JP2005157141A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 長期にわたって良好な表示性能を維持することができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板１００は、基板主面に形成され画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部１０６を備えている。有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１００の主面の少なくとも有効部１０６を覆うように配置された封止体３００を備えている。封止体３００は、実質的に同一パターンの少なくとも２層のほぼ矩形状の薄膜３１１、３１２、３１３と、各薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を外気から遮蔽するよう被覆する遮蔽層３２１、３２２、３２３と、を積層した構造を有している。有効部１０６端の一辺から第１薄膜３１１端の一辺までの最短距離が第２薄膜３１２端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とする。
【選択図】 図６

Description

この発明は、表示装置及びその製造方法に係り、特に、複数の自己発光素子を含んで構成される表示装置及びその製造方法に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子を備えた表示装置であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。

これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置して構成されたアレイ基板を備えている。

有機ＥＬ素子は、外気に含まれる水分や酸素に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、アレイ基板上の有機ＥＬ素子を配置した主面を、外気との接触から遮蔽し封止する技術が各種提案されている。この技術は各種提案されており、例えば、有機ＥＬ素子の表面側に配置された電極上に、有機と無機の膜を積層成膜する膜封止技術が開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
柳雄二，「薄型，大型，フレキシブル基板の量産に対応」，フラットパネル・ディスプレイ２００３，日経ＢＰ社，２００２年１２月２７日，ｐ．２６４−２７０

有機ＥＬ素子を封止する保護層には、良好な段差被覆性を有し、ピンホールやクラックなどの欠陥のない膜を成膜することが要求される。しかし、完全な無欠陥膜を得ることは現実には困難である。このため、有機ＥＬ素子を外気から完全に遮蔽することができず、長期にわたって十分な性能を維持することが困難となる。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる表示装置及びその製造方法を提供することにある。

この発明の第１の様態による表示装置は、
基板主面に形成され、画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、実質的に同一パターンの少なくとも２層の薄膜と、前記薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を被覆する遮蔽層と、を積層した構造を有し、且つ、前記有効部端の一辺から第１薄膜端の一辺までの最短距離が第２薄膜端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とする。

この発明の第２の様態による表示装置の製造方法は、
基板主面に、画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部を形成し、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように封止体を配置する、表示装置の製造方法であって、
前記封止体の製造工程は、
少なくとも前記有効部より大きなパターンのほぼ矩形状の第１薄膜を形成し、
前記第１薄膜より大きなパターンであってしかも前記第１薄膜を被覆する第１遮蔽層を形成し、
前記第１遮蔽層上に、前記第１薄膜と実質的に同一パターンの第２薄膜を形成し、
前記第２薄膜より大きなパターンであってしかも前記第２薄膜を被覆する第２遮蔽層を形成する工程を含み、
前記有効部端の一辺から第１薄膜端の一辺までの最短距離が第２薄膜端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とする。

この発明によれば、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる表示装置及びその製造方法を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００と、アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２を密封する封止部材２００とを備えて構成される。アレイ基板１００の表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成される。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。また、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、赤色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｒを備え、緑色画素ＰＸＧは、緑色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｇを備え、さらに、青色画素ＰＸＢは、青色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一であって、有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成される。

アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。

電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６側は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。

画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ２０のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極は蓄積容量素子３０を構成する他方の電極及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。

図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０上に配置された有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。

有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置される。この第１電極６０は、ここではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能する。

有機活性層６４は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含み、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の３層積層で構成されても良く、機能的に複合された２層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この有機発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。

第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極６６は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。

この第２電極６６の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されることが望ましい。すなわち、有機ＥＬ素子４０は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機ＥＬ素子４０を水分から保護する目的で、その表面に相当する第２電極６６上に乾燥剤６８が配置される。この乾燥剤６８は、吸湿性を有する材料であれば良く、例えばリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などのアルカリ金属単体またはその酸化物、あるいは、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属またはその酸化物などで形成される。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁７０は、各第１電極６０の周縁に沿って格子状に配置され、第１画素電極を露出する隔壁の開口形状が円形または多角形となるよう形成されている。この隔壁７０は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第１絶縁層、及び、第１絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第２絶縁層を積層した構造を有している。

このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射され、表示画面を構成する。

ところで、アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面に形成された有効部１０６を備えている。この有効部１０６は、ここでは少なくとも画像を表示するための複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を備えた表示エリア１０２を含むものとするが、走査線駆動回路１０７や信号線駆動回路１０８などを備えた周辺エリア１０４を含んでも良い。

アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面のうちの少なくとも有効部１０６を覆うように配置された封止体３００を備えている。この封止体３００の表面は、ほぼ平坦化されている。封止部材２００は、封止体３００の表面全体に塗布された接着剤により封止体３００に接着されている。この封止部材２００は、プラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性フィルムや、ダイアモンドライクカーボン等によって構成される。

封止体３００は、実質的に同一パターンの少なくとも２層の薄膜３１１、３１２…と、これらの薄膜より形成面積が大きなパターンであってしかも各薄膜を外気から遮蔽するよう被覆する遮蔽層３２０、３２１、３２２…と、を積層した構造を有している。封止体３００の最外層及び最内層は、遮蔽層であることが望ましい。また、各遮蔽層は、その周囲で下層の薄膜の側面を被覆することが望ましく、下層に配置された遮蔽層と互いに周縁が重なることが望ましい。

各薄膜３１１、３１２…は、例えばアクリル系樹脂などの有機樹脂材料により、例えば０．１〜５μｍ程度の膜厚で形成される。特に、ここでは、これらの薄膜３１１、３１２…を形成する材料としては、比較的粘性の低い液体の状態で塗布され下層の凹凸を吸収した状態で硬化するような材料を選択することが望ましい。このような材料を用いて形成された薄膜３１１、３１２…は、それらの表面を平坦化する平坦化層としての機能を有する。

各遮蔽層３２０、３２１、３２２…は、例えば、アルミニウムやチタンなどの金属材料、ＩＴＯやＩＺＯなどの金属酸化物材料、または、アルミナなどのセラミック系材料などの無機系材料により、例えば０．１μｍオーダの膜厚で形成される。ＥＬ発光を第１電極６０側から取り出す下面発光方式の場合、遮蔽層３２０、３２１、３２２…の少なくとも１層として適用される材料は、遮光性及び光反射性を有していることが望ましい。また、ＥＬ発光を第２電極６６側から取り出す上面発光方式の場合、遮蔽層３２０、３２１、３２２…として適用される材料は光透過性を有していることが望ましい。

なお、このような封止体３００の詳細な構造については、以下の、実施例にて説明する。

（第１実施例）
第１実施例では、１枚のマザー基板から複数個の表示装置に対応するアレイ基板を切り出すいわゆる多面取りで製造する場合を例にとり説明する。マザー基板は、アレイ基板として切り出される複数（例えば４個）のアレイ部を有しているものとする。

まず、図３の（ａ）に示すように、マザー基板５００の主面に、有効部１０６を形成する。この第１実施例では、４個のアレイ部ＡＲに対応して４個のほぼ矩形状の有効部１０６を形成する。すなわち、各有効部１０６は、マザー基板５００上の各アレイ部ＡＲにおいて、金属膜及び絶縁膜の成膜やパターニングなどの処理を繰り返すことによって形成された、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８の他に、信号線Ｘｎ、走査線Ｙｍ、電源供給線Ｐ等の各種配線、さらには、それぞれ有機ＥＬ素子４０を備えた複数の画素ＰＸを含むものとする。

また、この有効部１０６を形成する工程では、後に薄膜を形成する際に用いられる複数のアライメントマークＡＭも同時に形成される。この第１実施例では、３層の薄膜を積層するため、それぞれの薄膜を形成する際に必要なアライメントマークＡＭが１個ずつ（合計３個）形成されている。以下に説明する第１乃至第３実施例では、説明を簡略化するために、１層の薄膜を形成するためのアライメントマークを１個ずつ図示しているのみであるが、１層の薄膜を形成するためのアライメントマークを複数配置しても良いことは言うまでもない。すなわち、１層の薄膜を形成するためのアライメントマークを少なくとも２個ずつ配置しても良いし、さらに数多く配置（例えば、マザー基板の各コーナー）しても良い。このようにすることで、マスクとマザー基板との相対的な位置合わせ精度を向上できる。

これらのアライメントマークＡＭは、有効部１０６を形成するための金属膜または絶縁膜をパターニングする際に同時に形成される。例えば、アライメントマークＡＭは、走査線Ｙｍを形成する際に同時にパターニングされ、走査線Ｙｍと同一材料によって形成される。また、これらのアライメントマークＡＭは、例えばアレイ部ＡＲ外のマザー基板５００上に形成されるが、有効部１０６内に形成しても良い。

次に、マザー基板５００の主面の少なくとも有効部１０６を覆うように封止体３００を配置する。

すなわち、図５の（ａ）に示すように、有効部１０６を外気から遮蔽するベース遮蔽層３２０を形成する。このベース遮蔽層３２０は、金属材料を蒸着することによって形成される。

より具体的には、図１２に示すように、有効部１０６が形成されたマザー基板５００は、図示しない保持部材を介して遮蔽層形成用の第１マスクＭ１と一体化される。この第１マスクＭ１は、ベース遮蔽層を含むすべての遮蔽層を形成する際に共通に適用され、これらの遮蔽層を形成する領域に対応した形状の開口部を有している。この開口部は、少なくとも有効部１０６より大きなパターンであって、例えばアレイ部ＡＲとほぼ同等（あるいはそれ以下）の大きさの矩形状に形成されている。これにより、すべての遮蔽層を、実質的に同一パターンに形成することが可能となる。

このような第１マスクＭ１と一体のマザー基板５００は、遮蔽層形成用の第１チャンバ６０１に案内される。そして、マザー基板５００の有効部１０６を形成した主面に第１マスクＭ１を介して金属材料が蒸着される。これにより、アレイ部ＡＲのほぼ全体を覆うように配置されたほぼ矩形状のベース遮蔽層３２０が形成される。

続いて、図３の（ｂ）に示すように、ベース遮蔽層３２０上に、少なくとも有効部１０６より大きなパターンの第１薄膜３１１を形成する。この第１薄膜３１１は、樹脂材料を用いて、以下のような工程を経て形成される。

まず、図１２に示すように、第１マスクＭ１と一体のマザー基板５００は、薄膜形成用の第２チャンバ６０２に案内される。この第２チャンバ６０２は、薄膜形成用の第２マスクＭ２を備えている。この第２マスクＭ２は、すべての薄膜を形成する際に共通に適用され、これらの薄膜を形成する領域に対応した形状の開口部を有している。この開口部は、少なくとも有効部１０６より大きなパターンであって、例えば第１マスクＭ１の開口部よりは小さな矩形状に形成されている。これにより、すべての薄膜を、実質的に同一パターンに形成することが可能となる。

第２チャンバ６０２に案内されたマザー基板５００は、図３の（ｂ）に示すように、第２マスクＭ２に対して第１アライメントマークＡＭ１を基準に位置合わせされる。そして、図５の（ｂ）に示すように、第２チャンバ６０２にて、マザー基板５００の有効部１０６を形成した主面に第２マスクＭ２を介して樹脂材料３１１’が蒸着される。これにより、アレイ部ＡＲの有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の領域に第１薄膜３１１が形成される。

なお、樹脂材料３１１’として、紫外線硬化型樹脂材料などの感光性樹脂材料が適用された場合、樹脂材料３１１’が成膜されたマザー基板５００は、硬化処理用の第３チャンバ６０３に案内され、紫外線波長の光源を用いて感光性樹脂材料３１１’を所定露光量で露光する。このような硬化処理を経て第１薄膜３１１を形成しても良い。

また、第３チャンバ６０３では、電子ビームを照射して樹脂材料３１１’を硬化しても良い。さらに、第２チャンバ６０２が樹脂材料を硬化するための感光波長の光源や電子ビーム発生源を備え、第２チャンバ６０２にて樹脂材料の蒸着工程と硬化処理工程とを同時に行っても良い。またさらに、第２チャンバ６０２にて気相でポリマー化する樹脂材料を蒸着することで、硬化処理工程を不要とすることも可能である。

ここで、矩形状有効部１０６の端部を形成する一辺を基準位置１０６Ｒとする。このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第１薄膜３１１の端部を形成する一辺３１１Ｘまでの最短距離をＤ１とする。なお、ここでの最短距離とは、図３の（ｂ）などのような平面図において、基板をその主面の法線方向から観察したときの間隔として定義し、以下の説明でも同様である。

続いて、図５の（ｃ）に示すように、第１薄膜３１１より大きなパターンであってしかも第１薄膜３１１を外気から遮蔽する第１遮蔽層３２１を形成する。この第１遮蔽層３２１は、上述したベース遮蔽層３２０と実質的に同一であり、第１チャンバ６０１にて、ベース遮蔽層３２０と同一条件で形成される。なお、以下に説明する第２遮蔽層３２２及び第３遮蔽層３２３も、上述したベース遮蔽層３２０と実質的に同一であり、ベース遮蔽層３２０と同一条件で形成される。

続いて、図４の（ａ）に示すように、第１遮蔽層３２１上に、第１薄膜３１１と実質的に同一パターンの第２薄膜３１２を形成する。この第２薄膜３１２は、例えば第１薄膜３１１と同様に樹脂材料を用いて形成される。このような第２薄膜３１２を形成する工程は、先に図１２及び図５の（ｂ）を参照して説明したように、第２チャンバ６０２にて行われる。

このとき、第２薄膜３１２を形成するための樹脂材料の蒸着工程は、第１薄膜３１１を形成した際と同一条件で行われ、しかも第１薄膜３１１を形成した際に用いたのと同一の第２マスクＭ２を適用して行われる。ただし、この蒸着工程での第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１を形成する際の蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して第１アライメントマークＡＭ１とは異なる位置の第２アライメントマークＡＭ２を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。

そして、蒸着された樹脂材料を硬化することにより、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第２薄膜３１２が形成される。このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第２薄膜３１２の端部を形成する一辺３１２Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ２とすると、この距離Ｄ２は、距離Ｄ１とは異なり、ここでは距離Ｄ２は距離Ｄ１より短い。

つまり、この第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１と完全に一致するような位置に形成されず、第１薄膜３１１に対して相対的に一方向Ａ（例えば有効部１０６の対角方向）にずれた状態で重なる。

したがって、第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａに重なる（すなわち第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａを覆うように配置される）が、第１薄膜３１１の第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄには重ならない（すなわち第１薄膜３１１の他の角部を露出するように配置される）。また、第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘと重ならない（当然のことながら、第２薄膜３１２のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺とは重ならない）。

続いて、図５の（ｃ）を参照して説明したのと同様に、第２薄膜３１２より大きなパターンであってしかも第２薄膜３１２を外気から遮蔽する第２遮蔽層３２２を形成する。これにより、第２薄膜３１２が形成された領域より大きな領域、例えばアレイ部ＡＲのほぼ全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第２遮蔽層３２２が形成される。

続いて、図４の（ｂ）に示すように、第２遮蔽層３２２上に、第１薄膜３１１と実質的に同一パターンの第３薄膜３１３を形成する。この第３薄膜３１３は、例えば第１薄膜３１１と同様に樹脂材料を用いて形成される。このような第３薄膜３１３を形成する工程は、先に図１２及び図５の（ｂ）を参照して説明した用に、第２チャンバ６０２にて行われる。

このとき、第３薄膜３１３を形成するための樹脂材料の蒸着工程は、第１薄膜３１１を形成した際と同一条件で行われ、しかも第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＭ２を適用して行われる。ただし、この蒸着工程での第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成する際の蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２とは異なる位置の第３アライメントマークＡＭ３を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。

そして、蒸着された樹脂材料を硬化することにより、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第３薄膜３１３が形成される。このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第３薄膜３１３の端部を形成する一辺３１３Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ３とすると、この距離Ｄ３は、距離Ｄ１及びＤ２とは異なり、ここでは距離Ｄ３は距離Ｄ２より短い。

つまり、この第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２と完全に一致するような位置に形成されず、第２薄膜３１２に対して相対的に一方向Ａにずれた状態で重なる。

すなわち、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、及び、第３薄膜３１３は、互いに同一の一方向Ａに沿ってずれた状態で積層されることになる。したがって、第３薄膜３１３は、第２薄膜３１２の第１角部３１２Ａに重なるが、第２薄膜３１２の第２角部３１２Ｂ、第３角部３１２Ｃ、及び、第４角部３１２Ｄには重ならない（当然のことながら、第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａにも重なるが、第１薄膜３１１の第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄには重ならない）。また、第３薄膜３１３の一辺３１３Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘ及び第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘと重ならない（当然のことながら、第３薄膜３１３のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺及び第２薄膜３１２のその他の３辺とは重ならない）。

続いて、図５の（ｃ）を参照して説明したのと同様に、第３薄膜３１３より大きなパターンであってしかも第３薄膜３１３を外気から遮蔽する第３遮蔽層３２３を形成する。これにより、第３薄膜３１３が形成された領域より大きな領域、例えばアレイ部ＡＲのほぼ全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第３遮蔽層３２３が形成される。

以上のような工程を経て封止体３００が形成される。
次に、封止体３００の表面、すなわち第３遮蔽層３２３の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材２００を接着する。この後、マザー基板５００をアレイ部ＡＲ毎に単個サイズに切り出す。なお、単個サイズに切り出す線上に、封止体が配置されないため、切り出し作業を容易に行なうことが可能となる。また、必要に応じてＥＬ発光を取り出す側の表面に偏光板を貼り付けても良い。

上述したような製造工程によって製造された表示装置１は、図４の（ｂ）に示したＶＩ−ＶＩ線で切断した時、図６に示すような断面構造を有している。すなわち、アレイ基板１００の少なくとも有効部１０６は、ベース遮蔽層３２０、第１薄膜３１１、第１遮蔽層３２１、第２薄膜３１２、第２遮蔽層３２２、第３薄膜３１３、及び、第３遮蔽層３２３の順で積層された構造の封止体３００によって封止されている。

このため、下層の影響を受けにくく有効部１０６に形成された有機ＥＬ素子４０を確実に被覆することができる。また、これら薄膜または遮蔽層のいずれかにミクロ的な間隙が形成されたとしても、複数層を積層したことにより、有機EL素子へ到達するまでのルートが長くなり、長寿命化に対して十分な効果がある。したがって、有機ＥＬ素子４０を外気から遮蔽することができ、長期にわたって十分な性能を維持することができる。また、封止体３００上に接着剤によって封止部材２００を接着する際、あるいは、封止部材２００上に接着剤によって偏向板を接着する際に、接着剤に含まれる不純物の有機ＥＬ素子４０内への侵入を防止することができ、有機ＥＬ素子の性能の劣化を防止することができる。

また、各薄膜は、同一のマスクを用いて形成可能であるため、樹脂材料を蒸着するチャンバ内において単一のマスクを用意すれば良い。このため、薄膜を形成するための樹脂材料の蒸着工程においては、マスクの入れ替え作業が不要となり、製造効率を向上することができる。また、高価なマスクを複数種類も用意する必要がないため、製造コストを低減することができる。

積層される３層の薄膜すべてが同一のマスクを介して完全に一致するような位置に形成された場合、各薄膜の周縁がほぼ同じ位置で重なるため、封止体の周縁は、アレイ基板１００の主面に対して垂直な法線とほぼ平行な急峻な斜面によって形成されることになる。このような構造の場合、各薄膜を被覆する遮蔽層の膜厚は、薄膜の膜厚の１／１〜１／１０程度であるため、上層の薄膜を被覆する遮蔽層ほど薄膜の周縁を被覆しにくくなり、カバレッジ不良を招くおそれがある。また、３層の薄膜を同一のフォトマスクを介したフォトリソグラフィ工程を採用して形成することは、先に形成された有機ＥＬ素子が水分にさらされることになって望ましくないし、また、フォトマスク上に付着したゴミ等の影響で薄膜にピンホールなどのミクロ的な間隙が形成される場合があり、このときには３層の薄膜すべてが一致した位置で重なっていると、各薄膜のピンホールがつながってしまい、著しく密閉性を劣化するおそれがある。

このため、上述した第１実施例では、封止体を構成する複数の薄膜は、すべて同程度の膜厚で形成されており、互いにその膜厚の１０倍程度を目安にずれた状態で積層されている。例えば、これら薄膜が１μｍオーダの膜厚で形成されている場合、第１薄膜３１１と第２薄膜３１２とは所定方向Ａに１０μｍ程度のオーダでずれた状態で重なっており、同様に、第２薄膜３１２と第３薄膜３１３とは所定方向Ｂに１０μｍ程度のオーダでずれた状態で重なっている。

つまり、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、及び、第３薄膜３１３は、それぞれ有効部１０６を覆うように配置されつつ、有効部１０６に対して一方向（例えば有効部１０６の対角方向）にずれた状態で積層される。これにより、各薄膜のいずれの辺もほぼ同じ位置で重なることがなく、封止体３００の周縁が緩やかな斜面３００Ｓによって形成される。

したがって、上層の薄膜を被覆する遮蔽層を形成する場合でも各薄膜の周縁を確実に被覆することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。また、３層の薄膜を互いにずれた状態で重ねたため、各薄膜のピンホールがつながることはなく、密閉性の劣化を防止することができる。

なお、これら薄膜のずれ量が１桁小さい１μｍ程度のオーダの場合、ずれ量が各薄膜形成時のマージンに吸収されてしまい、複数の薄膜をずらして積層したことによる効果が十分に得られない。また、これら薄膜のずれ量が１桁大きい１００μｍ程度のオーダの場合、積層する薄膜の層数が多くなるにしたがって有効部１０６の周縁からアレイ基板１００の周縁までの額縁幅を十分に大きく確保する必要があり、狭額縁化には不利である。したがって、ここでは、各薄膜のずれ量は１０〜１００μｍ程度のオーダが望ましい。つまり、各薄膜のずれ量は、各薄膜の膜厚や、積層する薄膜の層数、狭額縁化を実現可能な額縁幅などに基づいて適宜決定される。

また、各遮蔽層は、下層の薄膜の側面を被覆するよう形成されるので、アレイ基板と平行な方向からの水分介入を防止するとともに、周辺部での膜はがれの発生を低減することができる。

（第２実施例）
第２実施例では、１枚のマザー基板から複数個の表示装置に対応するアレイ基板を切り出す多面取りで製造する場合を例として説明する。マザー基板は、アレイ基板として切り出される複数（例えば４個）のアレイ部を有しているものとする。

まず、図８の（ａ）に示すように、マザー基板５００の主面に、有効部１０６を形成する。この第２実施例でも、第１実施例と同様に、４個のアレイ部ＡＲに対応して４個のほぼ矩形状の有効部１０６を形成する。また、この有効部１０６を形成する工程では、後に薄膜を形成する際に用いられる複数のアライメントマークＡＭも同時に形成される。この第２実施例では、４層の薄膜を積層するため、それぞれの薄膜を形成する際に必要な４つのアライメントマークＡＭが形成されている。

次に、マザー基板５００の主面の少なくとも有効部１０６を覆うように封止体３００を配置する。すなわち、ベース遮蔽層３２０、第１薄膜３１１、第１遮蔽層３２１、第２薄膜３１２、第２遮蔽層３２２、第３薄膜３１３、第３遮蔽層３２３、第４薄膜３１４、及び、第４遮蔽層３２４の順に積層し、封止体３００を形成する。

第１乃至第４薄膜は、少なくとも有効部１０６より大きなパターンとして形成される。これらの薄膜は、第１実施例と同様に、例えば樹脂材料を用いて形成され、第２チャンバ６０２において樹脂材料を蒸着する工程と、必要に応じて第３チャンバ６０３において樹脂材料を硬化する硬化処理工程などを経て形成される。

ベース遮蔽層、及び、第１乃至第４遮蔽層は、各薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を外気から遮蔽するように形成される。これらの遮蔽層は、第１チャンバ６０１において、各薄膜が形成された領域より大きな領域、例えばアレイ部ＡＲのほぼ全体を覆うように配置されたほぼ矩形状のパターンとして形成される。

ここで、第１薄膜３１１を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第２チャンバ６０２において、マザー基板５００は、所定パターンの第２マスクＭ２に対して、図８の（ｂ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第１薄膜３１１が形成される。ここで、矩形状有効部１０６の端部を形成する一辺を基準位置１０６Ｒとする。このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第１薄膜３１１の端部を形成する一辺３１１Ｘまでの最短距離をＤ１とする。

第２薄膜３１２を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１を形成するための蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＰ２に対して、図９の（ａ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１とは異なる位置の第２アライメントマークＡＭ２を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第２薄膜３１２が形成される。

このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第２薄膜３１２の端部を形成する一辺３１２Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ２とすると、この距離Ｄ２は、距離Ｄ１とは異なり、ここでは距離Ｄ２は距離Ｄ１より短い。

つまり、この第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１と完全に一致するような位置に形成されず、第１薄膜３１１に対して相対的に一方向Ａ（例えば有効部１０６の対角方向）にずれた状態で重なる。

したがって、第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａに重なる（すなわち第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａを覆うように配置される）が、第１薄膜３１１の第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄには重ならない（すなわち第１薄膜３１１の他の角部を露出するように配置される）。また、第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘと重ならない（当然のことながら、第２薄膜３１２のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺とは重ならない）。

第３薄膜３１３を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成するための蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して、図９の（ｂ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２とは異なる位置の第３アライメントマークＡＭ３を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第３薄膜３１３が形成される。

このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第３薄膜３１３の端部を形成する一辺３１３Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ３とすると、この距離Ｄ３は、距離Ｄ１及びＤ２とは異なり、ここでは距離Ｄ３は距離Ｄ１より短く距離Ｄ２より長い。

つまり、この第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２と完全に一致するような位置に形成されず、第２薄膜３１２に対して相対的に一方向Ｂにずれた状態で重なる。

したがって、第３薄膜３１３は、第２薄膜３１２の第３角部３１２Ｃに重なるが、第２薄膜３１２の第１角部３１２Ａ、第２角部３１２Ｂ、及び、第４角部３１２Ｄには重ならない（このとき、第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａにも重なるが、第１薄膜３１１の第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄには重ならない）。また、第３薄膜３１３の一辺３１３Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘ及び第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘと重ならない（当然のことながら、第３薄膜３１３のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺及び第２薄膜３１２のその他の３辺とは重ならない）。

第４薄膜３１４を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、及び第３薄膜３１３を形成するための蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して、図１０に示すように、第１アライメントマークＡＭ１、第２アライメントマークＡＭ２、及び第３アライメントマークＡＭ３とは異なる位置の第４アライメントマークＡＭ４を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第４薄膜３１４が形成される。

このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第４薄膜３１４の端部を形成する一辺３１４Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ４とすると、この距離Ｄ４は、距離Ｄ１、Ｄ２、及びＤ３とは異なり、ここでは距離Ｄ４は距離Ｄ１より短く距離Ｄ３より長い。

つまり、この第４薄膜３１４は、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、及び第３薄膜３１３を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、及び第３薄膜３１３と完全に一致するような位置に形成されず、第３薄膜３１３に対して相対的に一方向Ｃにずれた状態で重なる。

したがって、第４薄膜３１４は、第３薄膜３１３の第２角部３１３Ｂに重なるが、第１角部３１３Ａ、第３角部３１３Ｃ、及び、第４角部３１３Ｄには重ならない（このとき、第４薄膜３１４は、第２薄膜３１２の第３角部３１２Ｃにも重なるが、第１角部３１２Ａ、第２角部３１２Ｂ、及び、第４角部３１２Ｄには重ならない。また、第４薄膜３１４は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａにも重なるが、第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄには重ならない。）。また、第３薄膜３１３の一辺３１３Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘ及び第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘと重ならない（当然のことながら、第３薄膜３１３のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺及び第２薄膜３１２のその他の３辺とは重ならない）。

以上のような工程を経て封止体３００が形成される。
次に、封止体３００の表面、すなわち第４遮蔽層３２４の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材２００を接着する。この後、マザー基板５００をアレイ部ＡＲ毎に単個サイズに切り出す。なお、必要に応じてＥＬ発光を取り出す側の表面に偏向板を貼り付けても良い。

上述したような製造工程によって製造された表示装置１は、図１０に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した時、図７に示すような断面構造を有している。すなわち、アレイ基板１００の少なくとも有効部１０６は、ベース遮蔽層３２０、第１薄膜３１１、第１遮蔽層３２１、第２薄膜３１２、第２遮蔽層３２２、第３薄膜３１３、第３遮蔽層３２３、第４薄膜３１４、及び、第４遮蔽層３２４の順で積層された構造の封止体３００によって封止されている。

このため、第１実施例と同様の効果が得られる。加えて、上述した第２実施例では、第１薄膜３１１、第２薄膜３１２、第３薄膜３１３、及び、第４薄膜３１４は、それぞれ有効部１０６を覆うように配置されつつ、有効部１０６に対して四方向にずれた状態で積層される。これにより、各薄膜のいずれの辺もほぼ同じ位置で重なることがなく、封止体３００の周縁が緩やかな斜面３００Ｓによって形成される。したがって、積層する薄膜の層数が増加したとしても、上層の薄膜を被覆する遮蔽層を形成する際に各薄膜の周縁を確実に被覆することができ、カバレッジ不良を防止することができる。

また、第１実施例のように複数の薄膜を同一方向にずらして積層する場合と比較して、この第２実施例では四方向それぞれに薄膜を互いにずれた状態で積層したため、有効部周辺の額縁幅を小さくすることができ、狭額縁化を実現するにあたって有利な構造を提供することができる。

（第３実施例）
第３実施例では、１枚の基板から１個の表示装置に対応するアレイ基板を製造する場合を例として説明する。なお、この実施例のように１枚の基板から１個のアレイ基板を製造する場合、上述した第１実施例のように一方向に薄膜をずらして積層させる方法も、第２実施例のように四方向に薄膜をずらして積層させる方法も適用可能であることは言うまでもない。

まず、図１１の（ａ）に示すように、基板主面に有効部１０６を備えたアレイ基板１００を形成する。この有効部１０６を形成する工程では、後に薄膜を形成する際に用いられる複数のアライメントマークＡＭも同時に形成される。この第３実施例では、３層の薄膜を積層するため、それぞれの薄膜を形成する際に必要な３つのアライメントマークＡＭが形成されている。

次に、アレイ基板１００の主面の少なくとも有効部１０６を覆うように封止体３００を配置する。すなわち、ベース遮蔽層３２０、第１薄膜３１１、第１遮蔽層３２１、第２薄膜３１２、第２遮蔽層３２２、第３薄膜３１３、及び、第３遮蔽層３２３の順に積層し、封止体３００を形成する。

第１乃至第３薄膜は、少なくとも有効部１０６より大きなパターンとして形成される。これらの薄膜は、第１実施例と同様に、例えば樹脂材料を用いて形成され、第２チャンバ６０２において樹脂材料を蒸着する工程と、必要に応じて第３チャンバ６０３において樹脂材料を硬化する硬化処理工程などを経て形成される。

ベース遮蔽層、及び、第１乃至第３遮蔽層は、各薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を外気から遮蔽するように形成される。これらの遮蔽層は、第１チャンバ６０１において、各薄膜が形成された領域より大きな領域、例えばアレイ基板１００のほぼ全体を覆うように配置されたほぼ矩形状のパターンとして形成される。

ここで、第１薄膜３１１を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第２チャンバ６０２において、マザー基板５００は、所定パターンの第２マスクＭ２に対して、図１１の（ｂ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第１薄膜３１１が形成される。ここで、矩形状有効部１０６の端部を形成する一辺上に基準位置１０６Ｒを設定する（ここでは有効部１０６の１つの角部）。このとき、有効部１０６の基準位置１０６Ｒから、第１薄膜３１１の端部を形成する一辺３１１Ｘまでの最短距離をＤ１とする。

第２薄膜３１２を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＭ２は、相対的に、第１薄膜３１１を形成するための蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して、図１１の（ｃ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１とは異なる位置の第２アライメントマークＡＭ２を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第２薄膜３１２が形成される。

このとき、有効部１０６の基準位置１０６Ｒから、第２薄膜３１２の端部を形成する一辺３１２Ｘ（すなわち、有効部１０６の基準位置１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ２とすると、この距離Ｄ２は、距離Ｄ１とは異なり、ここでは距離Ｄ２は距離Ｄ１より短い。

つまり、この第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１と完全に一致するような位置に形成されず、第１薄膜３１１に対して相対的に回転方向θにずれた状態で重なる。ここでは、第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１に対して回転方向θに５度ずれた状態で重なっている。

したがって、第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１の４つの角部すべてを露出するように重なっている。すなわち、第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａ、第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄのいずれにも重ならない（第２薄膜３１２は、第１薄膜３１１のすべての角を覆うことはない）。また、第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘと重ならない（当然のことながら、第２薄膜３１２のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺とは重ならない）。

第３薄膜３１３を形成する際の樹脂材料の蒸着工程では、第１薄膜３１１を形成した際に用いたの同一の第２マスクＰ２は、相対的に、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成するための蒸着工程とは異なる位置に位置合わせされる。すなわち、マザー基板５００は、第２マスクＭ２に対して、図１１の（ｄ）に示すように、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２とは異なる位置の第３アライメントマークＡＭ３を基準に位置合わせされ、有効部１０６全体を含むような矩形状の領域に樹脂材料が蒸着される。このような蒸着工程を経て、有効部１０６全体を覆うように配置されたほぼ矩形状の第３薄膜３１３が形成される。

このとき、有効部１０６の一辺１０６Ｒから、第３薄膜３１３の端部を形成する一辺３１３Ｘ（すなわち、有効部１０６の一辺１０６Ｘに最も接近した一辺）までの最短距離をＤ３とすると、この距離Ｄ３は、距離Ｄ１及びＤ２とは異なり、ここでは距離Ｄ３は距離Ｄ１及びＤ２より短い。

つまり、この第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２を形成する際と同一の第２マスクＭ２を用いて形成されたにもかかわらず、第１薄膜３１１及び第２薄膜３１２と完全に一致するような位置に形成されず、第２薄膜３１２に対して相対的に回転方向θにずれた状態で重なる。ここでは、第３薄膜３１３は、第２薄膜３１２に対して回転方向θに５度ずれた状態で重なっている（当然のことながら、第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１に対して回転方向θに１０度ずれた状態で重なっている）。

したがって、第３薄膜３１３は、第２薄膜３１２の４つの角部すべてを露出するように重なっている。すなわち、第３薄膜３１３は、第２薄膜３１２の第１角部３１２Ａ、第２角部３１２Ｂ、第３角部３１２Ｃ、及び、第４角部３１２Ｄのいずれにも重ならない（このとき、第３薄膜３１３は、第１薄膜３１１の第１角部３１１Ａ、第２角部３１１Ｂ、第３角部３１１Ｃ、及び、第４角部３１１Ｄのいずれにも重ならない）。また、第３薄膜３１３の一辺３１３Ｘが第１薄膜３１１の一辺３１１Ｘ及び第２薄膜３１２の一辺３１２Ｘと重ならない（当然のことながら、第３薄膜３１３のその他の３辺も第１薄膜３１１のその他の３辺及び第２薄膜３１２のその他の３辺とは重ならない）。

以上のような工程を経て封止体３００が形成される。
次に、封止体３００の表面、すなわち第３遮蔽層３２３の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材２００を接着する。この後、必要に応じてＥＬ発光を取り出す側の表面に偏向板を貼り付けても良い。

上述したような製造工程によって製造された表示装置１は、図１１の（ｄ）に示したＶＩ−ＶＩ線で切断した時、図６に示すような断面構造を有している。すなわち、アレイ基板１００の少なくとも有効部１０６は、ベース遮蔽層３２０、第１薄膜３１１、第１遮蔽層３２１、第２薄膜３１２、第２遮蔽層３２２、第３薄膜３１３、及び、第３遮蔽層３２３の順で積層された構造の封止体３００によって封止されている。このため、第１実施例と同様の効果が得られる。

以上説明したように、この実施の形態によれば、基板主面に形成され画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、基板主面の少なくとも有効部を覆うように配置された封止体と、を備えた表示装置が提供される。この表示装置において、封止体は、実質的に同一パターンの少なくとも２層のほぼ矩形状の薄膜と、各薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を外気から遮蔽するよう被覆する遮蔽層と、を積層した構造を有し、且つ、有効部端の一辺から第１薄膜端の一辺までの最短距離が第２薄膜端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とするものである。

より厳密に言えば、有効部１０６の中心（矩形状有効部の２本の対角線の交点）Ｏから、第１薄膜３１１の互いに直交する２辺３１１Ｘ及び３１１Ｙまでの最短距離が第２薄膜３１２の互いに直交する２辺３１２Ｘ及び３１２Ｙまでの最短距離と異なる（例えば図４の（ａ）、図１０参照）。

つまり、有効部に基準位置を設けた時、複数の薄膜のそれぞれは同一パターンでありながら、基準位置から各薄膜の所定の一辺までの最短距離がそれぞれ異なるため、各薄膜は、基板主面の平面内において互いにずれた位置関係で積層される。

例えば第１に、複数の薄膜を有効部を基準として同一方向に沿ってシフトした状態で積層した場合、後に積層される薄膜は、先に形成された薄膜の１つの角部に重なる。より厳密に言えば、後に積層される第２薄膜３１２は先に形成された第１薄膜３１１の１つの角部３１１Ａに重なり、続いて積層される第３薄膜３１３は先に形成された第２薄膜３１２の１つの角部３１２Ａに重なるが、後に積層される薄膜によって覆われる角部３１１Ａ及び３１２Ａは、有効部１０６の中心Ｏから見てすべて同一の対角方向に位置する（図４の（ａ）及び（ｂ）参照）。

第２に、複数の薄膜を有効部を基準として四方向にシフトした状態で積層した場合、封止体は少なくとも３層の薄膜を備え、第１薄膜の後に積層される第２薄膜は、先に形成された第１薄膜の１つの角部に重なり、続いて積層される第３薄膜は、先に形成された第２薄膜の１つの角部に重なる。より厳密に言えば、後に積層される第２薄膜３１２は先に形成された第１薄膜３１１の１つの角部３１１Ａに重なり、続いて積層される第３薄膜３１３は先に形成された第２薄膜３１２の１つの角部３１２Ｃに重なり、続いて積層される第４薄膜３１４は先に形成された第３薄膜３１３の１つの角部３１３Ｂに重なるが、後に積層される薄膜によって覆われる角部３１１Ａ、３１２Ｃ、及び３１３Ｂは、有効部１０６の中心Ｏから見てすべて異なる対角方向に位置する（図９の（ａ）及び（ｂ）、及び、図１０参照）。

第３に、複数の薄膜を有効部を基準として回転方向にシフトした状態で積層した場合、後に積層される薄膜は、先に形成された薄膜の４つの角部を露出するように重なる。より厳密に言えば、後に積層される第２薄膜３１２は先に形成された第１薄膜３１１の４つの角部のいずれにも重ならず、続いて積層される第３薄膜３１３は先に形成された第２薄膜３１２の４つの角部のいずれにも重ならない（図１１の（ｂ）乃至（ｄ）参照）。

このような構造により、各薄膜の四方向の周縁が揃って積層されることがなく、封止体周縁が緩やかな斜面によって形成され、上層に薄膜及び遮蔽層を形成する場合でもそれらの周縁を確実に被覆することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。また、複数の薄膜を互いにずれた状態で重ねたため、同一マスクですべての薄膜を形成した場合であっても、各薄膜のピンホールがつながることはなく、密閉性の劣化を防止することができる。したがって、長期にわたって安定した良好な表示性能を維持することができる。

また、薄膜を形成するために必要なマスクは、薄膜の層数より少ない数だけ用意すればよく、マスクの入れ替え作業が楽になって製造効率を向上することができるとともに、製造コストを低減することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

上述した各実施例では、封止体を構成する薄膜が３層の場合及び４層の場合を例に説明したが、封止体は少なくとも２層の薄膜を互いにずれた状態で積層して構成すれば良い。なお、封止体を１０層以上の薄膜を積層して構成するような場合は工程数が多すぎて生産性が低下する。このため、積層する薄膜の層数は、２層以上１０層未満であって、望ましくは３乃至５層に設定される。

また、上述した各実施例では、封止体を構成するすべての薄膜を同一パターンとして形成したが、複数層のうちの少なくとも２層の薄膜を同一パターンとして形成すればよい。これにより、層数分のマスクを用意する必要がなくなり、マスクの入れ替え作業の負荷を軽減できるだけでなく、用意するマスクの数が減るため、製造コストを低減することができる。

さらに、上述した各実施例では、ベース遮蔽層、及び、第１乃至第４遮蔽層は、アレイ基板全体をほぼ覆うようにほぼ同一のパターンで配置したが、各遮蔽層も各薄膜と同様に互いにずれた状態で積層しても良い。

また、上述した各実施例では、マスクを固定的に配置し、アレイ基板側をずらしてアライメントマークをマスクの位置に合わせたが、アレイ基板側を固定的に配置し、アライメントマークの位置にマスクを位置合わせしてもよく、要するに、アライメントマークによりマスクとアレイ基板の位置が相対的に決まればよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。 図３の（ａ）及び（ｂ）は、第１実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図４の（ａ）及び（ｂ）は、第１実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図５の（ａ）及び（ｃ）は、封止体の遮蔽層を形成するための製造工程を説明するための図であり、（ｂ）は、封止体の薄膜を形成するための製造工程を説明するための図である。 図６は、第１実施例及び第３実施例にて製造された有機ＥＬ表示装置の断面構造を概略的に示す図である。 図７は、第２実施例にて製造された有機ＥＬ表示装置の断面構造を概略的に示す図である。 図８の（ａ）及び（ｂ）は、第２実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図９の（ａ）及び（ｂ）は、第２実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図１０は、第２実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図１１の（ａ）乃至（ｄ）は、第３実施例における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための平面図である。 図１２は、封止体を形成するための装置構成を概略的に示す図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１０６…有効部、１２０…配線基板、２００…封止部材、３００…封止体、３１１…薄膜、３２１…遮蔽層、５００…マザー基板、ＰＸ…画素、ＡＭ…アライメントマーク、

Claims (13)

1. 基板主面に形成され、画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、
   基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
   前記封止体は、実質的に同一パターンの少なくとも２層の薄膜と、前記薄膜より大きなパターンであってしかも各薄膜を被覆する遮蔽層と、を積層した構造を有し、且つ、前記有効部端の一辺から第１薄膜端の一辺までの最短距離が第２薄膜端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とする表示装置。
2. 前記有効部は、マトリクス状に配置され画素毎に独立島状に形成された第１電極と、前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２薄膜は、前記第１薄膜の１つの角部を覆うように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記封止体は、前記薄膜を少なくとも３層備え、第１薄膜と、前記第１薄膜の１つの角部を覆うように配置された第２薄膜と、前記第２薄膜の１つの角部を覆うように配置された第３薄膜と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第２薄膜は、前記第１薄膜の４つ角部を前記第２薄膜の角部に対して相対的に露出するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記遮蔽層は、金属材料、金属酸化物材料、または、セラミック系材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記薄膜は、樹脂材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記薄膜は、樹脂材料を用いて形成され、
   前記第１薄膜及び前記第２薄膜は、同一パターンのマスクを介して樹脂材料を蒸着する工程を経て形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
9. 基板主面に、画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部を形成し、
   基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように封止体を配置する、表示装置の製造方法において、
   前記封止体の製造工程は、
   少なくとも前記有効部より大きなパターンのほぼ矩形状の第１薄膜を形成し、
   前記第１薄膜より大きなパターンであってしかも前記第１薄膜を被覆する第１遮蔽層を形成し、
   前記第１遮蔽層上に、前記第１薄膜と実質的に同一パターンの第２薄膜を形成し、
   前記第２薄膜より大きなパターンであってしかも前記第２薄膜を被覆する第２遮蔽層を形成する工程を含み、
   前記有効部端の一辺から第１薄膜端の一辺までの最短距離が第２薄膜端の一辺までの最短距離と異なることを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 前記有効部は、マトリクス状に配置され画素毎に独立島状に形成された第１電極と、前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第１薄膜及び前記第２薄膜を形成する工程は、同一パターンのマスクを介して樹脂材料を蒸着する蒸着工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記第１薄膜及び前記第２薄膜を形成するためのそれぞれの蒸着工程では、前記マスクを異なる位置に位置合わせすることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記第１薄膜を形成するための蒸着工程では、基板主面の第１アライメントマークを基準に位置合わせした前記マスクを介して樹脂材料を蒸着し、
    前記第２薄膜を形成するための蒸着工程では、前記第１アライメントマークとは異なる位置の第２アライメントマークを基準に位置合わせした前記マスクを介して樹脂材料を蒸着することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

Images