JP5484817B2 - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の他の一態様によれば、下地上に、少なくとも第1の領域と第2の領域とを含む複数の領域を形成する工程と、前記第1の領域に第1のブロック共重合体を供給し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体とは異なる分子量の第2のブロック共重合体を供給する工程と、前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記第1の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンを形成し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンとは異なるパターンサイズの前記第2のブロック共重合体のパターンを形成する工程と、それぞれの前記ブロック共重合体における前記下地上に残された相をマスクにして、前記下地を加工する工程と、を備え、前記第1の領域及び第2の領域のそれぞれは第1の方向に並んだ凹部を有し、前記第1の方向に対して直交する第2の方向の一端部で前記凹部とつながり前記凹部よりも広い凹状の溶液供給領域に、前記ブロック共重合体を溶媒に溶解させた溶液をノズルを用いたインクジェット法により供給して前記凹部へと流動させ、前記凹部のそれぞれは1つの前記溶液供給領域につながり、前記溶液は1つの前記溶液供給領域からこの溶液供給領域につながった1つの前記凹部に向けて一方向に流れることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (4)
- 下地上に、少なくとも第1の領域と第2の領域とを含む複数の領域を形成する工程と、
前記第1の領域に第1のブロック共重合体を供給し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体とは異なる分子量の第2のブロック共重合体を供給する工程と、
前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、
前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記第1の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンを形成し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンとは異なるパターンサイズの前記第2のブロック共重合体のパターンを形成する工程と、
を備え、
前記第1の領域及び第2の領域のそれぞれは第1の方向に並んだ凹部を有し、前記第1の方向に対して直交する第2の方向の一端部で前記凹部とつながり前記凹部よりも広い凹状の溶液供給領域に、前記ブロック共重合体を溶媒に溶解させた溶液をノズルを用いたインクジェット法により供給して前記凹部へと流動させ、前記凹部のそれぞれは1つの前記溶液供給領域につながり、前記溶液は1つの前記溶液供給領域からこの溶液供給領域につながった1つの前記凹部に向けて一方向に流れることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1のブロック共重合体及び前記第2のブロック共重合体は、Aポリマー鎖と、前記Aポリマー鎖とは異種のBポリマー鎖とを有し、
前記第1のブロック共重合体と前記第2のブロック共重合体との間で、前記Aポリマー鎖の分子量が異なり、前記Bポリマー鎖の分子量が異なることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 熱処理を行って前記ブロック共重合体を相分離させることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 下地上に、少なくとも第1の領域と第2の領域とを含む複数の領域を形成する工程と、
前記第1の領域に第1のブロック共重合体を供給し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体とは異なる分子量の第2のブロック共重合体を供給する工程と、
前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、
前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記第1の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンを形成し、前記第2の領域に前記第1のブロック共重合体のパターンとは異なるパターンサイズの前記第2のブロック共重合体のパターンを形成する工程と、
それぞれの前記ブロック共重合体における前記下地上に残された相をマスクにして、前記下地を加工する工程と、
を備え、
前記第1の領域及び第2の領域のそれぞれは第1の方向に並んだ凹部を有し、前記第1の方向に対して直交する第2の方向の一端部で前記凹部とつながり前記凹部よりも広い凹状の溶液供給領域に、前記ブロック共重合体を溶媒に溶解させた溶液をノズルを用いたインクジェット法により供給して前記凹部へと流動させ、前記凹部のそれぞれは1つの前記溶液供給領域につながり、前記溶液は1つの前記溶液供給領域からこの溶液供給領域につながった1つの前記凹部に向けて一方向に流れることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009181332A JP5484817B2 (ja) | 2009-08-04 | 2009-08-04 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US12/849,599 US8747682B2 (en) | 2009-08-04 | 2010-08-03 | Pattern formation method and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009181332A JP5484817B2 (ja) | 2009-08-04 | 2009-08-04 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011035233A JP2011035233A (ja) | 2011-02-17 |
JP5484817B2 true JP5484817B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=43535133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009181332A Expired - Fee Related JP5484817B2 (ja) | 2009-08-04 | 2009-08-04 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8747682B2 (ja) |
JP (1) | JP5484817B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5292423B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
FR2975823B1 (fr) * | 2011-05-27 | 2014-11-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un motif a la surface d'un bloc d'un substrat utilisant des copolymeres a bloc |
JP5894445B2 (ja) | 2012-01-23 | 2016-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
WO2013119820A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Polyactide/silicon-containing block copolymers for nanolithography |
CA2870426C (en) * | 2012-04-26 | 2016-07-05 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Method for producing mold for transferring fine pattern, method for producing substrate having uneven structure using same, and method for producing organic el element having saidsubstrate having uneven structure |
JP5764102B2 (ja) | 2012-09-05 | 2015-08-12 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP5818760B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2015-11-18 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US8956808B2 (en) * | 2012-12-04 | 2015-02-17 | Globalfoundries Inc. | Asymmetric templates for forming non-periodic patterns using directed self-assembly materials |
JP6127517B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2017-05-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの製造方法 |
US8790522B1 (en) | 2013-02-11 | 2014-07-29 | Globalfoundries Inc. | Chemical and physical templates for forming patterns using directed self-assembly materials |
JP5768074B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP5981392B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2016-08-31 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP6063825B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2017-01-18 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP6173989B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-08-02 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法 |
US9738765B2 (en) | 2015-02-19 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Hybrid topographical and chemical pre-patterns for directed self-assembly of block copolymers |
JP2017157590A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6218175B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Nano-devices using block-copolymers |
JP2000194142A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP3940546B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
JP3861197B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2006-12-20 | 株式会社東芝 | 記録媒体の製造方法 |
JP2005041931A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Jsr Corp | 重合体組成物及びナノオーダーパターン形成方法 |
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JP4665720B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-04-06 | 株式会社日立製作所 | パターン基板,パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体 |
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US7579278B2 (en) * | 2006-03-23 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Topography directed patterning |
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JP4421582B2 (ja) | 2006-08-15 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
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JP2010284921A (ja) | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びテンプレート |
JP5254381B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
-
2009
- 2009-08-04 JP JP2009181332A patent/JP5484817B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-03 US US12/849,599 patent/US8747682B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8747682B2 (en) | 2014-06-10 |
US20110034029A1 (en) | 2011-02-10 |
JP2011035233A (ja) | 2011-02-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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