WO2019186823A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2019186823A1
WO2019186823A1 PCT/JP2018/012952 JP2018012952W WO2019186823A1 WO 2019186823 A1 WO2019186823 A1 WO 2019186823A1 JP 2018012952 W JP2018012952 W JP 2018012952W WO 2019186823 A1 WO2019186823 A1 WO 2019186823A1
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WO
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layer
metal layer
display device
wall
organic
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PCT/JP2018/012952
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English (en)
French (fr)
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久雄 越智
純平 高橋
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to PCT/JP2018/012952 priority patent/WO2019186823A1/ja
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • This disclosure relates to a display device.
  • a self-luminous organic EL display device using an organic EL (Electro-Luminescence) element has attracted attention as a display device that replaces a liquid crystal display device.
  • a sealing film that covers the organic EL element is provided in order to suppress deterioration of the organic EL element due to entry of moisture, oxygen, or the like.
  • a sealing structure using this sealing film a structure in which the sealing film is constituted by a laminated film composed of an organic layer and an inorganic layer has been proposed (for example, see Patent Document 1).
  • the organic layer constituting the sealing film is formed by, for example, an inject method.
  • the film formability of the organic layer formed by the ink jet method is easily affected by the state of the film formation surface, it is difficult to accurately form the periphery of the organic layer.
  • the organic layer material if the organic layer material (ink) is not applied to a predetermined position in the frame region and remains on the display region side such as a portion where a monolithic circuit exists, it should be covered with the organic layer.
  • the organic layer material ink jet method
  • the sealing film forming step it is necessary to confirm that the material for forming the organic layer is applied to a predetermined position in the frame region.
  • a metal layer constituting the electrode of the organic EL element and the frame wiring is formed, and the metal layer is highly reflective such as silver (Ag). Therefore, it is difficult to confirm the application position of the material for forming the organic layer due to the influence of light reflection by the metal layer.
  • the technology of the present disclosure has been made in view of such a point, and the object of the present disclosure is to reliably confirm that the material forming the organic layer is applied to a predetermined position in the frame region. There is in doing so.
  • a display device includes a substrate, a first metal layer provided on the substrate, A planarizing film provided on the first metal layer, a second metal layer and a plurality of light emitting elements provided on the planarizing film, and a sealing film covering the plurality of light emitting elements, A display region for displaying an image by light emission of the light emitting element and a frame region located around the display region are provided, the sealing film includes an organic layer, and a peripheral edge of the organic layer is the frame region. A slit that overlaps with a peripheral edge of the organic layer is formed on the outer side of the planarization film, and the first metal layer and the second metal layer include the slit. Each of the first metal layer and the second metal layer is provided with at least one of the organic layer and the slit. From the metal layer at the overlapping position, the first metal layer Wherein the opening that exposes the layer is formed.
  • the organic layer and the slit overlap with at least one of the first metal layer and the second metal layer that are in contact with each other inside the slit of the planarization film in the frame region. Since the opening that exposes the lower layer of the first metal layer is formed, light reflection by the metal layer does not occur in the portion where the opening is formed, and a metal material having high reflectivity is used for the metal layer. Even in this case, in manufacturing the display device, it can be surely confirmed that the material for forming the organic layer is applied to a predetermined position in the frame region. Thereby, the inspection about the application
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a part of the display area surrounded by II of the organic EL display device of FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a part of the TFT layer constituting the organic EL display device according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in the display area of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the organic EL layer constituting the organic EL display device.
  • FIG. 6 is a plan view showing a portion surrounded by VI of the organic EL display device of FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of the organic EL display device of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the organic EL display device of FIG. 6 taken along the line VIII-VIII.
  • FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 6 of an organic EL display device according to a first modification of the embodiment.
  • FIG. 10 is a view corresponding to FIG. 6 of an organic EL display device according to a second modification of the embodiment.
  • FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 8 of an organic EL display device according to a third modification of the embodiment.
  • FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 8 of an organic EL display device according to a fourth modification of the embodiment.
  • the display device according to the technique of the present disclosure will be described using an organic EL display device as an example.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 1.
  • FIG. 2 is a plan view showing a part of the display region 2 surrounded by II of the organic EL display device 1 of FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a part of the TFT layer 8 constituting the organic EL display device 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in the display area 2 of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the organic EL layer 30 constituting the organic EL display device 1.
  • the organic EL display device 1 includes a rectangular display area 2 for displaying an image, and a rectangular frame-shaped frame area 3 provided around both display devices.
  • the terminal part 4 for connecting with an external circuit is provided in the part which comprises one side of the frame area
  • the terminal portion 4 is connected to one end portion of a wiring board such as FPC (Flexible Printed Circuit).
  • a control circuit such as a gate driver circuit (not shown) is provided on a substrate (described later) in a portion constituting a side (each side on the left and right in FIG. 1) adjacent to the side where the terminal portion 4 is provided.
  • a control circuit region CCM formed monolithically on the resin substrate layer 7).
  • a plurality of frame wirings 15 f are provided between the display area 2 and the terminal portion 4 in the frame area 3.
  • Each frame wiring 15 f constitutes a wiring terminal 15 t connected to the wiring board at the terminal portion 4.
  • the plurality of wiring terminals 15t are arranged in a predetermined pattern.
  • the plurality of frame wirings 15f include a low-voltage power supply wiring 15lp (shown with diagonal lines) electrically connected to a second electrode 31 of the organic EL element 9 described later.
  • the low-voltage power supply wiring 15 lp is provided so as to surround the display region 2 at a portion constituting three sides excluding the side where the terminal portion 4 is provided in the frame region 3, and is extended to the terminal portion 4.
  • the low voltage power supply wiring 15lp is electrically connected to a low voltage power supply (ELVSS) (not shown) via a wiring terminal 15t provided in the terminal portion 4.
  • EVSS low voltage power supply
  • the organic EL display device 1 employs an active matrix driving method.
  • a plurality of pixels 5 shown in FIG. 2 are arranged in a matrix.
  • Each pixel 5 includes, for example, a sub-pixel 6 of three colors including a sub-pixel 6r that displays red, a sub-pixel 6g that displays green, and a sub-pixel 6b that displays blue.
  • These three-color sub-pixels 6r, 6g, and 6b are arranged in a juxtaposed manner and adjacent to each other in a stripe shape, for example.
  • the organic EL display device 1 is provided on a resin substrate layer 7 as a substrate, a TFT (Thin Transistor) layer 8 provided on the resin substrate layer 7, and the TFT layer 8.
  • a plurality of organic EL elements 9 as light emitting elements and a sealing film 10 covering the plurality of organic EL elements 9 are provided.
  • the resin substrate layer 7 is formed of, for example, a polyimide resin and has flexibility.
  • the TFT layer 8 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 7, a plurality of first TFTs 12, a plurality of second TFTs 13, a plurality of capacitors 14 and various display wirings 15 provided on the base coat film 11.
  • a planarizing film 16 is provided so as to cover the plurality of first TFTs 12, the plurality of second TFTs 13, the plurality of capacitors 14, and the display wiring 15.
  • the base coat film 11 is composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating layer made of, for example, silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride oxide, or the like.
  • the first TFT 12, the second TFT 13, and the capacitor 14 are provided for each sub-pixel 6.
  • the display wiring 15 includes a plurality of gate wirings 15g extending in parallel with each other, a plurality of source wirings 15s extending in parallel with each other in a direction intersecting with each gate wiring 15g, and each source.
  • a plurality of high-voltage power supply wirings 15hp extending along the wiring 15s is provided.
  • the gate wiring 15g, the source wiring 15s, and the high-voltage power supply wiring 15hp are insulated from each other, and are formed in a lattice shape as a whole to partition each sub-pixel 6.
  • Each source line 15s and each high-voltage power supply line 15hp are drawn from the display area 2 to the terminal portion 4 as a frame line 15f.
  • Each high voltage power supply wiring 15hp is electrically connected to a high voltage power supply (ELVDD) (not shown) via a wiring terminal 15t provided in the terminal portion 4.
  • Each gate line 15g is connected to a gate driver circuit in the control circuit region CCM, and is sequentially driven by the gate driver circuit.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 are examples of active elements, and employ a top gate type structure, for example.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 include a semiconductor layer 17 provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 18 covering the semiconductor layer 17, and the semiconductor layer 17 via the gate insulating film 18.
  • a gate electrode 19 partially overlapping with the channel region, an interlayer insulating film 20 covering the gate electrode 19, and a source electrode 21 and a drain electrode 22 provided on the interlayer insulating film 20 are provided.
  • the gate electrode 19 is formed of the same material in the same layer as the plurality of gate wirings 15g.
  • the interlayer insulating film 20 is composed of a laminated film of a first interlayer insulating film 23 and a second interlayer insulating film 24.
  • the first interlayer insulating film 23, the second interlayer insulating film 24, and the gate insulating film 18 are respectively constituted by a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating layer made of, for example, silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride oxide, or the like. ing.
  • the source electrode 21 and the drain electrode 22 are separated from each other, and are respectively connected to different portions (source region and drain region) of the semiconductor layer 17 through contact holes 25 formed in the gate insulating film 18 and the interlayer insulating film 20. It is connected.
  • the source electrode 21 and the drain electrode 22 are formed of the same material in the same layer as the plurality of source wirings 15 s in the display region 2.
  • the gate electrode 19 is provided integrally with the corresponding gate wiring 15g
  • the source electrode 21 is provided integrally with the corresponding source wiring 15s
  • the drain electrode 22 is connected to the gate electrode 19 of the second TFT 13 and the capacitor 14. And are electrically connected.
  • the source electrode 21 is electrically connected to the high-voltage power supply wiring 15hp.
  • the capacitor 14 is connected to the corresponding first TFT 12 and the high-voltage power supply wiring 15hp.
  • the capacitor 14 includes a lower conductive layer 26 provided on the gate insulating film 18, a first interlayer insulating film 23 covering the lower conductive layer 26, and an upper portion overlapping the lower conductive layer 26 via the first interlayer insulating film 23. And a conductive layer 27.
  • the lower conductive layer 26 is formed of the same material in the same layer as the gate electrode 19.
  • the upper conductive layer 27 is connected to the high-voltage power supply wiring 15 hp through a contact hole 28 formed in the second interlayer insulating film 24.
  • the planarization film 16 covers the surface of the TFT layer 8 in the display region 2 except for a part of the drain electrode 22 of the second TFT 13, thereby forming the surface shape of the source wiring 15 s, the high-voltage power supply wiring 15 hp, the first TFT 12 and the second TFT 13. It is flattened so that it is not reflected.
  • the planarizing film 16 is made of a colorless and transparent organic resin material such as an acrylic resin, for example.
  • the organic EL element 9 is provided in each subpixel 6 on the planarizing film 16.
  • the display area 2 is constituted by this organic EL element 9.
  • the organic EL element 9 employs a top emission type structure.
  • the organic EL element 9 includes a first electrode 29 provided on the surface of the planarizing film 16, an organic EL layer 30 as a functional layer provided on the first electrode 29, and the organic EL layer 30. And a second electrode 31 that overlaps the first electrode 29.
  • the first electrode 29 is provided for each organic EL element 9 and is arranged in a matrix.
  • the first electrode 29 is connected to the drain electrode 22 of the second TFT 13 in the corresponding subpixel 6 via a contact hole 32 formed in the planarizing film 16.
  • the first electrode 29 has a function of injecting holes into the organic EL layer 30, and is formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 30. Preferably it is.
  • Examples of the material of the first electrode 29 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), and calcium (Ca). , Titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), lithium fluoride ( A metal material such as LiF).
  • the material of the first electrode 29 is, for example, magnesium (Mg) and copper (Cu), magnesium (Mg) and silver (Ag), sodium (Na) and potassium (K), astatine (At) and oxidized astatine ( AtO 2 ), lithium (Li) and aluminum (Al), lithium (Li) and calcium (Ca) and aluminum (Al), lithium fluoride (LiF), calcium (Ca) and aluminum (Al), etc. May be.
  • the material of the first electrode 29 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Also good.
  • the first electrode 29 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above-described materials. Examples of materials having a high work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the first electrodes 29 of the adjacent sub-pixels 6 are partitioned by the edge cover 33.
  • the edge cover 33 is formed in a lattice shape and covers the peripheral edge of each first electrode 29.
  • Examples of the material of the edge cover 33 include inorganic compounds such as silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, and organic resin materials such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin.
  • Organic EL layer 30 is provided for each organic EL element 9.
  • the organic EL layer 30 has a structure in which the hole injection layer 34, the hole transport layer 35, the light emitting layer 36, the electron transport layer 37, and the electron injection layer 38 shown in FIG. 5 are laminated on the first electrode 29 in this order.
  • the hole injection layer 34 also called an anode buffer layer, improves the efficiency with which holes are injected from the first electrode 29 to the organic EL layer 30 by bringing the energy levels of the first electrode 29 and the organic EL layer 30 close to each other. It has a function to do.
  • Examples of the material of the hole injection layer 34 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives. Etc.
  • the hole transport layer 35 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 29 to the organic EL layer 30.
  • the material for the hole transport layer 35 include porferin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, Polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted alkone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydroxylated amorphous silicon, hydroxylated amorphous silicon carbide Zinc sulfide, zinc selenide and the like.
  • the light emitting layer 36 emits light by recombining holes injected from the first electrode 29 and electrons injected from the second electrode 31 when a voltage is applied by the first electrode 29 and the second electrode 31. It has the function to do.
  • the light emitting layer 36 is formed of a different material in each subpixel 6 according to the light emission color (for example, red, green, or blue) of the organic EL element 9.
  • Examples of the material of the light emitting layer 36 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, coumarin derivatives, and benzoxazole derivatives.
  • metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, coumarin derivatives, and benzoxazole derivatives.
  • Oxadiazole derivatives benzthiazole derivatives, styryl derivatives, styrylamine derivatives, bisstyrylbenzene derivatives, tristyrylbenzene derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, aminopyrene derivatives, pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquinidine derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, Examples include rubrene, poly-p-phenylene vinylene, and polysilane.
  • the electron transport layer 37 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 36.
  • the material for the electron transport layer 37 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, silole derivatives, metals. Examples include oxinoid compounds.
  • the electron injection layer 38 is also called a cathode buffer layer, and has a function of improving the electron injection efficiency from the second electrode 31 to the organic EL layer 30 by bringing the energy levels of the second electrode 31 and the organic EL layer 30 close to each other.
  • Examples of the material of the electron injection layer 38 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride (BaF 2 ). Examples thereof include inorganic alkali compounds, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like.
  • the second electrode 31 is provided in common to the plurality of organic EL elements 9 (that is, common to the plurality of subpixels 6), and covers the organic EL layer 30.
  • the second electrode 31 is connected to the low-voltage power supply wiring 15lp, and is connected to the low-voltage power supply (ELVSS) at the wiring terminal 15t provided in the terminal portion 4 through the low-voltage power supply wiring 15lp.
  • the second electrode 31 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 30, and is preferably formed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 30. .
  • Examples of the material of the second electrode 31 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), and calcium (Ca). , Titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), lithium fluoride ( LiF).
  • the material of the second electrode 31 is, for example, an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu), an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), an alloy of sodium (Na) and potassium (K), astatine ( At) and an astatine oxide (AtO 2 ) alloy, an alloy of lithium (Li) and aluminum (Al), an alloy of lithium (Li), calcium (Ca) and aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) and calcium ( An alloy of Ca) and aluminum (Al) may be used.
  • an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu) an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), an alloy of sodium (Na) and potassium (K), astatine ( At) and an astatine oxide (AtO 2 ) alloy
  • an alloy of lithium (Li) and aluminum (Al) an alloy of lithium (Li), calcium (Ca) and aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) and calcium
  • An alloy of Ca) and aluminum (Al) may be used.
  • the material of the second electrode 31 may be, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO). .
  • the second electrode 31 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the material having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu), magnesium (Mg) and silver (Ag).
  • the sealing film 10 has a function of protecting the organic EL element 9 from moisture and oxygen. 4, 7, and 8, the sealing film 10 includes a first inorganic layer 39 that covers the second electrode 31, an organic layer 40 provided on the first inorganic layer 39, and an organic layer. And a second inorganic layer 41 covering 40.
  • the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 are formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon carbonitride (Si 3 N 4 ), for example.
  • the organic layer 40 is made of an organic resin material such as acrylate, epoxy resin, silicon resin, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • FIG. 6 is a plan view showing a portion surrounded by VI of the organic EL display device 1 of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of the organic EL display device 1 of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of the organic EL display device 1 of FIG.
  • dots are added to regions where the planarizing film 16, the first blocking wall 45, and the second blocking wall 46 are formed.
  • the illustration of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 constituting the sealing film 10 is omitted, and the peripheral edge 40e of the organic layer 40 is indicated by a bold line. This also applies to FIGS. 9 and 10 that are referred to in later modifications.
  • the first inorganic layer 39, the organic layer 40, and the second inorganic layer 41 are provided in the entire display region 2, and are also provided in the frame region 3 as shown in FIGS.
  • Each peripheral edge of the first inorganic layer 39, the organic layer 40, and the second inorganic layer 41 is positioned in the frame region 3.
  • the peripheral edge 40 e of the organic layer 40 is positioned closer to the display region 2 than the peripheral edges of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 in the frame region 3.
  • the frame region 3 is provided with a blocking structure 44 for blocking the spread of the organic resin material that becomes the organic layer 40 in the manufacturing process of the organic EL display device 1.
  • the dam structure 44 includes a first dam wall 45 surrounding the display area 2 and a second dam wall 46 surrounding the first dam wall 45.
  • the first dam wall 45 and the second dam wall 46 are formed in a rectangular frame shape similar to each other (see FIG. 1), and are arranged at intervals in the width direction of the frame region 3.
  • the first dam wall 45 and the second dam wall 46 each have a structure in which a first wall layer 47 and a second wall layer 48 are laminated.
  • the first wall layer 47 is formed of the same material in the same layer as the planarizing film 16.
  • the second wall layer 48 is formed of the same material in the same layer as the edge cover 33.
  • a trench 49 penetrating the planarizing film 16 is formed.
  • the trench 49 extends along three sides excluding the side where the terminal portion 4 is provided in the frame region 3, and divides the planarizing film 16 to play a role of preventing moisture permeation into the display region 2.
  • a slit 50 is formed outside the planarizing film 16 to expose the lower layer of the planarizing film 16 on the side of the planarizing film 16. Specifically, a first slit 50 a is formed as the slit 50 between the planarizing film 16 and the first dam wall 45. A second slit 50 b is formed as the slit 50 between the first dam wall 45 and the second dam wall 46.
  • the organic layer 40 is provided from the display region 2 to at least the first dam wall 45 and is in contact with the first dam wall 45. And the peripheral edge 40e of this organic layer 40 has overlapped with the 1st slit 50a.
  • the organic layer 40 is provided on the inside of the first blocking wall 45, but is blocked by the first blocking wall 45 and outside the first blocking wall 45. Is not provided.
  • Such an organic layer 40 covers various elements and circuits such as the organic EL element 9 and the gate driver circuit, and when a foreign object is present at a place where these various elements and circuits are formed, the organic layer 40 is completely covered by the foreign object. It functions as a buffer layer that wraps and prevents the sealing film 10 from being defective.
  • the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 cover both the first dam wall 45 and the second dam wall 46.
  • the peripheral edge portions of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 are joined to each other outside the first dam wall 45. That is, the organic layer 40 is enclosed by the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41, and is enclosed between the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41.
  • the light reflecting portion 51 includes a first metal layer 52 provided in the lower layer of the planarizing film 16 and a second metal layer 53 provided in the upper layer of the planarizing film 16.
  • the first metal layer 52 and the second metal layer 53 constitute a low-voltage power line 15lp so as to surround the display region 2.
  • the first metal layer 52 is formed of the same material and in the same layer as the source wiring 15s, the source electrode 21 and the drain electrode 22 in the display region 2, and is provided on the interlayer insulating film 20.
  • the first metal layer 52 is provided in the frame region 3 from the region overlapping the planarization film 16 to the second dam wall 46, and is planarized inside the first slit 50a and the second slit 50b.
  • the film 16 is exposed from the first dam wall 45 and the second dam wall 46.
  • the second metal layer 53 is formed of the same material in the same layer as the first electrode 29 of the organic EL element 9 and is provided on the planarizing film 16.
  • the second metal layer 53 is provided from the top of the planarizing film 16 to the second dam wall 46, and the first wall layer 47 and the first wall layer 47 constituting the first dam wall 45 and the second dam wall 46 It is located between the two wall layers 48.
  • the second metal layer 53 is overlapped with and in contact with the first metal layer 52 inside the first slit 50 a and inside the second slit 50 b, and is electrically connected to the first metal layer 52.
  • the second metal layer 53 is provided on the planarization film 16 from the outside of the planarization film 16 to the display region 2 side of the trench 49 and covers the inner surface of the trench 49.
  • the second electrode 31 is provided on the planarizing film 16 from the display region 2 side to the outer side of the planarizing film 16 than the trench 49, and overlaps and contacts the second metal layer 53.
  • the second metal layer 53 also covers the inner surface of the trench 49.
  • the inner surface of the trench 49 is covered with the second metal layer 53 and the second electrode 31, thereby preventing moisture from entering the display region 2 through the trench 49 from the external environment in the organic EL display device 1. can do.
  • the second metal layer 53 and the second electrode 31 are overlapped on and in contact with each other on the planarizing film 16 and inside the trench 49, and are electrically connected to each other.
  • the second electrode 31 is electrically connected to the first metal layer 52 through the second metal layer 53.
  • the first metal layer 52 and the second metal layer 53 are provided so as to straddle the first slit 50a and the second slit 50b, and the inside of the first slit 50a and the second slit 50b. Are in contact with each other.
  • the light reflecting portion 51 composed of the first metal layer 52 and the second metal layer 53 is in a positional relationship where it overlaps with the peripheral edge of the organic layer 40 through the first inorganic layer 39 inside the first slit 50a.
  • the light reflecting portion 51 has an opening 55 that exposes the interlayer insulating film 20 that is the lower layer of the planarizing film 16 inside the first slit 50a and inside the second slit 50b.
  • a first opening 56 is formed as the opening 55 in the first metal layer 52.
  • a second opening 57 is formed as the opening 55 in the second metal layer 53.
  • the opening area of the first opening 56 is larger than the opening area of the second opening 57, and the first metal layer 52 is covered with the second metal layer 53 including the periphery of the first opening 56.
  • the opening 55 is constituted by the first opening 56 and the second opening 57.
  • each opening 55 extends from the portion of the light reflecting portion 51 closer to the display region 2 than the first dam wall 45 to the portion between the first dam wall 45 and the second dam wall 46. It is formed in a notch-like slit that is open to the outside of the frame region 3. A part of each opening 55 overlaps the organic layer 40 inside the first dam wall 45.
  • the portion of the organic EL display device 1 where the opening 55 is formed constitutes an inspected portion 60 for confirming the application position of the material forming the organic layer 40.
  • the part 60 to be inspected is an area where the first metal layer 52 and the second metal layer 53 do not exist due to the opening 55.
  • light is not reflected by the first metal layer 52 and the second metal layer 53, and whether or not the organic layer 40 is formed up to a position corresponding to the opening 55, that is, the organic layer 40. It is possible to confirm the position of the peripheral edge of the.
  • the organic EL display device 1 configured as described above, in each sub-pixel 6, when the gate signal is input to the first TFT 12 through the gate wiring 15g, the first TFT 12 is turned on, and the gate of the second TFT 13 through the source wiring 15s. A predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the electrode 19 and the capacitor 14, and a current corresponding to the gate voltage of the second TFT 13 is supplied from the high-voltage power supply wiring 15 hp to the organic EL element 9, whereby the organic EL layer 30 The light emitting layer 36 emits light and image display is performed. In the organic EL display device 1, even when the first TFT 12 is turned off, the gate voltage of the second TFT 13 is held by the capacitor 14. Therefore, the organic EL layer 30 (light emission) until the gate signal of the next frame is input. The emission of the layer 36) is maintained for each subpixel 6.
  • Such an organic EL display device 1 is formed by, for example, forming a TFT layer 8, an organic EL element 9, and a sealing film 10 on a resin substrate layer 7 formed on the surface of a glass substrate using a known method, and then forming a resin It can be manufactured by peeling the glass substrate from the substrate layer 7.
  • the source line 15s, the source electrode 21 and the drain electrode 22 in the display region in the process of forming the TFT layer 8 are formed.
  • the first metal layer 52 provided with the first openings 56 is also formed from the same film as the metal film forming the film 22.
  • the second metal layer 53 provided with the second opening 57 is also formed from the same film as the metal film forming the first electrode 29. To do. In this way, the inspected part 60 is provided in the light reflecting part 51 in the frame region 3.
  • the organic layer 40 is formed by an ink jet method. At this time, in order to confirm that the material forming the organic layer 40 is applied to a predetermined position in the frame region 3, that is, at least to the first dam wall 45, the organic layer 40 is used in the inspected portion 60. Inspection is performed to confirm the application position of the material forming the film.
  • the organic EL display device 1 According to the organic EL display device 1 according to this embodiment, the first metal layer 52 and the second metal layer 53 that are in contact with each other inside the first slit 50a and the second slit 50b in the frame region 3 Since the opening 55 (the first opening 56 and the second opening 57) exposing the interlayer insulating film 20 is formed at the position where the first slit 50a and the organic layer 40 overlap, the part to be inspected in which the opening 55 is formed 60, no light is reflected by the first metal layer 52 and the second metal layer 53, and even if a highly reflective metal material is used for the first metal layer 52 and the second metal layer 53, the organic EL In the manufacture of the display device 1, it can be surely confirmed that the material for forming the organic layer 40 is applied to a predetermined position in the frame region 3. Thereby, the inspection about the application
  • FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 6 of the organic EL display device 1 according to the first modification.
  • the opening 55 is formed as a notch-shaped slit opened to the outside of the frame region 3, but the organic EL display device 1 according to the first modification example.
  • the opening 55 (the first opening 56 and the second opening 57) is formed as a hollow slit having a frame-shaped peripheral edge, for example, the first slit in the light reflecting portion 51. It extends from the central part in the width direction of 50a to the central part in the width direction of the second slit 50b.
  • the same effect as that of the above embodiment can be obtained, and the opening area of the opening 55 in the light reflecting portion 51, that is, the opening area of the first opening 56 in the first metal layer 52 and the first area. Since the opening area of the second opening 57 in the two metal layers 53 can be reduced, it is possible to suppress a decrease in the conductivity of the light reflecting portion 51, that is, the conductivity of the low-voltage power supply wiring 15lp due to the provision of the opening 55. .
  • FIG. 10 is a view corresponding to FIG. 6 of the organic EL display device 1 according to the second modification.
  • the opening 55 extends from the central part of the first slit 50a to the central part of the second slit 50b in the light reflecting portion 51.
  • the second modified example In the organic EL display device 1 according to FIG. 10, as shown in FIG. 10, the opening 55 (the first opening 56 and the second opening 57) is closer to the display region 2 than the first blocking wall 45 in the light reflecting portion 51. It is formed only in the part.
  • the same effect as that of the above embodiment can be obtained, and the opening area of the opening 55 in the light reflecting portion 51 can be made smaller than that in the first modified example. It is possible to suppress a decrease in the conductivity of the light reflecting portion 51, that is, the conductivity of the low-voltage power supply wiring 15lp due to the provision of.
  • FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 8 of the organic EL display device 1 according to the third modification.
  • both the first dam wall 45 and the second dam wall 46 have a structure in which the first wall layer 47 and the second wall layer 48 are laminated.
  • the first dam wall 45 is configured only by the second wall layer 48. That is, the first dam wall 45 is formed of the same material in the same layer as the edge cover 33.
  • the second dam wall 46 has a structure in which a first wall layer 47 and a second wall layer 48 are laminated, as in the above embodiment.
  • the aspect of the light reflection part 51 (the 1st metal layer 52 and the 2nd metal layer 53) and the opening 55 (the 1st opening 56 and the 2nd opening 57) is the same as that of the said embodiment.
  • the location in which the opening 55 was formed comprises the to-be-inspected part 60 for confirming the application position of the material which forms the organic layer 40. FIG. Even with such a configuration, the same effect as the above-described embodiment can be obtained.
  • FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 8 of the organic EL display device 1 according to the fourth modification.
  • both the first dam wall 45 and the second dam wall 46 have a structure in which the first wall layer 47 and the second wall layer 48 are laminated.
  • the first dam wall 45 is constituted only by the first wall layer 47. That is, the first blocking wall 45 is formed of the same material in the same layer as the planarizing film 16.
  • the second dam wall 46 has a structure in which a first wall layer 47 and a second wall layer 48 are laminated, as in the above embodiment.
  • the aspect of the light reflection part 51 (the 1st metal layer 52 and the 2nd metal layer 53) and the opening 55 (the 1st opening 56 and the 2nd opening 57) is the same as that of the said embodiment.
  • the location in which the opening 55 was formed comprises the to-be-inspected part 60 for confirming the application position of the material which forms the organic layer 40. FIG. Even with such a configuration, the same effect as the above-described embodiment can be obtained.
  • the first opening 56 is formed in the first metal layer 52
  • the second opening 57 of the second metal layer 53 is formed
  • the light reflecting portion 51 is formed by the first opening 56 and the second opening 57.
  • the embodiment in which the configured opening 55 is formed has been described as an example, but the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the first metal layer 52 is provided only in a region outside the first dam wall 45 in the frame region 3, and the second metal layer 53 is provided from the control circuit region CCM to the second dam wall 46.
  • the opening 55 (second opening 57) may be formed only in the second metal layer 53. .
  • the second metal layer 53 is provided from the control circuit region CCM to a position inside the middle of the first slit 50a, and the first metal layer 52 is formed from the inner side of the first slit 50a to the second weir.
  • the first metal layer 52 includes the first slit 42.
  • the opening 55 may be formed only in a portion located outside the second metal layer 53.
  • an opening is formed in at least one of the first metal layer 52 and the second metal layer 53 so as to expose the lower layer of the first metal layer 52 from the metal layer. If it is, it will not be limited at all.
  • the opening 55 is a slit
  • the slit is merely an example of the opening 55, and the opening 55 may adopt any shape instead of the slit as long as the application position of the material forming the organic layer 40 can be confirmed. it can.
  • the organic layer 40 is provided from the display region 2 to the first dam wall 45, but the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the organic layer 40 may be provided from the display region 2 to the second dam wall 46, or may be provided even outside the second dam wall 46.
  • the light reflecting unit 51 is configured as the low-voltage power supply wiring 15lp that is electrically connected to the second electrode 31, but the technology of the present disclosure is not limited thereto.
  • the light reflecting portion 51 does not need to constitute the low-voltage power supply wiring 15lp, and may be a metal layer that constitutes other wiring or electrodes of other functional parts.
  • the organic EL layer 30 is individually formed in each sub-pixel 6, but the scope of application of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the organic EL layer 30 may be provided in common for the plurality of subpixels 6.
  • the organic EL display device 1 may perform color tone expression of each sub-pixel 6 by including a color filter.
  • the organic EL display device 1 using the resin substrate layer 7 as a substrate is illustrated, but the scope of application of the technology of the present disclosure is not limited thereto.
  • a substrate made of an inorganic material such as glass or quartz, a plastic such as polyethylene terephthalate, or a ceramic such as alumina may be used.
  • the substrate may be a substrate in which one surface of a metal substrate such as aluminum or iron is coated with silica gel or an organic insulating material, or a substrate on which the surface of the metal substrate is subjected to insulation treatment by a method such as anodization. It doesn't matter.
  • the top gate structure is adopted for the first TFT 12 and the second TFT 13, but the scope of application of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 may adopt a bottom gate type structure.
  • the organic EL layer 30 having a five-layer structure including the hole injection layer 34, the hole transport layer 35, the light emitting layer 36, the electron transport layer 37, and the electron injection layer 38 is illustrated.
  • the scope of technology is not limited to this.
  • the organic EL layer 30 may adopt, for example, a three-layer laminated structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • the organic EL display device 1 using the first electrode 29 as an anode and the second electrode 31 as a cathode is illustrated, but the scope of application of the technology of the present disclosure is not limited thereto.
  • the technology of the present disclosure can also be applied to, for example, the organic EL display device 1 in which the stacked structure of the organic EL layer 30 is reversed so that the first electrode 29 is a cathode and the second electrode 31 is an anode. .
  • the organic EL display device 1 is exemplified as the display device, but the present invention is not limited thereto.
  • the technology of the present disclosure is applied to a display device including a plurality of light-emitting elements driven by current, for example, a display device including a QLED (Quantum-dot-Light Emitting Diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer. Is possible.
  • the technology of the present disclosure is useful for a display device including a sealing structure that covers a light emitting element with a sealing film having an organic layer.
  • CCM control circuit area Organic EL display device 2 Display area 3 Frame area 4 Terminal section 5 Pixel 6, 6r, 6g, 6b Subpixel 7 Resin substrate layer (base substrate) 8 TFT layer 9 Organic EL element (light emitting element) 10 Sealing film 11 Base coat film 12 First TFT (active element) 13 Second TFT (active element) 14 capacitor 15 display wiring 15g gate wiring 15s source wiring 15hp high voltage power supply wiring 15lp low voltage power supply wiring 15f frame wiring 15t wiring terminal 16 planarization film 17 semiconductor layer 18 gate insulating film 19 gate electrode 20 interlayer insulating film 21 source electrode 22 drain electrode 25, 28, 32 Contact hole 26 Lower conductive layer 27 Upper conductive layer 29 First electrode 30 Organic EL layer 31 Second electrode 33 Edge cover 34 Hole injection layer 35 Hole transport layer 36 Light emitting layer 37 Electron transport layer 38 Electron injection Layer 39 First inorganic layer 40 Organic layer 40e Peripheral edge of organic layer 41 Second inorganic layer 42 First slit 43 Second slit 44 Damping structure 45 First dam wall 46 Second dam wall 47 First wall layer 4 8

Landscapes

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Abstract

樹脂基板層上に設けられた第１金属層（５２）と、第１金属層上に設けられた平坦化膜（１６）と、平坦化膜上に設けられた第２金属層（５３）および複数の有機ＥＬ素子９と、複数の有機ＥＬ素子を覆う封止膜（１０）とを備え、封止膜に含まれる有機層（４０）の周端縁が額縁領域に位置付けられ、平坦化膜の外側に、有機層の周端縁と重なるスリット（４２）が形成され、第１金属層と第２金属層とは、スリットの内部で互いに接触し、第１金属層および第２金属層には、有機層とスリットとが重なる位置で第１金属層および第２金属層から層間絶縁膜（２０）を露出させる開口（５５）が形成されている。

Description

表示装置
　本開示は、表示装置に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素などの進入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制すべく、有機ＥＬ素子を覆う封止膜が設けられている。この封止膜による封止構造としては、有機層と無機層とからなる積層膜により当該封止膜を構成する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。封止膜を構成する有機層は、例えばインジェット法により形成される。
特開２０１１－１７５３００号公報
　ところで、インクジェット法により形成される有機層の成膜性は、被成膜表面の状態の影響を受け易いため、有機層の周縁（エッジ）を精度良く形成することが困難である。有機層を形成する際に有機層の材料（インク）が、額縁領域において所定の位置にまで塗布されずモノリシック回路が存在する部分などの表示領域側に留まると、有機層により覆われているべき箇所に異物が存在した場合に、その異物を封止膜で覆いきれず封止膜に欠陥が発生するおそれがある。
　このことから、封止膜の形成工程では、有機層を形成する材料が額縁領域において所定の位置にまで塗布されていることを確認する必要がある。しかし、額縁領域のうち当該有機層の周縁位置を含む部分には、有機ＥＬ素子の電極や額縁配線を構成する金属層が形成されており、その金属層には銀（Ａｇ）などの高反射率の金属材料が好適に用いられるため、当該金属層による光の反射の影響で有機層を形成する材料の塗布位置を確認することが困難である。
　本開示の技術は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、有機層を形成する材料が額縁領域において所定の位置にまで塗布されていることを確実に確認できるようにすることにある。
　本開示の技術に係る表示装置は、基板と、前記基板上に設けられた第１金属層と、
　前記第１金属層上に設けられた平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた第２金属層および複数の発光素子と、前記複数の発光素子を覆う封止膜と、を備え、前記発光素子の発光によって画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、前記封止膜が有機層を含み、該有機層の周端縁が前記額縁領域に位置付けられた表示装置であって、前記平坦化膜の外側には、前記有機層の周端縁と重なるスリットが形成され、前記第１金属層と前記第２金属層とは、前記スリットを跨がるようにそれぞれ設けられていると共に、前記スリットの内部で互いに接触し、前記第１金属層および前記第２金属層のうち少なくとも一方の金属層には、前記有機層と前記スリットとが重なる位置で当該金属層から前記第１金属層の下層を露出させる開口が形成されていることを特徴とする。
　上記表示装置によれば、額縁領域において平坦化膜のスリットの内部で互いに接触している第１金属層および第２金属層のうち少なくとも一方の金属層に、有機層とスリットとが重なる位置で第１金属層の下層を露出させる開口を形成するようにしたので、この開口が形成された箇所では、金属層による光の反射が生じず、たとえ高反射率の金属材料が金属層に用いられていても、当該表示装置の製造において、有機層を形成するための材料が額縁領域における所定の位置にまで塗布されていることを確実に確認することができる。これにより、有機層の塗布領域についての検査を容易に行え、次工程への不良パネルの流出を低減することができる。
図１は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１の有機ＥＬ表示装置のIIで囲んだ表示領域の一部を示す平面図である。 図３は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の一部の等価回路図である。 図４は、図２の表示領域のIV－IV線に沿う箇所における断面図である。 図５は、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の構造を示す断面図である。 図６は、図１の有機ＥＬ表示装置のVIで囲んだ部分を示す平面図である。 図７は、図６の有機ＥＬ表示装置のVII－VII線に沿う箇所における断面図である。 図８は、図６の有機ＥＬ表示装置のVIII－VIII線に沿う箇所における断面図である。 図９は、実施形態の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置の図６相当図である。 図１０は、実施形態の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置の図６相当図である。 図１１は、実施形態の第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置の図８相当図である。 図１２は、実施形態の第４変形例に係る有機ＥＬ表示装置の図８相当図である。
　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
　この実施形態では、本開示の技術に係る表示装置について、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　図１は、有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、図１の有機ＥＬ表示装置１のIIで囲んだ表示領域２の一部を示す平面図である。図３は、有機ＥＬ表示装置１を構成するＴＦＴ層８の一部の等価回路図である。図４は、図２の表示領域２のIV－IV線に沿う箇所における断面図である。図５は、有機ＥＬ表示装置１を構成する有機ＥＬ層３０の構造を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像表示を行う矩形状の表示領域２と、表示両機の周囲に設けられた矩形枠状の額縁領域３とを備えている。そして、額縁領域３の１辺を構成する部分には、外部回路と接続するための端子部４が設けられている。端子部４には、図示しないが、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板の一端部が接続される。
　さらに、額縁領域３において、端子部４が設けられた辺と隣り合う辺（図１の左右の各辺）を構成する部分には、ゲートドライバ回路（不図示）などの制御回路が基板（後述する樹脂基板層７）上にモノリシックに形成された制御回路領域ＣＣＭをそれぞれ含んでいる。また、額縁領域３における表示領域２と端子部４との間には、複数の額縁配線１５ｆが設けられている。個々の額縁配線１５ｆは、端子部４にて配線基板と接続される配線端子１５ｔを構成している。端子部４には、これら複数の配線端子１５ｔが所定のパターンで配列されている。
　複数の額縁配線１５ｆには、後述する有機ＥＬ素子９の第２電極３１と電気的に接続された低圧電源配線１５ｌｐ（斜線を付して示す）が含まれている。低圧電源配線１５ｌｐは、額縁領域３における端子部４が設けられた辺を除く３辺を構成する部分に表示領域２を囲むように設けられており、端子部４にまで引き出されている。低圧電源配線１５ｌｐは、端子部４に設けられた配線端子１５ｔを介して図示しない低電圧電源（ＥＬＶＳＳ）と電気的に接続される。
　有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用している。表示領域２には、図２に示す画素５がマトリクス状に複数配置されている。各画素５は、例えば、赤色の表示を行うサブ画素６ｒ、緑色の表示を行うサブ画素６ｇおよび青色の表示を行うサブ画素６ｂからなる３色のサブ画素６を含んで構成されている。これら３色のサブ画素６ｒ，６ｇ，６ｂは、例えば、並置方式で配列されてストライプ状に隣り合っている。
　有機ＥＬ表示装置１は、図４に示すように、基板としての樹脂基板層７と、樹脂基板層７上に設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）層８と、ＴＦＴ層８上に設けられた発光素子としての複数の有機ＥＬ素子９と、これら複数の有機ＥＬ素子９を覆う封止膜１０とを備えている。
　樹脂基板層７は、例えば、ポリイミド樹脂などによって形成されており、可撓性を有している。
　ＴＦＴ層８は、樹脂基板層７上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２、複数の第２ＴＦＴ１３および複数のキャパシタ１４ならびに各種の表示用配線１５と、これら複数の第１ＴＦＴ１２、複数の第２ＴＦＴ１３および複数のキャパシタ１４および表示用配線１５を覆うように設けられた平坦化膜１６とを備えている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリコンなどからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜により構成されている。第１ＴＦＴ１２、第２ＴＦＴ１３およびキャパシタ１４は、サブ画素６毎に設けられている。
　表示用配線１５としては、図２および図３に示すように、互いに平行に延びる複数のゲート配線１５ｇと、各ゲート配線１５ｇと交差する方向に互いに平行に延びる複数のソース配線１５ｓと、各ソース配線１５ｓに沿って延びる複数の高圧電源配線１５ｈｐとが設けられている。また、ゲート配線１５ｇとソース配線１５ｓおよび高圧電源配線１５ｈｐとは、互いに絶縁されており、全体として格子状に形成されて各サブ画素６を区画している。
　各ソース配線１５ｓおよび各高圧電源配線１５ｈｐは、額縁配線１５ｆとして表示領域２から端子部４にまで引き出されている。各高圧電源配線１５ｈｐは、端子部４に設けられた配線端子１５ｔを介して図示しない高電圧電源（ＥＬＶＤＤ）と電気的に接続される。各ゲート配線１５ｇは、制御回路領域ＣＣＭにあるゲートドライバ回路に接続されていて、ゲートドライバ回路によって順次駆動される。
　第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、アクティブ素子の一例であり、例えばトップゲート型の構造を採用している。具体的には、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１７と、半導体層１７を覆うゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８を介して半導体層１７の一部（チャネル領域）と重なるゲート電極１９と、ゲート電極１９を覆う層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜２０上に設けられたソース電極２１およびドレイン電極２２とを備えている。
　ゲート電極１９は、複数のゲート配線１５ｇと同一層に同一材料によって形成されている。層間絶縁膜２０は、第１層間絶縁膜２３と第２層間絶縁膜２４との積層膜によって構成されている。これら第１層間絶縁膜２３および第２層間絶縁膜２４とゲート絶縁膜１８とは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリコンなどからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によってそれぞれ構成されている。
　ソース電極２１とドレイン電極２２とは、互いに離間しており、ゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２５を介して半導体層１７の異なる部分（ソース領域、ドレイン領域）にそれぞれ接続されている。ソース電極２１およびドレイン電極２２は、表示領域２において、複数のソース配線１５ｓと同一層に同一材料によって形成されている。
　第１ＴＦＴ１２において、ゲート電極１９は、対応するゲート配線１５ｇと一体に設けられ、ソース電極２１は、対応するソース配線１５ｓと一体に設けられ、ドレイン電極２２は、第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９およびキャパシタ１４と電気的に接続されている。第２ＴＦＴ１３において、ソース電極２１は、高圧電源配線１５ｈｐと電気的に接続されている。
　キャパシタ１４は、対応する第１ＴＦＴ１２および高圧電源配線１５ｈｐに接続されている。このキャパシタ１４は、ゲート絶縁膜１８上に設けられた下部導電層２６と、下部導電層２６を覆う第１層間絶縁膜２３と、第１層間絶縁膜２３を介して下部導電層２６に重なる上部導電層２７とを備えている。下部導電層２６は、ゲート電極１９と同一層に同一材料によって形成されている。上部導電層２７は、第２層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール２８を介して高圧電源配線１５ｈｐに接続されている。
　平坦化膜１６は、表示領域２において、第２ＴＦＴ１３のドレイン電極２２の一部以外を覆うことにより、ＴＦＴ層８の表面を、ソース配線１５ｓ、高圧電源配線１５ｈｐ、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３の表面形状が反映されないように平坦化している。この平坦化膜１６は、例えば、アクリル樹脂などの無色透明な有機樹脂材料によって形成されている。
　有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６上において各サブ画素６に設けられている。表示領域２は、この有機ＥＬ素子９によって構成されている。当該有機ＥＬ素子９は、トップエミッション型の構造を採用している。具体的には、有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６の表面に設けられた第１電極２９と、第１電極２９上に設けられた機能層としての有機ＥＬ層３０と、有機ＥＬ層３０を介して第１電極２９に重なる第２電極３１とを備えている。
　第１電極２９は、有機ＥＬ素子９毎に設けられてマトリクス状に配置されており、対応するサブ画素６における第２ＴＦＴ１３のドレイン電極２２に、平坦化膜１６に形成されたコンタクトホール３２を介して接続されている。第１電極２９は、有機ＥＬ層３０に正孔（ホール）を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への正孔注入効率を向上させるために仕事関数の大きな材料で形成されていることが好ましい。
　第１電極２９の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などの金属材料が挙げられる。
　また、第１電極２９の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）などの合金であってもよい。
　また、第１電極２９の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物などであってもよい。また、第１電極２９は、上述した材料からなる層を複数積層して形成されていても構わない。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が挙げられる。
　隣り合うサブ画素６の第１電極２９同士は、エッジカバー３３によって区画されている。エッジカバー３３は、格子状に形成されており、各第１電極２９の周縁部を覆っている。エッジカバー３３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、シリコンオキシナイトライドなどの無機化合物、およびポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂などの有機樹脂材料が挙げられる。
　有機ＥＬ層３０は、有機ＥＬ素子９毎に設けられている。この有機ＥＬ層３０は、図５に示す正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８が第１電極２９上にこの順で積層された構造を有する。
　正孔注入層３４は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２９と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第１電極２９から有機ＥＬ層３０へ正孔が注入される効率を改善する機能を有している。正孔注入層３４の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。
　正孔輸送層３５は、第１電極２９から有機ＥＬ層３０への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。正孔輸送層３５の材料としては、例えば、ポルフェリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換アルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水酸化アモルファスシリコン、水酸化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。
　発光層３６は、第１電極２９および第２電極３１によって電圧が印加された際に、第１電極２９から注入された正孔と第２電極３１から注入された電子とを再結合させて発光する機能を有する。発光層３６は、個々のサブ画素６において、有機ＥＬ素子９の発光色（例えば赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成されている。
　発光層３６の材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。
　電子輸送層３７は、電子を発光層３６まで効率良く移動させる機能を有している。電子輸送層３７の材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。
　電子注入層３８は、陰極バッファ層とも呼ばれ、第２電極３１と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第２電極３１から有機ＥＬ層３０への電子注入効率を向上させる機能を有する。電子注入層３８の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。
　第２電極３１は、図４に示すように、複数の有機ＥＬ素子９に対して共通に（つまり複数のサブ画素６に共通して）設けられており、有機ＥＬ層３０を覆っている。この第２電極３１は、低圧電源配線１５ｌｐに接続され、その低圧電源配線１５ｌｐを通じて端子部４に設けられた配線端子１５ｔにて低電圧電源（ＥＬＶＳＳ）との導通がとられる。第２電極３１は、有機ＥＬ層３０に電子を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への電子の注入効率を向上させるために仕事関数の小さな材料で形成されていることが好ましい。
　第２電極３１の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などが挙げられる。
　また、第２電極３１の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合金、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）の合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金などであってもよい。
　また、第２電極３１の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物であってもよい。また、第２電極３１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）と銅（Ｃｕ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金などが挙げられる。
　封止膜１０は、有機ＥＬ素子９を水分や酸素などから保護する機能を有している。この封止膜１０は、図４、図７および図８に示すように、第２電極３１を覆う第１無機層３９と、第１無機層３９上に設けられた有機層４０と、有機層４０を覆う第２無機層４１とを備えている。
　第１無機層３９および第２無機層４１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの無機材料によって形成されている。有機層４０は、例えば、アクリレート、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの有機樹脂材料によって形成されている。
　図６は、図１の有機ＥＬ表示装置１のVIで囲んだ部分を示す平面図である。図７は、図６の有機ＥＬ表示装置１のVII－VII線に沿う箇所における断面図である。また、図８は、図６の有機ＥＬ表示装置１のVIII－VIII線に沿う箇所における断面図である。なお、図６では、平坦化膜１６と第１堰止壁４５および第２堰止壁４６とが形成された領域にドットを付している。また、封止膜１０を構成する第１無機層３９および第２無機層４１の図示は省略し、有機層４０の周端縁４０ｅを太線で示している。このことは、後の変形例で参照する図９および図１０においても同じである。
　第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１は、表示領域２の全体に設けられていると共に、図６～図８に示すように額縁領域３にも設けられている。第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１の各周端縁は、いずれも額縁領域３に位置付けられている。有機層４０の周端縁４０ｅは、額縁領域３において、第１無機層３９および第２無機層４１の周端縁よりも表示領域２側に位置付けられている。
　額縁領域３には、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、有機層４０となる有機樹脂材料の広がりを堰き止めるための堰止構造４４が設けられている。堰止構造４４は、表示領域２を囲む第１堰止壁４５と、第１堰止壁４５を囲む第２堰止壁４６とを備えている。
　第１堰止壁４５と第２堰止壁４６とは、互いに相似形の矩形枠状に形成されており（図１参照）、額縁領域３の幅方向に間隔をあけて配置されている。これら第１堰止壁４５および第２堰止壁４６は、第１壁層４７と第２壁層４８とが積層された構造をそれぞれ有している。第１壁層４７は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されている。第２壁層４８は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成されている。
　平坦化膜１６には、当該平坦化膜１６を貫通するトレンチ４９が形成されている。トレンチ４９は、額縁領域３における端子部４が設けられた辺を除く３辺に沿って延びており、平坦化膜１６を分断して、表示領域２への水分の浸透を防止する役割を果たす。また、平坦化膜１６の外側には、当該平坦化膜１６の側方において平坦化膜１６の下層を露出させるスリット５０が形成されている。具体的には、平坦化膜１６と第１堰止壁４５との間には、当該スリット５０として第１スリット５０ａが形成されている。また、第１堰止壁４５と第２堰止壁４６との間には、当該スリット５０として第２スリット５０ｂが形成されている。
　有機層４０は、表示領域２から少なくとも第１堰止壁４５まで設けられて、第１堰止壁４５と接触している。そして、この有機層４０の周端縁４０ｅは、第１スリット５０ａと重なっている。図６～図８に示す例では、有機層４０は、第１堰止壁４５の内側一杯に設けられているが、第１堰止壁４５に堰き止められて第１堰止壁４５の外側にまでは設けられていない。このような有機層４０は、有機ＥＬ素子９およびゲートドライバ回路などの各種素子や回路を覆っており、それら各種素子や回路の形成箇所に異物が存在した場合に、その異物を覆って完全に包み込み、封止膜１０に欠陥が生じるのを防止するバッファ層としての役割を果たす。
　第１無機層３９および第２無機層４１は、第１堰止壁４５および第２堰止壁４６の両方を覆っている。これら第１無機層３９および第２無機層４１の周端縁部同士は、第１堰止壁４５の外側で互いに接合されている。すなわち、有機層４０は、第１無機層３９および第２無機層４１によって包み込まれており、第１無機層３９および第２無機層４１の間に封入されている。
　額縁領域３において封止膜１０よりも下層には、表面側から入射した光を反射する光反射部５１が設けられている。この光反射部５１は、平坦化膜１６の下層に設けられた第１金属層５２と、平坦化膜１６の上層に設けられた第２金属層５３とを備えている。これら第１金属層５２および第２金属層５３は、表示領域２を囲むように低圧電源配線１５ｌｐを構成している。
　第１金属層５２は、表示領域２におけるソース配線１５ｓ、ソース電極２１およびドレイン電極２２と同一層に同一材料によって形成され、層間絶縁膜２０上に設けられている。この第１金属層５２は、額縁領域３において、平坦化膜１６と重なる領域から第２堰止壁４６にまで設けられており、第１スリット５０ａの内部および第２スリット５０ｂの内部で平坦化膜１６、第１堰止壁４５および第２堰止壁４６から露出している。
　第２金属層５３は、有機ＥＬ素子９の第１電極２９と同一層に同一材料によって形成され、平坦化膜１６上に設けられている。この第２金属層５３は、平坦化膜１６上から第２堰止壁４６にまで設けられており、第１堰止壁４５および第２堰止壁４６を構成する第１壁層４７と第２壁層４８との間に位置している。そして、第２金属層５３は、第１スリット５０ａの内部および第２スリット５０ｂの内部で第１金属層５２と重ね合わされて接触し、第１金属層５２と電気的に接続されている。
　また、この第２金属層５３は、平坦化膜１６上において、トレンチ４９よりも当該平坦化膜１６の外側からトレンチ４９よりも表示領域２側にまで設けられ、トレンチ４９の内面を覆っている。第２電極３１は、平坦化膜１６上において、トレンチ４９よりも表示領域２側からトレンチ４９よりも平坦化膜１６の外側にまで設けられて、第２金属層５３と重ね合わされて接触し、第２金属層５３ともどもトレンチ４９の内面を覆っている。
　このようにトレンチ４９の内面が第２金属層５３および第２電極３１で覆われていることにより、有機ＥＬ表示装置１における外部環境からのトレンチ４９を通じた表示領域２への水分の浸入を防止することができる。第２金属層５３と第２電極３１とは、平坦化膜１６上およびトレンチ４９の内部で重ね合わされて接触し、互いに電気的に接続されている。そして、第２電極３１は、第２金属層５３を介して第１金属層５２と電気的に接続されている。
　上記のように第１金属層５２と第２金属層５３とは、第１スリット５０ａおよび第２スリット５０ｂを跨がるように設けられていると共に、第１スリット５０ａの内部および第２スリット５０ｂの内部で互いに接触している。これら第１金属層５２および第２金属層５３からなる光反射部５１は、第１スリット５０ａの内部で第１無機層３９越しに有機層４０の周端縁部と重なる位置関係にある。
　この光反射部５１には、第１スリット５０ａの内部および第２スリット５０ｂの内部で平坦化膜１６の下層である層間絶縁膜２０を露出させる開口５５が形成されている。第１金属層５２には、当該開口５５として第１開口５６が形成されている。第２金属層５３には、当該開口５５として第２開口５７が形成されている。第１開口５６の開口面積は、第２開口５７の開口面積よりも大きく、第１金属層５２は、第１開口５６の周縁を含め、第２金属層５３によって覆われている。開口５５は、それら第１開口５６および第２開口５７によって構成されている。
　開口５５は、図６に示すように、第１堰止壁４５に沿って互いに間隔をあけて複数設けられている。各開口５５は、光反射部５１のうち第１堰止壁４５よりも表示領域２側の部分から第１堰止壁４５と第２堰止壁４６との間の部分に亘って額縁領域３の幅方向に延びており、額縁領域３の外側に開放された切欠き状のスリットに形成されている。そして、これら各開口５５の一部は、第１堰止壁４５の内側で有機層４０と重なっている。
　有機ＥＬ表示装置１のうち開口５５が形成された箇所は、有機層４０を形成する材料の塗布位置を確認するための被検査部６０を構成している。被検査部６０は、開口５５によって第１金属層５２および第２金属層５３が存在しない領域となっている。このような被検査部６０においては、第１金属層５２および第２金属層５３による光の反射が生じず、有機層４０が開口５５に対応する位置まで形成されているかどうか、つまり有機層４０の周端縁の位置を確認することが可能になっている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素６において、ゲート配線１５ｇを介して第１ＴＦＴ１２にゲート信号が入力されることにより第１ＴＦＴ１２がオン状態となり、ソース配線１５ｓを介して第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９およびキャパシタ１４にソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧に応じた電流が高圧電源配線１５ｈｐから有機ＥＬ素子９に供給されることにより、有機ＥＬ層３０の発光層３６が発光して、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置１では、第１ＴＦＴ１２がオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧がキャパシタ１４によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機ＥＬ層３０（発光層３６）の発光がサブ画素６毎に維持される。
　こうした有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ガラス基板の表面に形成した樹脂基板層７上に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ層８、有機ＥＬ素子９および封止膜１０を形成した後、樹脂基板層７からガラス基板を剥離することにより、製造することができる。
　このような有機ＥＬ表示装置１の製造において、ＴＦＴ層８を形成する過程で表示領域におけるソース配線１５ｓ、ソース電極２１およびドレイン電極２２の形成工程では、これらソース配線１５ｓ、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する金属膜と同一膜から第１開口５６が設けられた第１金属層５２を併せて形成する。また、有機ＥＬ素子９を形成する過程で第１電極２９の形成工程では、第１電極２９を形成する金属膜と同一膜から第２開口５７が設けられた第２金属層５３を併せて形成する。そうして、額縁領域３における光反射部５１に上記被検査部６０を設ける。
　また、封止膜１０の形成工程では、有機層４０をインクジェット法により形成する。このとき、有機層４０を形成する材料が額縁領域３における所定の位置、つまり少なくとも第１堰止壁４５にまで塗布されていることを確認するために、上記被検査部６０にて有機層４０を形成する材料の塗布位置を確認する検査が行われる。
　この実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、額縁領域３において第１スリット５０ａの内部および第２スリット５０ｂの内部で互いに接触している第１金属層５２および第２金属層５３に、第１スリット５０ａと有機層４０とが重なる位置で層間絶縁膜２０を露出させる開口５５（第１開口５６および第２開口５７）が形成されているので、この開口５５が形成された被検査部６０では、第１金属層５２および第２金属層５３による光の反射が生じず、たとえ高反射率の金属材料が第１金属層５２および第２金属層５３に用いられていても、有機ＥＬ表示装置１の製造において、有機層４０を形成するための材料が額縁領域３における所定の位置にまで塗布されていることを確実に確認することができる。これにより、有機層４０の塗布領域についての検査を容易に行え、次工程への不良パネルの流出を低減することができる。
　〈実施形態の第１変形例〉
　図９は、この第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の図６相当図である。上記実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、開口５５は、額縁領域３の外側に開放された切欠き状のスリットに形成されているとしたが、この第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、図９に示すように、開口５５（第１開口５６および第２開口５７）は、枠形周縁を有する中抜き状のスリットに形成されており、例えば、光反射部５１における第１スリット５０ａの幅方向における中央部位から第２スリット５０ｂの幅方向における中央部位にかけて延びている。
　このような構成によれば、上記実施形態と同様な効果を得ることができる上に、光反射部５１における開口５５の開口面積、つまり第１金属層５２における第１開口５６の開口面積および第２金属層５３における第２開口５７の開口面積を小さくすることができるので、開口５５を設けることによる光反射部５１の導電性、つまり低圧電源配線１５ｌｐの導電性の低下を抑制することができる。
　〈実施形態の第２変形例〉
　図１０は、この第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の図６相当図である。上記第１変形例の有機ＥＬ表示装置１では、開口５５は、光反射部５１における第１スリット５０ａの中央部位から第２スリット５０ｂの中央部位にかけて延びているとしたが、この第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１０に示すように、開口５５（第１開口５６および第２開口５７）は、光反射部５１のうち第１堰止壁４５よりも表示領域２側の部分のみに形成されている。
　このような構成によれば、上記実施形態と同様な効果を得ることができる上に、上記第１変形例よりも光反射部５１における開口５５の開口面積を小さくすることができるので、開口５５を設けることによる光反射部５１の導電性、つまり低圧電源配線１５ｌｐの導電性の低下を抑制することができる。
　〈実施形態の第３変形例〉
　図１１は、この第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の図８相当図である。上記実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第１堰止壁４５および第２堰止壁４６の両方が第１壁層４７と第２壁層４８とが積層された構造を有しているとしたが、この第３変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１１に示すように、第１堰止壁４５は、第２壁層４８のみによって構成されている。すなわち、第１堰止壁４５は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成されている。
　第２堰止壁４６は、上記実施形態と同様に、第１壁層４７と第２壁層４８とが積層された構造を有している。光反射部５１（第１金属層５２および第２金属層５３）および開口５５（第１開口５６および第２開口５７）の態様は、上記実施形態と同様である。そして、開口５５が形成された箇所は、有機層４０を形成する材料の塗布位置を確認するための被検査部６０を構成している。このような構成によっても、上記実施形態と同じ効果を得ることができる。
　〈実施形態の第４変形例〉
　図１２は、この第４変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の図８相当図である。上記実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第１堰止壁４５および第２堰止壁４６の両方が第１壁層４７と第２壁層４８とが積層された構造を有しているとしたが、この第４変形例に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１２に示すように、第１堰止壁４５は、第１壁層４７のみによって構成されている。すなわち、第１堰止壁４５は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されている。
　第２堰止壁４６は、上記実施形態と同様に、第１壁層４７と第２壁層４８とが積層された構造を有している。光反射部５１（第１金属層５２および第２金属層５３）および開口５５（第１開口５６および第２開口５７）の態様は、上記実施形態と同様である。そして、開口５５が形成された箇所は、有機層４０を形成する材料の塗布位置を確認するための被検査部６０を構成している。このような構成によっても、上記実施形態と同じ効果を得ることができる。
　以上のように、ここに開示する技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、ここに開示する技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須でない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることを以て、直ちにそれらの必須でない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
　上記実施形態では、第１金属層５２に第１開口５６が形成され、第２金属層５３の第２開口５７が形成され、光反射部５１に、それら第１開口５６および第２開口５７によって構成された開口５５が形成されている態様を例に挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限らない。例えば、第１金属層５２が、額縁領域３において第１堰止壁４５よりも外側の領域のみに設けられ、第２金属層５３が、制御回路領域ＣＣＭから第２堰止壁４６にかけて設けられて、第１堰止壁４５の外側で第１金属層５２と重ね合わされて接触している場合には、第２金属層５３のみに開口５５（第２開口５７）が形成されていてもよい。
　また、例えば、第２金属層５３が、制御回路領域ＣＣＭから第１スリット５０ａの中程よりも内側の位置にかけて設けられ、第１金属層５２が、第１スリット５０ａよりも内側から第２堰止壁４６にかけて設けられて、第１スリット４２の中程よりも内側の位置で第２金属層５３と重ね合わされて接続されている場合、第１金属層５２のうち第１スリット４２の内部で第２金属層５３よりも外側に位置する部分のみに開口５５（第１開口５６）が形成されていてもよい。
　要は、第１金属層５２および第２金属層５３のうち少なくとも一方の金属層に、有機層４０とスリット５０とが重なる位置で当該金属層から第１金属層５２の下層を露出させる開口５５が形成されていればよい。すなわち、本開示の技術は、第１金属層５２および第２金属層５３のうち少なくとも一方の金属層に、当該金属層から第１金属層５２の下層を露出させるように開口が形成されていれば、何ら限定されない。
　また、上記実施形態では、開口５５がスリットである態様を例に挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限らない。スリットは、開口５５の一例に過ぎず、開口５５は、有機層４０を形成する材料の塗布位置を確認することが可能な態様であれば、スリットに代えて、如何なる形状をも採用することができる。
　また、上記実施形態では、有機層４０は、表示領域２から第１堰止壁４５にまで設けられているとしたが、本開示の技術はこれに限らない。例えば、有機層４０は、表示領域２から第２堰止壁４６にまで設けられていてもよいし、第２堰止壁４６の外側にまでも設けられていても構わない。
　また、上記実施形態では、光反射部５１は、第２電極３１と電気的に接続された低圧電源配線１５ｌｐを構成しているとしたが、本開示の技術はこれに限らない。光反射部５１は、低圧電源配線１５ｌｐを構成するものでなくてもよく、それ以外の配線やその他の機能部の電極などを構成する金属層であっても構わない。
　また、上記実施形態では、有機ＥＬ層３０が各サブ画素６に個別に形成されているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０は、複数のサブ画素６に共通して設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素６の色調表現を行っていてもよい。
　また、本実施形態では、基板として樹脂基板層７を用いる有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。基板としては、ガラスや石英などの無機材料、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック、アルミナなどのセラミックからなる基板が用いられていてもよい。また、基板は、アルミニウムや鉄などの金属基板の一方面をシリカゲルや有機絶縁材料などでコーティングした基板、または金属基板の表面に陽極酸化などの方法により絶縁化処理を施した基板などであっても構わない。
　また、上記実施形態では、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３について、トップゲート型の構造を採用するとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３はボトムゲート型の構造を採用していてもよい。
　また、上記実施形態では、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８の５層積層構造の有機ＥＬ層３０を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造を採用していてもよい。
　また、上記実施形態では、第１電極２９を陽極とし、第２電極３１を陰極とした有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。本開示の技術は、例えば、有機ＥＬ層３０の積層構造を反転させて、第１電極２９を陰極とし、第２電極３１を陽極とした有機ＥＬ表示装置１にも適用することが可能である。
　また、上記実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、これに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備えた表示装置に適用することが可能である。
　以上説明したように、本開示の技術は、有機層を有する封止膜によって発光素子を覆う封止構造を備えた表示装置について有用である。
　ＣＣＭ　　　制御回路領域
　１　　　　　有機ＥＬ表示装置
　２　　　　　表示領域
　３　　　　　額縁領域
　４　　　　　端子部
　５　　　　　画素
　６，６ｒ，６ｇ，６ｂ　　　サブ画素
　７　　　　　樹脂基板層（ベース基板）
　８　　　　　ＴＦＴ層
　９　　　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　１０　　　　封止膜
　１１　　　　ベースコート膜
　１２　　　　第１ＴＦＴ（アクティブ素子）
　１３　　　　第２ＴＦＴ（アクティブ素子）
　１４　　　　キャパシタ
　１５　　　　表示用配線
　１５ｇ　　　ゲート配線
　１５ｓ　　　ソース配線
　１５ｈｐ　　高圧電源配線
　１５ｌｐ　　低圧電源配線
　１５ｆ　　　額縁配線
　１５ｔ　　　配線端子
　１６　　　　平坦化膜
　１７　　　　半導体層
　１８　　　　ゲート絶縁膜
　１９　　　　ゲート電極
　２０　　　　層間絶縁膜
　２１　　　　ソース電極
　２２　　　　ドレイン電極
　２５，２８，３２　　　コンタクトホール
　２６　　　　下部導電層
　２７　　　　上部導電層
　２９　　　　第１電極
　３０　　　　有機ＥＬ層
　３１　　　　第２電極
　３３　　　　エッジカバー
　３４　　　　正孔注入層
　３５　　　　正孔輸送層
　３６　　　　発光層
　３７　　　　電子輸送層
　３８　　　　電子注入層
　３９　　　　第１無機層
　４０　　　　有機層
　４０ｅ　　　有機層の周端縁
　４１　　　　第２無機層
　４２　　　　第１スリット
　４３　　　　第２スリット
　４４　　　　堰止構造
　４５　　　　第１堰止壁
　４６　　　　第２堰止壁
　４７　　　　第１壁層
　４８　　　　第２壁層
　５１　　　　光反射部
　５２　　　　第１金属層
　５３　　　　第２金属層
　５４　　　　トレンチ
　５５　　　　開口
　５６　　　　第１開口
　５７　　　　第２開口
　６０　　　　被検査部
 

Claims (12)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に設けられた第１金属層と、
    　前記第１金属層上に設けられた平坦化膜と、
    　前記平坦化膜上に設けられた第２金属層および複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子を覆う封止膜と、を備え、
    　前記発光素子の発光によって画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、
    　前記封止膜が有機層を含み、該有機層の周端縁が前記額縁領域に位置付けられた表示装置であって、
    　前記平坦化膜の外側には、前記有機層の周端縁と重なるスリットが形成され、
    　前記第１金属層と前記第２金属層とは、前記スリットを跨がるようにそれぞれ設けられていると共に、前記スリットの内部で互いに接触し、
    　前記第１金属層および前記第２金属層のうち少なくとも一方の金属層には、前記有機層と前記スリットとが重なる位置で当該金属層から前記第１金属層の下層を露出させる開口が形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　前記第１金属層には、前記開口として第１開口が形成され、
    　前記第２金属層には、前記開口として第２開口が形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　前記第１開口の開口面積は、前記第２開口の開口面積よりも大きく、
    　前記第１金属層は、前記第２金属層によって覆われている
    ことを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記発光素子は、第１電極と、該第１電極上に設けられた機能層と、該機能層上に設けられた第２電極とを備え、
    　前記第２電極は、前記複数の発光素子に対して共通に設けられており、
    　前記第２金属層は、前記第１電極と同一層に同一材料によって形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　前記平坦化膜には、当該平坦化膜を貫通するトレンチが形成され、
    　前記第２金属層および前記第２電極は、前記トレンチの内面を覆い、且つ前記トレンチの内部で互いに接触している
    ことを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　前記第１金属層は、前記表示領域に設けられたソース配線と同一層に同一材料によって形成され、
    　前記第２電極は、前記第２金属層を介して前記第１金属層と電気的に接続され、
    　前記第１金属層と前記第２金属層とは、前記表示領域を囲むように、前記額縁領域に設けられた額縁配線を構成している
    ことを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項４～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示領域には、前記第２金属層と前記第２電極との間にエッジカバーが設けられ、
    　前記額縁領域には、前記表示領域を囲む第１堰止壁と、該第１堰止壁を囲む第２堰止壁とが設けられ、
    　前記第１堰止壁は、前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成され、
    　前記第２堰止壁は、前記平坦化膜と同一層に同一材料によって形成された第１壁層と、該第１壁層上に前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成された第２壁層と、を備える
    ことを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項４～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示領域には、前記第２金属層と前記第２電極との間にエッジカバーが設けられ、
    　前記額縁領域には、前記表示領域を囲む第１堰止壁と、該第１堰止壁を囲む第２堰止壁とが設けられ、
    　前記第１堰止壁は、前記平坦化膜と同一層に同一材料によって形成され、
    　前記第２堰止壁は、前記平坦化膜と同一層に同一材料によって形成された第１壁層と、該第１壁層上に前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成された第２壁層と、を備える
    ことを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項４～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示領域には、前記第２金属層と前記第２電極との間にエッジカバーが設けられ、
    　前記額縁領域には、前記表示領域を囲む第１堰止壁と、該第１堰止壁を囲む第２堰止壁とが設けられ、
    　前記第１堰止壁および前記第２堰止壁は、前記平坦化膜と同一層に同一材料によって形成された第１壁層と、該第１壁層上に前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成された第２壁層と、をそれぞれ備える
    ことを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項７～９のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記開口は、前記平坦化膜と前記第１堰止壁との間に形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項７～１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記開口は、前記少なくとも一方の金属層のうち前記第１堰止壁よりも前記表示領域側の部分から前記第１堰止壁と前記第２堰止壁との間の部分に亘って形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項７～１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記開口は、前記第１堰止壁に沿って互いに間隔をあけて複数形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
     
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