CN107799015A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示设备,所述显示设备能够使制造显示设备期间的缺陷发生最少化同时确保显示设备的长寿命。所述显示设备包括:基底,包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域并且关于弯曲轴弯曲;显示器件,位于第一区域上;扫描驱动电路单元,位于第二区域上;第一包封层,被构造为覆盖显示器件;以及第二包封层,与第一包封层分隔开并且被构造为覆盖扫描驱动电路单元。
Description
本申请要求于2016年9月6日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0114449号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示设备,更具体地,涉及一种能够使制造显示设备期间的缺陷发生最少化同时确保显示设备的长寿命的显示设备。
背景技术
通常,显示设备包括位于基底上的显示单元。这样的显示设备可以至少部分地被弯曲,以减少非显示区域的面积。
然而,根据相关领域,当制造被弯曲的显示设备时会发生缺陷,或者显示设备的寿命会减少。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示设备,所述显示设备能够使制造显示设备期间的缺陷发生最小化同时确保显示设备的长寿命。然而,所述一个或更多个实施例仅是示例,本发明的范围不限于此。
额外的方面将在下面的描述中部分地被阐述,并且部分地,通过描述将是明显的,或者可以通过实践提出的实施例来了解。
根据一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域,基底关于弯曲轴弯曲;显示器件,位于第一区域之上;扫描驱动电路单元,位于第二区域之上;第一包封层,被构造为覆盖显示器件;以及第二包封层,与第一包封层分隔开并且被构造为覆盖扫描驱动电路单元。
第一包封层可以在第一区域内并且第二包封层可以在第二区域内。
第一包封层和第二包封层中的每个可以具有多层结构,第一包封层和第二包封层可以具有彼此相同的层结构。
显示设备还可以包括:多个第一数据线焊盘和多个第二数据线焊盘,位于第二区域之上;以及多条第一数据线,电连接到多个第一数据线焊盘和多个第二数据线焊盘并且经由弯曲区域延伸至第一区域。
显示设备还可以包括第一静电防护电路和第二静电防护电路,第一静电防护电路位于弯曲区域和显示器件之间,第二静电防护电路位于多个第一数据线焊盘和多个第二数据线焊盘与弯曲区域之间。
显示设备还可以包括多个扫描线焊盘,多个扫描线焊盘位于多个第一数据线焊盘与多个第二数据线焊盘之间并且电连接到扫描驱动电路单元。
显示设备还可以包括多条主扫描线,多条主扫描线电连接到扫描驱动电路单元并且经由弯曲区域延伸至第一区域。
显示设备还可以包括多条子扫描线,多条子扫描线延伸穿过第一区域,彼此平行布置,并且以一一对应的方式与多条主扫描线相交。
显示设备还可以包括第一静电防护电路和第二静电防护电路,第一静电防护电路位于弯曲区域与显示器件之间,第二静电防护电路位于扫描驱动电路单元与弯曲区域之间。
显示设备还可以包括布置在基底上以与弯曲区域对应的弯曲保护层,其中,弯曲保护层覆盖扫描驱动电路单元,并且第二包封层是弯曲保护层的一部分。
显示设备还可以包括布置在基底上以与第一区域对应并且包括额外的绝缘层的触摸屏单元,其中,第二包封层包括与额外的绝缘层中的材料相同的材料,并且具有与额外的绝缘层相同的层结构。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述,这些和/或其它方面将会变得更加明显和更容易领会,其中:
图1是根据本发明的实施例的显示设备的示意性局部透视图;
图2是图1的显示设备的一部分的剖视图;
图3是图1的显示设备的一部分的概念图;
图4是图1的显示设备的一部分的概念图;
图5是图1的显示设备的一部分的概念图;
图6是图1的显示设备的一部分的概念图;
图7是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的剖视图;
图8是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的剖视图;
图9是图8的显示设备的一部分的透视图;以及
图10是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的透视图。
具体实施方式
因为发明允许各种变化和许多实施例,所以具体的实施例将在附图中示出并且在书面说明书中详细地描述。在下文中,将参照示出发明的实施例的附图更充分地描述本发明的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而,本发明可以以各种不同的形式实施并且不应该解释为受限于在这里阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述发明的一个或更多个实施例。相同的或一致的那些组件标记为相同的附图标记,而不考虑图号,省略多余的解释。
将理解的是,除非另有指示,否则当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“之上”时,该元件可以“直接”在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。在附图中,为了便于解释,层和区域的厚度被夸大或最小化。换言之,因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的,下面的实施例不限于此。
在下面的示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系中的三个轴,并且可以以更宽泛的含义解释。例如,x轴、y轴和z轴可以是彼此垂直的,或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
图1是根据本发明的实施例的显示设备的一部分的示意性透视图。图2是图1的显示设备的一部分的剖视图。
如图1中所示,作为根据本实施例的显示设备的一部分的基底100的一部分是弯曲的,因此显示设备的一部分具有与基底100相似的弯曲形状。然而,为了便于说明,图2示出了还未弯曲的显示设备。作为参考,为了便于说明,稍后描述的关于实施例的剖视图、平面图等示出还未弯曲的显示设备。
参照图1和图2,包括在根据本实施例的显示设备中的基底100具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A和第二区域2A之间。如图1中所示,基底100关于在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX而弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种合适的材料。例如,基底100可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
第一区域1A包括显示区域DA。如图2中所示,第一区域1A还可以包括围绕显示区域DA的非显示区域的一部分。第二区域2A包括非显示区域的另一部分。
参照图2,基底100的显示区域DA可以包括显示器件300和显示器件300电连接到的薄膜晶体管(TFT)210。在图2中,作为显示器件300的有机发光器件(OLED)位于显示区域DA中。OLED电连接到TFT 210可以理解为像素电极310电连接到TFT 210。如图2中所示,TFT220可以被包括在基底100的第二区域2A。第二区域2A中的TFT 220可以是用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元(例如,扫描驱动电路单元)的一部分。
TFT 210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a以及漏电极215b,TFT 220可以包括半导体层221、栅电极223、源电极225a以及漏电极225b,半导体层211和221包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了确保半导体层211和221与栅电极213和223之间的绝缘,栅极绝缘层120可以位于半导体层211和221与栅电极213和223之间。栅极绝缘层120可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。层间绝缘层130可以在栅电极213和223之上并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。源电极215a和225a以及漏电极215b和225b在层间绝缘层130之上。可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成包括诸如无机材料的绝缘层。这同样适用于稍后描述的实施例及其修改。
缓冲层110可以在具有此结构的TFT 210和TFT 220与基底100之间并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以增大基底100的上表面的平坦度,或者防止杂质从基底100等渗透到TFT 210的半导体层211,或者使杂质从基底100等到TFT 210的半导体层211的渗透最小化。虽然缓冲层110在图2中是单层,但是可以对缓冲层110做出各种修改。例如,缓冲层110可以是多个层的堆叠件。除了缓冲层110之外,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的阻挡层还可以存在于基底100之上。
平坦化层140可以设置在TFT 210之上。例如,当OLED如图2中所示设置在TFT 210之上时,平坦化层140可以使覆盖TFT 210的保护层的上部平坦化。平坦化层140可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。尽管平坦化层140在图2中是单层,但是可以对平坦化层140做出各种修改。例如,平坦化层140可以是多个层的堆叠件。如图2中所示,平坦化层140可以具有显示区域DA外部的开口并因此可以将平坦化层140的位于显示区域DA中的部分与平坦化层140的位于第二区域2A中的部分物理地分隔开,以防止外部杂质经由平坦化层140到达显示区域DA的内部。
OLED可以在基底100的显示区域DA内设置在平坦化层140上。OLED包括像素电极310、对电极330和位于像素电极310与对电极330之间并包括发射层的中间层320。如图2中所示,像素电极310经由形成在平坦化层140中的开口而接触源电极215a和漏电极215b中的一个,并且电连接到TFT 210。
像素限定层150可以设置在平坦化层140之上。像素限定层150通过包括与子像素对应的各个开口来限定像素,即,像素电极310的至少中心部分经由开口暴露。在如图2中所示的这种情况下,像素限定层150通过增大像素电极310的边缘与设置在像素电极310之上的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧。像素限定层150可以由例如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料形成。
OLED的中间层320可以包括低分子量或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时,中间层320可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以单一或复合结构堆叠的结构,并且可以包括包含铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。这些层可以通过真空沉积形成。
当中间层320包括高分子量材料时,中间层320可以通常包括HTL和EML。在这种情况下,HTL可以包括聚(乙撑二氧噻吩)(PEDOT),EML可以包括诸如聚苯乙烯撑(PPV)类材料或聚芴类材料的高分子材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
中间层320不限于上面描述的结构,并且可以具有各种其它结构中的任意一种。中间层320可以包括覆盖多个像素电极310的单个层或者可以包括分别与多个像素电极310对应的图案化的层。
对电极330设置在显示区域DA之上。如图2中所示,对电极330可以覆盖显示区域DA。换言之,对电极330可以形成为单个体以构成多个OLED,因此可以与多个像素电极310对应。
因为这些OLED会被外部湿气、氧等容易地损坏,所以第一包封层410可以覆盖并保护这些OLED。第一包封层410可以覆盖显示区域DA并且延伸越过显示区域DA。如图2中所示,第一包封层410可以包括第一无机包封层411、有机包封层412和第二无机包封层413。
第一无机包封层411可以覆盖对电极330并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要,诸如盖层的其它层可以在第一无机包封层411与对电极330之间。因为第一无机包封层411沿着第一无机包封层411下方的结构形成,所以其上表面不是平坦的。有机包封层412覆盖第一无机包封层411。与第一无机包封层411形成对比,有机包封层412可以具有大约平坦的上表面。详细地,有机包封层412的与显示区域DA对应的部分可以具有大约平坦的上表面。有机包封层412可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷之中的至少一种材料。第二无机包封层413可以覆盖有机包封层412并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层413在显示区域DA外部的边缘可以接触第一无机包封层411,使得有机包封层412可以不被暴露到外部。
如此,因为第一包封层410包括第一无机包封层411、有机包封层412和第二无机包封层413,所以即使第一包封层410因此多层结构而破裂,此裂纹也不会连接在第一无机包封层411与有机包封层412之间或有机包封层412与第二无机包封层413之间。因此,可以防止外部湿气、氧等渗透到显示区域DA中所经由的路径的形成,或使外部湿气、氧等渗透到显示区域DA中所经由的路径的形成最小化。
第二包封层420可以设置在位于第二区域2A内的TFT 220之上,以保护TFT 220(即,扫描驱动电路单元)。第二包封层420与第一包封层410分隔开。详细地,第一包封层410可以位于第一区域1A内并且第二包封层420可以位于第二区域2A内。如果第一包封层410和第二包封层420彼此不分隔开,而是经由弯曲区域BA彼此连接,则当在制造工艺期间使基底100在弯曲区域BA处被弯曲时,第一包封层410和第二包封层420会在弯曲区域BA内破裂,因此会发生缺陷。
与第一包封层410分隔开的第二包封层420的结构可以与第一包封层410的结构基本相同。换言之,第一包封层410和第二包封层420可以具有多层结构,并且第一包封层410和第二包封层420的多层结构可以彼此相同。与第一包封层410相似,图2示出了包括第一无机包封层421、有机包封层422和第二无机包封层423的第二包封层420。在这种情况下,在显示设备的制造中,第一包封层410和第二包封层420可以由相同的材料同时形成,因此可以简化制造工艺。
偏振板520可以通过光学透明粘合剂(OCA)510附着到第一包封层410上。偏振板520可以减少外部光反射。例如,当外部光穿过偏振板520,被对电极330的上表面反射并且再次穿过偏振板520时,两次穿过偏振板520可以改变外部光的相位。因此,反射的光的相位不同于进入偏振板520的外部光的相位,因此发生相消干涉。因此,可以通过减少外部光反射来改善可见性。如图2中所示,OCA 510和偏振板520可以覆盖平坦化层140的开口。根据本实施例的显示设备不常常包括偏振板520。如需要,可以省略偏振板520,或者可以用其它结构代替偏振板520。例如,可以省略偏振板520,可以使用黑色矩阵和滤色器减少外部光反射。
包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以被共同地称为无机绝缘层。如图2中所示,无机绝缘层具有与弯曲区域BA对应的开口。换言之,缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别具有与弯曲区域BA对应的开口110a、120a、130a,以共同组成与弯曲区域BA对应的开口。这样的与弯曲区域BA对应的开口可以理解为与弯曲区域BA叠置的开口。开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此,图2示出了开口的宽度OW比弯曲区域BA的宽度大。开口的面积可以被限定为缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a之中最窄的开口的面积。在图2中,开口的面积是缓冲层110的开口110a的面积。
尽管开口110a、开口120a和开口130a的各个内表面在图2中是不连续的,但是实施例不限于此。例如,因为穿过栅极绝缘层120和层间绝缘层130形成接触孔,使得TFT 210的源电极215a和漏电极215b连接到半导体层211,所以可以在形成接触孔时同时形成开口120a和开口130a。在这种情况下,开口120a和开口130a的内表面可以是近似连续的。
根据本实施例的显示设备包括填充在无机绝缘层的开口的至少一部分处的有机材料层160。图2示出了有机材料层160完全填充开口的示例。根据本实施例的显示设备包括第一导电层215c。第一导电层215c从第一区域1A经由弯曲区域BA延伸至第二区域2A并位于有机材料层160之上。如果省略有机材料层160,则第一导电层215c可以位于诸如层间绝缘层130的无机绝缘层之上。第一导电层215c可以与源电极215a和漏电极215b同时形成,并可以由与用于形成源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料形成。
尽管根据本实施例的显示设备为了便于说明而在图2不弯曲,但是显示设备的基底100等实际上如图1所示在弯曲区域BA处被弯曲。为此,显示设备被制造为如图2中所示具有近似平坦的基底100,然后使基底100等在弯曲区域BA处弯曲,使得显示设备具有如图1中示出的形状。在这种情况下,当基底100等正在弯曲区域BA处被弯曲时,应力会施加到第一导电层215c。然而,根据本实施例的显示设备可以防止在这样的弯曲工艺期间第一导电层215c中的缺陷的发生,或者使在这样的弯曲工艺期间第一导电层215c中的缺陷的发生最小化。
如果诸如缓冲层110、栅极绝缘层120和/或层间绝缘层130的无机绝缘层在弯曲区域BA处不具有开口,并且从第一区域1A到第二区域2A是连续的并使第一导电层215c位于此无机绝缘层之上,则当基底100等被弯曲时将会向第一导电层215c施加大的应力。具体地,因为无机绝缘层的硬度比有机绝缘层的硬度高,所以在弯曲区域BA处的无机绝缘层中会出现裂纹的可能性将是相当高的,如果无机绝缘层破裂,则无机绝缘层之上的第一导电层215c也将破裂,因此出现诸如第一导电层215c的断开的缺陷的可能性将是相当高的。
然而,在根据本实施例的显示设备中,如上所述,无机绝缘层在弯曲区域BA处具有开口,第一导电层215c在弯曲区域BA内的部分位于填充无机绝缘层的开口的至少一部分的有机材料层160之上。因为无机绝缘层在弯曲区域BA处具有开口,所以裂纹等发生在无机绝缘层中的可能性非常低。因为有机材料层160包括有机材料,所以产生裂纹的可能性低。因此,可以防止裂纹等发生在第一导电层215c在弯曲区域BA内的有机材料层160之上的部分中,或者可以使发生裂纹等的可能性最小化。因为有机材料层160具有比无机材料层低的硬度,所以有机材料层160吸收由于弯曲基底100等产生的应力,因此可以使集中在第一导电层215c上的应力被有效地最小化。
尽管无机绝缘层具有图2中的开口,但是实施例不限于此。例如,无机绝缘层可以具有代替开口的槽。在此示例中,与图2形成对比,缓冲层110不具有开口110a,并且可以从第一区域1A经由弯曲区域BA延伸到第二区域2A,并且仅栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别具有开口120a和130a。在这种情况下,包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以被共同地称为无机绝缘层。在这种情况下,无机绝缘层可以被理解为具有与弯曲区域BA对应的槽。有机材料层160可以填充槽的至少一部分。缓冲层110可以具有代替开口110a的槽。
在这种情况下,因为无机绝缘层在弯曲区域BA内具有槽,所以无机绝缘层在弯曲区域BA内的厚度减小,因此基底100等可以被平稳地弯曲。另外,因为有机材料层160存在于弯曲区域BA内并且第一导电层215c位于有机材料层160之上,所以可以有效地防止第一导电层215c由于弯曲而被损坏。尽管之前的实施例、稍后将要描述的实施例和它们的修改示出了无机绝缘层具有开口的情况,但是无机绝缘层可以具有如上所述的槽。
除了第一导电层215c之外,根据本实施例的显示设备还可以包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b在与第一导电层215c位于其上的层不同的层上布置在第一区域1A或第二区域2A中,并且可以电连接到第一导电层215c。图2示出了第二导电层213a和213b由与用于形成TFT 210的栅电极213的材料相同的材料形成,并且位于与栅电极213位于其上的层相同的层上,即,位于栅极绝缘层120上。图2还示出了第一导电层215c经由层间绝缘层130中形成的接触孔接触第二导电层213a和213b。图2还示出了第二导电层213a位于第一区域1A内并且第二导电层位于213b位于第二区域2A内。
位于第一区域1A内的第二导电层213a可以电连接到显示区域DA内的TFT 210等。因此,第一导电层215c可以经由第二导电层213a电连接到显示区域DA内的TFT 210等。位于第二区域2A内的第二导电层213b可以通过第一导电层215c电连接到显示区域DA内的TFT210等。如此,在显示区域DA外部的第二导电层213a和213b可以电连接到位于显示区域DA内的组件。在显示区域DA外部的第二导电层213a和213b可以朝向显示区域DA延伸,因此第二导电层213a和213b的至少一部分可以位于显示区域DA内。
尽管根据本实施例的显示设备为了便于说明而在图2中不是弯曲的,但是显示设备的基底100等实际上如图1中所示在弯曲区域BA被弯曲。为此,显示设备被制造为如图2中所示具有近似平坦的基底100,然后基底100等在弯曲区域BA处被弯曲,使得显示设备具有如图1中所示的形状。当基底100等正在弯曲区域BA处被弯曲时,应力可以被施加到位于弯曲区域BA内的组件。
因此,因为延伸穿过弯曲区域BA的第一导电层215c包括具有高伸长率的材料,所以可以防止诸如第一导电层215c中的裂纹或第一导电层215c的断开的缺陷。另外,因为第二导电层213a和213b在第一区域1A或第二区域2A内由具有比第一导电层215c低的伸长率但具有与第一导电层215c不同的电/物理特性的材料形成,所以显示设备可以提高关于电信号的传输的效率,或者减少显示设备的制造期间产生缺陷的可能性。例如,第二导电层213a和213b可以包括钼,第一导电层215c可以包括铝。如需要,第一导电层215c或第二导电层213a和213b可以均具有多层结构。
尽管在图2中的第二区域2A内第一导电层215c或第二导电层213b被完全地覆盖有平坦化层140等,但是实施例不限于此。例如,第一导电层215c或第二导电层213b可以在第二区域2A内暴露到外部,第一导电层215c或第二导电层213b可以电连接到集成电路、印刷电路板(PCB)等。
如图2中所示,有机材料层160可以覆盖无机绝缘层的开口的内表面。如上所述,第一导电层215c可以由与用于形成源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a和漏电极215b同时形成。为此,在基底100的整个表面之上形成导电层,然后图案化,从而形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘层120的开口120a的内表面或层间绝缘层130的开口130a的内表面,则当导电层被图案化时,导电层的导电材料会被剩余在缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘层120的开口120a的内表面或层间绝缘层130的开口130a的内表面上,而不被从其去除。在这种情况下,剩余的导电材料会引起其它导电层之间的短路。
因此,当形成有机材料层160时,有机材料层160需要覆盖无机绝缘层的开口的内表面。作为参考,尽管有机材料层160在图2中具有均一的厚度,但是有机材料层160可以根据其位置而具有不同的厚度,使得有机材料层160的上表面的曲线的倾斜度可以在缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘层120的开口120a的内表面或层间绝缘层130的开口130a的内表面周围是平缓的。因此,可以有效防止原本应在导电层被图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c时被去除的导电材料剩余。
弯曲保护层600可以位于显示区域DA外部。换言之,弯曲保护层600可以位于第一导电层215c之上,同时至少面对弯曲区域BA。
当某个堆叠件被弯曲时,应力中性面存在于堆叠件内。如果不存在弯曲保护层600,则因为第一导电层215c可能不位于应力中性面上,所以当基底100等被弯曲时,过多的拉伸应力等会被施加到弯曲区域BA内的第一导电层215c。然而,因为存在弯曲保护层600并且调节其的厚度和模量等,所以可以控制包括基底100、第一导电层215c和弯曲保护层600的堆叠件内的应力中性面的位置。因此,通过经由弯曲保护层600对第一导电层215c周围或之上的应力中性面进行定位,可以使施加到第一导电层215c的应力最小化,或者可以向第一导电层215c施加压缩应力。例如,弯曲保护层600可以由亚克力形成。作为参考,与当拉伸应力施加到第一导电层215c时相比,当压缩应力可以被施加到第一导电层215c时,第一导电层215c被压缩应力损坏的可能性非常低。
尽管图2中弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520在+z方向上的上表面一致,但是实施例不限于此。例如,弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的端部可以覆盖偏振板520的上表面的边缘的一部分。可选择地,弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的端部可以不接触偏振板520和/或OCA 510。具体地,在后面的实例中,在形成弯曲保护层600时或者形成弯曲保护层600之后,可以防止弯曲保护层600中产生的气体在显示区域DA的方向(-x方向)上移动并使诸如OLED的显示器件300等劣化。
如果弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520在+z方向上的上表面一致,弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的端部覆盖偏振板520的上表面的边缘的一部分,或者弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的端部接触OCA 510,则弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的部分可以比弯曲保护层600的其它部分厚。当形成弯曲保护层600时,可以涂覆并硬化形成弯曲保护层600的液状或膏状材料。在此硬化工艺中,弯曲保护层600可以具有减小的体积。当弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的部分接触偏振板520和/或OCA 510时,弯曲保护层600的所述部分具有固定的位置,因此弯曲保护层600的其它部分可以具有减小的体积。因此,弯曲保护层600在显示区域DA的方向(-x方向)上的部分可以比弯曲保护层600的其它部分厚。
在形成第一包封层410和第二包封层420之后形成弯曲保护层600。因此,如图2中所示,第二包封层420在指向第一区域1A的方向上的端部的至少一部分可以被覆盖有弯曲保护层600。
图3是图1的显示设备的一部分的概念图。图4是图1的显示设备的一部分的概念图。参照图3和图4,根据本实施例的显示设备包括布置在基底100之上的多条第一数据线DL1、多条第二数据线DL2、多条主扫描线MSL、多条子扫描线SSL、多个第一数据线焊盘DLP1、多个第二数据线焊盘DLP2以及多个扫描线焊盘SLP。
多条第一数据线DL1中的每条可以在x轴方向上延伸经由弯曲区域BA穿过第一区域1A,多条第一数据线DL1可以彼此平行布置。图3示出了八条第一数据线D1至D8穿过第一区域1A。多条第二数据线DL2中的每条也可以在x轴方向上延伸经由弯曲区域BA穿过第一区域1A,多条第二数据线DL2可以彼此平行布置。与多条第一数据线DL1类似,图3示出八条第二数据线D9至D16穿过第一区域1A。第二数据线D9至D16与第一数据线D1至D8平行布置。
多条主扫描线MSL布置为如图4中所示。详细地,多条主扫描线MSL均延伸经由弯曲区域BA穿过显示区域DA并且彼此平行布置,多条主扫描线MSL平行于多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。图4示出了总共十六条主扫描线MS1至MS16均在x轴方向上延伸。主扫描线MS1至MS16可以具有不同的长度,或者主扫描线MS1至MS16中的一些可以具有相同的长度。作为参考,多条主扫描线MSL中的每条延伸穿过显示区域DA意味着延伸穿过显示区域DA的至少一部分。多条主扫描线MSL中的每条不需要穿过整个显示区域DA。
多条主扫描线MSL可以理解为包括多条第一主扫描线MSL1和多条第二主扫描线MSL2。在这种情况下,与多条第一数据线DL1类似,多条第一主扫描线MSL1可以理解为均延伸穿过第一区域1A并且被布置为彼此平行。与多条第二数据线DL2类似,多条第二主扫描线MSL2可以理解为均延伸穿过第二区域2A并且被布置为彼此平行。图4示出了在左侧的八条主扫描线MS1至MS8属于多条第一主扫描线MSL1,在右侧的八条主扫描线MS9至MS16属于多条第二主扫描线MSL2。
多条主扫描线MSL既不直接接触多条第一数据线DL1也不直接接触多条第二数据线DL2。为此,如果主扫描线MSL与多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2在同一平面上,则主扫描线MSL可以与多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2交替,使得主扫描线MSL不直接接触多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。可选择地,如果需要,则多条主扫描线MSL可以设置在与其上设置有多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2的层不同的层上。
多条子扫描线SSL均延伸穿过显示区域DA并且彼此平行布置。在这种情况下,多条子扫描线SSL与多条主扫描线MSL相交(交叉)。图4示出多条子扫描线SSL均在y轴方向上延伸并且与均在x轴方向上延伸的多条主扫描线MSL相交(交叉)。多条子扫描线SSL可以以一一对应的方式对应于多条主扫描线MSL。图4示出了16条子扫描线SS1至SS16分别对应于16条主扫描线MS1至MS16。
多条子扫描线SSL可以位于与其上定位有多条主扫描线MSL的层不同的层上。换言之,绝缘层可以在多条子扫描线SSL与多条主扫描线MSL之间。经由形成在绝缘层中的接触孔,多条子扫描线SSL可以电连接到多条主扫描线MSL。在图4中,黑点表示多条子扫描线SSL经由接触孔电连接到多条主扫描线MSL。换言之,主扫描线MS1电连接到子扫描线SS1,主扫描线MS2电连接到子扫描线SS2,类似地,主扫描线MS16电连接到子扫描线SS16。
多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2与多条子扫描线SSL之间的相交处可以理解为分别限定(子)像素的位置。在下文中,子像素和像素共同被称为像素。图5是图1的显示设备的一部分的示意性概念图,因此示意性示出了像素的区域。参照图5,像素P(3,6)位于子扫描线SS3与数据线D6之间的相交处,像素P(3,7)位于子扫描线SS3与数据线D7之间的相交处,像素P(3,8)位于子扫描线SS3与数据线D8之间的相交处。类似地,像素P(4,6)位于子扫描线SS4与数据线D6之间的相交处,像素P(4,7)位于子扫描线SS4与数据线D7之间的相交处,像素P(4,8)位于子扫描线SS4与数据线D8之间的相交处。
像素P(3,6)至P(4,8)中的每个可以包括TFT或电容器和显示器件。显示器件的示例可以是如上所述的OLED。可以使用各种方法控制像素P(3,6)至P(4,8)的发光。例如,当扫描信号被施加到主扫描线MS3并因此扫描信号传输到电连接到主扫描线MS3的子扫描线SS3时,可以选择连接到子扫描线SS3的像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)。在这种情况下,当与将由像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)实现的亮度有关的数据信号被施加到数据线D6至D8时,像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)根据施加的数据信号发射具有预定的亮度的光。此后,当扫描信号被施加到主扫描线MS4并且因此扫描信号被传输到电连接到主扫描线MS4的子扫描线SS4时,可以选择连接到子扫描线SS4的像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)。在这种情况下,当与将由像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)实现的亮度有关的数据信号被施加到数据线D6至D8时,像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)根据施加的数据信号发射具有预定的亮度的光。
为了将数据信号施加到多条第一数据线DL1,如图3中所示,多个第一数据线焊盘DLP1可以不设置在基底100的显示区域DA中,而设置在第二区域2A中。多个第一数据线焊盘DLP1可以设置在多条第一数据线DL1的一侧(+x方向)上以分别对应于多条第一数据线DL1。类似地,为了将数据信号施加到多条第二数据线DL2,如图3所示,多个第二数据线焊盘DLP2可以不设置在基底100的显示区域DA中,而设置在第二区域2A中。多个第二数据线焊盘DLP2可以设置在多条第二数据线DL2的一侧(+x方向)上以分别对应于多条第二数据线DL2。
作为参考,多个第一数据线焊盘DLP1可以理解为仅意味着图3中的位于第二区域2A内并在x轴方向上延伸的部分(在图3中由虚线圈限定的部分)。在这种情况下,多个第一数据线焊盘DLP1和多条第一数据线DL1可以连接到连接线。连接线可以设置在与其上设置有多个第一数据线焊盘DLP1和多条第一数据线DL1的层相同的层上。可选择地,连接线可以设置在与其上设置有多个第一数据线焊盘DLP1和多条第一数据线DL1的层不同的层上,但是可以经由接触孔等电连接到多个第一数据线焊盘DLP1和多条第一数据线DL1。
多个第二数据线焊盘DLP2可以理解为仅意味着图3中的位于第二区域2A内并在x轴方向上延伸的部分(在图3中由虚线圈限定的部分)。在这种情况下,多个第二数据线焊盘DLP2和多条第二数据线DL2可以连接到连接线。连接线可以设置在与其上设置有多个第二数据线焊盘DLP2和多条第二数据线DL2的层相同的层上。可选择地,连接线可以设置在与其上设置有多个第二数据线焊盘DLP2和多条第二数据线DL2的层不同的层上,但是可以经由接触孔等电连接到多个第二数据线焊盘DLP2和多条第二数据线DL2。
类似地,为了将扫描信号施加到多条主扫描线MSL,如图4中所示,多个扫描线焊盘SLP可以不设置在基底100的显示区域DA中,而是设置在第二区域2A中。多个扫描线焊盘SLP可以设置在多条主扫描线MSL的一侧(+x方向)上以分别对应于多条主扫描线MSL。在这种情况下,多个扫描线焊盘SLP可以在多个第一数据线焊盘DLP1与多个第二数据线焊盘DLP2之间。
在这种情况下,多个第一数据线焊盘DLP1和多个扫描线焊盘SLP可以彼此相邻,并且多个扫描线焊盘SLP和多个第二数据线焊盘DLP2可以彼此相邻。换言之,多个第一数据线焊盘DLP1、多个扫描线焊盘SLP和多个第二数据线焊盘DLP2可以顺序地布置。
多个扫描线焊盘SLP可以包括多个第一扫描线焊盘SLP1和多个第二扫描线焊盘SLP2。在这种情况下,多个第一扫描线焊盘SLP1在多个第一数据线焊盘DLP1与多个第二扫描线焊盘SLP2之间,多个第二扫描线焊盘SLP2在多个第一扫描线焊盘SLP1与多个第二数据线焊盘DLP2之间。
作为参考,多个扫描线焊盘SLP可以理解为仅意味着图4中的位于第二区域2A内并在x轴方向上延伸的部分(在图4中由虚线圈限定的部分)。在这种情况下,多个扫描线焊盘SLP和多条主扫描线MSL可以连接到连接线。连接线可以设置在与其上设置有多个扫描线焊盘SLP和多条主扫描线MSL的层相同的层上。可选择地,连接线可以设置在与其上设置有多个扫描线焊盘SLP和多条主扫描线MSL的层不同的层上,但是可以经由接触孔等电连接到多个扫描线焊盘SLP和多条主扫描线MSL。
扫描驱动电路单元SDU可以设置在多条主扫描线MSL与多个扫描线焊盘SLP之间。因此,多条主扫描线MSL和多个扫描线焊盘SLP可以电连接到扫描驱动电路单元SDU。扫描驱动电路单元SDU包括,例如,移位寄存器,因此可以包括TFT 220,其中,TFT 220与显示区域DA内的像素中的TFT 210一起形成。
扫描驱动电路单元SDU可以根据显示设备驱动方法以各种方式操作。例如,扫描信号可以从主扫描线MS1被施加到主扫描线MS16,因此扫描信号可以从子扫描线SS1被施加到子扫描线SS16。因此,可以选择电连接到子扫描线SS1的像素,然后可以选择电连接到子扫描线SS2的像素,然后可以选择电连接到子扫描线SS16的像素。在这种情况下,多个扫描线焊盘SLP可以理解为被施加有由包括在扫描驱动电路单元SDU中的TFT所需要的高信号、低信号和/或时钟信号的部分。
扫描驱动电路单元SDU可以具有各种结构中的任意一种。例如,如图4中所示,扫描驱动电路单元SDU可以包括电连接到多条第一主扫描线MSL1的第一扫描驱动电路单元SDU1和电连接到多条第二主扫描线MSL2的第二扫描驱动电路单元SDU2。在这种情况下,多个第一扫描线焊盘SLP1可以电连接到第一扫描驱动电路单元SDU1,多个第二扫描线焊盘SLP2可以电连接到第二扫描驱动电路单元SDU2。
集成电路或集成电路所附着的PCB可以被附着到多个第一数据线焊盘DLP1、多个第二数据线焊盘DLP2和多个扫描线焊盘SLP。因此,经过集成电路等的电信号可以被输入到多个第一数据线焊盘DLP1、多个第二数据线焊盘DLP2和多个扫描线焊盘SLP,因此可以实现在显示区域DA上的图像。
在根据本实施例的显示设备中,多个扫描线焊盘SLP可以在多个第一数据线焊盘DLP1与多个第二数据线焊盘DLP2之间。因此,可以防止在数据信号被传输到像素期间传输到像素的数据信号的改变,或者使在数据信号被传输到像素期间传输到像素的数据信号的改变最小化。
例如,如果多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2位于多个第一扫描线焊盘SLP1与多个第二扫描线焊盘SLP2之间,则多个第一扫描线焊盘SLP1通过越过多个第一数据线焊盘DLP1连接到扫描驱动电路单元SDU(当多个第一扫描线焊盘SLP1和多个第一数据线焊盘DLP1在不同的层上时),多个第二扫描线焊盘SLP2通过越过多个第二数据线焊盘DLP2连接到扫描驱动电路单元SDU(当多个第二扫描线焊盘SLP2和多个第二数据线焊盘DLP2在不同的层上时)。在这种情况下,当用于控制像素的亮度的数据信号经由多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2被传输到多条数据线时,数据信号在被传输到像素时被改变,因此由像素实现的亮度会变为不同于最初预期的亮度的亮度。另外,在多个第一扫描线焊盘SLP1和第一数据线焊盘DLP1之间以及多个第二扫描线焊盘SLP2与第二数据线焊盘DLP2之间的叠置部分上存在寄生电容。
换言之,输入到多个第一扫描线焊盘SLP1和多个第二扫描线焊盘SLP2并且然后经由多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2被传输到扫描驱动电路单元SDU的高信号、低信号和/或时钟信号影响经过多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2的数据信号。因此,不会在显示区域DA上实现精确的图像。
然而,在根据本实施例的显示设备中,多个扫描线焊盘SLP可以在多个第一数据线焊盘DLP1与多个第二数据线焊盘DLP2之间。因此,输入到多个扫描线焊盘SLP的高信号、低信号和/或时钟信号不越过多个扫描线焊盘SLP外部的多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2。可选择地,即使当输入到多个扫描线焊盘SLP的高信号、低信号和/或时钟信号越过多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2时,越过的程度也被最小化,并且高信号、低信号和/或时钟信号被传输到扫描驱动电路单元SDU。因此,防止经过多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2的数据信号受到输入到多个扫描线焊盘SLP的高信号、低信号和/或时钟信号影响,或者将数据信号被高信号影响的程度最小化,因此可以在显示区域DA上实现精确的图像。
如图4中所示,因为扫描驱动电路单元SDU在第二区域2A内,所以在第一区域1A的边缘上没有电路单元。因此,第一区域1A中的非显示区域的面积被最小化,因此可以获得高质量的显示设备。
图6是图1的显示设备的一部分的示意图。参照图6,根据本实施例的显示设备包括第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2。第一静电防护电路SEPC1在弯曲区域BA与显示器件之间。换言之,第一静电防护电路SEPC1在第一区域1A内。第二静电防护电路SEPC2在多个第一数据线焊盘DLP1和多个第二数据线焊盘DLP2与弯曲区域BA之间。换言之,第二静电防护电路SEPC2在第二区域2A内。因此,在单条数据线DL1上的第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2分别位于弯曲区域BA的两侧上。在数据线DL1和DL2上,第一静电防护电路SEPC1可以连接到浮置线FL,第二静电防护电路SEPC2也可以连接到浮置线FL。
在基底等不被弯曲的传统显示设备中,在单条数据线DL1上可以仅存在一个静电防护电路,以保护传统显示设备的组件不受静电影响。然而,因为根据本实施例的显示设备如上所述在弯曲区域BA处被弯曲,所以尽管弯曲区域BA不是基底100的边缘,但是弯曲区域BA位于靠近显示设备的边缘的位置。因此,静电会被施加到弯曲区域BA。在这种情况下,如果在单条数据线DL1上存在单个静电防护电路,则显示设备的组件无法被充分地保护以免受静电影响。
例如,如果第一静电防护电路SEPC1在第一区域1A中并且第二静电防护电路SEPC2不在第二区域2A中,则第一静电防护电路SEPC1可以保护显示区域DA的组件免受施加到弯曲区域BA的静电的影响,但是第二区域2A中的扫描驱动电路单元等会被静电损坏。另一方面,如果第二静电防护电路SEPC2在第二区域2A内并且第一静电防护电路SEPC1不在第一区域1A内,则第二静电防护电路SEPC2可以保护扫描驱动电路单元等免受施加到弯曲区域BA的静电的影响,但是第一区域1A中的显示区域DA的组件会被静电损坏。
然而,在根据本实施例的显示设备中,因为第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2在弯曲区域BA的两侧上,所以即使当经由弯曲区域BA施加静电时,也可以有效保护显示设备的组件免受静电的影响。图6中示出的第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2的详细结构仅是示例,因此实施例不限于此。例如,如图6中所示,第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2中的每个可以具有代替包括两个TFT的静电二极管结构的所谓的Tick TFT结构,所谓的Tick TFT结构包括单个TFT和电容器。
尽管在图6中第一静电防护电路SEPC1和第二静电防护电路SEPC2在数据线DL1和DL2上,但是实施例不限于此。换言之,静电防护电路可以在主扫描线MS1至MS16上。在这种情况下,第一静电防护电路可以位于弯曲区域BA与显示器件之间,即,在第一区域1A中,第二静电防护电路可以位于扫描驱动电路单元与弯曲区域BA之间,即,在第二区域2A中。
尽管在图2中用于保护TFT 220(即,扫描驱动电路单元)的第二包封层420设置在位于第二区域2A内的TFT 220之上并且具有与第一包封层410相同的层结构,但是实施例不限于此。例如,如图7中所示,图7是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图,弯曲区域BA之上的弯曲保护层600可以延伸至位于第二区域2A中的TFT 220(即,扫描驱动电路单元)之上,从而保护扫描驱动电路单元。换言之,弯曲保护层600的一部分可以用作第二包封层。
尽管在图7中基底100的端部侧表面(在+x方向上)与弯曲保护层600的端部侧表面(在+x方向上)一致,但是实施例不限于此。例如,基底100可以在+x方向上延伸超过弯曲保护层600,焊盘等可以设置在基底100的未覆盖有弯曲保护层600的部分之上。
图8是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。图9是图8的显示设备的一部分的示意性透视图。根据本实施例的显示设备还包括触摸屏单元700。图9是图8中的触摸屏单元700的透视图。
参照图8,触摸屏单元700可以设置在第一包封层410之上以对应于第一区域1A。触摸屏单元700对应于第一区域1A并不意味着触摸屏单元700的面积等于第一区域1A的面积,而是意味着触摸屏单元700的面积等于或者大于第一区域1A内的至少显示区域DA的面积。触摸屏单元700包括绝缘层。当形成触摸屏单元700的绝缘层时,还可以在位于第二区域2A内的TFT220之上(即,在扫描驱动电路单元之上)形成第二包封层702',以保护扫描驱动电路单元。在这种情况下,第二包封层702'包括与用于形成触摸屏单元700的绝缘层的材料相同的材料并且具有与触摸屏单元700的绝缘层的层结构相同的层结构。
触摸屏单元700可以是包括具有导电性的多个感测电极的电容式触摸传感器。详细地,触摸屏单元700包括基础绝缘层701、形成在基础绝缘层701之上的第一感测单元710和第二感测单元720以及覆盖第一感测单元710和第二感测单元720的额外的绝缘层702。
第一感测单元710包括多个第一感测电极711和将多个第一感测电极711彼此连接的多个第一桥接电极712。如图9中所示,因为多个第一感测电极711和多个第一桥接电极712彼此集成,所以第一感测单元710可以理解为包括在第一方向D1上延伸为彼此近似平行的导电图案。
第二感测单元720还包括多个第二感测电极721和将多个第二感测电极721彼此连接的多个第二桥接电极722。因此,第二感测单元720可以理解为包括在第二方向D2上延伸为彼此近似平行的导电图案。为了防止第二感测电极721直接连接到第一感测电极711,第二桥接电极722越过第一桥接电极712并因此不接触第一桥接电极712。为此,额外的绝缘层702覆盖第一感测电极711、第一桥接电极712和第二感测电极721,第二桥接电极722设置在额外的绝缘层702之上并且经由形成在额外的绝缘层702中的接触孔h连接到第二感测电极721。
作为参考,第一感测电极711和第二感测电极721可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(IO)、掺杂Ga的氧化物(GZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂Al的氧化物(AZO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、锑掺杂的氧化锡(ATO)和In2O3之中选择的一种材料,并且可以具有单层结构或多层结构。这也适用于第一桥接电极712。第二桥接电极722可以包括诸如金(Au)、钼(Mo)、银(Ag)或铝(Al)的金属,并且可以具有单层结构或多层结构。当每个第二桥接电极722包括多层结构时,第二桥接电极722可以具有如下结构:包括诸如Au、Mo、Ag或Al的金属的层具有设置在其上表面和下表面上的ITO层(例如,ITO/Ag/ITO结构)。基础绝缘层701和额外的绝缘层702可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料并且还可以包括有机绝缘材料。
触摸屏单元700可以直接形成在第一包封层410上。换言之,可以在第一包封层410上直接形成基础绝缘层701,可以经由沉积和图案化在基础绝缘层701之上形成第一感测电极711、第一桥接电极712以及第二感测电极721,可以将额外的绝缘层702形成为覆盖第一感测电极711、第一桥接电极712以及第二感测电极721,可以在额外的绝缘层702中形成接触孔h,然后可以形成第二桥接电极722。在此工艺期间,当形成额外的绝缘层702并形成接触孔h时,可以在扫描驱动电路单元之上同时形成第二包封层702'。例如,将绝缘层形成为与基底100的整个表面对应,然后通过对绝缘层进行图案化来形成接触孔h,同时,从基底100的至少包括弯曲区域BA的部分去除绝缘层。以这样的方式,可以彼此分隔开地同时形成额外的绝缘层702和第二包封层702'。
作为参考,触摸屏单元700可以不包括基础绝缘层701。例如,第一感测电极711、第一桥接电极712和第二感测电极721可以经由沉积和图案化直接地形成在第一包封层410上。可选择地,触摸屏单元700可以包括基础绝缘层701,与图8形成对比,第二包封层702'可以具有代替单层结构的多层结构。例如,第二包封层702'可以具有与基础绝缘层701对应的层和与额外的绝缘层702对应的层。在这种情况下,与基础绝缘层701对应的层和与额外的绝缘层702对应的层彼此分隔开。
尽管在图1中显示设备仅具有一个弯曲区域BA,但是实施例不限于此。例如,如图10中所示,图10是根据本发明的另一实施例的显示设备的一部分的透视图,除了第一弯曲区域1BA之外,显示设备还可以具有第二弯曲区域2BA至第四弯曲区域4BA。在这种情况下,显示设备的四个边缘都可以被弯曲。为此,弯曲区域之间可以存在倒角部分(CP)。第一弯曲区域1BA至第四弯曲区域4BA可以均具有与上述弯曲区域BA基本相同的结构。
显示器件可以位于包括在第一区域1A中的第二弯曲区域2BA、第三弯曲区域3BA和第四弯曲区域4BA中。因此,可以实现所有边缘被弯曲的显示设备。另外,通过在第二弯曲区域2BA至第四弯曲区域4BA处弯曲显示设备,用户可以在观看显示设备的显示表面时认出具有设置在其上的焊盘等并且不执行显示的外围区域具有窄的面积。
根据上面描述的本发明的实施例,显示设备能够使在制造显示设备期间的缺陷发生最小化,同时确保显示设备的长寿命。当然,本发明的范围不限于此。
尽管已参照发明构思的示例性实施例具体示出和描述了发明构思,但是本领域的普通技术人员将理解的是,在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在此做出形式和细节上的各种改变。
Claims (11)
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域,所述基底关于弯曲轴弯曲;
显示器件,位于所述第一区域之上;
扫描驱动电路单元,位于所述第二区域之上;
第一包封层,被构造为覆盖所述显示器件;以及
第二包封层,与所述第一包封层分隔开并且被构造为覆盖所述扫描驱动电路单元。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一包封层在所述第一区域内并且所述第二包封层在所述第二区域内。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一包封层和所述第二包封层中的每个具有多层结构,所述第一包封层和所述第二包封层具有彼此相同的层结构。
4.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
多个第一数据线焊盘和多个第二数据线焊盘,位于所述第二区域之上;以及
多条第一数据线,电连接到所述多个第一数据线焊盘和所述多个第二数据线焊盘,并且经由所述弯曲区域延伸至所述第一区域。
5.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括:
第一静电防护电路,位于所述弯曲区域和所述显示器件之间;以及
第二静电防护电路,位于所述多个第一数据线焊盘和所述多个第二数据线焊盘与所述弯曲区域之间。
6.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括:
多个扫描线焊盘,位于所述多个第一数据线焊盘与所述多个第二数据线焊盘之间并且电连接到所述扫描驱动电路单元。
7.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括:
多条主扫描线,电连接到所述扫描驱动电路单元并且经由所述弯曲区域延伸至所述第一区域。
8.根据权利要求7所述的显示设备,所述显示设备还包括:
多条子扫描线,延伸穿过所述第一区域,彼此平行布置,并且以一一对应的方式与所述多条主扫描线相交。
9.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
第一静电防护电路,位于所述弯曲区域与所述显示器件之间;以及
第二静电防护电路,位于所述扫描驱动电路单元与所述弯曲区域之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括布置在所述基底上以与所述弯曲区域对应的弯曲保护层,
其中,所述弯曲保护层覆盖所述扫描驱动电路单元并且所述第二包封层是所述弯曲保护层的一部分。
11.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括布置在所述基底上以与所述第一区域对应并且包括额外的绝缘层的触摸屏单元,
其中,所述第二包封层包括与所述额外的绝缘层中的材料相同的材料并且具有与所述额外的绝缘层相同的层结构。
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109256053A (zh) * | 2018-08-02 | 2019-01-22 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN110853521A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN111754859A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示设备和印刷电路板 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101974086B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
US10862070B2 (en) * | 2017-02-13 | 2020-12-08 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
KR102310172B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2021-10-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6942602B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2021-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
US11659746B2 (en) * | 2018-03-09 | 2023-05-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN109683747B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-11-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种触控屏 |
KR20210010717A (ko) * | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210112429A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2022064710A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR20220124308A (ko) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113342209B (zh) * | 2021-06-25 | 2023-05-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101118329A (zh) * | 2006-08-03 | 2008-02-06 | 三星电子株式会社 | 柔性构件及具有该柔性构件的液晶显示装置 |
CN104752485A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
US20150279263A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Data driver and display apparatus having the same |
CN205069639U (zh) * | 2015-11-03 | 2016-03-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及包括该阵列基板的tft显示装置 |
CN105576000A (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN105870149A (zh) * | 2015-02-11 | 2016-08-17 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108292710A (zh) * | 2015-12-31 | 2018-07-17 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示面板的电子装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8804347B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-08-12 | Apple Inc. | Reducing the border area of a device |
US9419065B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Flexible displays |
KR102009670B1 (ko) | 2013-02-28 | 2019-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102076666B1 (ko) | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
KR102089246B1 (ko) | 2013-07-19 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법 |
US10168844B2 (en) * | 2015-06-26 | 2019-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
KR102465384B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102396295B1 (ko) * | 2015-08-04 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
-
2017
- 2017-05-30 US US15/608,550 patent/US10256165B2/en active Active
- 2017-08-30 CN CN201710762823.1A patent/CN107799015B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101118329A (zh) * | 2006-08-03 | 2008-02-06 | 三星电子株式会社 | 柔性构件及具有该柔性构件的液晶显示装置 |
CN104752485A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
US20150279263A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Data driver and display apparatus having the same |
CN105576000A (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN105870149A (zh) * | 2015-02-11 | 2016-08-17 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN205069639U (zh) * | 2015-11-03 | 2016-03-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及包括该阵列基板的tft显示装置 |
CN108292710A (zh) * | 2015-12-31 | 2018-07-17 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示面板的电子装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109256053A (zh) * | 2018-08-02 | 2019-01-22 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN109256053B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-01-01 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN111754859A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示设备和印刷电路板 |
CN110853521A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180027704A (ko) | 2018-03-15 |
US10256165B2 (en) | 2019-04-09 |
CN107799015B (zh) | 2021-08-24 |
US20180068919A1 (en) | 2018-03-08 |
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