CN103631093A - 光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103631093A
CN103631093A CN201210576915.8A CN201210576915A CN103631093A CN 103631093 A CN103631093 A CN 103631093A CN 201210576915 A CN201210576915 A CN 201210576915A CN 103631093 A CN103631093 A CN 103631093A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
peo
light
polymkeric substance
thermosensitive polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210576915.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103631093B (zh
Inventor
朴宰贤
金珍郁
金玮镕
闵慧理
金玟知
孙荣兑
申英燮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN103631093A publication Critical patent/CN103631093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103631093B publication Critical patent/CN103631093B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/46—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography characterised by the light-to-heat converting means; characterised by the heat or radiation filtering or absorbing means or layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/06—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers relating to melt (thermal) mass transfer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/38—Intermediate layers; Layers between substrate and imaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光致抗蚀膜和使用所述光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法。所述光致抗蚀膜包括支持膜上的光至热转换层，和所述光至热转换层上的热敏性聚合物层，其中，由于所述光致抗蚀膜包含热敏性聚合物，因而该光致抗蚀膜通过调节温度和使用脱离膜而容易脱离转移衬底。

Description

光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年8月27日递交的韩国专利申请第10-2012-0093762号的优先权，并通过援引将其全文并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀膜，更具体而言，涉及一种光致抗蚀膜和使用所述光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
有机发光显示(OLED)装置是一种新型的平面显示装置，OLED装置本身能够发光。与液晶显示(LED)装置相比，OLED装置具有更宽的视角和更高的对比度。另外，OLED装置不需要额外的背光单元，因此OLED装置能够实现薄型化和轻量化。此外，OLED装置在能耗方面也具有优势。另外，OLED装置具有较快的响应速度，并且OLED装置能够由低直流(DC)电压驱动，还能够以低制造成本制得。
为了使OLED装置的衬底上的两个电极之间的发光层(EML)图案化，已经使用了精细金属掩模(FMM)法或喷墨法。
不过，由于掩模制造技术的局限性，FMM法难以适用于大型高分辨率的装置。而且，FMM法还可能因掩模的重量而产生掩模下垂的问题。喷墨法采用了液体型材料，因而其可能降低在制造过程中曝光的发光装置的功能效率。尤其是，在采用现有技术的蚀刻工艺的方法中，发光装置与用于蚀刻金属的溶液直接接触，因而可能会出现断路，或者可能使装置的特性劣化。
为了克服这些问题，已经引入了剥离(lift-off)工艺，即使在包括曝光、显影和蚀刻步骤的光掩蔽工艺中仅执行曝光和显影步骤而不进行蚀刻步骤，所述剥离工艺也能够形成细微的图案。
然而，相当于现有技术的光致抗蚀膜的干膜抗蚀剂(DFR)具有很强的粘合强度。因此，在移除光致抗蚀图案的步骤中，可能会出现残留层。也就是说，残留层可能在发光层(EML)中引起缺陷，因此降低装置的效率。
热敏性聚合物(thermo-responsive polymer)是通过在水溶液中随温度变化的聚合物溶解度的快速改变而发生可逆相变的材料。
热敏性聚合物可大致分为具有最低临界溶解温度(LCST)的材料和具有最高临界溶解温度(UCST)的材料。例如，具有LCST的热敏性聚合物在LCST或高于LCST的温度下具有疏水性，由此发生相分离。
在医疗领域中，热敏性聚合物通常用于控制药物释放。近些年，热敏性聚合物由于在各种领域中的应用研究而引起关注。
发明内容
因此，本发明涉及一种光致抗蚀膜和使用所述光致抗蚀膜的OLED装置的制造方法，其基本上消除了因现有技术的局限性和缺点而造成的一个或多个问题。
本发明的一个方面涉及一种OLED的制造方法，该方法通过使用采用了热敏性聚合物的光致抗蚀膜而有利于提高显示装置的效率。
本发明的另一方面涉及一种OLED的制造方法，该方法通过使用采用了热敏性聚合物的光致抗蚀膜而有利于以最小的损伤形成图案。
对于本发明的其他的优点和特征，一部分将在下面的说明中阐述，其他部分将在研究以下内容后对本领域技术人员而言变得显而易见或者可以通过对本发明的实施而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
在一方面，为实现这些和其他的优点，并根据本发明的目的，如本文所具体及宽泛描述的，一些实施方式的光致抗蚀膜可包括位于支持膜上的光至热转换层(light-to-heat conversion layer)；和位于所述光至热转换层上的热敏性聚合物层。
在本发明的另一方面，一些实施方式的OLED装置的制造方法可包括：在转移衬底上形成包括支持膜、光至热转换层(LTHC)和热敏性聚合物层的光致抗蚀膜；使所述光致抗蚀膜曝露；用红外线(IR)照射曝露的所述光致抗蚀膜以形成光致抗蚀图案；在所述光致抗蚀图案上沉积发光层；和通过调节温度使所述光致抗蚀图案脱离所述转移衬底。
应当明白，对本发明的以上一般描述和以下详细描述都仅是示例性的，旨在为所要求保护的本发明提供进一步解释。
附图说明
包含附图是为了提供对本发明的进一步理解，并将其并入本申请中构成本申请的一部分，附图描绘了本发明的示例性实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是本发明的一个实施方式的光致抗蚀膜的截面图；和
图2～6是使用本发明一个实施方式的光致抗蚀膜的OLED装置的制造方法的截面视图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的示例性实施方式，其实例在附图中示出。只要可能，相同的附图标记将在全部附图中用来表示相同或类似的部件。应注意的是，如果确定现有技术会误导本发明，则将略去对现有技术的详细描述。
图1是本发明的一个实施方式的光致抗蚀膜的截面图。
如图1所示，本发明的一个实施方式的光致抗蚀膜100包括支持膜110、光至热转换层(LTHC)120和热敏性聚合物层130（例如，PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物）。
根据本发明的一个实施方式，光致抗蚀膜100可以通过以下方式形成：在支持膜110上形成LTHC层120，然后在LTHC层120上形成热敏性聚合物层130（例如，PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物）。
首先，支持膜110可包括具有良好透射率的聚合物膜，例如，聚酯(PS)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。另外，支持膜110可包含对LTHC层120具有良好粘附性的材料，不过并不限于此。
此外，支持膜110可以保护并支持LTHC层120和热敏性聚合物层130。
LTHC层120可吸收光中的红外线，并且可以将一部分所吸收的光转换为热。在这种情况中，LTHC层120可具有适合于高效地吸收光的光密度。LTHC层120可以由吸光材料形成以吸收光。例如，LTHC层120可包括铝(Al)、银(Ag)或者它们的氧化物或硫化物的金属膜，或者可包括聚合物有机膜，该有机膜包含但不限于炭黑、石墨或红外线染料。在一些实施方式中，当LTHC层吸收光并将一部分所吸收的光转换为热时，这样的转换可以导致LTHC层膨胀。在该情况中，金属膜LTHC层120可通过气相沉积法、电子束蒸发法或溅射法形成。同时，有机膜LTHC层120可通过普通的膜涂覆法形成，即，凹版涂覆法、挤压涂覆法、旋转涂覆法或刮刀涂覆法中的一种。
热敏性聚合物层130可以由热敏性聚合物形成。本文所述的热敏性聚合物在温度升至高于聚合物状态下的预定值时可发生水和聚合物的相分离，但在温度低于所述预定温度的低温水溶液中可溶。本文所述的热敏性聚合物还可以在温度降至低于聚合物状态下的预定值时发生水和聚合物的相分离，但在温度高于所述预定温度的高温水溶液中可溶。
例如，所述热敏性聚合物可包含具有醚基的聚合物，其包括但不限于聚氧化乙烯(PEO)、聚氧化乙烯(PEO)-氧化丙烯(PPO)共聚物、PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、PEO-PLGA-PEO三嵌段共聚物或聚乙烯基甲基醚(PVME)。在其他实施方式中，本文所述的热敏性聚合物还可包括N-异丙基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、N,N’-二乙基丙烯酰胺、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯和N-(L)-1-羟基甲基等。在另外一些实施方式中，本文所述的热敏性聚合物还可包括聚[低聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯](POEGMA)、POEGMA-嵌段-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(POEGMA-b-PNIPAM)、POEGMA-嵌段-聚(N,N-二乙基丙烯酰胺)(POEGMA-b-PDEAM)、POEGMA-嵌段-[PNIPAM-共-聚(丙烯酸五氟苯酯)](POEGMA-b-(PNIPAM-co-PPFPA))。
另外，热敏性聚合物可包括具有醇基的聚合物，其包括但不限于丙烯酸羟基丙酯、羟基丙基甲基纤维素、羟基丙基纤维素、羟基乙基纤维素、甲基纤维素和聚乙烯醇等。热敏性聚合物可包括具有N-取代的酰胺基的聚合物，其包括但不限于聚(N-丙烯酰基吡咯烷)、聚(N-丙烯酰基哌啶)、聚(丙烯酰基-L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉。
在一些实施方式中，本文所述的共聚物（例如PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物）的LCST可以通过调节亲水性部分（如PEO）和疏水性部分（如PPO）中的聚合度来调整。
另外，本文所述的共聚物可依据其单体的数量来分类。例如，PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物可根据PEO和PPO的数量来分类，即，以“F”表示的F38、F68、F77、F77、F98、F108和F127；以“L”表示的L31、L42、L43、L44、L62、L72和L101；和以“P”表示的P75、P103和P104，其中，PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物的以上实例具有PEO-PPO-PEO结构，不过，它们的组成和类型彼此略有不同。
举例而言，LCST超过100℃的材料可以包括EO100PO65EO100、EO132PO50EO132、EO76PO29EO76或EO103PO39EO103；LCST超过80℃的材料可以包括EO17PO60EO17、EO27PO61EO27或EO37PO56EO37。
然而，用于本发明的热敏性聚合物层130的热敏性聚合物的种类并不限于以上实例。也就是说，本发明的热敏性聚合物层130可以使用各种热敏性聚合物来形成。
热敏性聚合物层130可以通过以下方式来形成：使用气刀、辊涂机、喷涂机、浸涂机、凹板式涂覆机、旋涂机、刮棒涂覆机、刮浆刀和狭缝涂覆机中的任一种将热敏性聚合物喷洒或涂覆在LTHC层120上。热敏性聚合物层130的厚度可以为0.5μm～25.0μm，1.0μm～20.0μm，5.0μm～15.0μm，10.0μm～15.0μm，或5.0μm～10.0μm。
除了以上结构之外，光致抗蚀膜100中还可包含各种类型的添加剂。例如，光致抗蚀膜100中可包含光引发剂或光致生酸剂，或者添加剂（例如，粘合剂或包含该粘合剂的单体）可以包含在光致抗蚀膜100中（例如，在热敏层中、LTHC层中或支持膜中）。
在该情况中，LTHC层120的组分中可以包含粘合剂，其中，当用光照射光致抗蚀膜100时所述粘合剂将LTHC层120中的转移材料转移。例如，所述粘合剂可包括丙烯酸酯聚合物（例如，酚醛清漆树脂、聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯或聚氨酯丙烯酸酯）。用于制备一些实施方式的高分子粘合剂的适宜的丙烯酸烷基酯包括丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸丁酯等。适宜的α,β-烯属不饱和羧酸包括丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸和马来酸或马来酸酐等。在产生自由基的聚合引发剂（例如，过氧化合物，如过氧化苯甲酰、过氧化二叔戊基或过氧化二碳酸二异丙酯；偶氮引发剂，如1,1’-偶氮二环己腈、2,2’-偶氮双(2-甲基丙腈)）存在时，一些实施方式的高分子粘合剂可以通过本领域的技术人员已知的任一种加聚技术来制备，所述加聚技术包括溶液聚合、本体聚合、珠状聚合和乳液聚合等。
另外，LTHC层120的组分中可以包含光引发剂，其中，通过在用光照射时固化粘合剂，所述光引发剂可增强光致抗蚀膜100的硬度。例如，所述光引发剂可包括苯乙酮、肟、芳香族酮类(二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二氨基二苯甲酮(米希勒酮)、N,N'-四甲基-4,4'-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基氨基二苯甲酮、2-乙基蒽醌和菲醌等)、安息香类(安息香醚(例如安息香甲基醚、安息香乙基醚和安息香苯基醚)、甲基安息香和乙基安息香等)、苄基衍生物(苄基二甲基缩酮等)、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(例如，2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4,5-二(间甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4-二(对甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2-(2,4-二甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物和2-(对甲基巯基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等)和吖啶衍生物(9-苯基吖啶和1,7-双(9,9'-吖啶基)庚烷等)。所述光引发剂还可以包括例如具有取代基或不具有取代基的多环醌，其是在一个共轭碳环体系中具有两个环内碳原子的化合物，例如，9,10-蒽醌、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二氯萘醌、1,4-二甲基蒽醌、2,3-二甲基蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、蒽醌α-磺酸的钠盐、3-氯-2-甲基蒽醌、惹烯醌、7,8,9,10-四氢萘并萘醌和1,2,3,4-四氢苯并(a)蒽-7,12-二酮。其他同样有用的光引发剂（即使其中一些可能在低至85℃的温度下也具有热活性）在美国专利第2,760,863号中有所描述，包括：邻位醛酮羰基(ketaldonyl)醇类，例如安息香、pivaloin、偶姻醚类（如安息香甲基醚和安息香乙基醚）；α-烃取代的芳族偶姻（包括α-甲基安息香、α-烯丙基安息香和α-苯基安息香）。可以用作引发剂的有：美国专利第2,850,445、2,875,047、3,097,096、3,074,974、3,097,097和3,145,104号中公开的光还原性染料和还原剂，以及吩嗪、噁嗪和醌类染料；美国专利第3,427,161、3,479,185和3,549,367号中描述的米希勒酮、二苯甲酮、具有氢供体的2,4,5-三苯基咪唑基二聚物及其混合物。这些光引发剂可以单独使用或者两种以上组合使用。根据所需的图案和曝光过程的波长范围，可以适当地确定光引发剂的种类或含量。
另外，LTHC层120中的组分中可以包含光致生酸剂，其中，在用光照射时所述光致生酸剂产生酸。例如，光致生酸剂可包括三芳基硫鎓盐、二芳基碘鎓盐、磺酸盐或者它们的合金。在一些实施方式中，光致生酸剂可包括三氟甲磺酸三苯基硫鎓、N-羟基琥珀酰亚胺或其混合物。
因此，本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100可以布置在预定的转移衬底上以形成所需的图案。在该情况中，可以按照使转移衬底的上表面与热敏性聚合物层130接触的方式来设置所述转移衬底。因此，可以将本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100转移至该转移衬底上，由此形成图案。
下表1显示了本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100的脱离率和发光层(EML)的保留率的结果。另外，实施方式1和2显示了取决于热敏性聚合物的厚度的脱离率和发光层(EML)的保留率的结果。
实施例
比较例
在转移衬底上形成现有技术的干膜抗蚀剂(DFR)，然后评估干膜抗蚀剂(DFR)的脱离率和发光层(EML)的保留率。
即，在沉积了发光层(EML)之后，使温度在120℃保持5分钟，然后移除干膜抗蚀剂(DFR)，由此评估脱离率和发光层(EML)的保留率。
根据评估结果，脱离率为3%，发光层(EML)的保留率为4%。
此处，脱离率根据“干膜抗蚀剂(DFR)的移除面积/干膜抗蚀剂(DFR)的总面积”来计算，发光层(EML)的保留率根据“保留在转移衬底上的发光层(EML)的面积/沉积在转移衬底上的发光层(EML)的总面积”来计算。
实施例1
在转移衬底上形成被覆F127(EO100PO65EO100)的光致抗蚀膜，然后评估光致抗蚀膜的脱离率和发光层(EML)的保留率。
此时，使用刮棒涂覆机法用热敏性聚合物F127涂覆光致抗蚀膜，涂覆到光致抗蚀膜上的PEO-PPO-PEO(F127)的厚度为6μm。
在沉积了发光层(EML)之后，使温度在120℃保持5分钟，然后移除光致抗蚀膜，由此评估脱离率和发光层(EML)的保留率。
根据评估结果，脱离率为58%，发光层(EML)的保留率为65%，其中，使用与比较例中提及的相同的方法计算脱离率和发光层(EML)的保留率。
实施例2
在转移衬底上形成被覆F127(EO100PO65EO100)的光致抗蚀膜，然后评估光致抗蚀膜的脱离率和发光层(EML)的保留率。
此时，使用刮棒涂覆机法用热敏性聚合物F127涂覆光致抗蚀膜，涂覆到光致抗蚀膜上的PEO-PPO-PEO(F127)的厚度为16μm。
在沉积了发光层(EML)之后，使温度在120℃保持5分钟，然后移除光致抗蚀膜，由此评估脱离率和发光层(EML)的保留率。
根据评估结果，脱离率为72%，发光层(EML)的保留率为83%，其中，使用与比较例中提及的相同的方法计算脱离率和发光层(EML)的保留率。
如下表1所示，使用包含热敏性聚合物的光致抗蚀膜的实施方式1和2中脱离率和发光层(EML)的保留率均高于比较例中的相应值。
表1
下面将描述使用本发明一个实施方式的光致抗蚀膜的OLED装置的制造方法。
图2～图6是使用本发明一个实施方式的光致抗蚀膜的OLED装置的制造方法的截面视图。
首先，如图2和图3所示，在转移衬底10上形成包括支持膜110、光至热转换层(LTHC)120和PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物热敏性聚合物层130的光致抗蚀膜100。之后，使包括支持膜110、光至热转换层(LTHC)120和PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物热敏性聚合物层130的光致抗蚀膜100曝露，然后用红外线(IR)照射位于转移衬底10上的曝露的光致抗蚀膜100，由此形成光致抗蚀图案100a。
图2显示了包括热敏性聚合物层130的光致抗蚀膜100的曝光过程。图3显示了转移衬底10上的光致抗蚀图案100a。
即，所述曝光过程可以通过以下方式进行：使用具有预定图案的掩模(M)，用红外线(IR)照射转移衬底10上的光致抗蚀膜100，从而形成光致抗蚀图案100a。
首先，转移衬底10可以由具有透明度和良好耐热性的材料（如玻璃）、塑料或金属构成。例如，转移衬底10可以由透光率超过80%的衬底形成。
转移衬底10可包含选自包括空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、空穴阻挡层、电子输送层和电子注入层的组的单膜或复膜。
另外，IR照射可以设计为具有恒定的能量密度、波长和照射时间。在一些实施方式中，可以调节IR照射以使其具有在超过约800nm、900nm、1000nm、1100nm或1200nm的波长范围内的能量密度或照射时间。此处，使用约0.1W～10.2W的IR激光器来评估照射强度，且扫描速度约为0.28mm/s～85mm/s。在此情况下，可以将能量调整为约2.78mJ/cm2～5666.67mJ/cm2。
尽管未示出，OLED装置可包括第一电极、有机发光层和第二电极。有机发光层可包含空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光层(EML)和电子输送层(ETL)。
即，OLED装置可包括衬底、位于所述衬底上的第一电极、位于所述第一电极上的空穴注入层(HIL)、位于所述空穴注入层(HIL)上的空穴输送层(HTL)、位于所述空穴输送层(HTL)上的发光层、位于所述发光层上的电子输送层(ETL)、位于所述电子输送层(ETL)上的电子注入层和位于所述电子注入层上的第二电极。
此时，空穴输送层(HTL)将空穴输送到发光层(EML)，并防止由阴极产生的电子漂移到发光区域，由此提高了发光效率。
例如，空穴输送层(HTL)可以由梯形化合物以及具有螺环基团的亚芳基二胺衍生物、星状爆炸型化合物或联苯二胺衍生物构成。更具体而言，空穴输送层(HTL)可以为N,N-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-1,1'-联苯基-4,4'-二胺(TPD)或4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)。
另外，发光层(EML)可以为空穴输送材料与电子输送材料的混合层，而且发光层(EML)可以在空穴输送层(HTL)上形成。
为了形成OLED装置的发光层(EML)，在空穴输送层(HTL)上形成光致抗蚀膜100，然后通过使用具有预定图案的掩模(M)，用红外线(IR)照射空穴输送层(HTL)上的光致抗蚀膜100，从而形成光致抗蚀图案100a。
在该情况中，光致抗蚀膜100可以形成为使得热敏性聚合物层130与空穴输送层(HTL)接触。即，依次形成有热敏性聚合物层130、光至热转换层120和支持膜110的光致抗蚀膜100可以设置在空穴输送层(HTL)上，从而使光致抗蚀图案100a容易脱离空穴输送层(HTL)。
然后，如图4所示，在光致抗蚀图案100a上可以沉积发光层(EML)200r。
发光层(EML)通常可用于表现红色、绿色和蓝色。为此，可以在相应的像素中使用于发射红色光、绿色光和蓝色光的有机材料形成图案。举例而言，用于发射红色光的有机材料可以为低分子量物质(例如Alq3(主体)/DCJTB(荧光掺杂剂)、Alq3(主体)/DCM(荧光掺杂剂)和CBP(主体)/PtOEP(磷光有机金属络合物))和高分子量物质(例如PFO类聚合物和PPV类聚合物)；用于发射绿色光的有机材料可以为低分子量物质(例如Alq3、Alq3(主体)/C545t(掺杂剂)和CBP(主体)/IrPPY(磷光有机金属络合物))和高分子量物质(例如PFO类聚合物和PPV类聚合物)；用于发射蓝色光的有机材料可以为低分子量物质(例如DPVBi、螺环-DPVBi、螺环-6P、均二苯乙烯(DSB)和联苯乙烯衍生物(DSA))和高分子量物质(例如PFO类聚合物和PPV类聚合物)。
例如，可以将上述有机材料涂覆或喷洒在位于转移衬底10上的光致抗蚀图案100a的上表面上，由此分别在各像素区(P)形成发光层200r。
图4仅显示了红色光发光层200r。由于通过使用掩模(M)在像素中分别沉积了用于发射红色光、绿色光和蓝色光的有机材料，因此可以形成针对相应的像素区的红色光发光层、绿色光发光层和蓝色光发光层。
在施加了本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100后，可以使用激光诱导的热成像方法来使发光层(EML)图案化。不过，并不限于该激光诱导的热成像方法。即，可以使用各种图案化方法。
如图5和6所示，通过调节温度来使光致抗蚀图案100a脱离转移衬底10，由此在转移衬底上形成发光层200r、200g和200b。
在该情况中，可以调节温度来改变光致抗蚀膜100的热敏性聚合物层130。
由于热敏性聚合物层130具有PEO-PPO-PEO的结构，因此可以调节温度来满足对应于各材料的特性的LCST。例如，在EO100PO65EO100、EO132PO50EO132、EO76PO29EO76或EO103PO39EO103的情况中，使温度升至100℃以上。在EO17PO60EO17、EO27PO61EO27或EO37P056EO37的情况中，使温度升至80℃以上。
通过调节温度，可以降低转移衬底10和光致抗蚀图案100a之间的粘附强度。
然后，使光致抗蚀图案100a脱离转移衬底10。根据本发明，通过使用脱离膜，可以使光致抗蚀图案100a容易地脱离转移衬底10。所述脱离膜是粘附强度与常用胶带的粘附强度相似的膜。不过，脱离膜并不限于此，即，可以多样化地调整及使用脱离膜的尺寸或种类。
在将脱离膜粘附到光致抗蚀图案100a的支持膜110上之后，光致抗蚀图案100a容易脱离转移衬底10。
如图6所示，在转移衬底上可以形成发光层200r、200g和200b。
因此，本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100可以有利于提供具有损害最小的所需图案的OLED装置，而且有利于制造具有极高发光效率和长寿命的显示装置，并同时提高产率。
在以上描述中，显示了将本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100应用于OLED装置的一个实例，但该应用不是必需的。因此，本发明一个实施方式的光致抗蚀膜100可以应用于多种类型的显示装置，例如，液晶显示(LCD)装置或电泳显示(EPD)装置。
在本发明的一个方面中，通过使用包含热敏性聚合物的光致抗蚀膜100，可以提高显示装置的发光效率并延长显示装置的寿命，并由此提高产率。
为了形成所需的图案，通过调节温度和使用脱离膜，可以使光致抗蚀膜100容易地脱离转移衬底10，从而有利于提供在发光层(EML)上的具有损害最小的所需图案的OLED装置。
本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变形。因此，本发明意在覆盖对本发明的各种修改和变形，只要这些修改和变形落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (20)

1.一种光致抗蚀膜，所述光致抗蚀膜包括：
支持膜上的光至热转换层；和
所述光至热转换层上的热敏性聚合物层。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述热敏性聚合物层包含具有醚基的聚合物、具有醇基的聚合物或具有N-取代的酰胺基的聚合物。
3.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述支持膜是聚合物膜。
4.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述光至热转换层包括金属膜、聚合物有机膜或者它们的混合物。
5.如权利要求4所述的光致抗蚀膜，其中，所述金属膜包含铝(Al)、银(Ag)或者它们的氧化物或硫化物，所述聚合物有机膜包含炭黑、石墨或红外线染料。
6.如权利要求2所述的光致抗蚀膜，其中，
所述具有醚基的聚合物选自由聚氧化乙烯(PEO)、聚氧化乙烯(PEO)-氧化丙烯(PPO)共聚物、PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、PEO-PLGA-PEO三嵌段共聚物和聚乙烯基甲基醚(PVME)组成的组，
所述具有醇基的聚合物选自由丙烯酸羟基丙酯、羟基丙基甲基纤维素、羟基丙基纤维素、羟基乙基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯醇组成的组，并且
所述具有N-取代的酰胺基的聚合物选自由聚(N-丙烯酰基吡咯烷)、聚(N-丙烯酰基哌啶)、聚(丙烯酰基-L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉组成的组。
7.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述热敏性聚合物层包含PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物。
8.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述热敏性聚合物层包含EO100PO65EO100、EO132PO50EO132、EO76PO29EO76、EO103PO39EO103、EO17PO60EO17、EO27PO61EO27或EO37PO56EO37。
9.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述热敏性聚合物层的厚度为0.5μm～25.0μm。
10.如权利要求1所述的光致抗蚀膜，其中，所述光至热转换层包含：粘合剂，包含粘合剂的单体，光引发剂，光致生酸剂，或它们的混合物。
11.一种用于制造OLED装置的方法，所述方法包括：
在转移衬底上形成包括支持膜、光至热转换层(LTHC)和热敏性聚合物层的光致抗蚀膜；通过用红外线(IR)照射曝露的所述光致抗蚀膜来形成光致抗蚀图案；
在所述光致抗蚀图案上沉积发光层；和
通过调节温度使所述光致抗蚀图案脱离所述转移衬底。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述热敏性聚合物层包含具有醚基的聚合物、具有醇基的聚合物或具有N-取代的酰胺基的聚合物。
13.如权利要求11所述的方法，其中，所述光至热转换层通过气相沉积法、电子束蒸发法或溅射法形成。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述光至热转换层包括金属膜、聚合物有机膜或者它们的混合物。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述金属膜包含铝(Al)、银(Ag)或者它们的氧化物或硫化物，所述聚合物有机膜包含炭黑、石墨或红外线染料。
16.如权利要求12所述的方法，其中，
所述具有醚基的聚合物选自由聚氧化乙烯(PEO)、聚氧化乙烯(PEO)-氧化丙烯(PPO)共聚物、PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、PEO-PLGA-PEO三嵌段共聚物和聚乙烯基甲基醚(PVME)组成的组，
所述具有醇基的聚合物选自由丙烯酸羟基丙酯、羟基丙基甲基纤维素、羟基丙基纤维素、羟基乙基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯醇组成的组，并且
所述具有N-取代的酰胺基的聚合物选自由聚(N-丙烯酰基吡咯烷)、聚(N-丙烯酰基哌啶)、聚(丙烯酰基-L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉组成的组。
17.如权利要求11所述的方法，其中，所述热敏性聚合物层包含PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物。
18.如权利要求11所述的方法，其中，所述热敏性聚合物层包含EO100PO65EO100、EO132PO50EO132、EO76PO29EO76、EO103PO39EO103、EO17PO60EO17、EO27PO61EO27或EO37PO56EO37。
19.如权利要求11所述的方法，其中，所述光至热转换层包含：粘合剂，包含粘合剂的单体，光引发剂，光致生酸剂，或它们的混合物。
20.如权利要求11所述的方法，其中，用IR照射曝露的所述光致抗蚀膜包括：在超过约1000nm的波长范围内调节能量密度和/或照射时间。
CN201210576915.8A 2012-08-27 2012-12-27 光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法 Active CN103631093B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120093762A KR101445311B1 (ko) 2012-08-27 2012-08-27 필름 포토레지스트 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR10-2012-0093762 2012-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103631093A true CN103631093A (zh) 2014-03-12
CN103631093B CN103631093B (zh) 2018-03-20

Family

ID=50148328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210576915.8A Active CN103631093B (zh) 2012-08-27 2012-12-27 光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9108451B2 (zh)
KR (1) KR101445311B1 (zh)
CN (1) CN103631093B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105255086A (zh) * 2015-11-10 2016-01-20 西安科技大学 一种导热共混聚合物材料及其制备工艺
WO2020098559A1 (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 胶膜及其制备方法、显示装置及胶膜的去除方法
WO2021013216A1 (zh) * 2019-07-23 2021-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法和电子设备及其成像方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170039306A (ko) * 2014-08-14 2017-04-10 광주과학기술원 직교 패터닝 방법
KR102303994B1 (ko) * 2014-10-20 2021-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시기판의 제조방법
CN105742327B (zh) * 2016-02-15 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制备方法
CN106449721B (zh) * 2016-11-21 2019-12-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN109856914B (zh) * 2017-11-30 2023-11-03 上海微电子装备（集团）股份有限公司 涂胶装置及方法
US10692945B2 (en) * 2018-05-29 2020-06-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Manufacturing method for an inkjet printing AMOLED display panel
CN111092170B (zh) * 2018-10-23 2022-08-16 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管结构及其形成方法
CN111403626B (zh) * 2020-03-26 2021-07-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled封装结构、oled封装方法和oled显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010018159A1 (en) * 2000-01-14 2001-08-30 Kazuo Maemoto Lithographic printing plate precursor
JP2001277740A (ja) * 2000-01-27 2001-10-10 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用原版
US20020065366A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-30 Gernot Wirnsberger Inorganic/block copolymer-dye composites and dye doped mesoporous materials for optical and sensing applications
EP0823327B1 (en) * 1996-08-06 2004-11-10 Mitsubishi Chemical Corporation Method for making positive photosensitive lithographic printing plate
CN101044031A (zh) * 2004-10-20 2007-09-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于热转移的含释放改性剂的供体元件
CN101762972A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 成都新图印刷技术有限公司 一种红外阳图热敏成像组成物
CN102114725A (zh) * 2009-12-30 2011-07-06 乐凯集团第二胶片厂 一种阳图热敏平版印刷版前体及其制版方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421582B2 (ja) * 2006-08-15 2010-02-24 株式会社東芝 パターン形成方法
KR100957126B1 (ko) * 2008-03-27 2010-05-11 한국과학기술원 물리적인 접붙이기를 이용한 가교된 고분자 패턴의 표면개질방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0823327B1 (en) * 1996-08-06 2004-11-10 Mitsubishi Chemical Corporation Method for making positive photosensitive lithographic printing plate
US20010018159A1 (en) * 2000-01-14 2001-08-30 Kazuo Maemoto Lithographic printing plate precursor
JP2001277740A (ja) * 2000-01-27 2001-10-10 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用原版
US20020065366A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-30 Gernot Wirnsberger Inorganic/block copolymer-dye composites and dye doped mesoporous materials for optical and sensing applications
CN101044031A (zh) * 2004-10-20 2007-09-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于热转移的含释放改性剂的供体元件
US20090047596A1 (en) * 2004-10-20 2009-02-19 Felder Thomas C Donor element with release-modifier for thermal transfer
CN101762972A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 成都新图印刷技术有限公司 一种红外阳图热敏成像组成物
CN102114725A (zh) * 2009-12-30 2011-07-06 乐凯集团第二胶片厂 一种阳图热敏平版印刷版前体及其制版方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105255086A (zh) * 2015-11-10 2016-01-20 西安科技大学 一种导热共混聚合物材料及其制备工艺
CN105255086B (zh) * 2015-11-10 2017-03-29 西安科技大学 一种导热共混聚合物材料及其制备工艺
WO2020098559A1 (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 胶膜及其制备方法、显示装置及胶膜的去除方法
US11655399B2 (en) 2018-11-12 2023-05-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Adhesive film, preparation method thereof, display device and method for removing adhesive film
WO2021013216A1 (zh) * 2019-07-23 2021-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法和电子设备及其成像方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150331320A1 (en) 2015-11-19
US9625818B2 (en) 2017-04-18
US9108451B2 (en) 2015-08-18
KR101445311B1 (ko) 2014-09-30
CN103631093B (zh) 2018-03-20
US20140057379A1 (en) 2014-02-27
KR20140030373A (ko) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103631093A (zh) 光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法
US10503074B2 (en) Photolithographic patterning of devices
US9980392B2 (en) Process for producing substrate having wiring, radiation-sensitive composition, electronic circuit and electronic device
US20060257686A1 (en) Functional ink for relief printing and organic electroluminescence device and the manufacturing method
JP4706845B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP5218172B2 (ja) 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法
JP2007296439A (ja) パターン形成方法および有機ｅｌデバイスの製造方法
JP4747637B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法
JP5499836B2 (ja) 高精細パターン形成用凸版、板状感光性樹脂積層体、電子パターンの製造装置および有機ｅｌ素子の製造装置
JP2015079618A (ja) 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2011113654A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2006286241A (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2008204792A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2007200699A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP6079048B2 (ja) 印刷用凸版及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP2013025929A (ja) 印刷用凸版及びそれを用いた電子回路パターン、並びに有機ｅｌ素子の製造方法
JP2013201046A (ja) 凹型欠陥の修正方法及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP6079049B2 (ja) 印刷用凸版及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP5483257B2 (ja) 凸版印刷用凸版およびそれを用いた有機ｅｌディスプレイ用素子の製造方法
JP5488101B2 (ja) 印刷用凸版並びにそれを用いた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2008140588A (ja) 有機ｅｌ素子及びその製造方法、凸版
JP2014157764A (ja) 精密印刷方法及び精密印刷製造物
JP2015185531A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2013206822A (ja) 印刷用凸版の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子と電子デバイスの製造方法
JP2011070090A (ja) 凸版印刷用凸版及び印刷方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant