JP4421582B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
塗布用のポリマー溶液として、分子量9500のポリスチレン(PS)と分子量9500のポリエチレンオキサイド(PEO)からなるジブロックコポリマーをDiglymeに溶解し、2.5%の溶液を調製した。この溶液250mgにメチルシロキサン誘導体を溶液に調整した東京応化製T−7(5500T)を125mg添加して均一溶液を得た。
ブロックコポリマーとして分子量3800のポリスチレン(PS)と分子量6500のポリエチレンオキサイド(PEO)を用いたほかは実施例1と同様の方法で微細構造膜の作製を行った。
ブロックコポリマーとして分子量3000のポリスチレン(PS)と分子量3000のポリエチレンオキサイド(PEO)を用いたほかは実施例1と同様の方法で微細構造膜の作製を行った。
実施例1と同様にポリマーとケイ素化合物の混合液を基板に塗布し、加熱条件は200℃まで1.5℃/分で昇温し、200℃で2時間保持した。次に、酸素プラズマに供し、有機物の完全除去を行った基板上の微細構造は実施例1で得られたものと同質であった。
分子量3000のポリスチレンと分子量3000のポリエチレンオキシドからなるジブロックコポリマーをdiglymeに溶解し、T−7(5500T)と混合溶液を作製し基板に塗布した。
ケイ素化合物として、HSQ(ハイドロジェンシルセスキオキサン)(東京応化製東京応化製T−12(600V)を用いたほかは、実施例1と同様の方法でジブロックコポリマーとケイ素化合物の混合液を調製し、焼成処理を行った。
ジブロックコポリマーの溶媒としてトルエンを用いたほかは実施例1と同様組成でポリマーとケイ素化合物の混合液を調製したが、ジブロックコポリマーのトルエンへの溶解性が低く、濃度を1.2%としても均一溶液が得られなかった。
2 組成物層
3 凹部
20 レジスト層
Claims (3)
- ブロックコポリマー、ケイ素化合物、およびこれらの成分を溶解させる溶媒を含んでなる組成物を被加工体上に塗布することによって、該被加工体上に前記組成物層を形成し、 前記組成物層において、前記ブロックコポリマーの自己組織化により、前記ケイ素化合物が偏在したエッチング耐性を有する相と、ポリマー相を含むエッチング耐性の低い相に相分離を生じさせることによって、微細パターンが形成されたパターン層を形成し、
前記微細パターンが形成されたパターン層をマスクとして、前記被加工体をエッチング加工することからなるパターン形成方法であって、
前記ブロックコポリマーが、自己組織的相分離化性能を有するコポリマーを含み、少なくともポリエチレンオキサイドをコポリマー成分として含むものからなり、
前記ケイ素化合物が、シロキサン結合を有するシロキサン化合物もしくはその誘導体を含み、前記ブロックコポリマーの一つの成分のみと親和性であり、
前記ブロックコポリマーが、第1の成分と第2の成分の少なくとも2つの成分を有し、前記第1の成分と前記ケイ素化合物とが親和性であり、かつ、前記第2の成分と前記ケイ素化合物とが非親和性であり、
前記溶媒が、エチレングリコール構造を含むエーテルであり、
前記ケイ素化合物の含有量が、前記組成物層中のポリマー成分に対して1〜1000重量%であることを特徴とする、パターン形成方法。 - 前記エッチング耐性の低い相を、加熱処理または/および酸素プラズマ処理によって除去する工程を含む、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記溶媒が、ジエチレングリコールジメチルエーテル(diglyme)、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項1に記載のパターン形成方法。
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