KR20210086040A - 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 - Google Patents

유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 Download PDF

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KR20210086040A
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Abstract

본 명세서의 실시예들은, 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막을 포함하고, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작게 이루어짐으로써, 넌 액티브 영역에서 봉지부재의 봉지 성능을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.

Description

유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING PANNEL AND INCLUDING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}
본 명세서의 실시예들은 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 신뢰성 있는 봉지층 구조를 갖는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.
유기발광 표시장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
유기발광 표시장치는 발광층으로서 유기물을 사용하기 때문에 산소, 수분 등에 매우 취약하다. 따라서, 외부로부터 발광층을 포함하는 유기층으로 산소, 수분 등이 침투되는 것을 최소화하기 위해 유기발광소자를 밀봉하기 위한 다양한 기술들이 사용되고 있다.
유기발광소자를 밀봉하기 위해, 무기물층과 유기물층을 교대로 적층하는 박막 봉지 기술이 사용되고 있다. 예를 들면, 3층의 구조일 수 있다. 이 때, 봉지층은 제1 봉지층, 제1 봉지층 상에 배치된 제2 봉지층 및 제2 봉지층 상에 배치된 제3 봉지층을 포함할 수 있다.
제1 봉지층의 이물 또는 파티클에 의한 불량 영역이 존재하는 경우, 제1 봉지층은 제2 봉지층에 의해 덮임으로써 보호될 수 있다.
그러나, 유기물을 포함하는 제2 봉지층 물질은 흐름성이 우수하기 때문에 실제 설계를 벗어나게 될 수 있다. 제2 봉지층 물질의 흐름성을 고려하여 제2 봉지층 물질의 양을 적게 도포하는 경우, 제2 봉지층이 유기발광 표시패널의 넌 액티브 영역에서 뱅크의 상면의 일부에만 형성될 수 있다.
이러한 경우, 제2 봉지층 물질이 제1 봉지층을 제대로 커버하지 못하게 되고, 제1 봉지층에 불량 영역이 존재하는 경우, 제1 봉지층의 불량영역으로 수분 및 산소가 침투될 수 있다. 이에, 본 명세서의 발명자들은 제2 봉지층 물질의 흐름성을 고려하더라도, 유기물층 포함하는 봉지층이 넌 액티브 영역에서 뱅크 및 평탄화막의 표면을 덮도록 배치될 수 있는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 새로운 구조 및 방법을 발명하였다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제는 넌 액티브 영역에서 댐과 가장 가깝게 배치된 평탄화층의 제1 측면의 기울기를 조절하여, 평탄화층의 제1 측면 상에서 제2 봉지층 물질의 흐름성을 조절함으로써, 제2 봉지층 물질이 기판 상에 적게 도포되더라도 넌 액티브 영역에서 제2 봉지층이 뱅크 및 평탄화막을 덮도록 배치될 수 있는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 평탄화막 및 뱅크의 구조를 통해 넌 액티브 영역에서 제2 봉지층이 평탄화막 및 뱅크의 표면을 덮는 구조를 가질 수 있는 유기발광 표시패널이 제공된다. 본 발명의 일 실시예의 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역이 구비된 표시패널은, 기판 상에 배치되고, 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막을 포함한다. 그리고, 평탄화막 상에 배치된 제1 전극, 평탄화막의 상면의 일부 및 제1 전극의 상면의 일부에 배치된 뱅크, 액티브 영역에서, 뱅크에 구비된 제1 개구부 내에 배치된 제1 전극 상면에 배치된 유기층, 유기층 뱅크 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 유기발광소자를 포함한다. 그리고, 넌 액티브 영역에 배치되고 액티브 영역을 둘러싸는 적어도 하나의 댐 및 제2 전극 및 댐이 배치된 기판 상에 배치된 봉지부재를 포함한다. 그리고, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 평탄화막 및 뱅크의 구조를 통해 넌 액티브 영역에서 제2 봉지층이 평탄화막 및 뱅크의 표면을 덮는 구조를 가질 수 있는 유기발광 표시장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역이 구비된 표시패널 및 이를 구동하는 구동회로를 포함한다. 여기서, 표시패널은 기판 상에 배치되고, 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막을 포함한다. 그리고, 평탄화막 상에 배치된 제1 전극, 평탄화막의 상면의 일부 및 제1 전극의 상면의 일부에 배치된 뱅크, 액티브 영역에서, 뱅크에 구비된 제1 개구부 내에 배치된 제1 전극 상면에 배치된 유기층, 유기층 뱅크 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 유기발광소자를 포함한다. 그리고, 넌 액티브 영역에 배치되고 액티브 영역을 둘러싸는 적어도 하나의 댐 및 제2 전극 및 댐이 배치된 기판 상에 배치된 봉지부재를 포함한다. 그리고, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작다.
본 명세서의 실시예들에 따라, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기가 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작게 이루어짐으로써, 넌 액티브 영역에서 제2 봉지층이 평탄화막 및 뱅크의 표면을 덮도록 배치되고, 이로써, 봉지부재의 봉지 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 표시패널 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 X 영역(액티브 영역의 일부)에 대한 단면도를 도시한 도면이다.
도 4는 도 2의 A-B를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 4의 K 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치의 액티브 영역의 일부 및 넌 액티브 영역의 일부의 단면 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 도 6의 L 부분을 확대한 도면이다.
도 8은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 액티브 영역의 일부 및 넌 액티브 영역의 일부의 단면 구조를 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 M 부분을 확대한 도면이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는, 본 명세서의 일 실시예에 따른 평탄화막 및 뱅크의 구조를 포함하는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 다양한 구성 대해 설명한다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역이 구비된 표시패널에 있어서, 기판 상에 배치되고, 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막, 평탄화막 상에 배치된 제1 전극, 평탄화막의 상면의 일부 및 제1 전극의 상면의 일부에 배치된 뱅크, 액티브 영역에서, 뱅크에 구비된 제1 개구부 내에 배치된 제1 전극 상면에 배치된 유기층, 유기층 및 뱅크 상에 배치된 제2 전극, 넌 액티브 영역에 배치되고 액티브 영역을 둘러싸는 적어도 하나의 댐, 제2 전극 및 댐이 배치된 기판 상에 배치된 봉지부재를 포함하고, 평탄화막의 측면들 중 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 넌 액티브 영역에서 뱅크의 제1 측면은 평탄화막의 제1 측면과 중첩되고, 뱅크의 일단은 평탄화막의 일단과 중첩된 구조를 가질 수 있다.
여기서, 넌 액티브 영역에 배치되고 기판의 상면에 대한 뱅크의 제1 측면의 제3 기울기는, 평탄화막의 제1 기울기와 동일하거나 평탄화막의 제1 기울기보다 클 수 있다. 또한, 제3 기울기는 뱅크의 제1 개구부를 둘러싸는 뱅크의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작을 수 있다. 또한, 제1 봉지층은 뱅크의 제1 측면 상에 배치되고, 뱅크의 제1 측면이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 제1 봉지층은 제3 기울기와 대응되는 기울기를 가질 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 넌 액티브 영역에서 뱅크는 평탄화막의 제1 측면을 덮도록 배치될 수 있다.
여기서, 넌 액티브 영역에 배치되고 뱅크의 제1 측면의 제3 기울기는, 평탄화막의 상기 제1 기울기보다 작을 수 있다. 또한, 제3 기울기는 뱅크의 개구부를 둘러싸는 뱅크의 제2 측면의 상기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작을 수 있다. 또한, 제1 봉지층은 뱅크의 제1 측면 상에 배치되고, 뱅크의 제1 측면이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 제1 봉지층은 제3 기울기와 대응되는 기울기를 가질 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 넌 액티브 영역에서, 뱅크는 평탄화막의 상면과 중첩되고, 평탄화막의 제1 측면을 노출하도록 배치될 수 있다.
여기서, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 뱅크의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제3 기울기는, 평탄화막의 제1 기울기보다 작을 수 있다. 또한, 제3 기울기는 뱅크의 개구부를 둘러싸는 뱅크의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작을 수 있다. 뱅크의 제1 측면의 하면의 끝단은 평탄화막의 제1 측면의 상면의 끝단과 중첩될 수 있다. 또한, 제1 봉지층은 뱅크의 제1 측면과 평탄화막의 제1 측면 상에 배치되고, 제1 봉지층은 뱅크의 제1 측면과 평탄화막의 제1 측면의 경계에서 기판의 상면에 대한 기울기가 변할 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 제1 평탄화막의 제1 측면과 기판의 상면이 이루는 각도는 15도 내지 30도일 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 넌 액티브 영역에서, 제2 봉지층은 평탄화막의 제1 측면 및 뱅크를 덮도록 배치될 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 제2 봉지층 일단은 평탄화막의 일단과 뱅크의 일단보다 제1 댐에 가깝게 배치될 수 있다.
본 명세서의 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 구성에 따르면, 뱅크는 넌 액티브 영역에서, 평탄화층 상에 배치된 연결전극을 노출하는 적어도 하나의 제2 개구부를 포함하고, 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 뱅크의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제3 기울기는, 제2 개구부를 둘러싸는 뱅크의 제3 측면의 기판의 상면에 대한 제5 기울기보다 작을 수 있다.
이하에서는, 본 명세서의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서, 데이터 드라이버(DDR)는 다양한 타입들(TAB, COG, COF 등) 중 COF (Chip On Film) 타입으로 구현되고, 게이트 드라이버(GDR)는 다양한 타입들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현될 수 있다.
데이터 드라이버(DDR)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현될 수 있다. 도 1은 데이터 드라이버(DDR)가 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현된 경우를 예시한 것이다.
데이터 드라이버(DDR)가 COF 타입으로 구현된 경우, 데이터 드라이버(DDR)를 구현한 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 소스 측 회로필름(SF) 상에 실장 될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF)의 일 측은 표시패널(110)의 넌 액티브 영역(NA)에 존재하는 패드 부 (패드들의 집합체)와 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF) 상에는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 표시패널(110)을 전기적으로 연결해주기 위한 배선들이 배치될 수 있다.
전자장치는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)의 타 측이 연결될 수 있다.
즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)은, 일 측이 표시패널(110)의 넌 액티브 영역(NA)과 전기적으로 연결되고, 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(CTR)가 배치될 수 있다.
또한, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 표시패널(110), 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC) 등이 더 배치될 수도 있다.
소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재(CBL)를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 여기서, 연결 부재(CBL)는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다.
게이트 드라이버(GDR)가 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현된 경우, 게이트 드라이버(GDR)에 포함된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는 표시패널(110)의 넌 액티브 영역(NA) 상에 직접 형성될 수 있다.
다수의 게이트 구동회로(GDC) 각각은 표시패널(110)에서의 액티브 영역(AA)에 배치된 해당 게이트 라인(GL)으로 해당 스캔신호(SCAN)를 출력할 수 있다.
표시패널(110) 상에 배치된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들을 통해, 스캔신호 생성에 필요한 각종 신호(클럭신호, 하이 레벨 게이트 전압(VGH), 로우 레벨 게이트 전압(VGL), 스타트 신호(VST), 리셋 신호(RST) 등)를 공급받을 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들은, 다수의 게이트 구동회로(GDC)에 가장 인접하게 배치된 소스 측 회로필름(SF)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 표시패널 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 표시패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA)의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 하나의 서브픽셀(SP)은 적어도 하나의 발광영역과 발광영역을 둘러싸는 비 발광영역을 포함할 수 있다.
표시패널(110)의 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210) 상에는 액티브 영역(AA)의 외곽을 둘러싸는 적어도 1개의 댐(295)이 배치될 수 있다.
예를 들면, 댐(295)은 액티브 영역(AA)과 이격되고 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 제1 댐(296), 제1 댐(296)과 이격되고 제1 댐(296)을 둘러싸는 제2 댐(297) 및 제2 댐(297)과 이격되고 제2 댐(297)을 둘러싸는 제3 댐(298)을 포함할 수 있다.
도 2에는 댐(295)의 세 개의 댐을 포함하는 구조를 도시하였으나, 본 명세서에 따른 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 실시예들에 따른 표시패널(110)은 적어도 하나 이상의 댐을 포함할 수 있다.
표시패널(110)의 액티브 영역(AA)에서, 기판(210) 상에는 제1 봉지층, 제2 봉지층(292) 및 제3 봉지층(293)을 포함하는 봉지 부재가 배치될 수 있다. 이러한 봉지 부재는 넌 액티브 영역(NA)까지 연장될 수 있다.
다시 말해, 제1 봉지층, 제2 봉지층(292) 및 제3 봉지층(293)을 포함하는 봉지 부재는 표시패널(110)의 액티브 영역(AA)을 덮도록 배치될 수 있다.
봉지 부재의 구성 중 제1 봉지층은 제3 봉지층(293)과 중첩될 수 있다. 제1 봉지층 및 제3 봉지층(293)은 제1 내지 제3 댐(296, 297, 298)과 중첩될 수 있다. 여기서, 제1 봉지층의 적어도 일 단은 제3 봉지층(293)의 일단과 중첩될 수 있다.
그리고, 제2 봉지층(292)은 제1 봉지층 및 제3 봉지층(293)과 중첩될 수 있다. 평면 상으로, 제2 봉지층(292)의 면적은 제1 봉지층 및 제3 봉지층(293)의 면적보다 작을 수 있다.
또한, 제2 봉지층(292)은 제1 내지 제3 댐(296, 297, 298) 중 적어도 두 개의 댐과 이격될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 봉지층(292)은 제1 내지 제3 댐(296, 297, 298)과 이격될 수 있다.
이 경우, 제2 봉지층(292)의 일단은 제1 내지 제3 댐(296, 297, 298)과, 제1 봉지층 및 제3 봉지층(293) 각각의 일단보다 표시패널(110)의 액티브 영역(AA)에 가깝게 배치될 수 있다.
다만, 본 명세서의 실시예들에 따른 제2 봉지층(292)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 봉지층(292)은 제1 댐(296)의 일부와 접촉되고, 제2 및 제3 댐(297, 298)과는 이격될 수도 있다.
상술한 패널의 구조를 구체적으로 검토하면 다음과 같다.
도 3은 도 2의 X 영역(액티브 영역의 일부)에 대한 단면도를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 표시패널(110)의 액티브 영역(AA)은 다수의 발광영역(EA) 및 발광영역(EA)을 둘러싸는 비 발광영역(NEA)을 포함할 수 있다.
표시패널(110)의 액티브 영역(AA)에서는, 기판(210) 상에 적어도 하나의 트랜지스터(310), 적어도 하나의 스토리지 캐패시터(320) 및 적어도 하나의 유기발광소자(380)가 배치될 수 있다.
트랜지스터(310)는 액티브층(311), 게이트 전극(312), 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)를 포함할 수 있다.
스토리지 캐패시터(320)는 제1 스토리지 캐패시터 전극(321) 및 제2 스토리지 캐패시터 전극(322)을 포함할 수 있다.
유기발광소자(380)는 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 기판(210) 상에는 버퍼층(301)이 배치될 수 있다. 버퍼층(301)은 기판(210) 상에 배치된 제1 버퍼층(302) 및 제1 버퍼층(302) 상에 배치된 제2 버퍼층(303)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 버퍼층(302, 303)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 버퍼층(302, 303)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON) 등의 무기절연물질 중 적어도 2개의 무기 절연 물질층이 교번하여 배치되는 구조일 수 있으나, 본 명세서의 실시예들에 따른 버퍼층(301)이 이에 한정되는 것은 아니다.
경우에 따라서는 버퍼층(301)이 생략될 수도 있으며, 단일층의 구성이거나, 3층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있다.
기판(210) 상에는 액티브층(311)이 배치될 수 있다. 액티브층(311)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도면에는 도시하지 않았으나, 액티브층(311) 하부에는 액티브층(311)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 더 배치될 수도 있다.
액티브층(311) 상에는 게이트 절연막(330)이 배치될 수 있다.
게이트 절연막(330)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(330)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON) 등의 무기물질로 구성될 수 있으나, 본 명세서에 따른 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(330) 상에는 게이트 전극(312)이 배치될 수 있다.
게이트 전극(312)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 텅스텐(W) 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속 또는 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 본 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트 전극(312)이 도전물질을 포함하는 구성이면 충분하다.
한편, 도 3에서는 게이트 전극(312)이 단일층인 구조로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 게이트 전극(312)은 2층 이상의 다층 구조로 이루어질 수도 있다.
게이트 전극(312)과 동일 층에는 스토리지 캐패시터(320)의 제1 스토리지 캐패시터 전극(321)이 배치될 수 있다. 다시 말해, 게이트 절연막(330) 상에는 제1 스토리지 캐패시터 전극(321)이 배치될 수 있다.
제1 스토리지 캐패시터 전극(321)은 게이트 전극(312)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 전극(312) 상에는 층간 절연막(340)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(340)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON) 등의 무기물질로 구성될 수 있으나, 본 명세서에 따른 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(340) 상에는 소스 전극(313)과 드레인 전극(314)이 배치될 수 있다. 소스 전극(313)과 드레인 전극(314) 각각은 게이트 절연막(330)과 층간 절연막(340)에 구비된 제1 및 제2 컨택홀(CH1, CH2)을 통해 액티브층(311)과 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 전극(313)과 드레인 전극(314) 각각은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 텅스텐(W) 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속 또는 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 본 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)이 도전물질을 포함하는 구성이면 충분하다.
한편, 도 3에서는 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)이 단일층인 구조로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)은 2층 이상의 다층 구조로 이루어질 수도 있다.
도 3에서는 313이 소스 전극이고, 314가 드레인 전극인 구조를 설명하였으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 313이 드레인 전극이고, 313이 소스 전극일 수도 있다.
소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)과 동일 층에는 스토리지 캐패시터(320)의 제2 스토리지 캐패시터 전극(322)이 배치될 수 있다. 다시 말해, 층간 절연막(340) 상에는 제2 스토리지 캐패시터 전극(322)이 배치될 수 있다.
제2 스토리지 캐패시터 전극(322)은 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
소스 전극(313), 드레인 전극(314) 및 제2 스토리지 캐패시터 전극(322) 상에는 보호막(350)이 배치될 수 있다. 보호막(350)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON) 등의 무기물질로 구성될 수 있으나, 본 명세서에 따른 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
보호막(350) 상에는 평탄화막(360)이 배치될 수 있다. 평탄화막(360)은 유기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
평탄화막(360) 상에는 유기발광소자(380)와 뱅크(384)가 배치될 수 있다.
유기발광소자(380)는 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 전극(381)은 애노드 전극이고, 제2 전극(383)은 캐소드 전극일 수 있다. 유기층(382)은 적어도 한 층의 발광층을 포함할 수 있다.
유기발광소자(380)의 제1 전극(381)은 평탄화막(360) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(381)은 평탄화막(360)과 보호막(350)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 소스 전극(313)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3에는 도시하지 않았으나, 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360) 상에는 다수의 제1 전극(381)이 배치될 수 있으며, 다수의 제1 전극(381)은 서로 이격될 수 있다.
이러한 제1 전극(381)은 투명도전물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(381)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속의 산화물 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속과 이들의 산화물의 조합으로 이루어진 투명도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(381)과 평탄화막(360) 상에는 뱅크(384)가 배치될 수 있다. 뱅크(384)는 제1 전극(381)의 상면의 일부를 노출하도록 배치될 수 있다.
뱅크(384)는 액티브 영역(AA) 내의 발광영역(EA)과 비 발광영역(NEA)을 정의하는 구성일 수 있다. 구체적으로, 액티브 영역(AA) 내에서 뱅크(384)가 배치된 영역은 비 발광영역(NEA)이고, 뱅크(384)가 미 배치된 영역은 발광영역(EA)일 수 있다.
뱅크(384)가 미 배치된 제1 전극(381) 상면에는 적어도 한 층의 발광층을 포함하는 유기층(382)이 배치될 수 있다. 도 3에는 유기층(382)이 뱅크(394)에 의해 노출된 제1 전극(381)의 상면에 배치되는 구조를 도시하였으나, 본 명세서의 실시예들에 따른 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기층(382)은 액티브 영역(AA)의 전면에 배치될 수도 있다.
유기층(382) 상에는 제2 전극(383)이 배치될 수 있다. 제2 전극(383)은 반사성 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(383)은 은 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(383)은 표시영역(AA) 내에서 기판(210)의 전면에 배치될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)이 투명도전물질을 포함하고, 제2 전극(383)이 반사성 금속을 포함함으로써, 하부발광(bottom emission) 방식의 유기발광소자(380)를 구현할 수 있다.
다만, 본 명세서에 따른 실시예들은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(381)과 제2 전극(383) 중 적어도 하나의 전극이 투명도전물질을 포함하는 구성이면 충분하다.
예를 들어, 제1 전극(381)이 반사성 금속을 포함하고, 제2 전극(383)이 투명도전물질을 포함함으로써, 상부발광(top emission) 방식의 유기발광소자(380)을 구현할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전극(381, 383) 각각이 투명도전물질을 포함하여 양면 발광 방식의 유기발광소자(380)를 구현할 수도 있다.
유기발광소자(380)의 제2 전극(383) 상에는 봉지부재(390)가 배치될 수 있다.
봉지부재(390)는 제2 전극(383) 상에 배치된 제1 봉지층(391), 제1 봉지층(391) 상에 배치된 제2 봉지층(292) 및 제2 봉지층(292) 상에 배치된 제3 봉지층(293)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 봉지층(391)과 제3 봉지층(293)은 무기절연물질을 포함할 수 있고, 제2 봉지층(292)은 유기절연물질을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 봉지층(292)은 이물(particle)이 제1 봉지층(391)을 거쳐 유기발광소자(380)에 침투하는 것을 방지할 수 있을만한 충분한 두께를 가질 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 봉지부재(390)는 표시영역(AA) 전체에 배치될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 비 표시영역(NA)의 일부에도 배치될 수 있다.
비 표시영역(NA)의 일부까지 연장되어 배치된 봉지층(390)의 구조를 도 4 내지 도 5를 참조하여 검토하면 다음과 같다.
도 4는 도 2의 A-B를 따라 절단한 단면도이다. 도 5는 도 4의 K 영역을 확대한 도면이다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 명세서의 실시예들에 따른 표시장치의 액티브 영역(AA)의 일부 및 넌 액티브 영역(NA)의 일부의 단면 구조를 설명한다.
먼저, 도 4를 참조하면, 기판(210) 상에 버퍼층(301)이 배치될 수 있다.
버퍼층(301) 상에는 게이트 절연막(330)이 배치될 수 있다.
버퍼층(301) 및 게이트 절연막(330)은 액티브 영역(AA) 및 넌 액티브 영역(NA)에 배치될 수 있다.
액티브 영역(AA)에서 게이트 절연막(330) 상에는 트랜지스터의 드레인 전극(314)이 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 게이트 절연막(330) 상에는 패드 전극(414)이 배치될 수 있다. 패드 전극(414)은 액티브 영역(AA)에 배치된 트랜지스터의 드레인 전극(314)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
트랜지스터의 드레인 전극(314) 및 패드 전극(414) 상에는 층간 절연막(340)이 배치될 수 있다.
층간 절연막(340) 상에는 보호막(350)이 배치될 수 있다.
층간 절연막(340) 및 보호막(350)은 액티브 영역(AA) 및 넌 액티브 영역(NA)에 배치될 수 있다.
보호막(350) 상에는 평탄화막(360)이 배치될 수 있다.
평탄화막(360)은 액티브 영역(AA)에 배치되고, 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 연장될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)은 패드 전극(414)의 상면의 일부와 중첩될 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 평탄화막(360)은 넌 액티브 영역(NA)의 일부에 배치되되 패드 전극(414)의 상면과 미 중첩될 수도 있다.
또한, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 제2 댐(297)의 제1 층(461)은 평탄화막(360)과 이격하여 배치되되, 평탄화막(360)과 동일 층에 배치되고 동일 물질을 포함할 수 있다.
액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(381)이 배치될 수 있다.
그리고, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360) 상에는 연결 전극(460)이 배치될 수 있다. 연결전극(481)은 넌 액티브 영역(NA)의 일부 영역에 배치될 수 있다.
연결전극(481)은 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(381)과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 넌 액티브 영역(NA)에서 연결전극(481)은 층간 절연막(340) 및 보호막(350)에 구비된 컨택홀을 통해 패드 전극(414)과 전기적으로 연결될 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 제1 전극(381) 및 연결전극(481)이 배치된 평탄화막(360) 상에는 뱅크(384)가 배치될 수 있다.
도 3을 참조로 설명한 바와 같이, 액티브 영역(NA)에서 뱅크(384)는 발광영역과 비 발광영역을 정의할 수 있다.
뱅크(384)는 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 뱅크(384)는 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 평탄화막(360)이 배치된 영역까지 배치될 수 있다. 이 때, 도 5에 도시된 바와 같이, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(384)의 일단과 평탄화막(360)의 일단은 중첩될 수 있다.
구체적으로, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분과 뱅크(384)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분이 대응되도록 위치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 제1 댐(296)의 제1 층(485), 제2 댐(297)의 제2 층(486) 및 제3 댐(298)의 제1 층(487)은 뱅크(384)와 이격하여 배치되되, 뱅크(384)와 동일 층에 배치되고 동일 물질을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 댐(296)의 제1 층(485)은 연결전극(414)의 일단과 중첩될 수 있으나, 본 명세서의 실시예들에 따른 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 명세서의 실시예들은 넌 액티브 영역(NA)에서 제1 댐(296)의 제1 층(485)의 일면과 연결전극(414)의 일면이 접촉되는 구조이거나, 제1 댐(296)의 제1 층(485)과 연결전극(414)이 서로 이격된 구조를 포함할 수 있다.
또한, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 제1 댐(296)의 제1 층(485) 상에는 제1 댐(296)의 제2 층(496)이 배치되고, 제2 댐(297)의 제2 층(486) 상에는 제2 댐(297)의 제3 층(497)이 배치되며, 제3 댐(298)의 제1 층(487) 상에는 제3 댐(298)의 제2 층(498)이 배치될 수 있다.
여기서, 제1 댐(296)의 제2 층(496), 제2 댐(297)의 제3 층(497) 및 제3 댐(298)의 제2 층(498)은 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 4에는 도시하지 않았으나, 액티브 영역(AA)의 비 발광영역에서 뱅크(384)의 상면의 일부에는 적어도 하나의 스페이서가 배치될 수 있다. 스페이서는 유기발광소자(OLED)의 유기층을 형성하는 과정에서 마스크를 지지할 수 있는 지지부 역할을 하는 구성일 수 있다.
제1 댐(296)의 제2 층(496), 제2 댐(297)의 제3 층(497) 및 제3 댐(298)의 제2 층(498)은 액티브 영역(AA)에 배치되는 스페이서와 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 명세서의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
액티브 영역(AA)에서 뱅크(384)가 미 배치된 영역에 적어도 한 층의 발광층을 포함하는 유기발광소자(OLED)의 유기층(382)이 배치될 수 있다.
그리고, 액티브 영역(AA)에서 유기층(382) 및 뱅크(384) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(383)이 배치될 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 제2 전극(383)은 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(383)은 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384)의 상면의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(383)은 뱅크(384)에 구비된 컨택홀을 통해 평탄화막(360) 상에 배치된 연결전극(481)과 접촉될 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 제2 전극(383) 상에는 봉지부재(390)의 제1 봉지층(391)이 배치된다.
제1 봉지층(391)은 액티브 영역(AA)의 전면에 배치되고, 넌 액티브 영역(NA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
구체적으로, 넌 액티브 영역(NA)에서 제1 봉지층(391)은 유기발광소자(OELD)의 제2 전극(383), 뱅크(384), 연결전극(414), 제1 댐(296), 제2 댐(297) 및 제3 댐(298)을 커버(cover)하도록 배치될 수 있다.
제1 봉지층(391) 상에는 제2 봉지층(292)이 배치될 수 있다.
제2 봉지층(292)은 액티브 영역(AA)의 전면에 배치되고, 넌 액티브 영역(NA)의 일부에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제2 봉지층(292)은 넌 액티브 영역(NA)에서 제2 전극(383), 뱅크(364) 및 평탄화막(360)을 커버(cover)하도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 봉지층(292)은 연결전극(414)의 상면의 일부가 제1 댐(296)과 중첩되는 구조에서, 연결전극(414)의 상면의 일부와 중첩될 수 있다.
제2 봉지층(292)은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
이러한 제2 봉지층(292)은 액티브 영역(AA)에서는 평탄하게 형성되고, 넌 액티브 영역(NA)의 일부에서는 액티브 영역(AA)에 배치된 제2 봉지층(292)의 두께보다 얇아지는 형상을 가질 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 일부에서는 제2 봉지층(292)의 두께가 점진적으로 얇아지는 영역이 존재할 수 있고, 이에, 제2 봉지층(292)의 적어도 일 면은 슬로프(slope)를 가질 수 있다. 제2 봉지층(292)이 슬로프(slope)를 갖는 면에서는 빛의 굴절을 발생시켜 영상의 품질이 저하될 수 있다. 따라서, 제2 봉지층(292)의 슬로프(slope)를 갖는 면이 넌 액티브 영역(NA)에 배치되는 것이 바람직하다.
제2 봉지층(292)은 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클(particle)을 커버(cover)할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(391)에는 이물 또는 파티클에 의해서 발생된 미세 크랙 등의 불량이 존재할 수 있다. 제1 봉지층(391)의 미세 크랙이 존재하는 영역은 제2 봉지층(292)에 의해 덮임으로써 보호될 수 있다.
그러나, 이러한 제2 봉지층(292)을 형성하기 위한 제2 봉지층(292) 물질은 흐름성이 우수하기 때문에 실제 설계치를 벗어나게 될 수 있다.
예를 들어, 제2 봉지층(292) 물질의 흐름성을 고려하여, 제2 봉지층(292)물질의 양을 기판(210) 상에 적게 도포하는 경우, 넌 액티브 영역(NA)에서 제2 봉지층(292)이 뱅크(384) 상면의 일부까지만 형성될 수 있다.
또한, 유기절연물질을 포함하는 뱅크(384)가 넌 액티브 영역(NA)에서 돌출영역을 구비(예를 들면, 뱅크(384)의 일 단에서 돌출영역 구비)하도록 형성될 수 있는데, 이 경우, 제2 봉지층(292) 물질이 뱅크(383)의 돌출영역에 막혀 흐르지 못하고 제2 봉지층(292)이 뱅크(383)의 상면까지만 형성될 수 있다.
이 경우, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 측면에는 무기절연물질을 포함하는 제1 봉지층(391) 및 제3 봉지층(293)만이 배치될 수 있다.
한편, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 측면에서 제1 봉지층(391)에 이물 또는 파티클에 의한 불량이 존재하는 경우, 제1 봉지층(391)의 크랙 발생 영역 상에 두께가 얇은 제3 봉지층(293)이 배치될 수 있다. 다시 말해, 제3 봉지층(293)은 두께가 매우 얇으므로, 제1 봉지층(39)의 크랙 발생 영역을 제대로 커버(cover)하지 못한다. 따라서, 제1 봉지층(391)의 크랙 발생 영역과 대응되는 영역에 배치된 제3 봉지층(293) 영역에 수분 및 산소 등이 침투할 수 있다. 침투된 수분 및 산소는 평탄화막(360)을 따라 확산되어 최종적으로는 유기발광소자(OLED)의 유기층(382)에 도달하고, 이에, 유기발광소자(OELD)의 신뢰성이 저하될 수 있다.
다시 말해, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 측면에 제2 봉지층(292)이 배치되지 않으므로, 수분 및 산소가 제1 및 제3 봉지층(392, 293)을 통해 침투될 수 있다.
본 명세서의 실시예들에서는 제2 봉지층(292)을 형성하는 공정에서, 공정 상의 불량으로 제2 봉지층(292)이 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 측면에 미 배치되는 현상을 방지할 수 있는 구조를 갖는다.
구체적으로, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)의 기울기보다 작다.
여기서, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)은 넌 액티브 영역(NA)에 배치되고, 평탄화막(360)의 측면들 중 제1 댐(296)에 가장 가깝게 배치된 측면일 수 있다.
이와 같이, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)의 기울기보다 작게 이루어짐으로써, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 상에 배치된 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기(기판의 상면에 대한 기울기) 역시 완만해질 수 있다.
이에, 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 뱅크(384)에 구비된 개구부(유기발광소자의 유기층이 배치되는 영역)를 둘러싸는 뱅크(384)의 제2 측면(484b)의 기울기보다 작을 수 있다.
또한, 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기는 넌 액티브 영역(NA)에 구비된 연결전극(481)과 제2 전극(383)의 컨택을 위한 뱅크(384)의 개구부를 둘러싸는 뱅크(384)의 제3 측면(484c)의 기울기보다 작을 수 있다.
한편, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기는 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기와 대응되거나 클 수 있다.
구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d, 평탄화막의 상면의 모서리 중 제1 댐과 가장 가까운 모서리)이 뱅크(384)의 상면의 끝단(484d, 뱅크의 상면의 모서리 중 제1 댐과 가장 가까운 모서리)보다 제1 댐(296)으로부터 멀리 배치되고, 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(460e, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 두께가 점진적으로 작아지다가 최소 두께(두께 약 0)를 갖는 부분)과 뱅크(384)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(484e, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(384)의 두께가 점진적으로 작아지다가 최소 두께(두께 약 0)를 갖는 부분)이 제1 댐(296)으로부터 동일한 거리로 이격하여 배치되는 경우, 뱅크(384)의 제1 측면(384a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 기울기보다 클 수 있다.
여기서, 제1 댐(296)과 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d) 사이의 거리 및 제1 댐(296)과 뱅크(384)의 상면의 끝단(484d) 사이의 거리는 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)과 뱅크(384)의 상면의 끝단(484d)으로부터 기판(210)의 상면 방향의 수직한 선과 보호막(350)의 상면이 만나는 지점에서 제1 댐(296)까지의 최소 길이를 의미할 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)과 뱅크(384)의 상면의 끝단(484d)이 제1 댐(296)으로부터 동일한 거리를 갖도록 배치되고, 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(460e)과 뱅크(384)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(484e)이 제1 댐(296)으로부터 동일한 거리로 이격하여 배치되는 경우, 뱅크(384)의 제1 측면(384a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 기울기와 동일할 수 있다.
다만, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기가 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기보다 크더라도, 액티브 영역(AA)에서 뱅크(384)에 구비된 개구부(유기발광소자의 유기층이 배치되는 영역)를 둘러싸는 뱅크(383)의 제2 측면(484b) 및 제3 측면(484c)의 기울기보다는 작을 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 넌 액티브 영역(NA)에서 연결전극(481)은 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 상에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기를 따르도록 형성될 수 있으며, 제1 봉지층(391)은 뱅크(384)의 제1 측면(484a) 상에서 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기를 따르도록 형성될 수 있다.
다시 말해, 넌 액티브 영역(NA)에서 완만한 기울기를 갖는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)으로 인해, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)이 배치된 영역과 대응되는 영역에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 상에 배치된 연결전극(481), 뱅크(384) 및 제1 봉지층(391) 역시 완만한 기울기를 가질 수 있다. 특히, 제1 봉지층(391)은, 제1 봉지층(391) 하부에 배치된 뱅크(384)의 제1 측면(484a)의 기울기와 대응되는 기울기를 가질 수 있다.
이에, 넌 액티브 영역(NA) 중 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 흐름성이 우수한 제2 봉지층(292) 물질이 제1 봉지층(391)의 상면을 따라 흐를 수 있고, 제2 봉지층(292) 물질은 제1 댐(296)의 주변까지 흐르게 됨으로써, 최종적으로 형성된 제2 봉지층(292)은 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(384)의 제1 측면(484a)을 덮도록 배치될 수 있다.
제2 봉지층(292) 물질은 제1 댐(296)까지 흐를 수 있으며, 제1 댐(296)은 제2 봉지층(292) 물질의 과도포를 막는 역할을 할 수 있다.
따라서, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 측면에서 제1 봉지층(391)에 이물 또는 파티클에 의한 불량이 존재하는 경우, 제2 봉지층(292)이 제1 봉지층(391)을 커버(cover)하도록 배치되므로 봉지부재(390)의 봉지 효과가 향상될 수 있다.
다시 말해, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(a)는 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(b)보다 작을 수 있다.
예를 들면, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(a)는 15 내지 30도(degree)이고, 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(b)는 50도(degree) 이상일 수 있다.
여기서, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(a)가 15도(degree) 미만일 경우, 평탄화막(360)의 두께가 너무 낮아져, 평탄화막(360)이 기판(210)을 평탄화하는 효과가 저하될 수 있다. 또한, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 기판(210)의 상면이 이루는 각도(a)가 30도(degree)를 초과하는 경우, 제2 봉지층(292)의 물질의 흐름에 방해가 될 수 있다. 이에, 제2 봉지층(292)이 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(384)의 제1 측면(484a)을 노출하도록 배치됨으로써, 봉지부재(390)의 봉지 효과를 저하시킬 수 있다.
제2 봉지층(292) 상에는 제3 봉지층(293)이 배치될 수 있다.
제3 봉지층(293)의 일단은 넌 액티브 영역(NA)에서 제1 봉지층(391)의 일단과 중첩될 수 있다. 다시 말해, 제3 봉지층(293)은 액티브 영역(AA)의 전면에 배치되고, 넌 액티브 영역(NA)에서 제2 봉지층(292)의 상면 및 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 제3 봉지층(293)은 넌 액티브 영역(NA)에서 제1 내지 제3 댐(296, 297, 298)을 덮도록 배치될 수 있다.
한편, 도 4 및 도 5에서는 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(384)의 일단과 평탄화막(360)의 일단이 중첩되는 구조를 설명하였으나, 본 명세서의 실시예들의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(384) 및 평탄화막(360)의 다른 배치 구조를 검토하면 다음과 같다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치의 액티브 영역의 일부 및 넌 액티브 영역의 일부의 단면 구조를 도시한 도면이다. 도 7은 도 6의 L 부분을 확대한 도면이다.
도 6 및 도 7의 구조는 도 4의 K 부분을 변경한 구조일 수 있다. 도 6은 도 4의 K 부분을 제외한 나머지 부분은 동일한 구조를 가질 수 있다. 도 4를 참조로하여 설명한 평탄화막(360)의 구조는 도 6 및 도 7의 평탄화막(360)의 구조와 동일할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(684)는 평탄화막(360)의 측면 및 상면을 커버(cover)하도록 배치될 수 있다. 여기서, 뱅크(684)는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)을 덮도록 배치될 수 있다. 다시 말해, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(684)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분은 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분보다 제1 댐(296)에 가깝게 배치될 수 있다.
한편, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)의 기울기보다 작다.
이와 같이, 넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 평탄화막(360)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 둘러싸는 평탄화막(360)의 제2 측면(460b)의 기울기보다 작게 이루어짐으로써, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 중첩되는 영역으로 인해, 뱅크(364)의 제1 측면(684a)의 기울기(기판의 상면에 대한 기울기) 역시 완만해질 수 있다.
이에, 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 뱅크(684)에 구비된 개구부(유기발광소자의 유기층이 배치되는 영역)를 둘러싸는 뱅크(684)의 제2 측면(684b)의 기울기보다 작을 수 있다.
또한, 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 기울기는 넌 액티브 영역(NA)에 구비된 연결전극(481)과 제2 전극(383)의 컨택을 위한 뱅크(684)의 개구부를 둘러싸는 뱅크(684)의 제3 측면(684c)의 기울기보다 작을 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 기울기는 기판(210)의 상면에 대한 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기보다 작을 수 있다.
구체적으로, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(684)가 평탄화막(360)을 덮는 구조에서, 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)이 뱅크(684)의 상면의 끝단(684d) 보다 제1 댐(296)으로부터 가깝게 배치되고, 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(460e)이 뱅크(684)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(684e)보다 제1 댐(296)에 멀리 배치됨으로써, 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 기울기보다 작을 수 있다.
여기서, 제1 댐(296)과 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d) 사이의 거리 및 제1 댐(296)과 뱅크(684)의 상면의 끝단(684d) 사이의 거리는 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)과 뱅크(684)의 상면의 끝단(684d)으로부터 기판(210)의 상면 방향의 수직한 선과 보호막(350)의 상면이 만나는 지점에서 제1 댐(296)까지의 최소 길이를 의미할 수 있다.
또한, 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)에서부터 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(460e)까지의 길이(단면 상으로 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 길이)는 뱅크(684)의 상면의 끝단(684d)에서부터 뱅크(684)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분(684e)까지의 길이(단면 상으로 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 길이)보다 짧을 수 있다.
이 경우, 뱅크(684)의 제1 측면(684a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a), 뱅크(684)의 제2 측면(684b) 및 뱅크(684)의 제3 측면(684c)의 기울기보다 작을 수 있다.
다시 말해, 넌 액티브 영역(NA)에서 완만한 기울기를 갖는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(684)의 제1 측면(684a)으로 인해, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(684)의 제1 측면(684a)이 배치된 영역과 대응되는 영역에서 제1 봉지층(391) 역시 완만한 기울기를 가질 수 있다.
특히, 제1 봉지층(391)은, 제1 봉지층(391) 하부에 배치된 뱅크(684)의 의 형상을 따를 수 있으며, 이에, 뱅크(684)의 제1 측면(684a)가 배치된 영역에서는 제1 봉지층(391)이 뱅크(684)의 제1 측면(684a)과 대응되는 기울기를 가질 수 있다.
이에, 넌 액티브 영역(NA) 중 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(684)의 제1 측면(684a)이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 흐름성이 우수한 제2 봉지층(292) 물질이 제1 봉지층(391)의 상면을 따라 흐를 수 있고, 제2 봉지층(292) 물질은 제1 댐(296)의 주변까지 흐르게 됨으로써, 최종적으로 형성된 제2 봉지층(292)은 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(684)의 제1 측면(684a)을 덮도록 배치될 수 있다.
도 8은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 액티브 영역의 일부 및 넌 액티브 영역의 일부의 단면 구조를 도시한 도면이다. 도 9는 도 8의 M 부분을 확대한 도면이다.
도 8 및 도 9의 구조는 도 4의 K 부분을 변경한 구조일 수 있다. 도 8은 도 4의 K 부분을 제외한 나머지 부분은 동일한 구조를 가질 수 있다. 도 4를 참조로하여 설명한 평탄화막(360)의 구조는 도 8 및 도 9의 평탄화막(360)의 구조와 동일할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(884)는 평탄화막(360)의 상면과 중첩되도록 배치되고, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)을 노출하도록 배치될 수 있다. 다시 말해, 뱅크(884)의 제1 측면(884a)은 평탄화막(360)의 상면에 배치될 수 있다.
기판(210)의 상면에 대한 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 기울기는 액티브 영역(AA)에서 뱅크(884)에 구비된 개구부(유기발광소자의 유기층이 배치되는 영역)를 둘러싸는 뱅크(884)의 제2 측면(884b)의 기울기보다 작을 수 있다.
그리고, 기판(210)의 상면에 대한 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 기울기는 넌 액티브 영역(NA)에 구비된 연결전극(481)과 제2 전극(383)의 컨택을 위한 뱅크(884)의 개구부를 둘러싸는 뱅크(884)의 제3 측면(884c)의 기울기보다 작을 수 있다.
또한, 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)이 뱅크(684)의 상면의 끝단(884d) 보다 제1 댐(296)으로부터 가깝게 배치될 수 있다. 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분이 뱅크(684)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분보다 제1 댐(296)에 멀리 배치될 수 있다.
평탄화막(360)의 상면의 끝단(460d)에서부터 평탄화막(360)이 보호층(350)의 상면과 만나는 부분까지의 길이는 뱅크(684)의 상면의 끝단(884d)에서부터 뱅크(684)가 보호층(350)의 상면과 만나는 부분까지의 길이보다 짧을 수 있다.
여기서, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기보다 작을 수 있다.
따라서, 뱅크(884) 및 평탄화막(360) 상에 배치된 제1 봉지층(391)은 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)이 배치된 영역에서, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 대응되는 기울기를 가질 수 있고, 뱅크(884)의 제1 측면(884a)이 배치된 영역과 대응되는 영역에서 뱅크(884)의 제1 측면(884a)과 대응되는 기울기를 가질 수 있다.
다시 말해, 본 실시예서는 제1 봉지층(391)이 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 경계와 대응되는 영역에서 기울기의 변화를 가질 수 있다.
따라서, 제2 봉지층(292)을 형성하는 공정에서, 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 경계와 대응되는 영역에서 제2 봉지층(292) 물질의 흐름에 대한 속도가 변할 수 있다.
예를 들면, 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 기울기는 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)의 기울기보다 작으므로, 제2 봉지층(292) 물질은 뱅크(884)의 제1 측면(884a)과 대응되는 영역에서 천천히 흐르다가 평탄화막(360)의 제1 측면(460a)과 뱅크(884)의 제1 측면(884a)의 경계와 대응되는 영역에서 제2 봉지층(292) 물질이 흐르는 속도가 빨라질 수 있다.
이때, 제2 봉지층(292)은 제1 댐(292)이 배치된 영역까지 형성될 수 있다.
이와 같이, 넌 액티브 영역(NA)에서 뱅크(884) 및 평탄화층(360)의 위치 및 각 구성의 측면의 기울기를 조절함으로써, 제2 봉지층(292)이 넌 액티브 영역(NA)에서 평탄화막(360)의 제1 측면(460a) 및 뱅크(884)의 제1 측면(884a)을 덮도록 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따라, 넌 액티브 영역에 배치되고 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 평탄화막의 제1 측면의 기판의 상면에 대한 제1 기울기가 컨택홀을 둘러싸는 평탄화막의 제2 측면의 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작게 이루어짐으로써, 넌 액티브 영역에서 제2 봉지층이 평탄화막 및 뱅크의 표면을 덮도록 배치되고, 이로써, 봉지부재의 봉지 성능이 향상될 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예들에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기발광 표시장치
110: 표시패널
292: 제2 봉지층
293: 제3 봉지층
296: 제1 댐
297: 제2 댐
298: 제3 댐
360: 평탄화막
384, 684, 884: 뱅크
391: 제1 봉지층

Claims (19)

  1. 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역이 구비된 표시패널에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막;
    상기 평탄화막 상에 배치된 제1 전극;
    상기 평탄화막의 상면의 일부 및 상기 제1 전극의 상면의 일부에 배치된 뱅크;
    상기 액티브 영역에서, 상기 뱅크에 구비된 제1 개구부 내에 배치된 상기 제1 전극 상면에 배치된 유기층;
    상기 유기층 및 상기 뱅크 상에 배치된 제2 전극;
    상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 액티브 영역을 둘러싸는 적어도 하나의 댐; 및
    상기 제2 전극 및 상기 댐이 배치된 기판 상에 배치된 봉지부재를 포함하고,
    상기 평탄화막의 측면들 중 상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 상기 평탄화막의 제1 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 상기 컨택홀을 둘러싸는 상기 평탄화막의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에서 상기 뱅크의 제1 측면은 상기 평탄화막의 상기 제1 측면과 중첩되고, 상기 뱅크의 일단은 상기 평탄화막의 일단과 중첩된 유기발광 표시패널.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 기판의 상면에 대한 상기 뱅크의 제1 측면의 제3 기울기는, 상기 평탄화막의 제1 기울기와 동일하거나 상기 평탄화막의 제1 기울기보다 큰 유기발광 표시패널.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 기울기는 상기 뱅크의 제1 개구부를 둘러싸는 상기 뱅크의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 상기 뱅크의 제1 측면 상에 배치되고, 상기 뱅크의 제1 측면이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 상기 제1 봉지층은 상기 제3 기울기와 대응되는 기울기를 갖는 유기발광 표시패널.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에서 상기 뱅크는 상기 평탄화막의 제1 측면을 덮도록 배치된 유기발광 표시패널.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 뱅크의 제1 측면의 제3 기울기는, 상기 평탄화막의 상기 제1 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제3 기울기는 상기 뱅크의 개구부를 둘러싸는 상기 뱅크의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 상기 뱅크의 제1 측면 상에 배치되고, 상기 뱅크의 제1 측면이 배치된 영역과 대응되는 영역에서, 상기 제1 봉지층은 상기 제3 기울기와 대응되는 기울기를 갖는 유기발광 표시패널.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에서, 상기 뱅크는 상기 평탄화막의 상면과 중첩되고, 상기 평탄화막의 제1 측면을 노출하도록 배치된 유기발광 표시패널.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 상기 뱅크의 제1 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제3 기울기는, 상기 평탄화막의 제1 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 기울기는 상기 뱅크의 개구부를 둘러싸는 상기 뱅크의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제4 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 뱅크의 제1 측면의 하면의 끝단은 상기 평탄화막의 제1 측면의 상면의 끝단과 중첩된 유기발광 표시패널.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 상기 뱅크의 제1 측면과 상기 평탄화막의 제1 측면 상에 배치되고,
    상기 제1 봉지층은 상기 뱅크의 제1 측면과 상기 평탄화막의 제1 측면의 경계에서 기판의 상면에 대한 기울기가 변하는 유기발광 표시패널.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 평탄화막의 제1 측면과 기판의 상면이 이루는 각도는 15도 내지 30도인 유기발광 표시패널.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 넌 액티브 영역에서, 상기 제2 봉지층은 상기 평탄화막의 제1 측면 및 상기 뱅크를 덮도록 배치된 유기발광 표시패널.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층 일단은 상기 평탄화막의 일단과 상기 뱅크의 일단보다 상기 제1 댐에 가깝게 배치된 유기발광 표시패널.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 뱅크는 상기 넌 액티브 영역에서, 상기 평탄화층 상에 배치된 연결전극을 노출하는 적어도 하나의 제2 개구부를 포함하고,
    상기 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 상기 뱅크의 제1 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제3 기울기는, 상기 제2 개구부를 둘러싸는 상기 뱅크의 제3 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제5 기울기보다 작은 유기발광 표시패널.
  19. 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽을 둘러싸는 넌 액티브 영역이 구비된 표시패널; 및
    상기 표시패널을 구동하기 위한 구동회로를 포함하고,
    상기 표시패널은,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에서 적어도 하나의 컨택홀을 구비하는 평탄화막;
    상기 평탄화막 상에 배치된 제1 전극;
    상기 평탄화막의 상면의 일부 및 상기 제1 전극의 상면의 일부에 배치된 뱅크;
    상기 액티브 영역에서, 상기 뱅크에 구비된 개구부 내에 배치된 상기 제1 전극 상면에 배치된 유기층;
    상기 유기층 및 상기 뱅크 상에 배치된 제2 전극;
    상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 액티브 영역을 둘러싸는 적어도 하나의 댐; 및
    상기 제2 전극 및 상기 댐이 배치된 기판 상에 배치된 봉지부재를 포함하고,
    상기 평탄화 막의 측면들 중 상기 넌 액티브 영역에 배치되고 상기 댐으로부터 가장 가깝게 배치된 상기 평탄화막의 제1 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제1 기울기는, 상기 컨택홀을 둘러싸는 상기 평탄화막의 제2 측면의 상기 기판의 상면에 대한 제2 기울기보다 작은 유기발광 표시장치.
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