CN110277506A - 包括阻挡层的显示装置 - Google Patents
包括阻挡层的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110277506A CN110277506A CN201910018807.0A CN201910018807A CN110277506A CN 110277506 A CN110277506 A CN 110277506A CN 201910018807 A CN201910018807 A CN 201910018807A CN 110277506 A CN110277506 A CN 110277506A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display device
- display area
- barrier layer
- supply lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 317
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 8
- 101100054773 Caenorhabditis elegans act-2 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 glycol ester Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域。显示元件设置在显示区域中并电连接到薄膜晶体管。供电线设置在外围区域中。绝缘层覆盖供电线的一部分。阻挡层设置在绝缘层上并包括面对显示区域的第一侧表面和背离显示区域的第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面。阻挡层相对于绝缘层的上表面形成台阶差。绝缘层的端部在阻挡层的背离显示区域的一侧处位于超出阻挡层的第二侧表面之外处。
Description
本申请要求于2018年3月16日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0031103号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括阻挡层的显示装置。
背景技术
显示装置可以可视地显示由电信号产生的图像。这样的显示装置可以应用在诸如用于显示图像的各种装置中。显示装置可以具有相对小的非显示区域并可以显示相对高的清晰度的图像。已经作出努力以减小非显示区域的面积，因此已经作出努力以减小被非显示区域中的有机层占据的面积。
发明内容
根据本发明的示例性实施例，显示装置可以通过包括无机层或有机层的密封构件来密封。
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域。显示元件设置在显示区域中并电连接到薄膜晶体管。供电线设置在外围区域中。绝缘层覆盖供电线的一部分。阻挡层设置在绝缘层上并包括面对显示区域的第一侧表面和背离显示区域的第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面。阻挡层相对于绝缘层的背离基底的上表面形成台阶差。绝缘层的端部在阻挡层的背离显示区域的一侧处位于超出阻挡层的第二侧表面之外处。
所述显示装置可以包括：平坦化层，位于薄膜晶体管与显示元件之间。像素限定层可以设置在显示元件的像素电极上。像素限定层可以限定暴露像素电极的开口。
绝缘层可以与平坦化层包括相同的材料。阻挡层可以与像素限定层包括相同的材料。
阻挡层可以以预定距离与像素限定层分隔开。
供电线可以包括沿显示区域的边缘延伸的主体部和从主体部朝向基底的外边缘延伸以与所述主体部交叉的连接部。阻挡层可以沿与基底的上表面正交的方向与供电线的主体部叠置。
连接部可以包括凹凸表面。
所述显示装置可以包括设置在外围区域的与显示区域的第一侧相邻的部分中的端子。供电线可以设置在显示区域的第一侧与端子之间。
在平面图中，阻挡层可以延伸为围绕显示区域。
所述显示装置可以包括在平面图中围绕显示区域的坝部。
阻挡层可以位于显示区域的面对外围区域的边缘与坝部之间。
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域。薄膜晶体管，设置在显示区域中。像素电极电连接到薄膜晶体管。绝缘层位于薄膜晶体管与像素电极之间。供电线设置在外围区域中。供电线的一部分被绝缘层覆盖。阻挡层在外围区域中设置为沿与基底的上表面正交的方向与供电线叠置。阻挡层包括面对显示区域的第一侧表面和背离显示区域的第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面。阻挡层相对于绝缘层的背离基底的上表面的上表面形成台阶差。
所述显示装置可以包括：像素限定层，限定暴露像素电极的开口。发射层可以通过像素限定层的开口与像素电极叠置。对电极可以位于发射层上。
阻挡层可以以预定距离与像素限定层分隔开。
绝缘层的端部可以在阻挡层的背离显示区域的一侧处位于阻挡层的第二侧表面之外处。
供电线可以包括沿显示区域的第一侧延伸的主供电线部。阻挡层可以与主供电线部叠置。
所述显示装置可以包括设置在外围区域的与显示区域的第一侧相邻的部分中的端子。供电线可以包括在与主供电线部交叉的方向上延伸并将主供电线部与端子连接的连接部。
连接部的边缘可以包括凹凸表面。
所述显示装置可以包括延伸到显示区域上并电连接到薄膜晶体管的多条驱动电压线。供电线可以向所述多条驱动电压线供应第一电源电压。
所述显示装置可以包括：覆盖显示区域并包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层的薄膜封装层。所述至少一个有机封装层可以延伸到外围区域以覆盖阻挡层。
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底；以及显示区域和与显示区域相邻的外围区域，限定在基底上方。供电线位于基底上方。绝缘层设置在供电线上。第一无机封装层设置在绝缘层上。有机封装层设置在第一无机封装层上。第二无机封装层设置在有机封装层上。阻挡层在外围区域中设置在绝缘层上。坝部在外围区域中设置在绝缘层上。坝部位于比阻挡层更远离显示区域处。
坝部的背离基底的最上水平可以比阻挡层的背离基底的最上水平更远离基底。
沟槽可以形成在绝缘层中，在阻挡层与坝部之间具有预定宽度。
阻挡层可以包括与包括在绝缘层中的材料不同的材料。
坝部可以包括与包括在绝缘层中的材料不同的材料。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的更完整的理解将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图3是根据本发明的示例性实施例的沿图1的线III-III'截取的剖视图；
图4是根据本发明的示例性实施例的显示装置的在供电线附近的部分的平面图；
图5是图4的部分V的平面图；
图6是沿图5的线VI-VI'截取的图4的部分V的剖视图；
图7是根据本发明的示例性实施例的显示装置的第一坝部、阻挡层以及在第一坝部和阻挡层附近的部分的透视剖视图；
图8A、图8B和图8C均是根据本发明的示例性实施例的阻挡层的平面图；
图9是图4的部分IX的平面图；以及
图10是沿图9的线X-X'截取的图4的部分IX的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式并且不应该被解释为限于这里描述的本发明的示例性实施例。
贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以指同样的元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但这些组件不应该被这些术语限制。
如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也可以包括复数形式。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在所述另一组件上或可以存在中间组件。
为了描述的清楚，可以夸大附图中元件的尺寸。
当可以不同地实施某个实施例时，可以以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当元件、区域或层被称为连接到另一元件、区域或层时，该元件、区域或层可以直接或间接连接到所述另一元件、区域或层。例如，可以存在中间元件、区域或层。例如，将理解的是，在本说明书中，当元件、区域或层被称为与另一元件、区域或层接触或者电连接到另一元件、区域或层时，该元件、区域或层可以直接或间接与所述另一元件、区域或层接触，或者直接或间接电连接到所述另一元件、区域或层。例如，可以存在中间元件、区域或层。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以是被构造为显示图像的装置。显示装置可以包括例如液晶显示(LCD)装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射器显示装置、等离子体显示装置或阴极射线显示装置。
下面将描述有机发光显示装置。然而，根据本发明的示例性实施例的显示装置不限于此，并可以包括各种类型的显示装置。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置1可以包括设置在基底100上的显示部40。显示部40可以包括连接到在X方向上延伸的扫描线SL和与扫描线SL交叉的在Y方向上延伸的数据线DL的像素P。作为示例，X方向可以与Y方向垂直。显示部40可以经由从像素P发射的光来显示图像，并可以限定显示区域DA。每个像素P可以发射例如红光、绿光或蓝光。可选地，每个像素P可以发射红光、绿光、蓝光或白光。每个像素P可以包括诸如有机发光二极管OLED(参见例如图2)的显示元件。因此，这里像素P可以可互换地被称为显示元件。
作为示例，多个像素P可以布置在基底100上。像素P可以彼此分隔开。例如，像素P可以(例如，在平面图中)以多个行和列布置以具有矩阵构造。
外围区域PA可以位于显示区域DA外侧(例如，可以与显示区域DA相邻)。外围区域PA可以(例如，在平面图中)围绕显示区域DA。外围区域PA可以是其中未设置像素P的区域，并可以与不显示图像的非显示区域对应。扫描驱动器可以向扫描线SL提供扫描信号，数据驱动器可以向数据线DL提供数据信号。扫描驱动器和数据驱动器可以设置在外围区域PA中。作为示例，在平面图中，外围区域PA可以布置在显示区域DA的四个侧处；然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在平面图中，外围区域PA可以布置在显示区域DA的少于四个侧(例如，三个侧)处。
第一供电线10和第二供电线20可以设置在外围区域PA中。第一供电线10可以与显示区域DA的第一侧E1相邻，第二供电线20可以与显示区域DA的第二侧E2、第三侧E3和第四侧E4相邻。例如，第一供电线10可以设置在显示区域DA的第一侧E1与垫(pad，或称为“焊盘”)部30之间，第二供电线20可以具有环形形状并有与第一侧E1对应的一个开口侧，并可以(例如，在平面图中)部分地围绕显示区域DA。
第一供电线10可以包括沿显示区域DA的第一侧E1延伸的第一主体部(主供电线部)11。第一主体部11可以在X方向上沿显示区域DA的第一侧E1延伸，并可以具有基本上等于或大于显示区域DA的第一侧E1的长度的长度。
第一主体部11可以与在Y方向上从第一主体部11延伸的第一连接部12一体地形成。在拉出区域(例如，导入区域(也被称为引入区域))POA中，第一连接部12可以在Y方向上朝向垫部30延伸。导入区域POA可以是例如范围为从显示区域DA的与垫部30相邻的第一侧E1到基底100的一侧(例如，到基底100的背离显示区域DA的最外边缘)的区域。导入区域POA可以是从显示区域DA的第一侧E1到垫部30的区域。第一连接部12可以从第一主体部11朝向基底100的边缘延伸(例如，延伸到基底100的背离显示区域DA的最外边缘)，并可以连接到垫部30的第一端子31。
作为示例，第一方向X可以与第二方向Y垂直。第一方向X和第二方向Y可以限定基底100沿其延伸的平面。第三方向Z(参见例如图3)可以与第一方向X和第二方向Y垂直。因此，第三方向Z可以与在第一方向X和第二方向Y上延伸的平面正交。
第二供电线20可以包括沿显示区域DA的第二侧E2、第三侧E3和第四侧E4延伸的第二主体部21。第二主体部21可以(例如，在平面图中)沿显示区域DA的除显示区域DA的第一侧E1之外的第二侧E2、第三侧E3和第四侧E4部分地围绕显示区域DA。第二侧E2可以位于与第一侧E1相对的一侧处，第三侧E3和第四侧E4可以将第一侧E1与第二侧E2连接并可以位于彼此相对的侧处。第二主体部21可以(例如，在平面图中)部分地围绕显示区域DA和第一主体部11的相对的端部。
第二主体部21可以与在Y方向上从第二主体部21延伸的第二连接部22一体地形成。在导入区域POA中，第二连接部22可以在Y方向上朝向垫部30延伸。第二连接部22可以在导入区域POA中与第一连接部12平行地延伸，并可以连接到垫部30的第二端子32。
垫部30可以位于与基底100的边缘对应(例如，与基底100的背离显示区域DA的最外边缘对应)的位置中。垫部30不需要被绝缘层覆盖，并可以被暴露，以通过柔性印刷电路板与控制器连接。来自控制器的信号或电力供应可以经由垫部30提供到显示元件。
第一供电线10可以向每个像素P提供第一电源电压ELVDD(参见例如图2)，第二供电线20可以向每个像素P提供第二电源电压ELVSS(参见例如图2)。第一电源电压ELVDD可以经由连接到第一供电线10的驱动电压线PL提供到每个像素P。第二电源电压ELVSS可以提供到有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)。在外围区域PA中，第二供电线20的第二主体部21以及有机发光二极管OLED的对电极可以彼此连接，使得第二电源电压ELVSS被传输到有机发光二极管OLED的对电极。可以设置一条驱动电压线PL。然而，本发明的示例性实施例不限于此，在显示区域DA中可以设置多条驱动电压线PL。
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的等效电路图。
参照图2，像素P可以包括连接到扫描线SL、数据线DL和驱动电压线PL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
多个像素P可以布置在显示区域DA中且位于基底100上。作为示例，像素P可以彼此分隔开。例如，像素P可以(例如，在平面图中)以多个行和列布置以具有矩阵构造。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并可以基于经由扫描线SL提供的扫描信号Sn向驱动薄膜晶体管T1传输经由数据线DL提供的数据信号Dm。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和经由驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并可以基于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以基于驱动电流发射具有一定亮度的光。
作为示例，像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，本发明的示例性实施例不限于此。根据本发明的示例性实施例，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。因此，(例如，根据驱动电路PC的设计)可以对薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量进行各种修改。
图3是根据本发明的示例性实施例的沿图1的线III-III'截取的剖视图。
参照图3，基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。基底100可以具有包括上述材料的单层或多层结构。当基底100包括多层时，基底100还可以包括含有无机绝缘材料的层。基底100可以具有柔性特性、可卷曲特性或可弯折特性。例如，显示装置可以是在一些时间处于弯曲或弯折状态而在其它时间处于基本上平坦状态的可弯折或可折叠的显示装置。可选地，显示装置可以处于永久折叠、永久弯曲或永久弯折的状态。
缓冲层101可以设置在基底100上并可以防止杂质渗入到基底100中。缓冲层101可以包括氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)。
驱动薄膜晶体管T1可以包括驱动半导体层Act1和驱动栅电极G1，开关薄膜晶体管T2可以包括开关半导体层Act2和开关栅电极G2。第一栅极绝缘层103可以设置在驱动半导体层Act1与驱动栅电极G1之间以及开关半导体层Act2与开关栅电极G2之间。第一栅极绝缘层103可以包括诸如SiOx、SiNx或氮氧化硅(SiON)的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层103可以包括单层或多层。作为示例，第一栅极绝缘层103可以与驱动半导体层Act1的背离基底100的上表面直接接触，并可以与驱动栅电极G1的面对基底100的底表面直接接触。此外，第一栅极绝缘层103可以与开关半导体层Act2的背离基底100的上表面直接接触，并可以与开关栅电极G2的面对基底100的底表面直接接触。
驱动半导体层Act1和开关半导体层Act2均可以包括多晶硅。驱动半导体层Act1可以包括(例如，沿Z方向)与驱动栅电极G1叠置并且未掺杂杂质的驱动沟道区C1以及掺杂有杂质的分别位于驱动沟道区C1的相对侧处的驱动源区S1和驱动漏区D1。开关半导体层Act2可以包括(例如，沿Z方向)与开关栅电极G2叠置并且未掺杂杂质的开关沟道区C2以及掺杂有杂质的分别位于开关沟道区C2的相对侧处的开关源区S2和开关漏区D2。本发明的示例性实施例不限于其中驱动半导体层Act1和开关半导体层Act2包括多晶硅的情况。根据本发明的示例性实施例，驱动半导体层Act1和开关半导体层Act2可以包括氧化物半导体或有机半导体。
驱动栅电极G1和开关栅电极G2可以设置在第一栅极绝缘层103上以(例如，沿Z方向)与驱动沟道区C1和开关沟道区C2叠置。驱动栅电极G1和开关栅电极G2均可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并且均可以包括单层或多层。例如，驱动栅电极G1和开关栅电极G2均可以包括包含Mo的单层。
作为示例，这里描述的薄膜晶体管的源区和漏区可以分别是薄膜晶体管的源电极和漏电极。例如，驱动源区S1和驱动漏区D1可以分别是驱动源电极和驱动漏电极，开关源区S2和开关漏区D2可以分别是开关源电极和开关漏电极。这里可以分别使用短语“源区”和“漏区”而不使用短语“源电极”和“漏电极”。
根据本发明的示例性实施例，存储电容器Cst可以设置为(例如，沿Z方向)与驱动薄膜晶体管T1叠置。因此，可以增加存储电容器Cst和驱动薄膜晶体管T1的面积，并可以显示相对高质量的图像。例如，驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1，并且第二存储电容器板CE2可以(例如，沿Z方向)与第一存储电容器板CE1叠置且第二栅极绝缘层105位于第一存储电容器板CE1与第二存储电容器板CE2之间。第二栅极绝缘层105可以包括SiOx、SiNx或SiON，并可以包括(例如，包含上述材料的)单层或多层。
驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst可以基本上被层间绝缘层107覆盖。层间绝缘层107可以包括诸如SiON、SiOx和/或SiNx的无机材料。数据线DL可以设置在层间绝缘层107上，数据线DL可以经由穿透第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107的接触孔连接到开关薄膜晶体管T2的开关半导体层Act2。数据线DL可以连接到开关漏区D2，并且数据线DL的一部分可以是开关漏电极。
驱动电压线PL可以设置在层间绝缘层107上。驱动电压线PL可以包括下驱动电压线PL-1和上驱动电压线PL-2。因此，可以在驱动电压线PL中防止电压降，因此这里描述的显示装置可以显示相对高质量的图像。根据本发明的示例性实施例，由于下驱动电压线PL-1和上驱动电压线PL-2彼此电连接且无机绝缘层108和第一绝缘层109位于下驱动电压线PL-1与上驱动电压线PL-2之间，因此可以防止驱动电压线PL的电阻增大，并可以防止会由驱动电压线PL的电阻导致的电压降。
下驱动电压线PL-1可以与数据线DL包括相同的材料。例如，下驱动电压线PL-1可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并可以包括单层或多层。在本发明的示例性实施例中，下驱动电压线PL-1可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
下驱动电压线PL-1和上驱动电压线PL-2可以经由通过位于下驱动电压线PL-1与上驱动电压线PL-2之间的无机绝缘层108和第一绝缘层109限定的接触孔而彼此连接。驱动电压线PL可以基本上被第二绝缘层111覆盖，第二绝缘层111可以是平坦化绝缘层。因此，第二绝缘层111可以是平坦化层并可以可互换地被称为平坦化层。第一绝缘层109也可以是平坦化层并可以可互换地被称为平坦化层。上驱动电压线PL-2可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并可以包括单层或多层。在本发明的示例性实施例中，上驱动电压线PL-2可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
下驱动电压线PL-1和数据线DL可以基本上被无机绝缘层108覆盖。无机绝缘层108可以保护下驱动电压线PL-1和数据线DL以及/或者设置在(例如，上面参照图1描述的)外围区域PA中的各种电压线和布线，因此防止在显示装置的制造工艺(例如，蚀刻工艺)中对电压线和布线的损坏。
第一绝缘层109可以包括有机材料。第一绝缘层109可以包括有机绝缘材料，诸如酰亚胺类聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。
第二绝缘层111可以基本上覆盖数据线DL和驱动电压线PL。第二绝缘层111可以是包括有机绝缘材料的绝缘层，并可以提供其上可以设置有像素电极310的基本上平坦的表面。有机材料可以包括酰亚胺类聚合物、诸如PMMA和PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。
有机发光二极管OLED可以位于第二绝缘层111上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极310、对电极330和位于像素电极310与对电极330之间的中间层320。中间层320可以包括发射层。
像素电极310可以设置在第二绝缘层111上。作为示例，像素电极310可以经由形成在第二绝缘层111中的接触孔电连接到第二绝缘层111下方的像素电路(例如驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2)。
可以经由像素限定层113的开口暴露像素电极310。像素限定层113可以通过具有暴露像素电极310的开口来限定像素。像素限定层113可以基本上覆盖像素电极310的边缘(例如，上表面的边缘和侧表面)，并可以增大像素电极310与对电极330之间的距离，因此防止像素电极310(例如，像素电极310的边缘)与对电极330之间电弧的出现。像素限定层113可以包括诸如PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
中间层320可以包括相对低分子量的材料或相对高分子量的材料。在本发明的示例性实施例中，在中间层320包括相对低分子量的材料的情况下，中间层320可以具有包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)或电子注入层(“EIL”)的单层或多层结构，并可以包括包含铜酞菁(“CuPc”)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(“NPB”)或三-8-羟基喹啉铝(“Alq3”)的各种有机材料中的至少一种。
在本发明的示例性实施例中，在中间层320包括相对高分子量的材料的情况下，中间层320可以具有包括HTL和EML的结构。在本发明的示例性实施例中，HTL可以包括PEDOT，EML可以包括诸如聚亚苯基亚乙基(“PPV”)类聚合物或聚芴类聚合物的相对高分子量的材料。然而，中间层320的结构不限于此并且可以改变。在本发明的示例性实施例中，例如，中间层320的层中的至少一个层可以一体地形成为单个单体单元，并可以设置在多个像素电极310之上。可选地，中间层320可以包括被图案化为与每个像素电极310的位置对应的层。
对电极330可以设置在中间层320上并可以基本上覆盖显示区域DA(参见例如图1)。对电极330可以一体地形成为单个单体单元。
薄膜封装层400可以基本上覆盖包括有机发光二极管OLED的显示部40(参见例如图1)。薄膜封装层400可以防止诸如有机发光二极管OLED的显示元件由于外部湿气或氧而被损坏。薄膜封装层400可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以基本上覆盖对电极330，并可以包括SiOx、SiNx和/或SiON。诸如覆盖层的其它层可以位于第一无机封装层410与对电极330之间。作为示例，当未形成覆盖层时，第一无机封装层410可以包括具有不同性质的至少两个SiON层。
有机封装层420可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂或苝类树脂中选择的至少一种材料。
第二无机封装层430可以基本上覆盖有机封装层420，并可以包括SiOx、SiNx和/或SiON。
可以通过使用化学气相沉积(CVD)方法来形成第一无机封装层410和第二无机封装层430，并可以通过在基底100上以液体形式涂覆有机材料并固化液体有机材料来形成有机封装层420。将在下面参照图4更详细地描述的坝部210可以设置在外围区域PA中，因此以液体形式扩散的有机材料不流向基底100的边缘并且不流入垫部30(参见例如图1)中。因此，可以防止对垫部30的损坏，并可以增大这里描述的显示装置的可靠性和产品良率。
图4是根据本发明的示例性实施例的显示装置的在供电线附近的部分的平面图。
参照图4，坝部210可以具有(例如，在平面图中)围绕显示区域DA的环的形状，并可以设置在外围区域PA中。坝部210可以包括第一坝部212和(例如，在平面图中)围绕第一坝部212的第二坝部214。坝部210可以防止用于形成薄膜封装层400的有机封装层420的液体有机材料流向基底100的边缘。
随着外围区域PA的面积减小，第一坝部212与第二坝部214之间的距离会减小。因此，为了增强对用于形成有机封装层420的液体有机材料的流动的控制，可以在显示区域DA与坝部210之间设置阻挡层230。阻挡层230可以相对于阻挡层230下方的层形成台阶差。阻挡层230可以包括预定图案，并可以抑制或延迟液体有机材料的流动。(例如，当在平面图中沿Z方向观看阻挡层230时)阻挡层230可以包括之字形图案或凹凸图案。
图5是图4的部分V的平面图。图6是沿图5的线VI-VI'截取的图4的部分V的剖视图。图7是根据本发明的示例性实施例的显示装置的第一坝部、阻挡层以及在第一坝部和阻挡层附近的部分的透视剖视图。在图7中，未示出设置在第一坝部212和阻挡层230上方的组件。
参照图5，第一供电线10可以位于外围区域PA中，其中，第一供电线10包括在第一方向上(例如，在X方向上)延伸的第一主体部11和与第一主体部11交叉的在第二方向上(例如，在Y方向上)延伸的第一连接部12。第二供电线20可以位于与第一供电线10相邻处。
第一供电线10可以包括多层。根据本发明的示例性实施例，第一供电线10可以包括堆叠的第一层10A和第二层10B(参见例如图6)。第一层10A可以与数据线DL和/或下驱动电压线PL-1(参见例如图3)通过同一工艺一起形成，以与数据线DL和/或下驱动电压线PL-1包括相同的材料，第二层10B可以与上驱动电压线PL-2(参见例如图3)通过同一工艺一起形成，以与上驱动电压线PL-2包括相同的材料。
参照图6，第一供电线10的部分(诸如分别与第一主体部11和第一连接部12对应的部分)均可以包括第一层10A和第二层10B。然而，本发明的示例性实施例不限于此。根据本发明的示例性实施例，第一供电线10的与第一主体部11对应的部分可以具有其中第一层10A和第二层10B如上所述地堆叠的结构，而第一供电线10的与第一连接部12对应的其它部分可以是单个第一层10A。与第一供电线10类似，第二供电线20可以包括多个层。第二供电线20的至少一部分包括彼此叠置的多个层。
第一供电线10可以被绝缘层部分地覆盖。例如，第二绝缘层111可以延伸到第一供电线10上并可以部分地覆盖第一供电线10。第二绝缘层111可以超出显示区域DA(参见例如图1)之外延伸到外围区域PA，并可以部分地覆盖第一供电线10。第二绝缘层111的端部111E可以位于坝部210与显示区域DA之间。第二绝缘层111的端部111E可以以预定距离与坝部210分隔开。作为示例，第二绝缘层111的端部111E可以位于第一供电线10的第一主体部11上。在一些示例性实施例中，第二绝缘层111的位于外围区域PA中的部分可以被称为绝缘层，第一绝缘层109和/或第二绝缘层111的位于显示区域DA中的部分可以被称为平坦化层。
坝部210可以设置在第二绝缘层111的背离显示区域DA的端部111E的一侧处。第一坝部212可以(例如，在平面图中)围绕显示区域DA，同时以第一距离D与第二绝缘层111的端部111E分隔开。第一距离D可以在阻挡层230和第一坝部212之间限定形成在的第二绝缘层111中的沟槽。因此，沟槽可以在阻挡层230和第一坝部212之间(例如，沿平行于基底100的上表面的方向，诸如沿第一方向X和/或沿第二方向Y)具有预定宽度。第二坝部214可以(例如，在平面图中)围绕显示区域DA，同时以大于第一距离D的距离与第二绝缘层111的端部111E间隔开。
参照图6和图7，涂覆在基底100上以形成薄膜封装层400的有机封装层420的液体有机材料M可以在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上流动。第一方向(例如，X方向)可以是与显示区域DA(参见例如图1和图4)的边缘(例如，侧)平行的方向，第二方向(例如，Y方向)可以是与第一方向交叉的方向(例如，与第一方向垂直的方向)。可以通过形成在第二绝缘层111上的包括之字形表面或凹凸表面的阻挡层230来减少液体有机材料M在第一方向和第二方向上的流动。另外，第一供电线10和第二供电线20的侧边缘可以包括凹凸形状。
阻挡层230可以设置在第二绝缘层111上以相对于第二绝缘层111的上表面形成台阶差。阻挡层230可以包括面对显示区域DA的第一侧表面230S1和背离显示区域DA的(例如，位于与第一侧表面230S1相对的侧处的)第二侧表面230S2。第一侧表面230S1和第二侧表面230S2中的至少一个可以包括之字形表面或凹凸表面。作为示例，阻挡层230的第一侧表面230S1可以包括凹凸表面，因此阻挡层230可以具有其中凸部231和凹部232交替地设置的结构。
用于形成有机封装层420的液体有机材料M可以在接触形成在第二绝缘层111与阻挡层230之间的台阶差的表面的同时流动。例如，液体有机材料M可以在接触第二绝缘层111的上表面和阻挡层230的第一侧表面230S1的同时流动。例如，液体有机材料M可以在第一方向上沿阻挡层230的第一侧表面230S1的凹凸表面流动，其流动可以由于之字形表面受到抑制或延迟。
阻挡层230可以设置为(例如，沿Z方向)与第一供电线10(参见例如图5)的第一主体部11叠置。例如，阻挡层230可以与第一主体部11叠置，并可以位于第一主体部11的端部11E与显示区域DA之间。液体有机材料M可以(例如，在X方向或Y方向上)沿具有台阶差的结构流动。台阶差可以形成在第二绝缘层111与阻挡层230之间。台阶差也可以形成在第一连接部12的端边缘12E与形成在第一连接部12的端边缘12E下方的层(例如，图6的层间绝缘层107)之间。
外围区域PA在第二方向上的余量(例如，显示区域DA的第一侧E1与基底100的边缘之间的距离)可以以比外围区域PA在第一方向上的余量(例如，在平面图中围绕显示区域DA的距离)(例如，第三侧E3和第四侧E4分别与基底100的相应的外边缘之间的距离)小。因此，沿第一方向(例如，X方向)包括凹凸表面的阻挡层230可以设置为(例如，沿Z方向)与在第一方向上延伸的第一主体部11叠置。因此，可以减少液体有机材料M的流动。例如，在液体有机材料M经由在第二方向上延伸的第一连接部12在第二方向上流动之前，液体有机材料M的流动可以被阻挡层230延迟。
阻挡层230可以设置在第二绝缘层111的端部111E与显示区域DA之间。作为示例，第二绝缘层111可以比阻挡层230朝向基底100的边缘延伸得远第二距离“d”。因此，台阶差还可以形成在阻挡层230的第二侧表面230S2与第二绝缘层111的上表面之间，因此可以进一步减少或延迟液体有机材料M的流动。当阻挡层230的第二侧表面230S2包括之字形表面或凹凸表面时，可以进一步减少或延迟液体有机材料M的流动。
阻挡层230可以与像素限定层113包括相同的材料。例如，阻挡层230可以与像素限定层113通过同一工艺一起形成。参照图7，像素限定层113可以超出显示区域DA之外延伸到外围区域PA。像素限定层113的外端边缘113E可以位于阻挡层230的第一侧表面230S1与显示区域DA之间。因此，阻挡层230与像素限定层113可以彼此分隔开。
其流动被阻挡层230减少或延迟的液体有机材料M可以通过穿过阻挡层230或越过阻挡层230而相对缓慢地流向第一坝部212，并可以形成有机封装层420。为了延迟液体有机材料M在第二方向(例如，Y方向)上进行的流动，第一供电线10的边缘的一部分(例如第一连接部12的端边缘12E)可以包括凹凸结构(参见例如图5)。类似地，第二供电线20的端边缘20E可以包括凹凸表面。
通过液体有机材料M(其流动被阻挡层230以及第一供电线10的端边缘12E和第二供电线20的端边缘20E的凹凸结构延迟)形成的有机封装层420可以位于坝部210的面对显示区域DA的内部处，同时覆盖阻挡层230。有机封装层420的边缘可以位于与第一坝部212的面对显示区域DA的内侧表面对应的位置中。
第一坝部212可以包括包含第一坝层212A和第二坝层212B的多个层(参见例如图6)。根据本发明的示例性实施例，第一坝层212A可以与第二绝缘层111包括相同的材料，第二坝层212B可以与阻挡层230包括相同的材料。
阻挡层230可以与像素限定层113包括相同的材料，并可以与像素限定层113通过同一工艺形成。阻挡层230可以与像素限定层113分隔开。像素限定层113可以延伸超出显示区域DA之外以覆盖外围区域PA中的第一供电线10的一部分。然而，本发明的示例性实施例不限于此。根据本发明的示例性实施例，像素限定层113的外端边缘113E在与阻挡层230分隔开的同时不需要覆盖第一供电线10。这样，像素限定层113的具体位置可以改变。
根据本发明的示例性实施例，显示装置可以包括基底100，并且显示区域DA和与显示区域DA相邻的外围区域PA可以限定在基底100上方。供电线(例如，第一供电线10)可以位于基底100上方。绝缘层(例如，第二绝缘层111)可以设置在供电线上。第一无机封装层410可以设置在绝缘层上。有机封装层420可以设置在第一无机封装层410上。第二无机封装层430可以设置在有机封装层420上。阻挡层230可以在外围区域PA中设置在绝缘层上。坝部(例如，第一坝部212)可以在外围区域PA中设置在绝缘层上位于阻挡层230的背离显示区域DA的一侧处。坝部的背离基底100的最上水平可以比阻挡层230的背离基底100的最上水平更远离基底100。
在阻挡层与坝部之间具有预定宽度(例如，具有第一距离D的宽度)的沟槽可以形成在绝缘层(例如，第二绝缘层111)中。
阻挡层230可以包括与包括在第二绝缘层111中的材料不同的材料。
坝部212可以包括与包括在第二绝缘层111中的材料不同的材料。
图8A、图8B和图8C均是根据本发明的示例性实施例的阻挡层的平面图。
参照图8A和图8B，阻挡层230的第一侧表面230S1和第二侧表面230S2都可以包括之字形表面或凹凸表面，并且可以对其具体形状进行各种修改。例如，第一侧表面230S1的凸区域和第二侧表面230S2的凸区域可以沿第二方向Y彼此相邻或彼此对准(参见例如图8A)。可选地，第一侧表面230S1的凸区域和第二侧表面230S2的凹区域可以沿第二方向Y彼此相邻或彼此对准(参见例如图8B)。可选地，仅阻挡层230的第二侧表面230S2可以包括之字形表面或凹凸表面(参见例如图8C)。
根据本发明的示例性实施例，当在(例如，由第一方向X和第二方向Y限定的平面上的)平面图中观看时，阻挡层230的之字形表面或凹凸表面可以包括方形形状。然而，本发明的示例性实施例不限于此。可以对阻挡层230的之字形或凹凸表面的形状进行各种修改。例如，(例如，当在平面图中观看时)之字形表面或凹凸表面可以具有诸如三角形形状的多边形形状或诸如半圆形形状的圆的形状。
图9是图4的部分IX的平面图。图10是沿图9的线X-X'截取的图4的部分IX的剖视图。
参照图9和图10，阻挡层230可以(例如，诸如在平面图中)设置为围绕显示区域DA(参见例如图4)，并可以控制液体有机材料M的流动。作为示例，阻挡层230可以设置为与显示区域DA的第三侧E3相邻。阻挡层230可以设置在第二绝缘层111上，同时相对于第二绝缘层111形成台阶差。作为示例，如上参照图5至图7所描述的，第二绝缘层111可以朝向基底100的边缘(例如，外边缘)延伸超出阻挡层230之外达第二距离“d”，并可以包括之字形表面或凹凸表面，因此下面可以省略重复的描述。
阻挡层230的与显示区域DA的第三侧E3相邻的部分可以(例如，沿Z方向)与设置在其下方的驱动电路部分50叠置。驱动电路部分50可以是扫描驱动器，扫描驱动器可以与扫描线SL连接并可以向扫描线SL提供扫描信号。
坝部210可以(例如，在平面图中)设置为围绕显示区域DA(参见例如图4)。坝部210可以控制液体有机材料M的流动。例如，第一坝部212可以(例如，沿Z方向)设置为和与显示区域DA的第三侧E3相邻的第二供电线20叠置。
第二供电线20可以设置为与显示区域DA的第三侧E3相邻，并且第二供电线20可以具有其中第一层20A和第二层20B堆叠的结构。第二供电线20可以经由第二绝缘层111与阻挡层230之间的连接电极层301连接到有机发光二极管OLED的对电极330(参见例如图3)。
根据本发明的示例性实施例，可以经由设置在坝部的内部处的阻挡层来延迟用于形成有机封装层的液体有机材料的流动，因此可以减小显示元件的外围区域的面积。
应理解的是，应该以描述性的意义来考虑这里描述的实施例，而不是为了限制的目的。通常应当认为每个实施例内的特征或方面的描述可以用于其它实施例中其它类似的特征或方面。
尽管已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员而言将清楚的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行形式上和细节上的各种改变。
Claims (24)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域；
显示元件，设置在所述显示区域中并电连接到薄膜晶体管；
供电线，设置在所述外围区域中；
绝缘层，覆盖所述供电线的一部分；以及
阻挡层，设置在所述绝缘层上，并包括面对所述显示区域的第一侧表面和背离所述显示区域的第二侧表面，其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面，
其中，所述阻挡层相对于所述绝缘层的背离所述基底的上表面形成台阶差，并且
所述绝缘层的端部在所述阻挡层的背离所述显示区域的一侧处位于超出所述阻挡层的所述第二侧表面之外处。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
平坦化层，位于所述薄膜晶体管与所述显示元件之间；以及
像素限定层，设置在所述显示元件的像素电极上并限定暴露所述像素电极的开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述绝缘层与所述平坦化层包括相同的材料，并且
所述阻挡层与所述像素限定层包括相同的材料。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述阻挡层以预定距离与所述像素限定层分隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述供电线包括沿所述显示区域的边缘延伸的主体部和从所述主体部朝向所述基底的外边缘延伸以与所述主体部交叉的连接部，并且
所述阻挡层沿与所述基底的上表面正交的方向与所述供电线的所述主体部叠置。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接部包括凹凸表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
端子，设置在所述外围区域的与所述显示区域的第一侧相邻的部分中，
其中，所述供电线设置在所述显示区域的所述第一侧与所述端子之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，当在平面中观看时，所述阻挡层延伸为围绕所述显示区域。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
坝部，在平面图中围绕所述显示区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述阻挡层位于所述显示区域的面对所述外围区域的边缘与所述坝部之间。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域；
薄膜晶体管，设置在所述显示区域中；
像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；
绝缘层，位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间；
供电线，设置在所述外围区域中，其中，所述供电线的一部分被所述绝缘层覆盖；以及
阻挡层，在所述外围区域中设置为沿与所述基底的上表面正交的方向与所述供电线叠置，所述阻挡层包括面对所述显示区域的第一侧表面和背离所述显示区域的第二侧表面，其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面，其中，所述阻挡层相对于所述绝缘层的背离所述基底的所述上表面的上表面形成台阶差。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，限定暴露所述像素电极的开口；
发射层，通过所述像素限定层的所述开口与所述像素电极叠置；以及
对电极，位于所述发射层上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述阻挡层以预定距离与所述像素限定层分隔开。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘层的端部在所述阻挡层的背离所述显示区域的一侧处位于超出所述阻挡层的所述第二侧表面之外处。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述供电线包括沿所述显示区域的第一侧延伸的主供电线部，并且
所述阻挡层沿与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述主供电线部叠置。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
端子，设置在所述外围区域的与所述显示区域的所述第一侧相邻的部分中，
其中，所述供电线还包括连接部，所述连接部在与所述主供电线部交叉的方向上延伸，并将所述主供电线部与所述端子连接。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述连接部的边缘包括凹凸表面。
18.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多条驱动电压线，延伸到所述显示区域上并电连接到所述薄膜晶体管，
其中，所述供电线向所述多条驱动电压线供应第一电源电压。
19.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜封装层，覆盖所述显示区域并包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，
其中，所述至少一个有机封装层延伸到所述外围区域以覆盖所述阻挡层。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，限定在所述基底上方；
供电线，位于所述基底上方；
绝缘层，设置在所述供电线上；
第一无机封装层，设置在所述绝缘层上；
有机封装层，设置在所述第一无机封装层上；
第二无机封装层，设置在所述有机封装层上；
阻挡层，在所述外围区域中设置在所述绝缘层上；以及
坝部，在所述外围区域中设置在所述绝缘层上，其中，所述坝部位于比所述阻挡层更远离所述显示区域处。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述坝部的背离所述基底的最上水平比所述阻挡层的背离所述基底的最上水平更远离所述基底。
22.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括：沟槽，形成在所述绝缘层中，在所述阻挡层与所述坝部之间具有预定宽度。
23.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括与包括在所述绝缘层中的材料不同的材料。
24.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述坝部包括与包括在所述绝缘层中的材料不同的材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180031103A KR102544242B1 (ko) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 표시 장치 |
| KR10-2018-0031103 | 2018-03-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110277506A true CN110277506A (zh) | 2019-09-24 |
Family
ID=67906148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910018807.0A Pending CN110277506A (zh) | 2018-03-16 | 2019-01-09 | 包括阻挡层的显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10629845B2 (zh) |
| KR (1) | KR102544242B1 (zh) |
| CN (1) | CN110277506A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022052695A1 (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| WO2022226941A1 (zh) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示基板及其制备方法 |
| WO2023230833A1 (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| WO2023231114A1 (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102522591B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102544242B1 (ko) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10756297B2 (en) * | 2018-04-19 | 2020-08-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible panel, manufacturing method for the same and display device |
| US10692950B2 (en) * | 2018-08-31 | 2020-06-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel having a first barrier closed ring and a second barrier closed ring |
| KR20200039085A (ko) | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 |
| CN111128010B (zh) * | 2018-11-01 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法及显示装置 |
| KR20200108200A (ko) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 셀, 이의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 표시 장치 |
| KR20200123906A (ko) * | 2019-04-22 | 2020-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN110120465B (zh) * | 2019-05-28 | 2022-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板和具有其的显示装置 |
| KR20210052728A (ko) * | 2019-10-30 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110767731B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| EP4030482A4 (en) * | 2019-11-15 | 2022-09-28 | BOE Technology Group Co., Ltd. | ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE |
| KR20210086814A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20220036404A (ko) | 2020-09-14 | 2022-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
| CN112002831A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示面板 |
| CN114464643A (zh) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN112366225A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR20220082315A (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치 |
| KR20220096922A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 발광 표시 장치 |
| CN114094033A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-02-25 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | Oled封装方法和oled封装结构 |
| KR20230082281A (ko) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| KR20230104413A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409869A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| CN107437554A (zh) * | 2016-05-27 | 2017-12-05 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107437555A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
| CN107658386A (zh) * | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 三星显示有限公司 | 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置 |
| KR20180013452A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4789063B2 (ja) | 2006-01-19 | 2011-10-05 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| KR101156782B1 (ko) * | 2010-08-03 | 2012-06-18 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 |
| KR101781506B1 (ko) | 2010-12-23 | 2017-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 |
| KR20150025994A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR102218573B1 (ko) | 2013-09-30 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102279921B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102391361B1 (ko) | 2015-01-14 | 2022-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102364863B1 (ko) | 2015-03-10 | 2022-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102370352B1 (ko) | 2015-07-29 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102632616B1 (ko) | 2016-06-27 | 2024-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10439165B2 (en) * | 2016-07-29 | 2019-10-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR20180060851A (ko) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102357392B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN107425033B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-12-17 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示设备 |
| KR102354977B1 (ko) * | 2017-07-03 | 2022-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102544242B1 (ko) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2018
- 2018-03-16 KR KR1020180031103A patent/KR102544242B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-11 US US16/157,749 patent/US10629845B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-09 CN CN201910018807.0A patent/CN110277506A/zh active Pending
-
2020
- 2020-04-06 US US16/840,695 patent/US11349097B2/en active Active
-
2022
- 2022-05-27 US US17/826,530 patent/US11882722B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409869A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| CN107437554A (zh) * | 2016-05-27 | 2017-12-05 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107658386A (zh) * | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 三星显示有限公司 | 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置 |
| KR20180013452A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN107437555A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022052695A1 (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| WO2022226941A1 (zh) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示基板及其制备方法 |
| WO2023230833A1 (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| WO2023231114A1 (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220285649A1 (en) | 2022-09-08 |
| US10629845B2 (en) | 2020-04-21 |
| US20190288234A1 (en) | 2019-09-19 |
| US20200235338A1 (en) | 2020-07-23 |
| US11882722B2 (en) | 2024-01-23 |
| KR102544242B1 (ko) | 2023-06-19 |
| US11349097B2 (en) | 2022-05-31 |
| KR20190109690A (ko) | 2019-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110277506A (zh) | 包括阻挡层的显示装置 | |
| KR102491884B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US11670238B2 (en) | Display apparatus | |
| CN109390378A (zh) | 显示装置 | |
| CN110364549A (zh) | 显示设备 | |
| CN107731869A (zh) | 显示设备 | |
| CN109860204A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US7538488B2 (en) | Flat panel display | |
| CN108091634A (zh) | 显示装置 | |
| CN108074960A (zh) | 显示装置 | |
| CN109585492A (zh) | 显示装置 | |
| CN108074957A (zh) | 显示装置 | |
| CN109786394A (zh) | 显示装置 | |
| US8446730B2 (en) | Package of environmental sensitive element | |
| CN106340531A (zh) | 有机发光显示装置 | |
| CN110061032A (zh) | 显示装置 | |
| CN106328671A (zh) | 柔性有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
| CN109390354A (zh) | 显示设备 | |
| KR20160013489A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN110246869A (zh) | 显示设备 | |
| CN110289282A (zh) | 有机发光显示装置 | |
| CN108074956A (zh) | 显示装置 | |
| CN107579094A (zh) | 具有保护性结构的显示装置 | |
| CN111261670A (zh) | 显示装置 | |
| CN107403826A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |