CN107275365A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107275365A
CN107275365A CN201710080615.3A CN201710080615A CN107275365A CN 107275365 A CN107275365 A CN 107275365A CN 201710080615 A CN201710080615 A CN 201710080615A CN 107275365 A CN107275365 A CN 107275365A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data fan
out line
plane domain
bending area
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710080615.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107275365B (zh
Inventor
金阳完
权善子
金炳善
朴贤爱
李受珍
李在容
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN202310476284.0A priority Critical patent/CN116471888A/zh
Publication of CN107275365A publication Critical patent/CN107275365A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107275365B publication Critical patent/CN107275365B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

显示设备，包括衬底、像素、电力供应线以及多个数据扇出线，其中，衬底包括像素区域和位于像素区域外的外围区域，像素位于像素区域中，电力供应线配置成向像素提供操作电力，多个数据扇出线配置成向像素提供数据信号，其中，在外围区域中的至少一部分中，电力供应线和多个数据扇出线布置在同一层上。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119要求于2016年4月5日提交至韩国知识产权局的第10-2016-0041331号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及显示设备。
背景技术
显示设备是用于以视觉形式呈现信息的输出设备。通常，显示设备具有位于衬底上的显示部件。通过将这种显示设备中的一部分弯曲，可增加显示设备从各种角度的可视性，并且可减小显示设备的非显示区域的面积。
然而，在制造弯曲显示设备的过程中可能存在缺陷，或者可能缩短弯曲显示设备的电池寿命。
发明内容
根据本发明构思示例性实施方式，提供了这样的显示设备，该显示设备包括衬底、像素、电力供应线以及多个数据扇出线，其中，衬底包括像素区域和位于像素区域以外的外围区域，像素位于像素区域中，电力供应线配置成向像素提供操作电力，多个数据扇出线配置成向像素提供数据信号，其中，在外围区域中的至少一部分中，电力供应线和多个数据扇出线布置在同一层上。
衬底可包括第一平面区域、第一弯曲区域以及第二平面区域，其中，像素区域位于第一平面区域中，第一弯曲区域位于第一平面区域的一侧，第二平面区域位于第一弯曲区域的一侧。
此外，在第一弯曲区域中电力供应线和多个数据扇出线可位于同一层上。
此外，在第一弯曲区域中，多个数据扇出线可包括第一数据扇出线部分、以第一距离与第一数据扇出线部分间隔开的第二数据扇出线部分、以第二距离与第二数据扇出线部分间隔开的第三数据扇出线部分以及以第三距离与第三数据扇出线部分间隔开的第四数据扇出线部分。
此外，在第一弯曲区域中，电力供应线中的至少一个可位于第一数据扇出线部分和第二数据扇出线部分之间、第二数据扇出线部分和第三数据扇出线部分之间或第三数据扇出线部分和第四数据扇出线部分之间。
此外，显示设备可包括布置在第二平面区域的一侧的焊盘(pad)部，其中，电力供应线电连接至焊盘部。
此外，电力供应线可包括第一电力供应线和第二电力供应线，第一电力供应线可包括配置成连接至焊盘部的第一连接部，以及第二电力供应线配置成连接至焊盘部并且包括位于第一连接部的两侧的一对第二连接部。
此外，在第一弯曲区域中，第一连接部可位于第二数据扇出线部分和第三数据扇出线部分之间。
在第一弯曲区域中，一对第二连接部中的一个第二连接部可位于第一数据扇出线部分和第二数据扇出线部分之间，以及一对第二连接部中的另一第二连接部可位于第三数据扇出线部分和第四数据扇出线部分之间。
此外，一对第二连接部可配置成以直线从焊盘部延伸至第一弯曲区域的接触第一平面区域的一侧。
此外，在第一弯曲区域中多个数据扇出线所处的层和在第一平面区域中多个数据扇出线所处的层可彼此不同。
此外，在第一弯曲区域中第二连接部所处的层和在第一平面区域中第二连接部所处的层可彼此不同。
此外，在第一平面区域中，多个数据扇出线所处的层和第二连接部所处的层可彼此不同。
此外，施加于第一电力供应线的第一电压可大于施加于第二电力供应线的第二电压。
此外，像素中的每一个可包括发光二极管和至少一个薄膜晶体管，以及发光二极管可包括电连接至薄膜晶体管的第一电极和面对第一电极的第二电极。
此外，第一电压可施加于第一电极，以及第二电压可施加于第二电极。
此外，多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在第一平面区域的宽度可大于所述至少一个数据扇出线在第一弯曲区域中的宽度。
此外，多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在第二平面区域中的宽度可大于所述至少一个数据扇出线在第一弯曲区域中的宽度。
此外，多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在第一平面区域的宽度随着从焊盘部到像素区域的距离增加而增加。
此外，多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在第二平面区域中的宽度随着从焊盘部到像素区域的距离增加而增加。
根据本发明构思示例性实施方式，提供了一种显示设备，该显示设备包括衬底、多个数据扇出线以及多个电力线，其中，衬底包括第一平面区域、第二平面区域以及布置在第一平面区域和第二平面区域之间的弯曲区域，多个数据扇出线布置在第一平面区域、第二平面区域和弯曲区域中，多个电力线布置在第一平面区域、第二平面区域和弯曲区域中，其中，在弯曲区域中电力线和数据扇出线包括在同一层中，以及在第一平面区域或第二平面区域中电力线和数据扇出线包括在不同的层中。
根据本发明构思示例性实施方式，提供了一种显示设备，该显示设备包括衬底、多个数据扇出线区域以及电力线，其中，衬底包括第一平面区域、第二平面区域以及布置在第一平面区域和第二平面区域之间的弯曲区域，多个数据扇出线区域布置在弯曲区域中，在弯曲区域中电力线布置在至少两对数据扇出线区域之间，其中，在弯曲区域中数据扇出线区域和电力线布置在同一层中。
附图说明
通过参照附图对本发明构思的示例性实施方式进行详细描述，本发明构思的以上和其它特征将变得更明显，附图中：
图1是示意性示出根据本发明构思示例性实施方式显示设备的一部分的立体图；
图2是根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的衬底的平面图；
图3是根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的显示设备的x-z平面图；
图4是根据本发明构思示例性实施方式的衬底的x-z平面图；
图5是根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的衬底的第一平面区域的y-z平面中的一部分的示图。
图6是根据本发明构思示例性实施方式在图2中示出的平面图中的一部分的放大图；
图7A是根据本发明构思示例性实施方式衬底的第一弯曲区域的y-z平面中的一部分的示图；
图7B和图7C是根据本发明构思示例性实施方式的衬底的第一弯曲区域的y-z平面中的一部分的示图；
图8是示出根据本发明构思示例性实施方式数据扇出线中的一部分的放大平面图；
图9是示意性示出根据本发明构思实施方式显示设备的衬底的立体图；以及
图10是示意性示出根据本发明构思示例性实施方式显示设备的衬底的立体图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细说明本发明构思的示例性实施方式。然而，本发明构思可以以多种不同形式实施，而不应该被理解为限于本文中所陈述的实施方式。在全部附图及说明书中，相同的附图标记指代相同的元件，以及因此，可能省略重复的说明。
当诸如层、膜和板等元件被称为在另一元件“上”时，所述元件可直接在另一元件上，或可通过一个或多个中间元件间接地在另一元件上。附图中，为了清楚，可能放大元件的厚度或尺寸。
在以下实施方式中，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系上的三个轴，而是可解释为具有更宽泛的含义。例如，x轴、y轴和z轴可相互呈直角放置，但它们也可以代表没有相互呈直角放置的其它方向。
图1是示意性示出根据本发明构思示例性实施方式的显示设备的一部分的立体图，图2是根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的衬底的平面图，以及图3是根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的显示设备的x-z平面图。
为了便于说明，图2和图3示出处于未弯曲状态的衬底，尽管衬底实际上是弯曲状态。
在下文中，将参照图1至图3详细地说明根据本发明构思示例性实施方式的显示设备。
如图1中所示，构成显示设备的衬底100的一部分可具有弯曲形状，而且根据弯曲衬底100的形状，显示设备也可具有弯曲形状。
参照图1，衬底100可包括第一平面区域1A、第一弯曲区域1BA以及第二平面区域2A。
第一弯曲区域1BA配置成在第一方向(y方向)上延伸，并且可相对于与第一方向交叉的第二方向(x方向)位于第一平面区域1A和第二平面区域2A之间。
如图1中所示，第一弯曲区域1BA可以是衬底100中沿第一弯曲轴1BAX弯曲的部分，其中，第一弯曲轴1BAX在第一方向上延伸。
衬底100可包含具有柔性或可弯曲特性的多种材料，例如，聚合树脂(诸如，聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)以及醋酸丙酸纤维素(CAP))。
衬底100的第一平面区域1A可包括显示用户可识别的图像的像素区域DA和处于像素区域DA周边的外围区域NDA。第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A可不设置在像素区域DA内，而是可设置在外围区域NDA中。
像素区域DA和外围区域NDA可包括至少一个发光二极管、用于向像素区域DA中的每一像素提供数据信号的数据线(或数据扇出线)、用于提供扫描信号的扫描线、用于提供发光信号的发光线、用于提供电源电压的电力供应线和焊盘部(pad portion)等。
发光二极管的示例包括液晶显示器、有机发光二极管等。然而，本发明构思不限于此。但是，为了便于说明，将对像素区域DA中包括的发光二极管为有机发光二极管的情况进行说明。
如图3中所示，在衬底100的像素区域DA内，在平坦层140上，可定位有机发光二极管300，有机发光二极管300具有像素电极310、对电极330和中间层320，中间层320介于像素电极310与对电极330之间并且包括发光层。
如图3中所示，像素电极310通过形成在平坦层140等上的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个，并且因此电连接至薄膜晶体管210。
在平坦层140的上部上，可布置像素限定膜150。该像素限定膜150具有与每一像素对应的开口(换言之，允许暴露像素电极310的至少中央部分的开口)从而限定像素。
此外，在如图3中所示的这种情况下，像素限定膜150可增大像素电极310的边缘与对电极330之间的距离从而防止在像素电极310的边缘处发生电弧，其中对电极330位于像素电极310的上部上。像素限定膜150可由例如聚酰亚胺和六甲基二硅醚(HMDSO)等的有机材料制成。
有机发光二极管300的中间层320可包括低分子材料或高分子材料。在有机发光二极管300的中间层320包括低分子材料的情况下，有机发光二极管300的中间层320可具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等以单一结构或复合结构堆叠的结构，并且可包括多种有机材料，所述有机材料包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB，N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinolinealuminum)(Alq3)等。可以用真空淀积法形成这些层。
在中间层320包括高分子材料的情况下，中间层320可具有包括HTL和EML的结构。此处，HTL可包括PEDOT，以及发射层可包括诸如聚亚苯基乙烯(PPV，poly-phenylenevinylene)和聚芴(polyfluorene)材料的高分子材料。可通过丝网印刷法、墨喷印刷法或激光诱导热成像(LITI)等来制造这种中间层320。
中间层320不限于此，并且因此可具有多种结构。此外，中间层320可包括横跨多个像素电极310进行集成的层或者与多个像素电极310中的每一个对应地进行图案化的层。
如图3中所示，对电极330布置在像素区域DA的上部上，例如以覆盖像素区域DA。换言之，对电极330可横跨多个有机发光二极管进行集成，并且可与多个像素电极310对应。
有机发光二极管300可能被来自外界的水分或氧等损坏，并且因此可使用封装层400来覆盖有机发光二极管300以及从而保护有机发光二极管300。
封装层400可在覆盖像素区域DA时延伸到达像素区域DA的外侧。封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。
第一无机封装层410可覆盖对电极330，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。其它层(诸如，盖层等)可位于第一无机封装层410和对电极330之间。
第一无机封装层410根据其下部的结构来形成，并且因此如图3中所示，第一无机封装层410的上表面可以不是平坦的。有机封装层420可覆盖第一无机封装层410，并且可因此具有平坦上表面。
例如，有机封装层420可具有与像素区域DA对应的平坦上表面。有机封装层420可包括从由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐(polyethylenesulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳酯、六甲基二硅醚(hexamethyldisiloxane)等构成的组群中选出的一种或多种材料。第二无机封装层430可覆盖有机封装层420，并且可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。第二无机封装层430可在其位于像素区域DA外部的边缘处接触第一无机封装层410，从而防止有机封装层420暴露于外部。
如上所述，封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。由于封装层400具有多层结构，所以如果在封装层400内产生裂纹，则可防止裂纹在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者在有机封装层420和第二无机封装层430之间连接。
通过保持裂纹不扩展，这可防止形成路径或使所述路径最小化，所述路径是可供来自外界的水分或氧等渗入像素区域DA的路径。
在封装层400上，偏振片520可布置在光学透明粘合剂510(OCA)附近。偏振片520可减小室外日光反射。
例如，在室外日光经过偏振片520并被对电极330的上表面反射并且然后再次经过偏振片520的情况下，由于室外日光经过偏振片520两次所以室外日光的相位可改变。
因此，通过将反射光的相位设定成与进入偏振片520的室外日光的相位不同并且作为结果减少室外日光，可增大偏振片520的可观察性。
如图3中所示，透明粘合剂510和偏振片520可覆盖平坦层140的开口。然而，根据本发明构思的显示设备并非始终具有偏振片520，换言之，可省略偏振片520或用其它元件代替偏振片520。例如，可省略偏振片520，并且可使用黑色基质和滤色器代替以减小室外日光反射。
此外，包含无机材料的缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130可称为第一无机绝缘层。如图3中所示，第一无机绝缘层可具有与第一弯曲区域1BA对应的第一开口。
换言之，缓冲层110、栅极绝缘膜120以及层间绝缘膜130可分别具有与第一弯曲区域1BA对应的开口110a、开口120a、开口130a。这种开口可称为与第一弯曲区域1BA重叠的第一开口。
此处，第一开口的表面积可大于第一弯曲区域1BA的表面积。例如，在图3中，示出第一开口的宽度OW大于第一弯曲区域1BA的宽度。此外，包括不平坦表面160a的部分的宽度UEW比第一开口的宽度OW窄。
此处，第一开口的表面积可限定为缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130的开口110a、开口120a、开口130a之中具有最小表面积的开口的表面积。例如，在图3中，示出第一开口的表面积由缓冲层110的开口110a的表面积限定。
用于参考，图3示出缓冲层110的开口110a的内表面和栅极绝缘膜120的开口120a的内表面彼此对应，但本发明构思不限于此。
例如，缓冲层110的开口110a的表面积可大于栅极绝缘膜120的开口120a的表面积。在这种情况下，第一开口的表面积可限定为缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130的开口110a、120a、130a之中具有最小表面积的开口的表面积。
根据本实施方式显示设备设置有有机物质层160，有机物质层160填充第一无机绝缘层的第一开口中的至少一部分。图3示出有机物质层160填充整个第一开口。
此外，根据本实施方式的显示设备设置有第一导电层215c，第一导电层215c从第一平面区域1A经由第一弯曲区域1BA延伸至第二平面区域2A并且位于有机物质层160上。
在不存在有机物质层160的位置，第一导电层215c可位于无机绝缘层(诸如，层间绝缘膜130等)上。第一导电层215c可由与源电极215a和漏电极215b相同的材料构成。
此外，在位于第一平面区域1A和第二平面区域2A中的第一导电层215c上还可设置绝缘膜，并且绝缘膜可由诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZrO2)等无机材料制成。此外，绝缘膜可不包括在第一弯曲区域1BA中。
第一导电层215c可与下文中将说明的扇出线或电力供应线对应。
如上所述，虽然图3示出显示设备处于未弯曲状态，但是要理解的是，在根据该实施方式的显示设备中，衬底100等在第一弯曲区域1BA中处于弯曲状态。
为了实现这种弯曲状态，在显示设备的制造过程中，衬底可制造为如图2或图3中所示呈平坦状态的衬底，并且此后，衬底100等可被弯曲以使得第一弯曲区域1BA被弯曲成能够使显示设备具有如图1中所示的形状。
此处，当衬底100的第一弯曲区域1BA被弯曲时，张应力可施加于第一导电层215c，但在根据本实施方式的显示设备的情况下，可防止在这种弯曲过程期间在第一导电层215c中产生缺陷。
例如，如果第一无机绝缘层(诸如，缓冲层110、栅极绝缘膜120和/或层间绝缘膜130)在第一弯曲区域1BA中不具有开口，并且因此具有从第一平面区域1A经由第一弯曲区域1BA至第二平面区域2A的连续形状以及第一导电层215c位于第一无机绝缘层上，则当衬底100弯曲时，大的张应力将施加于第一导电层215c。
例如，由于第一无机绝缘层的硬度高于有机物质层160的硬度，因此在第一弯曲区域1BA的第一无机绝缘层上可能产生裂纹等的可能性高。此外，如果在第一无机绝缘层上产生裂纹，则在第一无机绝缘层的第一导电层215c上也可产生裂纹，从而增大可能产生缺陷(诸如，第一导电层215c的短路)的可能性。
在根据本实施方式的显示设备的情况下，如上所述，第一无机绝缘层在第一弯曲区域1BA中具有第一开口，并且第一导电层215c的第一弯曲区域1BA的部分位于有机物质层160上，所述有机物质层160填充第一无机绝缘层的第一开口的至少一部分。
换言之，由于第一无机绝缘层在第一弯曲区域1BA中具有第一开口，因此在第一无机绝缘层上可能产生裂纹等的可能性非常低，并且在有机物质层160的情况下，由于有机物质的特性的影响可能产生裂纹的可能性也低。因此，可防止在位于有机物质层160上的第一导电层215c的第一弯曲区域1BA部分中产生裂纹等，或至少使裂纹的可能性最小化。
有机物质层160的硬度比无机物质层的硬度低，并且因此，由于有机物质层160吸收由衬底100的弯曲产生的张应力，所以可有效地使集中于第一导电层215c上的张应力最小化。
根据本实施方式的显示设备除设置有第一导电层215c之外，还可设置有第二导电层213a、213b。
第二导电层213a、213b可布置在第一平面区域1A上或在第二平面区域2A上以使得第二导电层213a、213b位于与第一导电层215c所处的层不同的层上，以及可电连接至第一导电层215c。
在图3中，示出第二导电层213a、213b由与薄膜晶体管210的栅电极213相同的材料制成，并且位于与栅电极213相同的层上，换言之，位于栅极绝缘膜120上。薄膜晶体管210还包括半导体层211。
此外，示出第一导电层215c通过形成在层间绝缘膜130中的接触孔接触第二导电层213a、213b。此外，示出第二导电层213a位于第一平面区域1A上以及第二导电层213b位于第二平面区域2A上。
位于第一平面区域1A上的第二导电层213a可以是电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管210等的第二导电层。例如，第二导电层213a可经由第一导电层215c电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管210等。
位于第二平面区域2A上的第二导电层213b也可通过第一导电层215c电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管210等。
如上所述，第二导电层213a、213b可位于像素区域DA的外部上并且同时电连接至位于像素区域DA内的元件。此外，第二导电层213a、213b可位于像素区域DA的外部上并且同时在像素区域DA方向延伸以使得第二导电层213a、213b中的至少一部分位于像素区域DA内。
如上所述，虽然图3示出显示设备处于未弯曲状态，但在根据本实施方式的显示设备中，衬底的第一弯曲区域1BA实际上处于如图1中所示的弯曲状态。
为了实现该弯曲状态，在显示设备的制造过程中，衬底可制造为如图3中所示呈平坦状态的衬底，并且此后，衬底100等可被弯曲以使得第一弯曲区域1BA弯曲成能够使显示设备具有如图1中所示的形状。
此处，在第一弯曲区域1BA的弯曲过程期间，张应力可施加于位于第一弯曲区域1BA内的元件。
因此，通过用具有高伸长比的材料形成跨越第一弯曲区域1BA的第一导电层215c，可防止在第一导电层215c上产生裂纹或防止在第一导电层215c中产生缺陷(诸如，短路等)。
因此，在第一平面区域1A上或在第二平面区域2A上等，可用伸长比比第一导电层215c更低的材料形成第二导电层213a、213b。此外，第二导电层213a、213b可具有与第一导电层215c不同的电/物理特性。
相应地，可提高电信号传递的效率，或减少在本实施方式的显示设备制造过程中缺陷的产生。
例如，第二导电层213a、213b可包括钼，而第一导电层215c可包括铝。第一导电层215c或第二导电层213a、213b可具有多层结构。
此外，在第二导电层213b位于第二平面区域2A上的情况下，第二导电层213b的上部中的至少一部分可朝外暴露而不是用平坦层140覆盖，以使得第二导电层213b可电连接至各种电子设备或印刷电路板等。
此外，如图3中所示，有机物质层160可覆盖第一无机绝缘层的第一开口的内表面。
如上所述，第一导电层215c可由与源电极215a和漏电极215b相同的材料组成；并且在这种情况下，可在衬底100的前表面上形成导电层，并且然后将所述导电层图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。
如果有机物质层160不覆盖缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘膜120的开口120a的内表面或层间绝缘膜130的开口130a的内表面，则在使第一导电层215c图案化的过程中，在没有从缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘膜120的开口120a的内表面或层间绝缘膜130的开口130a的内表面去除导电材料的情况下，所述导电材料可能保持在某一部分上。在这种情况下，剩余的导电材料可能在其它导电层之间引起短接。
因此，有机物质层160被形成以覆盖第一无机绝缘层的第一开口的内表面。
此外，虽然图3示出有机物质层160具有均匀厚度，但厚度可根据有机物质层160的位置而变化以使得有机物质层160上表面的曲线在缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘层120的开口120a的内表面和层间绝缘膜130的开口130a的内表面附近具有缓坡。
相应地，在使导电层图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c的过程中，可有效地防止导电材料保留在它们可能需要被去除的部分中。
此外，如图3中所示，有机物质层160可在上表面(在+z方向)中的至少一部分上具有不平坦表面160a。由于有机物质层160具有不平坦表面160a，因此，位于有机物质层160上的第一导电层215c可具有与有机物质层160的不平坦表面160a对应的上表面和/或下表面。
如上所述，由于在制造过程中当第一弯曲区域1BA被弯曲时张应力可能施加于第一导电层215c，因此，通过使第一导电层215c的上表面和/或下表面能够具有与有机物质层160的不平坦表面160a对应的形状，可使施加于第一导电层215c的张应力量最小化。
换言之，可通过使具有较低硬度的有机物质层160的形状转变来减小弯曲过程中可能产生的张应力。此外，通过使具有不平坦形状的第一导电层215c的形状能够转成与有机物质层160因弯曲而改变的形状对应，可有效地防止在第一导电层215c上产生缺陷(诸如，短路等)。
此外，通过使不平坦表面160a能够在+z方向上形成在有机物质层160的上表面中的至少一部分上，可增大第一开口中有机物质层160的上表面的表面积和第一导电层215c的上/下表面的表面积。
对于有机物质层160的上表面和第一导电层215c的上/下表面，由于所述表面积的尺寸更大，所以有更大的余地使其形状转变，并且因此减小由衬底100的弯曲等引起的张应力。
图4是根据本发明构思示例性实施方式的衬底的x-z平面图。
在图3中，示出在有机物质层160中的至少一部分上形成不平坦表面160a，然而，本发明构思不限于此。换言之，如图4中所示，有机物质层160可在第一弯曲区域1BA中形成为不具有不平坦表面的平坦层。
由于除了没有在有机物质层160上形成不平坦表面的事实之外图4中示出的衬底具有与图3中示出的衬底相似的配置，所以将省略重复的描述。
此外，虽然图3示出从第一弯曲区域1BA中去除缓冲层110，但发明构思不限于此，并且因此第一弯曲区域1BA可包括缓冲层110。
此外，在像素区域DA的外侧处，可布置应力中和层600(例如，弯曲保护层(BPL))。换言之，应力中和层600可位于至少第一弯曲区域1BA中的第一导电层215c上。
当使堆叠主体弯曲时，堆叠主体内部将存在应力中和平面。当没有这种应力中和层600时，过量的张应力等可根据衬底100等的弯曲施加于第一弯曲区域1BA内的第一导电层215c。
这是因为第一导电层215c的位置可能不与应力中和平面对应。然而，通过确保应力中和层600的存在并且然后调节其厚度和模量等可调节应力中和平面在堆叠主体中的位置，其中所述堆叠主体包括衬底100、第一导电层215c、应力中和层600等。
因此，通过经由应力中和层600在第一导电层215c的附近布置应力中和平面，可使施加于第一导电层215c的张应力最小化。
应力中和层600可延伸至显示设备的衬底100的边缘的端部。
例如，对于第二平面区域2A，第一导电层215c、第二导电层213b和/或从第一导电层215c和第二导电层213b电连接出的其它导电层中的至少一部分可电连接至各种电子设备或印刷电路板等，而不是被层间绝缘膜130或平坦层140等覆盖。
相应地，可存在电连接至各种电子设备或印刷电路板等的第一导电层215c、第二导电层213b和/或从第一导电层215c、第二导电层213b电连接出的其它导电层中的一部分。
此处，待被电连接的部分可被保护以免受杂质(诸如，来自外界的水分)的影响，并且因此，通过使应力中和层600能够覆盖这种电连接部分，应力中和层600也用作保护层。在这种情况下，应力中和层600可延伸至显示设备的衬底100的边缘的端部。
如图2中所示，第一平面区域1A包括像素区域DA。在像素区域DA中布置有多个像素，并且相应地，像素区域DA可显示图像。因此，像素区域DA可称为显示区域。
在第一平面区域1A中，还包括外围区域NDA。在外围区域NDA中，可布置用于驱动像素的元件(例如，驱动部分和布线等)。
由于外围区域NDA中没有像素，因此，外围区域NDA可称为非显示区域。外围区域NDA可存在于像素区域DA的外侧上，并且可具有围绕像素区域DA中的至少一部分的形状。
第一弯曲区域1BA布置于第一平面区域1A一侧的外部，以及用于驱动第一平面区域1A的像素的元件(例如，布线等)可位于第一弯曲区域1BA中。
第一弯曲区域1BA中不存在像素，并且在第一弯曲区域1BA中显露的元件可连接至位于第一平面区域1A的外围区域NDA中的元件。
第二平面区域2A布置在第一弯曲区域1BA一侧的外部上，以及用于驱动第一平面区域1A的像素的元件(例如，布线和带部等)可位于第二平面区域2A中。
第二平面区域2A中不存在像素。
在下文中，将对第一平面区域1A、电力供应线10、13、20、23、数据扇出线30、焊盘部PAD做出说明，其中电力供应线10、13、20、23布置在第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A的外围区域NDA中。
电力供应线10、13、20、23可向像素区域DA的像素(例如，向有机发光二极管(OLED))供应电力。
可利用与源电极215a和漏电极215b相同的材料形成电力供应线10、13、20、23。例如，电力供应线10、13、20、23可由铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)以及铜(Cu)中的一种或多种制成。
如图2中所示，电力供应线10、13、20、23可包括第一电力供应线10、将第一电力供应线10与焊盘部PAD连接的第一连接部13、第二电力供应线20以及连接第二电力供应线20与焊盘部PAD的第二连接部23。
第一电力供应线10可布置成与像素区域DA的一侧对应，并且例如布置成与像素区域DA邻近焊盘部PAD的一侧对应。
第一电力供应线10可配置成沿图2中示出的第一方向延伸，并且可包括配置成与像素区域DA的一侧平行的一对第一端部11。
如图2中所示，电力供应线10、13、20、23还可包括从第一电力供应线10延伸出并且布置在像素区域DA上以向OLED供应电力的多个第一从属线15。
在图2中，仅示出第一从属线15的一部分，并且虽然以在第二方向延伸的形式示出多个第一从属线15，但这仅仅是示例性的，例如第一从属线15可以呈多种方式。换言之，多个第一从属线15可由在第一方向延伸的多个线和在第二方向延伸的多个线组成以形成网状结构。
第二电力供应线20可布置成围绕像素区域DA各侧部中的剩余部分。例如，第二电力供应线20可围绕像素区域DA的三个侧部以及围绕布置有第一电力供应线10的侧部的一部分。
第二电力供应线20可包括弯曲成围绕一对第一端部11的一对第二端部21，并且所述一对第一端部11中的每一个可位于像素区域DA和所述一对第二端部21之间。
施加于第一电力供应线10的第一电压可大于施加于第二电力供应线20的第二电压。
换言之，第一电力供应线10可以是操作电压(ELVDD)线，而第二电力供应线20可以是公共电压(ELVSS)线。
施加于作为操作电压(ELVDD)线的第一电力供应线10的第一电压可通过第一电力供应线10和第一从属线15施加于OLED的第一电极。
施加于作为公共电压(ELVSS)线的第二电力供应线20的第二电压可通过第二电力供应线20施加于OLED的第二电极。
第一电力供应线10可包括第一连接部13且第二电力供应线20可包括第二连接部23，并且第一连接部13和第二连接部23可连接至布置在第二平面区域2A中的焊盘部PAD。
第一连接部13可配置为沿第二方向从第一电力供应线10延伸出，并且可经由第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A中的一部分连接至焊盘部PAD。虽然图2示出一个第一连接部13，但第一连接部13的数量不限于此。
此外，虽然图2示出第一连接部13连接至焊盘部PAD的中央区域，但本发明构思不限于此，并且因此第一连接部13可具有从其两端部11延伸出以连接到焊盘部PAD的两端的部分。
例如，参照图2，由于多个数据扇出线30(待在下文中说明)包括第一数据扇出线区域DPA1、以某一距离与第一数据扇出线区域DPA1间隔开的第二数据扇出线区域DPA2、以某一距离与第二数据扇出线区域DPA2间隔开的第三数据扇出线区域DPA3以及以某一距离与第三数据扇出线区域DPA3间隔开的第四数据扇出线区域DPA4，因此，在第一弯曲区域1BA中，第一连接部13可位于设置在第二数据扇出线区域DPA2和第三数据扇出线区域DPA3之间的空间中。
第二连接部23可布置在第一连接部13的两侧。
第二连接部23可包括在与第一连接部13平行的方向上从第二电力供应线20延伸出的一对第二连接部23。
例如，一对第二连接部23可各自从弯曲成围绕一对第一端部11的一对第二端部21延伸出。一对第二连接部23可经由第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A中的一部分连接至焊盘部PAD。例如，一对第二连接部23可各自位于第一数据扇出线区域DPA1和第二数据扇出线区域DPA2之间的空间中以及第三数据扇出线区域DPA3和第四数据扇出线区域DPA4之间的空间中。
此处，在第一数据扇出线区域DPA1和第二数据扇出线区域DPA2之间的空间以及在第三数据扇出线区域DPA3和第四数据扇出线区域DPA4之间的空间的位置可根据连接至第二连接部23的焊盘43的位置而变化，以使得第二连接部23可配置成在与第二方向平行的方向上从焊盘部PAD的焊盘43延伸出。换言之，在相邻扇出线区域之间的空间可与连接至第二连接部23的焊盘43的位置对应。
此外，如图2中所示，一对第二连接部23可各自布置成离第一连接部13比离一对第一端部11更近。
换言之，弯曲的一对第二端部21可在图2中示出的第一方向上进一步延伸，以使得第二连接部23离第一连接部13中延伸至焊盘部PAD的部分更近。然而，要理解的是，第二连接部23的位置不限于此。
在图2中，还可设置第三电力供应线，所述第三电力供应线用于传递启动薄膜晶体管之中的驱动薄膜晶体管的初始电压。换言之，第三电力供应线可以是初始电压线Vint。
第三电力供应线可布置在第一平面区域1A的像素区域DA的左侧和右侧上，以及可经由第一平面区域1A、第一弯曲区域1BA及第二平面区域2A的外围区域NDA中的一部分连接至焊盘部PAD。
此外，根据本实施方式的显示设备还可包括用于调节外围区域NDA中的电压电平的VGH布线和VGL布线。
例如，VGH布线和VGL布线可布置成围绕像素区域DA的各侧部(侧部中布置有第一电力供应线10的部分除外)。
根据本实施方式的显示设备还可包括布置在外围区域NDA中的数据扇出线30。
数据扇出线30连接至焊盘部PAD的焊盘，并且可将数据电压施加于布置在像素区域DA中的数据线。
图2是显示设备的平面图，并且因此，连同电力供应线10、13、20、23一起示出数据扇出线30，然而，数据扇出线30可布置在与第一电力供应线10、第二电力供应线20、第一连接部13和第二连接部23的层不同的层上，并且可通过绝缘层与第一电力供应线10、第二电力供应线20、第一连接部13和第二连接部23电隔离。
图5是示出根据本发明构思示例性实施方式在图1中示出的衬底100的第一平面区域1A的y-z平面中的一部分的示图。参照图5，在第一平面区域1A的y-z平面上，第二导电层213a与数据扇出线30对应而第一导电层215c可与电力供应线10、13、20、23对应，其中所述第二导电层213a形成在与薄膜晶体管210的栅电极213相同的层上，所述第一导电层215c由与源电极215a或漏电极215b相同的材料制成。换言之，如图5中所示，数据扇出线30和电力供应线10、13、20、23可布置在彼此不同的层上并且在它们之间具有层间绝缘膜130。
如上所述，电力供应线(换言之，第一电力供应线10、第二电力供应线20、第一连接部13和第二连接部23)可使用与源电极215a和漏电极215b相同的材料形成在与源电极215a和漏电极215b相同的层上。
此外，在一些区域中(例如，在第一平面区域1A中)，数据扇出线30可通过层间绝缘膜130与第一电力供应线10、第二电力供应线20、第一连接部13和第二连接部23隔绝，以及可使用与栅电极213相同的材料形成在与栅电极213相同的层上。
此外，在一些区域中，数据扇出线30可使用与第一连接部13和第二连接部23相同的材料形成在与第一连接部13和第二连接部23相同的层上。
在下文中，将详细地说明第二平面区域2A中所包括的焊盘部PAD。
焊盘部PAD可包括驱动器IC 41、将驱动器IC 41和像素电路(例如，显示区域DA)连接的焊盘43以及电力扇出线42。
驱动器IC 41可包括用于供应数据信号的数据驱动部分，并且还包括用于驱动像素电路的多种功能部分。
驱动器IC 41是可安装到衬底100上的COG(chip on glass；玻璃上芯片)型驱动器集成电路(IC)41。在驱动器IC 41的一侧，可包括用于电接入焊盘43的接入端子。焊盘43和接入端子可通过插入粘合材料相互粘结，其中所述粘合材料能够携带电流并包括导电球。这种粘合材料的示例例如包括各向异性导电薄膜、自组织导电薄膜等。
驱动器IC 41经由接入端子电连接至焊盘43。例如，驱动器IC 41的左侧和右侧可连接至第二连接部23。焊盘43的中间部分可与电力扇出线42电连接。焊盘43可形成在与电力扇出线42不同的层上，但本发明构思不限于此，并且因此，焊盘43可布置在与电力扇出线42相同的层上。
焊盘43可利用包括从钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)等中选择的至少一种的材料形成为单层结构或多层结构。
数据扇出线30也可电连接至多个焊盘43。例如，可在连接至电力扇出线42的焊盘附近设置额外的焊盘43以使得数据扇出线30可电连接额外的焊盘43。
电力扇出线42和数据扇出线30可形成在同一层上，而且连接至数据扇出线30的焊盘可形成在与数据扇出线30相同的层上或形成在另一层上。
电力扇出线42可连接焊盘43和像素电路。电力扇出线42可形成在与栅电极213相同的层上。换言之，电力扇出线42可布置在栅极绝缘膜120的上部上。
图6是根据本发明构思示例性实施方式在图2中示出的平面图中的一部分的放大图。例如，图6是位于第一弯曲区域1BA中的数据扇出线30、第一连接部13以及第二连接部23的放大图。
如图6中所示，数据扇出线30可配置成包括位于第一数据扇出线区域DPA1中的第一数据扇出线30a、位于第二数据扇出线区域DPA2中的第二数据扇出线30b、位于第三数据扇出线区域DPA3中的第三数据扇出线30c以及位于第四数据扇出线区域DPA4中的第四数据扇出线30d。
第一数据扇出线区域DPA1和第二数据扇出线区域DPA2可以以某一距离彼此间隔开。换言之，在第一弯曲区域1BA中，可以不在第一数据扇出线区域DPA1和第二数据扇出线区域DPA2之间设置数据扇出线。
第二数据扇出线区域DPA2和第三数据扇出线区域DPA3可以以某一距离彼此间隔开。换言之，在第一弯曲区域1BA中，可以不在第二数据扇出线区域DPA2和第三数据扇出线区域DPA3之间设置数据扇出线。
第三数据扇出线区域DPA3和第四数据扇出线区域DPA4可以以某一距离彼此间隔开。换言之，在第一弯曲区域1BA中，可以不在第三数据扇出线区域DPA3和第四数据扇出线区域DPA4之间设置数据扇出线。
在本实施方式中，在第一数据扇出线区域DPA1和第二数据扇出线区域DPA2之间的区域可称为第一电力线区域LA1，而且第二电力供应线20的第二连接部23可位于第一电力线区域LA1中。
此外，在第三数据扇出线区域DPA3和第四数据扇出线区域DPA4之间的区域也可称为第一电力线区域LA1，而且第二电力供应线20的第二连接部23可位于第一电力线区域LA1中。
在第二数据扇出线区域DPA2和第三数据扇出线区域DPA3之间的区域可称为第二电力线区域LA2，而且第一电力供应线10的第一连接部13可位于第二电力线区域LA2中。
在第一弯曲区域1BA中，第一数据扇出线至第四数据扇出线30a、30b、30c、30d、第一电力供应线10的第一连接部13以及第二电力供应线20的第二连接部23可全部位于同一层上。
第一数据扇出线至第四数据扇出线30a、30b、30c、30d、第一电力供应线10的第一连接部13和第二电力供应线20的第二连接部23在第一弯曲区域1BA中所处的层与第一数据扇出线至第四数据扇出线30a、30b、30c、30d、第一电力供应线10的第一连接部13和第二电力供应线20的第二连接部23在第一平面区域1A的外围区域NDA中所处的层可彼此不同。
例如，在第一弯曲区域1BA中，可在去除缓冲层110和栅极绝缘膜120之后形成第一数据扇出线至第四数据扇出线30a、30b、30c、30d、第一电力供应线10的第一连接部13和第二电力供应线20的第二连接部23。
换言之，第一数据扇出线至第四数据扇出线30a、30b、30c、30d、第一电力供应线10的第一连接部13和第二电力供应线20的第二连接部23可与图3的第一导电层215c类似地形成。
在本实施方式中，第一弯曲区域1BA是这样的区域，所述区域将在稍后弯曲并且防止衬底100弯曲时产生的裂纹以及防止因裂纹引起的缺陷(诸如，短路)，位于第一弯曲区域1BA中的布线形成在同一层上。
根据本发明构思示例性实施方式，通过使第二电力供应线20的第二连接部23形成为在数据扇出线30a-30d之间穿过，可缩短形成第二电力供应线20的布线的长度，由此使电阻最小化。
图6的说明是基于两个数据扇出线30a位于第一数据扇出线区域DPA1中的假定，然而，本发明构思不限于此，随着与第二连接部23连接的焊盘43的位置、数据扇出线30的总数等改变，位于第一数据扇出线区域DPA1中的数据扇出线30a的数量可变化。
布置在第二数据扇出线区域至第四数据扇出线区域DPA2、DPA3、DPA4中的数据扇出线30b、30c、30d的数量也可改变。
第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d中的每一个可电连接至第一平面区域1A的数据扇出线30，并且可连接至第一平面区域1A中位于与第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d所处的层不同的层上的数据扇出线30。
第一平面区域1A的数据扇出线30可与图3的第二导电层213a对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d可通过形成在层间绝缘膜130中的接触孔接触第一平面区域1A的数据扇出线30。
第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d可通过第一平面区域1A的数据扇出线30电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管等。
第一弯曲区域1BA的第二连接部23可电连接至第一平面区域1A的第二连接部23，并且可连接至位于与第一弯曲区域1BA的第二连接部23所处的层不同的层上的第二连接部23。
第一平面区域1A的第二连接部23可与图3的第一导电层215c对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的第二连接部23可电连接至第一平面区域1A的第二连接部23。
第一弯曲区域1BA的第二连接部23可通过第一平面区域1A的第二连接部23电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管。
第一弯曲区域1BA的第一连接部13可电连接至第一平面区域1A的第一连接部13，以及可连接至第一平面区域1A中设置在与第一弯曲区域1BA的第一连接部13所处的层不同的层上的第一连接部13。
第一平面区域1A的第一连接部13可与图3的第一导电层215c对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的第一连接部13可电连接至第一平面区域1A的第一连接部13。
第一弯曲区域1BA的第一连接部13可通过第一平面区域1A的第一连接部13电连接至像素区域DA内的薄膜晶体管等。
如上所述，在第一平面区域1A中，数据扇出线30、第一连接部13和第二连接部23可各自位于相互不同的层上。
第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d中的每一个可电连接至第二平面区域2A的数据扇出线30，以及可连接至第二平面区域2A中设置在与第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d所处的层不同的层上的数据扇出线30。
第二平面区域2A的数据扇出线30可与图3的第二导电层213b对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d可通过形成在层间绝缘膜130中的接触孔接触第二平面区域2A的数据扇出线30。
第一弯曲区域1BA的数据扇出线30a、30b、30c、30d可通过第二平面区域2A的数据扇出线30电连接至焊盘部PAD。
第一弯曲区域1BA的第二连接部23可电连接至第二平面区域2A的第二连接部23，以及可连接至设置在与第一弯曲区域1BA的第二连接部23所处的层不同的层上的第二连接部23。
第二平面区域2A的第二连接部23可与图3的第一导电层215c对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的第二连接部23可电连接至第二平面区域2A的第二连接部23。
第一弯曲区域1BA的第二连接部23可通过第二平面区域2A的第二连接部23电连接至焊盘部PAD。
第一弯曲区域1BA的第一连接部13可电连接至第二平面区域2A的第一连接部13，以及可连接至第二平面区域2A中设置在与第一弯曲区域1BA的第一连接部13所位于的层不同的层上的第一连接部13。
第二平面区域2A的第一连接部13可与图3的第一导电层215c对应，并且如可从图3看出，第一弯曲区域1BA的第一连接部13可电连接至第二平面区域2A的第一连接部13。
第一弯曲区域1BA的第一连接部13可通过第二平面区域2A的第一连接部13电连接至焊盘部PAD等。
如上所述，在第二平面区域2A中，数据扇出线30、第一连接部13和第二连接部23可位于相互不同的层上。
换言之，仅在第一弯曲区域1BA中，数据扇出线30、第一连接部13和第二连接部23可位于同一层上，而在第一平面区域1A和第二平面区域2A中，数据扇出线30、第一连接部13和第二连接部23位于不同的层上。
此外，如图6中所示，数据扇出线和电力线(第一电力供应线10、第一连接部13、第二电力供应线20和第二连接部23)可配置成具有围绕第一连接部13周围对称的形状。
此外，图1至图6中的说明是基于数据扇出线30被分成四个区域的假定，但发明构思不限于此，并且因此，形成数据扇出线30的数据扇出线区域的数量可变化。
图1至图6中的说明是基于以下假定：在第一弯曲区域1BA中，数据扇出线30中的每一个以一致的宽度在某一方向上延伸(换言之，填充有导电材料的矩形形状)，但发明构思不限于此。
换言之，每一数据扇出线30的形状可变化以使得可减小由第一弯曲区域1BA的弯曲造成的抗张强度引起的应力。数据扇出线30的形状可变化成例如，由导电材料的线组成的网状形状、链状形状、网格形状等。此外，第一连接部13或第二连接部23可配置成以一致的宽度在某一方向上延伸(换言之，填充有导电材料的矩形形状)。
图7A是根据本发明构思示例性实施方式在衬底100的第一弯曲区域1BA中的平面y-z中的一部分的示图，以及图7B和图7C是根据本发明构思示例性实施方式衬底100的第一弯曲区域1BA的平面y-z中的一部分的示图。
参照图7A，第二连接部23a可位于有机物质层160上，位于第一数据扇出线区域中的数据扇出线30a可在有机物质层160上的第二连接部23a的左侧，以及位于第二数据扇出线区域中的数据扇出线30b可在有机物质层160上的第二连接部23a的右侧。换言之，如上所述，在第一弯曲区域1BA中，全部数据扇出线30和第二连接部23可位于同一层上。
参照图7B和图7C，绝缘层(例如，有机物质层160)可包括第一绝缘层161和第二绝缘层165，以及数据扇出线30a-30d中的一些可位于第一绝缘层161上，而数据扇出线30a-30d中的其余部分位于第二绝缘层165上。换言之，数据扇出线30可形成为中间具有第二绝缘层165的双层。
此处，第二连接部23a可设置在第一绝缘层161上或在第二绝缘层165上以及与数据扇出线30a-30d中的至少一个相同的层上。
因此，第二连接部23a和数据扇出线30a-30d可以以多种形式设置。以示例的方式，如图7B中所示，数据扇出线30a、30b中位于第二连接部23a的任一侧的一个数据扇出线可位于与第二连接部23a相同的层上，以及数据扇出线30a、30b中位于第二连接部23a的另一侧的另一数据扇出线可位于另一层上。
如图7C中所示，位于第二连接部23a的两侧的数据扇出线30a、30b中的一半可位于与第二连接部23a不同的层上，以及数据扇出线30a、30b中的一半可位于与第二连接部23a相同的层上。
换言之，在数据扇出线30形成为双层布线的情况下，第二连接部23a可位于与数据扇出线30a-30d中的至少一些相同的层上。
在下文中，将参照图8对根据本发明构思示例性实施方式的数据扇出线30的形状进行说明。
图8是根据本发明构思示例性实施方式的数据扇出线30中的一部分的放大平面图。
如图2中所示，数据扇出线30离第一连接部13越远，数据扇出线30的长度越长。因此，数据扇出线30离第一连接部13越远，数据扇出线30的电阻越大。
在这种情况下，通过调节数据扇出线30的宽度，可减小数据扇出线30之间的电阻。
然而，由于在第一弯曲区域1BA中，数据扇出线30a、30b、30c、30d全部形成在同一层上，因此，第一连接部13和第二连接部23可能限制数据扇出线30a、30b、30c、30d可位于的区域。因此，增大数据扇出线30a、30b、30c、30d中的每一个的宽度存在限制。
另一方面，由于在第一平面区域1A中和在第二平面区域2A中，数据扇出线30、第一连接部13和第二连接部23可形成在相互不同的层上，因此，数据扇出线30可位于的区域大于在第一弯曲区域1BA中的区域。
因此，如图8中所示，通过将第一平面区域1A中和第二平面区域2A中的数据扇出线30的宽度W2调节成大于第一弯曲区域1BA中的数据扇出线30的宽度W1，可调节数据扇出线30的电阻。
换言之，可维持第一弯曲区域1BA(被限制的区域)中的数据扇出线30的宽度，但增大第一平面区域1A中和第二平面区域2A(具有一定容许度的区域)中的数据扇出线30的宽度。
此外，位于第一弯曲区域1BA中的每一数据扇出线30的宽度可几乎相同，但本发明构思不限于此。因此，数据扇出线30离第一连接部13越远，数据扇出线30的宽度越大。
此外，不是所有数据扇出线30都可在第一平面区域1A和第二平面区域2A中具有更大的宽度，并且因此，根据待调节的电阻，数据扇出线30中的一些的宽度可增加，并且宽度增加量(increase)还可变化。
此外，在本实施方式中，为了便于说明，第一电力供应线10和第一连接部13以及第二电力供应线20和第二连接部23单独进行说明，但第一连接部13和第二连接部23可各自分别作为第一电力供应线10和第二电力供应线20中的一部分。
图9是示意性示出根据本发明构思示例性实施方式显示设备的衬底100a的立体图。
与图1中的说明不同，根据本实施方式的衬底100a可配置成包括三个区域，即第一区域至第三区域SUB1、SUB2、SUB3。
如图9中所示，第一区域至第三区域SUB1、SUB2、SUB3各自具有通常的矩形形状。
第一区域至第三区域SUB1、SUB2、SUB3中的每一个具有如以上描述的像素区域DA和外围区域NDA。外围区域与显示设备中的边框(bezel)对应，并且边框的宽度可根据外围区域的宽度确定。
下文中提供对第一区域至第三区域SUB1、SUB2、SUB3的描述。
第一区域SUB1在第一区域至第三区域SUB1、SUB2、SUB3之中具有最大的表面积。
设置在第一区域SUB1中的第一像素区域可具有与第一区域SUB1的形状对应的形状。
设置在第一区域SUB1中的第一外围区域设置在第一像素区域的至少一侧上。在本实施方式中，第一外围区域可围绕第一像素区域的缘边，但是可设置在除第二区域SUB2和第三区域SUB3(待在下文中说明)所布置的位置之外的区域中。
第二区域SUB2可位于第一区域SUB1的一端，并且可具有比第一区域SUB1的面积更小的面积。
第二区域SUB2具有用于显示图像的第二像素区域和围绕第二像素区域中的至少一部分的第二外围区域。
第二像素区域具有与第二区域SUB2对应的形状。第二像素区域可以以自第一像素区域伸出的形式设置，并且可与第一像素区域直接连接。换言之，在第二像素区域中，与第一像素区域最近的边缘部分与第一像素区域的边缘(例如，参见它们之间的短划线)对应。
第二外围区域设置在第二像素区域的至少一侧上。在本实施方式中，第二外围区域围绕第二像素区域，但不是第一像素区域和第二像素区域彼此连接的位置。
第三区域SUB3具有比第一区域SUB1更小的表面积。第三区域SUB3可具有与第二区域SUB2几乎相同的表面积或与第二区域SUB2不同的表面积。
第三区域SUB3具有用于显示图像的第三像素区域和围绕第三像素区域中的至少一部分的第三外围区域。
第三像素区域具有与第三区域SUB3的形状对应的形状。
第三像素区域以自第一像素区域伸出的形式设置，并且直接连接至第一像素区域。换言之，在第三像素区域中，与第一像素区域最近的边缘部分与第一像素区域的边缘(例如，参见它们之间的短划线)对应。
第三外围区域设置在第三像素区域的至少一侧上。在本实施方式中，第三外围区域可围绕第三像素区域，但不是第一像素区域和第三像素区域彼此连接的部分。
在本实施方式中，第三区域SUB3可具有与第二区域SUB2轴对称的形状，在这种情况下，除一些布线之外，设置在第三区域SUB3中的各个元件之间的布置关系可与第二区域SUB2基本上相同。
根据本实施方式的衬底100a的第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A的形状和配置与上述的第一弯曲区域1BA和第二平面区域2A的形状和配置相同，并且因此将省略其说明。
图10是示意性示出根据本发明构思示例性实施方式的显示设备的衬底的立体图。
如图10中所示，根据本实施方式的衬底100b可包括第一平面区域1A、第一弯曲区域10BA和第二平面区域20A。
图10中示出的第一平面区域1A具有与上述第一平面区域1A相同的形状和配置，并且因此将省略其说明。
根据本实施方式，第一弯曲区域10BA在第一方向(y轴方向)上的宽度可小于第一平面区域1A的宽度。
此外，第二平面区域20A在第一方向(y轴方向)上的宽度可与第一弯曲区域10BA的宽度几乎相同，并且小于第一平面区域1A的宽度。
换言之，衬底100b可具有这样的形状，其中第一平面区域1A的一个侧表面中的一部分突出并伸出。
此外，图10中的说明是基于第一平面区域1A具有矩形形状的假定，然而，显示设备可具有呈如图9中所示的形状的第一平面区域10A。
根据本发明构思示例性实施方式，提供具有最小长度的电力供应线的显示设备。此外，提供在数据扇出线之间具有降低的电阻偏差的显示设备。
虽然已参照本发明构思的示例性实施方式具体示出和描述了本发明构思，但本领域普通技术人员将理解的是，在不背离本发明构思的精神和范围的情况下，可对本发明构思在形式和细节上做出多种改变，本发明构思的精神和范围如由以下权利要求限定。

Claims (22)

1.显示设备，包括：
衬底，包括像素区域和位于所述像素区域外的外围区域；
像素，位于所述像素区域中；
电力供应线，配置成向所述像素提供操作电力；以及
多个数据扇出线，配置成向所述像素提供数据信号，
其中，在所述外围区域中的至少一部分中，所述电力供应线和所述多个数据扇出线布置在同一层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述衬底包括：
第一平面区域，所述像素区域位于所述第一平面区域中；
第一弯曲区域，位于所述第一平面区域的一侧；以及
第二平面区域，位于所述第一弯曲区域的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中所述电力供应线和所述多个数据扇出线位于同一层上。
4.根据权利要求2所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中，所述多个数据扇出线包括：
第一数据扇出线部分、以第一距离与所述第一数据扇出线部分间隔开的第二数据扇出线部分、以第二距离与所述第二数据扇出线部分间隔开的第三数据扇出线部分以及以第三距离与所述第三数据扇出线部分间隔开的第四数据扇出线部分。
5.根据权利要求4所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中，所述电力供应线中的至少一个位于所述第一数据扇出线部分与所述第二数据扇出线部分之间、所述第二数据扇出线部分与所述第三数据扇出线部分之间或所述第三数据扇出线部分与所述第四数据扇出线部分之间。
6.根据权利要求5所述的显示设备，还包括：
焊盘部，布置在所述第二平面区域的一侧，
其中，所述电力供应线电连接至所述焊盘部。
7.根据权利要求6所述的显示设备，
其中，所述电力供应线包括第一电力供应线和第二电力供应线，
所述第一电力供应线包括第一连接部，所述第一连接部配置成连接至所述焊盘部，以及
所述第二电力供应线配置成连接至所述焊盘部，并且包括位于所述第一连接部的两侧的一对第二连接部。
8.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中，所述第一连接部位于所述第二数据扇出线部分与所述第三数据扇出线部分之间。
9.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中，所述一对第二连接部中的一个第二连接部位于所述第一数据扇出线部分与所述第二数据扇出线部分之间，而所述一对第二连接部中的另一第二连接部位于所述第三数据扇出线部分与所述第四数据扇出线部分之间。
10.根据权利要求9所述的显示设备，
其中，所述一对第二连接部配置成以直线从所述焊盘部延伸至所述第一弯曲区域的与所述第一平面区域接触的一侧。
11.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中所述多个数据扇出线所处的层与在所述第一平面区域中所述多个数据扇出线所处的层彼此不同。
12.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，在所述第一弯曲区域中布置所述第二连接部的层与在所述第一平面区域中布置所述第二连接部的层彼此不同。
13.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，在所述第一平面区域中，布置所述多个数据扇出线的层与布置有所述第二连接部的层彼此不同。
14.根据权利要求7所述的显示设备，
其中，施加于所述第一电力供应线的第一电压大于施加于所述第二电力供应线的第二电压。
15.根据权利要求14所述的显示设备，
其中，所述像素中的每一个包括发光二极管和至少一个薄膜晶体管，以及
所述发光二极管包括电连接至所述薄膜晶体管的第一电极和面对所述第一电极的第二电极。
16.根据权利要求15所述的显示设备，
其中，所述第一电压施加于所述第一电极，而所述第二电压施加于所述第二电极。
17.根据权利要求4所述的显示设备，
其中，所述多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在所述第一平面区域中的宽度大于所述至少一个数据扇出线在所述第一弯曲区域中的宽度。
18.根据权利要求4所述的显示设备，
其中，所述多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在所述第二平面区域中的宽度大于所述至少一个数据扇出线在所述第一弯曲区域中的宽度。
19.根据权利要求17所述的显示设备，
其中，所述多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在所述第一平面区域中的宽度以可变化的宽度增加量增加。
20.根据权利要求18所述的显示设备，
其中，所述多个数据扇出线中的至少一个数据扇出线在所述第二平面区域中的宽度以可变化的宽度增加量增加。
21.显示设备，包括：
衬底，包括第一平面区域、第二平面区域以及布置在所述第一平面区域与所述第二平面区域之间的弯曲区域；
多个数据扇出线，布置在所述第一平面区域、所述第二平面区域和所述弯曲区域中；以及
多个电力线，布置在所述第一平面区域、所述第二平面区域和所述弯曲区域中；
其中，在所述弯曲区域中所述电力线和所述数据扇出线包括在同一层中，以及在所述第一平面区域或所述第二平面区域中所述电力线和所述数据扇出线包括在不同的层中。
22.显示设备，包括：
衬底，包括第一平面区域、第二平面区域以及设置在所述第一平面区域与所述第二平面区域之间的弯曲区域；
多个数据扇出线区域，设置在所述弯曲区域中；以及
电力线，在所述弯曲区域中设置在至少两对所述数据扇出线区域之间，
其中，在所述弯曲区域中所述数据扇出线区域和所述电力线布置在同一层中。
CN201710080615.3A 2016-04-05 2017-02-15 显示设备 Active CN107275365B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310476284.0A CN116471888A (zh) 2016-04-05 2017-02-15 显示设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160041331A KR102525124B1 (ko) 2016-04-05 2016-04-05 표시 장치
KR10-2016-0041331 2016-04-05

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310476284.0A Division CN116471888A (zh) 2016-04-05 2017-02-15 显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107275365A true CN107275365A (zh) 2017-10-20
CN107275365B CN107275365B (zh) 2023-05-19

Family

ID=59961887

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310476284.0A Pending CN116471888A (zh) 2016-04-05 2017-02-15 显示设备
CN201710080615.3A Active CN107275365B (zh) 2016-04-05 2017-02-15 显示设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310476284.0A Pending CN116471888A (zh) 2016-04-05 2017-02-15 显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (4) US9893093B2 (zh)
KR (2) KR102525124B1 (zh)
CN (2) CN116471888A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206200A (zh) * 2016-12-19 2018-06-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN109950222A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN110164949A (zh) * 2019-06-27 2019-08-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110854156A (zh) * 2018-08-20 2020-02-28 三星显示有限公司 有机发光二极管显示装置
CN111063257A (zh) * 2019-12-04 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
US10644091B2 (en) 2018-05-14 2020-05-05 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Electronic device, display panel and method for manufacturing display panel
WO2020143437A1 (zh) * 2019-01-08 2020-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
WO2022174414A1 (zh) * 2021-02-20 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US11785814B2 (en) 2020-08-31 2023-10-10 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102525124B1 (ko) 2016-04-05 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102651930B1 (ko) * 2016-07-29 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102397900B1 (ko) 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102327991B1 (ko) * 2016-12-16 2021-11-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109755256B (zh) * 2017-11-01 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置
KR102549923B1 (ko) 2018-02-27 2023-06-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 편광 필름 및 편광 필름의 제조 방법
CN108807476B (zh) * 2018-06-07 2020-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器面板
KR102590027B1 (ko) * 2018-06-08 2023-10-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102675480B1 (ko) * 2018-06-15 2024-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102522469B1 (ko) * 2018-07-18 2023-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102547060B1 (ko) 2018-08-20 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 단선 검출 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102562837B1 (ko) * 2018-09-13 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200066504A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102721172B1 (ko) 2018-11-30 2024-10-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102617275B1 (ko) * 2018-11-30 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200074347A (ko) 2018-12-14 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11144170B2 (en) * 2018-12-17 2021-10-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display module
KR20200094885A (ko) 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200115887A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 표시 장치
KR20200139301A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210014265A (ko) 2019-07-29 2021-02-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
EP4047589A4 (en) * 2019-10-14 2022-11-16 BOE Technology Group Co., Ltd. MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
KR20210044945A (ko) * 2019-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN113272885B (zh) * 2019-12-17 2023-07-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置、防止显示面板中的电磁干扰的方法以及制造显示面板的方法
CN113299664A (zh) * 2020-02-24 2021-08-24 群创光电股份有限公司 电子装置
EP4002337A4 (en) * 2020-05-22 2022-10-19 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY SCREEN AND DISPLAY DEVICE
KR20210149967A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11515249B2 (en) * 2020-11-05 2022-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wiring package and method of manufacturing the same
KR20220079760A (ko) * 2020-12-04 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP7002629B2 (ja) * 2020-12-25 2022-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 素子基板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1128436A1 (en) * 2000-02-22 2001-08-29 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
US20080137016A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Kim So Woon Fanout line structure and flat display device including fanout line structure
US20100188391A1 (en) * 2009-01-29 2010-07-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN102097333A (zh) * 2010-11-01 2011-06-15 华为终端有限公司 电路板设计方法、电路板及电子设备
CN104241295A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 三星显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN104521331A (zh) * 2012-08-07 2015-04-15 苹果公司 柔性显示器
CN104733498A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
CN104752485A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080077826A (ko) * 2007-02-21 2008-08-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101386219B1 (ko) * 2012-06-26 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102061108B1 (ko) 2013-01-16 2020-01-02 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 유기전계 발광 표시장치
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
WO2014136856A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102525124B1 (ko) 2016-04-05 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1128436A1 (en) * 2000-02-22 2001-08-29 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
US20080137016A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Kim So Woon Fanout line structure and flat display device including fanout line structure
US20100188391A1 (en) * 2009-01-29 2010-07-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN102097333A (zh) * 2010-11-01 2011-06-15 华为终端有限公司 电路板设计方法、电路板及电子设备
CN104521331A (zh) * 2012-08-07 2015-04-15 苹果公司 柔性显示器
CN104241295A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 三星显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN104733498A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
CN104752485A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206200A (zh) * 2016-12-19 2018-06-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN108206200B (zh) * 2016-12-19 2021-12-17 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US10644091B2 (en) 2018-05-14 2020-05-05 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Electronic device, display panel and method for manufacturing display panel
CN110854156A (zh) * 2018-08-20 2020-02-28 三星显示有限公司 有机发光二极管显示装置
WO2020143437A1 (zh) * 2019-01-08 2020-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
US11462572B2 (en) 2019-01-08 2022-10-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
WO2020192284A1 (zh) * 2019-03-28 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109950222B (zh) * 2019-03-28 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN109950222A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
US11837687B2 (en) 2019-03-28 2023-12-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display apparatus
CN110164949A (zh) * 2019-06-27 2019-08-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111063257A (zh) * 2019-12-04 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
US11785814B2 (en) 2020-08-31 2023-10-10 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
WO2022174414A1 (zh) * 2021-02-20 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190296052A1 (en) 2019-09-26
US20180138207A1 (en) 2018-05-17
US10748942B2 (en) 2020-08-18
KR20170115153A (ko) 2017-10-17
KR20230056009A (ko) 2023-04-26
KR102525124B1 (ko) 2023-04-26
US11342361B2 (en) 2022-05-24
US20200381457A1 (en) 2020-12-03
US9893093B2 (en) 2018-02-13
CN116471888A (zh) 2023-07-21
US20170287936A1 (en) 2017-10-05
US10347665B2 (en) 2019-07-09
CN107275365B (zh) 2023-05-19
KR102722045B1 (ko) 2024-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107275365A (zh) 显示设备
US11081540B2 (en) Display apparatus
JP7244239B2 (ja) ディスプレイ装置
US10963083B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
TWI776875B (zh) 顯示設備
KR102514411B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102639568B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN107799015B (zh) 显示设备
CN109585492A (zh) 显示装置
CN107230688A (zh) 具有能够使制造缺陷最小化的弯曲区的显示设备
CN113921559A (zh) 显示装置
US20230180513A1 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant