DE形成在同一层上。数据线或第一电源线可直接或间接地连接至每个像素PXL中的一些晶体管，例如，晶体管的源电极SE和/或漏电极DE。
钝化层PSV可设置在源电极SE和漏电极DE上。钝化层PSV可为包括无机材料的无机绝缘层。无机材料的示例可包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。根据本发明的一些示例性实施例，可省略钝化层PSV。
第二绝缘层INS2可设置在钝化层PSV上。当未形成钝化层PSV时，第二绝缘层INS2可设置在第一绝缘层INS1上。
第二绝缘层INS2可为包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
结合图案CNP可设置在第二绝缘层INS2上。结合图案CNP可通过穿过第二绝缘层INS2和钝化层PSV的接触孔结合到晶体管的漏电极DE。结合图案CNP可包括诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和/或铜(Cu)的金属和/或它们的合金。此外，结合图案CNP可以以单层形成。然而，本发明不限于此。例如，结合图案CNP可具有包括至少两种金属和/或合金的多层结构。
根据本发明的示例性实施例，包括虚设电源线的其他线可与结合图案CNP由相同的材料形成并与结合图案CNP形成在同一层上。
第三绝缘层INS3可设置在结合图案CNP上。第三绝缘层INS3可为包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
第一电极EL1可设置在第三绝缘层INS3上。第一电极EL1可通过穿过第三绝缘层INS3的接触孔结合到结合图案CNP，并通过穿过第二绝缘层INS2和钝化层PSV的接触孔结合到漏电极DE，使得第一电极EL1可结合到晶体管。第一电极EL1可用作阳极或阴极。
根据本发明的示例性实施例，包括第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的有机绝缘层设置在钝化层PSV上。然而，本发明不限于此，有机绝缘层可布置在不同的位置处。例如，第一电极EL1和钝化层PSV之间可设置一个有机绝缘层。根据本发明的示例性实施例，可仅在钝化层PSV上设置单个有机绝缘层，并且可在有机绝缘层上设置第一电极EL1。在此示例中，可不形成结合图案CNP，第一电极EL1可通过形成在有机绝缘层中的接触孔直接连接到漏电极DE。在下文中，描述了本发明的有机绝缘层由第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3构成的示例性实施例。然而，有机绝缘层可以是除了由第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3形成的有机绝缘层之外所包括的单层。
第一电极EL1可包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr和/或它们的合金的金属层，和/或ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)和/或ITZO(氧化铟锡锌)的透明导电层。
根据本发明的示例性实施例，第一电极EL1可仅包括单一类型的金属。然而，本发明不限于此。例如，第一电极EL1可包括两种或更多种类型的金属，例如，Ag和Mg的合金。
当在基底SUB的下方向上提供图像时，第一电极EL1可包括透明导电层。当在基底SUB的上方向上提供图像时，第一电极EL1可包括金属反射层和/或透明导电层。
像素限定层PDL可设置在其上形成有第一电极EL1的基底SUB上，像素限定层PDL将像素PXL区域划分为与每个像素PXL对应。像素限定层PDL可为包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
像素限定层PDL可暴露第一电极EL1的顶表面，并且可沿像素PXL的周界从基底SUB突出。
有机发射层OL可设置在被像素限定层PDL围绕的像素PXL区域中。
有机发射层OL可包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可通过真空沉积形成这些材料。高分子材料可包括PEDOT、聚苯撑乙烯撑(PPV)和聚芴。
有机发射层OL可形成为单层。然而，有机发射层OL可以可选择地包括包含各种功能层的多层结构。有机发射层OL具有多层结构，有机发射层OL可具有空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层的单层或复合多层结构。可通过蒸发、丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成有机发射层OL。
然而，有机发射层OL不必限于此。有机发射层OL可具有各种结构。有机发射层OL的至少一部分可与多个第一电极EL1整体地形成，或者有机发射层OL可独立地设置为分别与多个第一电极EL1对应。
第二电极EL2可设置在有机发射层OL上。第二电极EL2可设置在每个像素PXL处，并且可覆盖显示区域DA的几乎全部区域。然而，第二电极EL2可被每个像素PXL共用。
根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可用作阳极或阴极。当第一电极EL1为阳极时，第二电极EL2可用作阴极。当第一电极EL1为阴极时，第二电极EL2可用作阳极。
第二电极EL2可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr和/或它们的合金的金属层，和/或氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层。根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可具有包括至少两层(例如，ITO/Ag/ITO的三层)的多层结构。
当在基底SUB的下方向上提供图像时，第二电极EL2可包括金属反射层和/或透明导电层。当在基底SUB的上方向上提供图像时，第二电极EL2可包括透明导电层。
密封层SL可设置在第二电极EL2上。密封层SL可以以单层形成，或可形成为多层。根据本发明的示例性实施例，密封层SL可包括第一密封层SL1至第三密封层SL3。第一密封层SL1至第三密封层SL3中的每层可包括有机材料和/或无机材料。第三密封层SL3可设置在最外边缘处，并且可包括无机材料。
根据本发明的示例性实施例，第一密封层SL1可包括无机材料，第二密封层SL2可包括有机材料或无机材料，第三密封层SL3可包括无机材料。与有机材料相比，无机材料可较少地受湿气或氧的侵入的影响。然而，由于无机材料会具有较小的弹性或柔性，所以会容易受到裂缝的影响。由于第一密封层SL1和第三密封层SL3包括无机材料，第二密封层SL2包括有机材料，因此可以防止裂缝蔓延。当第二密封层SL2包括有机材料时，第二密封层SL2可完全被第三密封层SL3覆盖，使得其端部不会暴露于外部。
根据本发明的示例性实施例，有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。无机材料的示例可包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。当第二密封层SL2包括替代有机材料的无机材料时，可使用各种类型的硅绝缘材料，例如，六甲基二硅氧烷(HMDSO)、八甲基环四硅氧烷(OMCTSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)和四乙基原硅酸酯(TEOS)。根据本发明的示例性实施例，形成发光器件的有机发射层OL会容易地被外部的湿气或氧损坏。密封层SL可通过覆盖有机发射层OL来保护有机发射层OL。密封层SL可覆盖显示区域DA并延伸超出显示区域DA。
然而，虽然包括有机材料的绝缘层可为柔性的和弹性的，但是与包括无机材料的绝缘层相比，这些绝缘层会更容易地被湿气或氧损坏。根据本发明的示例性实施例，为了防止氧或湿气通过包括有机材料的绝缘层侵入，包括有机材料的绝缘层的端部可被包括无机材料的绝缘层覆盖。例如，包括有机材料的第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL可延伸至非显示区域NDA的一部分并可不覆盖整个非显示区域NDA。包括有机材料的第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL可包括沿显示区域DA的周界部分地去除的凹谷VL。下面描述第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL以及凹谷VL。
在本发明的示例性实施例中，由凹谷VL暴露的像素限定层PDL的顶表面以及第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL的侧表面可被包括无机材料的绝缘层(例如，密封层SL)密封，从而防止外部曝光。然而，密封层SL的结构或材料不限于此。例如，密封层SL可包括彼此交替堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
下面描述非显示区域NDA。在下面不详细描述组件的情况下，可假设未描述的组件与先前描述的相应元件类似。
根据本发明的示例性实施例，线部分LP可设置在非显示区域NDA中，并可包括基底SUB被折叠的弯曲区域BA。
线部分LP可将驱动器连接至像素PXL。例如，线部分LP可包括栅极线、数据线和电源线。根据本发明的示例性实施例，线可为形成线部分LP的数据线。然而，线部分LP的线可以以不同的方式形成。
根据本发明的示例性实施例，线部分LP可包括多条线。每条线可将像素PXL连接至驱动器，并且可在大致第二方向DR2上从像素PXL延伸。线可在第二方向DR2上延伸至附加区域ADA的端部，接触电极CTE可被设置到所述端部。像素PXL可通过连接至线的接触电极CTE连接至由膜上芯片实现的驱动器。
线部分LP可包括第一线L1至第三线L3。每条第一线L1可连接至每条第二线L2，每条第二线L2可连接至每条第三线L3。为便于说明，图4示出了第一线L1至第三线L3中的一些。
缓冲层BF可设置在基底SUB的非显示区域NDA中。缓冲层BF在弯曲区域BA中可具有开口OPN。
栅极绝缘层GI可设置在缓冲层BF上。
第一线L1和第三线L3可设置在栅极绝缘层GI上。第一线L1可设置在第一平坦区域FA1中，第三线L3可设置在第二平坦区域FA2中。可通过与栅电极GE相同的工艺使用与栅电极GE相同的材料形成第一线L1和第三线L3。
层间绝缘层IL可设置在第一线L1和第三线L3的上方。
第一绝缘层INS1可设置在层间绝缘层IL上。
开口OPN可形成在设置在弯曲区域BA中的绝缘层中。弯曲区域BA可指基底SUB被弯曲的区域。可从缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1去除与弯曲区域BA对应的部分，从而形成开口OPN。然而，根据本发明的示例性实施例，可不从缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1去除与弯曲区域BA对应的部分。例如，可不去除缓冲层BF的与弯曲区域BA对应的部分，然而可去除栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的与弯曲区域BA对应的部分，使得可形成开口OPN。
当开口OPN与弯曲区域BA对应时，开口OPN可与弯曲区域BA叠置。开口OPN可具有比弯曲区域BA大的面积。根据本发明的示例性实施例，开口OPN可与弯曲区域BA具有相同的宽度。然而，可选择地，开口OPN可具有比弯曲区域BA大的宽度。
如图4中所示，缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的内表面可彼此重合并可以以直线布置。然而，本发明不限于此。例如，缓冲层BF的开口OPN可具有比第一绝缘层INS1的开口OPN大的面积。根据本发明的示例性实施例，在缓冲层BF的开口OPN、栅极绝缘层GI的开口OPN、层间绝缘层IL的开口OPN和第一绝缘层INS1的开口OPN之中，缓冲层BF的开口OPN可被限定为具有最小的面积。
弯曲绝缘层INS_B可设置在开口OPN中。弯曲绝缘层INS_B可填充开口OPN的至少一部分。如图4中所示，开口OPN可被弯曲绝缘层INS_B完全充满。根据本发明的示例性实施例，弯曲绝缘层INS_B可填充开口OPN，并且同时覆盖与开口OPN相邻的区域，例如，第一绝缘层INS1的与第一平坦区域FA1和/或第二平坦区域FA2对应的上部。
弯曲绝缘层INS_B可为包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可为诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如特氟纶的碳氟化合物和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
第二线L2可设置在第一绝缘层INS1和弯曲绝缘层INS_B上。此外，下接触电极CTEa可设置在第一绝缘层INS1上。可通过与源电极SE和漏电极DE相同的工艺由与源电极SE和漏电极DE相同的材料形成第二线L2和下接触电极CTEa。第二线L2可经由弯曲区域BA从第一平坦区域FA1延伸至第二平坦区域FA2，并且可位于弯曲绝缘层INS_B上。第二线L2可在未设置有弯曲绝缘层INS_B的部分处位于第一绝缘层INS1上。
如上所述，图4示出了未弯曲的显示装置。然而，根据本发明的示例性实施例，显示装置在弯曲区域BA中可被弯曲。根据本发明的示例性实施例，可以以平坦的状态制造显示装置，然后可以使显示装置弯曲。
根据本发明的示例性实施例，示出的是弯曲区域BA与无机绝缘层被去除的部分重合。弯曲区域BA和无机绝缘层被去除的部分可不彼此重合。例如，弯曲区域BA通常可与无机绝缘层被去除的部分对应。然而，如果期望，弯曲区域BA可比无机绝缘层被去除的部分宽或窄。在本发明的示例性实施例中，弯曲区域BA仅位于非显示区域NDA中。然而，本发明不限于此。例如，弯曲区域BA可跨过非显示区域NDA和显示区域DA设置，或仅设置在显示区域DA中。
钝化层PSV可设置在形成有第二线L2处的基底SUB上。钝化层PSV可为无机绝缘层。钝化层PSV可不设置在与弯曲区域BA对应的区域中，诸如弯曲区域BA的未设置有上述无机绝缘层(缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和/或第一绝缘层INS1)的区域。此外，钝化层PSV可暴露下接触电极CTEa的顶表面的一部分。
第二绝缘层INS2可设置在钝化层PSV上。第三绝缘层INS3可设置在第二绝缘层INS2上。可通过沿显示区域DA的周界部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3来形成凹谷VL。因此，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3可不从显示区域DA连续地延伸至非显示区域NDA。
如上所述，设置在显示区域DA中的第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的侧表面可被密封层SL覆盖。然而，设置在非显示区域NDA中的第三绝缘层INS3的顶表面以及第三绝缘层INS3和第二绝缘层INS2的侧表面可不被密封层SL完全覆盖。例如，其至少一部分可暴露于外部。
在形成第二绝缘层INS2后，可形成上接触电极CTEb。可通过与显示区域DA中的结合图案CNP相同的工艺由与结合图案CNP相同的材料形成上接触电极CTEb。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb可构成接触电极CTE，线可通过接触电极CTE连接至以膜上芯片实现的驱动器或柔性印刷电路板。
下面描述第一线L1和第二线L2之间的连接关系。第二线L2和第三线L3可通过与第一线L1和第二线L2基本相同的方法连接。
例如，当第一线L1、第二线L2和第三线L3设置为将数据信号传输至像素时，第一线L1还可以包括接触部分，以在与显示区域DA相邻的部分处连接至显示区域DA中的数据线。
图5是示出在根据本发明的示例性实施例的显示装置中的与非显示区域NDA的凹谷相关的一些组件的平面图。
参照图5，根据本发明的示例性实施例，基底SUB可具有矩形形状。基底SUB可具有连接的四条边，例如，第一边S1至第四边S4。
基底SUB可包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧上的非显示区域NDA。根据本发明的示例性实施例，显示装置的显示区域DA可具有矩形形状，非显示区域NDA可具有围绕显示区域DA的方形环或框架形状。
线部分可设置在非显示区域NDA中。如图2中所示，数据线可设置在与第一边S1对应的非显示区域NDA中。第二电源线ELVSS可沿显示区域DA的边缘设置在与第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的非显示区域NDA中。第二电源线ELVSS在与第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的非显示区域NDA中可具有预定的宽度。然而，第二电源线ELVSS的布置不限于此。第二电源线ELVSS可具有各种布置。例如，第二电源线ELVSS在第二边S2和第四边S4上可具有预定的宽度，同时第二电源线ELVSS可不设置在第三边S3上或可具有比第二边S2和第四边S4上的宽度小的宽度。可选择地，第二电源线ELVSS可以以预定的宽度形成在第二边S2、第三边S3和第四边S4中的一边上，并且可不设置在其他边上，或可以以比预定宽度小的宽度形成在其他边上。可选择地，第二电源线ELVSS可在一边的一部分上具有预定的宽度，而在该边的另一部分上具有比预定宽度小的宽度。第二电源线ELVSS可通过设置在与第一边S1对应的非显示区域NDA中的一些线连接至驱动器。
根据本发明的示例性实施例，除了上述数据线和第二电源线ELVSS之外，还可向非显示区域NDA设置用于驱动像素的附加线。
第二电极EL2可覆盖显示区域DA并从显示区域DA向外延伸以部分覆盖非显示区域NDA。根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可从显示区域DA延伸至显示区域DA和凹谷VL之间的区域。因此，在非显示区域NDA中，第二电极EL2可与第二电源线ELVSS的至少一部分叠置。多个接触孔可设置在第二电极EL2和第二电源线ELVSS之间，并且可通过接触孔使第二电极EL2和第二电源线ELVSS接触。结果，在非显示区域NDA中，第二电极EL2可电连接至第二电源线ELVSS。
通过沿显示区域DA的周界部分地去除有机绝缘层形成的凹谷VL可设置在非显示区域NDA中。凹谷VL可围绕显示区域DA。根据本发明的示例性实施例，凹谷VL可具有闭合的形状以完全围绕显示区域DA。然而，凹谷VL可不必具有闭合的形状。例如，期望处凹谷VL的一部分可为开放的。
凹谷VL可包括分别与基底SUB的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4。第一凹谷VL1可在非显示区域NDA中沿基底SUB的第一边S1的延伸方向延伸。第二凹谷VL2可在非显示区域NDA中沿基底SUB的第二边S2的延伸方向延伸。第三凹谷VL3可在非显示区域NDA中沿基底SUB的第三边S3的延伸方向延伸。第四凹谷VL4可在非显示区域NDA中沿基底SUB的第四边S4的延伸方向延伸。
如图5中所示，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可均为直线。然而，第一凹谷至第四凹谷中的每个可以可选择地为具有预定宽度的开口。如在平面中看到的，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可不必如在平面中所看到的在直的方向上延伸。根据本发明的示例性实施例，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4的形状可根据设置第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4处的线的布置而变化。例如，当在平面中观看时，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4中的至少一些可被弯折至少一次或被弯曲。
凹谷VL可与第二电源线ELVSS部分地叠置。如图5中所示，第一凹谷VL1可不与第二电源线ELVSS叠置，并且第二凹谷VL2至第四凹谷VL4中的每个可与第二电源线ELVSS叠置。
根据本发明的示例性实施例，凹谷VL可不与第二电极EL2叠置。然而，本发明不限于此。例如，根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可延伸至凹谷VL以与第二电源线ELVSS共同覆盖凹谷VL的顶表面。
在下文中，参照附图描述第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4的形状。
图6是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线II-II’截取的剖视图。根据图6中示出的方式，可在基底SUB和第二绝缘层INS2之间设置附加的组件。可设置在基底SUB和第二绝缘层INS2之间但未在图6中示出的组件可包括绝缘层(诸如缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、第一绝缘层和钝化层)以及设置在每个绝缘层上的线(诸如包括栅极线和数据线的其他线)。在下文中，基底SUB的顶表面可指设置在基底SUB上的每个组件的顶表面，例如，第一绝缘层INS1的顶表面或钝化层PSV的顶表面以及基底SUB的顶表面。
参照图5和图6，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL可顺序堆叠在基底SUB的上方。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL可为包括有机材料的有机绝缘层。根据本发明的示例性实施例，有机绝缘层可包括第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3。然而，有机绝缘层也可包括单个整体有机绝缘层。
可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中的每个以在非显示区域NDA中具有开口。像素限定层PDL可具有开口，所述开口通过部分地去除形成第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口处的区域来形成。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口以及像素限定层PDL的开口可形成第一凹谷VL1。
基底SUB的顶表面的一部分可通过第一凹谷VL1被外部地暴露。第一凹谷VL1可通过形成在顺序堆叠的绝缘层中的开口来限定。形成在绝缘层中的开口可具有相对于基底SUB的表面垂直或倾斜的侧壁。因此，第一凹谷VL1的宽度可朝向其顶部增加。在下文中，为便于描述，预定的绝缘层中的开口的“宽度”可指预定的绝缘层和设置在绝缘层正下方的组件相交的部分处的最短距离。
根据本发明的示例性实施例，第一凹谷VL1可具有根据第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL而变化的不同宽度。在第一凹谷VL1中，由第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3形成的开口可具有第一宽度W1，由像素限定层PDL形成的开口可具有第二宽度W2。在本发明的示例性实施例中，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3为两个不同的层。然而，在期望处第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3可形成为单个层。根据本发明的示例性实施例，形成在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中的开口可具有连接的侧壁，而不存在台阶。
根据本发明的示例性实施例，第二宽度W2可大于第一宽度W1。例如，像素限定层PDL的开口可具有比第三绝缘层INS3的开口大的宽度。因此，第三绝缘层INS3的顶表面可被部分地暴露。第一宽度W1可足够大，使得在像素限定层PDL的图案化工艺期间可不形成像素限定层PDL的残留层。
可通过在基底SUB上形成第二绝缘层INS2并使其图案化、在第二绝缘层INS2上形成第三绝缘层INS3并使其图案化以及在第三绝缘层INS3上形成像素限定层PDL并使其图案化来形成第一凹谷VL1。可顺序地形成第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3并使它们同时图案化。可选择地，可以在将第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3形成为单个绝缘层后，使单个绝缘层图案化。
然而，当在像素限定层PDL的图案化工艺期间第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的第一宽度W1小时，会在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口中形成像素限定层PDL的残留层。残留层会用作外部氧或湿气移动所经过的通道以导致显示区域中的有缺陷的像素。然而，根据本发明的示例性实施例，第一宽度W1可足够大使得不形成残留层。
图7是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线II-II’截取的剖视图。
参照图5和图7，根据本发明的示例性实施例，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL可顺序地堆叠在基底SUB上。第一凹谷VL1可具有根据第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL而变化的不同的宽度。根据本发明的示例性实施例，像素限定层PDL可堆叠在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的上方并覆盖第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的面对开口的侧表面。因此，在第一凹谷VL1中，当由第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3限定的开口具有第四宽度W4并且像素限定层PDL的开口具有第三宽度W3时，第三宽度W3可小于第四宽度W4。此外，不同于本发明的上面参照图6描述的示例性实施例，第三绝缘层INS3的顶表面可不被暴露。
根据本发明的示例性实施例，像素限定层PDL的开口的宽度(例如，第三宽度W3)可小于或等于图6中示出的本发明的示例性实施例中第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3(例如，有机绝缘层)的第一宽度W1。但本发明的示例性实施例不限于此，像素限定层PDL的开口的第三宽度W3也可大于图6中示出的根据本发明的示例性实施例的第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的第一宽度W1，从而可防止在像素限定层PDL的图案化工艺期间生成残留层。在图6中示出的本发明的示例性实施例中，当使像素限定层PDL图案化时，第三绝缘层INS3的部分顶表面可被暴露至外部，像素限定层PDL的一部分可保留在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的侧表面上。然而，在图7中示出的本发明的示例性实施例中，可在保留位于第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的顶表面和侧表面上的像素限定层PDL的同时，可去除像素限定层PDL的一部分。结果，可尽可能地防止像素限定层PDL的残留层的产生。
图8是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图5的线III-III’截取的剖视图。
参照图5和图8，作为有机绝缘层的第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3可顺序地堆叠在基底SUB的上方。可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以在非显示区域NDA中具有开口。
第二电源线ELVSS可设置在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的上方。第二电源线ELVSS可部分地覆盖第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的顶表面及其开口。
可通过与第一电极EL1相同的工艺由与第一电极EL1相同的材料形成第二电源线ELVSS。第二电源线ELVSS可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的合金的金属层，以及/或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的无机材料。根据本发明的示例性实施例，第二电源线ELVSS可包括一种类型的金属。然而，本发明不限于此。例如，第二电源线ELVSS可包括至少两种类型的金属，例如，Ag和Mg的合金。
像素限定层PDL可堆叠在第二电源线ELVSS上。可部分地去除像素限定层PDL以在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口处的区域中具有开口。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口以及像素限定层PDL的开口可形成第二凹谷VL2。
第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的顶表面和侧表面的部分可被第二电源线ELVSS覆盖。如上所述，第二电源线ELVSS可包括无机材料并可防止氧或湿气侵入到第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中。
第二电极EL2可堆叠在像素限定层PDL上。第二电极EL2可从显示区域DA延伸至非显示区域NDA，并且第二电极EL2的端部可与第二电源线ELVSS叠置。像素限定层PDL可具有形成在第二电极EL2和第二电源线ELVSS之间的重叠区域中的接触孔。可通过部分地去除像素限定层PDL来形成接触孔，以暴露第二电源线ELVSS的顶表面。第二电极EL2可通过接触孔连接至第二电源线ELVSS。
根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可部分地覆盖非显示区域NDA中的像素限定层PDL，并且可不设置在第二凹谷VL2中。然而，根据本发明的示例性实施例，第二电极EL2可以以不同的方式形成。例如，第二电极EL2可从像素区域延伸至第二凹谷VL2，以覆盖第二电源线ELVSS的位于第二凹谷VL2中的顶表面。
根据本发明的示例性实施例，第二凹谷VL2可具有根据第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL而变化的不同宽度。在第二凹谷VL2中，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口可具有第五宽度W5，像素限定层PDL的开口可具有第六宽度W6，第六宽度W6可大于第五宽度W5。第五宽度W5可足够大，使得在像素限定层PDL的图案化工艺期间不会形成像素限定层PDL的残留层。
根据本发明的示例性实施例，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的第五宽度W5可小于图6中示出的本发明的示例性实施例中的第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的第一宽度W1。此外，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的第五宽度W5可小于图7中示出的本发明的示例性实施例中的像素限定层PDL的开口的第三宽度W3。
根据本发明的示例性实施例，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的宽度(例如，第五宽度W5)可足够大，使得在像素限定层PDL的图案化工艺期间不会形成像素限定层PDL的残留层。此外，即使当在像素限定层PDL的图案化工艺期间形成了像素限定层PDL的残留层，也可以由于第二电源线ELVSS的遮挡效果而减少氧或湿气的侵入。
图9A至图9D是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿线III-III’截取的剖视图。
参照图5和图9A，如图4所示的钝化层PSV可设置在基底SUB上。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3可顺序地堆叠在钝化层PSV的上方。
可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3，以在非显示区域NDA中具有开口。第三绝缘层INS3的开口可形成在与第二绝缘层INS2的开口对应的位置处。如从平面看到的，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口可彼此叠置。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口可具有台阶状的侧表面。因此，第二绝缘层INS2的开口可具有与第三绝缘层INS3的开口的宽度不同的宽度。当第二绝缘层INS2的开口具有第七宽度W7并且第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口的台阶状部分具有第八宽度W8时，第八宽度W8可大于第七宽度W7。由于开口的宽度上的差异，因此第二绝缘层INS2的与开口相邻的顶表面可被部分地暴露。
第二电源线ELVSS可设置在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3上。第二电源线ELVSS可覆盖第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的顶表面以及第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的与开口相邻的侧表面的部分。如上所述，第二电源线ELVSS可包括无机材料，并且可防止氧或湿气侵入到第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中。
像素限定层PDL可堆叠在第二电源线ELVSS上。可部分地去除像素限定层PDL，以在与第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口对应的位置处具有开口。当像素限定层PDL的开口具有第九宽度W9时，第九宽度W9可大于第七宽度W7或第八宽度W8。
第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口以及像素限定层PDL的开口可形成第二凹谷VL2。
第二电极EL2可堆叠在像素限定层PDL上。第二电极EL2可从显示区域DA延伸至非显示区域NDA，并且第二电极EL2的端部可与第二电源线ELVSS叠置。像素限定层PDL可具有形成在第二电极EL2和第二电源线ELVSS之间的重叠区域中的接触孔。可通过部分去除像素限定层PDL来形成接触孔，以暴露第二电源线ELVSS的顶表面。第二电极EL2可通过接触孔结合至第二电源线ELVSS。
根据本发明的示例性实施例，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的台阶状开口可以可选择地具有其他形状。
参照图5和图9B，可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以在非显示区域NDA中具有开口，第二绝缘层INS2的开口可具有台阶状侧表面。当第二绝缘层INS2的开口具有第七宽度W7并且第二绝缘层INS2的开口的台阶状部分具有第八宽度W8’时，第八宽度W8’可大于第七宽度W7。根据本发明的示例性实施例，由于台阶状部分设置在第二绝缘层INS2上，所以根据本发明的示例性实施例的第八宽度W8’可小于根据图9A中示出的本发明的示例性实施例的第八宽度W8。
参照图5和图9C，可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以在非显示区域NDA中具有开口，第三绝缘层INS3的开口可具有台阶状侧表面。当第二绝缘层INS2的开口具有第七宽度W7并且第三绝缘层INS3的开口的台阶状部分具有第八宽度W8”时，第八宽度W8”可大于第七宽度W7。
根据本发明的示例性实施例，由于台阶状部分设置在第三绝缘层INS3上，所以根据本发明的示例性实施例的第八宽度W8”可大于图9A中示出的根据本发明的示例性实施例的第八宽度W8。
参照图5和图9D，可部分地去除第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以在非显示区域NDA中具有开口，第二绝缘层INS2的开口可具有台阶状侧表面，第三绝缘层INS3可覆盖第二绝缘层INS2的整个台阶状侧表面。
根据本发明的示例性实施例，图9C示出了第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3具有相似的厚度。然而，第二绝缘层INS2可具有比第三绝缘层INS3大的厚度。当第二绝缘层INS2具有相对大的厚度时，第三绝缘层INS3可具有比第二绝缘层INS2小的厚度，使得第三绝缘层INS3可容易地覆盖第二绝缘层INS2的顶表面和侧表面。
当第二绝缘层INS2的开口具有第七宽度W7并且由第三绝缘层INS3限定的开口具有第八宽度W8”’时，根据本发明的示例性实施例，第八宽度W8”’可小于第七宽度W7。
与本发明的上述示例性实施例类似，第二凹谷VL2可具有根据第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL而变化的不同宽度。在第二凹谷VL2中，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口可在其内部具有台阶状部分。由于台阶状部分设置在第二凹谷VL2的侧表面的内侧，所以形成在侧表面和底表面之间的平均坡度可变得相对小。因此，在像素限定层PDL的图案化工艺期间不太可能形成像素限定层PDL的残留层。
可通过光刻工艺将上述第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的开口制成台阶状。可通过使用掩膜对第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3执行光刻来形成第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3之间的台阶状部分。可使用双掩膜或诸如半色调掩膜或狭缝掩膜的单掩膜来形成第二绝缘层INS2的台阶状部分或第三绝缘层INS3的台阶状部分。
第七宽度W7可足够大，使得在像素限定层PDL的图案化工艺期间不会保留像素限定层PDL的残留层。第七宽度W7可小于第一宽度W1、第四宽度W4和第五宽度W5。由于第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3具有不同宽度的开口，因此可使像素限定层PDL更容易被图案化。此外，虽然在像素限定层PDL的图案化工艺期间形成了像素限定层PDL的残留层，但是通过第二电源线ELVSS的遮挡效果可减少氧或湿气的侵入。根据本发明的上述示例性实施例，凹谷VL的形状可根据是否存在第二电源线ELVSS(或与第二电源线ELVSS设置在同一层上的其他线)而变化。例如，虽然图6和图7中示出的示例性实施例涉及第一凹谷VL1，但是当具有不存在第二电源线ELVSS的部分时，本发明的这些示例性实施例也可应用到第二凹谷VL2至第四凹谷VL4。此外，虽然图8和图9A至图9D中示出的本发明的示例性实施例涉及与第二边S2对应的第二凹谷VL2，但是本发明的这些示例性实施例也可应用于第三凹谷VL3和第四凹谷VL4，并根据情况可应用于第一凹谷VL1。
在本发明的上述示例性实施例中，示出的是一个凹谷对应于基底的每条边。然而，本发明不限于此。一个或更多个凹谷可沿显示区域的边缘围绕显示区域，并根据每个区域具有各种形状。
图10A至图10C是示出在根据本发明的示例性实施例的显示装置中通过各种方法形成的凹谷的平面图。
参照图10A，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可分别与基底的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4对应。根据本发明的示例性实施例，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2和第四凹谷VL4中的每个可设置为单个主体，而第三凹谷VL3可设置为两个凹谷VL3a和VL3b。
参照图10B，根据本发明的示例性实施例，当设置分别与基底的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4时，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4中的每个可设置为一对凹谷(VL1a和VL1b、VL2a和VL2b、VL3a和VL3b以及VL4a和VL4b)。
参照图10C，根据本发明的示例性实施例，当第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4分别与基底的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4对应时，第一凹谷VL1可设置为一个凹谷，第二凹谷VL2可设置为两个凹谷VL2a和VL2b，第三凹谷VL3可设置为三个凹谷VL3a、VL3b和VL3c，第四凹谷VL4可设置为两个凹谷VL4a和VL4b。
在本发明的上述示例性实施例中，显示装置可具有通过沿显示区域的周界部分地去除有机层形成的凹谷，并且凹谷可设置成各种形状。此外，当形成像素限定层时，通过将凹谷设定为各种宽度可减少残留层的生成。因此，根据本发明的示例性实施例，显示装置可有效地防止氧或湿气从外部侵入显示区域中。
根据本发明的示例性实施例，显示装置可用于各种类型的电子装置。例如，显示装置可适用于电视、笔记本电脑、智能电话、智能平板、便携式媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航仪或诸如智能手表的各种类型的可穿戴装置。
图11是示出连接至根据本发明的示例性实施例的显示装置的非显示区域中的凹谷和边缘覆盖路径的一些组件的平面图。图12A和图12B是在根据本发明的示例性实施例的显示装置中沿图11的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图12A和图12B，将理解的是可在基底SUB和第二绝缘层INS2之间设置各种附加组件。设置在基底SUB和第二绝缘层INS2之间的未示出的组件的示例可包括绝缘层(诸如缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、第一绝缘层和钝化层)以及设置在各绝缘层上的线(包括栅极线和数据线的其他线部分)。在下文中，基底SUB的顶表面可指设置在基底SUB上的各组件的顶表面，诸如第一绝缘层INS1的顶表面或钝化层PSV的顶表面，以及基底SUB的顶表面。
参照图11、图12A和图12B，根据本发明的示例性实施例，基底SUB可具有矩形形状。基底SUB可包括从一条短边顺序连接的四条边，例如，第一边S1至第四边S4。
基底SUB可包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧上的非显示区域NDA。根据本发明的示例性实施例，显示区域DA可具有矩形形状，非显示区域NDA可具有围绕显示区域DA的方形环形状。
线部分可设置在非显示区域NDA中。如图2中所示，数据线可设置在与第一边S1对应的非显示区域NDA中。第二电源线ELVSS可在与第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的非显示区域NDA中沿显示区域DA的边缘设置。第二电源线ELVSS可在与第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的非显示区域NDA中设置为具有预定的宽度。第二电源线ELVSS可通过设置在与第一边S1对应的非显示区域NDA中的一些线连接至驱动器。
凹谷VL可通过沿显示区域DA的周界部分地去除有机绝缘层而设置在非显示区域NDA中。凹谷VL可围绕显示区域DA。
凹谷VL可包括分别与基底SUB的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4对应的第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4。第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可分别在基底SUB的第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4的延伸方向上从非显示区域NDA延伸。根据本发明的示例性实施例，图11中示出的第一凹谷VL1的平面形状可具有部分地开放的形状。
如图11中所示，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可为直线。然而，如图12A和图12B中所示，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4的实际形状可为具有预定宽度的开口。如在平面中看到的，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4可不必在直的方向上延伸。根据本发明的示例性实施例，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4的形状可根据设置有第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4的区域处的线的布置来变化。例如如在平面中看到的，第一凹谷VL1、第二凹谷VL2、第三凹谷VL3和第四凹谷VL4中的至少一些可被弯折至少一次或被弯曲。
边缘覆盖路径ECP可设置在非显示区域NDA中。边缘覆盖路径ECP的一端可连接至第一凹谷VL1，边缘覆盖路径ECP的至少一部分可与第一凹谷VL1平行。此外，边缘覆盖路径ECP可被弯曲或弯折至少一次。
下面参照图12A和图12B描述凹谷VL和边缘覆盖路径ECP。
参照图12A和图12B，第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL可顺序地堆叠在基底SUB的上方。第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3以及像素限定层PDL可为由有机材料形成的有机绝缘层。根据本发明的示例性实施例，示出的是，有机绝缘层被划分为第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3。然而，除了被划分为第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的有机绝缘层之外，也可包括单个有机绝缘层。
可部分去除第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL以具有开口。第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL的开口可形成凹谷VL。
导电图案MP可设置在基底SUB或第二绝缘层INS2上。导电图案MP可为用于向每个像素供应第一电力的第一电源线ELVDD。导电图案MP通常可包括导电金属。在与导电图案MP的边缘相邻的区域中会存在残留物。导电图案MP的残留物会与其他导电层产生短路。
如图12A中所示，当导电图案MP设置在第二绝缘层INS2上时，导电图案MP的与凹谷VL相邻的边缘可被第三绝缘层INS3和像素限定层PDL覆盖。
覆盖导电图案MP的边缘的第三绝缘层INS3和像素限定层PDL的区域可为边缘覆盖路径ECP。边缘覆盖路径ECP可包括与第三绝缘层INS3覆盖导电图案MP的边缘的区域对应的第一边缘覆盖路径ECP1以及与像素限定层PDL覆盖导电图案MP的边缘的区域对应的第二边缘覆盖路径ECP2。换言之，第三绝缘层INS3和像素限定层PDL可包括第一边缘覆盖路径ECP1和第二边缘覆盖路径ECP2。
如图12B中所示，当导电图案MP位于基底SUB上时，导电图案MP的与凹谷VL相邻的边缘可被第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL覆盖。
覆盖导电图案MP的边缘的第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL的区域可为边缘覆盖路径ECP。边缘覆盖路径ECP可包括与第三绝缘层INS3覆盖导电图案MP的边缘的区域对应的第一边缘覆盖路径ECP1、与像素限定层PDL覆盖导电图案MP的边缘的区域对应的第二边缘覆盖路径ECP2以及与第二绝缘层INS2覆盖导电图案MP的边缘的区域对应的第三边缘覆盖路径ECP3。换言之，第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL可包括第一边缘覆盖路径ECP1、第二边缘覆盖路径ECP2和第三边缘覆盖路径ECP3。
即使当与导电图案MP的边缘相邻的区域中存在导电图案MP的残留物时，残留物也可被第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和像素限定层PDL覆盖。因此，可防止导电图案MP的残留物与其他导电层短路。
边缘覆盖路径ECP可指有机绝缘层覆盖导电图案MP的区域，有机绝缘层可用作氧或湿气的通道。因此，如图11中所示，当边缘覆盖路径ECP被弯曲时，可延伸氧或湿气的通道，使得可以使氧或湿气向像素中的侵入延迟。
根据本发明的示例性实施例，显示装置可减少在像素限定层的图案化工艺期间残留层的生成并有效地防止氧或湿气侵入像素中。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出和描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神和范围情况下在这里可做出形式上和细节上的各种变化。

Claims (26)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括构造为显示图像的显示区域以及设置在所述显示区域的至少一侧上的非显示区域；
多个像素，设置在所述显示区域中；
有机绝缘层，设置在所述基底上；
像素限定层，设置在所述有机绝缘层上；
密封层，至少部分覆盖所述显示区域和所述非显示区域，并包括无机材料；
其中，所述有机绝缘层和所述像素限定层具有设置于所述有机绝缘层和所述像素限定层中的凹谷，所述凹谷通过沿所述显示区域的周界去除所述有机绝缘层和所述像素限定层的一部分而形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括具有第一宽度的开口，所述像素限定层包括具有第二宽度的开口，所述有机绝缘层的开口和所述像素限定层的开口形成所述凹谷。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一宽度和所述第二宽度彼此不同。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述密封层覆盖所述有机绝缘层和所述像素限定层的侧表面。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述凹谷具有围绕所述显示区域的闭合形状。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述基底具有包括第一边至第四边的四边形形状，
所述凹谷包括分别与所述四边形形状的第一边至第四边对应的第一凹谷至第四凹谷。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一凹谷至所述第四凹谷中的至少一个凹谷包括多个凹谷。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括：
第一电极，设置在所述有机绝缘层上；
发射层，设置在所述第一电极上；
第二电极，设置在所述发射层和所述像素限定层上。
9.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述非显示区域中并向所述第二电极供电的电源线。
10.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述非显示区域中并向所述第二电极供电的电源线，
其中，所述电源线设置为在所述非显示区域中与所述四边形形状的所述第一边至所述第四边中的至少一边对应。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述电源线设置为与所述四边形形状的所述第二边至所述第四边对应，
所述第一凹谷的第一宽度与所述第二凹谷至所述第四凹谷中的一个凹谷的第一宽度不同。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一凹谷的第一宽度大于所述第二凹谷至所述第四凹谷中的一个凹谷的第一宽度。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在与所述第一凹谷对应的区域中，所述像素限定层覆盖所述有机绝缘层的侧表面。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，在与所述第一凹谷对应的区域中，所述第二宽度小于或等于所述第一宽度。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述电源线设置在所述有机绝缘层和所述像素限定层之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括：
第一有机绝缘层，包括具有第三宽度的开口；
第二有机绝缘层，包括具有比所述第三宽度大的第四宽度的开口。
17.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括有机材料。
18.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述密封层包括彼此顺序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层。
19.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基底上的导电图案，
其中，所述有机绝缘层和所述像素限定层包括覆盖所述导电图案的边缘的边缘覆盖路径。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述边缘覆盖路径连接至所述凹谷。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述边缘覆盖路径被弯折或弯曲至少一次。
22.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述有机绝缘层上的导电图案，
其中，所述像素限定层包括覆盖所述导电图案的边缘的边缘覆盖路径。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述边缘覆盖路径连接至所述凹谷。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述边缘覆盖路径被弯折或弯曲至少一次。
25.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基底和所述有机绝缘层之间的钝化层。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述钝化层包括无机材料。
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