CN111244113B - 一种显示用基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示用基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决封装薄膜中的无机层在暴露出的走线边缘产生裂纹的问题，该显示用基板包括：衬底；多条走线；所述多条走线设置在所述衬底上；有机图案层；所述有机图案层覆盖在多条所述走线上，且所述有机图案层在所述非显示区具有隔断区，所述隔断区将多个走线段露出，每个所述走线段为一条所述走线的部分；辅助图案层；所述辅助图案层位于所述隔断区的部分区域中，且覆盖至少一个所述走线段在线宽方向上的部分或全部边缘，所述辅助图案层的材料为有机材料。

Description

一种显示用基板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示用基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置具有自发光、高亮度、窄边框以及可实现弯曲折叠的优点，因而成为目前显示装置的主流发展趋势。
目前，OLED显示装置中使用的有机发光材料和阴极材料对水和氧气特别敏感，过于潮湿或氧气含量过高都会影响OLED显示装置的使用寿命。为了隔绝水和氧气对OLED显示装置的影响，因而OLED显示装置通常采用TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封装技术)对其进行封装。
然而，为了切断OLED显示装置中易于传递水氧的有机层，会去除显示装置边缘的一部分有机层，即，在非显示区具有隔断区，这样一来，就会导致位于隔断区的走线暴露出来，又由于走线的边缘较锋利，进而导致封装薄膜中的无机层在暴露出的走线边缘产生裂纹。
发明内容
本申请的实施例提供一种显示用基板及显示装置，可以解决封装薄膜中的无机层在暴露出的走线边缘容易产生裂纹的问题。
为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
一方面、提供一种显示用基板，划分为显示区和非显示区；该显示基板包括：衬底；多条走线；所述多条走线设置在所述衬底上；有机图案层；所述有机图案层覆盖在多条所述走线上，且所述有机图案层在所述非显示区具有隔断区，所述隔断区将多个走线段露出，每个所述走线段为每条所述走线的部分；辅助图案层；所述辅助图案层位于所述隔断区的部分区域中，且覆盖至少一个所述走线段在线宽方向上的部分或全部边缘，所述辅助图案层的材料为有机材料。
在一些实施例中，所述辅助图案层包括沿所述隔断区的长度方向间隔分布的多条辅助线，每条所述辅助线覆盖至少一个所述走线段在线宽方向上的部分或全部边缘。
在一些实施例中，每条所述辅助线覆盖一个所述走线段在线宽方向上一侧的部分或全部边缘。
在一些实施例中，至少一个所述走线段中的每个所述走线段在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘分别被两条所述辅助线覆盖。
在一些实施例中，所述辅助线的宽度小于或等于10um。
在一些实施例中，沿所述走线段的线宽方向，所述辅助线的第一侧面的坡度角小于或等于45°，所述辅助线的第一侧面为位于所述走线段的边缘外侧的侧面。
在一些实施例中，多条所述走线包括至少两种类型的走线，同种类型的走线厚度相同，不同类型的走线厚度不同；所述辅助图案层覆盖同种类型且厚度最厚的走线。
在一些实施例中，所述有机图案层包括平坦层和像素界定层；所述显示用基板还包括隔垫物层；所述辅助图案层与所述平坦层、所述像素界定层以及所述隔垫物层中的至少一层同层设置。
在一些实施例中，所述显示用基板还包括：至少一条阻挡坝，所述阻挡坝包括：所述有机图案层中的部分图案和所述隔垫物层中的部分图案；所述隔断区位于所述阻挡坝的两侧。
另一方面、提供一种显示装置，包括上述的显示用基板，以及用于封装所述显示用基板的封装薄膜。
本发明实施例提供一种显示用基板，划分为显示区和非显示区；该显示用基板包括衬底、多条走线以及有机图案层；多条走线设置在衬底上；有机图案层覆盖在多条走线上，且有机图案层在非显示区具有隔断区，隔断区将多个走线段露出，每个走线段为一条走线的部分；显示用基板还包括辅助图案层，辅助图案层位于隔断区的部分区域中，且覆盖至少一个走线段在线宽方向上的部分或全部边缘，辅助图案层的材料为有机材料。由于本发明实施例提供的显示用基板包括辅助图案层，辅助图案层的材料为有机材料，而有机材料的韧性较好，因此在辅助图案层位于隔断区的部分区域中，且覆盖至少一个走线段在线宽方向上的部分或全部边缘时，可以使得辅助图案层包裹走线段的边缘，从而可以防止封装薄膜中的无机层在暴露出的走线边缘产生裂纹；此外，还能够保护走线边缘不被腐蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示用基板的区域划分示意图；
图3为本发明实施例图2中的D部区域的放大示意图一；
图4为本发明实施例提供的一种显示用基板的结构示意图；
图5为本发明实施例图2中的D部区域的放大示意图二；
图6为本发明实施图3在AA’向的剖面示意图；
图7为本发明实施图3在BB’向的剖面示意图一；
图8为本发明实施图3在BB’向的剖面示意图二；
图9为本发明实施图3中BB’向的剖面示意图三；
图10为本发明实施例图2中的D部区域的放大示意图三；
图11为本发明实施例图2中的D部区域的放大示意图四；
图12为本发明实施例图2中的D部区域的放大示意图五；
图13为本发明实施例图12在CC’向的剖面示意图。
附图标记：
01-显示区；02-非显示区；021-隔断区；1-显示用基板；2-封装薄膜；10-衬底；11-多条走线；12-有机图案层；13-辅助图案层；14-阻挡坝；15-第一侧面；100-薄膜晶体管；101-阳极；102-发光功能层；103-阴极；104-像素界定层；105-平坦层；106-隔垫物层；121-第一图案；122-第二图案；131-辅助线；21-无机封装薄膜；22-有机封装薄膜；23-无机封装薄膜。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本发明实施例提供一种显示装置，如图1所示，包括显示用基板1和用于封装显示用基板1的封装薄膜2。
本发明实施例提供的显示装置可以是有机电致发光显示装置；也可以是量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)。
对于封装薄膜2的层数不进行限定。封装薄膜2的层数可以是一层；也可以是两层或两层以上。在一些实施例中，如图1所示，封装薄膜2的层数为三层。
在封装薄膜2的层数为三层的情况下，可选的，封装薄膜2包括：位于中间的有机封装薄膜22，以及位于两侧的无机封装薄膜21和23。顾名思义，有机封装薄膜22的材料为有机材料，而有机材料的韧性较好，有利于显示装置实现弯曲显示；位于两侧的无机封装薄膜21和23的材料为无机材料，一方面，可以隔绝外界空气中的水氧；另一方面，可以保护有机封装薄膜22，防止位于有机封装薄膜22被划伤损坏。
此处，对于有机材料不进行限定，有机材料例如可以为PMMA(Polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)。对于无机材料不进行限定，示例的，无机材料可以为SiNx(氮化硅)、SiOx(氧化硅)或SiOxNy(氮氧化硅)中的一种或多种。
在此基础上，可以利用喷墨打印工艺(Ink Jet Printer，简称IJP)制作位于中间的有机封装薄膜22。此外，可以利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)分别制作位于两侧的无机封装薄膜21和23。
本发明实施例还提供一种显示用基板1，可以应用于上述的显示装置中。如图2和图3所示(图2和图3未示意出衬底)，图3为图2中的D部区域的放大图。显示用基板1划分为显示区01和非显示区02；该显示用基板1包括衬底、多条走线11以及有机图案层12；多条走线11设置在衬底上；有机图案层12覆盖在多条走线11上，且有机图案层12在非显示区02具有隔断区021，隔断区021将多个走线段110露出，每个走线段110为一条走线11的部分；显示用基板1还包括辅助图案层13，辅助图案层13位于隔断区021的部分区域中，且覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘，辅助图案层13的材料为有机材料。
如图4所示，上述的显示用基板1的每个亚像素P包括设置在衬底10上的发光器件和驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管100。发光器件包括阳极101、发光功能层102以及阴极103，阳极101和多个薄膜晶体管100中作为驱动晶体管的薄膜晶体管100的漏极电连接。显示用基板1还包括像素界定层104，像素界定层104包括多个开口区，一个发光器件设置在一个开口区中。在一些实施例中，发光功能层102包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层102除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(holetransporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。
如图4所示，显示用基板1还包括设置在驱动电路和阳极101之间的平坦层105以及设置在像素界定层104和阴极103之间的隔垫物层106。在一些实施例中，平坦层105和像素界定层104的材料为有机材料，对于有机材料不进行限定，例如可以为PMMA。
应当理解到，隔垫物层106包括多个隔垫物，在一些实施例中，隔垫物为柱状隔垫物。对于隔垫物层106包括的隔垫物的数量以及相邻两个隔垫物之间的间距不进行限定，可以根据显示用基板1的尺寸进行相应的设置。
本发明实施例中，有机图案层12包括平坦层105和像素界定层104。
对于隔断区021不进行限定。可选的，如图5所示，有机图案层12包括由显示区01延伸至非显示区02的第一图案121和位于非显示区02的第二图案122，第一图案121和第二图案122包括平坦层105和像素界定层104。在此情况下，参考图5可知，隔断区021为第一图案121与第二图案122之间的区域。
可选的，如图3所示，显示用基板1还包括至少一条阻挡坝14，阻挡坝14包括有机图案层12中的部分图案(第三图案)和隔垫物层106中的部分图案，隔断区021位于阻挡坝14的两侧。
在显示用基板1包括至少一条阻挡坝14时，对于阻挡坝14的数量不进行限定，可以根据需要进行设置。例如，阻挡坝14的数量为一个，一个阻挡坝14围绕显示装置的非显示区02边缘设置为一圈；又例如，阻挡坝14的数量为两个，两个阻挡坝14分别围绕显示装置的非显示区02的边缘设置为两圈。图2示出了两个阻挡坝14围绕显示装置的非显示区02的边缘设置为两圈。
在此基础上，示例的，在显示用基板1包括一条阻挡坝14，有机图案层12包括第一图案121和第二图案122的情况下，隔断区021的数量为两个，两个隔断区021分别为第一图案121与阻挡坝14之间的区域，以及阻挡坝14与第二图案122之间的区域。在显示用基板1包括两条阻挡坝14，有机图案层12包括第一图案121和第二图案122的情况下，参考图3可知，隔断区021的数量为三个，三个隔断区021分别为第一图案121与靠近第一图案121的阻挡坝14之间的区域；相邻两个阻挡坝14之间的区域以及靠近第二图案122的阻挡坝14与第二图案122之间的区域。
基于上述可知，由于位于中间的封装薄膜22的材料为有机材料，而有机材料在固化前为液态，流动性较好，这样一来，有机材料容易在封装薄膜22的边缘溢出，因此，在显示装置的边缘通常会制作阻挡坝14来阻挡封装薄膜2中位于中间层的封装薄膜22中的有机材料的流动，防止发生溢出。
在显示用基板1包括至少一条阻挡坝14的情况下，如图6所示，图6为图3在AA’向的剖面图。阻挡坝14包括平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106，在此基础上，阻挡坝14分别与平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106同层设置。由于阻挡坝14包括平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106三层有机材料层，因此阻挡坝14的膜层较厚，与其它有机图案层12之间会有凹槽，同时，为了切断显示装置中易于传递水氧的有机层，会去除阻挡坝14附近的有机层，这样一来，可以使得阻挡坝14与其它有机图案层12之间的凹槽更加明显，从而能够进一步阻挡封装薄膜2中位于中间的封装薄膜22的有机材料的流动，防止发生溢出。
需要说明的是，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
当需要形成的图案层的材料是光敏材料时，构图工艺可以只包括光刻工艺；当需要形成的图案层的材料不是光敏材料时，构图工艺可以包括：成膜、光刻工艺以及刻蚀步骤。当需要形成的图案层的材料是有机材料时，构图工艺可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括涂胶、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。
可选的，多条走线11包括至少两种类型的走线11，同种类型的走线11厚度相同，不同类型的走线11厚度不同；辅助图案层13覆盖同种类型且厚度最厚的走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘。
在多条走线11包括至少两种类型的走线11的情况下，可以是多条走线11包括两种类型的走线11；也可以是多条走线11包括三种或三种以上类型的走线11。
可选的，同种类型的走线11包括三层金属材料层，三层金属材料层中位于中间层的金属材料层的材料为铝(Al)，位于相对两侧的金属材料层的材料为钛(Ti)，可以记为Ti/Al/Ti结构。在此情况下，由于同种类型的走线11包括三层金属材料层，因而具有三层金属材料层的走线11的厚度最厚。在此基础上，由于Ti/Al/Ti结构的金属走线的厚度较厚，因而会导致金属走线边缘的坡度角较大，一般大于6 0°。
参考图4，需要说明的是，多条走线11设置在平坦层105与薄膜晶体管100之间(图4中未示意出走线11)，多条走线11包括栅线、数据线、与漏极电连接的引线(VDD)以及与源极电连接的引线(VSS)。在一些实施例中，VDD以及VSS同层设置，称为SD层(源漏层)。在此基础上，VDD和VSS走线包括三层金属材料层，因此，VDD和VSS走线为同种类型且厚度最厚的走线11，如图3所示，VDD和VSS走线各为两根，且左右对称设置。本发明实施例中，辅助图案层13位于隔断区021的部分区域中，且覆盖VDD和VSS的走线段在线宽方向上的部分或全部边缘；即，辅助图案层13覆盖暴露出的VDD和VSS走线。
此处，辅助图案层13位于隔断区021的部分区域中，即，辅助图案层13仅位于在隔断区021露出的多个走线段110的上方。在辅助图案层13覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘，可以是辅助图案层13覆盖一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘；也可以是辅助图案层13覆盖两个或两个以上的走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘。
在一些实施例中，辅助图案层13覆盖一个走线段110在线宽方向上的部分边缘，即，辅助图案层13覆盖一个走线段110时，辅助图案层13与第一图案121之间具有间隙，或者，辅助图案层13与第二图案122之间具有间隙。在另一些实施例中，辅助图案层13覆盖一个走线段110在线宽方向上的全部边缘。图3以辅助图案层13覆盖一个走线段110在线宽方向上的全部边缘为例进行示意。
需要说明的是，在辅助图案层13覆盖一个走线段110在线宽方向上的部分边缘的情况下，由于辅助图案层13覆盖一个走线段110时，辅助图案层13与第一图案121之间具有间隙，或者，辅助图案层13与第二图案122之间具有间隙，因而在确保辅助图案层13不会成为有机图案层12的水氧通路的前提下，还可以使得辅助图案层13包裹走线11的边缘。
此外，对于辅助图案层13包括的层数不进行限定。示例的，如图7所示，辅助图案层13仅包括一层结构；或者，如图8所示，辅助图案层13包括两层结构；又或者，如图9所示，辅助图案层13包括三层结构。在此基础上，对于辅助图案层13的设置方式不进行限定。在一些实施例中，辅助图案层13单独制作。在另一些实施例中，辅助图案层13可以与平坦层105、像素界定层104以及隔垫物层106中的至少一层同层设置。
在辅助图案层13与平坦层105、像素界定层104以及隔垫物层106中的至少一层同层设置的情况下，在一些实施例中，辅助图案层13包括一层结构，在此基础上，示例的，辅助图案层13可以与平坦层105同层设置；或者，辅助图案层13可以与像素界定层104同层设置；又或者，辅助图案层13可以与隔垫物层106同层设置，附图7以辅助图案层13与平坦层105同层设置为例进行示意。在另一些实施例中，辅助图案层13包括两层结构，在此基础上，示例的，辅助图案层13可以与平坦层105和像素界定层104同层设置；或者，辅助图案层13可以与像素界定层104和隔垫物层106同层设置；又或者，辅助图案层13可以与平坦层105和隔垫物层106同层设置，附图8以辅助图案层13与平坦层105和像素界定层104同层设置为例进行示意。在另一些实施例中，辅助图案层13包括三层结构，在此基础上，示例的，辅助图案层13分别与平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106同层设置。
应当理解到，由于本发明实施例中的阻挡坝14包括三层有机材料层，且分别与平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106同层设置，而辅助图案层13与平坦层105、像素界定层104以及隔垫物层106中的至少一层同层设置，因此，在隔断区021中位于阻挡坝14位置处的走线11不需要再次覆盖辅助图案层13。即，阻挡坝14可以代替辅助图案层13来覆盖走线11，从而也可以防止封装薄膜2中的无机层在暴露出的走线11边缘产生裂纹。
本发明实施例提供一种显示用基板1，划分为显示区01和非显示区02；该显示用基板1包括衬底、多条走线11以及有机图案层12；多条走线11设置在衬底上；有机图案层12覆盖在多条走线11上，且有机图案层12在非显示区02具有隔断区021，隔断区021将多个走线段110露出，走线段110为走线11的部分；显示用基板1还包括辅助图案层13，辅助图案层13位于隔断区021的部分区域中，且覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘，辅助图案层13的材料为有机材料。由于本发明实施例提供的显示用基板1包括辅助图案层13，辅助图案层13的材料为有机材料，而有机材料的韧性较好，因此在辅助图案层13位于隔断区021的部分区域中，且覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘时，可以使得辅助图案层13包裹走线段110的边缘，从而可以防止封装薄膜2中的无机层在暴露出的走线边缘产生裂纹；此外，还能够保护走线11边缘不被腐蚀。
可选的，如图10所示，辅助图案层13包括沿隔断区021的长度方向间隔分布的多条辅助线131，每条辅助线131覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘。
此处，每条辅助线131覆盖至少一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘可以是每条辅助线131仅覆盖一个走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘；也可以是每条辅助线131覆盖两个或两个以上的走线段110在线宽方向上的部分或全部边缘。图10以每条辅助线131覆盖一个走线段110在线宽方向上的全部边缘为例进行示意。
可选的，如图11所示，每条辅助线131覆盖一个走线段110在线宽方向上一侧的部分或全部边缘。
图11中以隔断区021包括四个走线段110，四条辅助线131覆盖四个走线段110在线宽方向上一侧的全部边缘为例进行示意。
可选的，如图12所示，至少一个走线段110中的每个走线段110在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘分别被两条辅助线131覆盖。
基于上述可知，在每个走线段110在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘分别被两条辅助线131覆盖的情况下，则两个走线段110在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘需要被四条辅助线131覆盖；而四个走线段110在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘需要八条辅助线131覆盖。图10以四个走线段110在线宽方向上相对两侧的全部边缘被八条辅助线131覆盖为例进行示意。
考虑到若辅助线131的宽度L较宽(例如宽度L大于10um)时，则会导致辅助线131成为有机图案层12中的第一图案121和第二图案122之间的水氧通路，这样一来，就会使得外界环境的水氧经过辅助线131后传递到有机图案层12中，导致显示装置的寿命减少。因此，在一些实施例中，辅助线131的宽度L小于等于10um。
此处，辅助线131的宽度L可以为5um、8um、10um。
本发明实施例中，由于辅助线131的宽度小于等于10um，因而在防止有机图案层12成为水氧通路的同时，还能够确保走线11的边缘不被腐蚀，并且利用辅助线131覆盖走线11边缘，可以进一步防止封装薄膜2中的无机层在暴露出的走线11的边缘产生裂纹。
可选的，如图13所示，沿走线段110的线宽方向，辅助线131的第一侧面15的坡度角θ小于或等于45°，辅助线131的第一侧面15为位于走线段110的边缘外侧的侧面。
此处，沿走线段110的线宽方向，辅助线131的第一侧面15的坡度角θ可以为20°、30°、40°、45°。
本发明实施例中，由于沿走线段110的线宽方向，辅助线131的第一侧面15的坡度角小于或等于45°，因此，通过辅助线131来覆盖走线11的边缘时，辅助线131能够减缓走线11边缘的坡度角，因而能够进一步防止封装薄膜2中位于两侧的无机层在暴露出的走线11边缘发生膜层分离以及产生裂纹。
需要说明的是，在辅助线131包括两层或三层结构时，位于最外侧的膜层的第一侧面15的坡度角小于或等于45°。示例的，辅助线131包括两层结构，在辅助线131包括平坦层105和像素界定层104的情况下，沿走线段110的线宽方向，像素界定层104的第一侧面15的坡度角小于或等于45°；在辅助线131包括像素界定层104和隔垫物层106的情况下，沿走线段110的线宽方向，隔垫物层106的第一侧面15的坡度角小于或等于45°；在辅助线131包括平坦层105和隔垫物层106的情况下，沿走线段110的线宽方向，隔垫物层106的第一侧面15的坡度角小于或等于45°。又例如，辅助线131包括三层结构，即，辅助线131包括平坦层105、像素界定层104和隔垫物层106，在此情况下，沿走线段110的线宽方向，隔垫物层106的第一侧面15的坡度角小于或等于45°。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示用基板，划分为显示区和非显示区；其特征在于，包括：
衬底；
多条走线；所述多条走线设置在所述衬底上；
有机图案层；所述有机图案层包括由所述显示区延伸至所述非显示区的第一图案；所述有机图案层覆盖在多条所述走线上；
至少一条阻挡坝，与所述第一图案间隔设置；所述有机图案层在所述非显示区具有隔断区，所述隔断区位于所述阻挡坝的两侧，所述隔断区将多个走线段露出，每个所述走线段为一条所述走线的部分；
辅助图案层；所述辅助图案层位于所述隔断区的部分区域中，且覆盖至少一个所述走线段在线宽方向上的部分或全部边缘，所述辅助图案层的材料为有机材料。
2.根据权利要求1所述的显示用基板，其特征在于，所述辅助图案层包括沿所述隔断区的长度方向间隔分布的多条辅助线，每条所述辅助线覆盖至少一个所述走线段在线宽方向上的部分或全部边缘。
3.根据权利要求2所述的显示用基板，其特征在于，每条所述辅助线覆盖一个所述走线段在线宽方向上一侧的部分或全部边缘。
4.根据权利要求3所述的显示用基板，其特征在于，至少一个所述走线段中的每个所述走线段在线宽方向上相对两侧的部分或全部边缘分别被两条所述辅助线覆盖。
5.根据权利要求2-4任一项所述的显示用基板，其特征在于，所述辅助线的宽度小于或等于10um。
6.根据权利要求2-4任一项所述的显示用基板，其特征在于，沿所述走线段的线宽方向，所述辅助线的第一侧面的坡度角小于或等于45°，所述辅助线的第一侧面为位于所述走线段的边缘外侧的侧面。
7.根据权利要求1所述的显示用基板，其特征在于，多条所述走线包括至少两种类型的走线，同种类型的走线厚度相同，不同类型的走线厚度不同；
所述辅助图案层覆盖同种类型且厚度最厚的走线段在线宽方向上的部分或全部边缘。
8.根据权利要求1所述的显示用基板，其特征在于，所述有机图案层包括平坦层和像素界定层；所述显示用基板还包括隔垫物层；
所述辅助图案层与所述平坦层、所述像素界定层以及所述隔垫物层中的至少一层同层设置。
9.根据权利要求8所述的显示用基板，其特征在于，所述阻挡坝包括：所述有机图案层中的部分图案和所述隔垫物层中的部分图案。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示用基板，以及用于封装所述显示用基板的封装薄膜。
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CN113937109B (zh) * 2021-09-30 2022-09-20 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置、制备方法及掩膜版

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CN106252380B (zh) * 2016-08-31 2020-04-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示面板及装置
CN107819013B (zh) * 2017-10-26 2020-01-21 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108448010B (zh) * 2018-05-11 2021-04-23 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示终端
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