CN110364549B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备，显示设备包括：衬底，衬底包括显示区域和非显示区域；位于显示区域中的薄膜晶体管和显示元件；位于薄膜晶体管和显示元件之间的有机绝缘层；在非显示区域中布置成与显示区域的一侧对应的第一电源电压线；在非显示区域中与第一电源电压线间隔开的第二电源电压线；以及覆盖第二电源电压线的至少一部分的无机保护层。第二电源电压线包括第一区域和第二区域。第一区域具有第一导电层、第二导电层和有机绝缘层的堆叠。第二区域具有第一导电层和无机保护层的堆叠。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
于2018年3月26日提交至韩国知识产权局且名称为“显示设备”的第10-2018-0034754号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备，并且更具体地，涉及能够减小显示设备的非显示区域的面积且具有高品质的显示设备。
背景技术
显示设备可包括划分为显示区域和非显示区域的衬底。显示区域包括彼此绝缘的栅极线和数据线，栅极线和数据线交叉以在显示区域中限定多个像素区域。此外，像素区域中的每个包括薄膜晶体管和电连接至薄膜晶体管的像素电极。另外，显示区域包括共同设置在像素区域中的相对电极。非显示区域可包括用于向显示区域传输电信号的多种布线，例如，栅极驱动器、数据驱动器、控制器等。存在增加提供图像的显示区域的比率并减少不显示图像的非显示区域的多种设计。
发明内容
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底，衬底包括显示图像的显示区域和位于显示区域外部的非显示区域；位于显示区域中的薄膜晶体管和电连接至薄膜晶体管的显示元件；有机绝缘层，在显示区域中位于薄膜晶体管和显示元件之间并且延伸至非显示区域的一部分；在非显示区域中布置成与显示区域的一侧对应的第一电源电压线；在非显示区域中与第一电源电压线间隔开的第二电源电压线；以及覆盖第二电源电压线的至少一部分的无机保护层。第二电源电压线包括第一区域和第二区域。第一区域具有第一导电层、第二导电层和有机绝缘层的堆叠。第二区域具有第一导电层和无机保护层的堆叠。
显示设备还可包括数据线和驱动电压线，其中，数据线和驱动电压线布置在显示区域中、电连接至薄膜晶体管并且设置在不同的层中，其中，显示元件可包括像素电极、面对像素电极的相对电极、位于像素电极和相对电极之间的中间层。第一导电层可包括与数据线相同的材料，第二导电层可包括与驱动电压线相同的材料，且有机绝缘层可位于驱动电压线和像素电极之间。
显示设备还可包括在显示区域中覆盖像素电极的边缘的像素限定层，其中，像素限定层可在非显示区域中与第一区域重叠。
第一电源电压线可包括第三区域和第四区域，其中，第三区域可通过有机绝缘层覆盖，且第四区域可通过无机保护层覆盖。
第一区域的一个侧面可与第三区域的一个侧面的延长线基本一致。
第一电源电压线可包括具有第一宽度的端部分和具有大于第一宽度的第二宽度的中央部分，且第二电源电压线可弯曲成围绕第一电源电压线的端部分。
显示设备还可包括与衬底的一个边缘对应的焊盘部分，且第二电源电压线的第一区域布置在显示区域和焊盘部分之间。
第二导电层可覆盖第一导电层的至少一端的侧表面。
显示设备还可包括：位于显示区域中的薄膜封装层；位于非显示区域中并且围绕显示区域的至少一部分的坝部分，且坝部分的至少一部分可位于第二电源电压线上。
坝部分可与有机绝缘层间隔开。
无机保护层可位于第二电源电压线和坝部分之间。
坝部分可包括彼此间隔开的第一坝和第二坝，且第一坝可覆盖第二电源电压线的边缘，且第二坝可比第一坝靠近显示区域。
第一坝和第二坝中的至少之一可包括多个层。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底，衬底包括显示图像的显示区域和位于显示区域外部的非显示区域；位于显示区域中的薄膜晶体管和电连接至薄膜晶体管的显示元件；有机绝缘层，在显示区域中位于薄膜晶体管和显示元件之间并且延伸至非显示区域的一部分；在非显示区域中位于衬底的一侧上的焊盘部分；位于显示区域和焊盘部分之间的电源电压线；以及覆盖电源电压线的至少一部分的无机保护层，其中，电源电压线包括第一区域和第二区域，其中，第一区域具有第一导电层、第二导电层和有机绝缘层的堆叠，以及第二区域具有第一导电层和无机保护层的堆叠。
显示设备还可包括数据线和驱动电压线，其中，数据线和驱动电压线电连接至薄膜晶体管并且设置在不同的层中，且第一导电层可包括与数据线相同的材料，且第二导电层可包括与驱动电压线相同的材料，有机绝缘层可位于驱动电压线上，且通孔层可位于数据线和驱动电压线之间。
显示设备还可包括像素电极、面对像素电极的相对电极和位于像素电极与相对电极之间的中间层以及在显示区域中覆盖像素电极的边缘的像素限定层，其中，像素限定层可在非显示区域中与第一区域重叠。
显示设备还可包括：位于显示区域中的薄膜封装层；以及坝部分，坝部分布置在非显示区域中并且围绕显示区域的至少一部分，且坝部分的至少一部分可位于电源电压线上。
薄膜封装层可包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，有机封装层可位于坝部分内侧，且第一无机封装层和第二无机封装层可在坝部分的外侧彼此接触。
坝部分可与有机绝缘层间隔开。
无机保护层可布置在坝部分和电源电压线之间。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，其中：
图1示出了根据实施方式的显示设备的平面图；
图2A和图2B示出了根据实施方式的显示设备中的任一像素的等效电路图；
图3示出了根据实施方式的显示设备中的一个像素的剖视图，所述剖视图与图1的线III-III'对应；
图4示出了图1的部分A的放大平面图；
图5示出了沿着图1的线III-III'和图4的线IV-IV'截取的剖视图；
图6示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图7示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图8示出了图7的部分B的放大平面图；以及
图9示出了沿着图7的线III-III'和图8的线V-V'截取的剖视图。
具体实施方式
因为本公开可具有多种变型的实施方式，所以优选的实施方式在附图中示出并在具体实施方式中描述。实施方式的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下实施方式阐明。在这方面，本公开的实施方式可具有不同的形式，且不应解释为局限于本文阐述的描述。
现在将详细地参考实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中，在全文中相似的附图标记指代相似的元件，并且将省略其重复的描述。
应理解，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
除非以单数形式使用的表达在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表达涵盖复数表达。还应理解，本文所用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指出所阐述的特征或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或组件的存在或添加。为了便于说明，可能放大了附图中组件的尺寸。换言之，因为为了便于说明，附图中组件的尺寸和厚度被随意地示出，所以以下实施方式不限于此。
应理解，当层、区域或组件连接至另一部分时，层、区域或组件可直接连接至该部分，或者可存在介于中间的层、区域或组件。例如，当层、区域或组件电连接至另一部分时，层、区域或组件可直接电连接至该部分或可通过另一层、另一区域或另一组件间接地连接至该部分。
显示设备可用于显示图像、文本等，并可分为液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机光发射显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。在下文中，有机发光显示器将被描述为根据实施方式的显示设备，但是根据实施方式的显示设备不限于此，且可使用各种显示设备。
图1是根据实施方式的显示设备的平面图。参照图1，显示设备包括位于衬底100上的显示器1。显示器1包括连接至在第一方向上延伸的数据线DL和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的扫描线SL的像素P。每个像素P还连接至在第一方向上延伸的驱动电压线PL。
每个像素P例如发射红光、绿光、蓝光或白光，且可包括例如有机发光设备。例如，每个像素P还可包括如薄膜晶体管(TFT)、电容器等的元件。显示器1根据从像素P发射的光提供预定图像，并限定显示区域DA。如上所述，本说明书中的像素P表示发射红光、绿光、蓝光或白光的子像素，但是可使用用于产生白光的其它颜色代码。
非显示区域NDA在显示区域DA外部。例如，非显示区域NDA可围绕(例如，完全围绕)显示区域DA。非显示区域NDA是未布置像素P的区域，且不显示图像。非显示区域NDA可包括第一电源电压线10和第二电源电压线20，其中，不同的电源电压施加至第一电源电压线10和第二电源电压线20。
第一电源电压线10可包括位于显示区域DA的第一侧上的第一主电压线11和第一连接线12。例如，当显示区域DA是矩形时，第一主电压线11可布置成与显示区域DA的任一侧对应。第一主电压线11可具有端部分和中央部分，其中，端部分在第一方向上具有第一宽度W1，中央部分在第一方向上具有大于第一宽度W1的第二宽度W2。这里，第一方向可理解为从显示区域DA到焊盘部分30的方向。第一主电压线11的端部分可在相反的第二方向上从中央部分延伸，而第一主电压线11的中央部分比其端部分靠近焊盘部分30。
第一连接线12在第一方向上从第一主电压线11延伸。第一连接线12可连接至焊盘部分30的第一焊盘32。第一连接线12在与第一方向交叉的第二方向上可具有比第一主电压线11的中央部分窄的宽度，且可做成多个。
第二电源电压线20可包括第二主电压线21和第二连接线22，其中，第二主电压线21部分地围绕第一主电压线11的两个端部分和显示区域DA，第二连接线22在第一方向上从第二主电压线21延伸。例如，当显示区域DA是矩形时，第二主电压线21可沿着第一主电压线11的两个端部分和显示区域DA的除了邻近于第一主电压线11的第一侧外的剩余侧延伸。第二连接线22在与第一连接线12平行的第一方向上延伸，并连接至焊盘部分30，例如，第二焊盘33。第二电源电压线20可弯曲以围绕第一电源电压线10的端部。
第一电源电压线10的两个端部分具有的第一宽度W1小于第一电源电压线10的中央部分的第二宽度W2，使得第二电源电压线20可在围绕第一电源电压线10的两个端部分时沿着第一方向不占用过多空间。例如，第二主电压线21可在第一电源电压线10的端部分和焊盘部分30之间，并且可以以沿着第一方向的与第一电源电压线10的中央部分相距焊盘部分30的距离相同的距离与焊盘部分30间隔开。换言之，第一主电压线11和第二主电压线21的与显示区域DA相距最远的侧面可基本一致。此外，因为第一电源电压线10的中央部分具有相对大的第二宽度W2，所以第一电源电压线10的总电阻可以是小的。
焊盘部分30在衬底100的第一端处，并包括多个端子31、32和33。焊盘部分30可被暴露(例如，不由绝缘层覆盖)，并可电连接至控制器，例如，柔性印刷电路板、驱动驱动器集成电路(IC)芯片等。控制器将从外部传输的多个图像信号改变成多个图像数据信号，并通过端子31将图像数据信号传输至显示区域DA。此外，控制器可接收信号(例如，垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等)，以生成用于控制第一栅极驱动器和第二栅极驱动器的驱动的控制信号，并将控制信号传输至第一栅极驱动器和第二栅极驱动器中的每一个。控制器可通过端子32和端子33向第一电源电压线10和第二电源电压线20传输不同的电压。
第一电源电压线10可向每个像素P提供第一电源电压ELVDD，且第二电源电压线20可向每个像素P提供第二电源电压ELVSS。例如，第一电源电压ELVDD可通过连接至第一电源电压线10的驱动电压线PL提供至每个像素P。第二电源电压ELVSS可通过第二电源电压线20提供至每个像素P中的有机发光器件的阴极。另外，用于向每个像素P的扫描线SL提供扫描信号的扫描驱动器和用于向数据线DL提供数据信号的数据驱动器可布置在非显示区域NDA中。
坝部分120可位于非显示区域NDA中。坝部分120可包括例如第一坝121和第二坝123。图1示出布置有两个坝(例如，第一坝121和第二坝123)的结构。当形成薄膜封装层400的有机封装层420(图3)时，坝部分120可防止有机材料在衬底100的边缘方向上流动，从而防止形成有机封装层420的边缘尾部。非显示区域NDA中的坝部分120可布置成围绕显示区域DA的至少一部分，例如，可完全围绕显示区域DA。当提供诸如第一坝121和第二坝123的多个坝时，第一坝121和第二坝123可彼此间隔开，其中，第一坝121可围绕第二坝123的至少一部分，例如，可完全围绕第二坝123。
第一坝121和第二坝123可形成为具有比电源电压线的宽度(例如，第二电源电压线20的宽度)小的宽度。在一些实施方式中，第一坝121可与电源电压线(例如，第二电源电压线20的第二主电压线21)的边缘重叠。在另一实施方式中，第二坝123具有比电源电压线的宽度(例如，第二电源电压线20的宽度)小的宽度。在本说明书中，要理解，电源电压线表示第一电源电压线10和第二电源电压线20中的一者或两者。
图2A和图2B是根据实施方式的显示设备中的任一像素的等效电路图。
参照图2A，每个像素P包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC和连接至像素电路PC的有机发光器件OLED。
像素电路PC包括驱动TFT T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。开关TFT T2连接至扫描线SL和数据线DL，并根据扫描信号Sn向驱动TFT T1传输通过数据线DL输入的数据信号Dm。
存储电容器Cst连接至开关TFT T2和驱动电压线PL，并存储与从开关TFT T2供应的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动TFT T1连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并可控制与存储在存储电容器Cst中的电压值对应的从驱动电压线PL在有机发光器件OLED中流动的驱动电流。有机发光器件OLED可根据驱动电流发射具有预定亮度的光。
参照图2B，像素电路PC可包括驱动TFT T1和开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6以及第二初始化TFT T7。
图2B示出针对每个像素提供信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL的情况。可选地，信号线SLn、SLn-1、EL和DL和初始化电压线VL中的至少之一可被相邻的像素共用。
驱动TFT T1的漏极可经由第二发射控制TFT T6电连接至有机发光器件OLED。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号Dm并向有机发光器件OLED供应驱动电流。
开关TFT T2的栅极连接至第一扫描线SLn，且开关TFT T2的源极连接至数据线DL。开关TFT T2的漏极可连接至驱动TFT T1的源极，并且还可经由第一发射控制TFT T5连接至驱动电压线PL。开关TFT T2响应于通过第一扫描线SLn接收的第一扫描信号Sn而导通，并执行用于将传输至数据线DL的数据信号Dm向驱动TFT T1的源极传输的开关操作。
补偿TFT T3的栅极可连接至第一扫描线SLn。补偿TFT T3的源极可连接至驱动TFTT1的漏极，并且还可经由第二发射控制TFT T6连接至有机发光器件OLED的像素电极。补偿TFT T3的漏极可连接至存储电容器Cst的任一电极、第一初始化TFT T4的源极和驱动TFTT1的栅极。补偿TFT T3响应于通过第一扫描线SLn接收的第一扫描信号Sn而导通，以将驱动TFT T1的栅极和漏极彼此连接，从而二极管连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的栅极可连接至第二扫描线SLn-1(前一扫描线)。第一初始化TFT T4的漏极可连接至初始化电压线VL。第一初始化TFT T4的源极可同时连接至存储电容器Cst的任一电极、补偿TFT T3的漏极和驱动TFT T1的栅极。第一初始化TFT T4可响应于通过第二扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而导通，从而向驱动TFT T1的栅极传输初始化电压VINT，进而执行用于初始化驱动TFT T1的栅极的电压的初始化操作。
第一发射控制TFT T5的栅极可连接至发射控制线EL。第一发射控制TFT T5的源极可连接至驱动电压线PL。第一发射控制TFT T5的漏极可连接至驱动TFT T1的源极和开关TFT T2的漏极。
第二发射控制TFT T6的栅极可连接至发射控制线EL。第二发射控制TFT T6的源极可连接至驱动TFT T1的漏极和补偿TFT T3的源极。第二发射控制TFT T6的漏极可电连接至有机发光器件OLED的像素电极。第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，使得第一电源电压ELVDD传输至有机发光器件OLED，并且使得驱动电流流过有机发光器件OLED。
第二初始化TFT T7的栅极可连接至第二扫描线SLn-1。第二初始化TFT T7的源极可连接至有机发光器件OLED的像素电极。第二初始化TFT T7的漏极可连接至初始化电压线VL。第二初始化TFT T7可响应于通过第二扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而导通，从而初始化有机发光器件OLED的像素电极。
图2B描述了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接至第二扫描线SLn-1的情况，本公开不限于此。可选地，第一初始化TFT T4可连接至第二扫描线SLn-1(其为前一扫描线)，并根据第二扫描信号Sn-1来驱动。第二初始化TFT T7可连接至单独的信号线(例如，下一扫描线)并根据传输至相应的扫描线的信号来驱动。
存储电容器Cst的另一电极可连接至驱动电压线PL。存储电容器Cst的任一电极可同时连接至驱动TFT T1的栅极、补偿TFT T3的漏极和第一初始化TFT T4的源极。
在图2A和图2B两者中，有机发光器件OLED的相对电极(例如，阴极)供应有第二电源电压ELVSS(或公共电源电压)。有机发光器件OLED从驱动TFT T1接收驱动电流并且发光。虽然图2A中的像素电路PC具有两个TFT和一个存储电容器，且图2B中的像素电路PC具有七个TFT和一个存储电容器，但是TFT和存储电容器的数量可改变。
图3是根据实施方式的显示设备中的一个像素的剖视图，该剖视图与图1的线III-III'对应。图3示出了参照图2A和图2B描述的每个像素P的像素电路PC中的驱动TFT T1和开关TFT T2以及存储电容器Cst。为了便于说明，将按照沿着堆叠方向的堆叠顺序来描述图3。
参照图3，缓冲层101位于衬底100上，且驱动TFT T1和开关TFT T2以及存储电容器Cst位于缓冲层101上。
衬底100可包括各种材料，例如，玻璃材料或塑料材料，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等。当衬底100包括塑料材料时，其柔性相比于使用玻璃材料可进一步提高。缓冲层101(例如，硅的氧化物(SiOx)和/或硅的氮化物(SiNx)等)可防止来自衬底100中的杂质的渗透。
驱动TFT T1包括驱动半导体层A1和驱动栅极G1。开关TFT T2包括开关半导体层A2和开关栅极G2。第一栅绝缘层103位于驱动半导体层A1和驱动栅极G1之间，并且位于开关半导体层A2和开关栅极G2之间。第一栅绝缘层103可包括无机绝缘材料，例如，SiOx、SiNx、硅的氮氧化物(SiON)等。
驱动半导体层A1和开关半导体层A2可包括多晶硅。驱动半导体层A1包括沿着堆叠方向与驱动栅极G1重叠且不掺杂有杂质的驱动沟道区以及分别位于驱动沟道区的相对侧(例如，相反的第二方向)上的掺杂有杂质的驱动源区和驱动漏区。驱动源极S1和驱动漏极D1可分别连接至驱动源区和驱动漏区。
开关半导体层A2可包括沿着堆叠方向与开关栅极G2重叠并且不掺杂有杂质的开关沟道区以及分别位于开关沟道区的相对侧(例如，相反的第二方向)上的掺杂有杂质的开关源区和开关漏区。开关源极S2和开关漏极D2可分别连接至开关源区和开关漏区。
驱动栅极G1和开关栅极G2中的每一个可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并可形成为单层或多层。例如，驱动栅极G1和开关栅极G2中的每一个可以是单层的Mo。
在某些实施方式中，存储电容器Cst可沿着堆叠方向与驱动TFT T1重叠。在这种情况中，存储电容器Cst和驱动TFT T1的面积可增大并且可提供高品质图像。例如，驱动栅极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1。第二存储电容器板CE2可沿着堆叠方向与第一存储电容器板CE1重叠，且第二栅绝缘层105位于第二存储电容器板CE2和第一存储电容器板CE1之间。第二栅绝缘层105可包括诸如SiOx、SiNx、SiON的无机绝缘材料。
驱动TFT T1和开关TFT T2以及存储电容器Cst可通过层间绝缘层107覆盖。层间绝缘层107可以是无机层，例如，SiON、SiOx、SiNx等。数据线DL位于层间绝缘层107上，并通过层间绝缘层107中的接触孔连接至开关TFT T2的开关半导体层A2。数据线DL可充当开关源极S2。驱动源极S1、驱动漏极D1、开关源极S2和开关漏极D2可位于层间绝缘层107上，并可通过层间绝缘层107中的接触孔连接至驱动半导体层A1或开关半导体层A2。
数据线DL、驱动源极S1、驱动漏极D1、开关源极S2和开关漏极D2可通过无机保护层PVX覆盖。无机保护层PVX可以是单层或多层的SiNx和SiOx。无机保护层PVX可覆盖并保护在非显示区域NDA中暴露的一些布线。在与数据线DL相同的操作中形成的布线可能在衬底100的一部分(例如，非显示区域NDA的一部分)中暴露。布线暴露的部分可能被用于图案化像素电极310的蚀刻剂损坏。因为无机保护层PVX覆盖数据线DL和与数据线DL一起形成的布线的至少一部分，所以可防止布线在像素电极310的图案化过程中损坏。
驱动电压线PL可位于与数据线DL不同的层上。本文中，“A和B布置在不同的层中”是指：至少一个绝缘层位于A和B之间，使得A和B中的一个位于至少一个绝缘层下方且另一个位于至少一个绝缘层上。无机保护层PVX和通孔层109可位于驱动电压线PL和数据线DL之间，例如，驱动电压线PL可位于通孔层109上，且其上具有驱动电压线PL的通孔层109可通过有机绝缘层111覆盖。
驱动电压线PL可以是包括例如Al、Cu、Ti、它们的合金等中的至少之一的单层或多层。在实施方式中，驱动电压线PL可以是Ti/Al/Ti的三层结构。图3示出了驱动电压线PL仅位于通孔层109上的配置。可选地，驱动电压线PL可通过形成在通孔层109中的通孔连接至形成在与数据线DL相同的层中的下附加电压线以减小电阻。
通孔层109和有机绝缘层111是平坦化绝缘层，并可包括有机材料。有机材料可包括普通的聚合物，例如，聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物或它们的混合物。通孔层109可包括有机材料，且其具体材料如上所述。可选地，通孔层109可包括无机材料，诸如SiON、SiOx和/或SiNx。
显示元件300可定位在有机绝缘层111上。显示元件300可包括像素电极310、相对电极330以及位于像素电极310和相对电极330之间的包括发射层的中间层320。
像素限定层113可位于像素电极310上。像素限定层113通过具有暴露像素电极310的开口来限定像素P。此外，像素限定层113可增加像素电极310边缘和相对电极330之间的距离，从而防止在像素电极310的边缘和相对电极330之间产生弧光等。像素限定层113可包括有机材料，例如，聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)等。
中间层320可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可通过堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)而具有单层或多层结构。中间层320可包括各种有机材料，诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(1萘基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可通过蒸发法形成层。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可具有包括HTL和EML的结构。HTL可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(聚(乙烯二氧噻吩))，且EML可包括聚合物材料，诸如聚亚苯基乙烯撑(PPV)和聚芴。可选地，中间层320可包括位于所有的多个像素电极310上方的一体层或可具有图案化成与像素电极310中的每一个对应的层。
相对电极330可在显示区域DA上方形成为覆盖显示区域DA。相对电极330可一体地形成在多个有机发光器件OLED上方，从而与多个像素电极310对应。
因为有机发光器件OLED容易被来自外部的水分或氧气损坏，所以薄膜封装层400可覆盖并保护有机发光器件OLED。薄膜封装层400可覆盖显示区域DA并延伸至显示区域DA的外部。薄膜封装层400可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410覆盖相对电极330并可包括SiOx、SiNx、和/或SiON。其它层(例如，封盖层等)可位于第一无机封装层410和相对电极330之间。第一无机封装层410的形状可与位于其下方的结构的形状共形，且因此，其上表面是不平坦的。有机封装层420覆盖第一无机封装层410。然而，与第一无机封装层410不同，有机封装层420的上表面可形成为大体平坦的。更具体地，有机封装层420的与显示区域DA对应的上表面可以是近似平坦的。有机封装层420可包括例如PET、PEN、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚甲醛(POM)、聚丙烯酸酯(PAR)、HMDSO等中的至少之一。第二无机封装层430覆盖有机封装层420并可包括SiOx、SiNx和/或SiON等。
即使通过上述多层结构在薄膜封装层400中产生破裂，破裂可不在第一无机封装层410和有机封装层420之间延伸，或可不在有机封装层420和第二无机封装层430之间延伸。因此，可防止或最小化外部的水分或氧气到显示区域DA中的渗透路径的形成。偏振片可利用透明粘合剂附接至薄膜封装层400。偏振片可减少外部光反射。可选地，可使用包括黑色矩阵和滤色器的层。
图4是图1的部分A的放大平面图，部分A与位于显示区域DA和焊盘部分30之间的部分对应。图5是如图3的剖视图那样沿着图4的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图4和图5，第二电源电压线20包括第一区域1A和第二区域2A，并且第一电源电压线10包括第三区域3A和第四区域4A。第一区域1A和第三区域3A中的每一个可具有第一导电层和第二导电层沿着堆叠方向堆叠的结构，且第二区域2A和第四区域4A中的每一个可具有包括第一导电层的结构。第一区域1A和第三区域3A中的每一个可以是由从显示区域DA延伸的有机绝缘层111覆盖的区域，且第二区域2A和第四区域4A中的每一个可以是由无机保护层PVX覆盖的区域。
此外，第一区域1A和第三区域3A的沿着朝向焊盘部分30的第一方向与显示区域DA相距最远的侧面可基本一致。另外，第二区域2A和第四区域4A的沿着朝向焊盘部分30的第一方向与显示区域DA相距最远的侧面可基本一致。
例如，第二电源电压线20的第一区域1A可包括第一导电层20a、第二导电层20b和有机绝缘层111堆叠的结构，且第二区域2A可包括第一导电层20a和无机保护层PVX堆叠的结构。
第一电源电压线10的第三区域3A可包括第一导电层10a、第二导电层10b和有机绝缘层111堆叠的结构，且第四区域4A可包括第一导电层10a和无机保护层PVX堆叠的结构。第四区域4A可具有看似第二区域2A的截面的截面，但是包括从第三区域3A延伸的第一导电层10a。
第一导电层10a和20a可包括与数据线DL或驱动TFT T1的源极S1和漏极D1以及开关TFT T2的源极S2和漏极D2相同的材料。第二导电层10b和20b可包括与驱动电压线PL相同的材料。在一些其它实施方式中，第一导电层10a和20a以及第二导电层10b和20b可包括相同的材料。例如，第一导电层10a和20a以及第二导电层10b和20b可形成为Ti/Al/Ti的结构。在第一区域1A和第三区域3A中，第二导电层10b和20b可直接接触第一导电层10a和20a。
当减小第一电源电压线10和第二电源电压线20的宽度以减少非显示区域NDA时，第一电源电压线10和第二电源电压线20的电阻值可增加。在本实施方式中，引入第一导电层和第二导电层堆叠(例如，直接接触)的第一区域1A和/或第三区域3A以最小化电源电压线的电阻值。
另一方面，在本实施方式中，因为第一电源电压线10和第二电源电压线20可能被在图案化像素电极310时使用的蚀刻剂损坏，所以使得第一电源电压线10和第二电源电压线20在形成像素电极310前用绝缘层覆盖并受到保护。
换言之，第一电源电压线10的第三区域3A和第二电源电压线20的第一区域1A由从显示区域DA延伸的有机绝缘层111覆盖，且第一电源电压线10的第四区域4A和第二电源电压线20的第二区域2A通过无机保护层PVX覆盖。
因为有机绝缘层111可包括有机材料，所以如果有机绝缘层111延伸至第二区域2A和第四区域4A且连接至包括有机材料的坝部分120，有机绝缘层111可易受外部空气或水分的渗透。在本实施方式中，因为有机绝缘层111和坝部分120彼此间隔开，且无机保护层PVX位于有机绝缘层111和坝部分120之间，所以可减少或防止外部空气或水分渗透到显示区域DA中。
另一方面，从显示区域DA延伸的像素限定层113可位于第一区域1A和第三区域3A上方。第一区域1A和第三区域3A可由有机绝缘层111和像素限定层113覆盖。具体地，有机绝缘层111可沿着堆叠方向与第一区域1A和第三区域3A两者完全重叠，而像素限定层113可与第三区域3A完全重叠并且与第一区域1A部分地重叠。
坝部分120可包括第一坝121和第二坝123。坝部分120与有机绝缘层111和像素限定层113间隔开。当形成薄膜封装层400的有机封装层420时，可防止有机材料流动至衬底100的边缘。当提供多个坝部分120时，多个坝可布置成彼此分开。例如，第一坝121和第二坝123可布置成彼此分开。
第一坝121和第二坝123可具有单层或多层结构。如图所示，第一坝121可具有第一层121a和第二层121b堆叠的结构，第二坝123可具有第一层123a和第二层123b堆叠的结构。在这种情况中，第一层121a和123a可由与有机绝缘层111相同的材料形成，且同时第二层121b和123b可由与像素限定层113相同的材料形成。可选地，第一坝121和/或第二坝123可具有单层或多层结构且可进行各种修改。
因为使得薄膜封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430在第一坝121的外侧处直接接触，所以有机封装层420可不暴露于外部。换言之，虽然有机封装层420可在第一坝121和第二坝123之间延伸，但是第一坝121的暴露于外部的表面(例如，第一坝121的上表面和外侧壁)可设置有在其上彼此直接接触的第一无机封装层410和第二无机封装层430。因此，可减小或防止外部空气或水分通过有机材料的渗透。
图6是根据另一实施方式的显示设备的一部分的剖视图。在图6中，与图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且本文将不予其重复描述。
参照图6，第一电源电压线10的第三区域3A包括第一导电层10a和第二导电层10b堆叠的结构，且第二电源电压线20的第一区域1A包括第一导电层20a和第二导电层20b堆叠的结构。在本实施方式中，第二导电层10b和20b可覆盖第一导电层10a和20a的至少一端的侧表面。第二导电层10b和20b的延伸超出第一导电层10a和20a的端部的一端可直接接触位于第一导电层10a和20a下方的层(例如，层间绝缘层107)。
当第二导电层10b和20b覆盖第一导电层10a和20a的端部时，第二导电层10b和20b与第一导电层10a和20a的接触面积增大，从而减小电源电压线的电阻。因此，当图案化第二导电层10b和20b时，可防止第一导电层10a和20a损坏。例如，当第二导电层10b和20b被图案化成仅定位在第一导电层10a和20a的上表面上时，第一导电层10a和20a可被用于蚀刻(例如，干蚀刻)第二导电层10b和20b的气体损坏。然而，当第二导电层10b和20b覆盖第一导电层10a和20a的端部时，可避免这个问题。
第二电源电压线20的第一区域1A可由从显示区域DA延伸的有机绝缘层111和像素限定层113覆盖，且第二区域2A可由无机保护层PVX覆盖。因为有机绝缘层111和坝部分120彼此间隔开，且无机保护层PVX的一部分位于有机绝缘层111和坝部分120之间，所以可防止外部空气通过有机材料的渗透。
坝部分120可包括第一坝121’和第二坝123’。在本实施方式中，与衬底100的边缘相邻的第一坝121’的高度可大于与显示区域DA相邻的第二坝123’的高度。
在某些实施方式中，第一坝121’可包括第一层121a’、第二层121b’和第三层121c’，且第二坝123’可包括第一层123a’和第二层123b’。在这种情况中，第一层121a’和123a’可包括与通孔层109相同的材料，第二层121b’和123b’可包括与有机绝缘层111相同的材料，且第三层121c’可包括与像素限定层113相同的材料。可选地，第一坝121可具有两层结构，第二坝123可具有单层结构，且可进行各种修改。
图7是根据另一实施方式的显示设备的平面图，图8是图7的部分B的放大平面图，且图9是沿着图7的线III-III'和图8的线V-V'截取的剖视图。在图7至图9中，与图1至图5中相同的附图标记表示相同的元件，并且本文将不予其重复描述。
参照图7至图9，第一电源电压线10和第二电源电压线20位于显示设备的非显示区域NDA中且彼此间隔开。第一电源电压线10可传输第一电源电压ELVDD或驱动电压，且第二电源电压线20可传输第二电源电压ELVSS或公共电压。
第一电源电压线10可包括布置为与显示区域DA的一侧对应的第一主电压线11和第一连接线12。第一主电压线11可具有在第一方向上具有第一宽度W1的端部分和在第一方向上具有第二宽度W2的中央部分，第二宽度W2大于第一宽度W1。第一连接线12可在第一方向上从第一主电压线11延伸且可连接至焊盘部分30的第一焊盘32。
第二电源电压线20可包括部分地围绕第一主电压线11的两个端部分和显示区域DA的第二主电压线21以及在第一方向上从第二主电压线21延伸的第二连接线22。第二连接线22在与第一连接线12平行的第一方向上延伸且连接至焊盘部分30，例如，第二焊盘33。
第一电源电压线10的两个端部分具有的第一宽度W1小于第一电源电压线10的中央部分的第二宽度W2，使得第二电源电压线20在围绕第一电源电压线10的两个端部分时可不占用过多空间。此外，因为第一电源电压线10的中央部分具有相对大的第二宽度W2，所以第一电源电压线10的总电阻可以是小的。
在本实施方式中，坝部分120可仅包括覆盖第二电源电压线20的第一坝121。第一坝121布置为与有机绝缘层111和像素限定层113分开。当形成薄膜封装层400的有机封装层420时，可防止有机材料流动至衬底100的边缘。第一坝121可形成为覆盖第二电源电压线20的外边缘。
如图8中所示，当坝部分120仅包括第一坝121时，第二电源电压线20的第一区域1A可在第一方向(焊盘部分30的方向)和第二方向上延伸，从而可进一步减小第二电源电压线20的电阻。
在某些实施方式中，第一区域1A的与焊盘部分30最近的侧面沿着第一方向可以比第三区域3A的与焊盘部分30最近的侧面靠近焊盘部分30。换言之，沿着朝向焊盘部分30的第一方向，第一区域1A的与显示区域DA相距最远的侧面可以比第三区域3A的与显示区域DA相距最远的侧面离显示区域DA远。可选地，第一电源电压线10的第三区域3A可在第一方向上扩大，且可进行各种修改。
第二电源电压线20可包括第一区域1A和第二区域2A。第一区域1A可具有第一导电层20a、第二导电层20b和有机绝缘层111的堆叠，且第二区域2A可具有第一导电层20a和无机保护层PVX的堆叠。
第一电源电压线10可包括第三区域3A和第四区域4A。第三区域3A可具有第一导电层10a、第二导电层10b和有机绝缘层111的堆叠，且第四区域4A可具有第一导电层10a和无机保护层PVX的堆叠。
因为第一区域1A和第三区域3A具有第一导电层10a和20a与第二导电层10b和20b的多层结构，所以可减小第一电源电压线10和第二电源电压线20的电阻。
有机绝缘层111位于驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2与显示区域DA中的显示元件300之间，并且延伸至非显示区域NDA。有机绝缘层111可布置在第一区域1A和第三区域3A中以保护第一电源电压线10和第二电源电压线20的一部分。
第一电源电压线10和第二电源电压线20的剩余部分(例如，第二区域2A和第四区域4A)可由无机保护层PVX保护。因此，第一电源电压线10和第二电源电压线20可不被用于图案化像素电极310的蚀刻剂损坏。
另一方面，因为有机绝缘层111和第一坝121彼此间隔开，并且有机绝缘层111和第一坝121之间的第一电源电压线10和第二电源电压线20通过由无机材料形成的无机保护层PVX保护，所以可防止外部空气通过有机材料的渗透。
本公开的实施方式可实现通过使电压降和损坏最小的电源电压线来提供高品质图像同时减小非显示区域的显示设备。
本文中已经公开示例性实施方式，并且虽然采用了特定的术语，但是它们仅以一般性和描述性的含义使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些例示中，如将对本申请提交时的本领域普通技术人员显而易见的，除非另外具体地指出，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者可与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将由本领域技术人员理解的是，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.显示设备包括：
衬底，包括显示图像的显示区域和位于所述显示区域外部的非显示区域；
薄膜晶体管，位于所述显示区域中；
显示元件，电连接至所述薄膜晶体管；
有机绝缘层，在所述显示区域中位于所述薄膜晶体管和所述显示元件之间并且延伸至所述非显示区域的一部分；
第一电源电压线，在所述非显示区域中布置在所述显示区域的一侧上；
第二电源电压线，在所述非显示区域中与所述第一电源电压线间隔开；以及
无机保护层，覆盖所述第二电源电压线的至少一部分，
其中，所述第二电源电压线包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域具有第一导电层、第二导电层和所述有机绝缘层的堆叠，以及所述第二区域具有所述第一导电层和所述无机保护层的堆叠。
2.如权利要求1所述的显示设备，还包括数据线和驱动电压线，所述数据线和所述驱动电压线布置在所述显示区域中、电连接至所述薄膜晶体管且设置在不同的层中，其中，
所述显示元件包括像素电极、面对所述像素电极的相对电极以及位于所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，
所述第一导电层包括与所述数据线相同的材料，
所述第二导电层包括与所述驱动电压线相同的材料，以及
所述有机绝缘层位于所述驱动电压线和所述像素电极之间。
3.如权利要求2所述的显示设备，还包括像素限定层，所述像素限定层在所述显示区域中覆盖所述像素电极的边缘，
其中，所述像素限定层在所述非显示区域中与所述第一区域重叠。
4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电源电压线包括第三区域和第四区域，其中，所述第三区域通过所述有机绝缘层覆盖，以及所述第四区域通过所述无机保护层覆盖。
5.如权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一区域的与所述显示区域相距最远的侧面与所述第三区域的与所述显示区域相距最远的侧面一致。
6.如权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一电源电压线包括具有第一宽度的端部分和具有大于所述第一宽度的第二宽度的中央部分，以及
所述第二电源电压线弯曲成围绕所述第一电源电压线的所述端部分。
7.如权利要求1所述的显示设备，还包括与所述衬底的一个边缘对应的焊盘部分，
其中，所述第二电源电压线的所述第一区域位于所述显示区域和所述焊盘部分之间。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中，在所述第一区域中，所述第二导电层覆盖所述第一导电层的至少一端的侧表面。
9.如权利要求1所述的显示设备，还包括：
薄膜封装层，位于所述显示区域中；以及
坝部分，位于所述非显示区域中并且围绕所述显示区域的至少一部分，其中，所述坝部分的至少一部分位于所述第二电源电压线上。
10.如权利要求9所述的显示设备，其中，所述坝部分与所述有机绝缘层间隔开。
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