KR20220082315A - 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치는 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역과 표시 영역 주변에 있는 비표시 영역을 구비한 기판을 포함할 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮으며 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 제2 무기 봉지층 순서로 적층된 봉지부를 포함할 수 있다. 봉지부 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 제2 터치 전극을 포함할 수 있다. 기판 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 무기 절연층을 포함할 수 있다. 무기 절연층의 상부에는 제1 평탄화층이 배치될 수 있으며, 제1 평탄화층의 상부에는 제2 평탄화층이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층에 형성되며, 유기 봉지층으로 채워진 홀패턴을 포함할 수 있다.

Description

터치 스크린 일체형 발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH INTEGRATED TOUCH SCREEN}
본 명세서는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 내구성이 향상된 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.
표시장치는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시패널과 표시패널을 구동하는 구동부 등을 포함한다. 구동부에는 표시패널에 스캔신호(또는 게이트신호)를 공급하는 스캔구동부 및 표시패널에 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부 등이 포함된다. 위와 같은 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 서브 픽셀들에 스캔신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.
한편, 앞서 설명한 표시장치 중 일부는 하드(hard)한 기판 대신 소프트(soft)한 기판을 기반으로 표시패널을 제작한다. 소프트한 기판을 기반으로 제작된 표시장치는 연성을 부여할 수 있기 때문에 표시패널을 특정 형태로 밴딩벤딩(bending)시킬 수 있다.
또한, 이러한 표시장치는 다양한 입력장치를 이용하여 사용자와의 인터페이스를 구성한다. 편리하면서도 간단하고 오작동을 감소시킬 수 있는 입력장치에 대한 요구가 날로 증가되고 있다. 이에, 사용자가 화면과 직접 접촉하여 정보를 입력하는 터치소자가 제안되었다. 특히, 유기발광 표시장치에 적용될 경우, 터치소자를 구성하는 소자들은 전계발광 표시장치의 발광부를 보호하기 위한 인캡슐레이션막(encapsulation film)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다. 즉, 터치 구동신호 송신채널을 구성하는 터치 구동 전극들과, 터치 인식신호 수신채널을 구성하는 터치 센싱 전극들이 전계발광 표시장치의 표시소자들을 커버하는 인캡슐레이션막의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 형성된다.
터치소자가 표시장치의 발광부를 보호하기 위한 봉지부(encapsulation film)의 상부에 일체로 형성되는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치는 터치 구동소자의 신호를 터치 스크린의 라우팅 라인과 연결하기 위한 컨택영역이 존재한다. 이 컨택영역은 표시장치의 비표시 영역에 형성된 댐의 외곽에 위치하는데 표시장치의 봉지부에 포함된 유기 봉지층이 댐을 넘어 터치 패드의 링크배선과 라우팅 라인의 컨택영역까지 도포가 되어 터치 구동소자의 신호가 터치 스크린으로 전달이 되지 않는 문제가 있었다.
이에, 본 명세서는, 라우팅 라인과 링크배선이 연결되는 링크배선-라우팅 라인 연결부에는 유기 봉지층이 도포되지 않도록 한 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치는 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역과 표시 영역 주변에 있는 비표시 영역을 구비한 기판을 포함할 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮으며 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 제2 무기 봉지층 순서로 적층된 봉지부를 포함할 수 있다. 봉지부 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 제2 터치 전극을 포함할 수 있다. 기판 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 무기 절연층을 포함할 수 있다. 무기 절연층의 상부에는 제1 평탄화층이 배치될 수 있으며, 제1 평탄화층의 상부에는 제2 평탄화층이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층에 형성되며, 유기 봉지층으로 채워진 홀패턴을 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어있다.
본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치는 댐의 외곽에 형성되는 제1 및 제2 평탄화층이 순차적으로 적층된 곳에 제2 평탄화층을 관통하고 제1 평탄화층의 상면으로부터 오목하게 형성된 홀패턴을 구비함으로써 댐의 외곽으로 흘러 넘친 봉지부의 유기 봉지층이 홀패턴을 채우게 된다. 이로 인해, 라우팅 라인과 링크배선이 연결되는 링크배선-라우팅 라인 연결부에는 유기 봉지층이 도포되지 않게 된다. 그러므로 봉지부 상부에 형성되는 라우팅 라인과 터치 패드와 연결되는 링크배선의 연결문제가 발생하는 현상을 최소화 할 수 있어 신뢰성 높은 표시장치를 제공할 수 있다.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 터치 센서가 통합된 유기발광 표시장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 서브 화소의 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 유기발광 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2에서 선 I-I'를 따라 절취한 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 부분적인 단면도로서, 도 2에 도시된 II-II' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 도 2는 본 명세서에 따른 표시장치에 구비되는 서브화소의 회로도이다. 도 3은 도 1에 도시된 유기발광 표시장치를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 2에서 선 I - I'를 따라 절취한 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 터치 기간 동안 도 2에 도시된 터치 전극들(152e, 154e)을 통해 사용자의 터치에 의한 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm; 터치 센서)의 변화량을 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱한다. 그리고, 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 발광 소자(120)를 포함하는 단위 화소를 통해 영상을 표시한다. 단위 화소는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소(PXL)로 구성되거나, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 화소(PXL)로 구성된다.
이를 위해, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 기판(111) 상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 서브 화소들(PXL)과, 다수의 서브 화소들(PXL) 상에 배치된 봉지부(140)와, 봉지부(140) 상에 배치된 상호 정전 용량(Cm)을 구비한다.
다수의 서브 화소들(PXL) 각각은 화소 구동 회로와, 화소 구동 회로와 접속되는 발광 소자(130)를 구비한다.
화소 구동 회로는 스위칭 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온 되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다.
구동 트랜지스터(T2)는 그 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전압(VDD) 공급 라인으로부터 발광 소자(120)로 공급되는 전류를 제어함으로써 발광 소자(120)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 구동 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 발광 소자(120)가 발광을 유지하게 한다.
도 2를 참조하여, 서브 화소들의 회로도에 대해 좀 더 자세히 설명한다.
본 명세서에 따른 표시장치는 표시영역에 복수의 서브 화소(PXL)를 포함한다. 각각의 서브 화소(PXL)는 표시장치에서 단색을 표시한다. 예를 들어, 각 서브 화소(PXL)는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색을 표시한다. 이 경우, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 서브 화소(PXL)가 하나의 화소로 정의될 수 있다. 복수의 서브 화소(PXL)들은 표시장치의 기판 상에 매트릭스로 배열되며, 표시 영역 내의 복수의 서브 화소(PXL)들 사이에 복수의 배선들이 배치될 수 있다.
또한, 패드 영역에도 표시 영역에 배치된 배선과 전기적으로 접속되고 표시장치의 발광소자(120)에 신호를 인가하는 각종 배선들이 배치될 수 있다. 이러한 배선으로는 예를 들어, Vdd배선, Vdata 배선, 기준배선(Vref 배선), Vss배선 등을 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 명세서에 따른 표시장치의 각 서브 화소(PXL)는 스위칭 박막트랜지스터(T1), 구동 박막트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst), 센싱 박막트랜지스터(T3), 보조박막트랜지스터(T4) 및 발광소자(120)를 포함한다. 본 명세서에 따른 표시장치의 서브 화소(PXL)는 4개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하므로, 4T1C구조로 지칭될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 따른 표시장치의 서브 화소(PXL)의 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 4개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 4T2C구조, 5개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 5T2C구조, 6개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 6T2C구조, 7개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 7T2C 등 다양한 보상구조로 형성될 수 있다.
서브 화소(PXL)에 포함된 4개의 박막트랜지스터는 각각 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하며, P형 박막트랜지스터 또는 N형 박막트랜지스터일 수 있다. 도 2에는 설명의 편의를 위해 N형 박막트랜지스터를 도시하였다.
스위칭 박막트랜지스터(T1)는 데이터배선과 연결된 드레인전극, 제1 노드(N1)에 연결된 소스전극 및 게이트배선에 연결된 게이트전극을 포함한다. 스위칭 박막트랜지스터(T1)는 게이트구동부로부터 게이트배선에 인가되는 게이트 전압(Vg)에 기초하여 턴-온(turn-on)되며, 데이터구동부로부터 데이터배선에 인가되는 데이터전압(Vdata)을 제1노드(N1)에 충전한다.
구동 박막트랜지스터(T2)는 고전위 배선(즉, Vdd배선)과 연결된 드레인전극, 발광소자(E)의 애노드와 연결된 소스전극 및 제1노드(N1)와 연결된 게이트전극을 포함한다. 구동 박막트랜지스터(T2)는 제1노드(N1) 전압이 문턱전압(threshold voltage; Vth)보다 높은 경우 턴온되고, 제1노드(N1) 전압이 문턱전압보다 낮은 경우 턴-오프(turn-off)되며, Vdd배선으로부터 전달받은 구동전류를 발광소자(120)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1노드(N1)와 연결된 전극 및 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극에 연결된 전극을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 발광소자(120)가 발광하는 발광시간(emission time) 동안 구동 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전위차를 유지시킴으로써, 발광소자(E)에 일정한 구동전류가 전달되도록 한다.
센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극과 연결된 드레인전극, 기준(reference)배선과 연결된 소스전극 및 센싱 게이트배선과 연결된 게이트전극을 포함한다. 센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 문턱전압을 센싱하기 위한 박막트랜지스터이다.
보조 박막트랜지스터(T4)는 발광소자(E)의 캐소드와 전기적으로 연결된 드레인전극, 기준배선과 전기적으로 연결된 소스전극 및 보조게이트배선과 전기적으로 연결된 게이트전극을 포함한다. 보조 박막트랜지스터(T4)는 발광구간에서 턴온되고, 발광소자(120)의 캐소드에 저전위전압(즉, Vss 전압)을 전달한다.
도 3은 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기발광 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패드(180), 터치 패드(170) 및 박막 트랜지스터, 서로 교차하는 스캔 라인, 데이터 라인 등의 화소 구동 회로를 포함하는 복수개의 서브 화소를 기판(111) 상에 형성한 후, 상기 화소 구동 회로에 접속되는 발광 소자(120)를 형성한다. 이어 이들을 덮는 봉지부(140)를 형성한다. 이때, 터치 패드(170) 및 표시 패드(180) 부위는 봉지부(140)로부터 노출되어 있다. 봉지부(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이를 위해, 봉지부(140)는 다수의 무기 봉지층들과 다수의 무기 봉지층들 사이에 배치되는 유기 봉지층을 구비할 수 있다.
한편, 기판의 비표시 영역에는 봉지부(140)에 포함된 유기 봉지층이 외곽으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 기능을 하는 댐(172)이 존재할 수 있다. 일 예로, 1차 댐(172-1)과 2차 댐(172-2)이 배치될 수 있다. 여기서, 2차 댐(172-2)은 1차 댐(172-1)보다 더 외곽에 위치할 수 있다. 예시와 다르게, 1차 댐(172-1)만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는 1차 댐(172-1)과 2차 댐(172-2)뿐만 아니라 추가적인 댐이 더 배치될 수도 있다.
봉지부(140) 상에는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)이 위치할 수 있다. 이러한 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 각각은 비표시 영역에 배치되는 라우팅 라인(156), 링크배선(168) 및 터치 패드(170)를 통해 터치 구동부(도시하지 않음)와 연결된다.
이에 따라, 라우팅 라인(156) 및 링크배선(168)은 터치 구동부에서 생성된 터치 구동 펄스를 터치 패드(170)를 통해 터치 구동 라인(152)에 전송하고, 터치 센싱 라인(154)으로부터의 터치 신호를 터치 패드(170)에 전송한다. 이 라우팅 라인(156)은 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 각각과 컨택홀을 통해 연결되거나 별도의 컨택홀 없이 직접 연결된다. 이러한 라우팅 라인(156)은 제1 브릿지(152b)와 동일 재질을 이용하여 제1 브릿지(152b)와 동일 마스크 공정으로 형성되므로, 터치 절연막(158)에 의해 보호된다.
제1 터치 전극(152e)과 접속된 라우팅 라인(156)은 도 3에 도시된 바와 같이 표시 영역의 상측 및 하측 중 적어도 어느 한 측으로부터 터치 패드(170) 방향으로 연장될 수 있다. 제2 터치 전극(154e)과 접속된 라우팅 라인(156)은 표시 영역의 좌측 및 우측 중 적어도 어느 한 측으로부터 터치 패드(170) 방향으로 연장될 수 있다. 한편, 라우팅 라인(156)의 배치는 도 3의 구조에 한정되지 않고, 표시 장치의 설계사항에 따라 다양하게 변경 가능하다.
터치 패드(170)의 신호를 전달하는 링크배선(168)이 터치 패드(170)로부터 표시 영역쪽으로 연장될 수 있다. 링크배선(168)과 라우팅 라인(156)은 서로 다른 층에 위치할 수 있다. 링크배선(168)과 라우팅 라인(156)은 링크배선-라우팅 라인 연결부(176)를 통해 전기적으로 접속될 수 있다. 링크배선-라우팅 라인 연결부(176)는 2차 댐(172-2)과 터치 패드(170) 사이에 위치할 수 있다.
도 4는 도 2에서 선 I-I'를 따라 절취한 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 구동 박막트랜지스터(T2, 130)는 도 3에 도시된 바와 같이 게이트 전극(132)과, 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(132)과 중첩되는 반도체층(134)과, 층간 절연막(114) 상에 형성되어 반도체층(134)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(136, 138)을 구비한다. 여기서, 반도체층(134)은 게이트 절연막(112) 상에 비정질 반도체 물질, 다결정 반도체 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 게이트 전극(132)과 기판(111) 사이에는 멀티 버퍼층(104)과 액티브 버퍼층(106)이 배치된다. 멀티 버퍼층(104)은 기판(111)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킨다. 액티브 버퍼층(106)은 반도체층(134)을 보호하며, 기판(111)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다.
이때, 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 멀티 버퍼층(104)의 나머지 층들, 액티브 버퍼층(106), 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(114)과 식각 특성이 다른 재질로 형성된다. 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 SiNx 및 SiOx 중 어느 하나로 형성되고, 멀티 버퍼층(104)의 나머지 층들, 액티브 버퍼층(106), 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(114)은 SiNx 및 SiOx 중 나머지 하나로 형성된다. 예를 들어, 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 SiNx로 형성되고, 멀티 버퍼층(104)의 나머지 층들, 액티브 버퍼층(106), 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(114)은 SiOx로 형성된다.
화소 연결 전극(139)은 제1 및 제2 평탄화층(117, 118) 사이에 배치된다. 이러한 화소 연결 전극(139)은 보호막(116) 및 제1 평탄화층(117)을 관통하는 제1 화소 컨택홀을 통해 노출되어 드레인 전극(138)과 접속된다. 이 화소 연결 전극(139)은 드레인 전극(138)과 동일하거나 유사하게 비저항이 낮은 재질로 이루어진다.
발광 소자(120)는 애노드 전극(122)과, 애노드 전극(122) 상에 형성되는 적어도 하나의 발광 스택(124)과, 발광 스택(124) 위에 형성된 캐소드 전극(126)을 구비한다. 애노드 전극(122)은 제1 평탄화층(117) 상에 배치되는 제2 평탄화층(118)을 관통하는 제2 화소 컨택홀(119)을 통해 노출된 화소 연결 전극(139)과 전기적으로 접속된다.
적어도 하나의 발광 스택(124)은 뱅크(128)에 의해 마련된 발광 영역의 애노드 전극(122) 상에 형성된다. 적어도 하나의 발광 스택(124)은 애노드 전극(122) 상에 정공 관련층, 유기 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 이외에도 발광 스택(124)은 전하 생성층(Charge Generation Layer; CGL)을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 발광 스택들을 구비할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 발광 스택 중 어느 하나의 유기 발광층은 청색광을 생성하고, 제1 및 제2 발광 스택 중 나머지 하나의 유기 발광층은 노란색-녹색광을 생성함으로써 제1 및 제2 발광 스택을 통해 백색광이 생성된다. 이 발광스택(124)에서 생성된 백색광은 발광 스택(124) 상부 또는 하부에 위치하는 컬러 필터(도시하지 않음)에 입사되므로 컬러 영상을 구현할 수 있다. 이외에도 별도의 컬러 필터 없이 각 발광 스택(124)에서 각 서브 화소에 해당하는 컬러광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 즉, 적색(R) 서브 화소의 발광 스택(124)은 적색광을, 녹색(G) 서브 화소의 발광 스택(124)은 녹색광을, 청색(B) 서브 화소의 발광 스택(124)은 청색광을 생성할 수도 있다.
캐소드 전극(126)은 발광 스택(124)을 사이에 두고 애노드 전극(122)과 대향하도록 형성되며 저전압(VSS) 공급 라인과 접속된다.
봉지부(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이를 위해, 봉지부(140)는 다수의 무기 봉지층들(142, 146)과, 다수의 무기 봉지층들(142, 146) 사이에 배치되는 유기 봉지층(144)을 구비하며, 무기 봉지층(146)이 최상층에 배치되도록 한다. 이때, 봉지부(140)는 적어도 2층의 무기 봉지층(142, 146)과 적어도 1층의 유기 봉지층(144)을 구비한다. 본 발명에서는 제1 및 제2 무기 봉지층들(142, 146) 사이에 유기 봉지층(144)이 배치되는 봉지부(140)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 무기 봉지층(142)은 발광 소자(120)와 가장 인접하도록 캐소드 전극(126)이 형성된 기판(111) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(142)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(142)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(142)의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광 스택(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(144)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이 유기 봉지층(144)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성된다.
제2 무기 봉지층(146)는 유기 봉지층(144)의 상부면 및 측면과, 유기 봉지층(144)에 의해 노출된 제1 무기 봉지층(142)의 상부면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(146)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(142) 및 유기 봉지층(144)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(146)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다. 제1, 제2 무기 봉지층(142, 146)은 동일 재료로 이루어질 수 있으며, 각각이 복수 층일 수도 있다.
봉지부(140)는 충분히 외부로부터 수분 침투를 방지하고 내부 파티클의 유동 및 내부 파티클의 영향을 방지하도록 그 총 두께는 10㎛ 내지 30㎛으로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 봉지부(140) 상에는 터치 버퍼막(151)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(151)은 다수의 터치 센싱 라인(154) 및 다수의 터치 구동 라인(152)과 발광 소자(120)의 캐소드 전극(126) 사이에 위치할 수 있다.
터치 버퍼막(151)은 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)과, 발광 소자(120)의 캐소드 전극(126) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 1㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)과, 발광 소자(120)의 캐소드 전극(126) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다.
이러한 터치 버퍼막(151) 없이, 봉지부(140) 상에 터치 센싱 라인 및 터치 구동 라인이 배치될 수도 있다.
또한, 터치 버퍼막(151)은 터치 버퍼막(151) 상에 배치되는 터치 센싱 라인 및 터치 구동 라인의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광 소자(120)로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(151)은 약액 또는 수분에 취약한 발광 스택(124)의 손상을 방지할 수 있다.
봉지부(140) 상에는 터치 절연막(158)을 사이에 두고 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)이 교차되게 배치된다. 이러한 터치 센싱 라인(154)과 터치 구동 라인(152)의 교차부에는 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm)이 형성된다. 이에 따라, 상호 정전 용량(Cm)은 터치 구동 라인(152)에 공급되는 터치 구동 펄스에 의해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 터치 센싱 라인(154)으로 방전함으로써 터치 센서의 역할을 하게 된다.
터치 구동 라인(152)은 다수의 제1 터치 전극들(152e)과, 다수의 제1 터치 전극들(152e) 사이를 전기적으로 연결하는 제1 브릿지들(152b)을 구비한다.
다수의 제1 터치 전극들(152e)은 터치 절연막(158) 상에서 제1 방향인 Y방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제1 터치 전극들(152e) 각각은 제1 브릿지(152b)를 통해 인접한 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결된다.
제1 브릿지(152b)는 제1 터치 전극(152e)과 동일 평면인 터치 절연막(158) 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 접속된다.
터치 센싱 라인(154)은 다수의 제2 터치 전극들(154e)과, 다수의 제2 터치 전극들(154e) 사이를 전기적으로 연결하는 제2 브릿지들(154b)을 구비한다.
다수의 제2 터치 전극들(154e)은 터치 절연막(158) 상에서 제2 방향인 X방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제2 터치 전극들(154e) 각각은 제2 브릿지(154b)를 통해 인접한 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 연결된다.
제2 브릿지(154b)는 제2 무기 봉지층(146) 상에 형성되며 터치 절연막(158)을 관통하는 터치 컨택홀(150)을 통해 노출되어 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 접속된다. 이중 제2 브릿지(154b)는 제1 브릿지(152b)와 마찬가지로 뱅크(128)와 중첩되도록 배치되므로 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b)에 의해 개구율이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b) 각각은 Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강하고 전도성이 좋은 도전층을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b) 각각은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다.
제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b) 각각은 메쉬 형태로 형성된다. 이에 따라, 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b) 자체의 저항과 커패시턴스 감소되어 RC 시정수가 감소되어 터치 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 메쉬 형태의 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b) 각각의 선폭이 매우 얇아 메쉬 형태의 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b)으로 인해 개구율 및 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
커버 유기층(159)은 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)을 덮도록 형성되어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)이 외부의 수분 등에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 커버 유기층(159)은 유기 절연 재질로 형성되거나, 원편광판 또는 에폭시 또는 아크릴 재질의 필름 형태로 형성될 수 있다. 이러한 커버 유기층(159)이 봉지부(140) 상에 없을 수도 있다. 즉, 커버 유기층(159)은 필수적인 구성이 아닐 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 부분적인 단면도로서, 도 3에 도시된 II-II' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 터치 스크린 일체형 발광 표시장치는 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역 주변에 있는 비표시 영역을 갖는 기판(111)을 포함할 수 있다. 기판(111)의 상부에는 박막트랜지스터(130)와 발광 소자(120)가 배치될 수 있다. 표시 영역 및 비표시 영역을 덮으며, 제1 무기 봉지층(142), 유기 봉지층(144) 및 제2 무기 봉지층(146) 순서로 적층된 봉지부(140)를 포함할 수 있다. 봉지부(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다.
제1 무기 봉지층(142)은 발광 소자(120)와 가장 인접하도록 캐소드 전극(126)이 형성된 기판(111) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(142)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(142)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(142)의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광 스택(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(144)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이 유기 봉지층(144)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성된다.
제2 무기 봉지층(146)는 유기 봉지층(144)의 상부면 및 측면과, 유기 봉지층(144)에 의해 노출된 제1 무기 봉지층(142)의 상부면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(146)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(142) 및 유기 봉지층(144)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(146)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다. 제1, 제2 무기 봉지층(142, 146)은 동일 재료로 이루어질 수 있으며, 각각이 복수 층일 수도 있다.
봉지부(140)는 충분히 외부로부터 수분 침투를 방지하고 내부 파티클의 유동 및 내부 파티클의 영향을 방지하도록 그 총 두께는 10㎛ 내지 30㎛으로 형성하는 것이 바람직하다.
봉지부(140) 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 터치 전극들(152e) 및 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 터치 전극들(154e)를 포함할 수 있다.
기판(111) 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 무기 절연층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 박막트랜지스터(130)와 기판(111) 사이에는 멀티 버퍼층(104)과 액티브 버퍼층(106)이 배치된다. 멀티 버퍼층(104)은 기판(111)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킨다. 액티브 버퍼층(106)은 반도체층(134)을 보호하며, 기판(111)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다.
이때, 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 멀티 버퍼층(104)의 나머지 층들과 식각 특성이 다른 재질로 형성된다. 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 SiNx 및 SiOx 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 액티브 버퍼층(106)의 상부에는 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(114)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 액티브 버퍼층(106)과 접촉하는 멀티 버퍼층(104)의 최상층은 SiNx로 형성되고, 멀티 버퍼층(104)의 나머지 층들, 액티브 버퍼층(106), 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(114)은 SiOx로 형성될 수 있다.
무기 절연층의 상부에는 제1 평탄화층(117)이 위치할 수 있다. 제1 평탄화층(117)은 박막트랜지스터(130)를 덮으며, 박막트랜지스터(130)의 상부를 평탄화 시킬 수 있다. 제1 평탄화층(117)의 상부에는 제2 평탄화층(118)이 위치할 수 있다. 제2 평탄화층(118)은 박막트랜지스터(130)의 드레인 전극(138)과 발광 소자(120)의 애노드 전극(122)을 연결하는 화소 연결 전극(139)의 상부를 평탄화하도록 배치될 수 있다.
제2 평탄화층(118)에 위치하며, 유기 봉지층(144)으로 채워진 홀패턴(160)을 포함할 수 있다. 홀패턴(160)은 제2 평탄화층(118)을 관통할 수 있다. 홀패턴(160)은 제1 평탄화층(117)을 관통하지 않고 제1 평탄화층(117)에 오목하게 형성될 수 있다. 홀패턴(160)과 유기 봉지층(144)의 사이에는 제1 무기 봉지층(142)이 위치할 수 있다.
기판(111)의 비표시 영역에는 봉지부(140)에 포함된 유기 봉지층이 외곽으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 기능을 하는 댐(172)이 존재할 수 있다. 일예로, 1차 댐(172-1)과 2차 댐(172-2)이 배치될 수 있다. 여기서, 2차 댐(172-2)은 1차 댐(172-1)보다 더 외곽에 위치할 수 있다. 예시와 다르게, 1차 댐(172-1)만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는 1차 댐(172-1)과 2차 댐(172-2)뿐만 아니라 추가적인 댐이 더 배치될 수도 있다. 1차 댐(172-1) 및 2차 댐(172-2)은 홀패턴(160)보다 표시 영역에 더 가깝게 위치할 수 있다.
비표시 영역에 있으며, 제1 터치 전극(152e) 및 제2 터치 전극(154e)에 신호를 전달하는 터치 패드(170, 도3 참조)를 포함할 수 있다. 터치 패드(170)와 전기적으로 연결된 링크배선(168)을 더 포함할 수 있다. 링크배선은 제1 링크배선(168-1)과 제2 링크배선(168-2)을 포함할 수 있다. 제1 링크배선(168-1)은 박막트랜지스터(130)의 드레인 전극(138)과 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. 제2 링크배선(168-2)은 표시 영역에 있는 화소 연결 전극(139)와 동일한 마스크 공정으로 형성되므로 동일한 평면에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
제1 터치 전극(152e) 및 제2 터치 전극(154e)에 직접 연결되며, 비표시 영역에 배치되는 라우팅 라인(156)을 포함할 수 있다. 라우팅 라인(156)은 표시 영역에 있는 제1 브릿지(152b)와 동일 마스크 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 라우팅 라인(156)은 표시 영역에 있는 제1 브릿지(152b)와 동일 평면에 동일 재질로 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(152e)과 접속된 라우팅 라인(156)은 도 3에 도시된 바와 같이 표시 영역의 상측 및 하측 중 적어도 어느 한 측으로부터 터치 패드(170) 방향으로 연장될 수 있다. 제2 터치 전극(154e)과 접속된 라우팅 라인(156)은 표시 영역의 좌측 및 우측 중 적어도 어느 한 측으로부터 터치 패드(170) 방향으로 연장될 수 있다. 한편, 라우팅 라인(156)의 배치는 전술한 구조에 한정되지 않고, 표시 장치의 설계사항에 따라 다양하게 변경 가능하다.
홀패턴(160)의 외곽에 위치하며, 링크배선(168, 169)과 라우팅 라인(156)이 접촉하는 링크배선-라우팅 라인 연결부(176)를 포함할 수 있다. 링크배선-라우팅 라인 연결부(176)를 통해 서로 다른 층에 있는 링크배선(168)과 라우팅 라인(156)이 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다.
이와 같이, 댐(172)의 외곽에 형성되는 제1 및 제2 평탄화층(117, 118)이 순차적으로 적층된 곳에 제2 평탄화층(118)을 관통하고 제1 평탄화층(117)의 상면으로부터 오목하게 형성된 홀패턴(160)을 구비함으로써 댐(172)의 외곽으로 흘러 넘친 봉지부(140)의 유기 봉지층(144)이 홀패턴(160)을 채우게 된다. 이로 인해, 라우팅 라인(156)과 링크배선(168)이 연결되는 링크배선-라우팅 라인 연결부(176)에는 유기 봉지층(144)이 도포되지 않게 된다. 그러므로 봉지부(144) 상부에 형성되는 라우팅 라인(156)과 터치 패드(170)와 연결되는 링크배선(168)의 연결에 문제가 발생하는 현상이 방지될 수 있다. 즉, 터치 구동부에서 생성된 터치 구동 펄스를 터치 패드(170)를 통해 터치 구동 라인(152)으로, 터치 센싱 라인(154)으로부터의 터치 신호를 터치 패드(170)로의 신호가 안정적으로 전달되어 신뢰성 높은 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
111: 기판
112: 게이트 절연막
114: 층간 절연막
116: 보호막
117: 제1 평탄화층
118: 제2 평단화층
120: 발광 소자
130: 구동 박막 트랜지스터
139: 화소 연결 전극
140: 봉지층
151: 터치 버퍼막
156: 라우팅 라인
158: 터치 절연막
160: 홀패턴
168: 링크배선
170: 터치패드
172: 댐
176: 링크배선-라우팅 라인 연결부
180: 표시패드

Claims (16)

  1. 복수의 표시 화소가 배치된 표시 영역 및 상기 표시 영역 주위의 비표시 영역을 구비한 기판;
    상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역을 덮으며 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 제2 무기 봉지층 순서로 적층된 봉지부;
    상기 봉지부 상에 배치되며 제1 방향으로 연장되는 제1 터치 전극 및 제2 방향으로 연장되는 제2 터치 전극;
    상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 무기 절연층;
    상기 무기 절연층의 상부에 배치되는 제1 평탄화층;
    상기 제1 평탄화층의 상부에 배치되는 제2 평탄화층;
    상기 제2 평탄화층에 형성된 홀패턴을 포함하며,
    상기 홀패턴은 상기 유기 봉지층으로 채워진 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 표시 영역을 둘러싸도록 구성된 적어도 하나 이상의 댐을 더 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 댐은 상기 홀패턴보다 상기 표시 영역에 더 가깝게 위치하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 제1 및 제2 터치 전극에 신호를 전달하도록 구성된 터치 패드를 더 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 터치 패드와 전기적으로 연결된 링크배선을 더 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 제1 및 제2 터치 전극에 직접 연결되는 라우팅 라인을 더 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 터치 패드와 상기 홀패턴 사이에 있으며, 상기 링크배선과 상기 라우팅 라인이 접촉하는 링크배선-라우팅 라인 연결부를 더 구비하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 홀패턴은 상기 댐과 상기 링크배선-라우팅 라인 연결부 사이에 위치하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 홀패턴은 상기 제2 평탄화층을 관통하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 홀패턴은 상기 제1 평탄화층에 오목하게 형성된 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 홀패턴과 상기 유기 봉지층 사이에 상기 제1 무기 봉지층이 위치하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 표시 영역에 있는 발광 소자;
    상기 발광 소자와 접속되는 박막트랜지스터를 더 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 평탄화층은 상기 박막트랜지스터를 덮는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 링크배선은 제1 및 제2 링크배선을 포함하는 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 링크배선은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 링크배선은 상기 박막트랜지스터와 상기 발광소자를 연결하는 화소 연결 전극과 동일한 물질로 이루어진 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치.
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