CN112913045B - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112913045B CN112913045B CN201980069968.0A CN201980069968A CN112913045B CN 112913045 B CN112913045 B CN 112913045B CN 201980069968 A CN201980069968 A CN 201980069968A CN 112913045 B CN112913045 B CN 112913045B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic
- display device
- inorganic
- flexible substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 242
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 121
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 49
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 101100377798 Arabidopsis thaliana ABCD1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150020779 PXA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 101100192828 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PXA2 gene Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1641—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being formed by a plurality of foldable display components
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/03—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes specially adapted for displays having non-planar surfaces, e.g. curved displays
- G09G3/035—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes specially adapted for displays having non-planar surfaces, e.g. curved displays for flexible display surfaces
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示装置，所述显示装置即使在高温条件下也能够显示高质量的图像，显示装置包括：柔性基底；像素电路层，设置在柔性基底上，包括薄膜晶体管，并且具有延伸到柔性基底的通孔；第一有机膜，设置在像素电路层上并且通过通孔与柔性基底接触；无机膜，设置在第一有机膜上以覆盖第一有机膜的顶部；像素电极，设置在无机膜上；以及密封层，设置在像素电极上并且包括第一无机密封膜、第二无机密封膜以及置于第一无机密封膜与第二无机密封膜之间的有机密封膜。
Description
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种即使在高温条件下也能够显示高质量的图像的显示装置。
背景技术
在显示装置之中，因为有机发光显示装置具有宽视角、优异的对比度和快响应时间的优点，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置已经受到关注。
在常规有机发光显示装置中，薄膜晶体管和有机发光器件形成在基底上，并且有机发光器件本身发射光。在有机发光显示装置中，包括薄膜晶体管的多个无机层堆叠在基底上，并且有机发光元件和多个有机层形成在其上。
这样的有机发光显示装置可以用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，或者可以用作诸如电视的大型产品的显示单元。
发明内容
技术问题
已经存在的问题在于，随着有机发光显示装置变得较大，有机层的面积增大，并且当有机发光显示装置被暴露于高温时，有机层中发生脱气，导致像素的收缩。
为了解决包括上面问题的各种问题，一个或更多个实施例提供了一种即使在高温条件下也能够显示高质量的图像的显示装置。然而，这仅是示例，并且公开的范围不限于此。
技术方案
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：柔性基底；像素电路层，布置在柔性基底上，并且包括薄膜晶体管和延伸到柔性基底的通孔；第一有机层，布置在像素电路层上并且通过通孔与柔性基底接触；无机层，布置在第一有机层上以覆盖第一有机层的上表面；像素电极，布置在无机层上；以及封装层，布置在像素电极上，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。
第一有机层可以包括位于薄膜晶体管上并暴露像素电路层的上表面的至少一部分的第一开口，并且无机层可以覆盖第一开口。
无机层可以与像素电路层的被第一开口暴露的上表面接触。
像素电路层的上表面可以是另一无机层。
无机层可以包括位于第一开口中的第二开口，并且像素电极可以通过第二开口电连接到薄膜晶体管。
像素电路层还可以包括覆盖薄膜晶体管并包括无机材料的无机保护层，并且第二开口可以延伸以穿透无机保护层。
无机层可以延伸以覆盖第一有机层的侧表面。
通孔和第一有机层可以填充有相同的有机材料。
第一有机层可以通过通孔与柔性基底直接接触。
显示装置还可以包括第二有机层，第二有机层布置在无机层上，并且通过覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分来限定发射区域。
柔性基底可以包括穿透柔性基底的贯通图案。
封装层可以延伸以覆盖第一有机层的外表面。
封装层的第一无机封装层可以与第一有机层的外表面表面接触。
薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层的至少一部分叠置的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极，并且第一有机层可以包括暴露像素电路层的上表面的包括源电极和漏电极中的至少一个的至少一部分的第一开口。
无机层可以与像素电路层的通过第一开口暴露的上表面表面接触。
无机层可以包括暴露源电极和漏电极中的至少一个的第二开口。
像素电极可以通过第二开口与源电极和漏电极中的至少一个电接触。
柔性基底可以包括有机材料。
第一有机层可以通过通孔接触柔性基底。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：柔性基底；像素电路层，布置在柔性基底上，并且包括多个薄膜晶体管和延伸到柔性基底的数量为至少一个的通孔；第一有机层，布置在像素电路层上，通过通孔与柔性基底接触，并且包括以岛形状被图案化的多个有机图案部分；无机层，布置在第一有机层上以覆盖第一有机层的上表面；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，布置在无机层上，并且分别布置在多个有机图案部分上；以及封装层，布置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上，封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。
像素电路层可以包括另一无机层，第一有机层可以包括其中多个有机图案部分彼此间隔开以暴露另一无机层的上表面的至少一部分的间隔区域，并且无机层可以与间隔区域接触。
通孔可以设置为在多个有机图案部分中的每个下面的至少一个通孔以分别对应于多个有机图案部分，并且多个有机图案部分中的每个可以通过至少一个通孔接触柔性基底。
显示装置还可以包括：第一中间层，布置在第一像素电极上并发射红色波长的光；第二中间层，布置在第二像素电极上并发射绿色波长的光；第三中间层，布置在第三像素电极上并发射蓝色波长的光；以及对电极，覆盖第一中间层、第二中间层和第三中间层。
柔性基底可以包括有机材料。
通过附图、权利要求书和具体实施方式，公开的其它方面、特征和优点将变得更加明显。
有益效果
根据一个或更多个实施例，可以实现即使在高温条件下也能够显示高质量的图像的显示装置。公开的范围不限于上面的效果。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是根据实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
图3是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图4是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
图5是图4的区域的放大图。
图6是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
图7至图9是根据其它实施例的显示装置的示意性剖视图。
图10和图11是根据其它实施例的显示装置的示意性平面图。
图12是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
图13和图14是根据其它实施例的显示装置的示意性平面图。
图15是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
图16是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述实施例。参照下面结合附图的详细描述，公开的效果和特征以及实现其的方法将更清楚。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实施。
在下文中，将通过参照附图解释公开的优选实施例来详细描述公开。在附图中，同样的附图标记表示同样的元件。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
将理解的是，在此使用的诸如“包含”、“包括”和“具有”的术语说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“在”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接在所述另一层、区域或元件上，或者可以间接地在所述另一层、区域或元件上且中间层、区域或元件在其间。
为了便于描述，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，由于为了便于描述而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当可以不同地实现某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接到”或“结合到”另一层、区域或元件时，该层、区域或元件可以直接地或间接地连接到或结合到所述另一层、区域或元件。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或元件。在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或元件被称为“电连接到”或“电结合到”另一层、区域和元件时，该层、区域或元件可以直接地或间接地电连接到或电结合到所述另一层、区域或元件。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或元件。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置包括柔性基底100。柔性基底100可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域PA。
柔性基底100可以包括柔性材料。例如，柔性基底100可以包括可弯曲、可折叠或可卷曲的材料(诸如聚酰亚胺(PI))。然而，这仅是示例，并且实施例不限于此。
多个像素PX可以布置在显示区域DA中。每个像素PX可以包括像素电路和显示元件，像素电路包括电连接到信号线和电力线等的薄膜晶体管和存储电容器，显示元件(例如，有机发光二极管(OLED))连接到上面描述的像素电路。
每个像素PX可以从OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在说明书中，像素PX可以被理解为发射如上面描述的红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种的光的像素。尽管未示出，但是显示区域DA可以被封装层覆盖以被保护免受外部空气或湿气的影响。当包括在像素PX中的显示元件是OLED时，薄膜晶体管可以至少包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管。
图2是根据实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
参照图2，像素PX包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件。在图2中，有机发光二极管OLED被示出为显示元件。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被构造为根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以被构造为存储同从第二薄膜晶体管T2接收的电压与从驱动电压线PL供应的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被构造为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Id发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管在图2中示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施例不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。
图3是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图3可以对应于沿着图1的线A-A'截取的显示装置的剖面。
参照图3，包括像素电路200的像素电路层110布置在柔性基底100上。
柔性基底100可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、PI、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP))。
像素电路层110可以包括像素电路200，并且像素电路200可以包括薄膜晶体管和电容器。可以通过堆叠多个层来形成像素电路层110。
像素电路200可以包括一个或更多个薄膜晶体管和一个或更多个电容器。在实施例中，像素电路200可以包括两个薄膜晶体管和一个电容器，并且在另一实施例中，像素电路200可以包括七个薄膜晶体管和两个电容器。像素电路200不限于上面描述的构造，并且可以以各种构造设计。将参照稍后将描述的图4和图5详细描述像素电路200的构造。
第一有机层120布置在像素电路层110上。第一有机层120可以覆盖像素电路层110并且用作用于使其上表面平坦化的平坦化层，像素电极310将布置在第一有机层120的上表面上。第一有机层120可以包括有机绝缘材料(诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))。
第一有机层120可以包括位于像素电路200上并暴露像素电路200的上表面的至少一部分的第一开口120H。像素电路200和像素电极310可以通过第一开口120H彼此电连接。
无机层130布置在第一有机层120上。无机层130可以与第一有机层120的上表面表面接触，并且可以布置为覆盖第一有机层120。在这方面，无机层130可以覆盖第一有机层120的第一开口120H。无机层130可以覆盖第一开口120H的内表面120IS，并且覆盖像素电路层110的通过第一开口120H暴露的上表面。无机层130可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON))。
无机层130可以包括位于第一有机层120的第一开口120H中的第二开口130H。像素电极310和像素电路200可以通过第二开口130H彼此电连接。
包括像素电极310、发射层322和对电极330的发光元件300布置在无机层130上。
像素电极310布置在无机层130上。像素电极310可以针对每个像素布置，并且可以与相邻的像素电极310间隔开。像素电极310可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO))。在另一实施例中，像素电极310可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(N)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。在另一实施例中，像素电极310还可以包括在反射层上和/或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第二有机层140覆盖像素电极310的边缘并暴露像素电极310的中心部分以限定发射区域。也就是说，第二有机层140可以被理解为像素限定层。像素电极310的中心部分的上表面通过第二有机层140的开口OP而暴露。第二有机层140可以包括有机绝缘材料(诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO)。
尽管未示出，但是间隔件(未示出)可以位于第二有机层140上。间隔件(未示出)是呈岛型的，并且多个间隔件(未示出)可以在显示区域DA中布置为彼此间隔开。间隔件(未示出)可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层320包括发射层322。发射层322可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光和蓝光的荧光材料或磷光材料，并且可以被图案化为与显示区域DA的像素PX对应。中间层320可以包括发射层322与像素电极310之间的第一功能层321和发射层322与对电极330之间的第二功能层323中的至少一个。
第一功能层321可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。HIL可以促进空穴从阳极发射，并且HTL可以促进HIL的空穴传输到发射层。
第二功能层323可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。EIL可以促进电子从阴极发射，并且ETL可以促进EIL的电子传输到发射层。
对电极330布置为覆盖发射层322和第二有机层140。对电极330可以形成为一体以完全覆盖显示区域DA。在实施例中，对电极330可以包括含有Ag和Mg的薄膜金属层或者透明导电氧化物(TCO)(诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO)。
封装层400布置在像素PX上。
封装层400包括第一无机封装层410和第二无机封装层430以及有机封装层420。例如，可以通过顺序堆叠第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430来形成封装层400。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种材料。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以例如在化学气相沉积(CVD)工艺中形成。
有机封装层420可以包括选自于由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和苝树脂组成的组中的至少一种材料。
在实施例中，有机封装层420可以在原子层沉积(ALD)工艺中形成，其中诸如HMDSO或原硅酸四乙酯(TEOS)的材料用作原料气体。
在实施例中，像素电路层110包括通孔TH。通孔TH穿过像素电路层110并延伸到柔性基底100。柔性基底100的上表面的至少一部分通过通孔TH暴露。通孔TH可以填充有有机材料，并且第一有机层120布置在像素电路层110上，使得第一有机层120的一部分可以埋入通孔TH中。第一有机层120可以通过通孔TH与柔性基底100直接接触。
布置在第二有机层140下方的第一有机层120是包括有机绝缘层的层，并且当在显示器制造工艺期间或之后将诸如热或光的能量施加到有机绝缘层时，可能发生其中有机绝缘层中的材料汽化并排放到外部的现象(脱气现象)。由脱气现象产生的气体可能损坏布置在第一有机层120上的层(例如，中间层320和对电极330)。
因为其中形成有像素电极310的部分的上表面需要被平坦化，所以第一有机层120被形成为具有预定的厚度或更大的厚度。例如，像素电路层110形成有几nm至几百nm的厚度，而第一有机层120形成为相对厚而具有约1μm至约2μm的厚度。因为第一有机层120包括如上面描述的有机绝缘材料，所以发生了其中第一有机层120中的材料汽化并排放到外部的脱气现象。排放的气体(废气)会沿着有机层在显示装置中流动。
作为对比示例，在没有无机层130的显示装置中，在第一有机层中发生的脱气现象转移到第二有机层，并且与在第二有机层中发生的脱气现象一起扩散到发光元件。所述现象可能在显示装置的制造工艺期间在有机层的固化工艺中发生，并且也可能在制造显示装置之后由于高温太阳热而发生。作为示例，有机材料被照射到显示装置的紫外线(UV)分解，并且含有O、F、S等的废气被产生并扩散到每个像素的发射区域中。每个像素的发射区域由于废气而收缩，这导致亮度降低。
因此，在根据实施例的显示装置中，为了防止从第一有机层120排放的废气流向第二有机层140并导致发光元件300中的缺陷，在第一有机层120上设置无机层130。此外，通孔TH形成在像素电路层110中，使得从第一有机层120排放的废气可以通过通孔TH向外流动到柔性基底100。通过上面描述的结构，从第一有机层120排放的废气可以被阻挡流入到发光元件300中，并且可以有效地排放到外部。
图4是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图，图5是图4的区域的放大图，并且图6是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。在图4和图6中，示出了像素电路200和包括像素电路200的像素电路层110的详细结构。在图4和图6中，将主要描述像素电路200和像素电路层110的结构。
参照图4，像素电路200包括薄膜晶体管210和存储电容器220。像素电路层110可以包括顺序位于柔性基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层109。
缓冲层101布置在柔性基底100上以防止杂质的侵入，栅极绝缘层103在薄膜晶体管210的半导体层211与栅电极213之间，介电绝缘层105在存储电容器220的下电极221与上电极223之间，并且层间绝缘层107在薄膜晶体管210的栅电极213与源电极215s和漏电极215d之间。
缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层109都包括绝缘无机材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层109中的每个可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
尽管图4示出了其中薄膜晶体管210和存储电容器220布置为彼此叠置使得薄膜晶体管210的栅电极213是存储电容器220的下电极221的情况，但是实施例不限于此。
图5是图4的接触部分B的区域的放大图。
参照图5，第一有机层120包括对应于薄膜晶体管210的漏电极215d的第一开口120H，无机层130包括形成在第一开口120H中的第二开口130H。
第一有机层120可以通过第一开口120H暴露无机保护层109的上表面109A的一部分。布置在第一有机层120上的无机层130可以覆盖第一有机层120的上表面120US和第一开口120H的内表面120IS。在这方面，无机层130可以与无机保护层109的通过第一开口120H暴露的上表面109A直接接触并覆盖无机保护层109的通过第一开口120H暴露的上表面109A。
第二开口130H形成在第一开口120H中，并且可以延伸到漏电极215d，使得漏电极215d的上表面215da被直接地暴露。也就是说，第二开口130H可以包括形成在无机保护层109中的第三开口109H，并且第二开口130H和第三开口109H可以是形成为具有相同内表面的一体的开口。可以理解的是，这是因为第三开口109H也在形成第二开口130H的工艺中同时形成。
如图5中所示，在接触部分B的区域中，第一有机层120可以被无机保护层109和无机层130覆盖。
参照图6，像素电路200的薄膜晶体管210和存储电容器220可以布置在不同的位置处。
根据像素电路200的结构，像素电路层110可以包括顺序地位于柔性基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层107。如图6中所示，层间绝缘层107可以在存储电容器220的下电极221与上电极223之间，并且用作电介质。
尽管已经关于图4和图6描述了像素电路200的薄膜晶体管210是顶栅型，但是实施例不限于此。作为另一实施例，薄膜晶体管210可以是底栅型。此外，在图6中已经描述了存储电容器220的下电极221和上电极223分别与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d位于同一层上，以分别包括与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d的材料相同的材料。然而，实施例不限于此，并且可以进行各种修改。
图7至图9是根据其它实施例的显示装置的示意性剖视图。图7至图9可以对应于沿着图1的线B-B'截取的显示装置的剖面。
图7至图9包括与图4中的像素电路200相同的像素电路200，但不限于此。在图7和图8中，一起示出了显示区域DA和外围区域PA。在图7和图9中，显示区域DA与图4的显示区域DA相同。在下文中，将主要描述外围区域PA的结构。
参照图7，第一有机层120布置为延伸到外围区域PA。无机层130布置在第一有机层120上，并与第一有机层120一起延伸到外围区域PA。也就是说，包括第一开口120H的内表面120IS的第一有机层120的上表面120US可以被无机层130覆盖。布置在外围区域PA中的第一有机层120的外表面120OS可以被第一无机封装层410和第二无机封装层430覆盖。第一有机层120的外表面120OS可以与第一无机封装层410直接接触。
第一有机层120的内表面120IS和上表面120US被无机层130覆盖，第一有机层120的外表面120OS被第一无机封装层410覆盖，并且第一有机层120的下表面120LS被无机保护层109覆盖。因此，基于第一有机层120，第一有机层120的除了通孔TH之外的所有表面被无机层130、410和109覆盖。因此，可以阻挡从第一有机层120排放的废气流过其的路径，并且废气可以通过通孔TH被排放到柔性基底100。
在另一实施例中，如图8中所示，第一有机层120的外表面120OS可以被导电层150覆盖。在这种情况下，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以位于导电层150上。尽管未示出，但是导电层150可以与向像素电路200供应电力的电源线电接触。导电层150和像素电极310或对电极330可以包括相同的材料，但是实施例不限于此。
参照图9，无机层130可以延伸以覆盖第一有机层120的外表面120OS。在图9中，包括第一开口120H的内表面120IS的第一有机层120的上表面120US和第一有机层120的外表面120OS被无机层130覆盖。
第一有机层120的内表面120IS、上表面120US和外表面120OS被无机层130覆盖，第一有机层120的下表面120LS被无机保护层109覆盖。因此，基于第一有机层120，第一有机层120的除了通孔TH之外的所有表面被无机层130和109覆盖。因此，可以阻挡从第一有机层120排放的废气流过其的路径，并且废气可以通过通孔TH被排放到柔性基底100。
图10和图11是根据其它实施例的显示装置的示意性平面图，并且图12是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。图12可以对应于沿着图10和图11的线C-C'截取的显示装置的剖面。图10至图12示出了多个像素。
参照图10至图12，第一像素电极310R、第二像素电极310G和第三像素电极310B布置在显示区域DA中。第一像素电极310R、第二像素电极310G和第三像素电极310B可以设置为发射不同颜色的光。在实施例中，第一像素电极310R可以是用于发射红光的像素电极，第二像素电极310G可以是用于发射绿光的像素电极，并且第三像素电极310B可以是用于发射蓝光的像素电极。第一像素电极310R、第二像素电极310G和第三像素电极310B位于像素电路层110上，并且第一有机层120在像素电路层110上。
第一有机层120可以包括以岛形状被图案化的多个第一有机图案部分120P。如图12中所示，第一有机图案部分120P的上部可以被无机层130覆盖。
像素电极310R、310G和310B可以布置在如图10中所示的X轴方向上，或者可以布置在如图11中所示的X轴方向和Y轴方向上。关于图11的像素电极310R、310G和310B，用于发射红光的第一像素电极310R和用于发射绿光的第二像素电极310G可以形成为具有比用于发射蓝光的第三像素电极310B的面积小的面积。实施例不限于此，并且除了图11的结构之外，可以设置诸如pentile结构等的各种形式。
在图10和图11中，第一有机图案部分120P针对每个像素(即，针对第一像素电极310R、第二像素电极310G和第三像素电极310B中的每个)被图案化。在图10和图11的情况下，像素电极310R、310G和310B中的每个可以布置在一个第一有机图案部分120P上。在另一实施例中，如图13和图14中所示，第一有机图案部分120P可以以像素电极310R、310G和310B为单位被图案化。在图13和图14的情况下，像素电极310R、310G和310B可以布置在一个第一有机图案部分120P上。
返回参照图10至图12，限定发射区域的第二有机层140可以布置在像素电极310R、310G和310B中的每个上。第二有机层140针对像素电极310R、310G和310B中的每个被图案化，覆盖像素电极310R、310G和310B的边缘，并且可以包括分别暴露像素电极310R、310G和310B的中心部分的开口OP1、OP2和OP3。发射层322R、322G和322B可以分别布置在通过开口OP1、OP2和OP3暴露的像素电极310R、310G和310B上。
在图10至图12的实施例中，第二有机层140可以包括多个第二有机图案部分140P。也就是说，第二有机层140针对像素电极310R、310G和310B中的每个被图案化，并且第二有机图案部分140P可以分别对应于像素电极310R、310G和310B。第二有机图案部分140P可以分别布置在像素电极310R、310G和310B上，以彼此间隔开。
参照图12，包括像素电路200的像素电路层110布置在柔性基底100上。像素电路200布置为对应于像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个。像素电路层110可以布置在柔性基底100的整个表面上。图12的像素电路层110与上面描述的图4的像素电路层110相同，但是实施例不限于此。
像素电路层110包括以与上面描述的实施例中的方式相同的方式穿透像素电路层110的通孔TH。可以针对像素300R、300G和300B中的每个设置至少一个通孔TH。
第一有机层120布置在像素电路层110上。第一有机层120可以包括针对像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个被图案化的多个第一有机图案部分120P。第一有机图案部分120P布置为彼此间隔开预定距离且间隔区域SA在其间，并且像素电路层110的上表面的至少一部分可以通过间隔区域SA而暴露。在图12中，位于像素电路层110的最上部上的无机保护层109的上表面的至少一部分可以通过间隔区域SA而暴露。
无机层130布置在第一有机层120上。无机层130可以在第一有机层120上形成为一体，并覆盖包括第一有机图案部分120P的第一有机层120。在实施例中，无机层130可以覆盖第一有机图案部分120P中的每个的上表面120US、外表面120OS和内表面120IS。
第二有机层140布置在无机层130上。第二有机层140可以包括多个第二有机图案部分140P，并且第二有机图案部分140P中的每个可以位于第一有机图案部分120P中的每个上。
通过第一有机图案部分120P和第二有机图案部分140P的结构，可以减小其中可能产生废气的有机层的面积，并且通过阻挡有机层可以在像素300R、300G和300B之间通过其彼此接触的路径，可以单独地封装像素300R、300G和300B。
第一有机图案部分120P和第二有机图案部分140P可以彼此不接触，并且可以通过无机层130彼此物理地分离。因此，第一有机图案部分120P中的每个仅通过通孔TH与包括有机材料的柔性基底100连通并接触。如上面所描述的，废气沿着有机层流动，并且朝向第二有机层140的路径被阻挡，使得从第一有机层120排放的废气可以通过通孔TH排放到柔性基底100。
图13和图14是根据其它实施例的显示装置的示意性平面图，并且图15是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。图15可以对应于沿着图13和图14的线D-D'截取的显示装置的剖面。图13至图15示出了多个像素。
当与图10至图12的实施例相比时，图13至图15的实施例在第一有机层120和第二有机层140的结构上不同。因为其它构造与图10至图12的实施例的构造相同，所以下面将主要描述不同之处。
参照图13至图15，第一有机层120可以包括多个第一有机图案部分120P。在图13至图15中，示出了一个第一有机图案部分120P。在实施例中，第一有机图案部分120P可以以像素电极310R、310G和310B为单位被图案化。也就是说，像素电极310R、310G和310B可以布置在一个第一有机图案部分120P上。
第二有机层140可以包括多个第二有机图案部分140P。在图13至图15中，示出了一个第二有机图案部分140P。也就是说，第二有机图案部分140P在第一有机图案部分120P上设置为一体，并且可以包括分别暴露像素电极310R、310G和310B的开口OP1、OP2和OP3。
通过上面描述的结构，可以单独地封装像素300R、300G和300B。
图16是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图16，上面描述的第一有机层120的第一有机图案部分120P和第二有机层140的第二有机图案部分140P的结构也可以应用于具有可拉伸结构的显示装置。
图16的柔性基底100可以包括穿透柔性基底100而具有可拉伸特性的贯通图案100TH。
像素可以布置为贯通图案100TH在其间。发光元件300包括像素电极310、发射层322和对电极330。尽管在图16中示出了针对每个像素布置对电极330，但是对电极330在柔性基底100上设置为一体。
如此，在其中贯通图案100TH形成在柔性基底100中的显示装置中，可以单独地封装其间具有贯通图案100TH的像素。
尽管已经参照附图中所示的实施例描述了公开，但是这些仅是示例，并且本领域普通技术人员将领会的是，可以从其进行各种修改和其它等效实施例。因此，公开的真实技术保护范围应该由所附权利要求的技术构思来限定。
Claims (24)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
柔性基底；
像素电路层，布置在所述柔性基底上，并且包括薄膜晶体管和延伸到所述柔性基底的通孔；
第一有机层，布置在所述像素电路层上并且通过所述通孔与所述柔性基底接触；
无机层，布置在所述第一有机层上以覆盖所述第一有机层的上表面；
像素电极，布置在所述无机层上；以及
封装层，布置在所述像素电极上，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机层包括位于所述薄膜晶体管上并暴露所述像素电路层的上表面的至少一部分的第一开口，并且
所述无机层覆盖所述第一开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机层与所述像素电路层的被所述第一开口暴露的所述上表面接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素电路层的所述上表面是另一无机层。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机层包括位于所述第一开口中的第二开口，并且
所述像素电极通过所述第二开口电连接到所述薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述像素电路层还包括覆盖所述薄膜晶体管并包括无机材料的无机保护层，并且
所述第二开口延伸以穿透所述无机保护层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层延伸以覆盖所述第一有机层的侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述通孔和所述第一有机层填充有相同的有机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机层通过所述通孔与所述柔性基底直接接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第二有机层，所述第二有机层布置在所述无机层上，并且通过覆盖所述像素电极的边缘并暴露所述像素电极的中心部分来限定发射区域。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述柔性基底包括穿透所述柔性基底的贯通图案。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装层延伸以覆盖所述第一有机层的外表面。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述封装层的所述第一无机封装层与所述第一有机层的所述外表面表面接触。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层的至少一部分叠置的栅电极以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极，并且
所述第一有机层包括暴露所述像素电路层的上表面的包括所述源电极和所述漏电极中的至少一个的至少一部分的第一开口。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述无机层与所述像素电路层的通过所述第一开口暴露的所述上表面表面接触。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述无机层包括暴露所述源电极和所述漏电极中的至少一个的第二开口。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述像素电极通过所述第二开口与所述源电极和所述漏电极中的至少一个电接触。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述柔性基底包括有机材料。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一有机层通过所述通孔接触所述柔性基底。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
柔性基底；
像素电路层，布置在所述柔性基底上，并且包括多个薄膜晶体管和延伸到所述柔性基底的数量为至少一个的通孔；
第一有机层，布置在所述像素电路层上，通过所述通孔与所述柔性基底接触，并且包括以岛形状被图案化的多个有机图案部分；
无机层，布置在所述第一有机层上以覆盖所述第一有机层的上表面；
第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，布置在所述无机层上，并且分别布置在所述多个有机图案部分上；以及
封装层，布置在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上，所述封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述像素电路层包括另一无机层，
所述第一有机层包括其中所述多个有机图案部分彼此间隔开以暴露所述另一无机层的上表面的至少一部分的间隔区域，并且
所述无机层与所述间隔区域接触。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述通孔设置为在所述多个有机图案部分中的每个下面的至少一个通孔以分别对应于所述多个有机图案部分，并且所述多个有机图案部分中的每个通过所述至少一个通孔接触所述柔性基底。
23.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一中间层，布置在所述第一像素电极上并发射红色波长的光；第二中间层，布置在所述第二像素电极上并发射绿色波长的光；以及第三中间层，布置在所述第三像素电极上并发射蓝色波长的光；以及
对电极，覆盖所述第一中间层、所述第二中间层和所述第三中间层。
24.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述柔性基底包括有机材料。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2018-0126866 | 2018-10-23 | ||
| KR1020180126866A KR102620972B1 (ko) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 디스플레이 장치 |
| PCT/KR2019/009626 WO2020085625A1 (ko) | 2018-10-23 | 2019-08-01 | 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112913045A CN112913045A (zh) | 2021-06-04 |
| CN112913045B true CN112913045B (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=70331462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980069968.0A Active CN112913045B (zh) | 2018-10-23 | 2019-08-01 | 显示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12010906B2 (zh) |
| EP (1) | EP3872884A4 (zh) |
| KR (1) | KR102620972B1 (zh) |
| CN (1) | CN112913045B (zh) |
| WO (1) | WO2020085625A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191652A1 (ko) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 고려대학교 세종산학협력단 | 스트레쳐블 광 소자 및 그 제조방법 |
| CN113745247A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-12-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN117529986A (zh) * | 2022-04-22 | 2024-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、显示面板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102474939A (zh) * | 2009-11-04 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 显示面板装置及其制造方法 |
| JP2013043383A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | バリア性積層体、ガスバリアフィルムおよびこれらを用いたデバイス |
| WO2015029532A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法 |
| CN107505762A (zh) * | 2017-09-20 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种coa基板、显示面板及显示装置 |
| CN108074960A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4600857B2 (ja) | 2000-10-27 | 2010-12-22 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| KR100528326B1 (ko) | 2002-12-31 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 가요성 기판 상에 보호캡을 구비하는 박막 반도체 소자 및 이를 이용하는 전자장치 및 그 제조방법 |
| KR100712111B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
| TWI372576B (en) * | 2008-01-04 | 2012-09-11 | Chimei Innolux Corp | Organic light-emitting device and method for forming the same |
| JP2010182582A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| KR101739384B1 (ko) | 2010-12-24 | 2017-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101811027B1 (ko) | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR102010789B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102245771B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102328678B1 (ko) * | 2015-02-09 | 2021-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이를 구비한 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 |
| KR102282492B1 (ko) | 2015-03-10 | 2021-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US9947895B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-04-17 | Universal Display Corporation | Flexible AMOLED display |
| KR102455318B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102552272B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102490890B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102524535B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2023-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20170123896A (ko) | 2016-04-29 | 2017-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102638314B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2024-02-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| US9991462B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-06-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR102615664B1 (ko) * | 2016-11-08 | 2023-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102333671B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2021-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102465376B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102370406B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN107564941B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-05-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled阵列基板及其制作方法 |
| KR102392993B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2022-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN107706224B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-09-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN107658333A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置 |
| KR102606570B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2023-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
| KR102436813B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2022-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 그 제조방법 |
| CN108550612B (zh) * | 2018-05-29 | 2020-11-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
-
2018
- 2018-10-23 KR KR1020180126866A patent/KR102620972B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-01 WO PCT/KR2019/009626 patent/WO2020085625A1/ko unknown
- 2019-08-01 CN CN201980069968.0A patent/CN112913045B/zh active Active
- 2019-08-01 US US17/288,317 patent/US12010906B2/en active Active
- 2019-08-01 EP EP19875076.2A patent/EP3872884A4/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102474939A (zh) * | 2009-11-04 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 显示面板装置及其制造方法 |
| JP2013043383A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | バリア性積層体、ガスバリアフィルムおよびこれらを用いたデバイス |
| WO2015029532A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法 |
| CN108074960A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107505762A (zh) * | 2017-09-20 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种coa基板、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102620972B1 (ko) | 2024-01-05 |
| US12010906B2 (en) | 2024-06-11 |
| CN112913045A (zh) | 2021-06-04 |
| US20210376269A1 (en) | 2021-12-02 |
| EP3872884A1 (en) | 2021-09-01 |
| WO2020085625A1 (ko) | 2020-04-30 |
| KR20200046224A (ko) | 2020-05-07 |
| EP3872884A4 (en) | 2022-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11233102B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus having protected emission layer | |
| US11877494B2 (en) | Display apparatus having a number of the plurality of grooves overlapping a light emitting region | |
| US11569317B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR102457251B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US11737319B2 (en) | Display apparatus including a blocking layer and method of manufacturing the same | |
| KR102639567B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US11950485B2 (en) | Display apparatus | |
| US10923546B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| US20210234125A1 (en) | Display device | |
| CN112913045B (zh) | 显示装置 | |
| KR102623058B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US11871608B2 (en) | Display device | |
| EP4036982A2 (en) | Display apparatus | |
| US11495650B2 (en) | Display apparatus | |
| CN113571547A (zh) | 显示设备 | |
| US20220231256A1 (en) | Display apparatus and manufacturing the same | |
| KR20230078907A (ko) | 유기발광표시장치 | |
| KR20240124486A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20240020362A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |