CN107393947B - 显示基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板的制造方法，属于显示技术领域。所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT；在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域；在所述镂空区域内形成隔垫物材料；剥离所述光刻胶图案，以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案。本发明解决了相关技术中制造显示基板时可能导致显示装置上的像素亮度不均，影响显示装置的图像显示稳定性的问题。本发明用于显示基板的制造。

Description

显示基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示装置是一种具有自主发光功能的显示装置。OLED显示装置中包括以矩阵形式排列的多个像素，OLED显示装置按照其像素的驱动方式可以分为有源矩阵有机发光二极管(英文：ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode；简称：AMOLED)显示装置和无源矩阵有机发光二极管(英文：Passive matrix Organic Light-Emitting Diode；简称：PMOLED)显示装置，其中，AMOLED显示装置以其厚度薄、重量轻、主动发光、响应速度快，视角广，色彩丰富以及高亮度、低功耗、耐高低温等优点广泛应用于显示行业。
AMOLED显示装置通常可以包括显示基板，显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)，显示基板还包括在设置有多个TFT的衬底基板上依次设置的平坦层、像素限定层和隔垫物图案。
相关技术中，制备显示基板中的隔垫物图案的方法一般包括：在设置有像素限定层的衬底基板上涂覆隔垫物材料以设置隔垫物层，通过紫外光采用掩模板对涂覆有隔垫物层的衬底基板进行曝光，设置隔垫物图案。
但是，相关技术中在制备隔垫物图案时，由于隔垫物材料一般为有机树脂材料，且隔垫物层的厚度较大，而隔垫物图案的面积较小，所需曝光的面积较大，因此对隔垫物层进行曝光处理时所需的紫外光的曝光能量较大，并且紫外光照射到TFT中的有源层时，会使TFT特性漂移(也即是多个TFT的阈值电压的大小可能不同)，影响TFT的阈值电压。在显示图像时，若在多个TFT上加载相同的电压，由于多个TFT的阈值电压不同，经过该多个TFT对应的像素的电流也不同，导致显示装置上的像素亮度不均，影响显示装置的图像显示稳定性。
发明内容
为了解决相关技术中制造显示基板时可能导致显示装置上的像素亮度不均，影响显示装置的图像显示稳定性的问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法。所述技术方案如下：
提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT；
在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域；
在所述镂空区域内形成隔垫物材料；
剥离所述光刻胶图案，以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案。
可选的，所述在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案，包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶；
通过紫外光采用掩模板，对涂覆有所述光刻胶的衬底基板进行曝光；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述光刻胶图案。
可选的，在所述剥离所述光刻胶图案，以形成所述隔垫物图案之前，所述方法还包括：
采用预设的温度对所述隔垫物材料进行烘烤。
可选的，所述预设的温度的范围为200℃～300℃。
可选的，所述在所述镂空区域内形成隔垫物材料，包括：
在所述光刻胶图案上涂覆隔垫物材料。
可选的，所述在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案，包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上形成平坦层；
在形成有所述平坦层的衬底基板上形成像素限定层；
在形成有所述像素限定层的衬底基板上形成所述光刻胶图案。
可选的，所述在所述衬底基板上形成TFT，包括：
在所述衬底基板上形成有源层；
在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成栅绝缘层、栅极和源漏极图案，所述源漏极图案包括源极和漏极。
可选的，所述有源层为多晶硅P-Si层。
可选的，所述镂空区域包括呈圆台状或棱台状的镂空孔。
可选的，所述隔垫物图案的厚度为1微米～2微米。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的显示基板的制造方法，在形成隔垫物图案时，首先在形成有TFT的衬底基板上形成包括用于形成隔垫物图案的镂空区域的光刻胶图案，再在形成有光刻胶图案的衬底基板上形成隔垫物材料，剥离该光刻胶图案以形成隔垫物图案，由于在形成光刻胶图案时，光刻胶的感光性好，因此所需的紫外光的曝光能量较小，可减少照射到TFT中的有源层上的紫外光，从而保证了显示基板的稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
图3是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图4-1是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图4-2是本发明实施例提供的另一种掩膜板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种形成隔垫物图案的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
目前，制造显示基板时可能导致显示装置上的像素亮度不均，影响显示装置的图像显示稳定性，为了解决这一问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，如图1所示，该方法可以包括：
步骤101、提供衬底基板。
步骤102、在衬底基板上形成TFT。
步骤103、在形成有TFT的衬底基板上形成光刻胶图案，该光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域。
步骤104、在镂空区域内形成隔垫物材料。
步骤105、剥离光刻胶图案，以使镂空区域内的隔垫物材料形成隔垫物图案。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，在形成隔垫物图案时，首先在形成有TFT的衬底基板上形成包括用于形成隔垫物图案的镂空区域的光刻胶图案，再在形成有光刻胶图案的衬底基板上形成隔垫物材料，剥离该光刻胶图案以形成隔垫物图案，由于在形成光刻胶图案时，光刻胶的感光性好，因此所需的紫外光的曝光能量较小，可减少照射到TFT中的有源层上的紫外光，从而保证了显示基板的稳定性。
本发明实施例提供了另一种显示基板的制造方法，如图2所示，该方法可以包括：
步骤201、提供衬底基板。
可选的，该衬底基板可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料制成，优选的，衬底基板由玻璃制成。
步骤202、在衬底基板上形成TFT。
可选的，在衬底基板上形成TFT可以包括：在衬底基板上形成有源层；在形成有有源层的衬底基板上依次形成栅绝缘层、栅极和源漏极图案，该源漏极图案包括源极和漏极。
其中，栅绝缘层可以由氮化硅制成，栅极和源漏极图案可以由铝或钼制成，有源层可以为多晶硅(英文：Polycrystal Silicon；简称：P-Si)层。
具体的，可以在衬底基板上沉积、涂敷或溅射P-Si，再通过一次构图工艺形成有源层；进一步的，在有源层上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的一种形成栅绝缘层膜层，再对该栅绝缘层膜层通过一次构图工艺形成栅绝缘层；再进一步的，在栅绝缘层上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的一种形成栅极层，再对该栅极层通过一次构图工艺形成栅极；再进一步的，在栅极上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的一种形成源漏极层，再对该源漏极层通过一次构图工艺形成源漏极图案。一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
示例的，如图3所示，显示基板包括衬底基板301，衬底基板301上设置有TFT302。
步骤203、在形成有TFT的衬底基板上形成平坦层。
进一步的，如图3所示，设置有TFT302的衬底基板301上设置有平坦层303。可选的，平坦层可以由氮化硅制成。
步骤204、在形成有平坦层的衬底基板上形成像素限定层。
该像素限定层可以用于限定有机发光元件的发光区域的开口。
再进一步的，如图3所示，设置有平坦层303的衬底基板301上设置有像素限定层304。
步骤205、在形成有像素限定层的衬底基板上形成光刻胶图案，该光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域。
可选的，在形成有像素限定层的衬底基板上形成光刻胶图案可以包括：在形成有TFT的衬底基板上涂覆光刻胶；通过紫外光采用掩模板，对涂覆有光刻胶的衬底基板进行曝光；对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到光刻胶图案。
当该光刻胶为正性光刻胶时，通过紫外光采用掩膜板的透光区域，对涂覆有光刻胶的衬底基板进行曝光，该掩膜板的结构图可以如图4-1所示；当该光刻胶为负性光刻胶时，通过紫外光采用掩膜板的不透光区域，对涂覆有光刻胶的衬底基板进行曝光，该掩膜板的结构图可以如图4-2所示。在图4-1和图4-2中，区域M为掩膜板的透光区域，区域N为掩膜板的不透光区域。
可选的，该镂空区域可以包括呈圆台状或棱台状的镂空孔。其中，形成的光刻胶图案的厚度可以为1微米～2微米。
步骤206、在镂空区域内形成隔垫物材料。
可选的，可以在光刻胶图案上涂覆隔垫物材料，也可以采用沉积或溅射等方式在光刻胶图案的镂空区域内填充隔垫物材料，本发明实施例对在镂空区域内形成隔垫物材料的方式不做限定。
其中，隔垫物材料可以为溶有树脂材料的有机溶液。
步骤207、采用预设的温度对隔垫物材料进行烘烤。
可选的，预设的温度的范围为200℃～300℃，优选为230℃。
由于隔垫物材料为溶有树脂材料的有机溶液，在光刻胶图案上涂覆该隔垫物材料后，对隔垫物材料进行烘烤，可以蒸发有机溶液，留下固态的树脂材料，从而保证形成的隔垫物图案对显示基板起到良好的支撑作用。
步骤208、剥离光刻胶图案，以使镂空区域内的隔垫物材料形成隔垫物图案。
可选的，隔垫物图案的厚度可以为1微米～2微米。
再进一步的，如图3所示，设置有像素限定层304的衬底基板301上设置有隔垫物图案305。
本发明实施例以采用正性光刻胶为例进行说明，图5是在形成有TFT302、平坦层303和像素限定层304的衬底基板301上形成隔垫物图案的工艺流程图，如图5所示，该工艺流程包括：
S1、在形成有TFT302、平坦层303和像素限定层304的衬底基板301上形成光刻胶层A。
可选的，可以采用涂覆光刻胶的方式形成光刻胶层A。
S2、在光刻胶层A上设置掩膜板B，通过紫外光采用掩膜板B的透光区域对光刻胶层进行曝光。
S3、对曝光后的光刻胶层A进行显影、刻蚀得到光刻胶图案A’。
S4、在光刻胶图案A’上形成隔垫物材料C。
可选的，如图5所示，在光刻胶图案的镂空区域内形成隔垫物材料C；另外，也可以采用涂覆的方式在光刻胶图案上形成整层隔垫物材料。
S5、在对隔垫物材料C进行烘烤后，剥离光刻胶图案A’，得到隔垫物图案305。
相关技术中，在制备隔垫物图案时，采用紫外光对隔垫物材料进行曝光的曝光面积大于涂覆的隔垫物层的面积的95％，单位面积的曝光能量大于100兆焦耳(英文：megajoule；简称：mJ)；本发明实施例中，采用光刻胶图案来制备隔垫物图案，如图5所示，在采用紫外光对光刻胶层进行曝光时，曝光面积远小于涂覆的光刻胶层的面积，一般曝光面积小于涂覆的光刻胶层的面积的5％，单位面积的曝光能量约为30mJ，可极大地减少照射到TFT中的有源层上的紫外光，从而有效保证了显示基板的稳定性。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，在形成隔垫物图案时，首先在形成有TFT的衬底基板上形成包括用于形成隔垫物图案的镂空区域的光刻胶图案，再在形成有光刻胶图案的衬底基板上形成隔垫物材料，剥离该光刻胶图案以形成隔垫物图案，由于在形成光刻胶图案时，光刻胶的感光性好，因此所需的紫外光的曝光能量较小，可减少照射到TFT中的有源层上的紫外光，从而保证了显示基板的稳定性。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT；
在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶；
通过紫外光采用掩模板，对涂覆有所述光刻胶的衬底基板进行曝光，其中，曝光面积小于涂覆的所述光刻胶的面积的5％，单位面积的曝光能量小于或等于100兆焦耳；
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到光刻胶图案，所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域，所述镂空区域包括呈圆台状或棱台状的镂空孔，所述镂空孔中靠近所述衬底基板的开口大于远离所述衬底基板的开口；
在所述镂空区域内涂覆隔垫物材料，所述隔垫物材料包括溶有树脂材料的有机溶液；
采用预设的温度对所述隔垫物材料进行烘烤，所述预设的温度的范围为200℃～300℃；
剥离所述光刻胶图案，以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案，所述隔垫物图案的厚度为1微米～2微米。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶，包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上形成平坦层；
在形成有所述平坦层的衬底基板上形成像素限定层；
在形成有所述像素限定层的衬底基板上涂覆所述光刻胶。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成TFT，包括：
在所述衬底基板上形成有源层；
在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成栅绝缘层、栅极和源漏极图案，所述源漏极图案包括源极和漏极。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有源层为多晶硅P-Si层。
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