JP2008146992A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】額縁サイズの増大を抑制しつつ、有機ＥＬ素子の劣化及び損傷を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示エリア１０１に表示素子を備えたアレイ基板１０１を用意する工程と、表示エリア１０１よりも大きなサイズの凹部２１０及びこの凹部２１０の縁に沿って溝部Ｇを有する封止基板２００を用意する工程と、封止基板２００の溝部Ｇに乾燥剤５００を配置する工程と、乾燥剤５００よりも外方に塗布したシール材４００によりアレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合せる工程と、を備え、封止基板２００を用意する工程は、ガラス基板２０１を用意する工程と、このガラス基板２０１をケミカルエッチング法により加工して凹部２１０を形成する工程と、凹部２１０の縁をサンドブラスト法により加工して溝部Ｇを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

この発明は、表示装置の製造方法に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置の製造方法に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子の表示素子を備えて構成されていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。

これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、表示素子として、基板上において陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む光活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えている。光活性層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいる。

しかしながら、有機ＥＬ素子に用いられる材料には、水分により劣化しやすいものが含まれ、基板上に有機ＥＬ素子を形成しただけの構成の場合、短時間のうちにダークスポット、画素シュリンケージと呼ばれる点灯しない領域が発生し、また、このような領域が拡大して商品として使用できない状態になってしまう。

そこで、有機ＥＬ表示装置内の水分を除去するための乾燥剤を有機ＥＬ素子上に設置した基板を用意し、有機ＥＬ素子が配置された基板と封止基板とをシール材を介して貼り合わせることにより水分による劣化を防止する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−２９９０４０号公報

近年、有機ＥＬ素子から放射された放射光を有機ＥＬ素子の上面側すなわち封止基板側から取り出すトップエミッションタイプの開発が進められている。しかしながら、乾燥剤として適用される材料は、一般的に十分な光透過性を有していない。このため、有機ＥＬ素子から放射された放射光を有機ＥＬ素子の下面側すなわちアレイ基板側から取り出すボトムエミッションタイプを適用した場合のように、表示エリアにわたって乾燥剤を配置することは困難である。

また、表示エリアの周辺に乾燥剤を配置する場合、額縁サイズの増大を招くことから、必要以上に幅広な乾燥剤を配置することは望ましくない。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、額縁サイズの増大を抑制しつつ、有機ＥＬ素子の劣化及び損傷を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

この発明の態様による表示装置の製造方法は、
表示エリアに表示素子を備えたアレイ基板を用意する工程と、
表示エリアよりも大きなサイズの凹部及びこの凹部の縁に沿って溝部を有する封止基板を用意する工程と、
前記封止基板の溝部に乾燥剤を配置する工程と、
前記乾燥剤よりも外方に塗布したシール材により前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せる工程と、を備え、
前記封止基板を用意する工程は、
ガラス基板を用意する工程と、
このガラス基板をケミカルエッチング法により加工して前記凹部を形成する工程と、
前記凹部の縁をサンドブラスト法により加工して前記溝部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

この発明によれば、額縁サイズの増大を抑制しつつ、有機ＥＬ素子の劣化及び損傷を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１００と、アレイ基板１００に対向して配置された封止基板２００とを備えて構成されている。この有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する略矩形状の表示エリア１０１を有している。表示エリア１０１は、マトリクス状に配置された複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。封止基板２００は、少なくとも表示エリア１０１を密封するようにシール材４００を介してアレイ基板１００に貼り合せられている。

アレイ基板１００上において、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、例えば、画素スイッチ１０、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０などを備えて構成されている。これらの画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。

表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

また、アレイ基板１００は、色画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）、有機ＥＬ素子４０に電源を供給するための電源供給線Ｐなどを備えている。

さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０１の外側に位置する周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７の少なくとも一部、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８の少なくとも一部などを備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一である。すなわち、図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面側に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。

有機ＥＬ素子４０は、色画素ＰＸ毎に独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され（すなわち第１電極６０よりも封止基板２００側に配置され）複数の色画素ＰＸに共通に配置された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された光活性層６４と、によって構成されている。

有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０上に配置されている。トップエミッションタイプを採用した構成では、この第１電極６０は、光反射性を有する導電材料を用いて形成されることが望ましいが、光透過性を有する導電材料を用いて第１電極６０を形成した場合には、第１電極６０の配線基板１２０側に光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射面と組み合わせればよい。

光活性層６４は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層６４Ａを含んでいる。この光活性層６４は、発光層６４Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この光活性層６４は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。光活性層６４においては、発光層６４Ａが有機系材料であればよく、発光層６４Ａ以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。光活性層６４において、発光層６４Ａ以外の機能層は共通層であってもよく、図２に示した例では、発光層６４Ａの第１電極６０側及び第２電極６６側にそれぞれ共通層が配置されている。一方の共通層は、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、他方の共通層は、ブロッキング層及び電子輸送層を含んでいる。発光層６４Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。

第２電極６６は、各色画素の光活性層６４上に配置されている。トップエミッションタイプを採用した構成では、この第２電極６６は、光透過性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などを用いて形成されている。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０１において、少なくとも隣接する色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、例えば各第１電極６０の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁７０の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁７０は、例えば樹脂材料によって形成される。

有機ＥＬ表示装置１は、さらに、図３及び図４に示すように、乾燥剤５００を備えている。このような乾燥剤５００としては、光透過性に乏しい材料が選択されることが多いことから、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子４０の放射面側、すなわち封止基板２００側に配置するには不向きである。つまり、封止基板２００の表示エリア１０１に対応する領域にわたって乾燥剤５００を配置すると、有機ＥＬ素子４０からの光取出効率が低下する。

このため、乾燥剤５００は、シール材４００によってシールされているシール空間内（アレイ基板１００と封止基板２００との間のシール材４００によって囲まれた空間内）に備えられ、しかも、表示エリア１０１の外方に配置されている。このような配置に適した乾燥剤５００としては、シート状のものや液状（ペースト状）のものなどがある。シート状の乾燥剤は、人手によって貼付される。また、液状の乾燥剤材料は、ディスペンサなどを利用して塗布される。このような乾燥剤５００としては、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）といった酸化物の粉末などを溶媒に溶かして液状としたものが適用可能である。

ところで、上述したような乾燥剤５００の配置方法については種々検討されている。例えば、図５に示すように、封止基板２００において、表示エリア１０１の外方に溝部Ｇを設け、この溝部Ｇに乾燥剤５００を配置する配置方法がある。このような溝部Ｇは、封止基板２００としてガラス基板２０１を適用し、サンドブラスト法により、ガラス基板２０１を研削することにより形成可能である。このような溝部Ｇに液状の乾燥剤材料を塗布することにより、表示エリア１０１の外方に乾燥剤５００を配置することが可能である。

一方で、アレイ基板１００側の有機ＥＬ素子４０と封止基板２００との接触による、有機ＥＬ素子４０の損傷を防止することが望まれている。このため、図６及び図７に示すように、有機ＥＬ素子４０が配置される表示エリア１０１に対応して、その表示エリア１０１よりも大きなサイズの凹部２１０を有する封止基板２００を用意し、この封止基板２００において、表示エリア１０１の外方に乾燥剤５００を配置する方法がある。このとき、凹部２１０は、表示エリア１０１に対応するため、凹部２１０の底面２１１は有機ＥＬ素子４０から発光された光が十分に高い透過率で透過するように平滑であることが望ましい。

このため、凹部２１０を形成するための加工法としては、ケミカルエッチング法で加工することが望ましい。つまり、凹部２１０は、封止基板２００としてガラス基板２０１を適用し、ケミカルエッチング法により、ガラス基板２０１を研削することにより形成可能である。

しかしながら、このようなケミカルエッチング法によりガラス基板２０１を研削した場合、加工部周辺にテーパー形状部が形成される。すなわち、凹部２１０の底面２１１とガラス基板２０１の接合面（すなわちシール材４００を介してアレイ基板１００と接合される面）２２１とをつなぐ端面２１２は、底面２１１及び接合面２２１のいずれにも直交しない傾斜面となる。

図６に示すように、シート状の乾燥剤５００を適用する場合、端面２１２には貼付できないため、端面近傍の底面２１１に貼付される。このとき、乾燥剤５００を表示エリア１０１の外方に配置する必要があるため、端面２１２と表示エリア１０１との間に乾燥剤５００を配置するスペースを確保する必要があり、額縁サイズの増大を招く。

また、図７に示すように、液状の乾燥剤材料を塗布する場合、端面２１２に液状乾燥剤材料を塗布すると、底面２１１に向かって乾燥剤材料が流れ出し、表示エリア１０１まで広がってしまうおそれがある。このため、端面２１２と表示エリア１０１との間に乾燥剤材料の広がりを許容するスペースを確保する必要があり、額縁サイズの増大を招く。

そこで、この実施の形態においては、表示エリア１０１よりも大きなサイズの凹部２１０及びこの凹部２１０の縁に沿って溝部Ｇを有する封止基板２００を適用し、溝部Ｇに乾燥剤５００を配置している。

すなわち、図３及び図４に示すように、アレイ基板１００は、表示エリア１０１において、配線基板１２０の主面側に表示素子部５０を備えている。この表示素子部５０は、上述したようなマトリクス状に配置されたトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子４０を含んでいる。

封止基板２００は、アレイ基板１００の表示素子部５０に対向するように配置されている。また、封止基板２００は、表示エリア１０１よりも大きなサイズに形成された凹部２１０及びこの凹部２１０の縁に沿って溝部Ｇを有している。つまり、凹部２１０は、封止基板２００をアレイ基板１００に対向配置した際に、表示素子部５０が配置されている領域よりも大きな領域にわたって対向する肉薄部として形成されている。溝部Ｇは、凹部２１０として形成された領域の縁の少なくとも一部に形成され、封止基板２００において最も肉薄な部分に相当する。なお、図３及び図４に示した例では、溝部Ｇは、表示エリア１０１を囲むように形成されている。

また、封止基板２００は、肉厚部に相当するフレーム状の接合部２２０を有している。この実施の形態においては、接合部２２０は、封止基板２００の最外周に相当する。接合部２２０において、凹部２１０より突出した面は、シール材４００を介してアレイ基板１００と接合される接合面２２１に相当する。

乾燥剤５００は、封止基板２００の溝部Ｇに配置されている。すなわち、溝部Ｇは、凹部２１０における表示エリア１０１よりも外方、且つ、接合部２２０よりも内方に形成されている。このため、この溝部Ｇに配置された乾燥剤５００は、表示エリア１０１と干渉することはない。これにより、表示エリア１０１に配置された有機ＥＬ素子４０からの放射光の乾燥剤５００での吸収及び散乱を防止することが可能となる。

このようなアレイ基板１００及び封止基板２００は、乾燥剤５００よりも外方に塗布されたシール材４００によって貼り合わせられている。すなわち、封止基板２００の凹部２１０をアレイ基板１００の表示素子部５０に対向配置した状態で、アレイ基板１００と封止基板２００の接合部２２０とが接合されている。これにより、表示素子部５０への封止基板２００の接触が避けられ、表示素子部５０を構成する有機ＥＬ素子４０の損傷を防止することが可能となる。

また、乾燥剤５００は、封止基板２００において、表示エリア１０１より外方の限られたスペースに形成された溝部Ｇに配置されている。このため、封止基板２００に乾燥剤５００を配置する上で、傾斜面を避けるあるいは広がり許容するためのスペースを表示エリア１０１の外方に確保する必要がなく、狭額縁の封止基板２００を適用することが可能となり、表示装置の狭額縁化が可能となる。

次に、このような表示装置の製造方法について説明する。

まず、上述したような凹部２１０及び溝部Ｇを有する封止基板２００を用意する。

すなわち、図８Ａに示すように、ガラス基板２０１を用意する。ここでは、板厚が例えば０．７ｍｍのガラス基板を用意する。

そして、図８Ｂに示すように、このガラス基板２０１をケミカルエッチング法により加工して凹部２１０を形成する。すなわち、この工程においては、用意したガラス基板２０１の一方の主面の全体及び他方の主面の一部（例えば、ガラス基板２０１の最外周に沿ったフレーム状）にレジストを配置する。その後、このレジスト処理されたガラス基板２０１を研磨液、例えばフッ化水素酸が含まれる溶液の中に１０分程度浸漬する。これにより、ガラス基板２０１の略中央部が研削され、略矩形状の凹部２１０が形成される。この実施の形態では、研削量、すなわちガラス基板２０１の主面２０１Ａから凹部２１０の底面２１１までの深さＤ１は０．１ｍｍとした。このとき、底面２１１は、平滑面となっていた。また、ガラス基板２０１において、レジストによって研削されずに残った肉厚部は、接合部２２０となり、ガラス基板２０１の主面２０１Ａが接合面２２１に相当する。この接合面２２１と底面２１１とをつなぐフレーム状の端面２１２は、傾斜面となっていた。

そして、図８Ｃに示すように、凹部２１０の縁をサンドブラスト法により加工して溝部Ｇを形成する。すなわち、この工程においては、ケミカルエッチング処理されたガラス基板２０１における凹部２１０の底面２１１及び接合面２２１にレジストを配置する。つまり、端面２１２がレジストから露出した状態のガラス基板２０１を用意する。その後、端面２１２に向けてシリカ系研磨材を吹き付ける。これにより、ガラス基板２０１における凹部２１０の縁が研削され、溝部Ｇが形成される。この実施の形態では、研削量、すなわちガラス基板２０１の主面２０１Ａから溝部Ｇの底面ＧＡまでの深さＤ２は０．３ｍｍとし、また、溝部Ｇの幅Ｗは０．６ｍｍとした。

このような工程を経て、図８Ｄに示すような封止基板２００が完成する。

続いて、図９Ａに示すように、略矩形状の表示エリア１０１にトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子４０を備えたアレイ基板１００を用意する。すなわち、この工程においては、支持基板上に各種配線などを形成して配線基板１２０を形成する工程、配線基板１２０上において表示エリア１０１の画素毎に第１電極６０を形成する工程、第１電極６０上に光活性層６４を形成する工程、光活性層６４上に光透過性を有する第２電極６６形成する工程などが含まれている。

続いて、図９Ｂに示すように、封止基板２００において、溝部Ｇに乾燥剤５００を配置する。すなわち、この工程は、溝部Ｇに液状の乾燥剤材料を塗布しても良いし、溝部Ｇにシート状の乾燥剤を貼付することによってなされてもよい。液状の乾燥剤材料を塗布する場合、塗布された乾燥剤材料は溝部Ｇに収まるため、周囲に流れ出すことはない。また、シート状の乾燥剤を貼付する場合であっても、溝部Ｇに確実に収まる。

続いて、図９Ｃに示すように、封止基板２００において、乾燥剤５００が塗布された領域よりも外方に相当する接合面２２１にシール材４００を塗布する。このシール材４００は、例えば紫外線硬化型樹脂などを含んでいる。

続いて、図９Ｄに示すように、アレイ基板１００と封止基板２００とをシール材４００により貼り合せる。すなわち、アレイ基板１００を封止基板２００側に向けて加圧しながら、シール材４００に紫外線を照射して、シール材４００を硬化させる。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００の接合部２２０とが貼り合せられる。

このようにして製造された有機ＥＬ表示装置によれば、乾燥剤５００と表示エリア１０１とが重ならず、表示エリア１０１の全面において表示された画像を視認することができた。また、封止基板２００における凹部２１０を介して透過する光の透過率は、凹部２１０の底面２１１が平滑面であったため、十分に高い値が得られ、有機ＥＬ素子４０に流す駆動電流量を調整したところ、全面均一な発光を得ることができた。

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。 図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置に適用可能な乾燥剤の配置例を概略的に示す平面図である。 図４は、図３に示した有機ＥＬ表示装置をＢ−Ｂ線で切断したときの断面構造を概略的に示す図である。 図５は、サンドブラスト法により形成された溝部に乾燥剤を配置したときの封止基板の断面構造を示す図である。 図６は、ケミカルエッチング法により形成された凹部にシート状の乾燥剤を貼付したときの封止基板の断面構造を示す図である。 図７は、ケミカルエッチング法により形成された凹部に液状の乾燥剤材料を塗布したときの封止基板の断面構造を示す図である。 図８Ａは、封止基板の製造方法を説明するための図であり、ガラス基板を用意する工程を説明するための図である。 図８Ｂは、封止基板の製造方法を説明するための図であり、ガラス基板にケミカルエッチング処理を施す工程を説明するための図である。 図８Ｃは、封止基板の製造方法を説明するための図であり、ガラス基板にサンドブラスト処理を施す工程を説明するための図である。 図８Ｄは、完成した封止基板の斜視図である。 図９Ａは、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板を用意する工程を説明するための図である。 図９Ｂは、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図であり、乾燥剤を塗布する工程を説明するための図である。 図９Ｃは、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図であり、シール材を塗布する工程を説明するための図である。 図９Ｄは、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板と封止基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。

符号の説明

ＰＸ…色画素、１…有機ＥＬ表示装置、４０…有機ＥＬ素子、５０…表示素子部、６０…第１電極、６４…光活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１０１…表示エリア、１２０…配線基板、２００…封止基板、２０１…ガラス基板、２１０…凹部、２１１…底面、２１２…端面、２２０…接合部、２２１…接合面、４００…シール材、５００…乾燥剤、Ｇ…溝部

Claims (4)

1. 表示エリアに表示素子を備えたアレイ基板を用意する工程と、
   表示エリアよりも大きなサイズの凹部及びこの凹部の縁に沿って溝部を有する封止基板を用意する工程と、
   前記封止基板の溝部に乾燥剤を配置する工程と、
   前記乾燥剤よりも外方に塗布したシール材により前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せる工程と、を備え、
   前記封止基板を用意する工程は、
   ガラス基板を用意する工程と、
   このガラス基板をケミカルエッチング法により加工して前記凹部を形成する工程と、
   前記凹部の縁をサンドブラスト法により加工して前記溝部を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 前記表示素子は、前記封止基板側に発光するトップエミッションタイプの自発光性素子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記アレイ基板を用意する工程は、前記表示素子を形成するために、
   配線基板上において、表示エリアの画素毎に独立島状に第１電極を形成する工程と、
   前記第１電極上に光活性層を形成する工程と、
   前記光活性層上に光透過性を有する第２電極を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記乾燥剤を配置する工程は、前記溝部に液状の乾燥剤材料を塗布する、または、前記溝部にシート状の乾燥剤を貼付することによってなされることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。

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