JP3967114B2 - 加工方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工方法に関し、特に、周期的な配列構造を有するパターンを微細加工する加工方法であって、ブロックコポリマーの自己組織的な相分離構造を利用する加工方法に関する。本発明の加工方法は、例えば、高密度記録媒体や高集積化電子部品などの製造に用いることができる。
【0002】
【従来の技術】
昨今のパソコンなどの情報機器の飛躍的な機能向上は、半導体装置の製造などに用いられる微細加工技術の進歩によるところが非常に大きい。これまで、加工寸法の微細化は、リソグラフィーに用いられる露光光源の短波長化より進められてきた。しかし、加工寸法が微細化し、パターンが高密度化するほど、製造工程におけるリソグラフィーのコストは膨大になってきている。次世代の半導体装置、あるいはパターンド・メディア(patterned media)などの微細加工を施した高密度記録媒体においてはパターンの寸法を100nm以下にまで微細化することが要求されている。このための露光光源としては、電子線などが用いられるようになると考えられるが、加工のスループットの点で非常に大きな課題が残されている。
【0003】
このような状況を背景として、より安価で、しかも高いスループットを実現できる加工方法として、材料が自己組織的に特定の規則配列パターンを形成する現象を利用する方法が注目を集めている。その中でも特に、「ブロックコポリマー」を利用する方法は、適当な溶媒に溶かして被加工体上に塗布するだけの非常に簡便に単層の規則配列したパターンを形成することが可能であり、微細加工方法としての応用も報告されている(たとえば、P.Manskyら; Appl. Phys. Lett.,vol.68、p.2586、M.Parkら; Science,vol.276、p.1401)。
【0004】
これらの方法では、ブロックコポリマーの相分離構造の一つのポリマー相をオゾン処理、プラズマエッチング、電子線照射などにより除去して凹凸状のパターンを形成し、この凹凸状パターンをマスクとして下地基板の加工を行う。
【0005】
しかし、一般的にブロックコポリマーの相分離構造の膜厚方向のサイズは基板上に2次元方向に形成されるパターンのサイズと同じ程度かそれ以下しかないため、マスクとして形成されるパターンのエッチング耐性を十分稼ぐことができない。したがって、このようなブロックコポリマーマスクの相分離構造をそのままエッチングマスクとして用いて被加工体をエッチングした場合、十分アスペクト比の高い構造を加工することができない。
【0006】
このような問題を解決するために、ブロックコポリマーの自己組織化パターンをブロックコポリマーの下に設けたパターントランスファー膜にプラズマエッチングなどによって一旦転写し、そのパターントランスファー膜をエッチングマスクとしてさらに下の厚膜のレジスト膜を酸素プラズマによりエッチングすることにより、下地のレジスト膜に高いアスペクト比のパターンを転写する方法も提案されている(特開2001−151834号公報、M.Parkら Appl.Phys.Lett.vol.79 p.257)。
【0007】
しかし、この方法でも、ブロックコポリマーからパターントランスファー膜への転写の際には高いアスペクト比が得られないことが原因で、パターンを忠実に転写することが難しい場合がある。エッチングのアスペクト比が十分でないということはブロックコポリマー膜には膜厚分布や自己組織化パターンの微小なムラがパターントランスファー膜へのエッチング深さのばらつきとして強調されてパターントランスファー膜に転写されることになる。これは、極端な場合には下地のレジスト膜でのパターンの一部消失にもなりうる。
【0008】
一方、自己組織化を利用する場合は、その規則配列の配列方向を制御することも重要である。磁気記録媒体の高密度化を実現するものとして期待されているパターンド・メディアの場合、再生や記録に際しては、パターニングされた磁性体粒子の一つ一つにアクセスする必要がある。この場合、再生ヘッドを記録列にトラッキングするためには、磁性体粒子の配列を一方向に揃える必要がある。
【0009】
さらに、単一電子などを情報として扱う量子効果デバイスのような電子素子は、現在の半導体デバイスをより高密度化および低消費電力化する可能性を有するものとして期待されている。この場合も、量子効果を発現する構造に対して、信号検出のための電極を配置する必要がある 従って、量子効果を発現する微細構造は、所定の配列を有すると同時に、形成されている領域も任意に制御できることが必要とされる。
【0010】
ブロックコポリマーの自己組織化の配列方向を制御するために、基板上に溝構造を形成しておきそれをガイドにして粒子の配列方向を揃える方法が提案されている(R.A. Segalmanら; Bullettin of the American Physical Society Vol.45 No.1 p.559、同 vol.46 No.1 p.1000、M.Trawickら;同 vol.46 No.1 p.1000)。これらの方法では、ジブロックコポリマーの配列方向を揃えることは可能であるが、前述したとおり、やはり、ジブロックブロックの相分離構造のアスペクト比自体は低いためエッチングにより十分アスペクト比の高いパターンを形成することは不可能である。また、ジブロックコポリマーをある任意の領域にのみ堆積させる方法は今のところない。
【0011】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第1の加工方法は、
ポリメチルメタクリレートとポリスチレンとが略規則的に配列した配列構造を有するジブロックコポリマー層を被加工体の上に形成する工程と、
前記ポリメチルメタクリレートを選択的に除去することにより前記ジブロックコポリマー層の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部にマスク層を設ける工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ジブロックコポリマー層及び前記被加工体をエッチングすることにより、前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造に対応したパターンを前記被加工体に形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【0012】
ここで、前記被加工体は、前記ジブロックコポリマー層を形成する前の状態においてその表面に凹凸パターンを有し、
前記被加工体の上に形成された前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造は、前記凹凸パターンに対応して配向してなるものとすれば、規則構造の配向を積極的に制御することができる。
【0013】
また、本発明の第2の加工方法は、
被加工体の上に転写層を形成する工程と、
前記転写層の上に、ポリメチルメタクリレートとポリスチレンとが略規則的に配列した配列構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、
前記ポリメチルメタクリレートを選択的に除去することにより前記ジブロックコポリマー層の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部にマスク層を設ける工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ジブロックコポリマー層及び前記転写層をエッチングすることにより、前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造に対応したパターンを前記転写層に形成する工程と、
前記転写層をマスクとして前記被加工体をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とする加工方法。
【0014】
ここでも、前記転写層は、前記ジブロックコポリマー層を形成する前の状態においてその表面に凹凸パターンを有し、
前記転写層の上に形成された前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造は、前記凹凸パターンに対応して配向してなるものとすれば、規則構造の配向を積極的に制御することができる。
【0015】
またさらに、上記のいずれかの加工方法において、前記凹部における前記マスク層の充填量を調節することにより、前記配列構造に対応したパターンのサイズを制御することができる。
【0016】
または、前記マスク材料をマスクとして実施する前記エッチングにおいて、前記マスク材料に対するオーバーエッチング量を調節することにより、前記配列構造に対応したパターンのサイズを制御することもできる。
【0017】
本発明の加工方法は、例えば、形成すべきパターンサイズが100nm以下となるような場合に特に有用であり、自己整合的な規則構造を利用し、且つ、高いアスペクト比で被加工物のエッチングが可能である。
【0018】
ここで、上記のマスク層のエッチング速度は、ブロックコポリマー層のエッチング速度の1/2以下であるとよい。
【0019】
また、転写層としては、光硬化性や熱硬化性の材料を用いることができる。 またさらに、ブロックコポリマー層の規則配列の配向を規定するための凹凸パターンを被加工体あるいは転写層の表面に形成する場合、その表面全面もしくは凸部上表面を、水との接触角が40度以上に疎水化するとよい。
【0020】
本発明の加工方法によれば、例えば、支持体の主面上に、前記支持体から連続的に突出してなる複数のピラーが設けられた成形体であって、前記複数のピラーのそれぞれは直径が100nm以下の略円柱状であり、且つ、前記支持体との結合部近傍において、前記支持体に近づくにつれてその太さが太くなる裾野部を有する成形体が得られる。
【0021】
支持体の主面上に、前記支持体から連続的に突出してなる複数のピラーが設けられた成形体であって、前記複数のピラーのそれぞれは直径が100nm以下の略円柱状であり、且つ、前記支持体との結合部近傍において、前記支持体に近づくにつれてその太さが太くなる裾野部を有するという独特の形態を有する成形体は、ピラーを極めて細長く形成したような場合にも、その裾野部において強度が保持されるために、根本から折れるという弊害を抑止できる点で有利である。
【0022】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる加工方法を表す工程断面図である。
【0023】
まず、同図(a)に表したように、被加工体10の上に第1のレジスト層としてブロックコポリマー膜20を形成する。ここで用いるブロックコポリマーとしては、例えば、2種類のポリマー鎖AとBとが結合したA−B型の「ジブロックコポリマー」を挙げることができる。または、2種類のポリマー鎖がA−B−Aと結合したり、3種類のポリマー鎖がA−B−Cと結合した「トリブロックコポリマー」を用いても良い。これらのブロックコポリマーは、適当な温度でアニ−ル処理を行うことによって、ポリマー相20Aとポリマー相20Bとに相分離して規則配列構造を形成する。例えば、ポリマー相20Bをマトリックスとし、ポリマー相20B中にポリマー相20Aが2次元的に規則配列した構造を形成する。このような規則配列構造を構成するポリマー相20A及び20Bの形状およびサイズは、ポリマー鎖A、B及びCの長さに依存し、これらを調整することで例えば100nm程度あるいはそれ以下の微細なサイズに制御することができる。
【0024】
このようにして形成されるブロックコポリマーの規則配列構造は、それ自体が規則配列した凹凸状構造を有している場合もあるが、凹凸状構造を有しない平坦な場合もある。本発明では、ブロックコポリマーの相分離構造を凹凸状構造に変換する必要がある。ブロックコポリマーの規則配列構造の表面が、図1(b)に表したような凹凸状構造を有している場合にはそれをそのまま利用することができる。
【0025】
一方、規則配列構造の表面が図1(a)に表したように平坦である場合には、ブロックコポリマーの少なくとも一つの種類のポリマー相20Aを選択的に除去することにより、図1(b)に表したように、ポリマー相20Aの形状と同様の半球状の曲率を持った凹部Rが規則的に配列した構造を形成する。
【0026】
ポリマー相20Aを選択的に除去するためには、プラズマ、光、電子線などのエネルギー線や熱などを照射した場合に、それらに対する耐性の異なる2種類以上のポリマー鎖によりブロックコポリマーを構成すれば良い。
【0027】
例えば、モノマー単位のN/(Nc−No)の値(ここで、Nはモノマー単位の総原子数、Ncはモノマー単位の炭素原子数、Noはモノマー単位の酸素原子数である。)が小さい方が、各種プラズマ照射に対する耐性が高い。この観点から、プラズマ耐性の大きく異なる2種類以上のポリマー鎖を組み合わせても良い。
【0028】
また、これらのエネルギー線の照射により架橋反応などがおこり硬化するようなポリマー鎖を、エネルギー線照射により硬化しないもしくは分解されるポリマー鎖と組み合わせたものを用いても良い。さらに、親和性を考慮して、例えばポリマー鎖の親水性/疎水性を変え、どちらか一方のポリマー鎖領域に架橋剤を偏析させるようにしても良い。
【0029】
このようにして、サイズ100nm以下の規則配列パターンの相分離構造を有するブロックコポリマー膜の少なくとも一つのポリマー相20Aを選択的に除去することにより、凹部Rが規則的に配列した第1のレジスト層(ポリマー相)20Bを形成することができる。
【0030】
次に、図1(c)に表したように、第1のレジスト層20Bの上に、第2のレジスト層30を堆積する。第2のレジスト層30の役割は、第1のレジスト層20Bの凹部Rのパターンをエッチング耐性の高い材料に転写することにある。
【0031】
第2のレジスト層30の材料として、金属、金属酸化物、金属窒化物、カーバイトなど無機材料を用いることにより、プラズマエッチングに対するエッチング耐性の高いマスクパターンを形成することができる。また、芳香環含有低分子有機材料を用いても良い。さらに、芳香環含有低分子有機材料に金属が含まれている材料を用いても良い。またさらに、ポリシランやポリシロキサンなどのSi(シリコン)等の金属含有ポリマーを用いても良い。
【0032】
無機材料もしくは低分子有機材料を第2のレジスト層30として用いる場合、第1のレジスト層20Bの上に堆積させるために、真空蒸着の方法を用いることができる。蒸着時に試料を加熱することにより、選択的に第1のレジスト層20Bの凹部Rにおいて核成長を起こし、無機材料を選択的に凹部Rに堆積することが可能である。このようにして、第2のレジスト層30を第1のレジスト層20Bの凹部を埋め込むように形成できる。
【0033】
またさらに、真空蒸着した後にアニ−ル処理することにより、堆積した第2のレジスト層30を第1のレジスト層20Bの凹部Rに埋め込ませ、その表面を平坦化させることも可能である。
【0034】
金属含有ポリマーなどポリマー材料を第2のレジスト層30の材料として用いる場合、第1のレジスト層20Bの上に塗布する際には、適当な溶媒に溶かしてスピンコートすると良い。スピンコート直後にポリマー材料からなる第2のレジスト層30は、表面張力により第1のレジスト層20Bの凹部Rを埋めるように平坦化する。場合によっては表面張力の効果をより高めるために、第2のレジスト層30をスピンコートする前に第1のレジスト層20Bの表面を疎水化しても良い。第1のレジスト層20Bの表面を炭化フッ素のプラズマに晒すことによって簡単に疎水化することが可能である。
【0035】
また、第2のレジスト層30としてポリマー膜をスピンコートした後に、アニ−ル処理を行うことにより凹部Rにのみポリマー材料を堆積させたりもしくは平坦化を促進することも可能である。
【0036】
またここで、第2のレジスト層30は、図1(c)に例示した如く第1のレジスト層20Bの凹部Rを完全に充填してその上の平坦部も覆うように形成してもよく、または、後に図3を参照して詳述するように、凹部Rの一部のみを充填するように形成してもよい。
【0037】
さて、このようにして形成されたマスクパターンを用いて、図1(d)に表したように、被加工体10を直接エッチングすることにより、高いアスペクト比で被加工体10に微細パターンを形成することができる。つまり、第2のレジスト層30をマスクとして、第1のレジスト層20Bをエッチングし、さらにその下の被加工体10をエッチングする。従って、このエッチングに際しては、第2のレジスト層30がエッチングマスクとなるよう、その材料とエッチング方法を選択する必要がある。
【0038】
また、第2のレジスト層30とのエッチング選択比が確保できる範囲であれば、第1のレジスト層20Bをエッチングする方法と、その下の被加工体10をエッチングする方法とは同一である必要はない。例えば、ドライエッチングによる場合、第1のレジスト層20Bをエッチングする際のエッチングガスと、被加工体10をエッチングする際のエッチングガスとを使い分けることも可能である。
【0039】
また例えば、被加工体10をエッチングする前に、酸素プラズマによるRIE(Reactive Ion Etching)を行うことにより、第1のレジスト層20Bの凸部、つまりブロックコポリマーの除去されなかったポリマー鎖領域(ポリマー相)をエッチングした後、被加工体10を適当な方法によりエッチングすれば、アスペクト比の高いパターニングを行うことができる。
【0040】
以上説明したように、本実施形態によれば、ブロックコポリマーを相分離させて規則配列を形成し、その一方のポリマー相を選択的に除去してエッチング耐性の高い第2のレジスト層を埋め込むことにより、マスクパターンを形成する。このようにして形成されたマスクパターンは、エッチング方法を適宜選択することにより、被加工体を高いアスペクト比でエッチングすることができる。
【0041】
相分離したブロックコポリマーの規則配列構造は、そのポリマー鎖の材料や配合のバランスを調節することにより、任意に制御することができる。その結果として、100nm以下の微細な規則配列構造を自己組織的に形成させることができ、この配列を反映した被加工体のパターニングを確実且つ容易に実施することができる。
【0042】
さて、本実施形態によれば、さらに、被加工体のパターンサイズを制御することも可能である。つまり、プロセス条件を調節することにより、最終的に形成される被加工体のパターンの幅を変えることができる。これには、2種類の方法がある。まずそのひとつは、図1(c)に表した第2のレジスト層30の堆積量を調節する方法である。
【0043】
図2は、第2のレジスト層30の堆積量を調節することにより、マスクとなる領域の面積を任意に変える方法を説明するための概念図である。
【0044】
例えば、同図(a)に表したように、第2のレジスト層30を、第1のレジスト層20Bの凹部Rを完全に埋めるように堆積すると、マスクされる領域は凹部Rの全体となる。従って、被加工体10がエッチングされて形成されるパターンの幅Wは、同図に表したように凹部Rの外縁サイズと同程度となる。
【0045】
これに対して、図2(b)に表したように、凹部Rは半球状の曲率を持った形状をしているため第2のレジスト層30の堆積量を減らすと、第2のレジスト層30で覆われる部分は小さくなり、マスクとして作用する部分の面積が小さくなるために、最終的に得られる被加工体10のパターン幅Wも小さくすることができる。これは、凹部Rが曲面状に形成されることを利用したものである。
【0046】
このように、本実施形態によれば、第2のレジスト層30の堆積量を調節することにより、マスクのサイズを変えることができ、これに応じて、被加工体のパターンサイズを制御することができる。
【0047】
なお、この場合には、第2のレジスト層30に対するエッチング速度が十分に低いエッチング方法を用いることにより、第2のレジスト層30に対応した正確なパターニングができる。
【0048】
さて、被加工体のパターンサイズを調節するもうひとつの方法は、マスクとして作用する第2のレジスト層30をオーバーエッチングする方法である。
【0049】
図3は、第2のレジスト層をオーバーエッチングすることにより被加工体のパターンサイズが変化することを説明する概念図である。
【0050】
同図(a)に表したように、第2のレジスト層30を、第1のレジスト層20Bの凹部Rを埋めるように堆積し、これをマスクとして高い選択比でエッチングを施した場合、被加工体10のパターン幅W1は、第2のレジスト層30の外縁、すなわち、凹部Rの外縁と同一となる。なお、このようにマスクの外縁に合わせた正確なパターニングを行うためには、エッチング方法として、高い異方性を有し、サイドエッチングが抑制された方法を用いることが望ましい。
【0051】
これに対して、第2のレジスト層30もある程度エッチングされる条件を用いてオーバーエッチングを実施すると、図3(b)に表したように、マスクとなる第2のレジスト層30は、その層厚が薄い外縁部から順次消失する。そして、その下の第1のレジスト層20B及び被加工体10がエッチングされる。その結果として、オーバーエッチング量に応じて、被加工体10のパターン幅W2〜W4を適宜縮小することができる。つまり、本実施形態によれば、第2のレジスト層30を適宜オーバーエッチングすることにより、被加工体10のパターン幅を制御することができる。
【0052】
またここで、オーバーエッチングにより形成された略円柱状のピラー状のパターンは、その下端に、パターン幅が徐々に変化する裾野部Gを有する。この裾野部Gは、第2のレジスト層30のオーバーエッチングに伴って外側から順次エッチングが進行したことにより形成される。このように、被加工体10のピラーの下端に徐々に太くなる裾野部Gを形成すると、ピラーが根本から折れることを防ぐことができる。この効果は、高いアスペクト比のエッチングを行う場合に、特に顕著である。また、このオーバーエッチングを用いたサイズの調整方法においては、第1のレジスト層20Bをエッチングする方法と、被加工体10を加工するエッチング方法とは異なっている方が好ましい。つまり第一のレジスト層20Bをエッチングする工程においてサイズを独立に制御することが可能ということである。
【0053】
次に、本発明において、ブロックコポリマーの相分離構造を規則的に配列させるために有利な構造について説明する。
【0054】
図4は、ブロックコポリマーの相分離構造を規則的に配列させる方法を表す模式図である。
【0055】
すなわち、同図(a)に表したように、被加工体10の上に2次元的な凹凸パターンを形成する。この形成方法としては、リソグラフィーなどの方法を用いることができる。リソグラフィーの手段としてはフォトリソグラフィーなどを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【0056】
このような被加工体10の上にブロックコポリマーを堆積すると、図4(b)に表したように、凹部Cにおいてその相分離構造が配向し、所定の方向に規則的に配列した周期的構造が得られる。
【0057】
ここで、凹凸パターンは、ブロックコポリマーの規則配列構造の格子間隔すなわち周期より幅広の凹部Cを含むものとするとよい。これは凹部Cにブロックコポリマーが閉じ込められ、規則配列が凹部Cでのみ起こることを促進させるためである。凹部Cにおいて、相分離構造を配向させて周期的配列が形成されるためには、凹部Cの幅をおおよそ周期的配列の格子間隔の数倍乃至数百倍程度とすることが望ましい。
【0058】
一方、凹部Cの深さは、ブロックコポリマーの規則配列構造の格子間隔より小さい程度とすることが望ましい。これは、規則配列構造の格子間隔より深い凹部を形成すると、膜厚方向にも規則的に積層された相分離構造が形成される可能性があるためである。ただし、シリンダ構造もしくはラメラ構造が膜面に対して垂直に配向するようなブロックコポリマーを用いる場合には、凹部Cの深さが規則配列構造の格子間隔より大きい凹凸パターンを利用することも可能である。
【0059】
図5は、被加工体10の表面を疎水化させる方法を表す模式図である。
【0060】
すなわち、同図(a)に表したように、凹凸パターンの凸部の上面のみを疎水化して、疎水化層10Hを形成する。すると、この疎水化層10Hではブロックコポリマー20がはじかれるため、同図(b)に表したように、凹部Cにのみブロックコポリマーを堆積させることが可能である。このようにして堆積されたブロックコポリマーは、凹部Cのサイズに応じて配向した相分離構造を形成する。
【0061】
図5(a)に表したような凹凸パターンを形成するためには、被加工体10の表面をまず一様に疎水化可能な材料、例えばSiO2などの薄膜で被覆する。その上からレジストを塗布し、所定の部分のみ疎水化処理を施す。疎水化処理には、オクタデシルトリメチルシラン、ヘキサメチルジサラザンなどのシランカップラーもしくはアルカンチオールなどの界面活性剤を用いることができる。
【0062】
また、図5に表した例とは別に、凹凸パターンの全面を一様に疎水化しても良い。疎水化すると接触角が大きくなるため平坦な表面では薄膜にはならず液滴状にはじいてしまうが、凹部では垂直な面が存在するため接触角が大きくても液滴状にはならず膜が存在することができる。しかしこの場合には、疎水化の程度を調整する必要があり凸部のみ疎水化する方が確実に分離を行うことができる。
【0063】
また一方、凹凸パターンは、ブロックコポリマーの規則配列構造の格子間隔より狭いサイズの凹部を有する周期的なパターンとしてもよい。この場合、凹部に対応して、その上に、相分離構造を構成するいずれかのポリマー層を配向させることが可能である。その結果として、ブロックコポリマーの相分離構造を所定の方向に規則的に配列させることができる。
【0064】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態として、転写層を介して被加工体に微細パターンを形成する加工方法について説明する。
【0065】
図6は、本実施形態の加工方法を表す工程断面図である。
【0066】
まず、同図(a)に表したように、被加工体10上に炭素系有機高分子材料などからなる転写層40を塗布する。ここで炭素系高分子材料を用いるのは、後の工程で酸素プラズマエッチングによりこの転写層40にパターンを転写するためである。炭素系有機高分子材料の具体例としては、例えば、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレンなどのポリスチレン誘導体、ポリビニルナフタレンおよびその誘導体、ノボラック樹脂、ポリイミドなどエッチング耐性が高い材料が好ましい。
【0067】
続いて、形成した転写層40の上に、ブロックコポリマー層20をスピンコート法などにより塗布し、適当な温度でアニ−ル処理することにより相分離させ規則配列化させる。
【0068】
次に、図6(b)に表したように、相分離したブロックコポリマー層20の一部を構成するポリマー相20Aを選択的に除去する。すなわち、図1に関して前述したように、エネルギー線照射などの手段によりポリマー相20Aを除去して、凹部Rが規則的に配列した第1のレジスト層20Bを形成する。
【0069】
次に、図6(c)に表したように、第2のレジスト層30を第1のレジスト層20Bの上に形成する。本変型例においては、第2のレジスト層30のパターン(すなわち凹部Rの部分)をマスクにして酸素プラズマなどにより転写層40に対してパターンを転写するので、第2のレジスト層30の材料としては、酸素プラズマに対する耐性が高いものを用いることが望ましい。
【0070】
例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、カーバイトなど無機材料を用いることによりプラズマエッチングに対する酸素プラズマエッチング耐性の高いマスクパターンを形成することができる。また、芳香環含有低分子有機材料を用いても良い。芳香環含有低分子有機材料に金属が含まれている材料を用いても良い。ポリシランやポリシロキサンなどのSi(シリコン)等の金属を含有するポリマーを用いても良い。
【0071】
これらの材料の酸素プラズマに対するエッチング耐性は、炭素系有機高分子材料と比較して非常に高いため、本具体例において、転写層40へのパターン転写を非常に高アスペクト比で実現することができる。
【0072】
ここで、第2のレジスト層30の堆積は、図1に関して前述した方法と同様に行うことができる。
【0073】
次に、図6(d)に表したように、第2のレジスト層30の上から酸素プラズマによるRIEを行うことにより、転写層40に第2のレジスト層30の2次元規則パターンを転写する。
【0074】
しかる後に、図6(e)に表したように、転写層40をマスクとして、被加工体10をエッチングし、所定の微細パターンを形成する。ここで、被加工体10のエッチングに先立って、第2のレジスト層30及び第1のレジスト層20Bは、除去してもよいが、残したまま被加工体10のエッチングを開始してもよい。
【0075】
以上説明したように、図6に表した加工方法によれば、転写層40に所定の微細パターンを転写した後に、これをマスクとして被加工体10をエッチングする。このように転写層40を介することにより、エッチングの選択比をさらに高くすることが可能である。つまり、第2のレジスト層30及び転写層40の材料として好適なものを用い、図6(d)及び(e)に表したそれぞれのエッチング工程において、最適なエッチング方法を選択すれば、被加工体10に対するエッチング選択比をさらに高くすることが可能となり、アスペクト比の高い微細パターンを形成することが可能となる。
【0076】
また、本実施形態においても、図2及び図3に関して前述したように、第2のレジスト層30の塗布量を調節し、あるいは、第2のレジスト層30を適宜オーバーエッチングすることにより、転写層40に転写されるパターンのサイズを調節し、その結果として、被加工体10に形成される微細パターンのサイズを制御することができる。
【0077】
またさらに、本発明実施形態においても、転写層40に対して予め、図4に例示したようなブロックコポリマーの規則配列構造を配向制御するための凹凸パターンを形成しておくことができる。
【0078】
図7は、転写層40に凹凸パターンを形成した具体例を表す工程断面図である。
【0079】
まず、同図7(a)に表したように、被加工体10の上に形成した転写層40に、規則配列構造を配向制御するための凹部Cを形成する。
【0080】
凹部Cは、転写層40の上からさらに別のレジストを塗布してリソグラフィーにより形成しても良い。転写層40の材料として炭素系有機高分子材料などを用いた場合には、その表面は非常に柔らかい。したがって、「ナノインプリント法」によって所定の原盤の凹凸パターンを直接転写しても良い。
【0081】
凹部Cを形成する前もしくは形成後に転写層40を硬化させる。これは、転写層40に形成したパターンが、その上に塗布する第1のレジスト層つまりブロックコポリマーの溶媒もしくは規則配列化する際のアニール処理などにより破壊されることを防ぐために重要である。
【0082】
図7(b)に表したように、転写層40の硬化処理は、光照射もしくは加熱により行う。光硬化性の樹脂としては、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、ジアゾ系樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂としては、ポリアクリロニトリル誘導体、ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアニリン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシクロヘキサジエン誘導体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ノボラック樹脂などを用いることができる。
【0083】
ポリマー鎖をより効率的に硬化させるために、有機過酸化物などのラジカル発生剤、架橋剤を添加することにより架橋反応を促進させ硬化させることも有効である。
【0084】
これらの硬化処理は、パターン形成前に行ってもパターン形成後に行っても良い。パターン形成後に硬化処理を行う場合は、熱硬化の際にパターン崩れが起こることがあるので光硬化の方が望ましい。光硬化と熱硬化とを併用することにより、さらに硬化反応を促進し耐熱性、耐溶媒性が高まる。ナノインプリントにより原盤のパターンを直接転写する場合には、原盤を圧着している最中に基板を加熱もしくは光照射により転写層40を硬化させても良い。
【0085】
このようにして、転写層40に所定の凹部Cを形成し硬化させた後に、ブロックコポリマー20を塗布する。この後は、図6に関して前述した一連のプロセスにより、被加工体10に微細パターンを形成することができる。゜
またここで、転写層40の表面に凹凸パターンを形成する場合にも、図5に関して前述したように、転写層40の表面に対して疎水化処理を行うことができる。このようにすれば、転写層40の凹部Cにのみブロックコポリマーを分離して堆積させることができる。この場合、転写層40の表面にシランカップラーやアルカンチオールなどに対する反応基がないため、それらを疎水化処理に用いることができない。疎水化処理はフッ化炭素系プラズマ中に試料を晒すことにより表面に炭化フッ素系ポリマーを堆積させることで行うことができる。
【0086】
【実施例】
以下、実施例を参照しつつ、本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明する。
【0087】
(第1の実施例)
本発明の第1実施形態の加工方法に従い、第1のレジスト層を形成するためのブロックコポリマー20として、ポリスチレン/ポリメチルメタクリレートのブロックコポリマーを用い、第2のレジスト層30としてスピンオングラス(SOG)を用いて、微細加工を実施した。
【0088】
以下、図1を参照しつつ、その工程について説明する。
【0089】
まず、図1(a)に表したように、被加工体10として用意したシリコン(Si)基板上に、ブロックコポリマー20として、分子量17万のポリスチレン(PS)と分子量4万のポリメチルメタクリレート(PMMA)からなるジブロックコポリマーをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解したものを膜厚60nmとなるようにスピンコート法により塗布した。そして、水素還元雰囲気中で210℃で30時間アニ−ルすることにより、相分離させて規則配列構造を形成した。
【0090】
次に、図1(b)に表したように、凹部Rを形成した。具体的には、酸素の流量300sccm、全圧200mTorr、投入RFパワー300Wの条件で、20秒間、反応性イオンエッチング(RIE)することにより、PMMAのポリマー相20Aを取り除いた。
【0091】
この時点で、ブロックコポリマー層の表面を原子間力顕微鏡(AFM)により観察すると、直径約45nm、深さ約20nm、間隔約80nmの凹部Rが六方格子状に並んでいることが確認された。
【0092】
次に、図1(c)に表したように、第2のレジスト層30としてSOGを形成した。具体的には、SOGを乳酸エチルに溶解し、スピンコート法により塗布した。
【0093】
そして、図1(d)に表したように、この上からエッチングを実施した。具体的には、酸素流量20sccm、全圧30mTorr、投入RFパワー100Wの条件で100秒間、RIEした。
【0094】
図8は、このようにして得られた試料表面のAFM像である。同図から分かるように、ジブロックコポリマーの規則配列構造がSOGの構造に正確に転写されていることが確認された。
【0095】
(比較例)
上述した第1実施例と比較するため、ブロックコポリマーの下地に転写層を置き、さらにその下に厚膜のレジスト膜を置き、この厚膜のレジスト膜にブロックコポリマーのパターンを転写した例について説明する。
【0096】
まず、シリコン(Si)基板の上に、厚膜のレジスト膜としてノボラック樹脂を100nm膜厚で塗布した後、転写層としてSiO2を真空蒸着法により膜厚15nmとなるように堆積した。さらに、その上から、第1実施例で用いたものと同じジブロックコポリマーを膜厚が60nmとなるように塗布した。
【0097】
次に、210℃で30時間アニ−ルすることによりブロックコポリマーを相分離させて規則配列化し、第1実施例と同様に、酸素RIEによりPMMAポリマー鎖領域(ポリマー相20A)を除去した後、CF4の流量20sccm、全圧30mTorr、投入RFパワー100Wの条件で15秒間RIEしてSiO2転写層にパターンを転写した。
【0098】
次に、第1実施例と同様に、酸素RIEにより下地の厚膜レジスト膜としてのノボラック樹脂にパターンを転写した。ここで、このようにして得られる転写パターンは、ブロックコポリマーの表面のパターンと同様の凹凸形状を有するものとなることが望ましい。
【0099】
図9は、このようにして得られた試料表面のAFM像である。同図から分かるように、ノボラック樹脂層の表面に形成された凹部の径には「ばらつき」が多く、ポリマー相20Aが除去されて形成された凹部がノボラック樹脂層にきちんと転写されていないことが分かった。
【0100】
(第2の実施例)
次に、本発明の第2の実施形態の加工方法を用いて磁性体膜をエッチングし、微細な磁性体ドットを周期配列させた「パターンド・メディア」を形成した具体例について、図6を適宜参照しつつ説明する。
【0101】
まず、ガラス基板上にコバルト白金(CoPt)合金10をスパッタ法により膜厚60nmとなるように成膜した。
【0102】
次に、その上にノボラック樹脂を120nmの膜厚となるよう塗布し、210℃で30分間アニ−ルしてノボラック樹脂層40を硬化させた。そして、その上から第1実施例と同様のジブロックコポリマー20を膜厚60nmとなるように塗布し、210℃で30時間のアニ−ル処理を施すことにより、相分離させて規則配列化させた。
【0103】
次に、第1実施例と同じ条件で酸素RIEによりPMMAポリマー鎖領域(ポリマー相20A)を除去した。
【0104】
次に、その上からSOG30を第1実施例と同様にスピンコートした後、やはり第1実施例と同様に酸素RIEによりノボラック樹脂層40にパターンを転写した。
【0105】
次に、このノボラック樹脂層40をマスクとして、アルゴン(Ar)イオンミリングによりCoPt膜をエッチングした。
【0106】
図10は、このようにして得られたCoPtドットの走査電子顕微鏡(SEM)像である。幅と高さの比率が1:3程度という極めて高いアスペクト比のCoPtドットがガラス基板の上に形成されていることが確認された。
【0107】
(第3の実施例)
次に、本発明の第2の実施形態の加工方法を用いて、転写層40に凹凸パターンを形成することにより規則配列の配向を揃える方法を用いて、磁性体のパターンドメディアを作成した具体例について、図6及び図7を適宜参照しつつ説明する。
【0108】
まず、ガラスのディスク基板上にコバルト白金クロム(CoPtCr)薄膜10をスパッタにより40nm成膜した。その上に、ノボラック樹脂40を120nmの膜厚に塗布した。そして、このノボラック樹脂40の表面に、凸部の幅が320nm、凹部の幅が70nm、凹部の深さが60nmの同心円状の凹凸パターンを形成した原盤ディスクを、30トンの圧力でナノインプリントした。この結果として、ノボラック樹脂40の表面には、この原盤のパターンを反転した凹凸パターンが形成された。
【0109】
次に、300Wの深紫外光を3分間照射した後、210℃で30分間アニ−ルすることにより、インプリントにより形成されたノボラック樹脂40のパターンを硬化させた。
【0110】
そして、その上から第1実施例と同様に、ジブロックコポリマー20を塗布して、アニ−ル処理し規則配列化させた後、酸素RIEによりPMMAポリマー鎖領域(ポリマー相20A)を除去した。
【0111】
次に、その上からSOG30をスピンコートしたのち、これをマスクとして酸素RIEによりレジスト層20Bとノボラック樹脂40をエッチングして、ノボラック樹脂40にパターンを転写した。そして、第2実施例と同様に、ノボラック樹脂40をマスクとして、Arイオンミリングにより磁性体膜10をエッチングした。
【0112】
図11は、このようにして得られたCoPtCrの磁性体ドットを表すSEM像である。ガラス基板上において、磁性体ドット10Dが同心円状に4列ずつきれいに配向して形成されていることが確認された。
【0113】
(第4の実施例)
本発明の第2の実施の形態の加工方法を用いて、単電子デバイスを作製した具体例について、図6及び図7を適宜参照しつつ説明する。
【0114】
まず、シリコン基板の上に、シリコン酸化膜を層厚200nm形成した後、チタン(Ti)、金(Au)の薄膜10を順次5nm、20nmの厚みに形成した。
【0115】
その上にノボラック樹脂層40を、100nmの膜厚に塗布した後、幅50nm長さ500nm深さ20nmの凹部をナノインプリントにより形成した。
【0116】
その後、300Wの深紫外光を3分間照射し、210℃で30分間アニールし、PS分子量60000、PMMA分子量12000のジブロックコポリマー膜20を膜厚20nmとなるよう塗布し、210℃で30時間アニールし相分離させた。
【0117】
次に、酸素プラズマ処理によりPMMA部分(ポリマー相20A)を除去した後、SOG30を塗布し、酸素RIEによりノボラック樹脂40をエッチングして微細パターンマスクを形成した。
【0118】
そして、このノボラック樹脂40をマスクとしてArイオンミリングによりチタン/金の薄層10をエッチングすることにより、チタン/金のドット列を形成した。
【0119】
その後レジスト塗布し、チタン/金ドット列の一部をマスクするようにフォトリソグラフィーによりレジストパターンを作製し、その上からチタン(Ti)、金(Au)の薄膜を順次5nm、20nmの膜厚に形成した後、レジストをリフトオフしてソース電極、ドレイン電極を形成した。
【0120】
図12は、このようにして得られた単電子デバイスの平面構成を表す概念図である。ソース電極Sとドレイン電極Dとの間で電圧―電流特性を測定したところ、電流は階段状に変化し、チタン/金ドットに対応してシリコン基板の表面付近に単電子が閉じこめられることが確認できた。
【0121】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明において用いるブロックコポリマー、第2のレジスト層、転写層あるいは被加工体の材料、形状、サイズなどに関しては、当業者が適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができるものも本発明の範囲に包含される。
【0122】
また、本発明の加工方法は、上述したパターンドメディアや単電子デバイスに限定されず、その他各種の用途において同様に実施し、同様の効果を得ることができるものも本発明の範囲に包含される。
【0123】
その他、本発明の実施の形態として上述した加工方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての加工方法も同様に本発明の範囲に属する。
【0124】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、欠陥の非常に少ない規則配列パターンを持ち、耐エッチング特性にすぐれたマスクパターンを安価にしかも高いスループットで形成することにより、これにより、高密度記録媒体や高集積化電子部品などの各種の製品を実用的な工程およびコストにより製造する加工方法を提供することができ、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる加工方法を表す工程断面図である。
【図2】第2のレジスト層30の堆積量を調節することにより、マスクとなる領域の面積を任意に変える方法を説明するための概念図である。
【図3】第2のレジスト層をオーバーエッチングすることにより被加工体のパターンサイズが変化することを説明する概念図である。
【図4】ブロックコポリマーの相分離構造を規則的に配列させる方法を表す模式図である。
【図5】被加工体10の表面を疎水化させる方法を表す模式図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の加工方法を表す工程断面図である。
【図7】転写層40に凹凸パターンを形成した具体例を表す工程断面図である。
【図8】本発明の第1実施例において得られた試料表面のAFM像である。
【図9】比較例において得られた試料表面のAFM像である。
【図10】本発明の第2実施例において得られたCoPtドットの走査電子顕微鏡(SEM)像である。
【図11】本発明の第3実施例において得られたCoPtCrの磁性体ドットを表すSEM像である。
【図12】本発明の第4実施例において得られた単電子デバイスの平面構成を表す概念図である。
【符号の説明】
10 被加工体
10H 疎水化層
20 ブロックコポリマー層
20A、20B ポリマー相
20B 第1のレジスト層
30 第2のレジスト層
40 転写層
C 凹部
D ドレイン電極
G 裾野部
R 凹部
S ソース電極
Claims (6)
- ポリメチルメタクリレートとポリスチレンとが略規則的に配列した配列構造を有するジブロックコポリマー層を被加工体の上に形成する工程と、
前記ポリメチルメタクリレートを選択的に除去することにより前記ジブロックコポリマー層の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部にマスク層を設ける工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ジブロックコポリマー層及び前記被加工体をエッチングすることにより、前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造に対応したパターンを前記被加工体に形成する工程と、
を備えたことを特徴とする加工方法。 - 前記被加工体は、前記ジブロックコポリマー層を形成する前の状態においてその表面に凹凸パターンを有し、
前記被加工体の上に形成された前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造は、前記凹凸パターンに対応して配向してなることを特徴とする請求項1記載の加工方法。 - 被加工体の上に転写層を形成する工程と、
前記転写層の上に、ポリメチルメタクリレートとポリスチレンとが略規則的に配列した配列構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、
前記ポリメチルメタクリレートを選択的に除去することにより前記ジブロックコポリマー層の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部にマスク層を設ける工程と、
前記マスク層をマスクとして前記ジブロックコポリマー層及び前記転写層をエッチングすることにより、前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造に対応したパターンを前記転写層に形成する工程と、
前記転写層をマスクとして前記被加工体をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とする加工方法。 - 前記転写層は、前記ジブロックコポリマー層を形成する前の状態においてその表面に凹凸パターンを有し、
前記転写層の上に形成された前記ジブロックコポリマー層の前記配列構造は、前記凹凸パターンに対応して配向してなることを特徴とする請求項3記載の加工方法。 - 前記凹部における前記マスク層の充填量を調節することにより、前記配列構造に対応したパターンのサイズを制御することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の加工方法。
- 前記マスク材料をマスクとして実施する前記エッチングにおいて、前記マスク材料に対するオーバーエッチング量を調節することにより、前記配列構造に対応したパターンのサイズを制御することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の加工方法
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