JP5752655B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
102、202 被加工膜
104、108、205 中性化膜
105、203 レジスト
106、204 ブロックポリマー層
109、110、205 自己組織化パターン
Claims (6)
- ガイド層が設けられた基板上に、少なくとも第1セグメント及び第2セグメントを含む自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層上に中性化膜を形成する工程と、
前記自己組織化材料層を相分離させ、前記第1セグメントを含む第1領域と前記第2セグメントを含む第2領域とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、
を備え、
前記自己組織化材料層の上面に対して光を照射し、前記自己組織化材料層の上面領域を中性化膜に変化させることで前記中性化膜を形成し、
前記ガイド層は、前記第1セグメントとの界面張力が、第2セグメントとの界面張力と同じである第1のパターン部材と、前記第1セグメントとの界面張力が、前記第2セグメントとの界面張力とは異なる第2のパターン部材とが所定のパターンに形成された層を有することを特徴とするパターン形成方法。 - ガイド層が設けられた基板上に、少なくとも第1セグメント及び第2セグメントを含む自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層上に中性化膜を形成する工程と、
前記自己組織化材料層を相分離させ、前記第1セグメントを含む第1領域と前記第2セグメントを含む第2領域とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、
を備え、
前記自己組織化材料層の上面に対して光を照射し、前記自己組織化材料層の上面領域を中性化膜に変化させることで前記中性化膜を形成するパターン形成方法。 - ガイド層が設けられた基板上に、少なくとも第1セグメント及び第2セグメントを含む自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層上に中性化膜を形成する工程と、
前記自己組織化材料層を相分離させ、前記第1セグメントを含む第1領域と前記第2セグメントを含む第2領域とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、
を備え、
前記第1セグメントとの界面張力が、第2セグメントとの界面張力と同じである溶液を用いて前記自己組織化材料層の表面処理を行い、前記自己組織化材料層の上面領域を中性化膜に変化させることで前記中性化膜を形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記自己組織化材料層の形成に用いられる溶液の溶媒と、前記中性化膜の形成に用いられる溶液の溶媒とは異なることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記ガイド層は凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンの凹部に前記自己組織化材料層を形成することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記ガイド層は、前記第1セグメントとの界面張力が、第2セグメントとの界面張力と同じである第1のパターン部材と、前記第1セグメントとの界面張力が、前記第2セグメントとの界面張力とは異なる第2のパターン部材とが所定のパターンに形成された層を有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のパターン形成方法。
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