CN111261670A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111261670A
CN111261670A CN201911131873.5A CN201911131873A CN111261670A CN 111261670 A CN111261670 A CN 111261670A CN 201911131873 A CN201911131873 A CN 201911131873A CN 111261670 A CN111261670 A CN 111261670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
connector
insulating layer
region
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911131873.5A
Other languages
English (en)
Inventor
尹一求
金才源
朴贤爱
朴亨埈
成承祐
安俊勇
严努力
尹宁秀
李知恩
赵乘汉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111261670A publication Critical patent/CN111261670A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/82Interconnections, e.g. terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

显示装置包括:基板,所述基板包括显示区、外周区和衬垫区;外周区中的第一主电压线,和从第一主电压线延伸至衬垫区的第一连接器;和外周区中的第二主电压线,和从第二主电压线延伸至衬垫区的第二连接器,其中第一连接器和第二连接器中的每一个包括彼此重叠的第一层和第二层,所述第一层和所述第二层之间有第一绝缘层,第一绝缘层在显示区和外周区中,外周区包括开放区,所述开放区暴露第一连接器和第二连接器,并且围绕显示区,并且第一绝缘层包括缝隙,所述缝隙在第一连接器和第二连接器之间,并且从第一绝缘层的末端朝向显示区延伸。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0153019号的权益,其公开通过引用以其整体在此并入。
技术领域
本公开在此涉及显示装置。
背景技术
随着允许视觉显示各种电信号信息的显示器领域的迅速进步,正在研究和开发具有提高的特性,比如纤细轮廓、轻重量和低电力消耗的各种显示装置。这些显示器中的一种类型是有机发光显示装置,其是不需要另外的电源的自发射显示装置,因此其可用低电压驱动,并且由轻的膜形成。另外,有机发光显示装置提供了高质量特征,比如宽视角、高对比度和迅速响应。因此,其作为下一代的显示装置得到了许多关注。
有机发光显示装置包括多个像素。当有机发光显示装置通过模拟驱动方法运转时,有机发光显示装置的像素通过根据输入电压或电流数据的大小而调整明度来表现灰度图像。当有机发光显示装置通过数字驱动方法运转时,即使当有机发光显示装置的像素发射具有相同明度的光,它们也会根据不同的发光时间段来表现灰度图像。在向像素供应电力的电源线中,由于电阻组件,可出现电压降(或电流-电阻(IR)降)。这可使有机发光显示装置的图像质量劣化。
发明内容
一个或多个实施方式包括配置为显示高质量图像,并且防止电线之间短路的显示装置。
另外的方面将部分在下面的描述中陈述,并且部分将从描述中显而易见,或可通过呈现的实施方式的实践而获知。
根据一个或多个实施方式,显示装置包括基板,所述基板包括显示区、显示区外部的外周区和外周区中的衬垫区;第一主电压线,所述第一主电压线布置在基板的外周区中,并且在显示区的边缘和衬垫区之间,并且第一连接器从第一主电压线延伸至衬垫区;和第二主电压线,所述第二主电压线布置在基板的外周区中,并且对应于显示区的另一边缘,并且第二连接器从第二主电压线延伸至衬垫区,其中第一连接器和第二连接器中的每一个包括彼此重叠的第一层和第二层,它们之间有第一绝缘层,其中第一绝缘层布置在基板的显示区和外周区中,外周区包括开放区,所述开放区暴露第一连接器和第二连接器,并且围绕显示区,并且第一绝缘层包括多个缝隙,所述多个缝隙布置在第一连接器和第二连接器之间,并且从第一绝缘层的末端朝向显示区延伸。
显示装置可在开放区中进一步包括第二层上的第二绝缘层。
第二绝缘层可进一步包括高度差减小器,所述高度差减小器在第一连接器和第二连接器之间的第二绝缘层与开放区的边界处,并且高度差减小器的厚度可小于第二绝缘层的厚度。
高度差减小器的两个相对的远端可分别与第一连接器和第二连接器重叠。
第二绝缘层可在分别与多个缝隙重叠的位置中包括多个凹面部。
在开放区中,第一连接器和第二连接器各自可包括第二层,并且可不包括第一层。
在开放区中,第一连接器的侧面和第二连接器的侧面可包括压花结构。
在其中第二层与第一层重叠的区中,第二层可包括暴露第一绝缘层的多个孔。
多个孔可构成多个行,并且在多个行中,彼此邻近的两个行中的孔可布置为在纵向方向上彼此交错。
第一绝缘层可包括多个接触孔,第一层经多个接触孔连接至第二层,并且多个接触孔可分别布置在多个孔之间。
根据一个或多个实施方式,显示装置包括基板,所述基板包括显示区、显示区外部的外周区和外周区中的衬垫区;第一主电压线,所述第一主电压线布置在基板的外周区中,并且在显示区的边缘和衬垫区之间,并且第一连接器从第一主电压线延伸至衬垫区;和第二主电压线,所述第二主电压线布置在基板的外周区中,并且对应于显示区的另一边缘,并且第二连接器从第二主电压线延伸至衬垫区,其中第一连接器和第二连接器中的每一个包括其中堆叠第一层和第二层的结构,第一绝缘层布置在第一层和第二层之间,并且第二绝缘层布置在第二层上,外周区包括开放区,所述开放区暴露部分第一连接器和部分第二连接器,并且围绕显示区,并且第二绝缘层包括高度差减小器,所述高度差减小器在第一连接器和第二连接器之间的所述第二绝缘层与开放区的边界处,其中高度差减小器具有的厚度小于第二绝缘层的厚度。
高度差减小器的两个相对的远端可分别与第一连接器和第二连接器重叠。
在开放区中,第一连接器和第二连接器可各自包括第二层,并且可不包括第一层。
在开放区中,第一连接器的侧面和第二连接器的侧面可包括压花结构。
在其中第二层与第一层重叠的区中,第二层可包括暴露第一绝缘层的多个孔。
多个孔可构成多个行,并且在多个行中,彼此邻近的两个行中的孔可布置为在纵向方向上彼此交错。
第一绝缘层可包括多个接触孔,第一层经多个接触孔连接至第二层,并且多个接触孔可分别布置在多个孔之间。
第一绝缘层可包括多个缝隙,所述多个缝隙布置在第一连接器和第二连接器之间,并且从第一绝缘层的末端朝向显示区延伸。
第二绝缘层可在分别与多个缝隙重叠的位置中包括多个凹面部。
在开放区中,可布置至少一个挡板(dam),并且所述至少一个挡板围绕显示区。
除了上述方面、特征和效果之外,其他方面、特征和效果将从本公开的下述附图、权利要求和详细描述中变得显而易见。
附图说明
结合附图,这些和/或其他方面将从下述实施方式的描述中变得显而易见,并且更容易领会,其中:
图1是阐释根据实施方式的显示装置的实施例的示意性平面图;
图2是图1的显示装置的像素的等效电路图;
图3是阐释沿着图1的线I-I’截取的横截面的实施例的示意性横截面图;
图4是图1的区A的示意性平面图;
图5是阐释沿着图4的线II-II’截取的横截面的实施例的示意性横截面图;
图6是图4的区B的示意性平面图;
图7是阐释沿着图6的线Ⅲ-Ⅲ’截取的横截面的实施例的示意性横截面图;
图8是阐释沿着图6的线IV-IV’截取的横截面的实施例的示意性横截面;
图9是阐释沿着图6的线V-V’截取的横截面的实施例的示意性横截面图;
图10是阐释沿着图6的线VI-VI’截取的横截面的实施例的示意性横截面图;和
图11是阐释沿着图6的线VII-VII’截取的横截面的实施例的示意性横截面图。
具体实施方式
现将详细地参考其实施例阐释在附图中的实施方式,其中相同的参考数值始终指相同的元件。就此而言,本实施方式可具有不同的形式,并且不应解释为限于在此陈述的描述。因此,下面仅通过参考附图描述实施方式,以解释本描述的方面。如在此所使用,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目中的任何和所有组合。表述比如“至少一个”当在元件的列表的前面时,修饰元件的整个列表而不修饰列表的单个元件。
由于本公开允许各种改变和许多实施方式,因此具体的实施方式将在附图中阐释,并且在书面描述中详细地描述。本公开的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法将从结合附图而公开各种实施方式的下述详细描述中变得对本领域技术人员显而易见。然而,本公开可以以许多不同的形式体现,并且不应解释为限于在此陈述的实施方式。
应理解,尽管术语“第一”、“第二”等可在此用于描述各种组件,但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一个组件。
如在此所使用,单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式,除非上下文另外明确指出。
应进一步理解,在此使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表明存在叙述的特征或组件,但不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
应理解,当层、区域或组件被称为在另一层、区域或组件“上形成”时,其可直接或间接在另一层、区域或组件上形成。即,例如,可存在中间层、区域或组件。
为了便于解释,附图中的元件的尺寸可被放大。换句话说,由于为了便于解释,图中组件的尺寸和厚度被任意阐释,因此下述实施方式不限于此。
当可不同地实施某一实施方式时,特定的工艺顺序可与描述的顺序不同地进行。例如,两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。
下文,将参考附图详细地描述实施方式。附图中相同的参考数值表示相同的元件,因此将不再重复它们的描述。
图1是阐释根据实施方式的显示装置10的实施例的示意性平面图。图2是图1的显示装置10的像素的等效电路图。
参考图1和图2,根据本发明构思的实施方式,显示装置10包括其中显示图像的显示区DA,和显示区DA外部的外周区PA。可理解,显示装置10中包括的基板100包括显示区DA和外周区PA。
在显示区DA中,布置多个(子)像素P。图2阐释了(子)像素P的等效电路图的实施例。参考图2,(子)像素P可包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC,以及连接至像素电路PC的发光二极管。作为例子,发光二极管可为有机发光二极管OLED。
像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接至扫描线SL和数据线DL,并且当经数据线DL输入数据信号时,开关薄膜晶体管Ts可根据经扫描线SL输入的扫描信号,将数据信号传递至驱动薄膜晶体管Td。存储电容器Cst连接至开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL。存储电容器Cst可存储对应于从开关薄膜晶体管Ts传递的电压与供应至驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst。对应于存储在存储电容器Cst中的电压的值,驱动薄膜晶体管Td可控制从驱动电压线PL流动通过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流发射具有某一明度的光。有机发光二极管OLED可发射,例如,红光、绿光、蓝光或白光。
参考图2,描述了当(子)像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况。但是,本公开不限于此。作为另一示例性实施方式,可作出各种修饰,(子)像素P的这种像素电路PC包括三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个存储电容器。
返回参考图1,基板100的外周区PA可围绕显示区DA。外周区PA是其中未布置多个(子)像素P的区。外周区PA包括衬垫区PADA,所述衬垫区PADA为电附接各种电子装置、印刷电路板等的区。各自供应电力用于驱动发光二极管的第一电压线210和第二电压线220可布置在外周区PA中。第一电压线210可为用于驱动电压ELVDD的线,并且第二电压线220可为用于公共电压ELVSS的线。作为例子,第一电压线210可布置在显示区DA的边缘和衬垫区PADA之间,并且第二电压线220可对应于显示区DA的另一边缘布置。作为例子,第二电压线220可围绕显示区DA的其他边缘,而不围绕布置第一电压线210的显示区DA的边缘。
图1可理解为当制造显示装置10时,基板100和其他元件的平面图。在为终产品的电子装置,比如显示装置10中,或包括显示装置10的智能手机中,部分基板100和其他元件可以弯曲,以使用户看到的外周区PA的尺寸最小化。
图3是阐释沿着图1的线I-I’截取的横截面的实施例的示意性横截面图。图4是图1的区A的示意性平面图。图5是阐释沿着图4的线II-II’截取的横截面的实施例的示意性横截面图。
如上所述,部分基板100可以弯曲,以使外周区PA的尺寸最小化。例如,如图4中显示,外周区PA可包括弯曲区BA,并且弯曲区BA可布置在衬垫区PADA和显示区DA之间。在该情况下,通过使基板100在弯曲区BA中弯曲,至少部分衬垫区PADA可布置为与显示区DA重叠。设定弯曲方向使得衬垫区PADA不覆盖显示区DA,而是布置在显示区DA后面。因此,用户可认为显示区DA占据显示装置10的大部分。
基板100可包括各种柔性或可弯曲材料。例如,基板100可包括聚合物树脂,比如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳族酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。但是,基板100可进行不同修饰,例如,以具有多层结构,所述多层结构包括包含这种聚合物树脂的两个层和布置在其之间的屏障层,其中屏障层包括无机材料(比如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氧氮化物(SiOxNy))。
下文,参考图3,详细地描述(子)像素的结构。
如图3中显示,在显示区DA中,可布置第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和发光二极管300。作为例子,发光二极管300可包括有机发光二极管OLED。第一薄膜晶体管T1可包括参考图2描述的像素电路PC(显示在图2中)的驱动薄膜晶体管Td(显示在图2中)。另外,第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst可分别对应于参考图2描述的像素电路PC(显示在图2中)的开关薄膜晶体管Ts(显示在图2中)和存储电容器Cst(显示在图2中)。
第一薄膜晶体管T1可包括第一半导体层Act1和第一栅电极G1。第二薄膜晶体管T2可包括第二半导体层Act2和第二栅电极G2。
第一半导体层Act1和第二半导体层Act2可各自包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。第一半导体层Act1可包括沟道区C1以及分别布置在沟道区C1的两个侧面处的源区S1和漏区D1。第二半导体层Act2可包括沟道区C2以及分别布置在沟道区C2的两个侧面处的源区S2和漏区D2。第一半导体层Act1的源区S1和漏区D1可分别理解为第一半导体层Act1的源电极和漏电极。第二半导体层Act2的源区S2和漏区D2可分别理解为第二半导体层Act2的源电极和漏电极。
第一栅电极G1可与第一半导体层Act1的沟道区C1重叠,它们之间有栅绝缘层120。第二栅电极G2可与第二半导体层Act2的沟道区C2重叠,它们之间有栅绝缘层120。第一栅电极G1和第二栅电极G2可各自包括包含导电材料的单层或多层,所述导电材料包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种。
图3显示第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在相同的层上。但是,本公开不限于此。作为另一实施方式,第一栅电极G1和第二栅电极G2可布置在不同的层上。另外,图3阐释了其中第一栅电极G1和第二栅电极G2分别布置在第一半导体层Act1和第二半导体层Act2上方的实施例。但是,本公开不限于此。作为另一实施方式,第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可为底栅型晶体管,其中第一半导体层Act1和第二半导体层Act2分别布置在第一栅电极G1和第二栅电极G2上方。
存储电容器Cst可包括第一存储电容板CE1和第二存储电容板CE2。第一存储电容板CE1和第二存储电容板CE2可各自包括低电阻导电材料,所述低电阻导电材料包括选自Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。
存储电容器Cst可布置为与第一薄膜晶体管T1(其为驱动薄膜晶体管)重叠。因此,可增加存储电容器Cst和第一薄膜晶体管T1的尺寸,并且可提供高质量图像。作为例子,第一存储电容板CE1可为第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1。但是,本公开不限于此。作为另一实施方式,存储电容器Cst可布置为不与第一薄膜晶体管T1重叠,并且第一存储电容板CE1可为与第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1分开的元件。
在基板100与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2之间,可布置缓冲层110。缓冲层110可包括无机绝缘材料。例如,缓冲层110可包括包含选自SiOxNy、SiOx和SiNx中的至少一种的单层或多层。
在第一栅电极G1和第二栅电极G2与第一半导体层Act1和第二半导体层Act2之间,可布置栅绝缘层120。栅绝缘层120可包括无机绝缘材料。例如,栅绝缘层120可包括包含选自SiOxNy、SiOx和SiNx中的至少一种的单层或多层。
第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可被层间绝缘层130覆盖。层间绝缘层130可包括第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132。第一层间绝缘层131可直接布置在第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2和/或第一存储电容板CE1上,并且与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2和/或第一存储电容板CE1直接接触。第二层间绝缘层132可直接布置在第二存储电容板CE2上,并且与第二存储电容板CE2直接接触。第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132中的每一个可包括包含选自SiOxNy、SiOx和SiNx中的至少一种的单层或多层。在一个实施方式中,第一层间绝缘层131可为包含SiNx的单层,并且第二层间绝缘层132可包括包含SiNx和SiOx的多层。
在层间绝缘层130上,可布置数据线DL。数据线DL可经层间绝缘层130中的接触孔连接至第二薄膜晶体管T2的第二半导体层Act2。作为例子,图3阐释了数据线DL连接至第二薄膜晶体管T2的漏区D2。在该情况下,数据线DL可理解为漏电极。数据线DL可包括包含选自Al、Cu、Ti和其合金中的至少一种的单层或多层。在一个实施方式中,数据线DL可包括分别包含Ti/Al/Ti的三层。
在层间绝缘层130上,可布置驱动电压线PL的下驱动电压线PL1。下驱动电压线PL1可包括与数据线DL的材料相同的材料。另外,在层间绝缘层130上方,在显示区DA和/或外周区PA中,可布置各种导电层。这样,层间绝缘层130上方的导电层可统称为“第一金属布线”。
第一金属布线至少包括数据线DL和下驱动电压线PL1,并且可被无机保护层134覆盖。无机保护层134可包括包含SiNx或SiOx的单层或多层。无机保护层134可防止第一金属布线在制造显示装置10(显示在图1中)的工艺中进行的蚀刻工艺等中被损坏。
第一绝缘层141可布置在第一金属布线上,并且驱动电压线PL的上驱动电压线PL2可布置在第一绝缘层141上。上驱动电压线PL2可布置为与下驱动电压线PL1重叠,并且经第一绝缘层141中的接触孔连接至下驱动电压线PL1。上驱动电压线PL2可包括Mo、Al、Cu、Ti等,并且包括单层或多层。在一些实施方式中,上驱动电压线PL2可包括包含Ti/Al/Ti的三层结构。
这样,当驱动电压线PL包括下驱动电压线PL1和上驱动电压线PL2时,驱动电压线PL的电阻减小。因此,即使当显示装置10(显示在图1中)大时,也减少了由驱动电压线PL的电阻造成的电压降现象,从而提供高质量图像。
在第一绝缘层141上方,除了上驱动电压线PL2之外,还可布置各种导电层。这样,第一绝缘层141上方的导电层可统称为“第二金属布线”。
上驱动电压线PL2可被第二绝缘层142(其为平坦化的绝缘层)覆盖。上面各自描述的第一绝缘层141和第二绝缘层142可包括有机材料。有机材料可包括二酰亚胺类聚合物、通用聚合物,比如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、含有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其掺混物。
在第二绝缘层142上,可布置发光二极管300,其中发光二极管300包括像素电极310、公共电极330以及布置在像素电极310和公共电极330之间,并且包括发光层的中间层320。作为例子,发光二极管300可包括有机发光二极管OLED。
像素电极310布置在第二绝缘层142上。尽管未在附图中阐释,但像素电极310可经第二绝缘层142中的接触孔电连接至其下的第一薄膜晶体管T1。
在第二绝缘层142上,可布置覆盖像素电极310的边缘的像素限定层150。像素限定层150包括对应于每个像素的开口,即,至少暴露像素电极310的中心部从而限定像素的开口。另外,像素限定层150可通过增加像素电极310的边缘和公共电极330之间的距离来防止像素电极310的边缘和公共电极330之间产生电弧和其他问题。像素限定层150可由有机材料,比如聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等形成。
在通过像素限定层150中的开口暴露的像素电极310上,可布置中间层320。中间层320可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时,中间层320可具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)的单层结构或复合堆叠结构,并且包括各种有机材料,比如酞菁铜(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。这些层可通过使用真空沉积方法形成。
当中间层320包括聚合物材料时,中间层320可一般具有包括HTL或EML的结构。HTL可包括聚-(2,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)。EML可包括聚合物材料,比如聚苯乙炔(PPV)、聚芴等。但是,中间层320的结构不限于此,并且可具有各种结构。例如,中间层320可包括在多个像素电极310上方整体布置的层或对应于多个像素电极310而图案化的层。
在中间层320上,可布置公共电极330以覆盖显示区DA。即,公共电极330可形成为一个连续体以覆盖多个像素电极310和多个中间层320。
在公共电极330上,布置封装层400。封装层400保护发光二极管300不受外部水分、氧等影响。为此,封装层400具有不仅延伸通过其中布置发光二极管300的显示区DA而且也延伸至显示区DA外部的外周区PA的形状。封装层400可具有如图3中显示的多层结构。详细地,封装层400可包括顺序堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410布置在公共电极330上,并且可包括SiOx、SiNx和/或SiOxNy。第一无机封装层410可沿着第一无机封装层410下面的结构形成。
有机封装层420布置在第一无机封装层410上并具有足以使有机封装层420的上表面基本上平坦的厚度。有机封装层420可包括选自由下述组成的组中的一种或多种材料:聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯和HMDSO。
第二无机封装层430可覆盖有机封装层420,并且包括SiOx、SiNx和/或SiOxNy。第一无机封装层410和第二无机封装层430各自可大于有机封装层420。第一无机封装层410可接触有机封装层420外部的第二无机封装层430。即,第一无机封装层410和第二无机封装层430可防止有机封装层420暴露于外部。
这样,因为封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430,所以即使当在封装层400中由于这种多层结构而出现裂纹时,在第一无机封装层410和有机封装层420之间或在有机封装层420和第二无机封装层430之间,裂纹可不彼此连接。因此,可防止外部水分、氧等经其渗入显示区DA中的路径的形成,或使路径的形成最小化。
如图4中显示,在外周区PA中,可布置第一电压线210和第二电压线220,并且可设定弯曲区BA,其中第一电压线210和第二电压线220向发光二极管300供应驱动电力。
作为例子,第一电压线210可为用于第一电力电压(其为驱动电压ELVDD)的线,并且第二电压线220可为用于第二电力电压(其为公共电压ELVSS)的线。第一电压线210可连接至驱动电压线PL。第二电压线220可直接或经另一线连接至公共电极330。
第一电压线210可布置在显示区DA的边缘和衬垫区PADA之间。第一电压线210可包括第一连接器214和布置为对应于显示区DA的边缘的第一主电压线212。例如,当显示区DA具有矩形形状时,第一主电压线212可布置为对应于显示区DA的侧面。第一主电压线212可与显示区DA的侧面平行,并且比显示区DA的侧面更长。对应于第一主电压线212的显示区DA的侧面可邻近衬垫区PADA。
第一连接器214可从第一主电压线212伸出,并且在第一方向Y上延伸。这里,第一方向是从显示区DA到衬垫区PADA的方向Y。第一连接器214可连接至衬垫(未显示)。
第二电压线220可围绕并且直接邻近显示区DA的剩余边缘,而不围绕并且不直接邻近显示区DA的与第一电压线210邻近的边缘。第二电压线220可包括第二主电压线222,所述第二主电压线222对应于第一主电压线212的两个相对的远端和显示区DA的剩余边缘;和第二连接器224,所述第二连接器224在第一方向Y上从第二主电压线222的末端伸出,并且在第一方向Y上延伸。第二连接器224可连接至衬垫(未显示)。
弯曲区BA布置在显示区DA和衬垫区PADA之间。如图5中显示,弯曲区BA是其上去除了部分缓冲层110、部分栅绝缘层120、部分第一层间绝缘层131和部分第二层间绝缘层132的基板100的区。下文,缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130统称为“无机绝缘层”。即,可以理解,堆叠在基板100上的无机绝缘层在对应于弯曲区BA的位置包括沟。通过去除部分无机绝缘层,在弯曲区BA中可容易地进行基板100的弯曲,并且当进行基板100的弯曲时,可防止在无机绝缘层中出现裂纹等。
去除了部分无机绝缘层的区可填充有有机材料层160。参考弯曲区BA,有机材料层160可延伸至邻近弯曲区BA的非弯曲区。有机材料层160可不仅补偿去除了无机绝缘层的弯曲区BA中的高度差,而且也吸收由于弯曲而产生的应力。因此,当进行弯曲时,可有效地,并且大大降低各种连接电线上的应力集中,其中各种连接电线布置在弯曲区BA中,以将电信号从衬垫区PADA中的衬垫(未显示)传递到显示区DA。
有机材料层160可包括选自丙烯酸、甲基丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯和HMDSO中的至少一种材料。
在弯曲区BA上,布置第一绝缘层141、第二绝缘层142和像素限定层150。另外,在弯曲区BA上,弯曲保护层(未示出)可进一步布置在像素限定层150上方,并且配置为当进行弯曲时,应力中性平面布置在弯曲区BA中的布线的外周中。
图6是图4的区B的示意性平面图。图7至图11是分别阐释沿着图6的线Ⅲ-Ⅲ’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’和VII-VII’截取的横截面的实施例的示意性横截面图。
首先,参考图6至图8,描述第二连接器224的构造。参考图6至图8,第二连接器224可包括彼此重叠的第一层M1和第二层M2,它们之间有第一绝缘层141。
第一层M1是层间绝缘层130上的导电层。第一层M1可包括在第一金属布线中。因此,第一层M1可具有与数据线DL(显示在图3中)的结构相同的结构。例如,第一层M1可包括包含选自Al、Cu、Ti和其合金中的一种的单层或多层。作为实施方式,第一层M1可包括分别包含Ti/Al/Ti的三层。
第二层M2是第一绝缘层141上的导电层。第二层M2可包括在第二金属布线中。因此,第二层M2可具有与上驱动电压线PL2(显示在图4中)的结构相同的结构。如图7中显示,第二层M2可经第一绝缘层141中的多个接触孔CNT连接至第一层M1。
另外,如图8中显示,第二层M2可包括多个孔H。第二层M2中的多个孔H可发射来自第一绝缘层141的内部的气体。因此,可防止在制造显示装置10(显示在图1中)后,出现比如像素收缩等的缺陷,否则其中当发光二极管300(图3中)的中间层320(显示在图3中)由于从第一绝缘层141放气而劣化时,可造成比如像素收缩等的缺陷。
多个孔H构成多个行。在多个行中,彼此邻近的两个行中的孔H可布置为在纵向方向上彼此交错。为了将第一层M1连接至第二层M2,第一绝缘层141中的多个接触孔CNT可布置在多个孔H之间。因此,第一绝缘层141中的多个接触孔CNT也构成多个行,并且在多个行中,彼此邻近的两个行中的接触孔CNT可布置为在纵向方向上彼此交错。因此,与当在水平方向上去除第一绝缘层141以使第一层M1连接至第二层M2时相比,减小了在纵向方向上的高度差。因此,可降低其中在第二层M2中可出现裂纹的概率,并且可降低第一层M1和第二层M2之间的连接电阻。
目前为止,已经描述了第二连接器224的构造。但是,第一连接器214、第一主电压线212(显示在图4中)和第二主电压线222(显示在图4中)也可具有与第二连接器224的构造相同的构造。即,因为第一连接器214、第一主电压线212(显示在图4中)和第二主电压线222(显示在图4中)在第一区AR1中包括第一层M1和第二层M2,所以可降低电阻,其中第一层M1和第二层M2经第一绝缘层141中的多个接触孔CNT彼此并联连接。在该情况下,第二层M2可包括多个孔H。
这里,第一区AR1是指其中布置第一层M1和第二层M2二者的区。另一方面,邻近第一区AR1的第二区AR2包括弯曲区BA(显示在图4中)和可受当在弯曲区BA(显示在图4中)中进行弯曲时产生的应力影响的区。为了防止可在第一连接器214和第二连接器224中应力造成的损坏,仅第二层M2布置在第二区AR2中,即,第一层M1不布置在第二区AR2中。
因此,即使当第一连接器214和第二连接器224横跨弯曲区BA(显示在图4中),并且延伸至衬垫区PADA(显示在图4中),因为仅第二层M2布置在第二区AR2中,所以可防止当在弯曲区BA(显示在图4中)中弯曲基板100(显示在图1中)时,由于应力而出现对第一连接器214和第二连接器224的损坏。
如图6中显示,在第二区AR2中,可布置其中去除了第一绝缘层141和第二绝缘层142的开放区OA。详细地,引导朝向开放区OA的第一绝缘层141的末端可被第二绝缘层142的末端覆盖。因此,第二绝缘层142的末端可为与开放区OA的边界。开放区OA可暴露第一连接器214和第二连接器224。开放区OA可布置在外周区PA(显示在图1中)中,并且可围绕显示区DA(显示在图1中)。因此,可防止外部水分等经第一绝缘层141和/或第二绝缘层142(均由有机材料形成)渗透到显示区DA(显示在图1中)中。
第一电压线210(显示在图4中)和第二电压线220(显示在图4中)具有其中堆叠第一层M1和第二层M2的结构。因此,与当第一电压线210(显示在图4中)和第二电压线220(显示在图4中)仅包括第一层M1或第二层M2时相比,增加了第一电压线210(显示在图4中)和第二电压线220(显示在图4中)的高度。因此,增加了开放区OA的上表面和第二绝缘层142之间的高度差。即,随着开放区OA的深度增加,因为在制造显示装置10(显示在图1中)的工艺中产生的异物从开放区OA沉淀,或在其中在开放区OA和第二绝缘层142之间出现高度差的区中产生残余层,所以在第一连接器214和第二连接器224之间可能出现短路。
参考图9,为了防止短路的出现,第一绝缘层141可包括从第一绝缘层141的末端朝向显示区DA(显示在图1中)延伸的多个缝隙SL,其中第一绝缘层141的末端被引导朝向开放区OA。通过在垂直于将第一连接器214连接至第二连接器224的虚线的方向上去除第一绝缘层141而形成多个缝隙SL。根据多个缝隙SL,多个凹面部G中的每一个可在对应于多个缝隙SL中的每一个的第二绝缘层142的部中形成。因此,例如,即使当颗粒沉积在第一连接器214和第二连接器224之间时,其中颗粒是在蚀刻第二层M2或形成像素电极310(显示在图3中)的工艺中产生的,也可防止将第一连接器214和第二连接器224连接的连续短路路径的形成。
另外,第二绝缘层142可在与开放区OA的边界处包括高度差减小器143。高度差减小器143具有的厚度小于第二绝缘层142的厚度。当形成第二绝缘层142时,通过使用半色调掩模来调整暴露剂量,高度差减小器143可与第二绝缘层142一起形成。这样,当高度差减小器143布置在邻近开放区OA的区中时,可减小第二绝缘层142和开放区OA之间的高度差,如图10中显示。因此,在后续工艺中,可有效防止在邻近开放区OA的区中产生残余层。高度差减小器143可至少布置在第一连接器214和第二连接器224之间。高度差减小器143的两个相对的远端可分别与第一连接器214和第二连接器224重叠。
在开放区OA中,可布置第一挡板610。当形成有机封装层420时,第一挡板610可将有机封装层420的材料限制到预先设定的区的内部。第一挡板610可具有多层结构。作为例子,如图11中显示,第一挡板610可具有其中堆叠第一层611、第二层613和第三层615的结构。第一层611可由与第二绝缘层142的材料相同的材料形成,并且与第二绝缘层142同时形成。第二层613可由与像素限定层150(显示在图3中)的材料相同的材料形成,并且与像素限定层150同时形成。第三层615可由与第二层613的材料相同的材料形成,并且与第二层613同时形成。
第一挡板610支撑当在制造工艺中形成中间层320(显示在图3中)或公共电极330(显示在图3中)时使用的掩模。在该工艺中,第一挡板610可防止先前形成的组件接触掩模,并且被这种接触损坏。另外,当有机封装层420在第一无机封装层410上形成时,第一挡板610可防止有机封装层420的材料在朝向基板100(显示在图1中)的边缘的方向上移动。
如图11中显示,第一无机封装层410和第二无机封装层430可覆盖第一挡板610,并且延伸至第一挡板610的外部,从而有效防止外部水分或氧的渗透。
在第一挡板610的内部,即,在第一挡板610和高度差减小器143之间,可进一步布置第二挡板620。第二挡板620可包括下层623和上层625,其中下层623可由与第一挡板610的第二层613的材料相同的材料形成,并且与第二层613同时形成,并且上层625布置在下层623上,并且可由与第一挡板610的第三层615的材料相同的材料形成,并且与第三层615同时形成。第二挡板620可比第一挡板610更短。
第一挡板610和第二挡板620可通过围绕显示区DA(显示在图1中)而阻止有机封装层420的材料分散到基板100的边缘。因此,可防止有机封装层420的边缘尾的形成。
如上所述,开放区OA中的高度差可能迅速改变。因此,当有机封装层420的材料,如液体有机材料施加至开放区OA时,有机封装层420的材料的回流可主要出现在开放区OA中。另外,最近,随着外周区PA(显示在图1中)已经大大减少,逐渐减小了第一挡板610和第二挡板620之间的空间。因此,可能难以限制有机封装层420的材料的流动。尤其,有机封装层420的材料在沿着第一连接器214和第二连接器224的侧面朝向衬垫区PADA(显示在图4中)的方向上比在其中布置第一挡板610和第二挡板620的方向上分散迅速得多。因此,为了防止有机封装层420的边缘尾的形成,需要防止有机封装层420的材料在朝向图4的衬垫区PADA的方向上分散。
为此,如图6中显示,第一连接器214的侧面214E和第二连接器224的侧面224E可各自在开放区OA中包括压花结构。例如,第一连接器214的侧面214E和第二连接器224的侧面224E可具有拉链形状。这样,当布置第一连接器214的侧面214E和第二连接器224的侧面224E时,有机封装层420的材料的优势流可阻止在第一连接器214的侧面214E和第二连接器224的侧面224E。因此,当施加有机封装层420的材料时,可有效防止有机封装层420的材料分散到第一挡板610上方的基板100(显示在图1中)的边缘。
为了便于描述,图7至图10未阐释第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。但是,图7至图10中显示的区是第一挡板610和第二挡板620的内部区。因此,由图7至图10阐释的实施方式也包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
根据实施方式,因为第一电压线和第二电压线各自包括彼此并联连接的第一层和第二层,所以第一电压线和第二电压线中的电阻减小,从而显示装置可显示高质量图像。另外,可有效防止第一电压线的第一连接器和第二电压线的第二连接器之间的短路,因此增强了显示装置的可靠性。但是,本公开的范围不限于这种效果。
应理解,在此所述的实施方式应仅视为描述意义的,而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。
虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式,但本领域技术人员应理解,在不背离由下述权利要求限定的精神和范围的情况下,可对其在形式和细节上作出各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板,所述基板包括显示区、所述显示区外部的外周区和所述外周区中的衬垫区;
第一主电压线,所述第一主电压线布置在所述基板的所述外周区中,并且在所述显示区的边缘和所述衬垫区之间,并且第一连接器从所述第一主电压线延伸至所述衬垫区;和
第二主电压线,所述第二主电压线布置在所述基板的所述外周区中,并且对应于所述显示区的另一边缘,并且第二连接器从所述第二主电压线延伸至所述衬垫区,
其中所述第一连接器和所述第二连接器中的每一个包括彼此重叠的第一层和第二层,所述第一层和所述第二层之间有第一绝缘层,其中所述第一绝缘层布置在所述基板的所述显示区和所述外周区中,
所述外周区包括开放区,所述开放区暴露所述第一连接器和所述第二连接器,并且围绕所述显示区,并且
所述第一绝缘层包括多个缝隙,所述多个缝隙布置在所述第一连接器和所述第二连接器之间,并且从所述第一绝缘层的末端朝向所述显示区延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,在所述开放区中进一步包括所述第二层上的第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第二绝缘层进一步包括高度差减小器,所述高度差减小器在所述第一连接器和所述第二连接器之间的所述第二绝缘层与所述开放区的边界处,并且
所述高度差减小器的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述高度差减小器的两个相对的远端分别与所述第一连接器和所述第二连接器重叠。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述第二绝缘层包括分别与所述多个缝隙重叠的多个凹面部。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述开放区中,所述第一连接器和所述第二连接器各自包括所述第二层,并且不包括所述第一层。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中在所述开放区中,所述第一连接器的侧面和所述第二连接器的侧面包括压花结构。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中在其中所述第二层与所述第一层重叠的区中,所述第二层包括暴露所述第一绝缘层的多个孔。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述多个孔构成多个行,并且在所述多个行中,彼此邻近的两个行中的孔布置为在纵向方向上彼此交错。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一绝缘层包括多个接触孔,所述第一层经所述多个接触孔连接至所述第二层,并且所述多个接触孔分别布置在所述多个孔之间。
11.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板,所述基板包括显示区、所述显示区外部的外周区和所述外周区中的衬垫区;
第一主电压线,所述第一主电压线布置在所述基板的所述外周区中,并且在所述显示区的边缘和所述衬垫区之间,并且第一连接器从所述第一主电压线延伸至所述衬垫区;和
第二主电压线,所述第二主电压线布置在所述基板的所述外周区中,并且对应于所述显示区的另一边缘,并且第二连接器从所述第二主电压线延伸至所述衬垫区,
其中所述第一连接器和所述第二连接器中的每一个包括其中堆叠第一层和第二层的结构,
第一绝缘层布置在所述第一层和所述第二层之间,并且第二绝缘层布置在所述第二层上,
所述外周区包括开放区,所述开放区暴露部分所述第一连接器和部分所述第二连接器,并且围绕所述显示区,并且
所述第二绝缘层包括高度差减小器,所述高度差减小器在所述第一连接器和所述第二连接器之间的所述第二绝缘层与所述开放区的边界处,其中所述高度差减小器具有的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中所述高度差减小器的两个相对的远端分别与所述第一连接器和所述第二连接器重叠。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中在所述开放区中,所述第一连接器和所述第二连接器各自包括所述第二层,并且不包括所述第一层。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中在所述开放区中,所述第一连接器的侧面和所述第二连接器的侧面包括压花结构。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中在其中所述第二层与所述第一层重叠的区中,所述第二层包括暴露所述第一绝缘层的多个孔。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中所述多个孔构成多个行,并且在所述多个行中,彼此邻近的两个行中的孔布置为在纵向方向上彼此交错。
17.根据权利要求15所述的显示装置,其中所述第一绝缘层包括多个接触孔,所述第一层经所述多个接触孔连接至所述第二层,并且所述多个接触孔分别布置在所述多个孔之间。
18.根据权利要求11所述的显示装置,其中所述第一绝缘层包括多个缝隙,所述多个缝隙布置在所述第一连接器和所述第二连接器之间,并且从所述第一绝缘层的末端朝向所述显示区延伸。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中所述第二绝缘层包括分别与所述多个缝隙重叠的多个凹面部。
20.根据权利要求11所述的显示装置,其中在所述开放区中,布置至少一个挡板,并且所述至少一个挡板围绕所述显示区。
CN201911131873.5A 2018-11-30 2019-11-19 显示装置 Pending CN111261670A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0153019 2018-11-30
KR1020180153019A KR102617275B1 (ko) 2018-11-30 2018-11-30 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111261670A true CN111261670A (zh) 2020-06-09

Family

ID=68699376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911131873.5A Pending CN111261670A (zh) 2018-11-30 2019-11-19 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10957757B2 (zh)
EP (3) EP4221486A1 (zh)
KR (2) KR102617275B1 (zh)
CN (1) CN111261670A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022226941A1 (zh) * 2021-04-29 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示基板及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210099233A (ko) * 2020-02-03 2021-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4152400A4 (en) * 2020-05-12 2023-08-09 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
CN112053661B (zh) 2020-09-28 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置
KR20220068302A (ko) 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112467061B (zh) * 2020-11-25 2023-03-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置
WO2022183434A1 (zh) * 2021-03-04 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160233248A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20170287936A1 (en) * 2016-04-05 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device
EP3229287A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit
US20170358641A1 (en) * 2016-06-08 2017-12-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180090518A1 (en) * 2016-09-28 2018-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180145127A1 (en) * 2016-11-23 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579195B1 (ko) 2004-01-05 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101520535B1 (ko) * 2012-07-23 2015-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR101916670B1 (ko) 2012-08-29 2018-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR102477299B1 (ko) 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101763616B1 (ko) * 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102457244B1 (ko) 2016-05-19 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2018078057A (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107393906B (zh) 2017-07-28 2019-06-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102416038B1 (ko) * 2017-11-30 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160233248A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
EP3229287A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit
US20170287936A1 (en) * 2016-04-05 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20170358641A1 (en) * 2016-06-08 2017-12-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180090518A1 (en) * 2016-09-28 2018-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180145127A1 (en) * 2016-11-23 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022226941A1 (zh) * 2021-04-29 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示基板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3660919A3 (en) 2020-08-12
KR20200066498A (ko) 2020-06-10
US10957757B2 (en) 2021-03-23
KR20240001090A (ko) 2024-01-03
KR102617275B1 (ko) 2023-12-27
EP4221486A1 (en) 2023-08-02
EP3754719B1 (en) 2023-05-17
US11469293B2 (en) 2022-10-11
EP3754719A1 (en) 2020-12-23
US20200176550A1 (en) 2020-06-04
EP3660919A2 (en) 2020-06-03
US20210210590A1 (en) 2021-07-08
EP3660919B1 (en) 2024-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11619969B2 (en) Display apparatus
KR102586038B1 (ko) 디스플레이 장치
US11349097B2 (en) Display device including a barrier layer with a concavo-convex side surface
US11844241B2 (en) Display device having a power supply electrode layer including a plurality of holes
CN111261670A (zh) 显示装置
CN109509771B (zh) 显示装置
KR102416038B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
EP3525254B1 (en) Display device
CN108091634A (zh) 显示装置
US20190279575A1 (en) Display apparatus
CN111799297A (zh) 显示装置
US20200295117A1 (en) Display device
US20230422559A1 (en) Display apparatus
TWI845622B (zh) 顯示裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination