CN113921559A - 显示装置 - Google Patents

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CN113921559A CN202110538283.5A CN202110538283A CN113921559A CN 113921559 A CN113921559 A CN 113921559A CN 202110538283 A CN202110538283 A CN 202110538283A CN 113921559 A CN113921559 A CN 113921559A
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金琪桓
金凡鎭
延淳昌
李圣贤
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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括衬底、焊盘、第一线、第二线、第一连接器线和第一电源线，衬底具有显示区域和在显示区域外部的外围区域，焊盘定位在外围区域中，第一线定位在外围区域中并且具有与焊盘电连接的一端以及面对显示区域的另一端，第二线具有面对第一线的另一端的一端，并且第二线延伸到显示区域中，第二线的一端与第一线间隔开，第一连接器线将第一线的另一端电连接到第二线的一端，并且第一电源线与第一线相交，第一电源线布置在与布置有第一线的第二层不同的第一层上。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月7日提交的第10-2020-0083670号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用特此并入，如同在本文中全面阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实现方式总体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及在制造工艺期间缺陷发生的可能性被降低的显示装置。
背景技术
当在制造显示装置的工艺中形成薄膜时，溅射方法用于制作导电薄膜，并且化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法用于制作绝缘薄膜。在任一种情况下，必须物理地处理将形成有薄膜的衬底，例如必须将衬底与支承件分离。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明概念的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人认识到，当在显示装置的制造工艺期间物理地处理衬底时，在显示装置内部的不同层上的导电层之间可能发生缺陷(例如，短路)。
根据本发明的原理和示例性实现方式构建的显示装置，能够减少当在显示装置的制造工艺期间物理地处理衬底(例如，通过包括将数据延伸线和与数据延伸线间隔开的数据线电连接的桥接线)时不同层上的导电层之间的缺陷。
本发明概念的附加的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过该描述而显而易见，或者可通过实践本发明概念而习得。
根据本发明的一方面，显示装置包括衬底、焊盘、第一线、第二线、第一连接器线和第一电源线，其中，衬底具有显示区域和在显示区域外部的外围区域，焊盘定位在外围区域中，第一线定位在外围区域中并且具有与焊盘电连接的一端以及面对显示区域的另一端，第二线具有面对第一线的另一端的一端，并且第二线延伸到显示区域中，其中，第二线的一端与第一线间隔开，第一连接器线将第一线的另一端电连接到第二线的一端，并且第一电源线与第一线相交，第一电源线布置在与布置有第一线的第二层不同的第一层上。
第一线和第二线可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
第一线和第二线可布置在相同的层上。
第一电源线可布置在第一线上方。
第一连接器线和第一电源线可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
第一连接器线和第一电源线可布置在相同的层上。
显示装置还可包括位于第一电源线上方的第二电源线。
焊盘可包括布置在与第一线相同的层上的第一焊盘、布置在第一焊盘上方并且包括与第一电源线相同的材料的第二焊盘以及布置在第二焊盘上方并且包括与第二电源线相同的材料的第三焊盘。
焊盘可与第一电源线和第二电源线间隔开。
焊盘可包括与第一线一体地形成的第一焊盘以及布置在第一焊盘上方并且包括与第二电源线相同的材料的第三焊盘。
焊盘可与第二电源线间隔开。
第一连接器线和第一电源线可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
第一连接器线和第一电源线可布置在相同的层上。
第一连接器线和第二电源线可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
第一连接器线和第一电源线可布置在相同的层上。
显示装置还可包括将第一线的一端电连接到焊盘的第二连接器线，第一线的一端与焊盘间隔开。
第二连接器线可布置在与第一连接器线相同的层上。
第二连接器线可包括与第一连接器线相同的材料并且具有与第一连接器线相同的层结构。
第二线可布置在与第一电源线相同的层上，并且第一线可布置在第一电源线的上方。
显示装置还可包括布置在第一线上方的第二电源线。
第一连接器线和第二电源线可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
第一连接器线和第二电源线可布置在相同的层上。
焊盘可包括与第一线一体地形成的第一焊盘以及布置在第一焊盘上方并且包括与第二电源线相同的材料的第三焊盘。
显示装置还可包括在第一电源线与第一线之间的第二电源线。第二线可布置在与第一电源线相同的层上。
显示装置还可包括在显示区域中的像素电极。第一连接器线和像素电极可包括相同的材料并且可具有基本上相同的层结构。
显示装置还可包括在显示区域中的像素电极。第一连接器线和像素电极可布置在相同的层上。
第一线可包括数据延伸线，第二线可包括数据线，并且第一连接器线可包括第一桥接线。
第一线可包括数据延伸线，第二线可包括数据线，第一连接器线可包括第一桥接线，并且第二连接器线可包括第二桥接线。
应理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中并且构成了本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施方式并且与描述一同用于解释本发明概念。
图1是根据本发明的原理构建的显示装置的示例性实施方式的平面视图。
图2是图1中的区A的放大平面视图。
图3是沿图2中的线B-B'截取的显示装置的第一示例性实施方式的剖面视图。
图4是图2中的显示区域(DA)的一部分的剖面视图。
图5是示意性地示出在制造图1的显示装置的工艺中使用的支承件的透视图。
图6是示意性地示出在制造显示装置的工艺中将图5的支承件与衬底分离的工艺的图。
图7是图1的显示装置的第二示例性实施方式的剖面视图。
图8是图1的显示装置的第三示例性实施方式的剖面视图。
图9是图1的显示装置的第四示例性实施方式的剖面视图。
图10是图1的显示装置的第五示例性实施方式的剖面视图。
图11是图1的显示装置的第六示例性实施方式的剖面视图。
图12是图1的显示装置的第七示例性实施方式的剖面视图。
图13是图1的显示装置的第八示例性实施方式的剖面视图。
图14是图1的显示装置的第九示例性实施方式的剖面视图。
图15是图1的显示装置的第十示例性实施方式的剖面视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们是采用了本文中所公开的本发明概念中的一种或多种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等同排布的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可为不同的，但是不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，示例性实施方式的特定形状、构造和特性可使用或实现在另一示例性实施方式中。
除非另有指明，否则所示的示例性实施方式将被理解为提供可在实践中实现本发明概念的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有指明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非指明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不会传达或指示对特定材料、材料性能、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的大小和相对大小可被夸大。当示例性实施方式可不同地实现时，可与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相似的附图标记表示相似的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件(诸如，层)可直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可存在有中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可指示在具有或不具有中间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。另外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如X轴、Y轴和Z轴)，并且可被解释为更广泛的含义。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可被称为第二元件。
空间相对术语，诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下面(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”和“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)等，可在本文中出于描述性目的使用，并且从而用以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”能涵盖上方和下方的取向这两者。此外，装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向处)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的专业用语是出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”，当在本说明书中使用时，指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也要注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其他相似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非本文中明确这样限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。
图1是根据本发明概念构建的显示装置的示例性实施方式的平面视图。
显示装置包括衬底100，而衬底100具有显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域PA。衬底100的形状不限于如图1中所示的大体矩形形状(在X-Y平面中)，并且可具有各种形状，诸如圆形。另外，衬底100可具有弯折区域并且可在对应的该弯折区域中被弯折。
衬底100可包括玻璃或金属。另外，衬底100可包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯的各种柔性或可弯折的材料、或者诸如乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。
然而，衬底100可以各种方式修改，例如，以具有包括包含有这种聚合物树脂的两层以及在两层之间包含有无机材料的阻挡层的多层结构。在这种情况下，阻挡层可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
多个显示器件可在显示区域DA中。例如，显示器件可为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)，并且可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。驱动器、电源线和类似物可在外围区域PA中。另外，外围区域PA可包括焊盘区域，而电附接有诸如驱动集成电路或印刷电路板的各种电子器件的焊盘定位在焊盘区域中。
图2是图1中的区A的放大平面视图。图3是沿图2中的线B-B'截取的显示装置的第一示例性实施方式的剖面视图。图4是图2中的显示区域DA的一部分的剖面视图。图2中所示的线B-B'在Y轴方向上延伸，并且然后在X轴方向上成角。因此，图3的剖面视图不为沿直线截取的剖面视图，而是沿成角的线B-B'截取的剖面视图。作为参照，图3中所示的坐标轴是用于示出在沿Y轴方向延伸的线B-B'的一部分上的剖面视图的坐标轴。另外，图3也包括图2中的线B-B'的外部，即，第一薄膜晶体管TFT1的区域。
参照图2、图3和图4，衬底100上形成有用于控制显示器件的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。这些第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2分别包括半导体层，例如，第一半导体层121-1和第二半导体层121-2。图4示出了第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的剖面视图。
参照图4，第一半导体层121-1包括第一源区域S1、第一漏区域D1以及在其间的第一沟道区域C1。第二半导体层121-2包括第二源区域S2、第二漏区域D2以及在其间的第二沟道区域C2。第一半导体层121-1和第二半导体层121-2可形成在衬底100上。此外，如图3和图4中所示，衬底100上可形成有缓冲层101，并且缓冲层101上可形成有第一半导体层121-1和第二半导体层121-2。
缓冲层101可减少或阻挡异物、湿气或环境空气从衬底100的下部渗透，并且在衬底100上提供基本上平坦的表面。缓冲层101可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机复合物，并且可具有单层结构或无机材料和有机材料的多层结构。例如，缓冲层101可具有第一缓冲层和第二缓冲层堆叠的结构，并且在这种情况下，第一缓冲层和第二缓冲层可包括不同的材料。例如，第一缓冲层可包括氮化硅，并且第二缓冲层可包括氧化硅。
如上所述，当第一缓冲层包括氮化硅时，在形成氮化硅时可包括氢。通过这个，可改善形成在缓冲层101上的半导体层的载流子迁移率，并且因此，可改善第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的电特性。另外，第一半导体层121-1和第二半导体层121-2可包括硅材料，并且在这种情况下，包括硅的第一半导体层121-1和第二半导体层121-2与包括氧化硅的第二缓冲层之间的界面接合特性被改善，并且因此，可改善第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的电特性。
第一半导体层121-1和第二半导体层121-2可包括低温多晶硅(Low-TemperaturePolycrystalline Silicon，LTPS)。多晶硅材料具有高电子迁移率(大于100cm2/Vs)、低能耗和优异的可靠性。作为另一实例，第一半导体层121-1和第二半导体层121-2可包括非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体。替代性地，多个薄膜晶体管的一些半导体层可包括LTPS，并且多个半导体层中的一些可包括a-Si和/或氧化物半导体。
第一半导体层121-1和第二半导体层121-2的第一源区域S1和第二源区域S2以及第一漏区域D1和第二漏区域D2可掺杂有杂质，并且杂质可包括N型杂质或P型杂质。第一源区域S1和第二源区域S2以及第一漏区域D1和第二漏区域D2可分别对应于源电极和漏电极。第一源区域S1和第二源区域S2以及第一漏区域D1和第二漏区域D2可依据第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的特性而互换。在下文中，使用术语“第一源区域S1和第二源区域S2”以及“第一漏区域D1和第二漏区域D2”来代替源电极或漏电极。
栅极绝缘层103位于第一半导体层121-1和第二半导体层121-2上，并且第一栅电极123-1和第二栅电极123-2、第一电源线PL1和第二焊盘PD2可位于栅极绝缘层103上。栅极绝缘层103可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。
第一栅电极123-1和第二栅电极123-2、第一电源线PL1和第二焊盘PD2和类似物可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可具有包含有上述材料的多层结构或单层结构。例如，第一栅电极123-1和第二栅电极123-2、第一电源线PL1和第二焊盘PD2可具有Mo/Al的多层结构或者Mo/Al/Mo的多层结构。
第一薄膜晶体管TFT1为驱动晶体管，并且通过控制供给到有机发光二极管200的电流量来控制从图4中所示的有机发光二极管200发射的光量。第二薄膜晶体管TFT2为从图3中所示的数据线DL接收数据信号并且确定第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极123-1和第一源区域S1之间的电压的开关晶体管。为此，第二薄膜晶体管TFT2的第二漏区域D2可电连接到第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极123-1。
在图3中，位于与图4中所示的像素电极210相同的层上的第三桥接线BR3分别经由形成在缓冲层101、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔和形成在第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与数据线DL和第二薄膜晶体管TFT2的第二源区域S2接触。另外，在图3中，位于与像素电极210相同的层上的第四桥接线BR4示出为经由形成在第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与第二薄膜晶体管TFT2的第二漏区域D2和第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极123-1接触。
第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107可顺序地堆叠在第一栅电极123-1和第二栅电极123-2、第一电源线PL1和第二焊盘PD2上。第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107中的每个可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。如果需要，由导电材料形成的线可位于第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间。例如，图3示出了在外围区域PA中第三焊盘PD3在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间。第二层间绝缘层107可用作保护第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的保护层。
如图4中所示，平坦化层109可位于第二层间绝缘层107上，并且有机发光二极管200可位于平坦化层109上。
参照图4，平坦化层109可具有基本上平坦的上表面，以使得有机发光二极管200的像素电极210可形成为基本上平坦的。平坦化层109可包括有机材料，并且可具有单层结构或多层结构。平坦化层109为诸如苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(Poly(MethylMethacrylate)，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或者其共混物。平坦化层109可包含无机材料。平坦化层109可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。当平坦化层109包括无机材料时，在一些情况下可执行化学平坦化抛光。此外，平坦化层109可包括有机材料和无机材料这两者。
如图4中所示，显示区域DA中的有机发光二极管200可包括像素电极210、公共电极230以及在其间并且包括发射层的中间层220。
参照图4，像素电极210经由形成在第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔连接到第一薄膜晶体管TFT1的第一漏区域D1。像素电极210可为(半)透光电极或反射电极。在一些示例性实施方式中，像素电极210可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及其化合物的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括选自由氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(Indium Gallium Oxide，IGO)和氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide，AZO)构成的集群中的至少一种。在一些示例性实施方式中，像素电极210可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
平坦化层109上可排列有像素限定层110，并且像素限定层110可通过具有暴露了像素电极210的中央部分的开口而限定像素的发光区域。另外，像素限定层110可通过增加像素电极210的边缘和像素电极210上方的公共电极230的边缘之间的距离来减少或防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层110为诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可通过诸如旋涂或类似方法的方法形成。
有机发光二极管200的中间层220位于像素电极210上，并且可包括有机发射层。有机发射层可包括有机材料，而该有机材料包括发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的荧光或磷光材料。有机发射层可为低分子量有机材料或高分子量有机材料，并且在有机发射层下方和上方可选择性地进一步排列有诸如空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)和类似层的功能层。中间层220可与每个像素电极210重叠。然而，示例性实施方式不限于此，并且包括在中间层220中的层中诸如HTL、HIL、ETL、EIL或类似层的层可在显示区域DA中横跨若干个像素电极210一体地形成。中间层220可通过诸如喷墨打印、蒸镀、激光热转印或类似方法的各种方法形成。
公共电极230可为透光电极或反射电极。在一些示例性实施方式中，公共电极230可为透明或半透明电极，并且可包括包含有锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物的具有小功函数的金属薄膜。另外，除了金属薄膜以外，公共电极230还可包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或类似物的透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)膜。公共电极230可在显示区域DA中横跨多个像素电极210一体地形成。
包括第一无机封装层、第二无机封装层以及在其间的有机封装层的封装层(未示出)可在公共电极230上。第一无机封装层和第二无机封装层可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。有机封装层可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、HMDSO、丙烯酸树脂(例如，PMMA、聚丙烯酸和类似物)、或它们的任何组合物。
如图3和图4中所示，衬底100与第一薄膜晶体管TFT1之间可排列有底部金属层(Bottom Metal Layer，BML)300。BML 300可在第一薄膜晶体管TFT1的第一半导体层121-1下方以孤立的形状排列。在这种情况下，缓冲层101可位于衬底100上以覆盖BML 300。BML300可包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu。BML 300可为包括上述材料的单层或多层。BML 300可使第一薄膜晶体管TFT1免受外部电磁波或类似物的影响。在这种情况下，像素电极210可经由接触孔与BML 300接触。
参照图2和图3，外围区域PA的焊盘区域中定位有焊盘PD。焊盘PD可根据需要包括多个层。在图3中，示出了焊盘PD包括第一焊盘PD1、在第一焊盘PD1上方的第二焊盘PD2以及在第二焊盘PD2上方的第三焊盘PD3。如图3中所示，第一焊盘PD1可与数据延伸线DEL为一体的。在这种情况下，当从与衬底100垂直的方向观察时，第一焊盘PD1可限定为其一部分与第二焊盘PD2和/或第三焊盘PD3重叠。当然，在焊盘PD的边缘处，缓冲层101和/或栅极绝缘层103可在第一焊盘PD1与第二焊盘PD2之间，并且第一层间绝缘层105可在第二焊盘PD2与第三焊盘PD3之间。
从焊盘PD传输的数据信号通过图3中所示的数据线DL传送到第二薄膜晶体管TFT2。如图2和图3中所示，数据延伸线DEL排列在焊盘PD与数据线DL之间。数据延伸线DEL的一端(例如，+Y方向)电连接到焊盘PD，并且数据延伸线DEL的另一端(例如，-Y方向)朝向显示区域DA延伸，其中，数据延伸线DEL定位在外围区域PA中。另外，数据线DL的一端与数据延伸线DEL间隔开，但是面对数据延伸线DEL的该另一端。如图3中所示，数据线DL延伸到显示区域DA中并且电连接到第二薄膜晶体管TFT2。
如上所述，焊盘PD可包括第一焊盘PD1至第三焊盘PD3。在这种情况下，第一焊盘PD1、数据延伸线DEL和数据线DL可定位在与BML 300相同的层上。即，第一焊盘PD1、数据延伸线DEL、数据线DL和BML 300可包括相同的材料并且具有基本上相同的层结构。
如图3中所示，第一焊盘PD1和数据延伸线DEL可合并为一体。参照图3，数据延伸线DEL和数据线DL可通过使用第一桥接线BR1电连接。即，第一桥接线BR1可将数据延伸线DEL的另一端和数据线DL的一端彼此电连接。如像素电极210那样，第一桥接线BR1定位在平坦化层109上，并且可通过形成在缓冲层101、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与数据延伸线DEL的另一端和数据线DL的一端接触。在这种情况下，第一桥接线BR1可包含与图4中所示的像素电极210相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
参照图2和图3，第一电源线PL1也可定位在外围区域PA中。第一电源线PL1可定位在与定位有数据延伸线DEL的层不同的层上。例如，第一电源线PL1可定位在数据延伸线DEL上方，并且可在与数据延伸线DEL延伸的方向(例如，Y轴方向)相交的方向(例如，X轴方向)上延伸。然而，辅助电源线(未示出)可电连接到第一电源线PL1并且延伸到显示区域DA中。在下文中，为了方便起见，延伸到显示区域DA中的辅助电源线也将被称为第一电源线PL1(参见图4)。在图3中，第一电源线PL1被示出为定位在与第一栅电极123-1和第二栅电极123-2相同的层上。即，第一电源线PL1可包含与第一栅电极123-1和第二栅电极123-2相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
图5是示意性地示出在制造图1的显示装置的工艺中使用的支承件的透视图。图6是示意性地示出在制造显示装置的工艺中将图5的支承件与衬底100分离的工艺的图。
参照图5和图6，在制造图1的显示装置的工艺中使用的支承件包括基座10以及销21和销22。基座10可包括导电材料。销21和销22具有竖直地(例如，沿Z轴)延伸的形状。基座10具有这些销21和销22穿过的贯穿开口。基座10具有衬底安装表面10a以对图6中所示的待处理的衬底100进行支承。基座10包括导电材料并且整体上具有导电性。例如，基座10可包括Al。
在衬底100和类似物排列在基座10的衬底安装表面10a上期间，在经历在衬底100上形成薄膜的工艺之后，将衬底100与基座10的衬底安装表面10a分离。如在为沿图5的线VI-VI截取的支承件的示意性剖面的图6中概念性地示出的，通过使定位在基座10的边缘处的销22提升得比定位在基座10的内侧处的销21高来在衬底100的边缘处将衬底100与基座10分离。这是因为，当定位在基座10的边缘处的销22和定位在内侧处的销21同时(例如，在+Z方向上)提升相同的量时，由于衬底安装表面10a与衬底100之间的静电力，衬底100不容易与基座10分离。通过如上所述地使定位在基座10的边缘处的销22提升得比定位在基座10的内侧处的销21高，衬底100的中央部分可与基座10接触，而衬底100的边缘与基座10分离。
依据显示装置的制造工艺，电荷可暂时存在于衬底100上的数据线DL和类似物中。当数据延伸线DEL和数据线DL一体地形成并且彼此不间隔开时，大量的电荷可累积在数据延伸线DEL和数据线DL中。这是因为数据线DL跨过衬底100的显示区域DA长久地延伸，并且因此具有了大的总面积。在制造工艺中，电荷也可累积在第一电源线PL1中，而第一电源线PL1定位在与数据延伸线DEL在其上的层不同的层上。相应地，在第一电源线PL1与数据延伸线DEL和数据线DL之间可存在有基本上恒定的电势差，其中，数据延伸线DEL和数据线DL彼此一体地形成。
在这种情况下，如图6中所示，当衬底100的中央部分与基座10接触，而衬底100的边缘与基座10分离时，由于诸如隧穿的效应，累积在彼此一体地形成的数据延伸线DEL和数据线DL中的电荷可通过衬底100的中央部分而流出到基座10。然而，累积在定位在数据延伸线DEL上方的第一电源线PL1中的电荷却不能流出，并且因此，数据延伸线DEL与第一电源线PL1之间的电势差可迅速且瞬时地增加。其结果，数据延伸线DEL与第一电源线PL1之间可能发生短路，从而导致显示装置故障。
然而，在根据本发明的原理和所示的示例性实施方式构建的显示装置中，如图2和图3中所示，包括相同材料并且具有基本上相同的层结构的数据延伸线DEL和数据线DL彼此分离。相应地，如图6中所示，当衬底100的中央部分与基座10接触，而衬底100的边缘与基座10分离时，由于诸如隧穿和类似现象的效应，累积在数据线DL中的电荷可传送到衬底100，但是累积在数据延伸线DEL和定位在数据延伸线DEL上方的第一电源线PL1中的电荷却不能流出。相应地，数据延伸线DEL与第一电源线PL1之间的电势差保持基本上恒定，并且因此可防止数据延伸线DEL与第一电源线PL1之间的短路。
第一电源线PL1可为将电力施加到有机发光二极管200的所谓的ELVDD线。相应地，如图4中所示，在显示区域DA中，像素电极210可通过形成在第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与第一电源线PL1接触。
焊盘PD的上表面可暴露于外部并且电连接到诸如驱动电路芯片的集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片(未示出)。为此，焊盘PD可具有如图3中所示的三层结构。IC芯片的凸块通过各向异性导电膜和类似物与焊盘PD电连接，并且因此，如果可能，则可期望的是增加焊盘PD的上表面与衬底100之间的距离。为此，在图3中，焊盘PD包括在与数据延伸线DEL相同的层上的第一焊盘PD1、位于第一焊盘PD1上方并且包括与第一电源线PL1相同的材料的第二焊盘PD2以及在第二焊盘PD2上方的第三焊盘PD3。
图7是图1的显示装置的第二示例性实施方式的剖面视图。例如，图7可对应于图3的剖面区域。参照图7，显示装置还可包括在第一电源线PL1上方的第二电源线PL2。当从与衬底100垂直的方向观察时，焊盘PD可与这些第一电源线PL1和第二电源线PL2间隔开。第二电源线PL2例如可为ELVSS线，并且可与公共电极230接触以保持公共电极230的电势恒定。第二电源线PL2可在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间，可包含包括Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可具有包括上述材料的多层结构或单层结构。作为实例，第二电源线PL2可具有Ti/Al/Ti的多层结构。在这种情况下，第二焊盘PD2上方的第三焊盘PD3可包含与第二电源线PL2相同的材料。
图8是图1的显示装置的第三示例性实施方式的剖面视图。例如，图8可对应于图7的剖面区域。参照图8，焊盘PD可仅具有第一焊盘PD1和第三焊盘PD3，而不具有第一焊盘PD1至第三焊盘PD3中的全部三个。在这种情况下，第一焊盘PD1可与数据延伸线DEL合并为一体，并且第三焊盘PD3可在第一焊盘PD1上方并且包括与第二电源线PL2相同的材料。当然，经由形成在缓冲层101和第一层间绝缘层105中的接触孔，第三焊盘PD3与第一焊盘PD1接触。另外，当从与衬底100垂直的方向观察时，焊盘PD可与第二电源线PL2间隔开。
到目前为止，第一桥接线BR1已被描述为在与像素电极210相同的层上，但是示例性实施方式不限于此。图9是图1的显示装置的第四示例性实施方式的剖面视图。例如，图9可对应于图3的剖面区域。参照图9，第一桥接线BR1可在与第一电源线PL1相同的层上。即，第一桥接线BR1可包括与第一电源线PL1相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。在这种情况下，第一桥接线BR1经由形成在缓冲层101中的接触孔，通过与数据延伸线DEL的另一端和数据线DL的一端接触来将数据延伸线DEL电连接到数据线DL。此处，第二电源线也可布置在第一电源线PL1上方。
图10是图1的显示装置的第五示例性实施方式的剖面视图。例如，图10可对应于图9的剖面区域。参照图10，第一桥接线BR1可在与第二电源线PL2相同的层上。即，第一桥接线BR1可包含与第二电源线PL2相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。在这种情况下，第一桥接线BR1经由形成在缓冲层101和第一层间绝缘层105中的接触孔，通过与数据延伸线DEL的另一端和数据线DL的一端接触来使数据延伸线DEL和数据线DL彼此电连接。
图11是图1的显示装置的第六示例性实施方式的剖面视图。例如，图11可对应于图3的剖面区域。参照图11，除了第一桥接线BR1以外，显示装置还可包括第二桥接线BR2。另外，数据延伸线DEL与焊盘PD间隔开，并且第二桥接线BR2将焊盘PD和数据延伸线DEL彼此电连接。在这种情况下，如图11中所示，焊盘PD包括定位在与第一电源线PL1相同的层上的第二焊盘PD2，并且如果需要，还可包括布置在第二焊盘PD2上方的第三焊盘。在后一种情况下，包含与第三焊盘相同的材料并且具有与第三焊盘基本上相同的层结构的第二电源线可在第一电源线PL1上方。在下面的示例性实施方式及其变型中，这个构造也是相同的。
第二桥接线BR2可在与第一桥接线BR1相同的层上。即，第二桥接线BR2可包括与第一桥接线BR1相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。然而，如图11中所示，第一桥接线BR1和第二桥接线BR2可定位在与像素电极210相同的层上。作为修改实例，当显示装置包括在第一电源线PL1上方的第二电源线PL2(参见图10)时，第一桥接线BR1和第二桥接线BR2中的至少一个可位于与第二电源线PL2相同的层上。
第二桥接线BR2可经由形成在第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与焊盘PD接触，并且第二桥接线BR2可经由形成在缓冲层101、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和平坦化层109中的接触孔与数据延伸线DEL接触。
如图11中所示，数据延伸线DEL可在焊盘PD下方延伸，并且由此，焊盘PD的上表面可与衬底100充分地远离。
到目前为止，数据延伸线DEL已被描述为在与数据线DL和BML 300相同的层上。然而，示例性实施方式不限于此。图12是图1的显示装置的第七示例性实施方式的剖面视图。例如，图12可对应于图11的剖面区域。参照图12，第一电源线PL1可在与数据线DL和BML 300相同的层上。即，第一电源线PL1可包含与数据线DL和BML 300相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。在这种情况下，数据延伸线DEL可在第一电源线PL1上方。
在图12中，包括第二焊盘PD2的焊盘PD与数据延伸线DEL间隔开，并且第二桥接线BR2与焊盘PD和数据延伸线DEL中的每个接触以将它们电连接。另一方面，第二焊盘PD2和数据延伸线DEL可集成在单个构件中。这是因为第二焊盘PD2和数据延伸线DEL定位在相同的层上。这个结构也能相同地应用在下面的示例性实施方式及其变型中。在这种情况下，第二焊盘PD2和数据延伸线DEL可包含与第一栅电极123-1和第二栅电极123-2相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
定位在与第一栅电极123-1和第二栅电极123-2相同的层上的数据延伸线DEL可经由第一桥接线BR1电连接到在与BML 300相同的层上的数据线DL。
如图12中所示，第一电源线PL1可在焊盘PD下方延伸，并且因此焊盘PD的上表面可与衬底100充分地远离。这个结构也能相同地应用在下面的示例性实施方式及其变型中。
图13是图1的显示装置的第八示例性实施方式的剖面视图，并且图14是图1的显示装置的第九示例性实施方式的剖面视图。例如，图13和图14可对应于图12的剖面区域。参照图13，显示装置还可包括在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间的第二电源线PL2，以使得第二电源线PL2在数据延伸线DEL上方。在这种情况下，如图13中所示，第一桥接线BR1可如像素电极210那样在平坦化层109上。替换性地，参照图14，第一桥接线BR1可在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间。在这种情况下，第一桥接线BR1可包含与第二电源线PL2相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
作为参照，在具有如图13和图14中所示的结构的显示装置中，除了第二焊盘PD2以外，焊盘PD还可包括第三焊盘，第三焊盘定位在第二焊盘PD2上方，电连接到第二焊盘PD2并且包含与第二电源线PL2相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
图15是图1的显示装置的第十示例性实施方式的剖面视图。例如，图15可对应于图12的剖面区域。参照图15，如上所述，第一电源线PL1在与数据线DL和BML 300相同的层上。即，第一电源线PL1可包含与数据线DL和BML 300相同的材料并且具有与其基本上相同的层结构。
数据延伸线DEL可在第一电源线PL1上方。例如，数据延伸线DEL在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间。第二电源线PL2在第一电源线PL1与数据延伸线DEL之间。第二电源线PL2在与第一栅电极123-1和第二栅电极123-2相同的层上，包括与其相同的材料，并且具有与其基本上相同的层结构。
在第一层间绝缘层105与第二层间绝缘层107之间的数据延伸线DEL可通过第一桥接线BR1电连接到在与BML 300相同的层上的数据线DL。
如图15中所示，第一电源线PL1可在焊盘PD下方延伸，并且由此，焊盘PD的上表面可与衬底100充分地远离。
在到目前为止描述各种示例性实施方式和变型所参照的附图中，栅极绝缘层103示出为以与第一栅电极123-1或第二栅电极123-2相同的方式图案化。然而，示例性实施方式不限于此，并且栅极绝缘层103可与衬底100的整个表面基本上重叠。在这种情况下，第一桥接线BR1至第四桥接线BR4可在一些情况下穿过也形成在栅极绝缘层103中的接触孔。
到目前为止，已主要描述了有机发光显示装置，但是示例性实施方式不限于此。即，示例性实施方式可应用于具有如附图中所示的像素电极210的任何显示装置，诸如，作为一种实例，构造为发射诸如蓝色光的单一波长的光并且通过使用其上的量子点将蓝色光转换为红色光或绿色光的量子点显示装置。
根据本发明的原理和示例性实施方式，能制作在制造工艺期间缺陷发生的可能性被减小的显示装置。然而，示例性实施方式不受这些效果的限制。
虽然已在本文中描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是其它实施方式和变型将通过本描述而显而易见。相应地，本发明概念不限于这些实施方式，而是限于随附的权利要求书以及如对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的变型和等同排布的较宽的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；
焊盘，所述焊盘定位在所述外围区域中；
第一线，所述第一线定位在所述外围区域中，并且具有与所述焊盘电连接的一端以及面对所述显示区域的另一端；
第二线，所述第二线具有面对所述第一线的所述另一端的一端，并且所述第二线延伸到所述显示区域中，所述第二线的所述一端与所述第一线间隔开；
第一连接器线，所述第一连接器线将所述第一线的所述另一端电连接到所述第二线的所述一端；以及
第一电源线，所述第一电源线与所述第一线相交，所述第一电源线布置在与布置有所述第一线的第二层不同的第一层上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一线和所述第二线包括相同的材料并且具有相同的层结构。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一线和所述第二线布置在相同的层上。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电源线布置在所述第一线上方。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一连接器线和所述第一电源线包括相同的材料并且具有相同的层结构。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一连接器线和所述第一电源线布置在相同的层上。
7.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
第二电源线，所述第二电源线布置在所述第一电源线上方。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述焊盘包括：
第一焊盘，所述第一焊盘布置在与所述第一线相同的层上；
第二焊盘，所述第二焊盘布置在所述第一焊盘上方并且包括与所述第一电源线相同的材料；以及
第三焊盘，所述第三焊盘布置在所述第二焊盘上方并且包括与所述第二电源线相同的材料。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述焊盘与所述第一电源线和所述第二电源线间隔开。
10.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述焊盘包括：
第一焊盘，所述第一焊盘与所述第一线一体地形成；以及
第三焊盘，所述第三焊盘布置在所述第一焊盘上方并且包括与所述第二电源线相同的材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4326035A1 (en) * 2022-08-18 2024-02-21 LG Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596467B1 (ko) 2004-05-10 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20080034546A (ko) 2006-10-17 2008-04-22 삼성전자주식회사 브리지형 정전기 분산구조를 가지는 액정 표시 장치
KR101490485B1 (ko) 2008-10-30 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102073636B1 (ko) 2016-09-13 2020-02-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180051739A (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102328679B1 (ko) * 2016-11-23 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102352312B1 (ko) 2017-09-29 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4326035A1 (en) * 2022-08-18 2024-02-21 LG Display Co., Ltd. Display device

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