CN116406180A - 发光基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种发光基板，该发光基板包括多个叠层电致发光器件，叠层电致发光器件包括至少两层发光材料层和第三共通层组，所述第三共通层设于相邻两层所述发光材料层之间，所述第三共通层组包括n型电荷产生层，所述n型电荷产生层的电子迁移率为10^‑4cm²/V.s‑10^‑5cm²/V.s，n型电荷产生层的电子迁移率低，可以显著提升其横向电阻，当n型电荷产生层的横向电阻较大时，电荷通过该层传输的几率较小，从而有效降低叠层电致发光器件的串扰，提升显示效果。本公开还提供了一种包括上述发光基板的显示面板，同时还提供了一种包括该显示面板的显示装置。

Description

发光基板、显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种发光基板、显示面板及显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板已被广泛应用于各种显示装置中。部分显示面板的分辨率要求较高，叠层OLED才可以满足工艺要求。

由于叠层之间的连接需要用到导电性能比较好的电荷产生层(CGL，ChargeGenerate Layer)，相邻的子像素区之间会通过电荷产生层连接起来，容易造成相邻两个子像素之间相互串扰，影响显示效果。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于解决相邻两个子像素之间相互串扰，影响显示效果的问题，提供一种发光基板、显示面板及显示装置。

根据本公开的一个方面，提供一种发光基板，包括多个叠层电致发光器件，叠层电致发光器件包括第一电极、第二电极和发光层组，第二电极设于第一电极的一侧，发光层组设于第一电极与第二电极之间，发光层组包括至少两层发光材料层和第三共通层组，第三共通层设于相邻两层发光材料层之间，第三共通层组包括n型电荷产生层，n型电荷产生层的电子迁移率为10^-4cm²/V.s-10^-5cm²/V.s。

在本公开的一个实施例中，第三共通层组还包括第一电子传输层，第一电子传输层设于n型电荷产生层靠近第一电极的一侧，第一电子传输层与n型电荷产生层的LUMO能级差为0.2ev-0.3ev，第一电子传输层的电子迁移率为10^-5cm²/V.s-10^-6cm²/V.s。

在本公开的一个实施例中，第三共通层组还包括p型电荷产生层，p型电荷产生层设于n型电荷产生层靠近第二电极的一侧，p型电荷产生层中P型掺杂材料的比例为5％-7％。

在本公开的一个实施例中，n型电荷产生层的材料的各分子取向按照μz≥μxy的规律设置，其中μxy为xy平面内的电子迁移率，μz为沿z方向的电子迁移率，z方向垂直于xy平面。

在本公开的一个实施例中，n型电荷产生层的材料的分子式为：

其中，R为三嗪、咔唑、吡啶和嘧啶中的一种或多种。

在本公开的一个实施例中，发光材料层包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元，红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元两两相邻设置。

在本公开的一个实施例中，发光层组还包括第一空穴传输层，第一空穴传输层设于p型电荷产生层靠近第二电极的一侧。

在本公开的一个实施例中，发光层组还包括第一共通层组和第二共通层组，第一共通层组设于第一电极与靠近第一电极的发光材料层之间，第二共通层组设于第二电极与靠近第二电极的发光材料层之间，第一共通层组至少包括第二空穴传输层，第二共通层组至少包括第二电子传输层。

根据本公开的另一个方面，提供一种显示面板，包括阵列基板和本公开的一个方面所提供的发光基板，发光基板设于阵列基板的驱动侧。

根据本公开的又一个方面，提供显示装置，包括根据本公开的另一个方面所提供的显示面板。

本公开的发光基板包括多个叠层电致发光器件，叠层电致发光器件包括至少两层发光材料层和第三共通层组，所述第三共通层设于相邻两层所述发光材料层之间，所述第三共通层组包括n型电荷产生层，所述n型电荷产生层的电子迁移率为10^-4cm²/V.s-10^-5cm²/V.s，n型电荷产生层的电子迁移率低，可以显著提升其横向电阻，当n型电荷产生层的横向电阻较大时，电荷通过该层传输的几率较小，从而有效降低叠层电致发光器件的串扰，提升显示效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例涉及的叠层电致发光器件的截面示意图。

图2为本公开实施例涉及的一种n型电荷产生层材料的排布示意图。

图3为本公开实施例涉及的另一种n型电荷产生层材料的排布示意图。

图4为本公开实施例涉及的又一种n型电荷产生层材料的排布示意图。

图5为本公开实施例涉及的显示面板的截面示意图。

图中：1-阵列基板，11-衬底基板，12-缓冲层，13-驱动电路层，131-有源层，1311-有源部，132-栅极绝缘层，133-栅极层，1331-栅极，134-层间介质层，135-源漏金属层，1351-源极，1352-漏极，136-保护层，137-平坦化层；2-像素层，21-像素定义层，22-叠层电致发光器件，220-第一电子阻挡层，2201-第一电子阻挡单元，2202-第二电子阻挡单元，2203-第三电子阻挡单元，221-第一电极，222-发光层组，223-第二电极，2231-覆盖层，224-第一发光材料层，2241-第一红色发光单元，2242-第一绿色发光单元，2243-第一蓝色发光单元，225-第二发光材料层，2251-第二红色发光单元，2252-第二绿色发光单元，2253-第二蓝色发光单元，226-第一共通层组，2261-空穴注入层，2262-第二空穴传输层，227-第二共通层组，2271-电子注入层，2272-第二电子传输层，2273-第二空穴阻挡层，228-第三共通层组，2281-第一空穴传输层，2282-p型电荷产生层，2283-n型电荷产生层，2284-第一电子传输层，2285-第一空穴阻挡层，229-第二电子阻挡层，2291-第四电子阻挡单元，2292-第五电子阻挡单元，2293-第六电子阻挡单元；3-封装层组，31-第一无机封装层，32-有机封装层，33-第二无机封装层；4-彩膜基板，41-黑矩阵，42-子滤光单元，43-封装基板。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、响应速度快、亮度高、驱动电压低、可柔性等性能引起了人们的极大关注。滑移、卷曲、可拉伸将成为新一代柔性OLED显示的新趋势。可拉伸屏幕不仅可以实现自由形态，还能避免画面发生变形和扭曲，具有更大的自由度和发挥空间。

叠层OLED是指具有多于一个发光单元，使用电荷产生层将各发光单元串联起来的OLED器件。电荷产生层包括叠设的n型电荷产生层2283和p型电荷产生层2282，该电荷产生层兼具n型和p型半导体性能，从而能够同时促进器件内部载流子的产生与注入。

较常规OLED器件而言，叠层OLED器件有以下几点优势：OLED器件的电流效率(CE)随着发光单元数线性上升；器件的功率效率(PE)也有一定的增长；器件寿命显著延长。对于OLED器件来说，有部分共同层利用open mask来蒸镀，因此会同时覆盖不同颜色的像素区，相邻的像素之间会通过共同层连接起来，从而产生串扰的问题。

基于此，本公开实施方式提供了一种发光基板。如图1至图5所示，该发光基板包括多个叠层电致发光器件，叠层电致发光器件包括第一电极221、第二电极223和发光层组222，第二电极223设于第一电极221的一侧，发光层组222设于第一电极221与第二电极223之间，发光层组222包括至少两层发光材料层和第三共通层组228，第三共通层设于相邻两层发光材料层之间，第三共通层组228包括n型电荷产生层2283，n型电荷产生层2283的电子迁移率为10^-4cm2/V.s-10^-5cm2/V.s。

叠层电致发光器件包括至少两层发光材料层和第三共通层组228，所述第三共通层设于相邻两层所述发光材料层之间，所述第三共通层组228包括n型电荷产生层2283，所述n型电荷产生层2283的电子迁移率为10^-4cm²/V.s-10^-5cm²/V.s，n型电荷产生层2283的电子迁移率低，可以显著提升其横向电阻，当n型电荷产生层2283的横向电阻较大时，电荷通过该层传输的几率较小，从而有效降低叠层电致发光器件的串扰，提升显示效果。

下面结合具体的实施例对本公开实施方式所涉及的发光基板进行详细说明。

如图1所示，叠层电致发光器件包括第一电极221、发光层组222和第二电极223，第一电极221为不透明电极，第二电极223为透明电极或半透明电极，第一电极221与第二电极223相对设置，发光层组222可以包括第一发光材料层224、第二发光材料层225、第一共通层组226、第二共通层组227和第三共通层组228，第一共通层组226设于第一电极221与第一发光材料层224之间，第二共通层组227设于第二电极221与第二发光材料层225之间，第三共通层组228设于第一发光材料层224与第二发光材料层225之间。

第三共通层组228可以包括n型电荷产生层2283、p型电荷产生层2282、第一电子传输层2284和第一空穴传输层2281，所述第一电子传输层2284设于所述n型电荷产生层2283靠近所述第一发光材料层224的一侧，所述p型电荷产生层2282设于所述n型电荷产生层2283靠近所述第二发光材料层225的一侧，所述第一空穴传输层2281设于所述p型电荷产生层2282靠近所述第二发光材料层225的一侧。

所述第一共通层组226可以包括第二空穴传输层2262，所述第二共通层组227可以包括第二电子传输层2272。还可以在第一电极与第二空穴传输层2262之间设置空穴注入层2261，第二电极与第二电子传输层2272之间设置电子注入层2271。叠层电致发光器件还可以包括第一空穴阻挡层2285和第二空穴阻挡层2273，第一空穴阻挡层2285设于第一发光材料层224与第一电子传输层2284之间，第二空穴阻挡层2273设于第二发光材料层225与第二电子传输层2272之间。

第一发光材料层224包括第一红色发光单元2241、第一绿色发光单元2242和第一蓝色发光单元2243，所述第一红色发光单元2241、所述第一绿色发光单元2242和所述第一蓝色发光单元2243两两相邻设置。第二发光材料层225包括第二红色发光单元2251、第二绿色发光单元2252和第二蓝色发光单元2253，所述第二红色发光单元2251、所述第二绿色发光单元2252和所述第二蓝色发光单元2253两两相邻设置。

叠层电致发光器件还可以包括第一电子阻挡层220和第二电子阻挡层229，第一电子阻挡层220包括第一电子阻挡单元2201、第二电子阻挡单元2202和第三电子阻挡单元2203，第一电子阻挡单元2201设于第一红色发光单元2241与第二空穴传输层2262之间，第二电子阻挡单元2202设于第一绿色发光单元2242与第二空穴传输层2262之间，第三电子阻挡单元2203设于第一蓝色发光单元2243与第二空穴传输层2262之间。第二电子阻挡层229包括第四电子阻挡单元2291、第五电子阻挡单元2292和第六电子阻挡单元2293，第四电子阻挡单元2291设于第二红色发光单元2251与第一空穴传输层2281之间，第五电子阻挡单元2292设于第二绿色发光单元2252与第一空穴传输层2281之间，第六电子阻挡单元2293设于第二蓝色发光单元2253与第一空穴传输层2281之间。

第二电极223可以为半透明电极，当第二电极223为半透明电极时，叠层电致发光器件还可以包括覆盖层2231，覆盖层2231位于第二电极223远离第一电极221一侧，此时第二电极可以为薄的金属单质及其合金。示例性的，第二电极223可以是镁银(MgAg)合金，厚度可以是10-20nm。

第二电极223还可以为透明电极，当第二电极223为透明电极时，第二电极223的材料可以为透明金属氧化物。示例性的，金属氧化物可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂氟的SnO2(SnO2:F，简称为FTO)等。当然，第二电极223还可以为其他材料，在此不再一一列举。

优选地，第二电极223的材料可以是氧化铟锡(ITO)。第二电极223可通过真空蒸镀的方式形成，也可通过化学气相沉积、涂布、喷墨或丝网印刷等方式形成，当然，第二电极223还可以通过其他方式形成，此处仅仅是示例性说明，不做限定。

第一电极为不透明电极，第一电极221包括金属层，金属层的材料为银、铝、镁、钙、银合金、铝合金、镁合金或钙合金。当然，第一电极221材料不仅限于此，还可以是其他材料，在此不再一一列举。

优选地，金属层的材料可以是铝、银或镁银合金。第一电极221还可以包括透明金属氧化物层，第一电极221由金属层和透明金属氧化物层组合而成，具体可以是在金属层的相对的两侧设置透明金属氧化物层，例如：ITO/银/ITO，ITO/银/ITO的含义是一层ITO、一层银和一层ITO组成的三明治结构。

电荷产生层由有利于载流子生成的有机材料组成，电荷产生层可以为n型掺杂有机层/无机金属氧化物，例如，Alq3:Mg/WO3或Bphen:Li/MoO3，电荷产生层也可以为n型掺杂有机层/单层有机层，例如，Alq3:Li/HATCN。当然，电荷产生层也可以由其他材料组成，此处仅仅是示例性说明，不做限定。

需要说明的是，n型掺杂有机层/无机金属氧化物的含义是层叠设置的n型掺杂有机层和无机金属氧化物层，Alq3:Mg/WO3的含义是层叠设置的Alq3:Mg层和WO3层，Bphen:Li/MoO3含义是堆叠的Bphen:Li层和MoO3层。n型掺杂有机层/单层有机层的含义是层叠设置的n型掺杂有机层和单层有机层，Alq3:Li/HATCN的含义是层叠设置的Alq3:Li层和HATCN层。

第一电子传输层2284用于将电子从电荷产生层传输到第一发光材料层224，第二电子传输层2272用于将电子从第二电极223传输到第二发光材料层225，第一电子传输层2284和第二电子传输层2272通常具有较高的电子迁移率，例如，第一电子传输层2284和第二电子传输层2272均可以为TmPyPB或Bphen：Liq。

第一空穴传输层2281用于将空穴从第一电极221传输到第一发光材料层224，第二空穴传输层2262用于将空穴从电荷产生层传输到第二发光材料层225，第一空穴传输层2281和第二空穴传输层2262通常具有较高的空穴迁移率，例如，第一电子传输层2284和第二电子传输层2272均可以是PEDOT:PSS或HATCN/NPB。其中，HATCN/NPB的含义为层叠设置的HATCN层和NPB层。

该叠层电致发光器件的第一发光材料层224和第二发光材料层225均包括空穴型主体材料、电子型主体材料和掺杂材料，其中空穴型主体材料可以为CBP，电子型主体材料可以为TPBi，掺杂材料可以为Ir(ppy)3，则第一发光材料层224和第二发光材料层225可以为CBP:TPBi:Ir(ppy)3。

第一电极可以采用喷涂加图案化的工艺制备，其余功能层采用真空蒸镀工艺制备。从图中我们可以看出，空穴注入层2261(HIL)、第一空穴传输层2281(HTL)、第二空穴传输层2262(HTL)、第一电子传输层2284(ETL)、第二电子传输层2272(ETL)、第一空穴阻挡层2285(HBL)、第二空穴阻挡层2273(HBL)、n型电荷产生层2283(NCGL)、p型电荷产生层2282(PCGL)和电子注入层2271(EIL)均为共通层。

对于现有OLED材料来说，空穴载流子传输特性更好。而空穴注入层2261和空穴传输层都是通过Open mask来蒸镀，从而会导致相邻子像素之间通过空穴注入层2261和空穴传输层连接起来，为空穴载流子横向传输创造了条件，容易造成相邻两个子像素之间相互串扰。选择电子迁移率低，空间位阻大、分子取向趋近于无序，吸电子能力强的n型电荷产生层2283材料，使得该层横向电阻增大，减少串扰。

下面结合两种不同n型电荷产生层2283进行对比，分析不同电子迁移率对横向电阻的影响。定义两种n型电荷产生层2283分别为第一n型电荷产生层和第二n型电荷产生层，第一n型电荷产生层的材料的电子迁移率在10^-3cm²/V.s，第二n型电荷产生层的材料的电子迁移率在10^-4cm²/V.s，测试两种材料的横向电阻，发现第二n型电荷产生层的横向电阻为第一n型电荷产生层的横向电阻的160％，因此电子迁移率低的n型电荷产生层的材料可以显著提升横向电阻。

用两种不同n型电荷产生层2283分别制备叠层电致发光器件，两者性能有所差异，主要体现在叠层电致发光器件的电压上。其中采用第一n型电荷产生层的叠层电致发光器件的电压较低，采用第二n型电荷产生层的叠层电致发光器件的电压较高。下面结合两种不同n型电荷产生层进行具体说明，采用红色子像素表示红色发光单元对应的叠层电致发光器件，绿色子像素表示绿色发光单元对应的叠层电致发光器件，蓝色子像素表示蓝色发光单元对应的叠层电致发光器件。

定义采用第二n型电荷产生层的红色子像素的电压为U_R2，采用第一n型电荷产生层的绿色子像素的电压为U_R1；采用第二n型电荷产生层的绿色子像素的电压为U_G2，采用第一n型电荷产生层的的绿色子像素的电压为U_G1，采用第二n型电荷产生层的蓝色子像素的电压为U_B2，采用第一n型电荷产生层的的绿色子像素的电压为U_B1，U_R2为U_R1的110％，U_G2为U_G1的106％，U_B2为U_B1的105％。需要说明的是，U_R1、U_G1和U_B1为100％不代表是同样的数值，例如U_R1可以为7.2V，U_G1可以为7.5V，U_B1可以为7.8V。

为了调整更换高横向电阻的第二n型电荷产生层的材料带来的高电压问题，可以通过调整与n型电荷产生层2283的一侧相邻的第一电子传输层2284的性能来改善。可以选择电子迁移率高，且与n型电荷产生层2283的LUMO能级差小的第一电子传输层2284材料。具体地，第一电子传输层2284的电子迁移率在10^-5cm²/V.s-10^-6cm²/V.s，第一电子传输层2284与n型电荷产生层2283的能级差为0.2ev-0.3ev，可以有效改善各个子像素电压升高的问题，且各子像素的其他性能变化不大。

也可以通过调整与n型电荷产生层2283的另一侧相邻的p型电荷产生层2282的性能，来改善叠层电致发光器件的电压升高问题，具体可以通过控制p型电荷产生层2282中P型掺杂材料的比例来实现。通常来说，随着p型电荷产生层2282中P型掺杂材料的比例的增加，叠层电致发光器件的电压会下降，但随着p型电荷产生层2282中P型掺杂材料的比例增加，叠层电致发光器件的横向电阻会降低。为了保证在降低电压的同时不减小横向电阻，控制p型电荷产生层2282中P型掺杂材料的比例为5％～7％。

通过定义分子取向，选择横向电阻值大的n型电荷产生层2283的材料。如图2-图4所示，图2中各分子取向规律为μZ＜μxy，图3中各分子取向规律为μZ＝μxy，图4中各分子取向规律为μZ＞μxy，通过椭偏仪测试不同n型电荷产生层2283材料的分子取向与横向电阻的对应关系，采用R1表示图2中取向规律的材料的横向电阻，R2表示图3中取向规律的材料的横向电阻，采用R3表示图4中取向规律的材料的横向电阻，R1＜R2＜R3。当μZ≥μxy时，即分子取向为图3和图4中的排布规律时，n型电荷产生层2283材料的横向电阻较大。因此，可以将所述n型电荷产生层2283的材料的各分子取向按照μz≥μxy的规律设置，其中μxy为xy平面内的电子迁移率，μz为沿z方向的电子迁移率，z方向垂直于xy平面。

选择吸电子能力强的n型电荷产生层2283的材料，使得原来在空入注入层或者第二空穴传输层2262横向传输的载流子被束缚在n型电荷产生层2283中，而n型电荷产生层2283我们选择横向电阻较大的材料，减少叠层电致发光器件的串扰。具体地，为了增强n型电荷产生层2283的吸电子能力，可以加入包括三嗪、咔唑、吡啶、嘧啶等苯环上带杂原子(N、S、P)的基团，提高n型电荷产生层2283的吸电子能力。

所述n型电荷产生层2283的材料的分子式为：

其中，所述R为三嗪、咔唑、吡啶和嘧啶中的一种或多种。

本公开实施方式还提供一种显示面板。如图5所示，该显示面板包括阵列基板1和像素层2，阵列基板1包括衬底基板11，衬底基板11的一侧设有缓冲层12，缓冲层12远离衬底基板11的一侧设有驱动电路层，像素层2设于驱动电路层远离衬底基板11的一侧。

在本公开的一种实施方式中，衬底基板11可以为无机材料的衬底基板，也可以为有机材料的衬底基板。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板11的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。

在本公开的另一种实施方式中，衬底基板11的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。

在本公开的另一种实施方式中，衬底基板11也可以为柔性衬底基板，例如衬底基板11的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板11还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板11可以包括依次层叠设置的底膜层(BottomFilm)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。

驱动电路层13可以包括多个驱动电路区。任意一个驱动电路区可以包括晶体管和存储电容。晶体管可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管。

薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。

晶体管可以具有第一端、第二端和控制端，第一端和第二端中的一个可以为晶体管的源极区且另一个可以为晶体管的漏极区，控制端可以为晶体管的栅极。可以理解的是，晶体管的源极区和漏极区为两个相对且可以相互转换的概念；当晶体管的工作状态改变时，例如电流方向改变时，晶体管的源极区和漏极区可以互换。

在本公开中，驱动电路层13可以包括依次层叠于衬底基板11的晶体管层、层间电介质层134和源漏金属层135。其中，晶体管层中设置有晶体管的有源部和栅极，源漏金属层135与晶体管的源极和漏极电连接。可选地，晶体管层可以包括层叠于衬底基板11和层间电介质层134之间的有源层131、栅极绝缘层132、栅极层133。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。

在一些实施方式中，有源层131可以用于形成晶体管的有源部1311，半导体的有源部1311包括沟道区和位于沟道区两侧的源极区、漏极区；其中，沟道区可以保持半导体特性，源极区和漏极区的半导体材料被局部或者全部导体化。栅极层133可以用于形成扫描走线等栅极层走线，也可以用于形成晶体管的栅极，还可以用于形成存储电容的部分或者全部电极板。源漏金属层135可以用于形成源极、漏极、数据走线、电源走线等源漏金属层走线。

以顶栅型薄膜晶体管为例，薄膜晶体管可包括有源部1311、栅极绝缘层132、栅极1331、源极1351和漏极1352，其中：

有源部1311设于衬底基板11的一侧，其材料可以是多晶硅、非晶硅等，且有源部1311可包括沟道区和位于沟道区两侧的两个不同掺杂类型的源极区和漏极区。

栅极绝缘层132可覆盖有源部1311和衬底基板11，且栅极绝缘层132的材料为氧化硅等绝缘材料。

栅极1331设于栅极绝缘层132远离衬底基板11的一侧，且与有源部1311正对，即栅极1331在衬底基板11上的投影位于有源部1311在衬底基板11的投影范围内，例如，栅极1331在衬底基板11上的投影与有源部1311的沟道区在衬底基板11的投影重合。

薄膜晶体管还包括层间介质层134，层间介质层134设于栅极1331远离衬底基板11的一侧，层间介质层134覆盖栅极1331和栅极绝缘层132，层间介质层134为绝缘材料。

源极1351和漏极1352设于层间介质层134远离衬底基板11的表面，源极1351和漏极1352与有源部1311连接，例如，源极1351和漏极1352分别通过过孔与对应的有源部1311的源极区和漏极区连接。

在源极1351和漏极1352远离衬底基板11的一侧设保护层136，保护层136覆盖源极1351和漏极1352。源极1351和漏极1352远离衬底基板11的一侧设平坦化层137，平坦化层137设于保护层136远离衬底基板112的一侧，平坦化层137覆盖保护层136，且平坦化层137远离衬底基板11的表面为平面。

像素层2包括像素定义层21和多个叠层电致发光器件22，像素定义层21设于衬底基板11的一侧，像素定义层21上设有多个像素开口2311，多个叠层电致发光器件22分别设于像素开口2311内，且位于发光区100。通过驱动电路层13控制不同的叠层电致发光器件22发光，使得像素层2实现图像显示的功能。

具体是，源极1351可以与叠层电致发光器件22的第一电极221连接，可通过向第一电极221施加信号驱动叠层电致发光器件22发光，具体发光原理在此不再详述。至少部分叠层电致发光器件可以采用上面任一项的叠层电致发光器件，其结构和材料已经进行详细说明，因此不再进行赘述。

通常在实现图像显示时，叠层电致发光器件22需要组成多个像素，每个像素通常可以包括三个不同颜色的叠层电致发光器件22，叠层电致发光器件22根据发光颜色的不同，可以分为红色叠层电致发光器件、绿色叠层电致发光器件和蓝色叠层电致发光器件。

像素层2远离衬底基板131的一侧设有封装层组3，从而将像素层2包覆起来，防止水氧侵蚀。封装层组3可为单层或多层结构，封装层组3的材料可包括有机或无机材料，在此不做特殊限定。

在本实施例中，封装层组3可以包括第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33，第一无机封装层31设于像素层2远离衬底基板131的一侧，有机封装层32设于第一无机封装层31远离衬底基板131的一侧，第二无机封装层33设于有机封装层32远离衬底基板131的一侧。

可以在封装层组3远离驱动背板22的一侧设置将彩膜基板4，彩膜基板4包括封装基板43，封装基板43的一侧设有黑矩阵41，黑矩阵41上界定出开口区域阵列，开口区域阵列包括沿行方向排布的多个开口区域行，每个开口区域行包括多个开口区域，每个开口区域内设有一个子滤光单元42，开口区域行中相邻两个子滤光单元42颜色不同，位于同一开口区域行的多个子滤光单元42组成多个滤光单元，通常一个滤光单元240可以包括红色子滤光单元、绿色子滤光单元和蓝色子滤光单元。

本公开实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括本公开实施方式上面任一项的显示面板。显示面板的具体结构和有益效果早上面已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

当显示面板为图5中的结构时，显示装置可以是传统电子设备，例如：手机、电脑、电视和摄录放影机，也可以是新兴的穿戴设备，例如：虚拟现实设备和增强现实设备，在此不一一进行列举。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种发光基板，包括多个叠层电致发光器件，其特征在于，所述叠层电致发光器件包括：

第一电极；

第二电极，设于所述第一电极的一侧；

发光层组，设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光层组包括至少两层发光材料层和第三共通层组，所述第三共通层设于相邻两层所述发光材料层之间，所述第三共通层组包括n型电荷产生层，所述n型电荷产生层的电子迁移率为10^-4cm²/V.s-10^-5cm²/V.s。

2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第三共通层组还包括第一电子传输层，所述第一电子传输层设于所述n型电荷产生层靠近所述第一电极的一侧，所述第一电子传输层与所述n型电荷产生层的LUMO能级差为0.2ev-0.3ev，所述第一电子传输层的电子迁移率为10^-5cm²/V.s-10^-6cm²/V.s。

3.根据权利要求1或2所述的发光基板，其特征在于，所述第三共通层组还包括p型电荷产生层，所述p型电荷产生层设于所述n型电荷产生层靠近所述第二电极的一侧，所述p型电荷产生层中P型掺杂材料的比例为5％-7％。

4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述n型电荷产生层的材料的各分子取向按照μz≥μxy的规律设置，其中μxy为xy平面内的电子迁移率，μz为沿z方向的电子迁移率，z方向垂直于xy平面。

5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述n型电荷产生层的材料的分子式为：

其中，R为三嗪、咔唑、吡啶和嘧啶中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光材料层包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元，所述红色发光单元、所述绿色发光单元和所述蓝色发光单元两两相邻设置。

7.根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，所述发光层组还包括第一空穴传输层，所述第一空穴传输层设于所述p型电荷产生层靠近所述第二电极的一侧。

8.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述发光层组还包括第一共通层组和第二共通层组，所述第一共通层组设于所述第一电极与靠近所述第一电极的发光材料层之间，所述第二共通层组设于所述第二电极与靠近所述第二电极的发光材料层之间，所述第一共通层组至少包括第二空穴传输层，所述第二共通层组至少包括第二电子传输层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

权利要求1至8任一项所述的发光基板，所述发光基板设于所述阵列基板的驱动侧。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

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