JP3689093B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法に係り、特に、周期的な配列構造を有するパターンに被加工体を加工する微細パターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
昨今のパソコンなどの情報機器における飛躍的な機能向上は、半導体装置の製造などに用いられる微細加工技術の進歩によるところが非常に大きい。これまで、加工寸法の微細化は、リソグラフィーに用いられる露光光源の短波長化より進められてきた。しかしながら、加工寸法が微細化してパターンが高密度化するほど、製造工程におけるリソグラフィーのコストは膨大になってきている。次世代の半導体装置、あるいはパターンド・メディア(patterned media)などの微細加工を施した高密度記録媒体においては、パターンの寸法を50nm以下まで微細化することが要求されている。これを達成するための露光光源としては、電子線などが用いられるようになると考えられるが、加工のスループットの点で非常に大きな課題が残されている。
【0003】
このような状況のもと、より安価で、しかも高いスループットを実現できる加工方法として、材料が自己組織的に特定の規則配列パターンを形成するという現象を利用した方法が注目を集めている。例えば、微粒子を被加工基板上に2次元的に自己組織化したものをテンプレートにして被加工基板にパターンを形成する方法が挙げられる(例えば、非特許文献1、非特許文献2参照)。微粒子は、化学合成により製造することができ、遠心分離などによってサイズの揃ったものが得られる。また、微粒子の周囲を任意の材料でコートしたコアシェル微粒子を利用することによって、微粒子間の相互作用を調整することも可能である。この場合には、様々な溶媒に微粒子を安定に分散させて、基板上に自己組織化膜を展開することも可能となる。
【0004】
さらに、ブロックコポリマーの相分離構造における自己組織的な規則パターン形成を利用することも試みられている。かかる手法を採用すると、適切な溶媒にブロックコポリマーを溶解して被加工基板上に塗布して、規則配列した単層のパターンを非常に簡単に形成することが可能となる。このため、微細加工方法としての応用も報告されている(例えば、非特許文献3、非特許文献4参照)。これらの方法では、まず、所定のブロックコポリマーを含有するポリマー層を被加工基板上に形成した後、ブロックコポリマーを相分離させる。さらに、相分離構造中の一つのポリマー相を、オゾン処理、プラズマエッチング、あるいは電子線照射などにより除去して凹凸状のパターンを形成する。この凹凸状パターンをマスクとして、被加工基板の加工が行なわれる。
【0005】
しかしながら、こうした自己組織化膜を用いる方法でも、サイズが50nm以下の超微細パターンを形成しようとすると、規則配列を大面積で作製することは困難である。自己組織化膜を単層で基板表面に形成しようとすると、基板表面もしくは空気界面での相互作用の寄与がサイズの減少とともに大きくなり、所望の高品質な規則配列構造を形成しにくくなるからである。金属微粒子などの自己組織化膜では微粒子間隔のばらつきが大きくなって、規則配列を示さない領域が増大してしまう。ブロックコポリマーの相分離構造の自己組織化膜でも、ドット間隔のばらつきやドットの並びが規則性を示さなくなったり、最悪の場合には相分離構造自体を形成しなくなる。このように、自己組織化を利用した方法も、さらなる微細化を進めるのは困難である。
【0006】
これを回避するには、微粒子自体が単層の2次元配列を形成する材料を用いることが考えられる。例えば、生体内で膜構造などを形成している2次元結晶性の蛋白質分子の自己組織化構造を利用する方法も提案されている。しかしながら、実際のエッチングプロセスにおける十分なエッチング耐性を蛋白質分子に付与することが困難であり、特にアスペクト比の高い加工を実現することは、蛋白質分子を利用しても困難であるとされている。
【0007】
【非特許文献1】
H.W.Deckmanら;Appl.Phys.Lett.Vol.41,P.377(1982)
【0008】
【非特許文献2】
P.A.Lewisら;J.Vac.Sci.Technol.Bvol.11,P.2938(1998)
【0009】
【非特許文献3】
P.Manskyら;Appl.Phys.Lett.,vol.68、p.2586
【0010】
【非特許文献4】
M.Parkら;Science,vol.276、p.1401
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、微粒子の自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、高度に規則的に配列された高アスペクト比の微細パターンを、被加工体表面に形成する方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様にかかるパターン形成方法は、被加工体上に、コア微粒子がシェル層に被覆されたコアシェル微粒子を2層以上に細密充填して多層微粒子膜を形成する工程、
前記多層微粒子膜にドライエッチングを行なって、前記シェル層の材料に支持されたコア微粒子を含むエッチングマスクパターンを形成する工程、および
前記エッチングマスクパターンの形状を前記被加工体に転写することにより、前記被加工体に微細パターンを形成する工程を具備することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0014】
図1は、本発明の一実施形態にかかる微細パターン形成方法を表わす工程断面図である。
【0015】
まず、図1(a)に表したように、被加工体11の上にコアシェル微粒子13の多層膜12を堆積する。被加工体11としては、例えば金属、半導体、絶縁体、または誘電体からなるものを用いることができる。金属、半導体、絶縁体、または誘電体の薄膜がガラスやSi等からなる基板上に製膜されたものを、被加工体11として用いてもよい。コアシェル微粒子13は、コア微粒子13がシェル層13bによりコートされた構造である。
【0016】
コア微粒子13としては、例えば、金属微粒子、誘電体微粒子、ポリマー微粒子などが金属、半導体、絶縁体、およびポリマーなどが用いられる。コア微粒子13aとして金属微粒子が用いられる場合には、例えば、j.Cell Biol.vol.38,page87(1985)に開示されている方法などによって製造することができる。半導体や絶縁体からなる微粒子をコア微粒子13aとして用いる場合には、例えば、J.Am.Chem.Soc.vol.115,page8706(1993)に開示されている方法などによって製造することができる。コア微粒子13aの直径が50nm以下の場合には、電子線やX線などの超高分解能のリソグラフィーによって作製されるものよりも大面積な微細パターンを、より安価に形成することができる。したがって、コア微粒子13aの直径は50nm以下であることが好ましい。
【0017】
シェル層13bとしては、例えば、金属、半導体、絶縁体、およびポリマーなどが用いられる。金属、半導体、または絶縁体をシェル層13bとして用いる場合には、コア微粒子13aを合成した後に、連続してシェル層13bを形成することによって、コアシェル微粒子13を作製することが可能である。ポリマーなどの高分子材料をシェル層13bとして用いる場合には、一部にコア微粒子13aとの反応基が導入された高分子材料が好ましい。こうした高分子材料を用いることによって、コア微粒子13aとシェル層13bとの密着性を高めることができる。
【0018】
例えば、コア微粒子13aがAu、Ag、およびPtなどの貴金属微粒子である場合には、反応基としてチオール基を導入することによって、チオール基と貴金属微粒子の間に強固な結合状態を形成することができる。また、その他の金属微粒子、誘電体微粒子、ポリマー微粒子の場合にも、メトキシシラン、エトキシシラン、トリクロロシランなどのように化学反応により共有結合を形成する反応基や、カルボキシル基、アルコール基、アミノ基、アミド基などのイオン結合や共有結合を形成する極性基を導入することによって、より強固な結合状態が得られる。
【0019】
コア微粒子13aおよびシェル層13bの材料は、上述したような組み合わせが可能であるが、高いアスペクト比で微細パターンを形成するためには、コア微粒子13aとシェル層13bとのエッチング速度比が十分に大きくとれることが要求される。これを達成するためには、ポリマー材料をシェル層13bとして用いることが好ましい。ポリマー材料からなるシェル層13bでコア微粒子13aを被覆するためには、コア微粒子13aの分散しているコロイド溶液中に、所定のポリマー材料を加えて、しばらく吸着反応を進める。その後、遠心分離などによりコアシェル微粒子13のみを分離することによって、ポリマー材料からなるシェル層13bでコア微粒子13aを被覆してなるコアシェル微粒子13が得られる。
【0020】
本発明の実施形態にかかるパターン形成方法においては、コアシェル微粒子は2層以上に多層化されているため、二次元的だけでなく基板表面に対して三次元方向にも自己組織化して多層微粒子膜が形成される。したがって、多層微粒子膜は基板表面や空気界面での相互作用に耐えて、本来の高度な規則配列構造を形成することができる。こうした多層微粒子膜に対しドライエッチングを行なって、シェル層を構成する材料に支持されたコア微粒子を含むエッチングマスクパターンが形成される。
【0021】
アスペクト比の高いエッチングマスクパターンを形成するためには、ドライエッチングによりシェル層をエッチングしている間は、コア微粒子13aがドライエッチングに耐えなければならない。このためには、シェル層13bのドライエッチングプロセスに対するエッチング速度esとコア微粒子13aのエッチング速度ecとの間に、下記数式(2)で表わされる関係が成立することが好ましい。
【0022】
es≧(√2+√3)ec (2)
これは、2層の微粒子多層膜が細密充填構造で形成される状態における幾何学的な計算から算出される。この際、シェル層13bの厚みtsとコア微粒子13aの半径rcとの間には、下記数式(1)で表わされる関係が成立するときに、微粒子多層膜の最上面から被加工体表面までの厚みのシェル層13bをエッチングする時間に、コア微粒子13aがエッチングにより消滅しないことを条件として計算した。
【0023】
ts>(√3−1)rc (1)
ドライエッチングの際に用いられるエッチングガスに応じて、コア微粒子13aおよびシェル層13bの材質を選択することによって、この条件を満たすことができる。
【0024】
例えば、酸素プラズマを利用する場合には、コア微粒子13aを金属または無機物誘電体から構成し、シェル層13bはポリマーなどの有機物から構成することが好ましい。この場合には、理想的にはコア微粒子13aのエッチング速度は、ほとんどゼロと考えることができるため、シェル層13bを選択的に除去することによって、非常にアスペクト比の大きなエッチングマスクパターンを形成することが可能となる。シェル層13bとして使用し得るポリマー材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、およびノボラック樹脂などが挙げられる。
【0025】
また、CF4やCHF3などのフッ素系のガスを用いるプラズマエッチングの場合には、コア微粒子13aは金属微粒子やポリマーから構成し、シェル層13bはSiO2またはSi含有ポリマーから構成したコアシェル微粒子13を用いることが好ましい。これによって、シェル層13bを選択的に除去して、非常にアスペクト比の大きなエッチングマスクパターンが形成される。
【0026】
なお、本発明の実施形態においては、多層微粒子膜12をドライエッチングして得られた2次元的なエッチングマスクパターンの形状が、被加工体11上に転写される。したがって、多層を形成している各層のコアシェル微粒子13が2次元平面上で重なり合う場合には、孤立したドットパターンではなく、コア微粒子が繋がった網目状のパターンが形成されてしまう。高密度記録媒体や電子デバイスでは、孤立したナノメーターサイズのパターンを形成することが求められており、コアシェル微粒子13のシェル層13bの厚みtsを、コア微粒子13aの半径rcの(√3−1)倍より大きくすることによって可能となる。この関係は、幾何学的な計算から導かれる。
【0027】
シェル層13bが金属、半導体、絶縁体などからなり、上述したような方法により形成される場合には、シェル層13bの形成の反応時間や反応時の溶媒の種類などを調整することによって、所望の厚さのシェル層13bを得ることができる。また、ポリマーをシェル層13bに用いる場合には、ポリマー鎖の長さによってシェル層厚をコントロールすることができる。
【0028】
コア微粒子13aが金属微粒子、誘電体微粒子、およびポリマー微粒子のいずれかからなり、シェル層13bが金属、誘電体、およびポリマーのいずれかからなるコアシェル微粒子13の多層膜12は、以下のように作製することができる。例えば、コアシェル微粒子13を溶媒中に分散させてなる分散液を被加工基板上に滴下し、これを乾燥させることによって、コアシェル微粒子13の膜を形成することができる。分散液中におけるコアシェル微粒子13の濃度や溶媒の種類を適切に選択することによって、形成されるコアシェル微粒子の膜の層数を任意に変えることが可能である。コアシェル微粒子13の濃度は、例えば0.1mg/ml〜100mg/mlの範囲内で適宜選択することができる。また、溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、プロパノール、乳酸エチル、酢酸エチル、キシレン、テトラヒドロフラン、トルエン、プロピレングリコールモノエチルアセテート、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、クロロベンゼン、クロロホルム、塩化メチレン、およびジエチルエーテル等を用いることができる。
【0029】
また、より大面積にコアシェル微粒子の多層膜12を形成する場合には、スピンコート法を用いることも可能である。具体的には、コアシェル微粒子13の分散液を被加工基板上に滴下した後、被加工基板11を適切な回転数で回転させ、乾燥させてコアシェル微粒子膜12を形成する。この場合、コアシェル微粒子分散液の濃度、溶媒の種類、あるいはスピン回転数を制御することによって、コアシェル微粒子膜の層数を任意に変えることが可能である。コアシェル微粒子13の濃度は、0.1mg/ml〜100mg/mlの範囲内で適宜選択することができ、濃度が濃いほど作製される層数を増やすことができる。また、沸点が100℃以下程度と低く蒸発し易い溶媒を用いることによって、層数を増やすことができる。こうした溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ヘキサン、ベンゼン、酢酸エチル、およびクロロホルム等が挙げられる。さらに、スピン回転数が小さいほど層数を増やすことができる。具体的には、1000rpm以下程度の場合である。
【0030】
あるいは、コアシェル微粒子13の分散液中に被加工体11を浸漬した後、そこから被加工体11を引き上げる引き上げ法を採用した場合も、大面積のコアシェル微粒子膜を作製することが可能である。こうした引き上げ法においても、コアシェル微粒子13の濃度、溶媒の種類、または被加工基板の引き上げ速度を制御することによって、コアシェル微粒子膜の層数を任意に変えることが可能である。
【0031】
コアシェル微粒子としては、図2に示すようなミセル構造を示すブロックコポリマーを用いることもできる。こうしたブロックコポリマーでは、ミセル構造の中心部に存在する第1のポリマーブロック17がコア微粒子に相当し、ミセル構造の外側に存在する第2のポリマーブロック18がシェル層に相当することになる。ブロックコポリマーのコアシェル微粒子の多層膜12を用いる場合も、前述したような乾燥法、スピンコート法、あるいは引き上げ法によって、図3に示すように多層膜12を被加工体11上に作製することが可能である。
【0032】
コアシェル微粒子13が比較的強固な材料からなる場合には、2層目以上の層の直下における部分は、1層目のシェル層が少ないもしくは空洞になっている場合が多い。こうした状態は、次のドライエッチングによりマスクパターンを形成する工程において、2層目以上のドットがドライエッチング中に倒れるなどの問題を引き起こす原因となる。コアシェル多層膜を塗布した後に、アニール処理を施してシェル層13bを熱可塑変形させ、2層目のコア微粒子の下方にもシェル層材料が存在する状態とすることによって、これを回避することができる。この場合、アニールの温度は、シェル層13bのガラス転移点以上であれば、十分な熱可塑変形を起こすことが可能である。例えば、ガラス転移点が100℃のポリスチレンポリマーからシェル層13bが構成される場合には、100℃以上の温度であれば可塑変形を起こすことができる。
【0033】
あるいは、空洞部をマトリックス材料により埋めこんでしまうことも有効である。マトリックス材料により空洞部が埋めこまれた多層微粒子膜12を作製するためには、コアシェル微粒子13の分散液に、マトリックス材料を配合して多層微粒子膜を形成すればよい。マトリックス材料は、酸素プラズマなどによるドライエッチングを行なうことによって、シェル層13bとともに容易に除去されることが必要である。マトリックス材料のドライエッチングプロセスに対するエッチング速度emが、シェル層13bと同様に、コア微粒子13aのエッチング速度ecの(√2+√3)以上であること、すなわち、マトリックス材料のエッチング速度emとコア微粒子のエッチング速度ecとの間に、下記数式(4)で表わされる関係が成立することが好ましい。
【0034】
em≧(√2+√3)ec (4)
この際、シェル層13bの厚みtsとコア微粒子13aの半径rcとの間には、下記数式(1)で表わされる関係が成立するときに、微粒子多層膜の最上面から被加工体表面までの厚みのシェル層13bをエッチングする時間に、コア微粒子13aがエッチングにより消滅しないことを条件として計算した。
【0035】
ts>(√3−1)rc (1)
こうしたマトリックスとしては、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、およびノボラック樹脂などを用いることができる。
【0036】
上述したような手法によって被加工体11上に多層微粒子膜12が形成された後、シェル層13bをドライエッチングにより除去して、図1(b)に示すようにシェル層13bの材料に支持されたコア微粒子13aからなるエッチングマスクパターン14を形成する。このためには、コア微粒子13aの形状が、このコア微粒子の下層にあるシェル層13bに忠実に転写されなければならない。リアクティブイオンエッチングやイオンビームエッチングなどのエッチング方法によって、実現することが可能である。エッチングドライエッチングでよりアスペクト比の高いエッチングを実現するには、エッチングガスの圧力を可能な限り低くすることが好ましい。具体的には、10mTorr程度以下とすることが望まれる。また、試料すなわちコアシェル微粒子13を低温、例えば0℃以下に維持しつつエッチングを行なうことも有効である。
【0037】
コアシェル微粒子13がブロックコポリマーの場合には、コア微粒子に相当する第1のポリマーブロックとして金属や半導体原子を含み、シェル層に相当する第2のポリマーブロックとしてそれら金属や半導体原子を含んでいないものが好ましい。こうした材料から構成されることによって、酸素をエッチングガスとして用いた場合に、コア微粒子に相当する第1のポリマーブロックのエッチング速度を、第2のポリマーブロックと比較して十分に遅くすることができる。
【0038】
こうして得られたエッチングマスクパターン14を用いて被加工体11をドライエッチングすることにより、図1(c)に示すように被加工体11にアスペクト比の高い微細パターン15を形成することが可能となる。この際、ドライエッチングのエッチングガスに対するシェル層13bのエッチング速度が、被加工体11のエッチング速度に対して十分に小さいことが好ましい。例えば、シェル層13bがポリスチレンからなり、被加工体11がCo、Cuなどの金属からなる場合には、エッチングガスとして塩素を用いることによって、被加工体11に微細パターンを形成することができる。
【0039】
被加工体11の加工には、リアクティブイオンエッチングやイオンビームエッチングなどを採用することができる。高密度記録媒体となるパターンドメディアでは、磁性体が被加工体として用いられる。こうした磁性体のエッチングには、塩素ガスや一酸化炭素とアンモニアとの混合ガスなどをエッチングガスとして用いたリアクティブイオンエッチングを行なうことが好ましい。あるいは、アルゴンやネオンガスをエッチングガスとして、イオンビームエッチングにより加工することもできる。被加工体11のエッチングを行なう場合も、エッチングマスクパターン14を形成する際のエッチングと同様に、ガス圧力は10mTorr以下程度と低い方が、より高いアスペクト比で加工することができる。また、被加工体11を、0℃以下程度の低温に維持しつつ加工することも有効である。
【0040】
コアシェル微粒子の多層微粒子膜12は、中間層を介して被加工体11上に形成することもできる。微粒子の自己組織化を用いたパターン形成方法では、微粒子が粒径の小さな球状であるため、エッチングマスクのアスペクト比を大きくとることが困難である。多層微粒子膜12と被加工体11との間に中間層を介在させ、コア微粒子と中間層とのエッチング速度の比を大きく取ることによって、こうした問題を解決することができる。
【0041】
図4は、本発明の他の実施形態にかかる微細パターン形成方法を表す工程断面図である。
【0042】
まず、図4(a)に示すように、被加工基板11上に炭素系有機高分子材料などからなる中間層20を塗布する。ここで炭素系高分子材料を用いるのは、後の工程で酸素プラズマエッチングによりコア微粒子13aのパターンを、この中間層20に転写するためである。炭素系有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレンなどのポリスチレン誘導体、ポリビニルナフタレンおよびその誘導体、ノボラック樹脂、およびポリイミドといったエッチング耐性が高い材料が好ましい。後の工程でコアシェル微粒子の多層膜を形成する際に、コアシェル微粒子溶液の溶媒によって中間層20が溶解しないように、中間層を塗布した後に中間層20を硬化させることが好ましい。
【0043】
光硬化性または熱硬化性の樹脂を中間層の材料に配合して、光や熱の作用により中間層20を硬化することができる。光硬化性の樹脂としては、例えば、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、ジアゾ系樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリアクリロニトリル誘導体、ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアニリン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシクロヘキサジエン誘導体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、およびノボラック樹脂などを用いることができる。
【0044】
ポリマー鎖をより効率的に硬化させるために、有機過酸化物などのラジカル発生剤、架橋剤を中間層20に添加することによって、架橋反応を促進させ硬化させることも有効である。光硬化と熱硬化とを併用することによって、硬化反応がさらに促進され、中間層20の耐熱性や耐溶媒性が高められる。
【0045】
中間層20は、これらの材料を適当な溶媒に溶かした後、スピンコートなどにより塗布することが可能である。溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、プロパノール、乳酸エチル、酢酸エチル、キシレン、テトラヒドロフラン、トルエン、プロピレングリコールモノエチルアセテート、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、クロロベンゼン、クロロホルム、塩化メチレン、およびジエチルエーテル等を用いることができる。中間層20は、被加工体11をエッチングする際のエッチングマスクパターンを支持することになる。前述したようにコア微粒子の直径は50nm以下であることが好ましく、得られるドットパターンのサイズも50nm以下となる。したがって、エッチングマスクのアスペクト比としてはたかだか100程度であるとすると、中間層20の膜厚は5μm以下が望ましい。それ以上の膜厚の場合には、形成されるエッチングマスクパターンのアスペクト比が大きくなりすぎて、倒れるなどの不良が発生するおそれがある。
【0046】
中間層20上には、図4(b)に示すようにコアシェル微粒子の多層膜12を前述した方法などにより形成する。
【0047】
次に、ドライエッチングを行なって、シェル層13bおよび中間層20にコア微粒子13aのパターンを転写し、図4(c)に示されるようにエッチングマスクパターン21を形成する。中間層20のドライエッチングプロセスに対するエッチング速度eiは、下記数式(3)で表わされる関係を満たすことが好ましい。
【0048】
ei≧ecesti/(2(es−(√2+√3)ec)rc) (3)
(上記数式中、tiは前記ドライエッチングプロセス時における前記中間層の膜厚である。)
この際、シェル層13bの厚みtsとコア微粒子13aの半径rcとの間には、下記数式(1)で表わされる関係が成立するときに、微粒子多層膜の最上面から被加工体表面までの厚みのシェル層13bをエッチングする時間に、コア微粒子13aがエッチングにより消滅しないことを条件として計算した。
【0049】
ts>(√3−1)rc (1)
中間層は、シェル層と同様にコア微粒子よりも十分にエッチング速度が速いため、より高いアスペクト比を有するエッチングマスクパターンを形成することができる。この場合には、中間層材料およびシェル層材料に支持されたコア微粒子がエッチングマスクパターンとなる。高いアスペクト比のマスクパターンは、被加工体に対してより高精度にかつ高いアスペクト比でパターンを転写する場合に、特に有効に用いられる。
【0050】
なお、コア微粒子13aとシェル層13bおよび中間層20との間により大きなエッチング速度の比を得るには、酸素プラズマエッチングによりパターンを転写するのが好ましい。
【0051】
図4(c)に示すようなエッチングマスクパターン21を形成するためには、コア微粒子13aの形状が、このコア微粒子の下層にあるシェル層13bおよび中間層20に忠実に転写されなくてはならない。リアクティブイオンエッチングやイオンビームエッチングなどのエッチング方法によって、これを実現することができる。
【0052】
こうして得られたエッチングマスクパターン21を用いて被加工体11をドライエッチングすることにより、図4(d)に示すように被加工体11にアスペクト比の高い微細パターン22を形成することが可能となる。
【0053】
被加工体11と多層微粒子膜12との間に中間層20が設けられるので、この中間層20により、非常に高いアスペクト比のエッチングマスクパターンを形成することを可能である。したがって、この場合には、自己組織化するコアシェル微粒子13の選択性が広まるという利点がある。
【0054】
【実施例】
以下、本発明の実施例を参照しつつ本発明を詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【0055】
(実施例1)
本実施例においては、図1に示した工程にしたがって被加工体に微細パターンを形成した。
【0056】
直径10nm金微粒子をコア微粒子とし、アルキルメルカプタンからなる厚さ10nmのシェル層を有するコアシェル微粒子を用いた。このコアシェル微粒子を、5mg/mlの濃度でヘキサンに分散させて、分散液を調製した。
【0057】
まず、図1(a)に示されるように、被加工体11として用意したSiO2基板上に、前述の分散液をスピンコートにより展開し、100rpmで回転させ乾燥させることにより多層微粒子膜を形成した。SEMにより表面形状を観察したところ、コアシェル微粒子の2層膜が形成されていることが確認された。
【0058】
次に、酸素プラズマエッチングを行なって、図1(b)に示したようにエッチングマスクパターン14を形成した。具体的には、酸素の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、20秒間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。
【0059】
さらに、CHF3をエッチングガスとしてプラズマエッチングを行なって、図1(c)に示されるように被加工体11としてのSiO2基板にパターンを転写した。具体的には、CHF3の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、30秒間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。その結果、被加工体11表面には、図1(c)に示すように微細パターン15が形成された。
【0060】
残ったエッチングマスクパターン14は、濃硫酸処理により被加工体11上から除去した。
【0061】
図5は、得られた試料表面のAFM像である。10nm直径の円形のドットが独立して近接し、6角形状に配列した深さ10nmの凹凸構造が形成されていることが確認された。
【0062】
(比較例)
上述した実施例1と同様のコアシェル微粒子を、2mg/mlの濃度でヘキサンに分散させて分散液を調製した。
【0063】
得られた分散液を、被加工体としてのSiO2基板の上にスピンコートにより展開し、100rpmで回転させ乾燥させて微粒子膜を形成した。SEMにより表面形状を観察したところ、コアシェル微粒子の単層膜が形成されていた。
【0064】
次いで、前述の実施例1と同様の手法により酸素プラズマエッチングによりエッチングマスクパターンを形成した。その後、CHF3をエッチングガスとして、プラズマエッチングを行ない被加工体上にパターンを転写した。最後に、濃硫酸処理によりエッチングマスクパターンを除去した。
【0065】
図6は、得られた試料表面のAFM像である。SiO2基板の表面に形成されたドットは、規則的な配列をしている領域が非常に小さく、また配列している領域もばらつきが大きいことが確認された。
【0066】
(実施例2)
本実施例においては、図4に示した工程にしたがって被加工体に微細パターンを形成した。
【0067】
直径5nmの金微粒子をコア微粒子とし、アルキルメルカプタンからなる厚さ5nmのシェル層を有するコアシェル微粒子を用いた。このコアシェル微粒子を、15mg/mlの濃度でヘキサンに分散させて分散液を調製した。
【0068】
まず、CoCrPt合金膜を10nmの膜厚でスパッタ蒸着法によりガラスディスク上に製膜して、被加工体11を用意した。
【0069】
この被加工体11上に、図4(a)に示したように、ノボラック樹脂からなる中間層20をスピンコート法により塗布した後、窒素雰囲気200℃で30分加熱して硬化させた。中間層20の膜厚は、30nmとなるように塗布条件を調整した。具体的には、15mg/mlの濃度のプロピレングリコールモノエチルアセテート溶液を回転数5000rpmでスピンコートすることによって、中間層の膜厚を30nmに制御した。
【0070】
中間層20上には、前述の分散液をスピンコートにより展開し、100rpmで回転させ乾燥させて、図4(b)に示すように多層微粒子膜12を形成した。SEMにより表面形状を観察したところ、コアシェル微粒子の3層膜が形成されていることが確認された。
【0071】
次に、酸素プラズマエッチングを行なって、図4(c)に示したようにエッチングマスクパターン21を形成した。具体的には、酸素の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、40秒間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。
【0072】
さらに、塩素をエッチングガスとしてプラズマエッチングを行なって、図4(d)に示されるように被加工体にパターンを転写した。具体的には、塩素の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、60秒間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。その結果、被加工体11表面には、図4(d)に示すように微細パターン22が形成された。
【0073】
残ったエッチングマスクパターン21は、酸素プラズマ処理により被加工体11上から除去した。
【0074】
図7は、得られた試料表面のAFM像である。5nm直径の円形のドットが間隔10nmで細密充填し、配列した深さ10nmの磁性ドット構造が形成されていることが確認された。
【0075】
(実施例3)
直径10nm金微粒子をコア微粒子とし、アルキルメルカプタンからなる厚さ10nmのシェル層を有するコアシェル微粒子を用い、マトリックス材料としてはポリスチレンを用いた。コアシェル微粒子を5mg/mlの濃度でヘキサンに分散させ、この分散液にマトリックス材料を0.5mg/mlとなるよう配合した。
【0076】
まず、被加工体としてのSiO2基板上に、前述の分散液をスピンコートにより展開し、100rpmで回転させ乾燥させて、多層微粒子膜を形成した。SEMにより表面形状を観察したところ、コアシェル微粒子の2層膜が形成されていることが確認された。
【0077】
酸素プラズマエッチングによりエッチングマスクパターンを形成した。具体的には、酸素の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、20秒間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。
【0078】
CHF3をエッチングガスとして、プラズマエッチングを行ない、被加工体にパターンを転写した。具体的には、CHF3の流量5sccm、全圧5mTorr、投入RFパワー100Wの条件で、1分間、反応性イオンエッチング(RIE)を行なった。その結果、被加工体11表面には、図1(c)に示すように微細パターン15が形成された。
【0079】
残ったエッチングマスクパターンは、濃硫酸処理により被加工体11上から除去した。
【0080】
こうして得られた試料表面をAFMにより観察したところ、10nm直径の円形のドットが独立して近接し、6角形状に配列した深さ20nmの凹凸構造が形成されていることが確認された。
【0081】
以上、具体例を示して本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。また、本発明の微細パターン形成方法は、上述したパターンドメディアに限定されず、その他各種の用途において同様に実施し、同様の効果を得ることができるものも本発明の範囲に包含される。
【0082】
その他、上述した微細パターン形成方法に基づいて、当業者が適宜設計変更して実施し得るすべての微細パターン形成方法も同様に本発明の範囲に属する。
【0083】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高度に規則的に配列された高アスペクト比の微細パターンを被加工体表面に形成する方法が提供される。
【0084】
本発明は、例えば、高密度記録媒体や高集積化電子部品などの製造に好適に用いることができ、その工業的価値は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態にかかる微細パターン形成方法を表わす工程断面図。
【図2】 ブロックコポリマーによりコアシェル構造を形成する場合の構造を示す模式図。
【図3】 ブロックコポリマーにより多層膜を形成する場合の模式図。
【図4】 本発明の他の実施形態にかかる微細パターン形成方法を表わす工程断面図。
【図5】 実施例1で作製された試料表面のAFM像。
【図6】 比較例で作製された試料表面のAFM像。
【図7】 実施例2で作製された試料表面のAFM像。
【符号の説明】
11…被加工体,12…多層微粒子膜,13…コアシェル微粒子,13a…コア微粒子,13b…シェル層,14…エッチングマスクパターン,15…微細パターン,17…第1のポリマーブロック,18…第2のポリマーブロック,20…中間層,21…エッチングマスクパターン,22…微細パターン。
Claims (3)
- 被加工体上に、コア微粒子がシェル層に被覆されたコアシェル微粒子を2層以上に細密充填して多層微粒子膜を形成する工程、
前記多層微粒子膜にドライエッチングを行なって、前記シェル層の材料に支持されたコア微粒子を含むエッチングマスクパターンを形成する工程、および
前記エッチングマスクパターンの形状を前記被加工体に転写することにより、前記被加工体に微細パターンを形成する工程を具備することを特徴とする微細パターン形成方法。 - 前記被加工体上に前記多層微粒子膜を形成する前に、中間層を形成する工程をさらに具備し、前記エッチングマスクパターンを形成する工程の後に、前記エッチングマスクパターンにより前記中間層をドライエッチングしてパターン化する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記多層微粒子膜は、前記コアシェル微粒子とマトリックス材料とを含有する分散液を用いて、前記2層以上に細密充填されたコアシェル微粒子とこのコアシェル微粒子の隙間を埋める前記マトリックス材料とにより形成され、前記マトリックス材料は、前記ドライエッチングにより加工されて、前記シェル層材料とともに前記コア微粒子を支持し、前記エッチングマスクパターンを構成することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
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