CN109860204A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：基板，基板包括第一区域、第二区域、以及位于第一区域与第二区域之间的弯折区域；设置在第一区域中的内部配线；设置在第二区域中的外部配线；层间绝缘层，层间绝缘层覆盖内部配线和外部配线并且在层间绝缘层中限定有与弯折区域对应的开口；第一有机绝缘层，第一有机绝缘层的一部分位于开口中；连接配线，连接配线设置在第一有机绝缘层上并且将内部配线连接至外部配线；导电层，导电层设置在层间绝缘层与第一有机绝缘层之间并且电连接至内部配线和外部配线之一；以及无机保护层，无机保护层覆盖导电层并且在无机保护层中限定有与弯折区域对应的开口。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2017年11月30日提交的韩国专利申请第10-2017-0163690号的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本申请中。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，显示装置的使用变得更加多样化。此外，随着显示装置变得更薄且重量更轻，显示装置的使用范围逐渐扩展。随着以各种方式利用显示装置，显示装置的设计已变得多样化，如将显示装置的至少一部分弯折的能力之类。
发明内容
为了弯折显示装置，需要一种用于防止在弯折区域周围发生破裂的结构和工艺，并且因而与不包括可弯折区域的显示装置相比，结构会复杂并且会进一步增加工艺数量。
一个或多个示例性实施方式包括一种显示装置，该显示装置需要最少的工艺并且包括具有与之对应的结构的弯折区域。然而，该目的是作为示例提供的，并且本发明的范围不限于此。
附加的示例性实施方式将部分地阐述在下面的描述中，将部分地通过该描述而显而易见或者可通过所提出的这些实施方式的实践领会到。
根据一个或多个示例性实施方式，一种显示装置包括：基板，所述基板包括第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯折区域；内部配线，所述内部配线设置在所述第一区域中；外部配线，所述外部配线设置在所述第二区域中；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述内部配线和所述外部配线并且在所述层间绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口；第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层的一部分位于所述层间绝缘层的所述开口中；连接配线，所述连接配线设置在所述第一有机绝缘层上并且将所述内部配线和所述外部配线连接；导电层，所述导电层设置在所述层间绝缘层与所述第一有机绝缘层之间并且电连接至所述内部配线和所述外部配线之一；以及无机保护层，所述无机保护层覆盖所述导电层并且在所述无机保护层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
在一示例性实施方式中，与所述层间绝缘层的所述开口相邻的所述层间绝缘层的端部的上表面可被所述无机保护层覆盖。
在一示例性实施方式中，所述显示装置可进一步包括下部绝缘层，所述下部绝缘层设置在所述内部配线下方，使得所述内部配线位于所述下部绝缘层与所述层间绝缘层之间，并且在所述下部绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述下部绝缘层和所述层间绝缘层可形成阶梯差。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部可覆盖所述层间绝缘层的侧表面和所述下部绝缘层的上表面。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部可被所述第一有机绝缘层覆盖。
在一示例性实施方式中，所述第一有机绝缘层可在所述弯折区域中直接接触所述基板。
在一示例性实施方式中，所述基板可包括基底层和无机阻挡层，所述无机阻挡层设置在所述基底层上并且在所述无机阻挡层中限定有与所述弯折区域对应的开口，并且所述第一有机绝缘层直接接触所述基底层。
在一示例性实施方式中，所述第一区域可包括显示区域，所述显示区域包括多个像素，并且每个像素可包括薄膜晶体管、电连接至所述薄膜晶体管的像素电极、面对所述像素电极的对向电极、以及位于所述像素电极与所述对向电极之间的中间层，所述中间层包括发光层。
在一示例性实施方式中，所述显示装置可进一步包括第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层设置在所述连接配线与所述像素电极之间。
根据一个或多个示例性实施方式，一种显示装置，包括：基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，其中在所述显示区域中设置有薄膜晶体管和包括按顺序堆叠的像素电极、中间层和对向电极的显示元件，并且其中所述非显示区域与所述显示区域相邻并且包括弯折区域；内部配线和外部配线，所述内部配线和所述外部配线在它们之间具有所述弯折区域的情况下彼此相互分隔开；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述内部配线和所述外部配线上并且在所述层间绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口；连接配线，所述连接配线将所述内部配线电连接至所述外部配线并且横跨所述弯折区域；以及第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层设置在所述显示区域和所述非显示区域中，所述第一有机绝缘层的一部分位于所述层间绝缘层的所述开口中，其中所述连接配线设置在所述像素电极下方并且在所述连接配线与所述像素电极之间具有绝缘层。
在一示例性实施方式中，所述显示装置可进一步包括导电层，所述导电层设置在所述内部配线与所述连接配线之间以及所述外部配线与所述连接配线之间。
在一示例性实施方式中，所述显示装置可进一步包括无机保护层，所述无机保护层设置在所述导电层上并且在所述无机保护层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部可覆盖所述层间绝缘层并且可被所述第一有机绝缘层覆盖。
在一示例性实施方式中，所述显示装置可进一步包括下部绝缘层，所述下部绝缘层设置在所述内部配线下方，使得所述内部配线位于所述下部绝缘层与所述层间绝缘层之间，并且在所述下部绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
在一示例性实施方式中，所述基板可包括基底层和位于所述基底层上的无机阻挡层，所述下部绝缘层为所述无机阻挡层。
在一示例性实施方式中，所述第一有机绝缘层可直接接触所述基板的所述基底层。
在一示例性实施方式中，所述层间绝缘层和所述下部绝缘层可形成阶梯差。
在一示例性实施方式中，所述下部绝缘层的所述开口的宽度可大于所述弯折区域的宽度。
在一示例性实施方式中，所述层间绝缘层的所述开口的宽度可大于所述下部绝缘层的所述开口的宽度。
根据一个或多个示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：在显示区域中形成薄膜晶体管和存储电容器；在非显示区域中形成内部配线和外部配线，所述内部配线和所述外部配线在弯折区域附近彼此分隔开；形成层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述内部配线和所述外部配线上并且在所述层间绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口；形成连接至所述薄膜晶体管的连接金属；形成连接至所述内部配线和所述外部配线的导电层；形成覆盖所述连接金属和所述导电层的无机保护层；以及蚀刻所述无机保护层，以限定出暴露所述连接金属的孔、暴露所述导电层的第一接触孔、以及与所述弯折区域对应的开口，其中所述无机保护层的所述蚀刻包括：蚀刻提供在所述无机保护层下方的至少一个下部无机绝缘层，使得在所述至少一个下部无机绝缘层中限定出与所述弯折区域对应的开口。
在一示例性实施方式中，所述无机保护层的所述蚀刻和所述至少一个下部无机绝缘层的所述蚀刻可使用半色调掩模在同一掩模工艺期间执行。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述层间绝缘层的端部和所述至少一个下部无机绝缘层的端部可形成阶梯差。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部可位于所述层间绝缘层的端部上。
在一示例性实施方式中，在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部可位于所述至少一个下部无机绝缘层的端部上。
在一示例性实施方式中，所述方法可进一步包括在所述无机保护层上形成第一有机绝缘层，使得所述第一有机绝缘层的一部分位于所述层间绝缘层的所述开口和所述至少一个下部无机绝缘层的所述开口中。
在一示例性实施方式中，所述第一有机绝缘层可延伸至所述显示区域，使得所述第一有机绝缘层设置在所述连接金属上。
在一示例性实施方式中，在所述第一有机绝缘层中可限定有暴露所述导电层的第二接触孔，并且所述方法可进一步包括形成通过所述第二接触孔连接至所述导电层的连接配线。
在一示例性实施方式中，所述方法可进一步包括在所述连接配线上形成第二有机绝缘层，并且在所述第二有机绝缘层上形成像素电极。
附图说明
这些和/或其他示例性实施方式将从下面结合附图的示例性实施方式的描述而变得显而易见并更易于理解，其中：
图1是根据一示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图2是根据一示例性实施方式的显示装置的一部分的透视图；
图3是根据一示例性实施方式的显示装置的剖面视图；
图4A是图3的弯折区域周围的部分区域的放大剖面视图；
图4B是图4A的变形例的视图；
图5是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图，并且其对应于沿图1的线A-A'和B-B'截取的显示装置的剖面；
图6是根据一示例性实施方式的显示装置的配线单元的一部分的平面视图；
图7是沿图6的线VII-VII'截取的配线单元的剖面视图；
图8是沿图6的线VIII-VIII'截取的配线单元的剖面视图；
图9是沿图6的线IX-IX'截取的配线单元的剖面视图；
图10是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图；
图11A是根据另一示例性实施方式的图10的显示装置的弯折区域周围的部分的放大剖面视图；
图11B是图11A的变形例的视图；
图12是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图；
图13A到图13G是根据一示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图；
图14是根据另一示例性实施方式的制造显示装置的方法的第六掩模工艺的剖面视图。
具体实施方式
由于本发明允许各种变化和多个实施方式，所以将在附图中示出并在书面的说明书中详细地描述示例性实施方式。示例性实施方式的效果和特点及其实现方法将通过参照下面与附图一起详细描述的内容是显而易见的。然而，示例性实施方式不限于下面的示例性实施方式，并且其可以以各种形式实现。
下文中，参照附图详细描述本发明的实施方式，并且当参照附图进行描述时，相似或相应的要素被赋予相似的附图标记并省略其重复描述。
将理解到，尽管在此可使用措辞“第一”、“第二”等描述各种部件，但这些部件不应受这些措辞限制。这些部件仅用于将一个部件与另一个部件区分开。
如本文所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文明确有相反指示。
将进一步理解到，在此使用的措辞“包括/包含(comprise/include)”和/或“包括有/包含有(comprising/including)”指明存在所述的特征或部件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征或部件。
将理解到，当一层、区域或部件被称为“设置”在另一层、区域或部件“上”时，其可直接或间接设置在该另一层、区域或部件上。就是说，例如，可存在中间的层、区域或部件。
为便于解释，附图中的要素的尺寸可能被放大。换句话说，由于图中的部件的尺寸和厚度是为了便于解释而随意示出的，所以下面的实施方式不限于此。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，在此使用的“大约”或“近似”包括所述的值并且表示对于特定值来说在如本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、20％、10％、5％内。
当特定实施方式可被不同地实现时，可与所述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可大致同时执行或者可按照与所述的顺序相反的顺序执行。
将理解到，当一层、区域或部件被称为“连接至”另一层、区域或部件时，其可“直接连接至”另一层、区域或部件或者可在之间插置其他层、区域或部件的情况下“间接连接至”另一层、区域或部件。例如，将理解到，当一层、区域或部件被称为“电连接至”另一层、区域或部件时，其可“直接电连接至”另一层、区域或部件或者可在之间插置其他层、区域或部件的情况下“间接电连接至”另一层、区域或部件。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系统，并且其可以以更宽的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。
显示装置是显示图像的设备，并且显示装置可以是液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器(surface-conduction electron-emitter display)、等离子显示器、阴极射线管显示器等。
本发明的示例性实施方式可通过相对简单的结构防止弯折区域的受损，并且可通过减少掩模工艺提高制造效率。然而，本发明的范围不限于该效果，并且该效果是作为示例提供的，并且通过下面的内容详细描述对应于实施方式的效果。
下文中，尽管作为根据示例性实施方式的显示装置，描述了有机发光显示器作为示例，但显示装置不限于此，并且可使用各种类型的显示装置。
图1是根据一示例性实施方式的显示装置的平面视图，并且图2是根据一示例性实施方式的显示装置的一部分的透视图。
参照图1和图2，基板100可具有在第一方向(例如，Y方向)上延伸的弯折区域BA。弯折区域BA可在与第一方向交叉的第二方向(例如，X方向)上位于第一区域1A与第二区域2A之间。
基板100可围绕在第一方向上延伸的弯折轴线BAX弯折。尽管图2示出了基板100围绕弯折轴线BAX以相同的曲率半径弯折，但本发明不限于此。基板100可围绕弯折轴线BAX弯折并且其曲率半径可以不是恒定的。
在一示例性实施方式中，基板100可包括各种柔性材料或可弯折材料，例如可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或醋酸丙酸纤维素(“CAP”)。
第一区域1A可包括显示区域DA。如图1中所示，第一区域1A可包括显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA的一部分。第二区域2A和弯折区域BA可包括非显示区域NDA。显示装置的显示区域DA可对应于第一区域1A的一部分，并且非显示区域NDA可对应于第一区域1A的其余部分、第二区域2A和弯折区域BA。
显示区域DA可包括像素P并显示图像。像素P可连接至信号线，诸如在第一方向上延伸的扫描线SL和在第二方向上延伸的数据线DL。尽管图1中未示出，但像素P可连接至传输电流信号的电源线，诸如驱动电源线和公共电源线。在一示例性实施方式中，驱动电源线和公共电源线的电流信号例如可以是直流(“DC”)电压，但本发明不限于此。
像素P可包括诸如电连接至上述信号线和电源线的薄膜晶体管(“TFT”)和存储电容器之类的电子元件、以及连接至上述电子元件的有机发光器件(“OLED”)。像素P可通过OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。本说明书中的像素可理解为发射红色、绿色和蓝色之一的光的像素，或者发射如上所述红色、绿色、蓝色和白色之一的光的像素。然而，本发明不限于此，像素可发射具有各种其他颜色的光。显示区域DA可被封装层400覆盖并由此被保护免受外部空气或湿气的影响。在提供至像素P的显示元件是OLED的情形下，TFT可包括驱动TFT和开关TFT，并且根据像素P的设计，可进一步包括除上述两个TFT以外的其他TFT。
非显示区域NDA可包括第一扫描驱动器11、第二扫描驱动器12、端子单元20、驱动电压供给线30、公共电压供给线40和配线单元50。
第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12可设置在第一区域1A中。在一示例性实施方式中，第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12例如可彼此分隔开且在它们之间具有显示区域DA。第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12可产生扫描信号并且可通过扫描线SL将扫描信号传输至每个像素P。尽管图1示出了其中设置两个扫描驱动器的情形，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，可在显示区域DA的一侧上设置一个扫描驱动器。
端子单元20可设置在非显示区域NDA的一个端部上并且可包括端子21、22、23和24。端子单元20可暴露而不被绝缘层覆盖，并且端子单元20可连接至包括驱动器集成电路(“IC”)70的如柔性印刷电路板之类的柔性膜60。尽管图1示出了其中通过柔性膜60连接驱动器IC 70的膜上芯片(“COF”)型IC，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，驱动器IC 70可以是其中驱动器IC 70设置(例如，直接设置)在基板100的端子单元20上的面板上芯片(“COP”)型IC。
驱动电压供给线30可为像素P提供驱动电压。驱动电压供给线30可设置在非显示区域NDA中，使得驱动电压供给线30与显示区域DA的一侧相邻。
公共电压供给线40可为像素P提供公共电压。公共电压供给线40可设置在非显示区域NDA中，以部分地包围显示区域DA。
配线单元50可包括设置在第一区域1A中的内部配线210、设置在第二区域2A中的外部配线220、以及连接配线240，连接配线240是将内部配线210电连接至外部配线220的桥接配线。每条内部配线210可电连接至显示区域DA的信号线，并且每条外部配线220可电连接至非显示区域NDA的端子单元20。
连接配线240可跨越弯折区域BA从第一区域1A延伸到第二区域2A。连接配线240可与参照图2描述的弯折轴线BAX交叉。尽管作为桥接配线的连接配线240在图1中相对于弯折轴线BAX来说垂直延伸，但本发明不限于此。连接配线240可倾斜地延伸，使得连接配线240相对于弯折轴线BAX来说具有预定角度，或者连接配线240可在具有不是直线形状的诸如曲线形状和Z字形形状之类的各种形状的同时延伸。
图3是根据一示例性实施方式的显示装置的剖面视图，并且其对应于沿图1的线A-A'和B-B'截取的显示装置的剖面，图4A是图3的弯折区域周围的部分区域的放大剖面视图，图4B是图4A的变形例的视图。
参照沿图1的线A-A'截取的图3的剖面，作为显示元件的OLED 300可设置在显示区域DA中。OLED 300可电连接至第一TFT T1、第二TFT T2和存储电容器Cst。第一TFT T1包括第一半导体层Act1和第一栅电极G1，第二TFT T2包括第二半导体层Act2和第二栅电极G2。
第一半导体层Act1和第二半导体层Act2可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、或有机半导体材料。第一半导体层Act1可包括第一沟道区C1、以及分别设置在第一沟道区C1的相对侧的第一源区S1和第一漏区D1。第二半导体层Act2可包括第二沟道区C2、以及分别设置在第二沟道区C2的相对侧的第二源区S2和第二漏区D2。第一半导体层Act1和第二半导体层Act2各自的第一源区S1和第二源区S2、以及第一漏区D1和第二漏区D2可被理解为第一TFT T1和第二TFT T2各自的源极电极和漏极电极。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可分别与第一半导体层Act1的第一沟道区C1和第二半导体层Act2的第二沟道区C2重叠且在第一栅电极G1和第二栅电极G2与第一沟道区C1和第二沟道区C2之间具有栅极绝缘层120。在一示例性实施方式中，第一栅电极G1和第二栅电极G2例如可包括包含Mo、Al、Cu和Ti中至少之一的导电材料的单层或多层。尽管图3示出了第一栅电极G1和第二栅电极G2设置在同一层中，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，第一栅电极G1和第二栅电极G2可分别设置在不同的层中。
尽管图3示出了其中第一栅电极G1和第二栅电极G2分别设置在第一半导体层Act1和第二半导体层Act2上方的顶栅型TFT，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，TFT可以是其中第一栅电极G1和第二栅电极G2分别设置在第一半导体层Act1和第二半导体层Act2下方的底栅型TFT。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的第一存储电容器板CE1和第二存储电容器板CE2。在一示例性实施方式中，第一存储电容器板CE1和第二存储电容器板CE2可包括包含例如Mo、Al、Cu和Ti中至少之一的低电阻导电材料。
存储电容器Cst可与第一TFT T1重叠，第一TFT T1可以是驱动TFT。尽管图3示出了其中存储电容器Cst与第一TFT T1重叠并且由此第一存储电容器板CE1充当第一TFT T1的第一栅电极G1的情形，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，存储电容器Cst可不与第一TFT T1重叠。
缓冲层110可设置在基板100与第一TFT T1和第二TFT T2之间。缓冲层110可包括无机绝缘层。在一示例性实施方式中，缓冲层110例如可包括包含SiON、SiOx和SiNx中至少之一的单层或多层。
栅极绝缘层120可设置在第一栅电极G1和第二栅电极G2与第一半导体层Act1和第二半导体层Act2之间。栅极绝缘层120可包括无机绝缘层。在一示例性实施方式中，栅极绝缘层120例如可包括包含SiON、SiOx和SiNx中至少之一的单层或多层。
第一TFT T1和第二TFT T2可被层间绝缘层130覆盖。图3示出了层间绝缘层130包括第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132。第一层间绝缘层131可直接设置在第一TFTT1和第二TFT T2上和/或直接设置在第一存储电容器板CE1上。第二层间绝缘层132可设置在第二存储电容器板CE2上。第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132可包括无机绝缘材料。在一示例性实施方式中，第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132中的每一个例如可包括包含SiON、SiOx和SiNx中至少之一的单层或多层。在一示例性实施方式中，例如，第一层间绝缘层131可包括包含SiNx的单层，第二层间绝缘层132可包括包含SiNx和SiOx的多层。在本说明书中，层间绝缘层在非显示区域NDA中可被理解为内部配线210与导电层230之间和/或外部配线220与导电层230之间的绝缘层，并且可被理解为代表第一层间绝缘层131，代表第二层间绝缘层132，或者代表第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132。
数据线DL可设置在层间绝缘层130上。数据线DL可电连接至开关TFT(未示出)，以提供数据信号。在一示例性实施方式中，数据线DL例如可包括包含Al、Cu、Ti和它们的合金中至少之一的单层或多层。在一示例性实施方式中，数据线DL例如可包括Ti/Al/Ti的三层。
数据线DL可被无机保护层PVX覆盖。在一示例性实施方式中，无机保护层PVX可以是无机绝缘层，并且例如可包括包含SiNx和SiOx的单层或多层。尽管未示出，但无机保护层PVX可覆盖并保护非显示区域NDA中暴露的一些配线。在与数据线DL的工艺相同的工艺期间同时提供的配线(未示出)可暴露于基板100的一部分(例如，非显示区域NDA的一部分)。这些配线的暴露部分可被对将在之后描述的像素电极310进行图案化时使用的蚀刻剂损坏。然而，根据该示例性实施方式，由于无机保护层PVX覆盖数据线DL以及与数据线DL同时提供的配线中的至少一些配线，所以可防止这些配线在像素电极310的图案化工艺期间被损坏。
驱动电压线PL可设置在与设置有数据线DL的层不同的层中。在本说明书中，将理解到，当“A和B设置在不同的层中”时，在A与B之间设置有至少一个绝缘层，并由此A和B中的一个设置在该至少一个绝缘层下方，而A和B中的另一个设置在该至少一个绝缘层上方。第一有机绝缘层141可设置在驱动电压线PL与数据线DL之间。在一示例性实施方式中，
第一有机绝缘层141是平坦化层并且可包括诸如酰亚胺类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、或它们的任意组合。
在一示例性实施方式中，驱动电压线PL例如可包括包含Al、Cu、Ti和它们的合金中至少之一的单层或多层。在一示例性实施方式中，驱动电压线PL例如可包括Ti/Al/Ti的三层。尽管图3示出了其中驱动电压线PL仅设置在第一有机绝缘层141上的构造，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，驱动电压线PL可通过限定在第一有机绝缘层141中的通孔(未示出)连接至与数据线DL同时提供的额外的下部电压线(未示出)，以降低电阻。
第二有机绝缘层142可覆盖驱动电压线PL。在一示例性实施方式中，第二有机绝缘层142是平坦化层并且可包括诸如酰亚胺类聚合物、PMMA或PS的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、或它们的任意组合。
OLED 300可设置在第二有机绝缘层142上，其中OLED 300包括像素电极310、对向电极330、以及中间层320，而中间层320包括发光层并且设置在像素电极310与对向电极330之间。
像素限定层150可设置在像素电极310上。像素限定层150通过限定出与各个子像素对应的开口，即至少暴露像素电极310的中央部分的开口，来限定出像素。此外，像素限定层150通过增加像素电极310的边缘与对向电极330之间的距离，可防止在像素电极310与对向电极330之间发生电弧(arc)等。在一示例性实施方式中，像素限定层150例如可包括诸如PI或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)之类的有机材料。
像素电极310可通过第一连接金属CM1和第二连接金属CM2电连接至例如包括第一TFT T1和第二TFT T2以及存储电容器Cst的像素电路。
中间层320可包括低分子量材料或聚合物材料。在中间层320包括低分子量材料的情形中，中间层320可具有其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发光层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等以单个构造或复合构造进行堆叠的结构，并且可包括各种有机材料，诸如酞氰铜(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(“NPB”)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可通过真空蒸镀提供这些层。
在中间层320包括聚合物材料的情形中，中间层320一般可具有包括HTL和EML的结构。在该情形中，HTL可包括PEDOT，并且EML可包括聚合物材料，诸如聚对苯撑乙烯(“PPV”)类材料和聚芴类材料。中间层320的结构不限于上述结构，并且其可具有各种结构。在一示例性实施方式中，中间层320例如可包括在多个像素电极310上方具有一个整体的层或者可包括被图案化为分别与多个像素电极310对应的层。
对向电极330可覆盖显示区域DA。就是说，对向电极330可在多个OLED 300上方具有一个整体。
由于OLED 300可能容易被外部湿气或氧气损坏，所以可通过封装层400进行覆盖来保护OLED 300。封装层400可覆盖显示区域DA并且延伸至显示区域DA的外部。封装层400包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层。在一示例性实施方式中，封装层400例如可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
在一示例性实施方式中，第一无机封装层410可覆盖对向电极330并且例如可包括SiOx、SiNx和/或SiON。尽管未示出，但可在第一无机封装层410与对向电极330之间可设置其他层，如覆盖层(capping layer)。由于第一无机封装层410沿其下方的结构设置，所以第一无机封装层410的上表面不是平坦的。覆盖第一无机封装层410的有机封装层420可具有至少对应于显示区域DA的平坦上表面。在一示例性实施方式中，有机封装层420例如可包括PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛(“POM”)、聚芳酯和HMDSO中的至少一者。在一示例性实施方式中，第二无机封装层430可覆盖有机封装层420并且例如可包括SiOx、SiNx和/或SiON。
光学膜500可设置在封装层400上。光学膜500可包括偏振片。偏振片可减少外部光反射，代替偏振片可使用包括黑矩阵和滤色器的层。尽管未示出，但可在封装层400上进一步设置包括触摸电极层的各种功能层。
参照沿图1的线B-B'截取的图3的非显示区域NDA，缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和无机保护层PVX可统称为无机绝缘层IL。
尽管为了便于描述，图3示出了显示装置未弯折，但根据本发明的显示装置的基板100等可如图2中所示在弯折区域BA中弯折。在一示例性实施方式中，如图3中所示，当基板100是大致平坦时制造显示装置，且之后，基板100在弯折区域BA中弯折并且可具有例如图2中所示的形状。基板100等在弯折区域BA中弯折时，拉应力可施加至设置在弯折区域BA内部的元件。
为了防止由于拉应力而导致在无机绝缘层IL中发生破裂，在无机绝缘层IL中限定出与弯折区域BA对应的开口OP。在本申请中，“对应”可理解为“重叠”。在缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和无机保护层PVX中分别限定出与弯折区域BA对应的开口110a、120a、130a和PVXa。层间绝缘层130的开口130a可包括第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132各自的开口131a和132a。无机绝缘层IL的开口OP限定为使得开口OP穿过无机绝缘层IL，如图3中所示。
开口OP的区域可比弯折区域BA的区域宽。对于此，图3示出了开口OP的宽度OW比弯折区域BA的宽度宽。开口OP的区域可定义为缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和无机保护层PVX各自的开口110a、120a、130a和PVXa之中具有最小区域的开口的区域。
第一有机绝缘层141可填充开口OP。第一有机绝缘层141是设置在无机保护层PVX上的层。在与弯折区域BA相邻的区域中，无机保护层PVX的端部可在覆盖层间绝缘层130的端部的同时被第一有机绝缘层141覆盖。
第一有机绝缘层141不仅可设置在弯折区域BA中限定的无机绝缘层IL的开口OP中，而且还可设置在显示区域DA中的数据线DL和第一连接金属CM1上。由于开口OP，第一有机绝缘层141中的与弯折区域BA对应的部分的水平高度L1低于第一有机绝缘层141中的与非弯折区域(例如，显示区域DA、或第一区域1A和第二区域2A中的其中内部配线210和外部配线220所处的部分)对应的部分的水平高度L2。在此，将理解到，“A的水平高度”表示“从基板100起到A的上表面的垂直距离/高度”。
第一有机绝缘层141可通过开口OP接触基板100。基板100可包括基底层和无机阻挡层。在一示例性实施方式中，如图4A中所示，基板100例如可包括按顺序堆叠在其上的第一基底层101、第一无机阻挡层102、第二基底层103和第二无机阻挡层104。在基板100的最上层是无机阻挡层，例如第二无机阻挡层104的情形中，可在第二无机阻挡层104中限定出与弯折区域BA对应的开口104a，并且因而第一有机绝缘层141可直接接触基板100的基底层，例如第二基底层103。
在一示例性实施方式中，第一基底层101和第二基底层103例如可包括PI、PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、聚芳酯、PC、三醋酸纤维素酯(“TAC”)、CAP、环烯烃聚合物或环烯烃共聚物。
在一示例性实施方式中，第一无机阻挡层102和第二无机阻挡层104例如可包括包含诸如SiOx和/或SiNx之类的无机材料的单层或多层。
参照图3和图4A，在与弯折区域BA相邻的区域中，包括栅极绝缘层120和层间绝缘层130的堆叠体可与缓冲层110形成阶梯差。无机保护层PVX可覆盖层间绝缘层130中的与弯折区域BA相邻的端部的上表面，并且无机保护层PVX的端部可朝向弯折区域BA的中央延伸，以覆盖栅极绝缘层120和层间绝缘层130的侧表面以及缓冲层110的上表面。
在另一示例性实施方式中，参照图3和图4B，在与弯折区域BA相邻的区域中，包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的堆叠体可与第二无机阻挡层104形成阶梯差。无机保护层PVX可覆盖层间绝缘层130中的与弯折区域BA相邻的端部的上表面，并且无机保护层PVX的端部可朝向弯折区域BA的中央延伸，以覆盖缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的侧表面以及第二无机阻挡层104的上表面。
如图4A和图4B中所示，在基板100的最上层包括第二无机阻挡层104的情形中，无机绝缘层IL可共同代表第二无机阻挡层104、缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和无机保护层PVX。
在与弯折区域BA相邻的区域中，设置在内部配线210和外部配线220上方的上部绝缘层(例如，第二层间绝缘层、或者第一层间绝缘层和第二层间绝缘层)与设置在内部配线210和外部配线220下方的下部绝缘层(例如，缓冲层和第二无机阻挡层、或者第二无机阻挡层)可形成阶梯差，并且如上所述地，无机保护层PVX可覆盖下部绝缘层的上表面。
在上部绝缘层和下部绝缘层形成阶梯差的情形中，下部绝缘层可进一步朝向弯折区域BA的中央突出，并且在与弯折区域BA相邻的区域中可由下部绝缘层限定无机绝缘层IL的开口OP的宽度OW。选择性地，无机保护层PVX的端部可设置在下部绝缘层的端部上，并且因而可由下部绝缘层和无机保护层PVX限定无机绝缘层IL的开口OP的宽度OW。在一示例性实施方式中，如图4A中所示，宽度OW可由无机保护层PVX、缓冲层110和第二无机阻挡层104各自的开口PVXa、110a和104a限定。在另一示例性实施方式中，如图4B中所示，宽度OW可由无机保护层PVX和第二无机阻挡层104各自的开口PVXa和104a限定。
返回参照图1和图3，内部配线210可电连接至显示区域DA中的像素。在一示例性实施方式中，内部配线210可电连接至第一TFT T1、第二TFT T2、和/或如数据线DL之类的配线，并且像素电路例如电连接至显示元件。内部配线210可部分延伸至显示区域DA，或者可电连接至显示区域DA外部的导电层/配线(未示出)。
外部配线220可在非显示区域NDA中连接至设置在与设置有外部配线220的层不同的层中的配线(未示出)、和/或非显示区域NDA的端子单元20(参照图1)。在可选择的示例性实施方式中，外部配线220的一个端部可暴露于外部并且可连接至电子元件或上面参照图1描述的柔性膜60等。
内部配线210，其与外部配线220由位于它们之间的弯折区域BA间隔开，可通过作为桥接配线的连接配线240电连接至外部配线220。图3示出了导电层230设置在连接配线240与内部配线210和外部配线220之间，并且导电层230将内部配线210和外部配线220电连接至连接配线240。
导电层230可通过层间绝缘层130的第一接触孔CNT1接触内部配线210和外部配线220，并且连接配线240可通过第一有机绝缘层141的第二接触孔CNT2接触导电层230。在该情形中，可在无机保护层PVX中限定出与第二接触孔CNT2对应的孔PVX-h。
如上所述，在基板100近似为平坦时制造显示装置之后，将显示装置进行弯折。在弯折工艺期间可发生导电层230中的诸如破裂或断开等之类的缺陷。为防止该缺陷，连接配线240可包括具有相对高的延伸率(elongation)的材料。此外，通过利用具有与连接配线240不同的电特性/物理特性的材料形成第一区域1A和第二区域2A的内部配线210和外部配线220，可提高显示装置中的电信号传输的效率或者可降低制造工艺期间的缺陷发生率。
在一示例性实施方式中，例如，内部配线210和外部配线220可包括Mo，并且连接配线240可包括Al。内部配线210和外部配线220以及连接配线240例如可包括单层或多层。在一示例性实施方式中，连接配线240包括Ti/Al/Ti的三层，其中Ti的厚度等于或小于Al的厚度的大约0.15倍，例如等于或小于Al的厚度的大约0.12倍。
图3示出了内部配线210和外部配线220在形成第一栅电极G1和第二栅电极G2的工艺期间被提供并且内部配线210和外部配线220包括与第一栅电极G1和第二栅电极G2相同的材料的情形。导电层230可在形成数据线DL的工艺期间被提供并且导电层230可包括与数据线DL相同的材料。因此，覆盖数据线DL的无机保护层PVX也可覆盖导电层230。连接配线240可在形成驱动电压线PL的工艺期间被提供，并且连接配线240可包括与驱动电压线PL相同的材料。
保护层600A可设置在连接配线240上。尽管显示区域DA中的第二有机绝缘层142和像素限定层150可延伸至非显示区域NDA以形成覆盖连接配线240的保护层600A，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，在非显示区域NDA中覆盖连接配线240的保护层600A可包括第二有机绝缘层142和像素限定层150中至少之一，或者该保护层600A可通过与第二有机绝缘层142或像素限定层150不同的有机材料在另外的工艺(例如，涂布并硬化液态或膏状的材料)期间来提供。
图5是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图，并且其可对应于沿图1的线A-A'和B-B'截取的显示装置的剖面。由于除内部配线210和外部配线220的布置之外，图5示出了与参照图3描述的构造相同的构造，所以下面主要描述区别。
尽管图3示出了内部配线210和外部配线220设置在设置有第一栅电极G1和第二栅电极G2的层中，例如设置在栅极绝缘层120上，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，如图5中所示，内部配线210和外部配线220可设置在设置有存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2的层中，例如设置在第一层间绝缘层131上。
尽管图3和图5示出了内部配线210和外部配线220设置在相同的层中，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，内部配线210和外部配线220中的一个可像第一栅电极G1和第二栅电极G2一样设置在栅极绝缘层120上，并且内部配线210和外部配线220中的另一个可像第二存储电容器板CE2一样设置在第一层间绝缘层131上。
尽管图5中未示出，但参照图4A和图4B描述的特征可等同地适用于图5中所示的示例性实施方式。
图6是根据一示例性实施方式的显示装置的配线单元的一部分的平面视图，并且其可对应于图1的部分VI。图7是沿图6的线VII-VII'截取的配线单元的剖面视图，图8是沿图6的线VIII-VIII'截取的配线单元的剖面视图，并且图9是沿图6的线IX-IX'截取的配线单元的剖面视图。
参照图6，内部配线210可在X方向上延伸并且可在Y方向上彼此分隔开。下文中，为便于描述，内部配线210中的一些内部配线可被称为第一内部配线211，并且内部配线210中的其余内部配线可被称为第二内部配线212。
第一内部配线211和连接配线240的接触区域以及第二内部配线212和连接配线240的接触区域可交替设置。在一示例性实施方式中，第一内部配线211和连接配线240的接触区域以及第二内部配线212和连接配线240的接触区域可以以Z字形交替设置，并且因而例如可减小第一内部配线211与第二内部配线212之间的距离并且可提高空间效率。
彼此相邻的第一内部配线211和第二内部配线212可设置在不同的层上。图7示出了第一内部配线211设置在栅极绝缘层120上并且第二内部配线212设置在第一层间绝缘层131上。由于彼此相邻的第一内部配线211和第二内部配线212在之间具有绝缘层(例如，第一层间绝缘层131)的情况下设置在不同的层中，所以可防止不必要的电短路，并且第一内部配线211与第二内部配线212之间的间隔可更窄。
岛型导电层230设置在第一内部配线211和连接配线240的接触区域以及第二内部配线212和连接配线240的接触区域中。导电层230通过第一接触孔CNT1连接至第一内部配线211或第二内部配线212，并且通过第二接触孔CNT2连接至连接配线240，如参照图3到图5所述。
如图8中所示，连接配线240可设置在相同的层上。图8示出了连接配线240设置在第一有机绝缘层141上。
参照图6和图9，第二内部配线212与导电层230通过它们之间的第二层间绝缘层132的第一接触孔CNT1连接，并且连接配线240与导电层230通过它们之间的第一有机绝缘层141的第二接触孔CNT2连接。
无机保护层PVX可设置在导电层230上并且除与第二接触孔CNT2重叠的孔PVX-h之外可连续地覆盖彼此相邻的第一内部配线211和第二内部配线212，如图6和图9中所示。无机保护层PVX的第一部分可直接接触导电层230，并且无机保护层PVX的第二部分可直接接触第二层间绝缘层132。
尽管第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可偏移，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的至少一部分可彼此重叠。
尽管上面参照图9描述了第二内部配线212、导电层230和连接配线240的连接结构，但除了第一内部配线211设置在第一层间绝缘层131下方并且第一接触孔CNT1的深度更深之外，第一内部配线211、导电层230和连接配线240的连接结构与参照图9描述的结构类似。
图10是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图，并且其可对应于沿图1的线A-A'和B-B'截取的剖面。在图10中，与图3中相同的附图标记表示相同的构件，下面将主要描述区别。
参照图10，无机保护层PVX可覆盖层间绝缘层130中的与弯折区域BA相邻的端部的上表面，并且与参照图3描述的结构不同，无机保护层PVX可不覆盖层间绝缘层130的侧表面等。就是说，在与弯折区域BA相邻的区域中，无机保护层PVX的端部可具有与层间绝缘层130的端部大致相同的图案。
由于第一有机绝缘层141中的与弯折区域BA对应的部分对应于无机绝缘层IL的开口OP，所以如上所述，第一有机绝缘层141中的与弯折区域BA对应的部分的水平高度L1低于第一有机绝缘层141中的与非弯折区域(例如，显示区域DA、或第一区域1A和第二区域2A中的定位有内部配线210和外部配线220的部分)对应的部分的水平高度L2。
图11A是根据另一示例性实施方式的图10的显示装置的弯折区域周围的部分的放大剖面视图，并且图11B是图11A的变形例的视图。
如图11A和图11B中所示，在基板100的最上层包括第二无机阻挡层104的情形中，如上所述，无机绝缘层IL可共同代表第二无机阻挡层104、缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和无机保护层PVX。
参照图10和图11A，在与弯折区域BA相邻的区域中，栅极绝缘层120和层间绝缘层130的堆叠体可与缓冲层110和第二无机阻挡层104的堆叠体形成阶梯差。参照图10和图11B，在与弯折区域BA相邻的区域中，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的堆叠体可与第二无机阻挡层104形成阶梯差。
在与弯折区域BA相邻的区域中，设置在内部配线210和外部配线220上方的上部绝缘层(例如，第二层间绝缘层、或者第一层间绝缘层和第二层间绝缘层)与设置在内部配线210和外部配线220下方的下部绝缘层(例如，缓冲层和第二无机阻挡层、或者第二无机阻挡层)可形成阶梯差，并且如上所述地，无机保护层PVX覆盖上部绝缘层的上表面。在上部绝缘层与下部绝缘层形成阶梯差的情形中，下部绝缘层进一步朝向弯折区域BA的中央突出，并且因而在与弯折区域BA相邻的区域中可由下部绝缘层限定无机绝缘层IL的开口OP的宽度OW。在一示例性实施方式中，如图11A中所示，宽度OW例如可由缓冲层110和第二无机阻挡层104各自的开口110a和104a限定。在可选择的实施方式中，如图11B中所示，宽度OW可由第二无机阻挡层104的开口104a限定。
图12是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖面视图，并且其可对应于沿图1的线A-A'和B-B'截取的显示装置的剖面。由于除内部配线210和外部配线220的布置之外，图12示出了与参照图10描述的构造相同的构造，所以下面主要描述区别。
尽管图10示出了内部配线210和外部配线220设置在设置有第一栅电极G1和第二栅电极G2的层中，例如设置在栅极绝缘层120上，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，如图12中所示，内部配线210和外部配线220可设置在其中设置存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2的层中，例如设置在第一层间绝缘层131上。
尽管图10和图12示出了内部配线210和外部配线220设置在相同的层中，但本发明不限于此。在另一示例性实施方式中，内部配线210和外部配线220中的一个可像第一栅电极G1和第二栅电极G2一样设置在栅极绝缘层120上，并且内部配线210和外部配线220中的另一个可像第二存储电容器板CE2一样设置在第一层间绝缘层131上。
图13A到图13G是根据一示例性实施方式的制造显示装置的方法的剖面视图。
图13A是对应于第一掩模工艺到第三掩模工艺的剖面视图。
参照图13A，在基板100上形成缓冲层110和半导体材料层之后，通过对半导体材料层进行图案化(第一掩模工艺)来提供第一半导体层Act1和第二半导体层Act2。在一示例性实施方式中，缓冲层110例如可包括SiON、SiOx和/或SiNx。
在形成栅极绝缘层120和导电材料层之后，通过对导电材料层进行图案化(第二掩模工艺)在显示区域DA中提供第一栅电极G1和第二栅电极G2，并且在非显示区域NDA中提供内部配线210和外部配线220。尽管图13A示出了第一栅电极G1充当第一存储电容器板CE1，但如上所述，本发明不限于此。
在一示例性实施方式中，在形成第一栅电极G1和第二栅电极G2之后，可使用第一栅电极G1和第二栅电极G2作为自对准掩模给第一半导体层Act1和第二半导体层Act2掺杂杂质。杂质可以是n型杂质或p型杂质。第一半导体层Act1和第二半导体层Act2的与第一栅电极G1和第二栅电极G2重叠的部分可分别对应于第一沟道区C1和第二沟道区C2，并且分别位于第一沟道区C1和第二沟道区C2的相对侧处的被掺杂杂质的区域可分别对应于第一源区S1和第二源区S2、以及第一漏区D1和第二漏区D2。
接着，在形成第一层间绝缘层131和导电材料层之后，通过将对导电材料层进行图案化(第三掩模工艺)在显示区域DA中提供第二存储电容器板CE2。
尽管图13A示出了第一TFT T1和第二TFT T2之一与存储电容器Cst重叠，并且由此存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1充当第一栅电极G1，但存储电容器Cst可不与第一TFT T1和第二TFT T2重叠。
图13B是对应于第四掩模工艺的剖面视图。
参照图13B，在其上已进行了第三掩模工艺的基板100上方设置第二层间绝缘层132。之后，通过蚀刻层间绝缘层130在显示区域DA中限定出第一孔130h，并且在非显示区域NDA中限定出第一接触孔CNT1。在该情形中，层间绝缘层130和栅极绝缘层120中的与弯折区域BA对应的部分可被蚀刻，并且因而可在层间绝缘层130和栅极绝缘层120中分别限定出开口130a和120a。
根据蚀刻条件，缓冲层110可不被消耗掉，如图13BA的放大视图中所示，或者缓冲层110的上部可被消耗掉，如图13BB的放大视图中所示。
图13C是对应于第五掩模工艺的剖面视图。
参照图13C，在其上已进行了第四掩模工艺的基板100上方设置导电材料层，并且对导电材料层进行图案化(蚀刻)。因此，可在显示区域DA中提供数据线DL和第一连接金属CM1，并且可在非显示区域NDA中提供导电层230。
根据蚀刻条件，与弯折区域BA对应的缓冲层110可被消耗掉。在一示例性实施方式中，例如，如图13CA的放大视图中所示，缓冲层110的与弯折区域BA对应的上部可被消耗掉，或者如图13CB的放大视图中所示，与弯折区域BA对应的缓冲层110的一部分可完全被消耗掉。
图13D和图13E是对应于第六掩模的剖面视图。
参照图13D，在其上已进行了第五掩模工艺的基板100上方设置无机保护层PVX。在一示例性实施方式中，无机保护层PVX例如可包括SiON、SiOx和/或SiNx。在一示例性实施方式中，无机保护层PVX例如可以是包括SiNx并且具有大约3000埃的厚度的层。
之后，通过半色调掩模M在无机保护层PVX上设置光敏层700。在一示例性实施方式中，半色调掩模M可包括半透射部Ma、透射部Mb和遮光部Mc。光敏层700中的与半透射部Ma对应的第一部分701对应于第一连接金属CM1和导电层230的一部分。光敏层700中的与透射部Mb对应的第二部分702对应于穿过光敏层700的开口。光敏层700中的与遮光部Mc对应的第三部分703对应于第一部分701和第二部分702以外的其他区域。
之后，通过蚀刻经由光敏层700的开口(即，第二部分702)暴露的无机保护层PVX来提供无机保护层PVX的与弯折区域BA对应的开口PVXa。
根据限定无机保护层PVX的开口PVXa的蚀刻工艺的条件，设置在无机保护层PVX下方的下部无机绝缘层的一部分可被蚀刻。在一示例性实施方式中，缓冲层110的与开口PVXa对应的部分可被部分去除，如图13DA的放大视图中所示。在可选择的示例性实施方式中，缓冲层110的与开口PVXa对应的部分可完全被去除，如图13DB的放大视图中所示。在可选择的示例性实施方式中，第二缓冲层104的与开口PVXa对应的至少一部分可被去除，如图13DC中所示。
接着，参照图13E，通过执行灰化并去除光敏层700的与半透射部Ma对应的部分来限定出光敏层700'的开口区域701'。之后，通过蚀刻经由开口区域701'暴露的无机保护层PVX来限定出无机保护层PVX的孔PVX-h。可通过孔PVX-h暴露无机保护层PVX下方的第一连接金属CM1和导电层230。
在限定无机保护层PVX的孔PVX-h的蚀刻工艺期间，下部无机绝缘层中的与弯折区域BA对应的其余层可完全被去除。在一示例性实施方式中，例如，残留在弯折区域BA中的缓冲层110和第二无机阻挡层104可完全被去除，如图13EA的放大视图中所示，或者无机保护层PVX下方的残留在弯折区域BA中的第二无机阻挡层104可完全被去除，如图13EB的放大视图中所示。
图13F是对应于第七掩模工艺和第八掩模工艺的剖面视图。
参照图13F，通过在其上已进行了第六掩模工艺的基板100上方形成有机材料层并且对有机材料层进行图案化(第七掩模工艺)来提供第一有机绝缘层141。第一有机绝缘层141被提供为一体，使得第一有机绝缘层141位于显示区域DA和非显示区域NDA中，并且在第一有机绝缘层141中限定出暴露第一连接金属CM1的孔141h和暴露导电层230的第二接触孔CNT2。在与弯折区域BA相邻的区域中，第一有机绝缘层141覆盖无机保护层PVX的端部。就是说，在与弯折区域BA相邻的区域中，无机保护层PVX的端部可覆盖层间绝缘层130并且同时可被第一有机绝缘层141覆盖。
如上所述，第一有机绝缘层141中的与弯折区域BA对应的部分的水平高度L1可小于第一有机绝缘层141的其他部分的水平高度L2。第一有机绝缘层141可直接接触基板100的第二基底层103，如图13FA和图13FB的放大视图中所示。
之后，通过形成导电材料层并对其进行图案化(第八掩模工艺)在显示区域DA中提供驱动电压线PL和第二连接金属CM2并且在非显示区域NDA中提供连接配线240。
第二连接金属CM2通过第一有机绝缘层141的孔141h接触第一连接金属CM1，并且连接配线240通过第一有机绝缘层141的第二接触孔CNT2接触导电层230。
图13G是对应于第九到第十一掩模工艺的剖面视图。
参照图13G，通过在其上已进行了第八掩模工艺的基板100上方形成有机材料层并且对有机材料层进行图案化(第九掩模工艺)来提供第二有机绝缘层142。在第二有机绝缘层142中限定出暴露第二连接金属CM2的孔142h。第二有机绝缘层142不仅可提供在显示区域DA中，而且还可提供在非显示区域NDA中。
之后，通过在第二有机绝缘层142上形成电极材料层并且将电极材料层进行图案化(第十掩模工艺)来提供像素电极310。尽管像素电极310例如可通过湿法蚀刻来提供，但本发明不限于此。
接着，通过在像素电极310上形成绝缘材料层并且对绝缘材料层进行图案化(第十一掩模工艺)来提供像素限定层150。在像素限定层150中限定出暴露像素电极310的开口。像素限定层150可包括有机绝缘材料。
之后，与在经由像素限定层150的开口暴露的像素电极310上形成包括发光层的中间层并在中间层上形成对向电极的工艺、以及在对向电极上形成封装层的工艺对应的剖面的描述与参照图3进行的描述相同。
如上面参照图13D到图13E描述的掩模工艺，在蚀刻无机保护层PVX的工艺期间可完全去除下部无机绝缘层中的与弯折区域BA对应的部分。因此，由于不额外需要用于去除下部无机绝缘层中的与弯折区域BA对应的部分的其余层的掩模，所以工艺效率可提高。此外，由于使用半色调掩模，所以即使当下部无机绝缘层中的与弯折区域BA对应的部分的厚度大于无机保护层PVX的厚度，也可限定出无机保护层PVX的孔PVX-h而不损坏第一连接金属CM1，并且同时可完全去除下部无机绝缘层中的与弯折区域BA对应的部分。
图13D描述了光敏层700中的与弯折区域BA对应的第二部分702的宽度W1(参照图13D)小于层间绝缘层130中的与弯折区域BA对应的开口130a的宽度W2(参照图13D)的情形。因此，尽管如图13F中所示弯折区域BA中的无机保护层PVX被描述为有助于限定开口OP的宽度OW，但本发明不限于此。
图14是根据另一示例性实施方式的制造显示装置的方法的第六掩模工艺的剖面视图。
参照图14，光敏层1700的与弯折区域BA对应的开口(即，第二部分1702)的宽度W1'可提供为大于层间绝缘层130的与弯折区域BA对应的开口130a的宽度W2'。
在该情形中，被图案化的无机保护层PVX的端部可具有与层间绝缘层130的端部大致相同的图案，如图10中所示。由于图14中所示的掩模工艺及随后的工艺的具体方法与参照图13F到图13G描述的相同，并且与之对应的结构与参照图10描述的相同，所以省略其描述。
尽管参照附图中所示的示例性实施方式描述了本发明，但这仅仅是作为示例提供的，本领域普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种变化及其等同。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯折区域；
内部配线，所述内部配线设置在所述第一区域中；
外部配线，所述外部配线设置在所述第二区域中；
层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述内部配线和所述外部配线并且在所述层间绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层的一部分位于所述层间绝缘层的所述开口中；
连接配线，所述连接配线设置在所述第一有机绝缘层上并且将所述内部配线和所述外部配线连接；
导电层，所述导电层设置在所述层间绝缘层与所述第一有机绝缘层之间并且电连接至所述内部配线和所述外部配线之一；以及
无机保护层，所述无机保护层覆盖所述导电层并且在所述无机保护层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中与所述层间绝缘层的所述开口相邻的所述层间绝缘层的端部的上表面被所述无机保护层覆盖。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
下部绝缘层，所述下部绝缘层设置在所述内部配线下方，使得所述内部配线位于所述下部绝缘层与所述层间绝缘层之间，并且在所述下部绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中在与所述弯折区域相邻的区域中，所述下部绝缘层和所述层间绝缘层形成阶梯差。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部覆盖所述层间绝缘层的侧表面和所述下部绝缘层的上表面。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部被所述第一有机绝缘层覆盖。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一有机绝缘层在所述弯折区域中直接接触所述基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述基板包括：
基底层；和
无机阻挡层，所述无机阻挡层在所述基底层上，
在所述无机阻挡层中限定有与所述弯折区域对应的开口，并且
所述第一有机绝缘层直接接触所述基底层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一区域包括显示区域，所述显示区域包括多个像素，并且每个像素包括薄膜晶体管、电连接至所述薄膜晶体管的像素电极、面对所述像素电极的对向电极、以及在所述像素电极与所述对向电极之间的中间层，所述中间层包括发光层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层设置在所述连接配线与所述像素电极之间。
11.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，其中在所述显示区域中设置有薄膜晶体管和包括按顺序堆叠的像素电极、中间层和对向电极的显示元件，并且其中所述非显示区域与所述显示区域相邻并且包括弯折区域；
内部配线和外部配线，所述内部配线和所述外部配线在它们之间具有所述弯折区域的情况下彼此相互分隔开；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述内部配线和所述外部配线上并且在所述层间绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口；
连接配线，所述连接配线将所述内部配线电连接至所述外部配线并且横跨所述弯折区域；以及
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层设置在所述显示区域和所述非显示区域中，所述第一有机绝缘层的一部分位于所述层间绝缘层的所述开口中，
其中所述连接配线设置在所述像素电极下方并且在所述连接配线与所述像素电极之间具有绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
导电层，所述导电层设置在所述内部配线与所述连接配线之间以及所述外部配线与所述连接配线之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
无机保护层，所述无机保护层设置在所述导电层上并且在所述无机保护层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中在与所述弯折区域相邻的区域中，所述无机保护层的端部覆盖所述层间绝缘层并且被所述第一有机绝缘层覆盖。
15.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
下部绝缘层，所述下部绝缘层设置在所述内部配线下方，使得所述内部配线位于所述下部绝缘层与所述层间绝缘层之间，并且在所述下部绝缘层中限定有与所述弯折区域对应的开口。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述基板包括：
基底层；和
无机阻挡层，所述无机阻挡层在所述基底层上，
所述下部绝缘层为所述无机阻挡层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述第一有机绝缘层直接接触所述基板的所述基底层。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述层间绝缘层和所述下部绝缘层形成阶梯差。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述下部绝缘层的所述开口的宽度大于所述弯折区域的宽度。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述层间绝缘层的所述开口的宽度大于所述下部绝缘层的所述开口的宽度。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021035547A1 (zh) * 2019-08-27 2021-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN114144888A (zh) * 2019-07-15 2022-03-04 三星显示有限公司 显示装置
CN114188380A (zh) * 2021-12-02 2022-03-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11430853B2 (en) 2019-08-27 2022-08-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate having connection electrode pattern surround first electrode pattern and including at least two of plural of connecting electrodes which are block shapes separated from each other, manufacturing method thereof and display device having the same
US11974472B2 (en) 2019-08-27 2024-04-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106971980A (zh) * 2017-03-30 2017-07-21 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制作方法及阵列基板
KR102333671B1 (ko) * 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2019064436A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置
KR102615116B1 (ko) * 2018-10-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102617275B1 (ko) 2018-11-30 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20200176483A1 (en) * 2018-12-03 2020-06-04 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display panel and display device thereof
CN109671724B (zh) * 2018-12-21 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 发光面板及显示装置
US11818912B2 (en) * 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures
CN110246849A (zh) * 2019-05-17 2019-09-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
CN110197845B (zh) * 2019-06-20 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
KR20210010717A (ko) * 2019-07-17 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110429088A (zh) * 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN110581140B (zh) * 2019-08-12 2022-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板
CN110534475A (zh) * 2019-08-19 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
KR20210027641A (ko) * 2019-08-30 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20210043771A (ko) * 2019-10-11 2021-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
CN111028757B (zh) * 2019-12-25 2022-07-22 武汉天马微电子有限公司 显示装置及其驱动方法
KR20210083441A (ko) * 2019-12-26 2021-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210113532A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2021214872A1 (ja) * 2020-04-21 2021-10-28 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR20220087664A (ko) * 2020-12-17 2022-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220126373A (ko) 2021-03-09 2022-09-16 (주)두나우 컴퍼니 상호작용 기반 반려동물용 장난감
KR102541772B1 (ko) 2022-09-21 2023-06-13 최동호 재활용 포장지를 이용한 학습용 놀이키트 및 그 사용방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741238A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 株式会社日立显示器 自发光平板显示装置
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
EP3220433A2 (en) * 2016-03-17 2017-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
EP3236309A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080004209A (ko) 2006-07-05 2008-01-09 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크
KR100809331B1 (ko) * 2006-08-29 2008-03-05 삼성전자주식회사 마스크 및 그 제조 방법
US7524226B2 (en) * 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
KR102097150B1 (ko) 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102047729B1 (ko) 2013-04-30 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102611499B1 (ko) 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102505879B1 (ko) * 2016-03-24 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102393377B1 (ko) 2017-08-07 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111149434B (zh) * 2017-09-28 2022-07-05 夏普株式会社 显示装置及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741238A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 株式会社日立显示器 自发光平板显示装置
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法
EP3220433A2 (en) * 2016-03-17 2017-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device
EP3236309A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114144888A (zh) * 2019-07-15 2022-03-04 三星显示有限公司 显示装置
WO2021035547A1 (zh) * 2019-08-27 2021-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN112740416A (zh) * 2019-08-27 2021-04-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US11430853B2 (en) 2019-08-27 2022-08-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate having connection electrode pattern surround first electrode pattern and including at least two of plural of connecting electrodes which are block shapes separated from each other, manufacturing method thereof and display device having the same
US11937474B2 (en) 2019-08-27 2024-03-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate having connection electrode pattern surround first electrode pattern and including at least two of plural of connecting electrodes which are block shapes separated from each other, manufacturing method thereof and display device having the same
US11974472B2 (en) 2019-08-27 2024-04-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN114188380A (zh) * 2021-12-02 2022-03-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

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