JP2008108679A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】シール性能を向上して有機EL素子の劣化を抑制するとともに、視認性を向上することが可能な表示装置及びこの表示装置を製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】略矩形状の表示エリア101にトップエミッションタイプの表示素子を備えたアレイ基板100と、アレイ基板100の表示素子側に対向して配置された封止基板200と、表示エリア101より外方の枠状のシール領域102に配置されアレイ基板100と封止基板200とを貼り合わせるシール材400と、表示エリア101とシール領域102との間に配置され表示エリア角部101Cから離間するような迂回パターン500Dを含むループ状の配置パターンの乾燥剤500と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図3

Description

この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置及びその製造方法に関する。
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、基板上において陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む光活性層を保持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。光活性層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいる。
しかしながら、有機EL素子に用いられる材料には、水分により劣化しやすいものが含まれ、基板上に有機EL素子を形成しただけの構成の場合、短時間のうちにダークスポット、画素シュリンケージと呼ばれる点灯しない領域が発生し、また、このような領域が拡大して商品として使用できない状態になってしまう。
そこで、有機EL表示装置内の水分を除去するための乾燥剤を有機EL素子上に設置した基板を用意し、有機EL素子が配置された基板の周辺に設置したシール材を介して封止基板を貼り合わせることにより水分による劣化を防止する構成が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−299040号公報
近年、有機EL素子から放射された放射光を有機EL素子の上面側すなわち封止基板側から取り出すトップエミッションタイプの開発が進められている。しかしながら、乾燥剤として適用される材料は、一般的に十分な光透過性を有していない。このため、有機EL素子から放射された放射光を有機EL素子の下面側すなわちアレイ基板側から取り出すボトムエミッションタイプを適用した場合のように、表示エリアにわたって乾燥剤を配置することは困難である。
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、シール性能を向上して有機EL素子の劣化を抑制するとともに、視認性を向上することが可能な表示装置及びこの表示装置を製造するための製造方法を提供することにある。
この発明の第1の態様による表示装置は、
略矩形状の表示エリアにトップエミッションタイプの表示素子を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記表示素子側に対向して配置された封止基板と、
前記表示エリアより外方の枠状のシール領域に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール材と、
前記表示エリアと前記シール領域との間に配置され、前記表示エリアの角部から離間するような迂回パターンを含むループ状の配置パターンの乾燥剤と、
を備えたことを特徴とする。
この発明の第2の態様による表示装置の製造方法は、
略矩形状の表示エリアにトップエミッションタイプの表示素子を備えたアレイ基板を用意する工程と、
封止基板を用意する工程と、
前記表示エリアの外周に沿って乾燥剤を塗布する工程と、
前記乾燥剤よりも外方に塗布したシール材により前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せる工程と、を備え、
前記乾燥剤を塗布する工程は、前記表示エリアの角部から離間するような迂回パターンを含むループ状に液状乾燥剤をディスペンサにより描画する工程を含むことを特徴とする。
この発明によれば、シール性能を向上して有機EL素子の劣化を抑制するとともに、視認性を向上することが可能な表示装置及びこの表示装置を製造するための製造方法を提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
図1に示すように、有機EL表示装置1は、アレイ基板100と、アレイ基板100に対向して配置された封止基板200とを備えて構成されている。この有機EL表示装置1は、画像を表示する略矩形状の表示エリア101を有している。表示エリア101は、マトリクス状に配置された複数種類の色画素PX(R、G、B)によって構成されている。封止基板200は、少なくとも表示エリア101を密封するようにシール材400を介してアレイ基板100に貼り合せられている。
アレイ基板100上において、各色画素PX(R、G、B)は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、例えば、画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えて構成されている。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
表示素子は、トップエミッションタイプの自発光素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。
また、アレイ基板100は、色画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)、走査線Ymと略直交する列方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)、有機EL素子40に電源を供給するための電源供給線Pなどを備えている。
さらに、アレイ基板100は、表示エリア101の外側に位置する周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107の少なくとも一部と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
各種有機EL素子40(R、G、B)の構成は、基本的に同一である。すなわち、図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120の主面側に配置された複数の有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
有機EL素子40は、色画素PX毎に独立島状に配置された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され(すなわち第1電極60よりも封止基板200側に配置され)複数の色画素PXに共通に配置された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された光活性層64と、によって構成されている。
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120上に配置されている。トップエミッションタイプを採用した構成では、この第1電極60は、光反射性を有する導電材料を用いて形成されることが望ましい。
光活性層64は、第1電極60上に配置され、少なくとも発光層64Aを含んでいる。この光活性層64は、発光層64A以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この光活性層64は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。光活性層64においては、発光層64Aが有機系材料であればよく、発光層64A以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。光活性層64において、発光層64A以外の機能層は共通層であってもよく、図2に示した例では、発光層64Aの第1電極60側及び第2電極66側にそれぞれ共通層が配置されている。一方の共通層は、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、他方の共通層は、ブロッキング層及び電子輸送層を含んでいる。発光層64Aは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
第2電極66は、各色画素の光活性層64上に配置されている。トップエミッションタイプを採用した構成では、この第2電極66は、光透過性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)などを用いて形成されている。
また、アレイ基板100は、表示エリア101において、少なくとも隣接する色画素PX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、例えば各第1電極60の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第1電極60を露出する隔壁70の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁70は、例えば樹脂材料によって形成される。
有機EL表示装置1は、さらに、図3及び図4に示すように、乾燥剤500を備えている。このような乾燥剤500としては、光透過性に乏しい材料が選択されることが多いことから、トップエミッションタイプの有機EL素子40の放射面側つまり封止基板200側に配置するには不向きである。つまり、封止基板200の表示エリア101に対応する領域にわたって乾燥剤500を配置すると、有機EL素子40からの光取出効率が低下する。
このため、乾燥剤500は、シール材400によってシールされているシール空間内(アレイ基板100と封止基板200との間のシール材400によって囲まれた空間)に備えられ、しかも、表示エリア101の外方に配置されている。このような配置に適した乾燥剤500としては、シート状のものや液状(ペースト状)のものなどがある。シート状の乾燥剤は、人手によって貼り付ける手間があるため、望ましくは、液状の乾燥剤が選択される。この液状の乾燥剤は、ディスペンサを利用して塗布される。このような乾燥剤500としては、例えば、酸化カルシウム(CaO)や酸化バリウム(BaO)といった酸化物の粉末などを溶媒に溶かした液状としたものが適用可能である。
以下に、乾燥剤500の配置パターンについて述べる。
すなわち、図3及び図4に示すように、アレイ基板100及び封止基板200は、表示エリア101より外方の枠状のシール領域102に配置されたシール材400によって貼り合わせられている。アレイ基板100は、表示エリア101において、配線基板120の主面側に表示素子部50を備えている。この表示素子部50は、上述したようなマトリクス状に配置されたトップエミッションタイプの有機EL素子40を含んでいる。
封止基板200は、アレイ基板100の表示素子部50に対向するように配置されている。また、封止基板200は、シール領域102の内側(つまり表示エリア101を含む領域)に形成された凹部210を有している。図4に示した例では、乾燥剤500は、表示エリア101の外方において、封止基板200の凹部210に配置されている。
より具体的には、乾燥剤500は、表示エリア101とシール領域102との間の領域103に配置され、図3に示したようなループ状の配置パターンを形成するように配置されている。特に、乾燥剤500の配置パターンは、表示エリア101の角部101Cから離間するような迂回パターン500Dを含んでいる。
表示エリア101の外方に配置される乾燥剤500は、上述したように、液状のものを適用してディスペンサにより塗布することによって形成することが望ましいが、描画精度が十分なディスペンサを利用できるとは限らず、また、近年の狭額縁化の要求に伴って表示エリア101とシール領域102との間に描画マージンを持った十分な幅の領域103を確保することが困難となってきている。このため、限られた幅の領域103に液状乾燥剤を描画した際、特に、描画方向が直角に変わる表示エリア角部101C付近では、図6に示すように、液状乾燥剤が表示エリア101に重なるような円弧状に描画されることがある。
このように乾燥剤500と表示エリア101とが重なった場合、乾燥剤500自体の透過率はそれほど高くはないため、表示エリア101に表示された画像の一部が見にくくなってしまう。特に、表示エリア101の周辺を遮光するあるいは見栄えの低下を改善するために、顔料などを含有した黒色の乾燥剤500を適用した場合には、表示エリア101に表示された画像の一部が欠落してしまう。
また、乾燥剤500と表示素子部50を構成する有機EL素子40とが接触してしまうと、有機EL素子40の寿命に影響を及ぼし、接触していない他の有機EL素子40との間で寿命の差が生じてしまい表示ムラとなるおそれもある。
そこで、上述した実施の形態においては、表示エリア101の角部101Cから離間するような迂回パターン500Dを含む配置パターンの乾燥剤500を適用している。これにより、限られた幅の領域103においても、確実に乾燥剤500を配置することが可能となり、特に、迂回パターン500Dによって乾燥剤500と表示エリア101との重なりも抑制できる。このため、トップエミッションタイプであっても、十分に高いシール性能を得ることができるとともに、狭額縁化を実現しつつ視認性を向上することが可能となる。
図3に示した例では、迂回パターン500Dは、矩形状としたが、この例に限らず、図6に示すように、円弧状であってもよい。このような迂回パターン500Dを適用しても、上述したのと同様の効果が得られる。
また、上述したような配置パターンの乾燥剤500は、図4に示したように封止基板200側に配置する例に限らず、アレイ基板100側に配置してもよいが、アレイ基板100上には、表示エリア101から周辺エリア104に向かって複数の配線が引き出されているため、これらに跨るように乾燥剤500を配置することはあまり望ましいことではない。つまり、乾燥剤500は、封止基板200側に配置されることが望ましい。
さらに、図7及び図8に示すように、封止基板200は、表示エリア101とシール領域102との間の領域103に対応してループ状の溝部Gを備えて構成されてもよい。このような構成の場合には、乾燥剤500は、封止基板200の溝部Gに配置され、しかも、上述した例と同様に、表示エリア角部101Cから離間するような迂回パターンを含むループ状の配置パターンを形成するよう配置される。このような構成によれば、上述したような効果に加え、さらに、乾燥剤500の幅方向への広がりを抑制でき、また、乾燥剤500を表示素子部50から遠ざけることができ、両者の接触を防止できる。
次に、上述した構成の有機EL表示装置1の製造方法について説明する。ここでは、図4に示したような凹部210に乾燥剤500を配置した例の製造方法について説明する。
まず、図9Aに示すように、略矩形状の表示エリア101にトップエミッションタイプの有機EL素子40を備えたアレイ基板100を用意する。すなわち、この工程においては、支持基板上に各種配線などを形成して配線基板120を形成する工程、配線基板120上において表示エリア101の画素毎に第1電極60を形成する工程、第1電極60上に光活性層64を形成する工程、光活性層64上に光透過性を有する第2電極66形成する工程などが含まれている。
第1電極60は、例えばITOによって形成され、成膜時にはスパッタの温度制御により表面凹凸が50オングストロームの薄膜として形成した。光活性層64は、ここでは高分子系材料を用いて形成され、洗浄・撥インク処理を行った第1電極60上に成膜した。第2電極66は、例えばバリウム(Ba)によって形成され、また、その保護膜として銀(Ag)をバリウムに続いて連続蒸着した。この際、バリウムの成膜レートを前半5オングストローム/sec、後半20オングストローム/secとし、さらに銀の成膜レートを50オングストローム/secに設定した。この結果、バリウムと銀との界面ではバリウムと銀との合金が形成されていた。
これにより、配線基板120の主面側に、例えば対角2・2インチ、精細度150ppi(pixel per inch)のサイズの表示素子部50を備えたアレイ基板100が形成される。
続いて、図9Bに示すように、封止基板200を用意する。例えば、ガラスによって構成された封止基板200については、エッチングなどの化学的処理、サンドブラストなどの機械的処理を施すことにより所望の深さの凹部210が形成される。
続いて、図9Cに示すように、表示エリア101の外周に沿って乾燥剤500を塗布する。ここでは、封止基板200の凹部210内において、ディスペンサにより液状乾燥剤をループ状に描画する。このとき、例えば、表示エリア角部101C付近を始点とし、表示エリアの一辺に沿って直線的に描画して直線パターンを形成した後、ディスペンサを表示エリア101から遠ざかる方向にオフセットしながら描画して迂回パターンを形成し、これらを繰り返すことによって、表示エリア101の四辺に沿った直線パターンと4つの角部に沿った迂回パターンとを有するループ状のパターンを描画する。そして、この液状乾燥剤を硬化させるために250度の高温でベークすることにより、図3に示したような配置パターンの乾燥剤500が形成される。
続いて、図9Dに示すように、封止基板200において、乾燥剤500が塗布された領域103よりも外方の枠状のシール領域102にシール材400を塗布する。
続いて、図9Eに示すように、アレイ基板100と封止基板200とをシール材400により貼り合せる。すなわち、アレイ基板100を封止基板200側に向けて加圧しながら、シール材400に紫外線を照射して、シール材400を硬化させる。これにより、アレイ基板100と封止基板200とが貼り合せられる。
このようにして製造された有機EL表示装置によれば、乾燥剤500と表示エリア101とが重ならず、表示エリア101の全面において表示された画像を視認することができ、また、有機EL素子40に流す駆動電流量を調整したところ、全面均一な発光を得ることができた。初期輝度100cd/mの条件でライフ試験を行った結果、有機EL素子40の輝度が半減する寿命は、約20,000時間であり、十分なライフ特性が得られ、表示エリア101内において表示ムラも発生しなかった。
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。 図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図である。 図3は、図1に示した有機EL表示装置に適用可能な乾燥剤の配置例を概略的に示す平面図である。 図4は、図3に示した有機EL表示装置をA−A線で切断したときの断面構造を概略的に示す図である。 図5は、乾燥剤と表示エリアとの干渉状態を説明するための図である。 図6は、図1に示した有機EL表示装置に適用可能な乾燥剤の他の配置例を概略的に示す平面図である。 図7は、図1に示した有機EL表示装置に適用可能な乾燥剤の他の配置例を概略的に示す平面図である。 図8は、図7に示した有機EL表示装置をB−B線で切断したときの断面構造を概略的に示す図である。 図9Aは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板を用意する工程を説明するための図である。 図9Bは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための図であり、封止基板を用意する工程を説明するための図である。 図9Cは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための図であり、乾燥剤を塗布する工程を説明するための図である。 図9Dは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための図であり、シール材を塗布する工程を説明するための図である。 図9Eは、有機EL表示装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板と封止基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。
符号の説明
PX…画素、1…有機EL表示装置、40…有機EL素子、50…表示素子部、60…第1電極、64…光活性層、64A…発光層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、101…表示エリア、102…シール領域、120…配線基板、200…封止基板、210…凹部、G…溝部、400…シール材、500…乾燥剤、500D…迂回パターン

Claims (7)

  1. 略矩形状の表示エリアにトップエミッションタイプの表示素子を備えたアレイ基板と、
    前記アレイ基板の前記表示素子側に対向して配置された封止基板と、
    前記表示エリアより外方の枠状のシール領域に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール材と、
    前記表示エリアと前記シール領域との間に配置され、前記表示エリアの角部から離間するような迂回パターンを含むループ状の配置パターンの乾燥剤と、
    を備えたことを特徴とする表示装置。
  2. 前記迂回パターンは、矩形状または円弧状であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記乾燥剤は、前記封止基板の前記アレイ基板と対向する側に配置されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記封止基板は、前記表示エリアと前記シール領域との間にループ状の溝部を有し、
    前記乾燥剤は、前記溝部に配置されたことを特徴とする表示装置。
  5. 前記表示素子は、
    表示エリアの画素毎に独立島状に配置された第1電極と、
    前記第1電極より前記封止基板側に配置され、光透過性を有する第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に保持された光活性層と、によって構成された有機EL素子であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  6. 略矩形状の表示エリアにトップエミッションタイプの表示素子を備えたアレイ基板を用意する工程と、
    封止基板を用意する工程と、
    前記表示エリアの外周に沿って乾燥剤を塗布する工程と、
    前記乾燥剤よりも外方に塗布したシール材により前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せる工程と、を備え、
    前記乾燥剤を塗布する工程は、前記表示エリアの角部から離間するような迂回パターンを含むループ状に液状乾燥剤をディスペンサにより描画する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
  7. 前記アレイ基板を用意する工程は、
    配線基板上において、表示エリアの画素毎に独立島状に第1電極を形成する工程と、
    前記第1電極上に光活性層を形成する工程と、
    前記光活性層上に光透過性を有する第2電極形成する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。
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