KR20210068753A - 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 - Google Patents
유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 실시예들은, 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 다수의 서브픽셀을 갖는 액티브 영역과, 서로 마주보도록 배치된 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 하나에 구비된 게이트 구동부, 제1 및 제2 영역 각각의 일 측에 배치된 제3 영역에 구비된 패드부 및 제1 영역과 마주보는 제4 영역에 구비된 비 패드부를 포함하는 넌 액티브 영역을 구비하는 유기발광 표시장치에 있어서, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제2 댐 패턴, 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판 및 넌 액티브 영역에서 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되되, 적어도 2개의 제1 댐 패턴 및 적어도 2개의 제2 댐 패턴과 중첩된 댐을 포함함으로써, 신뢰성이 향상된 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기발광 표시장치 등이 각광 받고 있다.
이러한 유기발광 표시장치는 다수의 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다.
유기발광소자는 수분 등의 이물에 취약한 특성을 갖는데, 이로 인해, 유기발광소자의 열화가 발생하여 유기발광 표시장치의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 실시예들은 넌 액티브 영역에 다수의 제1 댐 패턴 및 댐과 중첩된 다수의 제2 댐을 포함함으로써, 배치된 댐의 폭이 영역 별로 각각 대응되는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 넌 액티브 영역에 다수의 제1 댐 패턴 및 댐과 중첩된 다수의 제2 댐을 포함함으로써, 유기발광 표시장치의 측면으로 침투하는 수분 등의 이물을 최소화하고, 각 측면으로 침투된 이물이 유기발광소자에 도달하는 시간의 차이를 최소화할 수 있는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은 다수의 서브픽셀을 갖는 액티브 영역과, 서로 마주보도록 배치된 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 하나에 구비된 게이트 구동부, 제1 및 제2 영역 각각의 일 측에 배치된 제3 영역에 구비된 패드부 및 제1 영역과 마주보는 제4 영역에 구비된 비 패드부를 포함하는 넌 액티브 영역을 구비하는 유기발광 표시장치에 있어서, 제1 기판, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제2 댐 패턴, 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판 및 넌 액티브 영역에서 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되되, 적어도 2개의 제1 댐 패턴 및 적어도 2개의 제2 댐 패턴과 중첩된 댐을 포함하는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은 적어도 하나의 발광 영역을 포함하는 다수의 서브픽셀을 갖는 액티브 영역과, 액티브 영역의 외곽영역에 배치된 넌 액티브 영역을 구비하는 유기발광 표시패널에 있어서, 제1 기판, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 상에 배치된 다수의 제2 댐 패턴, 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판, 넌 액티브 영역에서 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되되, 적어도 2개의 제1 댐 패턴 및 적어도 2개의 제2 댐 패턴과 중첩된 댐 및 제2 기판의 일면에 다수의 서브픽셀을 정의하고, 제2 댐 패턴과 동일 층에 배치된 다수의 블랙 매트릭스를 포함하고, 하나의 블랙 매트릭스 및 인접한 다른 하나의 블랙 매트릭스 사이의 폭은, 하나의 제2 댐 패턴 및 인접한 다른 하나의 제2 댐 패턴의 폭과 서로 대응되거나 좁은 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 넌 액티브 영역에 다수의 제1 댐 패턴 및 댐과 중첩된 다수의 제2 댐을 포함함으로써, 넌 액티브 영역에 배치된 댐의 폭이 영역 별로 각각 대응되는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 넌 액티브 영역에 다수의 제1 댐 패턴 및 댐과 중첩된 다수의 제2 댐을 포함함으로써, 유기발광 표시장치의 측면으로 침투하는 수분 등의 이물을 최소화하고, 각 측면으로 침투된 이물이 유기발광소자에 도달하는 시간의 차이를 최소화할 수 있는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 패널 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 X 영역(액티브 영역의 일부)에 대한 단면도이다.
도 4는 도 2의 A-B를 따라 절단한 영역을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 1의 제1 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 제3 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 도 1의 제4 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 패널 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 X 영역(액티브 영역의 일부)에 대한 단면도이다.
도 4는 도 2의 A-B를 따라 절단한 영역을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 1의 제1 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 제3 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 도 1의 제4 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 시스템 구현 예시도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 패널 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 3은 도 2의 X 영역(액티브 영역의 일부)에 대한 단면도이다. 도 4는 도 2의 A-B를 따라 절단한 영역을 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 영상을 표시하거나 빛을 출력하는 패널(PNL)과, 이러한 패널(PNL)을 구동하기 위한 구동회로를 포함할 수 있다.
패널(PNL)은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배열될 수 있다.
패널(PNL)에는, 서브픽셀 구조 등에 따라, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인 이외에, 다른 종류의 신호배선들이 배치될 수 있다. 구동전압 배선, 기준전압 배선, 또는 공통전압 배선 등이 더 배치될 수 있다.
패널(PNL)에 배치되는 신호배선들의 종류는, 서브픽셀 구조, 패널 타입 등에 따라 달라질 수 있다. 그리고, 본 명세서에서는 신호배선은 신호가 인가되는 전극을 포함하는 개념일 수도 있다.
패널(PNL)은 화상(영상)이 표시되는 액티브 영역(AA)과, 그 외곽 영역이고 화상이 표시되지 않는 넌-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다. 여기서, 넌-액티브 영역(NA)은 베젤 영역이라고도 한다.
액티브 영역(A/A)에는 화상 표시를 위한 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된다. 각각의 서브픽셀(SP)은 적어도 하나의 발광영역을 포함할 수 있다.
넌-액티브 영역(NA)에는 데이터 드라이버가 전기적으로 연결되기 위한 패드 영역이 배치되고, 이러한 패드 영역과 다수의 데이터 라인 간의 연결을 위한 다수의 데이터 링크 라인이 배치될 수도 있다. 여기서, 다수의 데이터 링크 라인은 다수의 데이터 라인이 넌-액티브 영역(NA)으로 연장된 부분들이거나, 다수의 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된 별도의 패턴들일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서, 데이터 드라이버는 다양한 타입들(TAB, COG, COF 등) 중 COF (Chip On Film) 타입으로 구현되고, 게이트 드라이버는 다양한 타입들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현될 수 있다.
데이터 드라이버는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현될 수 있다. 도 1은 데이터 드라이버가 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현된 경우를 예시한 것이다.
데이터 드라이버가 COF 타입으로 구현된 경우, 데이터 드라이버를 구현한 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 소스 측 회로필름(SF) 상에 실장 될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF)의 일 측은 패널(PNL)의 넌 액티브 영역(NA)에 존재하는 패드부 (패드들의 집합체)와 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF) 상에는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 패널(PNL)을 전기적으로 연결해주기 위한 배선들이 배치될 수 있다.
전자장치는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)의 타 측이 연결될 수 있다.
즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)은, 일 측이 패널(PNL)의 넌 액티브 영역(NA)과 전기적으로 연결되고, 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(CTR)가 배치될 수 있다.
또한, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 패널(PNL), 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC) 등이 더 배치될 수도 있다.
소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재(CBL)를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 여기서, 연결 부재(CBL)는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다.
게이트 드라이버가 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현된 경우, 게이트 드라이버에 포함된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는 패널(PNL)의 넌 액티브 영역(NA) 상에 직접 형성될 수 있다.
다수의 게이트 구동회로(GDC) 각각은 패널(PNL)에서의 액티브 영역(A/A)에 배치된 해당 게이트 라인(GL)으로 해당 스캔신호(SCAN)를 출력할 수 있다.
패널(PNL) 상에 배치된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들을 통해, 스캔신호 생성에 필요한 각종 신호(클럭신호, 하이 레벨 게이트 전압(VGH), 로우 레벨 게이트 전압(VGL), 스타트 신호(VST), 리셋 신호(RST) 등)를 공급받을 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들은, 다수의 게이트 구동회로(GDC)에 가장 인접하게 배치된 소스 측 회로필름(SF)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)의 패널은 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA) 외곽에 배치된 넌 액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다.
그리고, 패널은 넌 액티브 영역(NA)에 구비된 다수의 제2 댐 패턴(210) 및 댐(230)을 포함할 수 있다.
다수의 제2 댐 패턴(210)은 서로 이격하여 배치된 폐고리 형상(평면 형상)일 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 댐(230)은 평면 상으로 폐고리 형상일 수 있으며, 적어도 2개의 제2 댐 패턴(210)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
패널의 액티브 영역(AA)에는 다수의 유기발광소자(OLED)가 배치될 수 있다.
유기발광소자(OLED)는 수분 등의 이물에 취약한 특성을 갖는데, 이러한 유기발광소자(OELD)를 봉지하도록 유기발광 표시장치(100)의 제1 기판(하부 기판) 및 제2 기판(상부 기판) 사이에 댐(230, seal pattern)이 구비될 수 있다.
유기발광 표시장치(100)의 제1 기판과 제2 기판은 서로 대향하여 배치될 수 있고, 댐(230)은 상부 기판인 제2 기판의 일면에 형성한 후 제1 기판에 대향시켜 합착할 수 있다.
그러나, 제1 기판에 배치된 구성 및 구성의 구조가 영역 별로 상이하여 제1 및 제2 기판의 합착 후 댐(230)의 퍼짐 정도가 상이할 수 있다. 이로 인해, 댐(230)이 좁은 폭을 갖는 영역에서, 수분 등의 이물을 봉지하는 기능이 약화될 수 있다.
또한, 영역 별로 댐(230)의 폭이 상이할 할 경우, 유기발광 표시장치(100)의 측면으로 침투하는 이물이 유기발광소자(OLED)에 도달하는 시간의 차이를 야기할 수 있으며, 댐(230)의 폭이 좁은 영역과 가까이에 배치된 유기발광소자(OLED)는 다른 영역에 배치된 유기발광소자(OLED)보다 심한 열화가 발생하여 유기발광 표시장치(100)의 신뢰성 저하를 가져올 수 있다.
반면에 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)의 댐(230)은 영역 별로 서로 대응되는 폭을 가질 수 있다.
구체적으로, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)의 넌 액티브 영역(NA)은 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 제3 영역(A3) 및 제4 영역(A4)을 포함할 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제1 영역(A1)은 게이트 드라이버가 구비된 게이트 구동부를 포함하는 영역일 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)과 마주보는 영역으로, 게이트 드라이버가 구비된 게이트 구동부를 포함하는 영역일 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 구동부는 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 중 적어도 하나의 영역에 포함될 수도 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제3 영역(A3)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2) 각각의 일 측에 배치되고, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 패널의 전기적 연결을 위해 다수의 패드가 배치된 패드부를 포함하는 영역일 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제4 영역(A4)은 제3 영역(A3)과 마주보고, 패드부가 존재하지 않는 비 패드부이면서, 그라운드 컨택부일 수 있다.
하나의 댐(230)은 평면 상으로 폐고리 형태로 이루어짐으로써, 제1 내지 제4 영역(A1, A2, A3, A4)에 배치될 수 있다. 이와 같이, 댐(230)이 끊김 없는 형태로 이루어짐으로써, 외부로부터 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 댐(230)은 제1 영역(A1)에서 제1 폭(W1)을 갖고, 제2 영역(A2)에서 제2 폭(W2)을 가지며, 제3 영역(A3)에서 제3 폭(W3)을 갖고, 제4 영역(A4)에서 제4 폭(W4)을 가질 수 있다.
댐(230)의 제1 내지 제4 폭(W1, W2, W3, W4)은 서로 대응될 수 있다.
이에, 제1 내지 제4 영역(A1, A2, A3, A4) 각각에서 댐(230)이 외부로부터 침투하는 이물의 차단 효과가 서로 대응될 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 액티브 영역(AA)에는 다수의 서브픽셀(SP)이 배치되고, 하나의 서브픽셀(SP)은 적어도 하나의 발광영역(EA)을 포함할 수 있다. 발광영역(EA)은 비 발광영역(NEA)으로 둘러싸일 수 있다.
다시 말해, 패널(PNL)은 다수의 발광영역(EA)과 비 발광영역(NEA)을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 표시영역(AA)에는, 제1 기판(300) 상에 적어도 1개의 트랜지스터(310) 및 적어도 1개의 캐패시터(320)가 배치될 수 있다.
표시영역(AA)에서 구체적인 패널 구조를 검토하면 다음과 같다.
제1 기판(300) 상에는 적어도 1층의 버퍼층(301)이 배치될 수 있다. 버퍼층(301)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
트랜지스터(310)는 액티브층(311), 게이트 전극(312), 소스 전극(313) 및 드레인 전극(314)를 포함할 수 있다.
한편, 도 3에서는 트랜지스터(310)가 게이트 전극(312)이 액티브층(311)의 상부에 위치하는 탑 게이트(top gate) 구조인 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 본 발명의 실시예들에 따른 트랜지스터(310)는 게이트 전극(312)이 액티브층(311)의 하부에 위치하는 바텀 게이트(bottom gate) 구조 또는 게이트 전극(312)이 액티브층(311)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 구조 일 수도 있다.
또한, 도 3에서는 액티브층(311)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명의 실시예들에 따른 트랜지스터(310)는 액티브층(311)이 2층 이상의 구조로 이루어질 수도 있다.
도 3의 트랜지스터(310)의 구조를 상세히 검토하면 다음과 같다.
버퍼층(301) 상에는 액티브층(311)이 배치될 수 있다. 액티브층(311)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 액티브층(311)의 하부에는 액티브층(311)으로 입사되는 외부 광을 차단하기 위한 차광층이 더 배치될 수도 있다.
액티브층(311) 상에는 게이트 절연막(330)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(330)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(330) 상에는 게이트 전극(312)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(312)은 게이트 전극(312)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트 전극(312)이 도전물질을 포함하는 구성이면 충분하다.
게이트 전극(312) 상에는 층간 절연막(340)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(340)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(340) 상에는 소스 전극(313)과 드레인 전극(314)이 배치될 수 있다. 소스 전극(313)과 드레인 전극(314) 각각은 게이트 절연막(330)과 층간 절연막(340)에 구비된 제1 및 제2 컨택홀(CH1, CH2)을 통해 액티브층(311)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상술한 설명에서는 도 3의 313이 소스 전극이고, 314가 드레인 전극인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 3의 313이 드레인 전극이고, 314가 소스 전극일 수도 있다.
소스 전극(313)과 드레인 전극(314) 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
캐패시터(320)는 하부 전극(321)과 상부 전극(322)을 포함할 수 있다.
하부 전극(321)은 게이트 절연막(230) 상에 배치될 수 있고, 게이트 전극(312)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상부 전극(322)은 층간 절연막(340) 상에 배치될 수 있고, 소스 전극(323) 및 드레인 전극(324)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
트랜지스터(310) 및 캐패시터(320) 상에는 보호막(350)이 배치될 수 있다. 보호막(350)은 무기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON) 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
보호막(350) 상에는 제1 평탄화막(360, 또는 제1 오버코트층)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화막(360)은 유기절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 평탄화막(360) 상에는 유기발광소자(380)와 뱅크(384)가 배치될 수 있다.
유기발광소자(380)는 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 전극(381)은 애노드 전극이고, 제2 전극(383)은 캐소드 전극일 수 있다.
도 3에는 도시하지 않았으나, 표시영역(AA)에는 다수의 제1 전극(381)이 배치될 수 있으며, 다수의 제1 전극(381)은 서로 이격될 수 있다.
유기발광소자(380)의 제1 전극(381)은 제1 평탄화막(360) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(381)은 제1 평탄화막(360)과 보호막(350)에 구비된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 소스 전극(313)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극(381)은 은 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(381)과 제1 평탄화막(360) 상에는 뱅크(384)가 배치될 수 있다. 뱅크(384)는 제1 전극(381)의 상면의 일부를 노출하도록 배치될 수 있다.
뱅크(384)는 표시영역(AA) 내의 발광영역(EA)과 비 발광영역(NEA)을 정의하는 구성일 수 있다. 구체적으로, 표시영역(AA) 내에서 뱅크(384)가 배치된 영역은 비 발광영역(NEA)이고, 뱅크(384)가 미 배치된 영역은 발광영역(EA)일 수 있다.
제1 전극(381)과 뱅크(384) 상에는 적어도 한 층의 발광층을 포함하는 유기층(392)이 배치될 수 있다.
유기층(382)은 표시영역(AA) 내에서 제1 기판(200)의 전면에 배치될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기층(382)은 뱅크(384)와 미 중첩하는 제1 전극(381)의 상면에만 배치될 수도 있다.
유기층(392) 상에는 제2 전극(393)이 배치될 수 있다. 제2 전극(393)은 반사성 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(393)은 투명도전물질, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(383)은 표시영역(AA) 내에서 제1 기판(200)의 전면에 배치될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)이 반사성 금속을 포함하고, 제2 전극(383)이 투명도전물질을 포함함으로써, 상부발광(top emission) 방식의 유기발광소자(380)를 구현할 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(381)이 투명도전물질을 포함하고, 제2 전극(383)이 반사성 금속을 포함하여 하부발광(bottom emission) 방식의 유기발광소자(380)를 구현하거나, 제1 및 제2 전극(381, 383) 각각이 투명도전물질을 포함하여 양면 발광 방식의 유기발광소자(380)를 구현할 수도 있다.
또한, 도 3에서는 유기발광소자(380)의 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383) 중 적어도 하나의 구성이 다중층일 수 있다.
유기발광소자(380)의 제2 전극(383) 상에는 봉지층(390)이 배치될 수 있다.
봉지층(390)은 제2 전극(393) 상에 배치된 제1 봉지층(391), 제1 봉지층(391) 상에 배치된 제2 봉지층(292) 및 제2 봉지층(292) 상에 배치된 제3 봉지층(293)을 포함할 수 있다.
도 3에서는 봉지층(390)이 3층인 구성인 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 봉지층은 4층 이상으로 이루어질 수도 있다.
여기서, 제1 봉지층(391)과 제3 봉지층(293)은 무기절연물질을 포함할 수 있고, 제2 봉지층(292)은 유기절연물질을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 봉지층(292)은 이물(particle)이 제1 봉지층(391)을 거쳐 유기발광소자(380)에 침투하는 것을 방지할 수 있을만한 충분한 두께를 가질 수 있다.
이러한 봉지층(390)은 넌 액티브 영역(NA)까지 연장되어 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광소자(380)의 상면 및 측면을 커버하도록 배치될 수 있다.
또한, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 봉지층(390) 상에는 접착필름(395)이 배치될 수 있다.
접착필름(395)은 제1 기판(300)과 제2 기판(305) 사이에 위치하여, 제1 및 제2 기판(300, 305)을 접착할 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 접착필름(395) 내에는 외부로부터 침투하는 수분 또는 산소를 차단하기 위한 흡습제가 포함되어 있을 수 있다.
접착필름(395) 상에는 제2 기판(305)의 일면에 구비된 블랙 매트릭스(377) 및 컬러필터(370)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치의 하나의 픽셀은 4개의 서브픽셀을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나의 픽셀은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀 및 백색 서브픽셀을 포함할 수 있다.
유기발광소자(380)의 유기층(382)으로부터 발광된 광이 백색 광일 경우, 적색 서브픽셀에 해당하는 영역에는 제2 기판(305)의 일 면에 적색 컬러필터(371471)가 배치될 수 있고, 청색 서브픽셀에 해당하는 영역에는 제2 기판(305)의 일 면에 청색 컬러필터(372472)가 배치될 수 있으며, 녹색 서브픽셀에 해당하는 영역에는 제2 기판(305)의 일 면에 녹색 컬러필터(373473)가 배치될 수 있다. 그리고, 백색 서브픽셀에 해당하는 영역에는 컬러필터가 미 배치될 수 있다. 백색 서브픽셀의 발광영역과 대응되는 제2 기판(305)의 일면은 블랙 매트릭스(377)로부터 개구된 영역(275475)이 존재할 수 있다.
적색, 녹색 및 청색 서브픽셀에 해당하는 영역에는 제2 기판(305)의 일 면에
블랙 매트릭스(377)는 액티브 영역(AA) 내에서 비 발광영역(NEA)과 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 다시 말해, 블랙 매트릭스(377)는 발광영역(EA)을 오픈하도록 배치될 수 있다.
컬러필터(370)는 액티브 영역(AA) 내에서 발광영역(EA)과 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 컬러필터(370)의 일부는 비 발광영역(NEA)의 일부 영역까지 연장되어 블랙 매트릭스(377)의 일부와 중첩될 수도 있다.
블랙 매트릭스(377) 및 컬러필터(370)가 배치된 제2 기판(305) 상에는 제2 평탄화막(378, 또는 제2 오버코트층)이 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상술한 바와 같은 액티브 영역(AA)의 구조를 갖는 본 발명의 유기발광 표시장치(100)는 넌 액티브 영역(NA)에서 제2 기판(305)의 일 면에 블랙 매트릭스(377)와 동일층에 배치된 다수의 제2 댐 패턴(210)을 구비할 수 있다.
블랙 매트릭스(377)의 오픈 영역의 폭(X1)은, 하나의 제2 댐 패턴(210) 및 인접한 다른 하나의 제2 댐 패턴(210)의 폭(X2)과 서로 대응되거나 좁을 수 있다.
여기서, 블랙 매트릭스(377)의 오픈 영역의 폭(X1)과 제2 댐 패턴(210) 사이의 폭(X2)은 유기발광소자(380)의 제1 전극(381), 유기층(382) 및 제2 전극(383)이 적층되는 방향과 수직한 방향을 기준으로 한 최단 길이일 수 있다.
제1 기판(300) 상에는 다수의 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다.
제1 댐 패턴(410)의 하부에는 적어도 한 층의 보상 패턴(411)이 배치될 수 있다.
보상 배턴(411)은 제1 댐 패턴(410)이 제1 기판(300)으로부터 분리되지 않도록 제1 댐 패턴(410)과 제1 기판(300) 사이의 접착력을 향상시켜주는 역할을 할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 댐 패턴(410)은 제1 기판(300) 상에 적어도 2개가 배치될 수 있다.
하나의 제1 댐 패턴(410)은 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)하부에 배치되되, 제2 전극(383)과 중첩될 수 있다. 그리고, 제2 전극(383)과 중첩된 제1 댐 패턴(410)은 하나의 제2 댐 패턴(210)과 중첩될 수 있다.
한편, 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)은 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 배치됨으로써, 제1 댐 패턴(410) 및 제2 댐 패턴(210)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 전극(383)과 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 유기발광소자(380)를 보호하기 위한 봉지층(390)과도 중첩될 수 있다.
다시 말해, 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)은 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410) 및 적어도 하나의 제2 댐 패턴(210)과 중첩될 수 있다. 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 댐(230)을 형성하는 공정에서, 댐(230) 물질이 액티브 영역(AA)내로 침투하여 유기발광 표시장치(100)의 신뢰성 및 휘도를 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 넌 액티브 영역(NA)의 면적이 좁을 경우, 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)이 배치될 수 있는 면적이 부족할 수 있으나, 본 발명의 실시예들에서는 제2 전극(383)이 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410) 및 적어도 하나의 제2 댐 패턴(210)과 중첩됨으로써, 다시 말해, 다수의 구성이 중첩하여 배치되는 구조를 가짐으로써, 넌 액티브 영역(NA)의 면적이 좁을 경우에도, 다수의 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)이 형성될 수 있기 때문에 댐(230) 물질이 액티브 영역(AA) 내로 과도하게 흐르는 것을 방지할 수 있다.
다수의 제1 댐 패턴(410) 중 제2 전극(383)과 중첩된 하나의 제1 댐 패턴(410)은 액티브 영역(AA)과 가장 가깝게 배치된 제1 댐 패턴(410)일 수 있고, 다수의 제2 댐 패턴(210) 중 제2 전극(383)과 중첩된 하나의 제2 댐 패턴(210)은 액티브 영역(AA)과 가장 가깝게 배치된 제2 댐 패턴(210)일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 넌 액티브 영역(NA)의 면적이 충분히 확보될 수 있는 경우, 액티브 영역(AA)과 가장 가깝게 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)과 이격하여 배치될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 봉지층(390)과도 이격하여 배치될 수 있으며, 접착필름(395)과 중첩될 수 있다.
다른 하나의 제1 댐 패턴(410)은 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 하나의 제2 댐 패턴(210)과 중첩될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에서 제1 댐 패턴(410) 및 제2 댐 패턴(210)이 서로 중첩하도록 배치됨으로써, 댐(230) 형성 시, 댐(230) 물질이 유기발광 표시장치(100) 외부로 흐르는 것을 상부와 하부에서 막아줄 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)과 중첩하는 제2 댐 패턴(210)과 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 제2 댐 패턴(210) 사이에는 다수의 제2 댐 패턴(210)이 더 배치될 수 있다.
제2 전극(383)과 중첩하는 제2 댐 패턴(210)과 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 제2 댐 패턴(210) 사이에 배치된 다수의 제2 댐 패턴(210) 중 2개 이상의 제2 댐 패턴(210)은 댐(230)과 중첩될 수 있다.
댐(230)과 중첩된 2개 이상의 제2 댐 패턴(210)은 댐(230)의 물질이 과도하게 퍼지는 것을 방지하는 동시에, 댐(230)이 외부로부터 침투하는 수분 등의 이물을 차단할 수 있는 적정한 폭을 갖는 지 확인 할 수 있도록 한다.
댐(230)의 폭은 패널의 신뢰성을 확보하는데 주요한 요인이 되며, 패널의 신뢰성 확보를 위해서는 댐(230)이 유효 폭(K)을 유지하는 것이 중요하다. 여기서, 댐(230)의 유효 폭(K)이란 유기발광 표시장치(100)의 신뢰성을 확보하는데 필요한 댐(230)의 폭을 말한다.
그러나, 댐(230)의 폭은 댐(230) 물질의 도포량 및 제1 기판(300)과 제2 기판(305)의 합착 공정에 의해 변동될 수 있다.
댐(230)이 액티브 영역(AA)과 가장 가까이 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)을 넘어서 액티브 영역(AA)까지 형성되거나 또는 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)을 넘어서 신뢰성에 문제가 되는 댐(230) 폭을 갖도록 형성될 경우, 쉽게 불량을 구별할 수 있다.
그러나, 댐(230)이 액티브 영역(AA)과 가장 가까이 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)과 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)를 벗어나지 않고 이들 내부에 형성되는 경우, 댐(230)이 유효 폭(K)으로 형성된 것인지 아닌지 판별이 어려울 수 있다.
반면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서는 제2 기판(305)의 일 면에 다수의 제2 댐 패턴(210)이 배치되고, 다수의 제2 댐 패턴(210) 중 일부가 댐(230)과 중첩하도록 배치됨으로써, 댐(230)의 끝 단의 위치를 제2 댐 패턴(210)을 통해 식별 가능할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서는 댐(230)의 유효 폭(K)의 식별을 위해, 다수의 제2 댐 패턴(210)들의 이격거리가 서로 대응되도록 배치될 수 있다. 여기서, 다수의 제2 댐 패턴(210)들의 이격거리는 하나의 제2 댐 패턴(210) 및 인접한 다른 하나의 제2 댐 패턴(210)의 폭(X2)과 대응될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)에서는 댐(230)이 몇 개의 제2 댐 패턴(210)과 중첩하도록 배치되는지에 따라 댐(230)의 유효 폭(K)을 구별할 수 있다.
한편, 도 4에서는 댐(230)이 액티브 영역(AA)과 가장 가까이 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210), 그리고 넌 액티브 영역(NA)의 최 외곽에 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)과는 중첩되지 않는 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 댐(230) 각 댐 패턴들(410, 210)과 중첩할 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)에서는 제1 댐 패턴(410)과 제2 댐 패턴(210)의 위치가 영역 별로 상이할 수 있다.
이를 도 5 내지 도 7을 참조하여 검토하면 다음과 같다.
도 5는 도 1의 제1 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 5를 참조하면, 패널의 제1 영역(A1)에는 게이트 구동부가 구비될 수 있다. 게이트 구동부는 다수의 게이트 구동회로를 포함할 수 있다.
제1 영역(A1)에는 다수의 신호라인(510, 520)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 다수의 신호라인(510, 520)은 서로 다른 층에 배치된 제1 신호라인(510)과 제2 신호라인(520)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 영역(A1)의 일부 및 액티브 영역(AA)의 일부에 대한 구조를 검토하면 다음과 같다.
제1 기판(300) 상에는 버퍼층(301)이 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제1 영역(A1)에서 버퍼층(301) 상에는 액티브 영역(AA) 내에 배치된 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 층에 제1 신호라인(510)이 배치될 수 있다.
제1 신호라인(510) 상에는 층간 절연막(340)이 배치될 수 있다.
한편, 도 5에는 도시하지 않았으나, 층간 절연막(340) 하부에 게이트 절연막이 더 배치될 수도 있다.
층간 절연막(340) 상에는 액티브 영역(AA) 내에 배치된 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일층에 배치된 제2 신호라인(520)이 배치될 수 있다.
여기서, 제1 및 제2 신호라인(510, 520)은 게이트 구동 관련 배선일 수 있고, 제1 영역(A1)에 배치된 게이트 구동회로는 제1 및 제2 신호라인(510, 520)을 통해 스캔신호 생성에 필요한 각종 신호(클럭신호, 하이 레벨 게이트 전압(VGH), 로우 레벨 게이트 전압(VGL), 스타트 신호(VST), 리셋 신호(RST) 등)를 공급받을 수 있다.
한편, 도 5에는 도시하지 않았으나, 제1 및 제2 신호라인(510, 520)은 컨택홀을 통해 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 버퍼층(301), 층간 절연막(340) 및 보호층(350)은 액티브 영역(AA)에서부터 넌 액티브 영역(NA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
보호층(350) 상에는 평탄화막(360)이 배치될 수 있다.
평탄화막(360)은 액티브 영역(AA)에서부터 넌 액티브 영역(NA)의 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다.
액티브 영역(AA)에서는 평탄화막(360) 상에 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)이 배치될 수 있다.
제1 전극(381)의 일부와 평탄화막(360) 일부 상에는 뱅크(384)가 배치될 수 있다. 뱅크(384)는 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에는 뱅크(384)와 동일층에 배치된 다수의 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다.
구체적으로, 액티브 영역(AA)과 인접하여 배치된 제1 댐 패턴(410)은 액티브 영역(AA)으로부터 넌 액티브 영역(NA)까지 연장되어 배치된 평탄화막(360) 상에 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 제1 댐 패턴(410) 하부에 배치된 평탄화막(360)은 보상 패턴의 역할을 할 수 있다.
또한, 댐(230)의 일 측의 보호층(350) 상에는 보상 패턴(411) 및 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다. 한편, 도 5에서는 보상 패턴(411) 및 제1 댐 패턴(410)이 보호층(350) 상에 배치된 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 보상 패턴(411) 및 제1 댐 패턴(410) 평탄화막(360) 하부에 배치된 다른 절연층 상에 배치되는 구조라면 본 발명의 실시예를 충족할 수 있다.
보상 패턴(411)은 평탄화막(360)과 동일층에 배치될 수 있다. 또한, 보상 패턴(411)과 평탄화막(360)은 서로 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 다시 말해, 보상 패턴(411)을 평탄화막(360)을 형성하는 공정과 동일한 공정으로 형성할 수 있으므로, 공정을 간단히 할 수 있는 효과가 있다.
넌 액티브 영역(NA)에서 보상 패턴(411) 및 평탄화막(360) 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴(410)은 뱅크(384)와 동일층에 배치될 수 있다. 또한, 다수의 제1 댐 패턴(410)과 뱅크(384)는 서로 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 다시 말해, 다수의 제1 댐 패턴(410)을 뱅크(384)를 형성하는 공정과 동일한 공정으로 형성할 수 있으므로, 공정을 간단히 할 수 있는 효과가 있다.
뱅크(384) 및 제1 전극(360) 상에는 발광층을 포함하는 유기발광소자(380)의 유기층(382)이 배치될 수 있다.
유기층(382)은 액티브 영역(AA)의 전 영역에 배치되거나, 하나의 서브픽셀 별로 배치될 수도 있다. 이러한 유기층(382)은 넌 액티브 영역(NA)의 일부에도 배치될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 유기층(382)은 평탄화막(360) 상에 배치된 적어도 하나의 제1 댐 패턴(360)을 덮도록 배치될 수 있다.
유기층(382) 상에는 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)이 배치될 수 있다.
제2 전극(383)은 액티브 영역(AA)에 배치되고, 넌 액티브 영역(NA)에도 배치될 수 있다. 넌 액티브 영역(NA)에서 제2 전극(383)은 유기층(382)의 상면과 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
제2 전극 (383) 상에는 봉지층(390)이 배치될 수 있다.
봉지층(390)은 액티브 영역(AA)과 넌 액티브 영역(NA)에 배치될 수 있으며, 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)의 측면 및 상면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA) 일부에는 댐(230)이 배치될 수 있다.
댐(230) 상에는 다수의 제2 댐 패턴(210)이 배치된 제2 기판(305)이 배치될 수 있다.
적어도 하나의 제2 댐 패턴(210)은 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410)과 중첩하고, 서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 제1 및 제2 신호라인(510, 520)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
또한, 서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210) 중 일부는 유기층(382) 및 제2 전극(383)과도 중첩될 수 있다.
이와 같이, 다수의 구성이 넌 액티브 영역(NA)에서 중첩되도록 배치됨으로써, 넌 액티브 영역(NA)의 제1 영역(A1)의 면적을 축소할 수 있는 효과가 있다.
또한, 다수의 제2 댐 패턴(210)의 일부는 댐(230)과 중첩될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 댐(230)과 다수의 제2 댐 패턴(210)이 중첩하도록 배치됨으로써, 댐(230)이 유효 폭(K1, 이하 제1 영역에서 댐의 유효 폭을 제1 유효 폭으로 명명함)을 갖는지 아닌지에 대해 판별할 수 있다.
한편, 도 5에서는 댐(230)의 일 측의 보호층(350) 상에 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210) 및 액티브 영역(AA)과 가장 인접하게 배치된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)이 댐(230)과 중첩하지 않는 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 5에서는 제1 댐 패턴(410)이 2개인 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 댐 패턴(410)은 3개 이상일 수도 있다.
도 5에서는 넌 액티브 영역(NA)의 제1 영역(A1)의 구조를 중심으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 영역(A2)이 게이트 구동부를 포함하는 경우, 제2 영역(A2)의 구조는 상술한 제1 영역(A1)의 구조와 대응될 수 있다.
도 6은 도 1의 제3 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 6을 참조하면, 패널의 제3 영역(A3)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 전기적으로 연결되기 위한 패드부가 구비될 수 있다.
구체적으로, 제3 영역(A3)의 일부 및 액티브 영역(AA)의 일부에 대한 구조를 검토하면 다음과 같다.
제3 영역(A3)에는 패드 전극(620)이 배치된 패드부 및 제3 신호라인(610)이 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)의 제3 영역(A3)에서 버퍼층(301) 상에는 액티브 영역(AA) 내에 배치된 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 층에 제3 신호라인(610)이 배치될 수 있다.
한편, 도 6에는 도시하지 않았으나, 액티브 영역(AA) 내에 배치된 다수의 데이터 라인과 다수의 기준전압 라인 각각은 제3 영역(A3)에 구비된 다수의 제3 신호라인(610) 중 적어도 어느 하나를 통해 패드부에 구비된 패드 전극(620)에 전기적으로 연결될 수 있다. 다시 말해, 제3 신호라인(610)은 소스 드라이버 집적회로와 패널을 전기적으로 연결해주는 역할을 할 수 있다. 여기서, 제3 신호라인(610)은 소스 드라이버 집적회로와 패널의 전기적 연결을 위해, 패드 전극(620)과도 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 신호라인(520) 상에는 보호층(350)이 배치될 수 있다.
제3 신호라인(610) 상에는 층간 절연막(340) 및 보호층(350)이 배치될 수 있다. 한편, 도 6에는 도시하지 않았으나, 층간 절연막(340) 하부에는 게이트 절연막이 더 배치될 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼층(301), 층간 절연막(340) 및 보호층(350)은 액티브 영역(AA)에서부터 넌 액티브 영역(NA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
보호층(350) 상에는 평탄화막(360)이 배치될 수 있다.
평탄화막(360)은 액티브 영역(AA)에서부터 넌 액티브 영역(NA)의 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다.
액티브 영역(AA)에는 유기발광소자(380) 및 뱅크(384)가 배치될 수 있으며, 뱅크(384)는 넌 액티브 영역(NA)의 일부까지 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에는 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)과 동일층에 제1 도전층(681)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(681)은 제1 전극(381)과 서로 대응되는 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 도전층(681)은 유기발광소자(380)의 점등 여부를 체크하기 위한 신호가 인가되는 구성일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
넌 액티브 영역(NA)에서, 제1 도전층(681) 상에는 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다. 여기서, 제1 도전층(681)은 제1 댐 패턴(410)의 하부에 배치됨으로써, 보상 패턴 역할을 할 수 있다.
제1 댐 패턴(410) 상에는 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)이 배치될 수 있다. 유기발광소자(380)의 제2 전극(383)은 제1 댐 패턴(410)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
그리고, 봉지층(390)은 이러한 제2 전극(383) 상에 배치되되, 제2 전극(383)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
다시 말해, 평탄화막(360) 및 제1 도전층(681) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)은 유기발광소자(380)의 제2 전극(383) 및 봉지층(390)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
또한, 제3 영역(A3)에서는 봉지층(390)이 평탄화막(360)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 봉지층(390)은 보호층(350)의 상면의 일부를 노출하도록 배치될 수 있다.
봉지층(390)에 의해 상면이 노출된 보호층(350)과 제3 영역(A3)의 일부에 구비된 봉지층(390) 상에는 댐(230)이 배치될 수 있다.
댐(230)의 일 측에는 보호층(350) 상에 배치된 보상 패턴(411) 및 보상 패턴(411) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다.
제1 도전층(681) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410) 및 보상 패턴(411) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)은 뱅크(383)와 동일층에 배치될 수 있으며, 보상 패턴(411)은 평탄화막(360)과 동일층에 배치될 수 있다.
댐(230) 상에는 다수의 제2 댐 패턴(210)이 배치된 제2 기판(305)이 배치될 수 있다.
적어도 하나의 제2 댐 패턴(210)은 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410)과 중첩하고, 서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 제1 도전층(681) 및 제2 전극(383) 중첩하도록 배치될 수 있다.
서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210) 중 일부는 제3 신호라인(610)과도 중첩될 수 있다.
이와 같이, 다수의 구성이 넌 액티브 영역(NA)에서 중첩되도록 배치됨으로써, 넌 액티브 영역(NA)의 제3 영역(A3)의 면적을 축소할 수 있는 효과가 있다.
다수의 제2 댐 패턴(210)의 일부는 댐(230)과 중첩될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 댐(230)과 다수의 제2 댐 패턴(210)이 중첩하도록 배치됨으로써, 댐(230)이 유효 폭(K2, 이하 제3 영역에서 댐의 유효 폭을 제2 유효 폭으로 명명함)을 갖는지 아닌지에 대해 판별할 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 댐(230)의 제1 유효 폭(K1)은 도 6에 도시된 댐(230)의 제2 유효 폭(K2)과 대응될 수 있다.
도 7은 도 1의 제4 영역의 일부 및 액티브 영역의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제4 영역(A4)은 비 패드부를 포함할 수 있다. 여기서, 비 패드부는 그라운드 컨택부를 의미할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 제4 영역(A4)의 일부 및 액티브 영역(AA)의 일부에 대한 구조를 검토하면 다음과 같다.
넌 액티브 영역(NA)의 제4 영역(A4)에서 버퍼층(301) 상에는 액티브 영역(AA) 내에 배치된 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 층에 제4 신호라인(710)이 배치될 수 있다.
여기서, 제4 신호라인(710)은 그라운드 접지를 위한 그라운드 배선일 수 있다.
제4 신호라인(710) 상에는 층간 절연막(340) 및 보호층(350)이 배치될 수 있다. 한편, 도 7에는 도시하지 않았으나, 층간 절연막(340) 하부에는 게이트 절연막이 더 배치될 수도 있다.
보호층(350) 상에는 평탄화막(360)이 배치될 수 있다.
평탄화막(360)은 액티브 영역(AA)에서부터 넌 액티브 영역(NA)의 일부 영역까지 연장되어 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역(NA)에는 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)과 동일층에 제2 도전층(781)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(781)은 제1 전극(381)과 서로 대응되는 물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제2 도전층(781)에는 공통 전압(Vcom)인 저전위 구동전압(EVSS)이 인가될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
넌 액티브 영역(NA)에서, 평탄화막(360) 상에는 제2 도전층(781)과 이격된 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다. 여기서, 평탄화막(360)은 제1 댐 패턴(410) 하부에 배치됨으로써, 보상 패턴 역할을 할 수 있다.
다른 측면으로, 제1 댐 패턴(410)은 액티브 영역(AA) 내에서 넌 액티브 영역(NA)과 인접하여 배치된 유기발광소자(380)의 제1 전극(381)과 제2 도전층(781) 사이에 배치될 수 있다.
제1 댐 패턴(410) 상에는 유기발광소자(380)의 유기층(382)의 일부 및 제2 전극(383)이 배치될 수 있다.
유기발광소자(380) 유기층(382)은 제1 댐 패턴(410)의 일 측면 및 상면의 일부와 중첩될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유기층(382)은 제1 댐 패턴(410)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 배치되거나, 제1 댐 패턴(410)과 이격하여 배치될 수도 있다.
유기발광소자(380)의 제2 전극(383)은 유기층(382) 상에 배치되며, 제1 댐 패턴(410)의 상면 및 측면과 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극(383)은 제2 도전층(781)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 넌 액티브 영역(NA)에 배치된 평탄화막(360)의 일 측면과 중첩하도록 배치될 수 있다.
그리고, 봉지층(390)은 이러한 제2 전극(383) 상에 배치되되, 제2 전극(383)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
다시 말해, 평탄화막(360) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)은 유기발광소자(380)의 제2 전극(383) 및 봉지층(390)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
댐(230)의 일 측에는 보호층(350) 상에 배치된 보상 패턴(411) 및 보상 패턴(411) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)이 배치될 수 있다.
평탄화막(460) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410) 및 보상 패턴(411) 상에 배치된 제1 댐 패턴(410)은 뱅크(383)와 동일층에 배치될 수 있으며, 보상 패턴(411)은 평탄화막(360)과 동일층에 배치될 수 있다.
댐(230) 상에는 다수의 제2 댐 패턴(210)이 배치된 제2 기판(305)이 배치될 수 있다.
적어도 하나의 제2 댐 패턴(210)은 적어도 하나의 제1 댐 패턴(410)과 중첩하고, 서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210)은 제2 전극(383) 중첩하도록 배치될 수 있다.
또한, 서로 중첩된 제1 및 제2 댐 패턴(410, 210) 중 일부는 제4 신호라인(710)과도 중첩될 수 있다.
이와 같이, 다수의 구성이 넌 액티브 영역(NA)에서 중첩되도록 배치됨으로써, 넌 액티브 영역(NA)의 제4 영역(A4)의 면적을 축소할 수 있는 효과가 있다.
다수의 제2 댐 패턴(210)의 일부는 댐(230)과 중첩될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 댐(230)과 다수의 제2 댐 패턴(210)이 중첩하도록 배치됨으로써, 댐(230)이 유효 폭(K3, 이하 제4 영역에서 댐의 유효 폭을 제3 유효 폭으로 명명함)을 갖는지 아닌지에 대해 판별할 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 댐(230)의 제1 유효 폭(K1), 도 6에 도시된 댐(230)의 제2 유효 폭(K2) 및 도 7에 도시된 댐(230)의 제3 유표 폭(K3) 각각은 서로 대응될 수 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 제2 영역(A2)에 배치된 댐(230)의 유효 폭은 제1 영역(A1)에 배치된 댐(230)의 유효 폭과 대응되므로, 제1 내지 제4 영역(A1, A2, A3, A4)에 배치된 댐(230)의 유표 폭은 모두 대응될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치(100)는 영역 별로 댐(230)의 폭이 대응되므로, 유기발광 표시장치(100)의 측면으로 침투하는 이물이 유기발광소자(OLED)에 도달하는 시간의 차이를 최소화할 수 있으며, 이에, 영역에 따라 이물에 의한 유기발광소자(OLED)의 열화 정도의 차이 역시 최소화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 넌 액티브 영역에 다수의 제1 댐 패턴 및 댐과 중첩된 다수의 제2 댐을 포함함으로써, 배치된 댐의 폭이 영역 별로 각각 대응되는 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
210: 제2 댐 패턴
230: 댐
380: 유기발광소자
381: 제1 전극
382: 유기층
383: 제2 전극
410: 제1 댐 패턴
230: 댐
380: 유기발광소자
381: 제1 전극
382: 유기층
383: 제2 전극
410: 제1 댐 패턴
Claims (20)
- 다수의 서브픽셀을 갖는 액티브 영역과, 서로 마주보도록 배치된 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 하나에 구비된 게이트 구동부, 상기 제1 및 제2 영역 각각의 일 측에 배치된 제3 영역에 구비된 패드부 및 상기 제1 영역과 마주보는 제4 영역에 구비된 비 패드부를 포함하는 넌 액티브 영역을 구비하는 유기발광 표시장치에 있어서,
제1 기판;
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴;
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 상에 배치된 다수의 제2 댐 패턴;
상기 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판; 및
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되되, 적어도 2개의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 2개의 상기 제2 댐 패턴과 중첩된 댐을 포함하는 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 기판과 다수의 상기 제1 댐 패턴 중 적어도 하나의 제1 댐 패턴 사이에는 보상 패턴이 구비된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 액티브 영역은 적어도 하나의 발광영역을 포함하는 다수의 서브픽셀을 포함하고,
상기 제2 기판의 일면에는 상기 다수의 서브픽셀을 정의하는 블랙 매트릭스가 배치된 유기발광 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스의 오픈 영역의 폭은, 하나의 상기 제2 댐 패턴 및 인접한 다른 하나의 상기 제2 댐 패턴의 폭과 서로 대응되거나 좁은 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴과 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 서로 중첩된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 액티브 영역에는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자가 배치되고,
상기 제1 영역에서, 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 유기층 및 제2 전극과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제6 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴은 상기 유기층과 상기 제1 전극 하부에 배치된 평탄화막 사이에 배치된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역 중 적어도 하나의 영역에서, 상기 제1 기판 상에는 적어도 하나의 제1 신호라인 및 상기 제1 신호라인 상에 적어도 하나의 제2 신호라인이 배치되고,
적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 제1 신호라인 및 상기 제2 신호라인과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 신호라인 및 제2 신호라인은 스캔 신호 생성에 필요한 신호를 상기 게이트 구동부에 배치된 게이트 구동회로에 공급하는 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 액티브 영역에는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자가 배치되고,
상기 제3 영역에서, 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 제1 전극과 동일 층에 배치된 제1 도전층 및 상기 제2 전극과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴은 상기 제2 전극과 상기 제1 도전층 사이에 배치된 유기발광 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제3 영역에서, 상기 제1 기판 상에는 적어도 하나의 제3 신호라인 배치되고,
적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 제3 신호라인과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제3 신호라인은 상기 액티브 영역 내에 배치된 다수의 데이터 라인과 다수의 기준전압 라인과 전기적으로 연결되고, 상기 패드부에 구비된 패드 전극과 전기적으로 연결된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 액티브 영역에는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자가 배치되고,
상기 제4 영역에서, 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 제2 전극과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴은 상기 제1 전극 하부에 배치된 평탄화막과 상기 제2 전극 사이에 배치된 유기발광 표시장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 제1 댐 패턴 사이에 상기 유기층이 더 배치된 유기발광 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제4 영역에서, 상기 제1 기판 상에는 적어도 하나의 제4 신호라인이 배치되고,
적어도 하나의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 하나의 상기 제2 댐 패턴은 상기 제4 신호라인과 중첩된 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 다수의 제1 댐 패턴은 서로 이격하여 배치된 폐고리 형상이고,
상기 다수의 제2 댐 패턴은 서로 이격하여 배치된 폐고리 형상이며,
상기 다수의 제2 댐 패턴의 수는 상기 다수의 제1 댐 패턴의 수보다 많은 유기발광 표시장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 영역 내지 상기 제4 영역에서 상기 댐의 폭은 서로 대응되는 유기발광 표시장치. - 적어도 하나의 발광 영역을 포함하는 다수의 서브픽셀을 갖는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역의 외곽영역에 배치된 넌 액티브 영역을 구비하는 유기발광 표시패널에 있어서,
제1 기판;
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 상에 배치된 다수의 제1 댐 패턴;
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 상에 배치된 다수의 제2 댐 패턴;
상기 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판;
상기 넌 액티브 영역에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되되, 적어도 2개의 상기 제1 댐 패턴 및 적어도 2개의 상기 제2 댐 패턴과 중첩된 댐; 및
상기 제2 기판의 일면에 상기 다수의 서브픽셀을 정의하고, 상기 제2 댐 패턴과 동일 층에 배치된 다수의 블랙 매트릭스를 포함하고,
하나의 상기 블랙 매트릭스 및 인접한 다른 하나의 상기 블랙 매트릭스 사이의 폭은, 하나의 상기 제2 댐 패턴 및 인접한 다른 하나의 상기 제2 댐 패턴의 폭과 서로 대응되거나 좁은 유기발광 표시패널.
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