CN110061032A - 显示装置 - Google Patents

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CN110061032A
CN110061032A CN201910047663.1A CN201910047663A CN110061032A CN 110061032 A CN110061032 A CN 110061032A CN 201910047663 A CN201910047663 A CN 201910047663A CN 110061032 A CN110061032 A CN 110061032A
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display device
power supply
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organic insulator
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CN201910047663.1A
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金东煜
郭源奎
权善子
金世镐
裴汉成
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底。显示单元设置在基底上,并且包括像素电路和电连接到像素电路的显示元件。驱动电路设置在显示单元的外部。驱动电路包括薄膜晶体管。无机绝缘层设置在驱动电路上。电源线设置在无机绝缘层上,与驱动电路叠置,并且连接到显示元件的共电极。封装基底设置在电源线上,并且面对基底。密封材料置于基底与封装基底之间,并且与驱动电路叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2018年1月19日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0007238号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是不需要使用诸如背光的附加光源的一类自发射显示装置。有机发光显示装置可以以低电压驱动,并且可以轻质且纤薄。另外,有机发光显示装置具有诸如宽视角、高对比度和快响应速度的有利特性,因此作为下一代显示装置已引起了关注。
诸如有机发光显示装置的各种类型的显示装置用于向用户显示图像。诸如这些的显示装置通常包括显示图像的显示区域以及不显示图像的非显示区域(即,无效区域)。因为非显示区域在没有增大显示图像的区域的情况下增大了显示装置的尺寸,所以正在开发新式显示装置以具有较小的非显示区域。然而,显示装置的各种重要组件通常占据非显示区域,因此减小非显示区域的尺寸在技术上是困难的。
发明内容
显示装置包括基底。显示单元设置在基底上,并且包括像素电路和电连接到像素电路的显示元件。驱动电路设置在显示单元的外部。驱动电路包括薄膜晶体管。无机绝缘层设置在驱动电路上。电源线设置在无机绝缘层上,与驱动电路叠置,并且连接到显示元件的共电极。封装基底设置在电源线上,并且面对基底。密封材料置于基底与封装基底之间,并且与驱动电路叠置。
显示装置包括基底。显示单元设置在基底上,并且包括像素电路、有机绝缘层和显示元件。像素电路包括扫描线、数据线和驱动电压线。有机绝缘层设置在像素电路上。显示元件包括通过有机绝缘层的接触孔电连接到像素电路的像素电极、位于像素电极上的发射层以及位于发射层上的共电极。驱动电路设置在显示单元外部,并且包括薄膜晶体管。无机绝缘层覆盖驱动电路。电源线设置在无机绝缘层上,并且连接到共电极。电源线的端部与显示单元相邻,并且被有机绝缘层覆盖。封装基底设置在电源线上,并且面对基底。密封材料置于基底与封装基底之间。
附图说明
通过参照结合附图考虑时的下面的详细描述,对本公开的更完全的理解以及本公开的许多附带方面将容易获得,同时变得更好理解,在附图中:
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性平面图;
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的像素的等效电路图;
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图;
图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图;
图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图;
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性平面图;
图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图;
图8是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图;以及
图9是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在描述附图中示出的本公开的示例性实施例中,为了清楚起见,采用了特定术语。然而,本公开不意图限于如此选择的特定术语,并且将理解的是,每个特定元件包括以相似方式操作的所有技术等同物。在附图和对应的描述中,同样的附图标记可以表示同样的元件。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。在多个附图中,相似的和/或对应的元件可以被给予相同的附图标记,在省略详细解释的程度上,可以假设这些细节至少与已经描述的相似的/对应的元件的细节相似。
将理解的是,当层、区域或组件被称作“形成在”另一层、区域或组件“上”时,该层、区域或组件可以直接或间接形成在另一层、区域或组件上。例如,可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释,可以夸大附图中的元件的尺寸。
还将理解的是,当层、区域或组件被称作“连接”或“结合”到另一层、区域或组件时,该层、区域或组件可以直接连接到或直接结合到所述另一层、区域或组件,或者可以存在中间层、中间区域或中间组件。例如,当层、区域或组件被称作“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时,该层、区域或组件可以直接电连接到或直接电结合到所述另一层、区域或组件,或者可以存在中间层、中间区域或中间组件。
存在适合于显示图像的许多不同类型的显示装置。显示装置的示例可以包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线管显示器。
尽管这里在其应用于有机发光显示装置的方面描述了本公开的示例性实施例,但是将理解的是,可以使用各种类型的显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置1的示意性平面图。图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置1的像素P的等效电路图。
参照图1,显示装置1包括设置在基底100上的显示单元10。显示单元10包括均连接到在y方向上延伸的扫描线SL以及在与y方向交叉的x方向上延伸的数据线DL的多个像素P。显示单元10通过从像素P发射的光来显示图像。显示单元10的设置有像素P的区域被限定为显示区域DA,因此,在显示区域DA内能够显示图像。
每个像素P可以发射例如红光、绿光、蓝光和白光中的一种。每个像素P包括显示元件,并且显示元件可以包括有机发光二极管。因此,显示区域DA可以包括发射红光的第一组像素、发射绿光的第二组像素、发射蓝光的第三组像素以及可选择地发射白光的第四组像素。这些各个类型的像素可以以期望的图案散置,以能够在显示区域DA的任何特定区域附近显示任何期望的颜色。通过这种方式,可以在显示区域DA内显示期望的图像。
参照图2,每个像素P可以包括连接到该像素P的扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管(TFT)Td、开关TFT Ts和存储电容器Cst。开关TFT Ts连接到扫描线SL和数据线DL,并且被构造为根据通过扫描线SL接收的扫描信号将通过数据线DL接收的数据信号传输到驱动TFT Td。
存储电容器Cst连接到开关TFT Ts和驱动电压线PL,并且被构造为存储与从开关TFT Ts接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以用于根据存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流来发射具有期望亮度的光。有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
尽管图2中示出了像素P包括两个TFT和一个存储电容器的情况,但是本公开的示例性实施例可以利用晶体管和存储器的不同布置。根据本公开的示例性实施例,像素P的像素电路PC可以包括三个或更多个TFT或者两个或更多个存储电容器。通过这种方式,可以在保持在本公开的精神和范围内的同时对所描述的布置进行各种修改。
返回参照图1,外围区域PA布置在显示区域DA外部。例如,外围区域PA可以围绕显示区域DA。外围区域PA是其中未布置有像素P的区域,并且外围区域PA与其中不提供图像的非显示区域对应。
在外围区域PA上,可以布置例如第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的驱动电路、端子单元40、驱动电源线60和共电源线70。
第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30布置在基底100的外围区域PA上,这些第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30可以被构造为生成扫描信号并通过扫描线SL将扫描信号传输到每个像素P。例如,第一扫描驱动电路20可以设置在显示单元10的左侧上,第二扫描驱动电路30可以设置在显示单元10的右侧上。然而,可以提供像素P以及第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的其它布置。
端子单元40设置在基底100的一侧上,并且包括多个端子41、42、44和45。端子单元40可以被暴露,即可以不被绝缘层覆盖,因此可以电连接到柔性印刷电路板FPCB。端子单元40可以设置在基底100的未设置有第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的一侧上。
柔性印刷电路板FPCB将控制器90电连接到端子单元40,并且从控制器90接收的信号或电力从端子单元40沿着连接线21、31、51、61和71行进。
控制器90可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号,并且可以产生用于控制第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的驱动的控制信号。产生的控制信号可以通过与柔性印刷电路板FPCB连接的端子44以及连接线21和31传输到第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30中的每个。第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的扫描信号可以通过扫描线SL提供到每个像素P。控制器90通过连接到柔性印刷电路板FPCB的端子42和45以及连接线61和71分别将驱动电压ELVDD(参照图2)和共电压ELVSS(参照图2)提供到驱动电源线60和共电源线70。驱动电压ELVDD可以通过驱动电压线PL提供到每个像素P,并且共电压ELVSS可以提供到每个像素P的共电极。
数据驱动电路50可以设置在柔性印刷电路板FPCB上。数据驱动电路50将数据信号提供到每个像素P。数据驱动电路50的数据信号通过连接到端子41的连接线51以及连接到连接线51的数据线DL提供到每个像素P。尽管在图1中数据驱动电路50设置在柔性印刷电路板FPCB上,但是本公开的示例性实施例可以利用数据驱动电路50的另一构造。例如,数据驱动电路50可以设置在基底100的外围区域PA上。
驱动电源线60可以设置在外围区域PA上。例如,驱动电源线60可以设置在显示单元10的与端子单元40相邻的一侧与端子单元40之间。驱动电压ELVDD通过连接线61和端子42提供到驱动电源线60,并且可以通过驱动电压线PL提供到每个像素P。
共电源线70可以设置在外围区域PA上,并且可以至少部分地围绕显示单元10。例如,共电源线70具有显示单元10的与端子单元40相邻的一侧是敞开的开环形状。共电源线70可以沿着基底100的除了包括端子单元40的边缘之外的边缘延伸。
共电源线70通过连接线71电连接到端子45,并且共电源线70将共电压ELVSS提供到像素P的有机发光二极管OLED(见图2)的共电极(例如,阴极)。在图1中,连接线71被示出为具有部分围绕显示单元10的一侧是敞开的开环形状,连接线71与共电源线70叠置。与共电源线70相似,连接线71部分地围绕显示单元10。连接线71可以比共电源线70进一步朝向基底100的一个边缘(例如,端子单元40)延伸。
在包括上述结构的基底100上,封装基底300设置为面对基底100。密封材料400设置在基底100与封装基底300之间。密封材料400可以至少部分地围绕显示单元10。在一些实施方式中,如从图1中示出的平面图观看,密封材料400可以完全围绕显示单元10。由基底100、封装基底300和密封材料400限定的空间可以在空间上与外部分离,因此可以防止外部湿气或杂质的渗入。在图1中,密封材料400被示出为完全围绕显示单元10以及第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30。这可以理解为显示单元10以及第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30布置在由基底100、封装基底300和密封材料400限定的空间(内部空间)中。
密封材料400可以包括例如以玻璃料为例的无机材料,但是本公开的示例性实施例可以利用其它类型的密封材料。例如,根据本公开的示例性实施例,密封材料400可以包括环氧树脂等。
图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图,并且示出的剖视图可以与沿着图1的线III-III'截取的剖视图对应。
参照图3,显示装置包括显示区域DA和外围区域PA。基底100和封装基底300两者可以包括与显示区域DA和外围区域PA对应的区域。基底100可以由例如玻璃、金属或者以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)为例的塑料的任何各种材料形成。封装基底300可以是基本透明的并且可以包括透明材料。例如,封装基底300可以由例如玻璃或者以PET、PEN或PI为例的塑料的任何各种材料形成。基底100和封装基底300可以包括相同材料或不同材料。
参照图3的显示区域DA,缓冲层101可以形成在基底100上。缓冲层101可以阻挡异物或湿气通过基底100进入。例如,缓冲层101可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料,并且可以形成为多层或单层。
TFT 130、存储电容器140和作为显示元件200的有机发光二极管位于与显示区域DA对应的位置处。有机发光二极管电连接到TFT 130和存储电容器140。图3的TFT 130可以与上面参照图2描述的像素电路PC中包括的TFT中的一个(例如,驱动TFT Td)对应。图3的存储电容器140可以与上面参照图2描述的存储电容器Cst对应。
TFT 130包括半导体层134和栅电极136。半导体层134可以包括例如多晶硅。半导体层134可以包括与栅电极136叠置的沟道区131以及分别设置在沟道区131的两侧上的源区132和漏区133。源区132和漏区133均可以包括比沟道区131的杂质浓度高的杂质。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区132和漏区133可以被理解为TFT 130的源电极和漏电极。
根据本公开的示例性实施例,半导体层134包含多晶硅。然而,本公开的示例性实施例不限于半导体层134的这种特定组分。例如,半导体层134可以包括非晶硅或有机半导体材料。根据本公开的示例性实施例,半导体层134可以包括氧化物半导体。像素电路PC可以包括上面参照图2描述的驱动TFT Td和开关TFT Ts,并且驱动TFT Td的半导体层和开关TFT Ts的半导体层可以包括不同的材料。例如,驱动TFT Td的半导体层和开关TFT Ts的半导体层中的一个可以包括氧化物半导体,并且另一个可以包括多晶硅。
栅极绝缘层103可以设置在半导体层134与栅电极136之间。栅极绝缘层103可以是包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层。无机绝缘层可以形成为多层或单层。
存储电容器140包括彼此叠置的第一存储电容器板144和第二存储电容器板146。第一层间绝缘层105可以设置在第一存储电容器板144与第二存储电容器板146之间。第一层间绝缘层105具有特定的介电常数,可以是包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层,并且可以形成为多层或单层。在图3中,存储电容器140与TFT130叠置,并且第一存储电容器板144是TFT 130的栅电极136。然而,本公开的示例性实施例可以具有其它布置。例如,存储电容器140可以不与TFT 130叠置,并且第一存储电容器板144可以是独立于TFT 130的栅电极136的组件。
存储电容器140可以被第二层间绝缘层107覆盖。第二层间绝缘层107可以是包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层。第二层间绝缘层107可以形成为多层或单层。
驱动电压线PL可以设置在第一有机绝缘层111上。驱动电压线PL可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti),并且可以形成为单层或多层。根据本公开的示例性实施例,驱动电压线PL可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
图3示出了设置在第一有机绝缘层111下方的下驱动电压线PL1。下驱动电压线PL1可以通过穿过第一有机绝缘层111的接触孔电连接到驱动电压线PL,并且可以防止通过驱动电压线PL提供的驱动电压ELVDD的电压降。下驱动电压线PL1可以包括与数据线DL中包括的材料相同的材料。例如,下驱动电压线PL1和数据线DL可以包括Al、Cu和/或Ti,并且可以形成为单层或多层。根据本公开的示例性实施例,下驱动电压线PL1和数据线DL可以具有诸如Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层111包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括酰亚胺类聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或其共混物等。根据本公开的示例性实施例,第一有机绝缘层111可以包括聚酰亚胺。
驱动电压线PL可以被第二有机绝缘层113覆盖。第二有机绝缘层113可以包括诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物等。根据本公开的示例性实施例,第二有机绝缘层113可以包括聚酰亚胺。
像素电极210设置在第二有机绝缘层113上。像素限定层120可以设置在像素电极210上。像素限定层120可以通过包括与子像素对应的相应的开口(即,像素电极210的至少中心部分通过其暴露的开口)来限定像素。像素限定层120可以通过增大像素电极210的边缘与共电极230之间的距离来防止显示元件200的像素电极210的边缘与共电极230之间发生电弧等。像素限定层120可以由例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。
中间层220可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层220包括低分子量材料时,中间层220可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以单个结构或复合结构堆叠的结构,并且可以包括包含铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。这些层可以通过真空沉积来形成。
当中间层220包括高分子量材料时,中间层220可以附加地包括HTL和EML。在这种情况下,HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT),EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)类材料或聚芴类材料的高分子量材料。中间层220不限于上述结构,并且可以具有任何各种其它结构。例如,构成中间层220的层中的至少一个层可以在多个像素电极210上方延伸。可选择地,中间层220可以包括被图案化为与多个像素电极210中的每个对应的层。
共电极230可以设置在显示区域DA上并且可以覆盖显示区域DA。例如,共电极230可以形成为一体,诸如以覆盖多个像素。
填充材料500可以设置在共电极230与封装基底300之间。例如,填充材料500可以包括光可固化的环氧类材料和/或丙烯酸酯类材料,但是可以可选择地使用其它布置。
参照图3的外围区域PA,驱动电路(例如,第一扫描驱动电路20)设置在基底100上。第一扫描驱动电路20可以包括薄膜晶体管TFT-P,并且可以包括与薄膜晶体管TFT-P连接的线。薄膜晶体管TFT-P可以与像素电路PC的TFT一起形成作为同一工艺步骤的一部分。第一扫描驱动电路20包括置于薄膜晶体管TFT-P的组件之间(例如,置于半导体层与栅电极之间)的绝缘层。例如,缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107中的至少一个可以延伸到外围区域PA,从而形成绝缘层110。绝缘层110包括无机绝缘材料。无机绝缘层109可以设置在第一扫描驱动电路20上。
第一扫描驱动电路20可以被无机绝缘层109覆盖。无机绝缘层109可以防止包括会被蚀刻剂损坏的金属(如铝)的连接线71在显示装置的制造期间暴露于蚀刻环境。在图3中,无机绝缘层109也设置在显示区域DA上。
无机绝缘层109可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料,并且可以形成为多层或单层。根据本公开的示例性实施例,无机绝缘层109可以包括SiNx。无机绝缘层109可以具有至少约的厚度。根据本公开的示例性实施例,无机绝缘层109的厚度可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于可以等于或大于或者可以等于或大于可选择地,无机绝缘层109可以具有约至约的厚度。
共电源线70与第一扫描驱动电路20叠置,并且无机绝缘层109置于共电源线70与第一扫描驱动电路20之间。共电源线70可以包括与驱动电压线PL中包括的材料相同的材料。第一扫描驱动电路20被共电源线70完全覆盖,因此可以防止被静电损坏。
诸如无机绝缘层109的由无机绝缘材料构成的层置于第一扫描驱动电路20与共电源线70之间。作为本公开的对比示例,当有机绝缘层置于第一扫描驱动电路20与共电源线70之间时,共电源线70包括通孔使得残留在有机绝缘层中的气体会经由通孔排放。然而,因为仅无机绝缘层置于第一扫描驱动电路20与共电源线70之间(如根据本公开的示例性实施例),所以不需要包括被构造为排放残留气体的上述通孔,并其可以更有效地防止穿过上述通孔的静电对第一扫描驱动电路20的损坏。
共电源线70的第一宽度W1可以比第一扫描驱动电路20的宽度或其上设置有第一扫描驱动电路20的驱动电路区域DPC-A的宽度大。
如剖视图中所示,共电源线70可以具有靠近TFT 130的第一端部70E1和距TFT 130最远的第二端部70E2。共电源线70的第一端部70E1可以朝向显示单元(显示区域DA)延伸超过驱动电路区域DPC-A。共电源线70的在宽度方向上与第一端部70E1相对的第二端部70E2可以朝向基底100的边缘100E延伸超过驱动电路区域DPC-A。
第一有机绝缘层111在z方向上置于共电源线70的第一端部70E1与无机绝缘层109之间。如果第一有机绝缘层111延伸以覆盖驱动电路区域DPC-A,则共电源线70中需要形成被构造为排放残留在第一有机绝缘层111中的气体的通孔,这会导致第一有机绝缘层111在密封材料400的形成期间被损坏,或者另一相关问题。因此,第一有机绝缘层111被图案化为使驱动电路区域DPC-A暴露(即,不覆盖驱动电路区域DPC-A)。因此,第一有机绝缘层111的端部111E可以位于第一扫描驱动电路20与显示区域DA之间和/或驱动电路区域DPC-A与显示区域DA之间。
共电源线70的第一端部70E1可以被第二有机绝缘层113覆盖。因此,当共电源线70的第一端部70E1被暴露而没有被第二有机绝缘层113覆盖时,会发生问题。例如,在蚀刻像素电极210期间,会损坏共电源线70的第一端部70E1,或者由于共电源线70中包括的材料的析出(extraction)而会形成不需要的颗粒。
第二有机绝缘层113也被图案化为使驱动电路区域DPC-A和/或第一扫描驱动电路20暴露(即,不覆盖驱动电路区域DPC-A和/或第一扫描驱动电路20)。第二有机绝缘层113的端部113E可以位于第一扫描驱动电路20与显示区域DA之间和/或驱动电路区域DPC-A与显示区域DA之间。在图3中,第一有机绝缘层111的端部111E比第二有机绝缘层113的端部113E进一步朝向基底100的边缘100E延伸。
第二有机绝缘层113的端部113E可以被导电层75覆盖,导电层75包括与像素电极210中包括的材料相同的材料。在图3中,导电层75覆盖第二有机绝缘层113的端部113E的侧表面,并且与设置在第二有机绝缘层113的端部113E下方的共电源线70的上表面接触。根据本公开的一些示例性实施例,导电层75可以包括被构造为排放残留在第二有机绝缘层113中的气体的通孔。例如,导电层75的与第二有机绝缘层113接触的部分可以包括被构造为排放残留在第二有机绝缘层113中的气体的通孔。
共电源线70至少部分地覆盖位于基底100的边缘100E与第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A之间的连接线71。在一些实施方式中,如图3中所示,共电源线70完全覆盖连接线71。在一些实施方式中,共电源线70的第二端部70E2可以延伸超过连接线71到基底100的边缘100E。连接线71和共电源线70可以通过无机绝缘层109的接触孔109H彼此电连接并且可以彼此接触。
密封材料400设置在共电源线70上,并且可以与共电源线70的第二端部70E2和第一扫描驱动电路20叠置。密封材料400可以包括如上所述的玻璃料或环氧树脂等。玻璃料可以是包括激光或红外吸收材料、有机粘合剂和/或用于降低热膨胀系数的填料等的膏,该膏设置在诸如SiO2的主要材料内。可以通过干燥工艺或烧制工艺来去除有机粘合剂和湿气使玻璃料膏硬化。激光或红外吸收材料可以包括过渡金属化合物。在干燥或烧制之后,可以利用激光作为用于使密封材料400硬化的热源。激光可以到达共电源线70的与密封材料400叠置的第二端部70E2。作为施加激光的结果,如图3的放大图中所示,构成共电源线70的第二端部70E2的第一金属层70A、第二金属层70B和第三金属层70C中的至少一个的上表面可能变成不规则的表面。图3的放大图示出了共电源线70的第一金属层70A、第二金属层70B和第三金属层70C具有Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti的三层结构。
共电源线70电连接到显示元件200的共电极230。共电极230的端部230E可以延伸超过外围区域PA的虚设像素区域DPX到第一扫描驱动电路20上,并且可以与共电源线70直接接触。共电极230的端部230E可以被设置得距密封材料400的内侧壁400IS特定距离。
因为共电源线70具有第一宽度W1并且完全覆盖第一扫描驱动电路20,所以可以防止静电对第一扫描驱动电路20的损坏,由于防止共电源线70的电阻增大,可以防止施加到共电极230的共电压ELVSS(见图2)的电压降,并且可以减小显示装置的功耗。
因为共电源线70具有第一宽度W1并且完全覆盖第一扫描驱动电路20,所以可以减小位于基底100的边缘100E与第一扫描驱动电路20之间的连接线71的部分的宽度且不存在施加到共电极230的共电压ELVSS(见图2)的电压降,因此,可以减小显示装置的外围区域PA的宽度。
图4是根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图,并且可以与沿着图1的线III-III'截取的剖视图对应。图4的显示装置的除了第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E、导电层75和与其相关的组件之外的所有组件可以认为至少与上面参照图3描述的那些对应的元件相似,因此现在将集中并描述图3与图4之间的差异。
第一有机绝缘层111的端部111E和第二有机绝缘层113的端部113E中的每个设置在第一扫描驱动电路20与显示区域DA之间和/或驱动电路区域DPC-A与显示区域DA之间。
第二有机绝缘层113的端部113E可以比第一有机绝缘层111的端部111E进一步朝向第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A延伸,但是第二有机绝缘层113的端部113E不覆盖第一扫描驱动电路20。第二有机绝缘层113的端部113E可以被导电层75覆盖。例如,导电层75可以覆盖第二有机绝缘层113的端部113E的侧表面,并且同时可以与设置在第二有机绝缘层113的端部113E下方的共电源线70的上表面接触。根据本公开的一些示例性实施例,导电层75的与第二有机绝缘层113接触的部分可以包括被构造为排放残留在第二有机绝缘层113中的气体的通孔。
图5是根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图,并且可以与沿着图1的线III-III'截取的剖视图对应。图5的显示装置的除了共电极230、导电层75和与其相关的组件之外的所有组件可以认为至少与上面参照图3描述的那些对应的元件相似,因此现在将集中并描述图3与图5之间的差异。
参照图5,共电极230的端部230E可以与密封材料400叠置。例如,共电极230的端部230E可以设置在密封材料400的内侧壁400IS与密封材料400的外侧壁400OS之间。由于共电源线70和共电极230的多层结构,可以有效地保护第一扫描驱动电路20免受静电影响。另外,因为共电极230与共电源线70之间的接触表面增大,所以可以防止施加到共电极230的共电压ELVSS(见图2)的电压降,并且可以减小显示装置的功耗。
在图5中,共电极230完全覆盖第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A。根据本公开的示例性实施例,共电极230可以与密封材料400至少部分地叠置,但是共电极230可以仅覆盖第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A的一部分。
导电层75可以覆盖第二有机绝缘层113的端部113E的侧表面,而可以延伸到第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A。导电层75可以至少部分地覆盖第一扫描驱动电路20的一部分。导电层75可以与共电源线70直接接触。因为绝缘层(例如,有机绝缘层)可以不置于导电层75与共电源线70之间,所以防止了与因有机绝缘层而会另外发生的除气有关的问题。因此,在导电层75的与共电源线70叠置的部分中不需要形成通孔。
在图5中,导电层75的端部75E设置在第一扫描驱动电路20上并且与共电源线70接触,但是导电层75的端部75E距密封材料400的内侧壁400IS特定距离,并且比共电极230的端部230E进一步朝向显示装置的内部设置。根据本公开的示例性实施例,导电层75的端部75E可以延伸超过第一扫描驱动电路20并可以置于密封材料400的内侧壁400IS与密封材料400的外侧壁400OS之间,并且可以与密封材料400叠置。
图5的显示装置的组件中的第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E和导电层75可以与图4中示出的第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E和导电层75具有相同的结构。
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置2的平面图。图6的显示装置2在连接线71'和与其相关的组件方面与上面参照图1和图2描述的显示装置1不同。在这里不提供元件的描述的程度上,可以假设这些元件至少与已经参照图1和图2描述的对应的元件相似。
参照图6,连接线71'将显示装置2的共电源线70与端子单元40的端子45连接,并且可以位于显示单元10的一侧与端子单元40之间。例如,连接线71'可以置于端子单元40与显示单元10的与端子单元40相邻的一侧之间。连接线71'可以电连接到共电源线70,该共电源线70具有部分围绕显示单元10的一侧是敞开的开环形状。连接线71'和共电源线70可以通过绝缘层(例如,置于连接线71'与共电源线70之间的无机绝缘层)的接触孔CNT彼此连接。连接线71'与共电源线70之间的接触区域(即,接触孔CNT)可以是与显示单元10的面对端子单元40的一侧相邻的区域。
因为图1的显示装置1的连接线71具有开环形状,并且可以连接到共电源线70同时与共电源线70叠置,所以连接线71与共电源线70之间的连接区域具有与共电源线70的开环形状相似的开环形状。因此,如从图3至图5的剖视图观看,连接线71与共电源线70叠置。然而,图6的连接线71'与共电源线70之间的连接区域可以限于与显示单元10的面对端子单元40的一侧相邻的区域。因为连接线71'在显示装置2的外围区域PA上不位于驱动电路(例如,第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30)周围,所以外围区域PA(例如,驱动电路周围的外围区域PA)可以具有减小的宽度。
图7是根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图,并且图7与沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图对应。
参照图7,与图3至图5相反,连接线71'不位于其中设置有驱动电路(例如,第一扫描驱动电路20)的外围区域PA上。因为如上面参照图6所描述的,连接线71'不布置在第一扫描驱动电路20周围的外围区域PA上,所以外围区域PA可以具有更减小的宽度。因为图7的显示区域DA与上面参照图3描述的显示区域DA相同,所以现在将集中并描述外围区域PA。
参照图7的外围区域PA,驱动电路(例如,第一扫描驱动电路20)可以设置在基底100上,并且第一扫描驱动电路20可以包括薄膜晶体管TFT-P和与薄膜晶体管TFT-P连接的线。薄膜晶体管TFT-P可以与像素电路PC的TFT一起形成作为同一工艺步骤的一部分。第一扫描驱动电路20包括置于薄膜晶体管TFT-P的组件(例如,半导体层与栅电极)之间的绝缘层。缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107中的至少一个可以延伸到外围区域PA,从而形成绝缘层110。绝缘层110是无机绝缘层。
第一扫描驱动电路20被无机绝缘层109覆盖,并且无机绝缘层109的厚度、材料等与上面参照图3描述的无机绝缘层109的厚度、材料等相同。在图7中,无机绝缘层109也设置在显示区域DA上。
共电源线70与第一扫描驱动电路20叠置。仅诸如无机绝缘层109的无机绝缘材料的绝缘层置于第一扫描驱动电路20与共电源线70之间。共电源线70可以包括与驱动电压线PL中包括的材料相同的材料。被共电源线70覆盖的第一扫描驱动电路20可以被保护免受静电的影响。因为有机绝缘层不置于共电源线70与第一扫描驱动电路20之间,所以防止当有机绝缘层置于共电源线70与第一扫描驱动电路20之间时发生的残留气体的排放。因此,如上所述,共电源线70中不形成通孔,更详细地,共电源线70的与第一扫描驱动电路20和无机绝缘层109叠置的部分中不形成通孔。
共电源线70的第一宽度W1'可以比第一扫描驱动电路20的宽度或其上设置有第一扫描驱动电路20的驱动电路区域DPC-A的宽度大。共电源线70的第一端部70E1可以朝向显示单元(显示区域DA)延伸超过驱动电路区域DPC-A,共电源线70的与第一端部70E1相对的第二端部70E2可以朝向基底100的边缘100E延伸超过驱动电路区域DPC-A。
共电源线70的第一端部70E1设置在第一有机绝缘层111上,并且被第二有机绝缘层113覆盖。第一有机绝缘层111的端部111E和第二有机绝缘层113的端部113E分别距密封材料400特定距离。第一有机绝缘层111的端部111E和第二有机绝缘层113的端部113E可以位于第一扫描驱动电路20(即,驱动电路区域DPC-A)的内侧中,使得它们不覆盖第一扫描驱动电路20。第二有机绝缘层113的端部113E可以被包括与像素电极210中包括的材料相同的材料的导电层75覆盖。
与上面参照图3给出的描述相似,共电源线70的第二端部70E2进一步朝向基底100的边缘100E延伸超过第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A。例如,共电源线70的第二端部70E2可以与密封材料400叠置,并且可以位于密封材料400的内侧壁400IS与密封材料400的外侧壁400OS之间。
如上面参照图6描述的,因为连接线71'不位于外围区域PA的在第一扫描驱动电路20周围的部分上,所以第一扫描驱动电路20与基底100的边缘100E之间或驱动电路区域DPC-A与基底100的边缘100E之间的区域EPA可以具有比上面参照图3描述的第一扫描驱动电路20与基底100的边缘100E之间或驱动电路区域DPC-A与基底100的边缘100E之间的区域的宽度小的宽度。
密封材料400设置在共电源线70上,并且可以与共电源线70和第一扫描驱动电路20至少部分地叠置。密封材料400可以包括如上所述的玻璃料或环氧树脂等。
共电源线70电连接到显示元件200的共电极230。共电极230的端部230E可以延伸超过外围区域PA的虚设像素区域DPX到第一扫描驱动电路20上,并且可以与共电源线70直接接触。共电极230的端部230E可以距密封材料400的内侧壁400IS特定距离。
图8是根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图,并且可以与沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图对应。图8的显示装置的除了第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E、导电层75和与其相关的组件之外的所有组件至少与上面参照图7描述的组件相似,因此现在将集中并描述图7与图8之间的差异。
第一有机绝缘层111的端部111E和第二有机绝缘层113的端部113E中的每个设置在第一扫描驱动电路20与显示区域DA之间和/或驱动电路区域DPC-A与显示区域DA之间。
第二有机绝缘层113的端部113E可以比第一有机绝缘层111的端部111E进一步朝向第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A延伸,但是第二有机绝缘层113的端部113E不覆盖第一扫描驱动电路20。第二有机绝缘层113的端部113E可以被导电层75覆盖。导电层75可以覆盖第二有机绝缘层113的端部113E的侧表面,并且同时可以与设置在第二有机绝缘层113的端部113E下方的共电源线70的上表面接触。根据本公开的一些示例性实施例,导电层75的与第二有机绝缘层113接触的部分可以包括被构造为排放残留在第二有机绝缘层113中的气体的通孔。
图9是根据本公开的示例性实施例的显示装置的剖视图,并且可以与沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图对应。图9的显示装置的除了共电极230、导电层75和与其相关的组件之外的所有组件至少与上面参照图7描述的对应的元件相似,因此现在将集中并描述图7与图9之间的差异。
参照图9,共电极230的端部230E可以与密封材料400叠置。例如,共电极230的端部230E可以设置在密封材料400的内侧壁400IS与密封材料400的外侧壁400OS之间。由于共电源线70和共电极230的多层结构,可以有效地保护第一扫描驱动电路20免受静电影响。另外,因为共电极230与共电源线70之间的接触表面增大,所以可以防止施加到共电极230的共电压ELVSS(见图2)的电压降,并且可以减小显示装置的功耗。
尽管在图9中共电极230完全覆盖第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A,但是可以利用其它构造。根据本公开的示例性实施例,共电极230可以与密封材料400叠置,并且共电极230可以仅覆盖第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A的一部分。
导电层75可以覆盖第二有机绝缘层113的端部113E的侧表面,并且可以延伸到第一扫描驱动电路20和/或驱动电路区域DPC-A。导电层75可以覆盖第一扫描驱动电路20的至少一部分。导电层75可以与共电源线70直接接触。因为绝缘层(例如,有机绝缘层)不置于导电层75与共电源线70之间,所以防止了与因有机绝缘层而会发生的除气有关的问题。因此,导电层75的与共电源线70叠置的部分不需要包括通孔等。
在图9中,导电层75的端部75E设置在第一扫描驱动电路20上并与共电源线70接触,并且导电层75的端部75E位于密封材料400的内侧壁400IS与密封材料400的外侧壁400OS之间。根据本公开的示例性实施例,导电层75的端部75E可以比密封材料400的内侧壁400IS进一步朝向显示装置的内部设置,因此可以不与密封材料400叠置。
图9的显示装置的组件中的第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E和导电层75可以与图8中示出的第一有机绝缘层111的端部111E、第二有机绝缘层113的端部113E和导电层75具有相同的结构。
尽管在图3至图5以及图7至图9中已经描述了基于第一扫描驱动电路20作为驱动电路的横截面,但是基于第二扫描驱动电路30作为驱动电路的横截面也可以具有与上述的结构相同的结构。
根据上述的实施例,驱动电路是扫描驱动电路。然而,根据本公开的示例性实施例,驱动电路可以是数据驱动电路等。当数据驱动电路设置在基底100的外围区域PA上时,在图1和图6的平面图上,数据驱动电路可以设置在基底100的上侧上,基底100的上侧与基底100的设置有端子单元40的下侧相对。除了数据驱动电路设置在驱动电路区域DPC-A上之外,该情况的横截面的结构与上面参照图3至图5以及图7至图9描述的结构基本相同。
这里描述的示例性实施例是说明性的,并且在不脱离公开的精神或所附权利要求范围的情况下,可以引入许多变化。例如,在本公开和所附权利要求的范围内,不同示例性实施例的元件和/或特征可以彼此组合和/或彼此替换。

Claims (25)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
显示单元,设置在所述基底上,并且包括像素电路和电连接到所述像素电路的显示元件;
驱动电路,设置在所述显示单元的外部,所述驱动电路包括薄膜晶体管;
无机绝缘层,设置在所述驱动电路上;
电源线,设置在所述无机绝缘层上,所述电源线与所述驱动电路叠置,并且连接到所述显示元件的共电极;
封装基底,设置在所述电源线上,并且面对所述基底;以及
密封材料,置于所述基底与所述封装基底之间,并且与所述驱动电路叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电源线完全覆盖所述驱动电路。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电源线包括与所述驱动电路叠置并与所述无机绝缘层的上表面直接接触的部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括置于所述无机绝缘层与所述电源线的端部之间的第一有机绝缘层,其中,所述电源线的所述端部与所述显示单元相邻,并且
其中,所述第一有机绝缘层的端部与所述密封材料间隔开,并且所述驱动电路在所述第一有机绝缘层的所述端部与所述密封材料之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置,所述显示装置还包括置于所述第一有机绝缘层与所述显示元件的像素电极之间的第二有机绝缘层,
其中,所述第二有机绝缘层包括与所述密封材料间隔开的端部,并且所述驱动电路在所述第二有机绝缘层的所述端部与所述密封材料之间,并且
其中,所述电源线的与所述显示单元相邻的所述端部被所述第二有机绝缘层覆盖。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二有机绝缘层的所述端部被置于所述共电极与所述电源线之间的导电层覆盖。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电源线的与所述基底的边缘相邻的端部被所述密封材料覆盖。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述共电极与所述电源线直接接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述密封材料与所述共电极的端部叠置。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电源线具有与所述显示单元的一侧对应的区域是敞开的开环形状。
11.根据权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括:
端子单元,设置在所述基底的一侧上,并且连接到柔性印刷电路板;以及
连接线,被构造为将所述端子单元的端子连接到所述电源线。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述连接线具有与所述显示单元的所述一侧对应的所述区域是敞开的开环形状,并且与所述电源线叠置。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述连接线设置在所述显示单元的所述一侧与所述端子单元之间。
14.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
显示单元,设置在所述基底上,并且包括像素电路、有机绝缘层和显示元件,其中,所述像素电路包括扫描线、数据线和驱动电压线,其中,所述有机绝缘层设置在所述像素电路上,并且其中,所述显示元件包括通过所述有机绝缘层的接触孔电连接到所述像素电路的像素电极、位于所述像素电极上的发射层以及位于所述发射层上的共电极;
驱动电路,设置在所述显示单元外部,并且包括薄膜晶体管;
无机绝缘层,设置在所述驱动电路上;
电源线,设置在所述无机绝缘层上,并且连接到所述共电极,其中,所述电源线包括与所述显示单元相邻的第一端部,所述第一端部被所述有机绝缘层覆盖;
封装基底,设置在所述电源线上,并且面对所述基底;以及
密封材料,置于所述基底与所述封装基底之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述电源线和所述驱动电压线包括相同的材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述共电极与所述电源线直接接触。
17.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述电源线与所述驱动电路叠置。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述电源线的一部分与所述驱动电路叠置,并且与所述无机绝缘层的上表面直接接触。
19.根据权利要求14所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述电源线的与所述显示单元相邻的所述第一端部下方的下有机绝缘层,
其中,所述下有机绝缘层的端部与所述密封材料间隔开,并且所述驱动电路置于所述下有机绝缘层的所述端部与所述密封材料之间。
20.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述有机绝缘层的端部被置于所述共电极与所述电源线之间的导电层覆盖。
21.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述密封材料与所述驱动电路叠置。
22.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述电源线的第二端部设置为与所述基底的边缘相邻,并且所述密封材料与所述电源线的所述第二端部叠置。
23.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述驱动电路是电连接到所述扫描线的扫描驱动电路。
24.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述共电极的端部与所述驱动电路叠置,并且与所述密封材料间隔开。
25.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述共电极的端部与所述密封材料叠置。
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