JP4649262B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
増大してきている。このような状況の下で、これまでよりも飛躍的に記録密度の高い情報
記録再生装置や集積度の高い半導体装置が求められている。
るために、より微細な加工技術が必要となっている。その一例として露光プロセスを用い
た従来のフォトリソグラフィー技術があり、一度に大面積の微細加工が可能である。しか
し光の波長以下の分解能を持たないため、たとえば400nm以下の微細構造の作製は困
難である。400nm以下レベルの加工技術としては、電子線リソグラフィーや集束イオ
ンビームリソグラフィーなどの手法が存在するが、スループットの悪さが問題であり、さ
らには微細化が進むほど装置は高価になってきている。
がら、10nm 程度の解像度を有する加工技術として注目されている(特許文献1)。こ
こで、Chouらが行ったナノインプリントリソグラフィの実験の工程においては、電子ビー
ム直接描画でパターニングし、それをマスクとしてドライエッチで加工したスタンパを用
いている。そこで、シリコン上にパターン転写層として、熱可塑性樹脂のPMMA(ポリメタ
クリル酸メチル)を用いて熱サイクルナノインプリントを行い、パターンの転写を行う。
さらに酸素RIE (Reactive Ion Etching) でレジストの残さ除去を行い、シリコンの表面
を出す。その後、レジスト膜をマスクとしてエッチングを行ったり、Al等をリフトオフし
、配線に利用したりする。また、松井らはパターン転写層として、SiO2系被膜形成用塗布
液であるSOG (Spin on Glass) を用いて、室温でのインプリントを行っている(特許文献
2)。
を向上させるための微細な加工技術として、このレジスト膜をマスクとして磁性層をエッ
チングする必要がある。ここで、磁性層のエッチング方法としてRIEを用いるのは困難で
ある。なぜなら磁性層中の強磁性合金ベースである磁性金属Cr、Mn、Fe、Co、N
iをエッチングする過程で生じる中間生成物のハロゲン化物(ハロイド)は、高融点、高
沸点であり、室温での蒸気圧が極めて低く、それらの蒸発熱も大きいため、磁性層のエッ
チングにより生じたラジカル反応生成物を除去することは困難となる。そこで、磁性層の
加工にはイオンミリングを用いている。イオンミリングとは、Arなどの不活性ガスをイ
オン化、電界加速し、材料表面分子を物理的に弾き飛ばすスパッタリング現象を利用した
エッチング法であり、ほとんどの物質をエッチングすることが可能である。
えてしまうことにある。例として、上記凹凸構造をもつHDDはヘッドの浮上安定性のため
に凹部埋め込みを行う必要があるが、埋め込み材として良く知られているSOGを用いると
、エッチバックに長時間のイオンミリングを要し、下部磁性層にダメージを与える要因と
なり得る。つまり、SOGは磁性層保護用のマスクとしては柔らかすぎてしまうという問題
が発生する。そこで、SOGをガラス化させる必要があるが、ガラス化させるためには40
0℃以上の高温ベークを必要とするため、量産には向かない。
。本発明は、インプリントによるパターン転写に伴う磁性体加工において、磁性体にダメ
ージを与えることなく簡易に微細化を行うための磁性層加工プロセスを提供することを目
的とする。
O2を作成することができるため、SOGのエッチバック時の磁性体のダメージを低減するこ
とができる。
る。ここでは、一例として1トラックが120セクタで構成され、1セクタが10000
ビットで構成された、100kTPI(track per inch)の磁気記録媒体を作成する。
成された磁性層103上にエッチングマスクとしてSOG201を100μmの厚さに塗布
する。ここで、磁性層103は次のようにして形成される。まずガラス基板上に軟磁性体
からなるSUL層(図示せず)を50nm程度成膜する。ここでSUL層の材料としては、例えば
CoZr、CoZrNb、及びCoZrTa系合金などを挙げることができる。次にSUL
層上に非磁性体からなる中間層(図示せず)を10〜20nm程度の厚さに成膜する。中
間層の材料としては、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、あるいはこれらを含む合金、あ
るいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。そして、中間層の上に記録層(図
示せず)を20nm程度の厚さに成膜する。記録層の材料としては、CoCrPtを挙げること
ができる。これらSUL層、中間層、記録層とで垂直二層媒体の磁性層103が構成される
。
たSOGとしては、シロキサンの化学構造によって、シリカガラス、アルキルシロキサンポ
リマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー(MSQ)、水素化シルセスキオキサンポリ
マー(HSQ)、水素化アルキルシロキサンポリマー(HOSP)などを用いることができる。S
OG201はこれらの溶液と形成される膜となっている。
の形成方法は、光露光リソグラフィー、電子線リソグラフィーや集束イオンビームリソグ
ラフィー、X線リソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー等があるが、400 nm
以下の微細パターンを形成するには、量産性の面からナノインプリントリソグラフィを用
いることが好ましい。具体的にナノインプリントリソグラフィの製造工程を次に示す。ま
ず、インプリントを行うにあたり、フッ素系の剥離材であるパーフルオロアルキル誘導体
をスタンパにディップし、インプリント時のスタンパとSOG201との離型性を高める。
そのため、パーフルオロアルキル誘導体とニッケル製スタンパとの密着性を上げる必要が
あるが、40℃以上で5分間アッシャーによりスタンパを酸化させる。ここで、パーフル
オロアルキル誘導体として、パーフルオロポリエーテル(HOOC − CF2 − O − (CF2 − C
F2 − O)m − (CF2 − O)n − CF2 − COOH)をGALDEN − HT70、(ソルベイソレクシス社)
で希釈した溶液を用いる。パーフルオロアルキル誘導体が入っているルーバーを用いて、
前記スタンパにパーフルオロアルキル誘導体を被覆する。その後、150℃で10分間窒
素雰囲気中にてアニールする。一方、前記磁性体上にはSOG201(例えば、OCD T − 7 8
000T;東京応化工業株式会社製)を6000rpmでスピンコートする。その後100℃
で20分間プリベークを行い、SOG201をインプリントに適度な硬度としスタンパを2
000barで1分間プレスすることによって、SOG201にそのパターンを転写する。
タンパにより形成されたSOG201凹部のエッチングを行い、磁性層103の表面を露出
させる。ここで、フッ素系ガスとは、CF4、SF6 などSOGをエッチングできるものであれば
特に限定されない。SOGに転写された凹凸形状をできるだけ変化させずに残渣除去するに
は、減圧雰囲気中での高密度のプラズマソースRIEが好適である。ICP(誘導結合プラズマ
)やECR(電子サイクロトロン共鳴)エッチング装置を用いても良い。
。磁性層103のエッチングにはイオンミリングを用いる。イオンミリングとは電子衝撃
で生じたイオンを200〜1000eVの範囲で加速させ、イオンの物理的な運動エネルギ
ーを利用してエッチングする方法である。本実施例ではイオンとしてArを用いる。磁性層
103中の記録層のダメージを無くし、エッチングされた記録層材料の再付着(リデポ)
現象を抑えるために、イオン入射角を30°、70°と変化させてエッチングを行う。そのた
め図4(b)(図4(a)の丸枠内の拡大図)に示すように、磁性層103側壁が40〜
75度程度のテーパー角αを有する。
より、400度以上の高温ベーキングを行わずに、イオンミリングと同時にSOG201を
ガラス転移化させることが出来る。よって磁性層103の凸部パターン上部に残ったSOG
201がガラス転移化してSiO2102となる。ここで、エッチングガスは本実施例のよう
にエッチングレートが早く、安価で取り扱いが楽なArガスを用いることが好ましいが、He
、Xe、N2 等不活性ガスであればよく、特に限定されない。
またはSiO2からなる埋め込み層101によって埋め込む。ここで、磁性体凸部マスク
にはSiO2からなる保護マスクがあるため、埋め込み層101の材料としては、埋め込み形
状の良いSOGを用いる。また、SiO2膜をスパッタもしくはバイアススパッタで埋め込むこ
とも可能である。
ミリング等の方法でエッチバックすることにより、埋め込み層101及び磁性層103表
面を平坦化する。
いDLC(Diamond-like Carbon)からなる、膜厚3〜4nm程度のカーボン保護膜10
4、及び膜厚1nm程度の液体潤滑層105をこの順で形成する。カーボン保護膜104
の形成方法としてはグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法あるいは化学気相
成長(CVD)法を挙げることができる。本実施例では、よりsp3結合炭素に富んだカー
ボン保護膜104を形成するため、CVD法を用いた。また、液体潤滑層105は、パー
フルオロポリエーテル等からなる潤滑剤で満たされた容器に磁性層103表面を含浸させ
ることにより形成される。以上の工程により、磁気記録媒体は完成する。
しているかどうかを確認するため赤外分光分析法(FT-IR)により測定した結果を示す図
である。図8によれば、イオンミリング前に波数3500cm-1付近に見られていた有機物のピ
ークが、イオンミリング後には消えていることが確認された。
にSOGをガラス化させたSiO2保護マスクが無い状態でArイオンミリングによるエッチバッ
クを行った磁気記録媒体の磁気異方性定数(Ku)の比較を行った。従来の製造方法による
磁気記録媒体は、SF6ガスにより保護マスクを剥離した状態で磁性体凹部にSOGを埋め込み
、Arイオンミリングで8〜10分間エッチバックしたものである。従来の製造方法によって
形成された磁気記録媒体においては、Kuは5.1×105 (erg/cc) であったが、実施例1およ
び実施例2で作製したディスクリート媒体においては、Kuは2.0×106 (erg/cc) と増加し
た。
た磁気記録媒体とのTEM観測を行った。図9に実施例1の磁気記録媒体のTEMイメージ、図
10に従来の磁気記録媒体のTEMイメージを示す。ここで、磁性層103凸部にSiO2保護
マスクが無い従来の磁気記録媒体においては、図10に示すように磁性層103凸部の内
層部は明瞭な格子像が見られるものの表層部はアモルファス状の像が見られた。一方実施
例1で作製した磁気記録媒体においては、図9に示すように内層部、表層部共に明瞭な格
子像が得られる。すなわち、磁性層103凸部にSiO2保護マスクが無いと長時間のイオン
ミリングによるエッチバックにより、直下の磁性体がダメージを受けて、磁性体がアモル
ファス化してしまうことがわかる。
て、記録再生特性の評価を行ったところ、加工前の媒体から見積もったSNRと同程度の信
号が得られ、イオンミリングを用いた磁性体加工時のダメージが無いことが確認された。
、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー(MSQ)、水素化
シルセスキオキサンポリマー(HSQ)、水素化アルキルシロキサンポリマー(HOSP)から
選ばれる1つの材料を用いることにより、磁性層103のエッチングの際、エッチャント
としてのイオンがSOG102をガラス転移化させることにより、同時にエッチングマスク
となるため、エッチングマスク作成のためのSOGの高温ベークが不要となる。
示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を
実施例に開示されたもののみに特定するものではない。本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができるものである。
102 … SiO2
103 … 磁性層
104 … カーボン保護膜
105 … 液体潤滑層
201 … SOG
Claims (1)
- 磁性層表面に形成された、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー(MSQ)、水素化シルセスキオキサンポリマー(HSQ)、水素化アルキルシロキサンポリマー(HOSP)から選ばれる1つの材料からなるSOG膜をパターニングし、凹凸構造を形成する工程と、
前記SOG膜をさらにエッチングし、前記磁性層表面を露出させる工程と、
イオンビームを200〜1000eVの範囲で加速させて前記露出した前記磁性層表面をイオンミリングによりエッチングすると同時に前記SOG膜をイオンミリングによりエッチングしながらSiO2に変質させる工程と、
前記エッチングされた磁性層表面を含む前記磁性層表面に埋め込み材を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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JP4675812B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2008152903A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録装置 |
JP4510796B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2010-07-28 | 株式会社アルバック | 磁気記憶媒体の製造方法 |
JP5189772B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2013-04-24 | 昭和電工株式会社 | 微細パターン転写材料 |
US20080206602A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Katine Jordan A | Nanoimprinting of topography for patterned magnetic media |
JP4296204B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2009-07-15 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
JP2009037696A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Toshiba Corp | インプリント方法 |
JP4382843B2 (ja) | 2007-09-26 | 2009-12-16 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
WO2009069465A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Showa Denko K.K. | 転写材料用硬化性組成物および該組成物を用いた微細パターン形成方法 |
WO2009096420A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Showa Denko K.K. | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
US20090201722A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Kamesh Giridhar | Method including magnetic domain patterning using plasma ion implantation for mram fabrication |
US20090199768A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Steven Verhaverbeke | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
US8535766B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
US8551578B2 (en) * | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
JP5328263B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-10-30 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
JP5207134B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-06-12 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP5448649B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-03-19 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
US20110089140A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Liubo Hong | Process for fabricating ultra-narrow track width magnetic sensor |
US20120021555A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaic cell texturization |
RU2526236C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ формирования магнитной паттернированной структуры в немагнитной матрице |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269330A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003016621A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
JP2003100609A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Japan Science & Technology Corp | Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー |
JP2003155365A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Toshiba Corp | 加工方法及び成形体 |
JP2004164692A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2004295989A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
Family Cites Families (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3627330A (en) * | 1969-10-30 | 1971-12-14 | Panayotis C Dimitracopoulos | Pregrooved magnetic tracks |
US4337132A (en) * | 1980-11-14 | 1982-06-29 | Rockwell International Corporation | Ion etching process with minimized redeposition |
JPS58118028A (ja) | 1982-01-05 | 1983-07-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直磁気記録用記録媒体 |
US4701374A (en) * | 1984-11-30 | 1987-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
US4647494A (en) * | 1985-10-31 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Silicon/carbon protection of metallic magnetic structures |
JPS62232720A (ja) | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPS62256225A (ja) | 1986-04-30 | 1987-11-07 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク |
US4935278A (en) | 1988-04-28 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk and fabrication process |
US4912585A (en) | 1988-04-28 | 1990-03-27 | International Business Machines Corporation | Discrete track thin film magnetic recording disk with embedded servo information |
JPH02232816A (ja) | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ディスク |
JPH02301018A (ja) | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JP2851325B2 (ja) | 1989-10-27 | 1999-01-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記憶装置 |
JPH041922A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
JP2946636B2 (ja) | 1990-05-21 | 1999-09-06 | ソニー株式会社 | 磁気ディスク装置のトラックアドレスパターン |
JP2874298B2 (ja) | 1990-07-24 | 1999-03-24 | 日本板硝子株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JPH04113515A (ja) | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク |
EP0484774A3 (en) * | 1990-11-09 | 1993-09-29 | Insite Peripherals, Inc. | Very high-density diskette format method and computer-implemented process |
CA2081095A1 (en) | 1991-10-25 | 1993-04-26 | Morimi Hashimoto | Magnetic recording medium and method for examining magnetic recording medium |
US5192697A (en) * | 1992-01-27 | 1993-03-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | SOG curing by ion implantation |
JPH05258291A (ja) | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
JPH0628650A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置 |
JPH0636263A (ja) | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Tdk Corp | 磁気ディスク用基板 |
JP3254743B2 (ja) * | 1992-08-17 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | 位置決め信号の書き込み方法 |
JPH0676278A (ja) | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク |
JPH06139567A (ja) | 1992-10-22 | 1994-05-20 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
ES1024028Y (es) | 1993-03-15 | 1994-04-01 | Nadal Aloy | Dispositivo de estanqueidad para ruedas de radios sin camara. |
JPH0785406A (ja) | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置 |
JP3271406B2 (ja) | 1993-11-30 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその垂直磁気記録媒体への信号記録方法 |
JPH08115519A (ja) | 1994-08-23 | 1996-05-07 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP3576220B2 (ja) | 1994-08-29 | 2004-10-13 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPH08255340A (ja) | 1994-12-07 | 1996-10-01 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
JPH0997419A (ja) | 1995-07-24 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、及び磁気記録装置 |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US5943180A (en) * | 1995-12-26 | 1999-08-24 | Mitsubishi Chemical Company | Information recording medium and recording/reproducing method for utilizing the same |
JPH08241512A (ja) | 1996-02-19 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
US5858474A (en) * | 1996-02-20 | 1999-01-12 | Seagate Technology, Inc. | Method of forming a magnetic media |
JPH09245345A (ja) | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ディスクの製造方法および磁気ディスク |
US5771131A (en) * | 1996-07-18 | 1998-06-23 | Quantum Corporation | Tracking in hard disk drive using magnetoresistive heads |
JPH1098113A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Kobe Steel Ltd | Mosトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
JPH10334460A (ja) | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | 記録媒体および記録装置 |
JPH11161944A (ja) | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Sony Corp | 磁気ディスク及び磁気ディスク装置 |
JPH11161943A (ja) | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Sony Corp | 記録媒体並びに記録及び/又は再生装置 |
KR100248159B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체장치에 있어서 이온주입을 통한 에스오지층형성방법 |
JPH11273059A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
US6426845B1 (en) * | 1998-05-21 | 2002-07-30 | Seagate Technology Llc | Asynchronous analog demodulator and method for a null-type servo pattern |
JPH11348048A (ja) | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Sony Corp | 基板成形用金型 |
US6254966B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-07-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums |
JP2000067538A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Alps Electric Co Ltd | サーボパターンが記録されたディスクおよび前記ディスクから読まれたサーボパターンの演算処理方法 |
US6602620B1 (en) * | 1998-12-28 | 2003-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus, magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
US6168845B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-01-02 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation |
JP3684095B2 (ja) | 1999-01-21 | 2005-08-17 | 帝人株式会社 | 易滑性複合ポリエステルフイルム |
JP4185230B2 (ja) | 1999-02-19 | 2008-11-26 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体 |
US6751035B1 (en) * | 1999-06-08 | 2004-06-15 | Seagate Technology Llc | Method and system for initializing patterned media |
US6689495B1 (en) * | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
US6331364B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media containing chemically-ordered FePt of CoPt |
JP2001273682A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 記録型ディスク及びその製造方法 |
CN1306481C (zh) * | 2000-03-31 | 2007-03-21 | 松下电器产业株式会社 | 磁记录媒体的制造方法 |
JP3757098B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2006-03-22 | 富士通株式会社 | ディスク装置及びディスク媒体 |
US6627254B1 (en) * | 2000-09-20 | 2003-09-30 | Seagate Technology Llc | Method of manufacturing a recording media with mechanically patterned landing zone |
US6641935B1 (en) * | 2000-11-20 | 2003-11-04 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with soft magnetic superlattice underlayer |
US6753043B1 (en) * | 2000-12-07 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Patterning of high coercivity magnetic media by ion implantation |
SG116437A1 (en) | 2000-12-22 | 2005-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | Information recording medium, information recording and reproducing method and manufacturing method of information recording medium. |
JP2002288813A (ja) | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2002319119A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体用基板、該基板を用いた垂直磁気記録媒体、およびそれらの製造方法 |
US6777113B2 (en) * | 2001-08-14 | 2004-08-17 | Seagate Technology Llc | Multilayer films for optimized soft underlayer magnetic properties of dual layer perpendicular recording media |
US6753130B1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Resist removal from patterned recording media |
JP2003109213A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
US6875492B1 (en) * | 2001-11-15 | 2005-04-05 | Maxtor Corporation | Carbon overcoat for magnetic recording medium |
EP1527365A2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-05-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical scanning device |
US7226674B2 (en) | 2003-02-07 | 2007-06-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic recording apparatus |
JP2004259306A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2004288250A (ja) | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 磁気転写用マスタディスク及びその製造方法 |
JP4209231B2 (ja) | 2003-03-26 | 2009-01-14 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
US7175925B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording media with improved crystallographic orientations and method of manufacturing same |
JP2005008909A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
JP2005011459A (ja) | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ディスク媒体の磁化方法および磁化方法に用いられる選択磁化用媒体 |
JP4190371B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-12-03 | Tdk株式会社 | 凹凸パターン形成用スタンパー、凹凸パターン形成方法および磁気記録媒体 |
JP4218886B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2009-02-04 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP2005190517A (ja) | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
JP4593128B2 (ja) | 2004-02-26 | 2010-12-08 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
JP4601980B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-12-22 | Tdk株式会社 | 情報記録媒体 |
JP4074262B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記録再生装置 |
JP4031456B2 (ja) | 2004-03-31 | 2008-01-09 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体および磁気記憶媒体製造方法 |
JP4427392B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-03-03 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録再生装置 |
JP2006031847A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 磁気ディスク媒体及び磁気ディスク装置 |
JP2006031855A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 磁気ディスクおよびこれを備えた磁気ディスク装置 |
JP4358067B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP4460987B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 電子線描画方法および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2006179128A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体を製造するためのスタンパ |
US7292402B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Systems and methods for multipass servowriting with a null burst pattern |
JP4649262B2 (ja) | 2005-04-19 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP4469774B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP4676897B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-04-27 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-19 JP JP2005121695A patent/JP4649262B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-19 US US11/406,502 patent/US7662264B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269330A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003016621A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
JP2003100609A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Japan Science & Technology Corp | Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー |
JP2003155365A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Toshiba Corp | 加工方法及び成形体 |
JP2004164692A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2004295989A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006302396A (ja) | 2006-11-02 |
US7662264B2 (en) | 2010-02-16 |
US20060280861A1 (en) | 2006-12-14 |
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---|---|---|
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