CN108695367B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域；内部导线，在第一区域中位于基底上；外部导线，在第二区域中位于基底上；有机材料层，覆盖弯曲区域并且覆盖内部导线和外部导线的至少一部分；以及连接线，位于有机材料层上并且分别将内部导线连接到外部导线。穿过有机材料层限定有机通孔，连接线分别通过有机通孔连接到内部导线，位于有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。

Description

显示装置
本申请要求于2017年3月31日提交的第10-2017-0041932号韩国专利申请的优先权和全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种减少其中出现缺陷(诸如断裂的布线)的显示装置。
背景技术
显示装置是用于在视觉上显示与施加到显示装置的图像数据对应的图像的装置。显示装置包括被划分为显示区域和非显示区域的基底。在显示区域中，栅极线和数据线彼此绝缘，并且多个像素区域由栅极线和数据线的交叉限定。此外，在显示区域中，薄膜晶体管(“TFT”)和电连接到TFT的像素电极被设置为与像素区域对应。在非显示区域中，布置有用于将电信号传输到显示区域的各种导线。
显示装置的至少一部分可以被弯曲以提高各个角度的可视性或减小非显示区域的尺寸。正在开发用于在呈弯曲形状的显示装置的制造工艺期间减少缺陷并节约成本的各种技术。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种可以减小显示装置中的导线之间的间隔并且可以减少诸如导线的短路的缺陷的出现的显示装置。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，在基底上限定有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，其中，基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；多条内部导线，在第一区域中位于基底上；多条外部导线，在第二区域中位于基底上；有机材料层，覆盖弯曲区域并且覆盖多条内部导线以及多条外部导线的至少一部分；以及多条连接线，位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中，穿过有机材料层限定多个有机通孔，多条连接线分别通过多个有机通孔连接到多条内部导线，多个有机通孔包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔，布置在多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。
在实施例中，多条连接线中的每条连接线的一部分可以位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上，多条连接线可以延伸跨过弯曲区域。
在实施例中，多条连接线中的每条连接线的位于多个第一有机通孔之间的有机材料层上的部分可以在第一方向上弯曲以对应于有机材料层的上表面的形状。
在实施例中，多条连接线的延伸百分比可以大于多条内部导线的延伸百分比和多条外部导线的延伸百分比。
在实施例中，多条内部导线可以包括：多条第一内部导线；以及多条第二内部导线，与多条第一内部导线位于不同的层中，其中，绝缘层可以位于多条第一内部导线与多条第二内部导线之间。
在实施例中，多条第一内部导线和多条第二内部导线可以彼此交替地布置。
在实施例中，多条外部导线可以包括：多条第一外部导线；以及多条第二外部导线，与多条第一外部导线位于不同的层中，并且绝缘层可以位于多条第一外部导线与多条第二外部导线之间。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，其中，薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极。在这样的实施例中，多条内部导线和多条外部导线中的至少一些可以与栅电极包括相同的材料并可以与栅电极位于同一层中。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，其中，薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；第二栅极绝缘层，覆盖薄膜晶体管；以及存储电容器，包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板和位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中，多条内部导线和多条外部导线中的至少一些可以包括与第二存储电容器板的材料相同的材料并且可以与第二存储电容器板位于同一层中。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，其中，薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；第二栅极绝缘层，覆盖薄膜晶体管；以及存储电容器，包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板以及位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中，多条内部导线中的一些可以与栅电极包括相同的材料并且可以与栅电极位于同一层中，并且其余的内部导线可以与第二存储电容器板包括相同的材料并且可以与第二存储电容器板位于同一层中。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，其中，薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；层间绝缘层，覆盖薄膜晶体管；以及数据线，位于层间绝缘层上。在这样的实施例中，多条连接线中的至少一条连接线可以与数据线包括相同的材料并且可以与数据线位于同一层中。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，其中，薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；层间绝缘层，覆盖薄膜晶体管；数据线，位于层间绝缘层上；第一平坦化层，位于层间绝缘层上并覆盖数据线；以及导电层，位于第一平坦化层上。在这样的实施例中，多条连接线中的至少一条连接线可以与导电层包括相同的材料并且可以与导电层位于同一层中。
在实施例中，多个有机通孔还可以包括与多个第一有机通孔间隔开的多个第二有机通孔，其中，连接多个第二有机通孔的连接线位于多个第一有机通孔之间。
在实施例中，显示装置还可以包括：无机绝缘层，其中，在无机绝缘层中限定与弯曲区域对应的开口或凹槽。在这样的实施例中，有机材料层可以填充开口或凹槽并延伸至无机绝缘层的上表面。
在实施例中，多个有机通孔可以暴露无机绝缘层，并且多条连接线可以分别经由限定在无机绝缘层中的接触孔连接到多条内部导线。
在实施例中，多条内部导线中的每条的端部可以与多个有机通孔中的每个的内部叠置，并且多条内部导线中的每条的端部可以不与多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
在实施例中，多条内部导线中的至少一些和多条外部导线中的至少一些可以位于彼此不同的层中。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，包括显示区域和具有弯曲区域的外围区域，其中，基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；无机绝缘层，位于基底上，其中，开口或凹槽被限定在无机绝缘层中以对应于弯曲区域；多条内部导线，在弯曲区域周围彼此间隔开；多条外部导线，在弯曲区域周围彼此间隔开；有机材料层，填充开口或凹槽并且覆盖多条内部导线和多条外部导线的至少部分；以及多条连接线，位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中，穿过有机材料层限定多个有机通孔，多条连接线分别通过多个有机通孔连接到多条内部导线。在这样的实施例中，多个有机通孔包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔，并且位于多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状。
在实施例中，多条内部导线和多条外部导线可以彼此间隔开，无机绝缘层的开口或凹槽位于多条内部导线和多条外部导线之间。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于显示区域中，其中，薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；第二栅极绝缘层，覆盖薄膜晶体管；以及存储电容器，包括与栅电极位于同一层中的第一存储电容器板以及位于第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板。在这样的实施例中，多条内部导线包括：多条第一内部导线，与栅电极包括相同的材料并且与栅电极位于同一层中；以及多条第二内部导线，与第二存储电容器板包括相同的材料并且与第二存储电容器板位于同一层中。
在实施例中，多条第一内部导线和多条第二内部导线可以彼此交替地布置。
在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于显示区域中，其中，薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；层间绝缘层，覆盖薄膜晶体管；以及数据线，位于层间绝缘层上。在这样的实施例中，多条内部导线和多条外部导线中的至少一条可以与栅电极包括相同的材料并且可以与栅电极位于同一层中，并且多条连接线中的至少一条可以与数据线包括相同的材料并且可以与数据线位于同一层中。
在实施例中，多条内部导线中的每条的端部可以与多个有机通孔中的每个的内部叠置，并且多条内部导线中的每条的端部可以不与多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
在实施例中，显示装置还可以包括：弯曲保护层，位于多条连接线上。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，在基底上限定有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，其中，基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；显示区域，布置在第一区域中；封装层，覆盖显示区域并包括有机封装层；多条内部导线和多条外部导线，所述多条内部导线布置在第一区域中，所述多条外部导线布置在第二区域中；有机材料层，覆盖弯曲区域并且覆盖多条内部导线和多条外部导线的至少一部分；以及多条连接线，位于有机材料层上并且分别将多条内部导线连接到多条外部导线。在这样的实施例中，穿过有机材料层限定多个有机通孔，多条连接线分别通过多个有机通孔连接到位于第一区域中的多条内部导线。在这样的实施例中，有机封装层和有机材料层彼此间隔开。
在实施例中，多个有机通孔可以包括在第一方向上布置的多个第一有机通孔，并且位于多个第一有机通孔之间的有机材料层的上表面可以具有凸弯曲的形状。
在实施例中，多条连接线中的每条的一部分可以位于具有凸弯曲的形状的有机材料层的上表面上，并且多条连接线可以延伸跨过弯曲区域。
在实施例中，封装层还可以包括第一无机封装层和第二无机封装层，有机封装层可以设置在第一无机封装层和第二无机封装层之间，并且封装层和有机材料层可以彼此间隔开。
在实施例中，多条内部导线中的每条的端部可以与多个有机通孔中的每个的内部叠置，并且多条内部导线中的每条的端部可以不与多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
根据如这里描述的一个或更多个实施例，可以减小显示装置中的导线之间的间隔并且可以减少导线的缺陷的出现。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它特征将变得明显和更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的一部分的透视图；
图2是图1的显示装置的一部分的平面图；
图3示出了显示装置的沿着图2的线A-A'和线B-B'截取的部分的剖视图；
图4示出了根据可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图；
图5示出了根据另一可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图；
图6是图2的部分I的放大平面图；
图7是沿着图6的线II-II'截取的剖面透视图；
图8是沿着图6的线III-III'截取的剖视图；
图9是示出显示装置的对比实施例的一部分的剖视图；
图10是根据可选择的实施例的显示装置的一部分的平面图；
图11是沿着图10的线IV-IV'截取的剖视图；
图12示出了根据另一实施例的显示装置的部分的剖视图；
图13是根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图14是根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图15A和图15B是根据其它实施例的显示装置的部分的剖视图；以及
图16是根据另一可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照附图更充分地描述本发明，附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指示同样的元件。
将理解的是，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者这两个元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意在限制。如这里所使用的，单数形式“一个(者/种)”和“该/所述”(包括“至少一个(者/种)”)意在包括复数形式，除非上下文另外明确地指出。“或”意指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意和全部组合。还将理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但并不排除存在或添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意在包括装置的除了在图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被定位在所述其它元件的“上”侧上。因此，基于图的具体方位，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将随后被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的环境中和本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的意义来进行解释。
这里参照作为理想化实施例的示意图的剖面图来描述示例性实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为限制于如这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造引起的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意在示出区域的精确形状，并且不意在限制权利要求的范围。
在下面的实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或者可以表示不彼此垂直的不同方向。
作为显示图像的装置的显示装置的实施例可以是液晶显示(“LCD”)装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置、场发射显示(“FED”)装置、表面传导电子发射显示(“SED”)装置、等离子体显示装置、阴极射线显示装置等。
在下文中，为了便于描述，将参照附图详细描述显示装置的实施例，其中，显示装置是有机发光显示装置，但是显示装置的实施例不限于此，并且可以使用各种类型的显示装置。
图1是根据实施例的显示装置的一部分的透视图，图2是图1的显示装置的一部分的平面图，图3示出了显示装置的沿着图2的线A-A'和线B-B'截取的部分的剖视图。
根据实施例，作为显示装置的一部分的基底100的一部分被如图1所示地弯曲，使得显示装置的一部分可以以基底100的方式具有弯曲形式。在图2和图3中，为了便于说明，显示装置被示出为处于未弯曲状态。为了参考，在下面将要描述的实施例的剖视图和平面图中，为了便于说明，显示装置将被示出为处于未弯曲状态。
在实施例中，如图1至图3中所示，包括在显示装置中的基底100可以具有在第一方向(+Y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA可以位于在与第一方向交叉的第二方向(+X方向)上延伸的第一区域1A和第二区域2A之间。在一个实施例中，例如，基底100可以围绕在第一方向(+Y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲，如图1中所示。在实施例中，如图1中所示，基底100可以以均匀的曲率半径围绕弯曲轴BAX弯曲，但是实施例不限于此。可选择地，基底100可以以不均匀的曲率半径围绕弯曲轴BAX弯曲。
在实施例中，基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料。在实施例中，基底100可以包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或醋酸丙酸纤维素(“CAP”)。基底100可以具有包括以上材料中的至少一种的单层或多层结构。在基底100具有多层结构的实施例中，基底100还可以包括无机材料层。
第一区域1A可以包括显示区域DA。在实施例中，第一区域1A还可以包括位于显示区域DA外部的非显示区域(或称为外围区域)NDA的一部分，如图2中所示。第二区域2A可以包括非显示区域NDA的一部分。
多个像素P可以布置在基底100的显示区域DA中以显示图像。诸如薄膜晶体管(“TFT”)、有机发光器件(“OLED”)和电容器的元件可以布置在显示区域DA中。
显示区域DA还可以包括信号线，诸如用于传输栅极信号的栅极线GL、用于传输数据信号的数据线DL、用于传输驱动电源的驱动电源线以及公共电源线，每个像素P可以由连接到栅极线GL、数据线DL、驱动电源线和公共电源线的TFT、电容器、OLED等的电气组合共同地限定，以显示图像。像素P可以基于供应到像素P的驱动电源以及公共电源，响应于数据信号，以与经过OLED的驱动电流对应的亮度发光。信号线可以连接到非显示区域NDA的端子单元20。多个像素P可以以诸如条阵列或PenTile阵列的各种形式布置。显示装置还可以包括封装构件，封装构件用于封装显示区域DA以密封显示区域DA使其免受外部空气的影响。
在实施例中，端子单元20、第一电源电压线30和布线单元40可以布置在非显示区域NDA中。在这样的实施例中，尽管未在图1至图3中示出，但是还可以在非显示区域NDA中布置公共电源线、栅极驱动器、数据驱动器等。
端子单元20可以布置在非显示区域NDA的端部处并且可以包括多个端子21和22。端子单元20可以不被绝缘层覆盖而是可以被暴露，并且可以电连接到诸如柔性印刷电路板(“PCB”)和驱动器集成电路(“IC”)的控制器(未示出)。控制器可以通过端子单元20将数据信号、栅极信号、第一电源电压、第二电源电压等提供到像素P。这里，第一电源电压可以是驱动电压(ELVDD)，第二电源电压可以是共电压(ELVSS)。
第一电源电压线30可以经由端子22连接到控制器，并且可以经由控制器将供应的第一电源电压提供到像素P。第一电源电压线30可以布置在非显示区域NDA中以覆盖显示区域DA的表面的侧部。
布线单元40可以包括与显示区域DA的信号线连接的多条内部导线213i、与非显示区域NDA的端子单元20连接的多条外部导线213o以及分别将多条内部导线213i连接到多条外部导线213o的连接线215。
在实施例中，连接线215可以与弯曲区域BA叠置。在这样的实施例中，连接线215可以从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A。连接线215可以延伸为与弯曲轴BAX交叉。在一个实施例中，例如，连接线215可以在垂直于弯曲轴BAX的方向上延伸，但是不限于此。可选择地，连接线215可以具有各种其它修改，诸如在相对于弯曲轴BAX不垂直并且成特定角度的方向上延伸。在实施例中，除了线性形式之外，连接线215可以具有诸如弯曲形式和锯齿形式的各种形式。
有机材料层160可以布置在弯曲区域BA周围并且可以覆盖连接线215和内部导线213i彼此连接的区域以及连接线215和外部导线213o彼此连接的区域。在弯曲区域BA中，有机材料层160可以布置在连接线215的下面。后面将更详细地描述有机材料层160。
图3示出了OLED 300作为显示元件被布置在显示区域DA中。在实施例中，OLED 300可以通过其像素电极310电连接到第一TFT T1或第二TFT T2。根据需要，可以在基底100的显示区域DA外部的外围区域NDA中布置TFT(未示出)。布置在外围区域NDA中的TFT可以是例如用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
第一TFT T1可以包括第一半导体层Act1和第一栅电极G1，第二TFT T2可以包括第二半导体层Act2和第二栅电极G2。
第一半导体层Act1和第二半导体层Act2中的每个可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。第一半导体层Act1可以包括沟道区C1，并且还可以包括分别布置(或设置)在沟道区C1的两侧上的源区S1和漏区D1。第二半导体层Act2可以包括沟道区C2，并且还可以包括分别布置在沟道区C2的两侧上的源区S2和漏区D2。
第一栅电极G1与第一半导体层Act1的沟道区C1叠置，并且第一栅极绝缘层121位于其间，第二栅电极G2与第二半导体层Act2的沟道区C2叠置，并且第一栅极绝缘层121位于其间。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以连接到将导通/截止信号提供到第一TFT T1和/或第二TFT T2的栅极线(未示出)，并且可以包括低电阻金属材料。在一个实施例中，例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2中的每个可以具有单层或多层结构，并且可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料。在实施例中，如图3中所示，第一栅电极G1和第二栅电极G2彼此布置在同一层中，但是实施例不限于此。可选择地，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以彼此布置在不同的层中。
第二TFT T2可以包括源电极(未示出)和/或漏电极SD(如图12中所示)。源电极和漏电极SD可以具有单层或多层结构，并且可以包括具有高导电率的导电材料。源电极和漏电极SD可以分别连接到第二半导体层Act2的源区S2和漏区D2。在一个实施例中，例如，源电极和漏电极SD可以具有单层或多层结构，并且可以包括导电材料，例如，Al、Cu和/或Ti等。第一TFT T1可以包括分别与第一半导体层Act1的源区S1和漏区D1连接的源电极和漏电极，但是不限于此。可选择地，源区S1和漏区D1本身可以用作源电极和漏电极，并且可以省略源电极和漏电极。
源电极和/或漏电极SD可以经由接触孔连接到第二半导体层Act2。可以通过同时蚀刻层间绝缘层130、第二栅极绝缘层122和第一栅极绝缘层121来形成接触孔。
在实施例中，第一TFT T1和第二TFT T2可以是第一栅电极G1和第二栅电极G2分别布置在第一半导体层Act1和第二半导体层Act2上方的顶栅型，但是实施例不限于此。在可选择的实施例中，第一TFT T1或第二TFT T2可以是第一栅电极G1布置在第一半导体层Act1下面或第二栅电极G2布置在第二半导体层Act2下面的底栅型。
存储电容器Cst可以与第一TFT T1叠置。在这样的实施例中，可以增大存储电容器Cst和第一TFT T1的面积，因此可以改善图像的质量。在一个实施例中，例如，第一栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1。第二存储电容器板CE2可以与第一存储电容器板CE1叠置，并且第二栅极绝缘层122置于第二存储电容器板CE2和第一存储电容器板CE1之间。例如，第二栅极绝缘层122可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机绝缘材料。在可选择的实施例中，存储电容器Cst可以不与第一TFT T1叠置。
在实施例中，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料的第一栅极绝缘层121可以布置在第一半导体层Act1和第一栅电极G1之间以及第二半导体层Act2和第二栅电极G2之间，使得可以确保第一半导体层Act1和第一栅电极G1之间绝缘以及第二半导体层Act2和第二栅电极G2之间绝缘。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料的第二栅极绝缘层122可以布置在第一栅电极G1和第二栅电极G2上。包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料的层间绝缘层130可以布置在第二存储电容器板CE2上。
源电极和漏电极SD可以布置在层间绝缘层130上。数据线DL可以布置在层间绝缘层130上，与源电极和漏电极SD位于同一层中，并且电连接到源电极或漏电极SD。
在实施例中，可以经由化学气相沉积(“CVD”)或原子层沉积(“ALD”)来形成包括无机材料的绝缘层。这样的形成方法适用于上述实施例及其下面将描述的各种修改。
在上述结构中，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以布置在第一TFT T1和第二TFT T2与基底100之间。缓冲层110可以在基底100上提供平坦表面，或者有效地防止或显著地减少杂质从基底100等渗透到第一半导体层Act1和第二半导体层Act2。缓冲层110可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或其组合，并且可以具有单层或多层结构。在一些实施例中，缓冲层110可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的三层结构。
平坦化层140可以布置在第一TFT T1和第二TFT T2以及存储电容器Cst的上方。平坦化层140可以覆盖第一TFT T1和第二TFT T2以及存储电容器Cst。平坦化层140的上表面可以是基本平坦化的。例如，平坦化层140可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(“BCB”)和六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)的有机材料。在实施例中，如图3中所示，平坦化层140可以具有单层结构，但不限于此。在可选择的实施例中，平坦化层140可以被不同地修改。在一个可选择的实施例中，例如，平坦化层140可以具有多层结构。
在实施例中，OLED 300可以在基底100的显示区域DA中布置在平坦化层140上，其中，OLED 300包括像素电极310、对电极330以及置于像素电极310和对电极330之间并包括发光层的中间层320。像素电极310可以经由通过平坦化层140等限定的开口与源电极和漏电极SD中的任何一个接触，并且可以电连接到第二TFT T2，如图3中所示。
像素限定层150可以布置在平坦化层140上。开口可以限定在像素限定层150中以与相应的子像素对应，即，开口至少暴露像素电极310的要被暴露的中心部，从而限定像素。在实施例中，如图3中所示，像素限定层150可以通过增加像素电极310的边缘和像素电极310上方的对电极330之间的距离来有效地防止在像素电极310的边缘上出现电弧等。像素限定层150可以包括例如诸如PI和HMDSO的有机材料。
OLED 300的中间层320可以包括低分子质量材料或高分子质量(聚合物)材料。在中间层320包括低分子质量材料的实施例中，中间层320可以具有其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等以单一或复合结构堆叠的结构，并且可以包括诸如铜酞菁(“CuPc”)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPB”)和三-8-羟基喹啉铝(“Alq3”)的各种有机材料中的至少一种。上述层可以经由真空沉积方法形成。
在中间层320包括高分子质量材料的可选择的实施例中，中间层320可以具有总体上包括HTL和EML的结构。在这样的实施例中，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)，EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(“PPV”)或聚芴的高分子质量材料。在这样的实施例中，可以经由丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(“LITI”)等来形成中间层320。
中间层320不限于此并且可以具有各种其它结构中的一种。在实施例中，中间层320可以包括覆盖多个像素电极310的一体层，或者可以包括与多个像素电极310中的每个对应的图案化层。
对电极330可以布置在显示区域DA的顶部上并且可以覆盖显示区域DA，如图3中所示。在这样的实施例中，对电极330可以以单个的单一单元对于多个OLED 300一体地形成，因此可以对应于多个像素电极310。
在实施例中，封装层400可以通过封装OLED 300来保护会容易被来自外部的湿气、氧等损坏的OLED 300。封装层400可以覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示区域DA的外部。封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖对电极330并且可以包括陶瓷材料、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锡(“ITO”)、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等中的至少一种。如果需要，则可以在第一无机封装层410与对电极330之间布置诸如覆盖层的其它层。由于第一无机封装层410沿着其下面的结构形成，所以第一无机封装层410的上表面会不平坦，如图3中所示。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420的上表面可以是基本平坦的。详细地，在与显示区域DA对应的区域中，有机封装层420的上表面可以是基本平坦的。有机封装层420可以包括从亚克力、甲基丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐(“PES”)、聚甲醛(“POM”)、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中选择的至少一种。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420并且可以包括陶瓷材料、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、InO、SnO、ITO、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等中的至少一种。第二无机封装层430可以通过在布置在显示区域DA外部的边缘处与第一无机封装层410接触来有效地防止有机封装层420暴露到外部，如图3中所示。
在实施例中，如图2和图3中所示，封装层400覆盖第一电源电压线30的至少一部分，但是实施例不限于此。在一个实施例中，例如，封装层400可以不覆盖第一电源电压线30，而是可以仅覆盖与显示区域DA对应的区域。
在封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430的实施例中，即使当裂纹形成在具有多层结构的封装层400中时，裂纹也不会在第一无机封装层410和有机封装层420之间或者在有机封装层420和第二无机封装层430之间连接。在这样的实施例中，可以有效地防止或显著地最小化路径的形成，其中，来自外部的湿气或氧会通过所述路径渗透到显示区域DA中。尽管未在附图中示出，但是可以在封装层400上设置各种功能层，诸如用于减少外部光反射的偏振层、黑矩阵、滤色器和/或包括触摸电极的触摸屏层。
均包括无机材料的缓冲层110、第一栅极绝缘层121、第二栅极绝缘层122和层间绝缘层130可以被共同地称为无机绝缘层125。在实施例中，在与弯曲区域BA对应的区域中，穿过无机绝缘层125限定开口OP，如图3中所示。在这样的实施例中，分别穿过缓冲层110、第一栅极绝缘层121、第二栅极绝缘层122和层间绝缘层130限定与弯曲区域BA对应的开口110a、开口121a、开口122a和开口130a。在开口OP对应于弯曲区域BA这样的实施例中，开口OP与弯曲区域BA叠置。在实施例中，开口OP的面积可以大于弯曲区域BA的面积。在这样的实施例中，如图3中所示，开口OP的宽度OW可以大于弯曲区域BA的宽度。这里，开口OP的面积可以被定义为缓冲层110的开口110a、第一栅极绝缘层121的开口121a、第二栅极绝缘层122的开口122a和层间绝缘层130的开口130a之中具有最小面积的开口的面积。在实施例中，如图3中所示，无机绝缘层125的开口OP的面积可以由缓冲层110的开口110a的面积限定。
在实施例中，如图3中所示，缓冲层110的开口110a的内表面与第一栅极绝缘层121的开口121a的内表面彼此相一致，但是实施例不限于此。在一个可选择的实施例中，例如，第一栅极绝缘层121的开口121a的面积可以大于缓冲层110的开口110a的面积。
在实施例中，显示装置可以包括填充无机绝缘层125的开口OP的有机材料层160。在这样的实施例中，有机材料层160可以与弯曲区域BA叠置。有机材料层160可以延伸到在弯曲区域BA周围的非弯曲区域的一部分。
在实施例中，显示装置可以包括连接线215。连接线215可以从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A，并且可以布置在有机材料层160上。连接线215可以布置在无机绝缘层125上，例如，布置在不存在有机材料层160的层间绝缘层130上。连接线215可以将电信号传输到显示区域DA，并且可以与源电极、漏电极SD或数据线DL利用相同的材料同时形成。
如上所述，在图3中，为了方便起见，显示装置被示出为不弯曲的。然而，显示装置的基底100等可以在弯曲区域BA中处于弯曲状态，如图1中所示。在实施例中，在制造工艺中，在如图3中示出的基底100为近似平坦的状态下制造显示装置，然后，使基底100等在弯曲区域BA中弯曲，使得显示装置具有如图1中示出的形状。在这样的实施例中，在使基底100等在弯曲区域BA中弯曲的过程中，张应力会施加到连接线215。在显示装置的实施例中，可以有效地防止或显著地减少在弯曲过程期间在连接线215中出现缺陷。
在这样的实施例中，如果开口OP未在弯曲区域BA中限定或形成为穿过无机绝缘层125，从而无机绝缘层125具有从第一区域1A到第二区域2A的连续形状，并且连接线215被布置在无机绝缘层125上，则在使基底100等弯曲的过程中，高的张应力会施加到连接线215。由于无机绝缘层125的硬度大于有机材料层160的硬度，所以在弯曲区域BA中的无机绝缘层125中出现裂纹等的可能性会非常高。因此，当在无机绝缘层125中形成裂纹时，在无机绝缘层125上的连接线215中出现裂纹等的可能性会非常高，从而会在连接线215中出现诸如断裂的布线的缺陷。
在显示装置的实施例中，如上所述，开口OP在弯曲区域BA中限定为穿过无机绝缘层125，并且连接线215可以布置在填充开口OP的有机材料层160上。在这样的实施例中，由于开口OP在弯曲区域BA中限定为穿过无机绝缘层125，所以在无机绝缘层125中出现裂纹等的可能性可以非常低。这里，由于有机材料的特性，在有机材料层160中形成裂纹的可能性低。因此，可以有效地防止在布置在有机材料层160上的连接线215中形成裂纹等，或者可以减小裂纹形成的可能性。在这样的实施例中，由于有机材料层160的硬度小于无机材料层的硬度，所以有机材料层160可以吸收由于基底100等的弯曲而引起的张应力，因此可以有效地减少连接线215中张应力的集中。
有机材料层160可以包括从亚克力、甲基丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、PES、POM、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中选择的至少一种。
可以在形成包括在显示区域DA中的包括有机材料的层时利用与该层相同的材料来形成有机材料层160。在实施例中，当形成平坦化层140或像素限定层150时，有机材料层160可以与平坦化层140或像素限定层150使用相同的材料同时形成。在一个实施例中，例如，有机材料层160可以与像素限定层150使用相同的材料同时形成。在一个可选择的实施例中，例如，有机材料层160可以与封装层400的有机封装层420使用相同的材料同时形成。
在实施例中，有机材料层160可以与包括有机材料的显示区域DA中的层间隔开。在一个实施例中，例如，如图3中所示，有机材料层160可以与显示区域DA中的平坦化层140和像素限定层150间隔开。
在实施例中，有机材料层160可以与封装层400中的有机封装层中的至少一个层(例如，有机封装层420)间隔开。在实施例中，如图3中所示，第一无机封装层410和第二无机封装层430与有机材料层160间隔开，但是实施例不限于此。在一个可选择的实施例中，例如，封装层400的第一无机封装层410或第二无机封装层430的一部分可以与有机材料层160接触。
在实施例中，除了连接线215之外，显示装置可以包括均连接到连接线215的内部导线213i和外部导线213o。内部导线213i和外部导线213o可以布置在第一区域1A或第二区域2A中，使得内部导线213i和外部导线213o位于与连接线215所位于的层不同的层中，并且可以电连接到连接线215。
在示例性实施例中，如图3中所示，内部导线213i位于第一区域1A中，外部导线213o位于第二区域2A中。在实施例中，如图3中所示，内部导线213i和外部导线213o包括与第一栅电极G1相同的材料，并且与第一栅电极G1位于同一层中，即，位于第一栅极绝缘层121上。
连接线215可以经由限定在有机材料层160中的有机通孔160h和限定为穿过层间绝缘层130和第二栅极绝缘层122的接触孔CNT与内部导线213i和外部导线213o接触。每个有机通孔160h暴露无机绝缘层125的一部分的上表面，并且接触孔CNT被限定为与相应的有机通孔160h叠置。在实施例中，如图3中所示，两个接触孔CNT可以布置在一个有机通孔160h中，但是实施例不限于此。在这样的实施例中，布置在一个有机通孔160h中的接触孔CNT的数量可以被不同地修改。
第一区域1A中的内部导线213i可以电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2，因此，连接线215可以经由内部导线213i电连接到数据线DL和/或显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2。在实施例中，内部导线213i可以经由接触孔连接到布置在显示区域DA中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或者第二栅极绝缘层122上的导电层。
第二区域2A中的外部导线213o可以经由连接线215电连接到数据线DL和/或显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2。在实施例中，外部导线213o可以经由接触孔连接到布置在第二区域2A中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或第二栅极绝缘层122上的导电层。
在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以电连接到位于显示区域DA中的组件，同时位于显示区域DA的外部。在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以在位于显示区域DA外部的同时在朝显示区域DA的方向上延伸，因此，内部导线213i和外部导线213o的至少部分可以位于显示区域DA中。
在上文中，为了便于示出和描述，在图3中示出了处于未弯曲状态的显示装置；然而，显示装置的实施例处于基底100等在弯曲区域BA中被弯曲的状态，如图1中所示。在这样的实施例中，在制造工艺中，在基底100为如图3中示出的近似平坦的状态下制造显示装置，此后，使基底100等在弯曲区域BA中弯曲，使得显示装置具有如图1中示出的形状。在这样的实施例中，在使基底100等在弯曲区域BA中弯曲的过程中，张应力会施加到弯曲区域BA中的组件。
因此，在连接线215与弯曲区域BA交叉的这样的实施例中，可以通过包括具有高延伸百分比的材料来防止在连接线215中形成裂纹或者在连接线215中形成诸如断裂的布线的缺陷。在这样的实施例中，通过利用具有比连接线215的延伸百分比低的延伸百分比且具有与连接线215的电气/物理特性不同的电气/物理特性的材料来在第一区域1A中形成内部导线213i和/或在第二区域2A中形成外部导线213o，可以提高显示装置中的电信号传输的效率，或者可以降低制造工艺中出现缺陷的比率。在一个实施例中，例如，内部导线213i和外部导线213o可以包括Mo，并且连接线215可以包括Al。在实施例中，连接线215或者内部导线213i和外部导线213o可以选择性地具有多层结构。第二区域2A中的外部导线213o的端部可以暴露于外部，因此可以电连接到各种电子器件或印刷电路板。
在实施例中，有机材料层160延伸至连接线215连接到内部导线213i和外部导线213o的接触区域。有机通孔160h限定或形成在有机材料层160中，使得连接线215经由有机通孔160h连接到内部导线213i和外部导线213o。在这样的实施例中，使连接线215仅经由有机通孔160h与无机绝缘层125接触，因此，可以有效地防止会由在使连接线215图案化的工艺中剩余的导电材料引起的与相邻的连接线215的短路。
在可选择的实施例中，可以省略在弯曲区域BA周围的无机绝缘层125的层间绝缘层130或第二栅极绝缘层122。在这样的实施例中，在有机通孔160h中，层间绝缘层130和第二栅极绝缘层122中的仅一个可以布置在连接线215和内部导线213i之间，因此，用于将连接线215连接到内部导线213i的接触孔CNT可以仅穿透层间绝缘层130或第二栅极绝缘层122。
在另一可选择的实施例中，在有机通孔160h中，层间绝缘层130和第二栅极绝缘层122中的仅一个可以布置在连接线215和外部导线213o之间，因此，用于将连接线215连接到外部导线213o的接触孔CNT可以仅穿透层间绝缘层130或第二栅极绝缘层122。
布置在连接线215与内部导线213i之间以及布置在连接线215与外部导线213o之间的无机绝缘层125可以被不同地修改。在一个实施例中，例如，可以仅层间绝缘层130位于连接线215与内部导线213i之间以及连接线215与外部导线213o之间。可选择地，可以仅层间绝缘层130存在于连接线215和内部导线213i之间，并且可以仅第二栅极绝缘层122位于连接线215和外部导线213o之间。
图4和图5是根据可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图。在图4和图5中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同或同样的元件，并且将省略或简化其任何重复的详细描述。
在实施例中，如图4中所示，内部导线213i和外部导线213o包括与第二存储电容器板CE2的材料相同的材料，并且与第二存储电容器板CE2位于同一层中，即，位于第二栅极绝缘层122上。
连接线215可以经由限定在有机材料层160中的有机通孔160h和限定为穿过层间绝缘层130的接触孔CNT与内部导线213i和外部导线213o接触。每个有机通孔160h暴露无机绝缘层125的一部分的上表面，并且接触孔CNT被限定在有机通孔160h的一部分中。在实施例中，如图4中所示，两个接触孔CNT可以布置在一个有机通孔160h中，但是实施例不限于此。在这样的实施例中，布置在一个有机通孔160h中的接触孔CNT的数量可以被不同地修改。
第一区域1A中的内部导线213i可以电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2以及/或者数据线DL，因此，连接线215可以经由内部导线213i电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2等。在实施例中，内部导线213i可以经由接触孔连接到布置在显示区域DA中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或者第一栅极绝缘层121上的导电层。
第二区域2A中的外部导线213o可以经由连接线215电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2并且/或者电连接到数据线DL。在实施例中，外部导线213o可以经由接触孔连接到布置在第二区域2A中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或第一栅极绝缘层121上的导电层。
在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以电连接到位于显示区域DA中的组件，同时位于显示区域DA的外部。在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以在位于显示区域DA外部的同时在朝显示区域DA的方向上延伸，因此，内部导线213i和外部导线213o的至少部分可以位于显示区域DA中。
参照图5，在显示装置的实施例中，彼此连接的内部导线213i和外部导线213o可以布置在不同的层中。图5示出了内部导线213i包括与第一栅电极G1的材料相同的材料并与第一栅电极G1布置在同一层中并且外部导线213o包括与第二存储电容器板CE2的材料相同的材料并且与第二存储电容器板CE2布置在同一层中的实施例。然而，实施例不限于此。在一个可选择的实施例中，例如，内部导线213i可以包括与第二存储电容器板CE2的材料相同的材料并且可以与第二存储电容器板CE2布置在同一层中，并且外部导线213o可以包括与第一栅电极G1的材料相同的材料并且可以与第一栅电极G1布置在同一层中。
连接线215可以经由限定在有机材料层160中的有机通孔160h以及限定为穿过层间绝缘层130和第二栅极绝缘层122的接触孔CNT1与内部导线213i接触，并且可以经由限定在有机材料层160中的有机通孔160h和限定为穿过层间绝缘层130的接触孔CNT2与外部导线213o接触。
第一区域1A中的内部导线213i可以电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2等，因此，连接线215可以经由内部导线213i电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2并且/或者电连接到数据线DL。在实施例中，内部导线213i可以经由接触孔连接到布置在显示区域DA中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或者第二栅极绝缘层122上的导电层。
第二区域2A中的外部导线213o也可以经由连接线215电连接到显示区域DA中的第一TFT T1和第二TFT T2并且/或者电连接到数据线DL。在实施例中，外部导线213o可以经由接触孔连接到布置在第二区域2A中的另一层中的导电层，例如，层间绝缘层130上的导电层或第一栅极绝缘层121上的导电层。
在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以电连接到位于显示区域DA中的组件，同时位于显示区域DA的外部。在这样的实施例中，内部导线213i和外部导线213o可以在位于显示区域DA外部的同时在朝显示区域DA的方向上延伸，因此，内部导线213i和外部导线213o的至少一部分可以位于显示区域DA中。
在一些实施例中，内部导线213i和外部导线213o的布置可以被不同地修改。在一个实施例中，例如，多条内部导线213i和多条外部导线213o中的一些可以包括与第一栅电极G1的材料相同的材料并且可以与第一栅电极G1布置在同一层中，多条内部导线213i和多条外部导线213o中的剩余导线可以包括与第二存储电容器板CE2的材料相同的材料并且可以与第二存储电容器板CE2布置在同一层中。
图6是图2的部分I的放大平面图。图7是沿着图6的线II-II'截取的剖面透视图。图8是沿着图6的线III-III'截取的剖视图。图9是示出显示装置的对比实施例的一部分的剖视图。
参照图6和图7，在实施例中，有机通孔160h包括在第一方向(+Y方向)上布置的多个第一有机通孔160h1。在这样的实施例中，有机通孔160h还可以包括不与第一有机通孔160h1在Y方向上共线的多个第二有机通孔160h2。因此，第一有机通孔160h1和第二有机通孔160h2没有线性地布置在同一条线上，而是相对于彼此交错。由于第一有机通孔160h1和第二有机通孔160h2相对于彼此交错，所以可以在Y方向上在具有小宽度的有限空间中布置更多的有机通孔160h。因此，可以在狭窄的空间中布置连接线215与内部导线213i和外部导线213o连接所通过的大量接触区域，因此，可以减小连接线215之间的间隔。
在这样的实施例中，由于第一有机通孔160h1和第二有机通孔160h2相对于彼此交错，所以连接线215的一部分可以在第一有机通孔160h1之间穿过。因此，连接线215的宽度可以被不同地修改。在一个实施例中，例如，连接线215的在第一有机通孔160h1之间穿过的部分的宽度W2可以小于连接线215的与第一有机通孔160h1连接的部分的宽度W1。
第一有机通孔160h1的数量和第二有机通孔160h2的数量可以彼此不同。在实施例中，如图6中所示，将连接线215连接到内部导线213i的两个接触孔CNT设置在第一有机通孔160h1或第二有机通孔160h2中。然而，接触孔CNT的数量不限于此。布置在第一有机通孔160h1中的接触孔CNT的数量可以不同于布置在第二有机通孔160h2中的接触孔CNT的数量。
参照图7，在实施例中，布置在第一有机通孔160h1之间的有机材料层160的上表面(+Z方向)具有凸弯曲的形式。有机材料层160的上表面可以具有弯曲的表面，并且可以具有在中间最大且朝向第一有机通孔160h1逐渐减小的高度。在这样的实施例中，布置在第一有机通孔160h1之间的有机材料层160的上表面不平坦。
根据实施例，相邻的第一有机通孔160h1可以彼此靠近，并且布置在相邻的第一有机通孔160h1之间的有机材料层160的上表面可以具有凸弯曲的表面，使得允许在狭窄的空间中布置大量的连接线215、大量的内部导线213i和大量的外部导线213o。相邻的第一有机通孔160h1彼此越接近，布置在相邻的第一有机通孔160h1之间的有机材料层160的上表面的曲率半径越小。
在实施例中，连接线215可以布置在被布置于第一有机通孔160h1之间的有机材料层160的上表面上。在这样的实施例中，连接线215可以在宽度方向(±Y方向)上具有与有机材料层160的上表面的形状对应的弯曲表面。
参照图6和图8，连接线215的端部可以布置在有机通孔160h中。内部导线213i的端部可以与有机通孔160h的内部叠置，因此，连接线215的端部和内部导线213i的端部可以经由限定为穿过层间绝缘层130和第二栅极绝缘层122的接触孔CNT彼此电连接。
在实施例中，有机通孔160h暴露层间绝缘层130的上表面，并且连接线215的一部分布置在有机通孔160h中的层间绝缘层130上。在这样的实施例中，连接线215从有机材料层160的上表面延伸到有机通孔160h中的层间绝缘层130的上表面。在这样的实施例中，连接线215会根据连接线215下面的结构的形状而经受应力。在实施例中，有机通孔160h的下边缘和内部导线213i的一端彼此水平地间隔开以不彼此叠置，使得显著地减小连接线215会在接触区域中受到的应力。
如果像与图8对应的图9中示出的对比实施例中那样，有机通孔160h的下边缘和内部导线213i的一端彼此叠置，则形成在无机绝缘层(诸如布置在内部导线213i上的第二栅极绝缘层122以及层间绝缘层130)中的台阶与有机材料层160的边界彼此接近，因此，连接线215下面的结构形成许多台阶。结果，由于台阶的影响，在越过结构的连接线215中形成裂纹CR的可能性相对高。
在实施例中，如上所述，内部导线213i的端部可以被布置为不与有机通孔160h的下边缘叠置，从而有效地防止在连接线215中形成裂纹。在实施例中，如图6和图8中所示，有机通孔160h的下边缘与内部导线213i的端部之间的距离d可以在约4微米(μm)至约8μm的范围内。
图10是根据可选择的实施例的显示装置的一部分的平面图，图10示出了与图2的部分I对应的区域。图11是沿着图10的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图10和图11，在实施例中，内部导线213i可以包括布置在不同层中的第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2。在这样的实施例中，第一内部导线213i-1可以布置在第一栅极绝缘层121上，并且可以与第一栅电极G1在同一层中包括与第一栅电极G1相同的材料(例如，可以与第一栅电极G1由相同的材料形成)。在这样的实施例中，第二内部导线213i-2可以布置在第二栅极绝缘层122上，并且可以与第二存储电容器板CE2在同一层中包括与第二存储电容器板CE2相同的材料。在实施例中，如图10和图11中所示，第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2可以交替地布置。然而，实施例不限于此。在这样的实施例中，第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2的布置顺序可以不同地修改。
在实施例中，如图11中所示，第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2通过其间的第二栅极绝缘层122而彼此绝缘，并且位于彼此不同的层中。第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2可以被布置为不彼此叠置，以减少会在第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2之间出现的寄生电容。在可选择的实施例中，第一内部导线213i-1和第二内部导线213i-2可以被布置为至少部分地彼此叠置。
在实施例中，外部导线213o(参见图2)可以包括布置在彼此不同的层中的第一外部导线和第二外部导线。在这样的实施例中，第一外部导线可以布置在第一栅极绝缘层121上，并且可以与第一栅电极G1在同一层中包括与第一栅电极G1相同的材料。在这样的实施例中，第二外部导线可以布置在第二栅极绝缘层122上，并且可以与第二存储电容器板CE2在同一层中包括与第二存储电容器板CE2相同的材料。在实施例中，第一外部导线和第二外部导线可以交替地布置。然而，实施例不限于此。在这样的实施例中，第一外部导线和第二外部导线的布置顺序可以被不同地修改。
第一外部导线和第二外部导线通过其间的第二栅极绝缘层122彼此绝缘，并且位于彼此不同的层中。在实施例中，第一外部导线和第二外部导线可以被布置为不彼此叠置。然而，在可选择的实施例中，第一外部导线和第二外部导线可以被布置为至少部分地彼此叠置。
图12是根据另一可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图。在图12中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的或同样的元件，并且将省略其任何重复的详细描述。
参照图12，在实施例中，显示区域DA包括覆盖漏电极SD和数据线DL并布置在层间绝缘层130上的第一平坦化层141、布置在第一平坦化层141上的导电层PL以及覆盖导电层PL并布置在第一平坦化层141上的第二平坦化层142。连接线215可以包括与数据线DL或导电层PL的材料相同的材料，或者可以与数据线DL或导电层PL同时地由与数据线DL或导电层PL的材料相同的材料形成。
作为绝缘层的第一平坦化层141和第二平坦化层142可以包括有机材料。有机材料可以包括酰亚胺聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和其组合物(例如，共混物)中的至少一种。第一平坦化层141和第二平坦化层142可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。可选择地，第一平坦化层141可以包括无机材料，并且第二平坦化层142可以包括有机材料。第一平坦化层141和第二平坦化层142可以具有单层或多层结构。
布置在第一平坦化层141上的导电层PL可以用作用于传输电源电压的电压线或用于传输数据信号的数据线。布置在第一平坦化层141上的导电层PL可以通过限定在第一平坦化层141中的接触孔连接到数据线DL。导电层PL可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层或多层结构。导电层PL可以具有比第一栅电极G1及第二栅电极G2或者第二存储电容器板CE2高的延伸百分比。
在实施例中，连接线215可以包括与导电层PL的材料相同的材料，或者与导电层PL同时地由与导电层PL的材料相同的材料形成。然而，实施例不限于此。在一个可选择的实施例中，例如，连接线215可以与布置在层间绝缘层130上的数据线DL同时地由与数据线DL的材料相同的材料形成。可选择地，连接线215中的一些可以与导电层PL同时地由与导电层PL的材料相同的材料形成，并且剩余的连接线215可以与数据线DL同时地由与数据线DL的材料相同的材料形成。
在连接线215由与导电层PL的材料相同的材料形成并且与导电层PL同时地形成的实施例中，有机材料层160可以与第一平坦化层141同时地由与第一平坦化层141的材料相同的材料形成。在这样的实施例中，由于有机材料层160可以与第一平坦化层141同时形成，所以可以简化制造显示装置的工艺。
图13是根据另一可选择的实施例的显示装置的一部分的剖视图。更具体地讲，图13是示意性地示出弯曲区域BA的附近的剖视图。
参照图13，在实施例中，无机绝缘层125中的开口OP的内表面可以具有阶梯形式。在这样的实施例中，如图13中所示，第一栅极绝缘层121中的开口121a的面积可以大于缓冲层110中的开口110a的面积，因此，无机绝缘层125中的开口OP的内表面可以具有阶梯形式。尽管未在图13中示出，但是无机绝缘层125中的开口OP的内表面可以由于第一栅极绝缘层121中的开口121a的面积与第二栅极绝缘层122中的开口122a的面积之间的差异以及第二栅极绝缘层122中的开口122a的面积与层间绝缘层130中的开口130a的面积之间的差异而具有阶梯形式。
图14是根据另一可选择的实施例的显示装置的一部分的剖视图。更具体地讲，图14是示意性地示出弯曲区域BA的附近的剖视图。
参照图14，在实施例中，无机绝缘层125可以具有对应于弯曲区域BA的凹槽。凹槽可以表示无机绝缘层125在向下方向(-Z方向)上被部分地去除并且无机绝缘层125的一部分保留的区域。在一个实施例中，例如，缓冲层110可以连续地延伸遍及第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A。在实施例中，开口121a被限定在第一栅极绝缘层121中以对应于弯曲区域BA，开口122a被限定在第二栅极绝缘层122中以对应于弯曲区域BA，开口130a被限定在层间绝缘层130中以对应于弯曲区域BA。因此，在这样的实施例中，包括缓冲层110、第一栅极绝缘层121、第二栅极绝缘层122和层间绝缘层130的无机绝缘层125具有对应于弯曲区域BA的凹槽GR。在实施例中，无机绝缘层125也可以包括各种形式中的任一形式的凹槽GR。在一个实施例中，例如，缓冲层110的上表面的一部分也可以被去除，或者栅极绝缘层(例如，第一栅极绝缘层121或第二栅极绝缘层122)的底表面可以保留而不被去除。
在凹槽GR对应于弯曲区域BA的实施例中，凹槽GR可以与弯曲区域BA叠置。在这样的实施例中，凹槽GR的面积可以大于弯曲区域BA的面积。在这样的实施例中，如图14中所示，凹槽GR的宽度OW大于弯曲区域BA的宽度。这里，凹槽GR的面积可以被定义为第一栅极绝缘层121的开口121a、第二栅极绝缘层122的开口122a以及层间绝缘层130的开口130a之中具有最小面积的开口的面积。
在实施例中，由于无机绝缘层125的硬度大于有机材料层160的硬度，所以在弯曲区域BA中的无机绝缘层125中形成裂纹的可能性非常高。当在无机绝缘层125中形成裂纹时，增加了裂纹扩展至连接线215的可能性。因此，在实施例中，通过在无机绝缘层125中形成凹槽GR，可以降低在无机绝缘层125中形成裂纹的可能性。具有应力缓冲功能的有机材料层160被布置在凹槽GR中，因此，在不在弯曲区域BA中的无机绝缘层125中形成开口OP的情况下，可以通过形成凹槽GR来有效地防止在连接线215中形成裂纹。
在实施例中，有机材料层160可以设置为对应于弯曲区域BA，而不用在无机绝缘层125中形成开口OP或凹槽GR。在这样的实施例中，可以通过有机材料层160来有效地防止连接线215上的张应力的集中。
图15A和图15B是根据其它可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图。更具体地讲，图15A和图15B是示意性地示出弯曲区域BA的附近的剖视图。
在上面参照图2至图14描述的实施例中，连接线215的端部布置在有机通孔160h中，但本发明不限于此。在一个可选择的实施例中，例如，如图15A中所示，连接线215的端部可以在有机通孔160h内部延伸并且可以布置在有机材料层160的上表面上。在这样的实施例中，连接线215在第二方向(X方向)上的宽度W3可以小于有机材料层160的宽度ORW。
在另一可选择的实施例中，如图15B中所示，连接线215在第二方向(X方向)上的宽度W3可以大于有机材料层160的宽度ORW。在这样的实施例中，连接线215可以在有机通孔160h内部延伸并跨过无机绝缘层125的上表面和有机材料层160的上表面。
在本发明的实施例中，可以以使得连接线215的一端布置在有机通孔160h中并且连接线215的另一端布置在有机通孔160h中并位于有机材料层160的上表面上的方式进行各种修改。
图16是根据另一可选择的实施例的显示装置的部分的剖视图。在图16中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同或同样的元件，并且将省略其任何重复的详细描述。
参照图16，在实施例中，弯曲保护层600可以形成在基底100的上表面上以与弯曲区域BA叠置。弯曲保护层600可以位于连接线215上以对应于弯曲区域BA。当堆叠结构被弯曲时，堆叠结构中存在应力中性面。如果不存在弯曲保护层600，则因为连接线215的位置可能会不对应于应力中性面，所以根据如后面描述的基底100等的弯曲，过大的张应力会施加到弯曲区域BA中的连接线215。在实施例中，通过允许存在弯曲保护层600并且通过控制弯曲保护层600的厚度和模量，可以在包括基底100、连接线215和弯曲保护层600的堆叠结构中调整应力中性面的位置。因此，通过凭借弯曲保护层600将应力中性面定位在连接线215的附近，可以减小施加到连接线215的张应力，以便保护弯曲区域BA。可以通过涂覆液体或膏状材料并使该材料固化来形成弯曲保护层600。
在上文中，已经描述了各个实施例。这样的实施例可以以单独的实施例实现，或者可以彼此组合。例如，各种组合可以是可能的，从而与参照图4和图5描述的内部导线213i和外部导线213o之间的位置关系相关的实施例可以应用于参照图14描述的在无机绝缘层125中形成凹槽的实施例。
应当理解的是，这里描述的实施例应该仅以描述性的意义来考虑，而不是为了限制的目的。对每个实施例中的特征和方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (28)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，在所述基底上限定有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯曲区域，其中，所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；
显示区域，布置在所述第一区域中；
多条内部导线，在所述第一区域中位于所述基底上；
多条外部导线，在所述第二区域中位于所述基底上；
有机材料层，覆盖所述弯曲区域并且覆盖所述多条内部导线的至少一部分以及所述多条外部导线的至少一部分；以及
多条连接线，位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线，
其中，穿过所述有机材料层限定多个有机通孔，
其中，所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到所述多条内部导线，
其中，所述多条连接线从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域，
其中，所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔，
其中，布置在所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状，并且
其中，所述有机材料层设置为与所述显示区域分开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多条连接线中的每条连接线的一部分位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上，并且
所述多条连接线延伸跨过所述弯曲区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条连接线中的每条连接线的位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层上的部分在所述第一方向上弯曲，以对应于所述有机材料层的所述上表面的所述形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条连接线的延伸百分比大于所述多条内部导线的延伸百分比和所述多条外部导线的延伸百分比。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条内部导线包括：
多条第一内部导线；以及
多条第二内部导线，与所述多条第一内部导线位于不同的层中，
其中，绝缘层位于所述多条第一内部导线与所述多条第二内部导线之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多条第一内部导线和所述多条第二内部导线彼此交替地布置。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条外部导线包括：
多条第一外部导线；以及
多条第二外部导线，与所述多条第一外部导线位于不同的层中，
其中，绝缘层位于所述多条第一外部导线与所述多条第二外部导线之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，其中，所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极，
其中，所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些与所述栅电极包括相同的材料并与所述栅电极位于同一层中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，其中，所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；
第二栅极绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；以及
存储电容器，包括与所述栅电极位于同一层中的第一存储电容器板和位于所述第二栅极绝缘层上的第二存储电容器板，
其中，所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一些包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，其中，所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；
第二栅极绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；以及
存储电容器，包括：第一存储电容器板，与所述栅电极位于同一层中；以及第二存储电容器板，位于所述第二栅极绝缘层上，
其中，所述多条内部导线中的一些包括与所述栅电极的材料相同的材料并且与所述栅电极位于同一层中，并且
其中，其余的内部导线包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；
层间绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；以及
数据线，位于所述层间绝缘层上，
其中，所述多条连接线中的至少一条连接线包括与所述数据线的材料相同的材料并且与所述数据线位于同一层中。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；
层间绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；
数据线，位于所述层间绝缘层上；
第一平坦化层，位于所述层间绝缘层上并覆盖所述数据线；以及
导电层，位于所述第一平坦化层上，
其中，所述多条连接线中的至少一条连接线包括与所述导电层的材料相同的材料并且与所述导电层位于同一层中。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个有机通孔还包括与所述多个第一有机通孔间隔开的多个第二有机通孔，
其中，连接所述多个第二有机通孔的连接线位于所述多个第一有机通孔之间。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
无机绝缘层，其中，与所述弯曲区域对应的开口或凹槽限定在所述无机绝缘层中，
其中，所述有机材料层填充所述开口或所述凹槽并延伸至所述无机绝缘层的上表面。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述多个有机通孔暴露所述无机绝缘层，并且
所述多条连接线分别经由限定在所述无机绝缘层中的接触孔连接到所述多条内部导线。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多条内部导线中的每条的端部与所述多个有机通孔中的每个的内部叠置，并且
所述多条内部导线中的每条的端部不与所述多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条内部导线中的至少一些和所述多条外部导线中的至少一些位于彼此不同的层中。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和具有弯曲区域的外围区域，其中，所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；
无机绝缘层，位于所述基底上，其中，开口或凹槽被限定在所述无机绝缘层中以对应于所述弯曲区域；
多条内部导线，在所述外围区域中位于所述基底上，其中，所述多条内部导线在所述弯曲区域的周围彼此间隔开；
多条外部导线，在所述外围区域中位于所述基底上，其中，所述多条外部导线在所述弯曲区域的周围彼此间隔开；
有机材料层，填充所述开口或所述凹槽并且覆盖所述多条内部导线和所述多条外部导线的至少部分；以及
多条连接线，位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线，
其中，穿过所述有机材料层限定多个有机通孔，
其中，所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到所述多条内部导线，
其中，所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔，
其中，位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的形状，并且
其中，所述有机材料层的所述上表面具有凸弯曲的表面，并且具有在中间最大且朝向所述第一有机通孔逐渐减小的高度。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述多条内部导线和所述多条外部导线彼此间隔开，所述无机绝缘层的所述开口或所述凹槽位于所述多条内部导线和所述多条外部导线之间。
20.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述显示区域中，其中，所述薄膜晶体管包括通过第一栅极绝缘层彼此绝缘的半导体层和栅电极；
第二栅极绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；以及
存储电容器，包括：第一存储电容器板，与所述栅电极位于同一层中；以及第二存储电容器板，位于所述第二栅极绝缘层上，
其中，所述多条内部导线包括：多条第一内部导线，包括与所述栅电极的材料相同的材料并且与所述栅电极位于同一层中；以及多条第二内部导线，包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料并且与所述第二存储电容器板位于同一层中。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述多条第一内部导线和所述多条第二内部导线彼此交替地布置。
22.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述显示区域中，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极；
层间绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；以及
数据线，位于所述层间绝缘层上，
其中，所述多条内部导线和所述多条外部导线中的至少一条包括与所述栅电极的材料相同的材料并且与所述栅电极位于同一层中，并且
其中，所述多条连接线中的至少一条包括与所述数据线的材料相同的材料并且与所述数据线位于同一层中。
23.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述多条内部导线中的每条的端部与所述多个有机通孔中的每个的内部叠置，并且
所述多条内部导线中的每条的端部不与所述多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
24.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括：
弯曲保护层，位于所述多条连接线上。
25.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，在所述基底上限定有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的弯曲区域，其中，所述基底围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；
显示区域，布置在所述第一区域中；
封装层，覆盖所述显示区域并包括有机封装层；
多条内部导线和多条外部导线，所述多条内部导线布置在所述第一区域中，所述多条外部导线布置在所述第二区域中；
有机材料层，覆盖所述弯曲区域并且覆盖所述多条内部导线和所述多条外部导线的至少一部分；以及
多条连接线，位于所述有机材料层上并且分别将所述多条内部导线连接到所述多条外部导线，
其中，穿过所述有机材料层限定多个有机通孔，
其中，所述多条连接线分别通过所述多个有机通孔连接到位于所述第一区域中的所述多条内部导线，
其中，所述有机封装层和所述有机材料层彼此间隔开，
其中，所述多个有机通孔包括在所述第一方向上布置的多个第一有机通孔，并且
其中，位于所述多个第一有机通孔之间的所述有机材料层的上表面具有凸弯曲的表面，并且具有在中间最大且朝向所述第一有机通孔逐渐减小的高度。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中：
所述多条连接线中的每条的一部分位于所述有机材料层的所述上表面上，并且
所述多条连接线延伸跨过所述弯曲区域。
27.根据权利要求25所述的显示装置，其中，
所述封装层还包括第一无机封装层和第二无机封装层，
所述有机封装层设置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间，并且
所述封装层和所述有机材料层彼此间隔开。
28.根据权利要求25所述的显示装置，其中，
所述多条内部导线中的每条的端部与所述多个有机通孔中的相应有机通孔的内部叠置，并且
所述多条内部导线中的每条的端部不与所述多个有机通孔中的每个的下边缘叠置。
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