JPH0676278A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH0676278A JPH0676278A JP23031192A JP23031192A JPH0676278A JP H0676278 A JPH0676278 A JP H0676278A JP 23031192 A JP23031192 A JP 23031192A JP 23031192 A JP23031192 A JP 23031192A JP H0676278 A JPH0676278 A JP H0676278A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic disk
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドとの低粘着性，浮上安定性並びに
磁気異方性を確保した磁気ディスクを提供すること。 【構成】 磁気ディスク基板１０は、所定間隔毎に同心
円状に設けた活性化したＵＶ処理処理領域９と該活性化
処理領域外の非活性化領域を持ち、該活性化処理領域９
及び非活性化領域に下地膜２及び磁性膜３が成膜されて
いる。この磁気ディスクは、下地膜２及び磁性膜３を成
膜する際に前記活性化したＵＶ処理領域９の下地膜２等
の結晶成長が優れて表面の凸凹が小さくなり、非活性化
処理領の膜の結晶成長が不均一になって表面の凸凹が大
きくなることによって、磁気ヘッドとの低粘着性，浮上
安定性並びに磁気異方性を確保することができる。
磁気異方性を確保した磁気ディスクを提供すること。 【構成】 磁気ディスク基板１０は、所定間隔毎に同心
円状に設けた活性化したＵＶ処理処理領域９と該活性化
処理領域外の非活性化領域を持ち、該活性化処理領域９
及び非活性化領域に下地膜２及び磁性膜３が成膜されて
いる。この磁気ディスクは、下地膜２及び磁性膜３を成
膜する際に前記活性化したＵＶ処理領域９の下地膜２等
の結晶成長が優れて表面の凸凹が小さくなり、非活性化
処理領の膜の結晶成長が不均一になって表面の凸凹が大
きくなることによって、磁気ヘッドとの低粘着性，浮上
安定性並びに磁気異方性を確保することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置の記
録媒体として適用される磁気ディスクに係り、特に磁気
ヘッドとの摺動特性及び粘着特性を向上した磁気ディス
クに関する。
録媒体として適用される磁気ディスクに係り、特に磁気
ヘッドとの摺動特性及び粘着特性を向上した磁気ディス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気ディスク装置は、その記憶容
量の増大化の要求に伴って磁気ディスク上に空気粘性流
によって浮上させる磁気ヘッドの浮上量低下が望まれて
いる。この様な装置に使用さる磁気ディスクは、その表
面粗さについて相反する要求がなされている。即ち、磁
気ディスクは、磁気ヘッドと磁気ディスクとが接触する
所謂ヘッドクラッシュを防止する浮上安定性を確保する
ため、特開平３−２４５３２２号公報記載の如くディス
ク表面粗さを少なくする必要がある一方、特開平３−８
３２２３号公報記載の様に装置停止時における磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの粘着を防止するため及び米国特許
第４８９４１３３号公報記載の如く磁気異方性を付与す
るため、ディスク表面に同心円状の微小な凸凹を設ける
所謂テクチャ加工と呼ばれる面荒し加工が必要であると
言う相反する特性が要求されている。尚、磁気異方性と
は、磁気ディスク上における円周方向と半径方向の磁気
特性の比のことであり、磁気的な方向性のことをいう。
量の増大化の要求に伴って磁気ディスク上に空気粘性流
によって浮上させる磁気ヘッドの浮上量低下が望まれて
いる。この様な装置に使用さる磁気ディスクは、その表
面粗さについて相反する要求がなされている。即ち、磁
気ディスクは、磁気ヘッドと磁気ディスクとが接触する
所謂ヘッドクラッシュを防止する浮上安定性を確保する
ため、特開平３−２４５３２２号公報記載の如くディス
ク表面粗さを少なくする必要がある一方、特開平３−８
３２２３号公報記載の様に装置停止時における磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの粘着を防止するため及び米国特許
第４８９４１３３号公報記載の如く磁気異方性を付与す
るため、ディスク表面に同心円状の微小な凸凹を設ける
所謂テクチャ加工と呼ばれる面荒し加工が必要であると
言う相反する特性が要求されている。尚、磁気異方性と
は、磁気ディスク上における円周方向と半径方向の磁気
特性の比のことであり、磁気的な方向性のことをいう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の如く従来技術に
よる磁気ディスクは、その表面粗さについて浮上特性確
保用に表面粗さを少なくすると共に、粘着防止及び磁気
異方性確保用に表面粗さを多くすると言う相反する特性
を満足することが困難であると言う不具合があった。特
に磁気ディスク表面に同心円状の微小な凸凹を設ける所
謂テクスチャ加工においては、機械加工による精度保持
が困難なためエッチング技術によってテクスチャを形成
した場合、磁気ディスクの磁気異方性を付与することが
できないと言う不具合もあった。
よる磁気ディスクは、その表面粗さについて浮上特性確
保用に表面粗さを少なくすると共に、粘着防止及び磁気
異方性確保用に表面粗さを多くすると言う相反する特性
を満足することが困難であると言う不具合があった。特
に磁気ディスク表面に同心円状の微小な凸凹を設ける所
謂テクスチャ加工においては、機械加工による精度保持
が困難なためエッチング技術によってテクスチャを形成
した場合、磁気ディスクの磁気異方性を付与することが
できないと言う不具合もあった。
【０００４】本発明の目的は、前述の従来技術による不
具合を除去することであり、磁気ヘッドとの低粘着性，
浮上安定性並びに磁気異方性を確保した磁気ディスクを
提供することである。
具合を除去することであり、磁気ヘッドとの低粘着性，
浮上安定性並びに磁気異方性を確保した磁気ディスクを
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、磁気ディスク基板上に下地膜及び磁性膜を成
膜した磁気ディスクにおいて、前記磁気ディスク基板が
所定間隔毎に同心円状に設けた複数の活性化処理領域と
該活性化処理領域外の非活性化領域を持ち、該活性化処
理領域及び非活性化領域に下地膜及び磁性膜が成膜され
ていることを特徴とする。
本発明は、磁気ディスク基板上に下地膜及び磁性膜を成
膜した磁気ディスクにおいて、前記磁気ディスク基板が
所定間隔毎に同心円状に設けた複数の活性化処理領域と
該活性化処理領域外の非活性化領域を持ち、該活性化処
理領域及び非活性化領域に下地膜及び磁性膜が成膜され
ていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】前記特徴による磁気ディスクは、下地膜及び磁
性膜を成膜する際に前記活性化した同心円状の領域の膜
の結晶成長が優れて表面の凸凹が小さくなり、非活性化
処理領の膜の結晶成長が不均一になって表面の凸凹が大
きくなることによって、磁気ヘッドとの低粘着性，浮上
安定性並びに磁気異方性を確保することができる。
性膜を成膜する際に前記活性化した同心円状の領域の膜
の結晶成長が優れて表面の凸凹が小さくなり、非活性化
処理領の膜の結晶成長が不均一になって表面の凸凹が大
きくなることによって、磁気ヘッドとの低粘着性，浮上
安定性並びに磁気異方性を確保することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明による磁気ディスクの一実施例
を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施例に
よる磁気ディスクを説明するための図であり、（ａ）は
平面図（ｂ）は部分断面図であり、図２は本磁気ディス
クの製造方法を説明するための図である。まず本実施例
による磁気ディスクは、図１（ａ）に示す如く非結晶の
ガラス材料から成る磁気ディスク基板１０表面に同心円
状にＵＶ（紫外線）処理を行なって活性化したＵＶ処理
領域９を約３μｍ間隔で設け、この磁気ディスク基板１
０上に図１（ｂ）に示す如く約１００ｎｍの厚さのＣｒ
下地膜２を設け、更にＣｏ−Ｃｒ系合金から成り磁気デ
ータを記録する磁性膜３と、該磁性膜３を保護するため
のカーボン材料の保護膜４を成膜形成している。
を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施例に
よる磁気ディスクを説明するための図であり、（ａ）は
平面図（ｂ）は部分断面図であり、図２は本磁気ディス
クの製造方法を説明するための図である。まず本実施例
による磁気ディスクは、図１（ａ）に示す如く非結晶の
ガラス材料から成る磁気ディスク基板１０表面に同心円
状にＵＶ（紫外線）処理を行なって活性化したＵＶ処理
領域９を約３μｍ間隔で設け、この磁気ディスク基板１
０上に図１（ｂ）に示す如く約１００ｎｍの厚さのＣｒ
下地膜２を設け、更にＣｏ−Ｃｒ系合金から成り磁気デ
ータを記録する磁性膜３と、該磁性膜３を保護するため
のカーボン材料の保護膜４を成膜形成している。
【０００８】前記磁気ディスク基板１０表面に同心円状
にＵＶ処理領域９を施す処理は、図２（ａ）断面図及び
（ｂ）平面図に示す如く磁気ディスク基板１０を回転駆
動する複数のクランプローラ２０にて保持し、且つ２μ
ｍ径のＵＶ透過穴７を円板半径方向に３μｍピッチで開
口したＵＶコントロール円板７０を前記磁気ディスク基
板１０に対向させて状態で、ＵＶランプ８からのＵＶ光
を前記ＵＶコントロール円板７０のＵＶ透過穴７を介し
て磁気ディスク基板１０に照射することによって実現し
た。この場合のクランプローラ２０による磁気ディスク
基板１０の回転速度は１００ｒｐｍ，ＵＶランプ８の光
量は低圧水銀灯により約２５０ｎｍ波長が好適である。
にＵＶ処理領域９を施す処理は、図２（ａ）断面図及び
（ｂ）平面図に示す如く磁気ディスク基板１０を回転駆
動する複数のクランプローラ２０にて保持し、且つ２μ
ｍ径のＵＶ透過穴７を円板半径方向に３μｍピッチで開
口したＵＶコントロール円板７０を前記磁気ディスク基
板１０に対向させて状態で、ＵＶランプ８からのＵＶ光
を前記ＵＶコントロール円板７０のＵＶ透過穴７を介し
て磁気ディスク基板１０に照射することによって実現し
た。この場合のクランプローラ２０による磁気ディスク
基板１０の回転速度は１００ｒｐｍ，ＵＶランプ８の光
量は低圧水銀灯により約２５０ｎｍ波長が好適である。
【０００９】前記磁気ディスク基板１０表面上の同心円
状のＵＶ処理領域９とＵＶ処理されていない領域（非Ｕ
Ｖ処理領域）を比較すると、非ＵＶ処理領域は酸化膜や
水分の吸着による汚染膜で覆われて基板の吸着性／ぬれ
性等の表面エネルギーが低下した状態（非活性化状態）
であり、これに対してＵＶ処理領域９はＵＶ処理によっ
て前記汚染膜を破壊した状態になるために表面エネルギ
ーが比較的高い状態（活性化状態）である。即ち本実施
例による磁気ディスク基板１０は、活性化した表面エネ
ルギーが高い処と非活性化状態の表面エネルギーが低い
処が交互に同心円状に設けられている。
状のＵＶ処理領域９とＵＶ処理されていない領域（非Ｕ
Ｖ処理領域）を比較すると、非ＵＶ処理領域は酸化膜や
水分の吸着による汚染膜で覆われて基板の吸着性／ぬれ
性等の表面エネルギーが低下した状態（非活性化状態）
であり、これに対してＵＶ処理領域９はＵＶ処理によっ
て前記汚染膜を破壊した状態になるために表面エネルギ
ーが比較的高い状態（活性化状態）である。即ち本実施
例による磁気ディスク基板１０は、活性化した表面エネ
ルギーが高い処と非活性化状態の表面エネルギーが低い
処が交互に同心円状に設けられている。
【００１０】この状態の磁気ディスク基板１０にスパッ
タ法を用いて下地膜２及び磁性膜３を成膜形成すると、
表面エネルギーが高いＵＶ処理領域９の膜２及び３はコ
ロムナー構造（円柱構造）の結晶成長が優れて表面のグ
レインの凸凹が小さくなり、非ＵＶ処理領域の膜２及び
３はコロムナー構造の結晶成長が不均一になって表面の
グレインの凸凹が大きくなる。この下地膜２及び磁性膜
３に更にカーボン保護膜４を設けた状態の磁気ディスク
は、平面から見ると図３（ａ）の様にＵＶ処理面領域の
コロムナーが大きく且つ非ＵＶ処理面領域のコロムナー
構造が小さいことが観察され、また断面を見ると図３
（ｂ）に示す様にＵＶ処理面領域のコロムナー構造が高
く且つ大きく成長して表面のグレインの凸凹が小さく、
非ＵＶ処理面領域のコロムナー構造の成長が小さくなる
ことが観察された。従って本磁気ディスクは、ＵＶ処理
された領域と非領域に成膜される下地膜２及び磁性膜３
の成長が、あたかも同心円状の微小な凸凹を設けた所謂
テクチャ加工された様にされるため、磁気ヘッドとの接
触面積を減少して磁気ヘッドとの粘着を防止すると共
に、ＵＶ処理された領域表面のグレインの凸凹が小さく
なるため磁気ヘッドとの摺動特性がよく浮上安定性を確
保することができる。尚、前記下地膜２及び磁性膜３の
スパッタ法による膜成条件は、例えばマグネトロン型の
スパッタ装置を用いて基板加熱温度２００度，成膜圧力
１０ｍＴｏｒｒ，成長レート１.０ｎｍ／ｓの成膜条件
が好適である。
タ法を用いて下地膜２及び磁性膜３を成膜形成すると、
表面エネルギーが高いＵＶ処理領域９の膜２及び３はコ
ロムナー構造（円柱構造）の結晶成長が優れて表面のグ
レインの凸凹が小さくなり、非ＵＶ処理領域の膜２及び
３はコロムナー構造の結晶成長が不均一になって表面の
グレインの凸凹が大きくなる。この下地膜２及び磁性膜
３に更にカーボン保護膜４を設けた状態の磁気ディスク
は、平面から見ると図３（ａ）の様にＵＶ処理面領域の
コロムナーが大きく且つ非ＵＶ処理面領域のコロムナー
構造が小さいことが観察され、また断面を見ると図３
（ｂ）に示す様にＵＶ処理面領域のコロムナー構造が高
く且つ大きく成長して表面のグレインの凸凹が小さく、
非ＵＶ処理面領域のコロムナー構造の成長が小さくなる
ことが観察された。従って本磁気ディスクは、ＵＶ処理
された領域と非領域に成膜される下地膜２及び磁性膜３
の成長が、あたかも同心円状の微小な凸凹を設けた所謂
テクチャ加工された様にされるため、磁気ヘッドとの接
触面積を減少して磁気ヘッドとの粘着を防止すると共
に、ＵＶ処理された領域表面のグレインの凸凹が小さく
なるため磁気ヘッドとの摺動特性がよく浮上安定性を確
保することができる。尚、前記下地膜２及び磁性膜３の
スパッタ法による膜成条件は、例えばマグネトロン型の
スパッタ装置を用いて基板加熱温度２００度，成膜圧力
１０ｍＴｏｒｒ，成長レート１.０ｎｍ／ｓの成膜条件
が好適である。
【００１１】前記ＵＶ処理時間変化させた磁気ディスク
と磁気ヘッドとのＣＳＳ（コンタクト・スタート・スト
ップ）の際の摩擦力の変化を実験した結果、図５及び下
記[表１]に示す如くＵＶ処理を行なわないものの場合は
１３.５ｇｆ〜１６ｇｆであるのに対し、５分間以上Ｕ
Ｖ処理を行なったものの場合は３.５ｇｆ〜４.５ｇｆと
摩擦力が減少することが実証された。本摩擦力は、ＵＶ
処理時間のみならずＵＶ処理のピッチ幅，ＵＶ波長及び
光量等の膜成条件によっても変化することが考えられ
る。従って本磁気ディスクは、前記コロムナー構造の成
長の差によってテクチャ加工を施して磁気ヘッドとの低
粘着性を確保することができる。
と磁気ヘッドとのＣＳＳ（コンタクト・スタート・スト
ップ）の際の摩擦力の変化を実験した結果、図５及び下
記[表１]に示す如くＵＶ処理を行なわないものの場合は
１３.５ｇｆ〜１６ｇｆであるのに対し、５分間以上Ｕ
Ｖ処理を行なったものの場合は３.５ｇｆ〜４.５ｇｆと
摩擦力が減少することが実証された。本摩擦力は、ＵＶ
処理時間のみならずＵＶ処理のピッチ幅，ＵＶ波長及び
光量等の膜成条件によっても変化することが考えられ
る。従って本磁気ディスクは、前記コロムナー構造の成
長の差によってテクチャ加工を施して磁気ヘッドとの低
粘着性を確保することができる。
【００１２】
【表１】
【００１３】また、この様な磁気ディスクは、前述のス
パッタ法による下地膜２及び磁性膜３を形成した際、前
記ＵＶ処理領域９と非ＵＶ処理領域間の境界において円
周方向に方向性をもった結晶成長が行なわれることによ
って磁気異方性も保つことができる。この磁気異方性の
特性は、図４（ａ）に示す如く保磁力比Ｈｃ（θ）／Ｈ
ｃ（Ｒ）は、非ＵＶ処理部分ではほとんどないのに対し
ＵＶ処理部分では１.５以上と高く、同様に図４（ｂ）
に示す如く角型比Ｓ*（θ）／Ｓ*（Ｒ）は、非ＵＶ処理
部分ではほとんどないのに対しＵＶ処理部分では１.３
程度と高くなり、明らかに円周方向の磁気特性が優れた
磁気異方性が保たれていることが判る。前記磁気ディス
ク基板１０の材質はガラス基板を用いたものであるが、
他の基板、例えばＮｉ−Ｐめっき基板，セラミックス基
板，シリコン基板，カーボン基板の材質を用いて前記同
様に製造した磁気ディスクの磁気異方性を実験した結
果、下記[表２]に示す如く基板材料によって程度の差は
あるものの保磁力比Ｈｃ（θ）／Ｈｃ（Ｒ）は、ＵＶ処
理部分では１.１〜１.４程度と高く、角型比Ｓ*（θ）
／Ｓ*（Ｒ）は、非ＵＶ処理部分ではほとんどないのに
対しＵＶ処理部分では１.１〜１.２程度と高くなること
が判明した。
パッタ法による下地膜２及び磁性膜３を形成した際、前
記ＵＶ処理領域９と非ＵＶ処理領域間の境界において円
周方向に方向性をもった結晶成長が行なわれることによ
って磁気異方性も保つことができる。この磁気異方性の
特性は、図４（ａ）に示す如く保磁力比Ｈｃ（θ）／Ｈ
ｃ（Ｒ）は、非ＵＶ処理部分ではほとんどないのに対し
ＵＶ処理部分では１.５以上と高く、同様に図４（ｂ）
に示す如く角型比Ｓ*（θ）／Ｓ*（Ｒ）は、非ＵＶ処理
部分ではほとんどないのに対しＵＶ処理部分では１.３
程度と高くなり、明らかに円周方向の磁気特性が優れた
磁気異方性が保たれていることが判る。前記磁気ディス
ク基板１０の材質はガラス基板を用いたものであるが、
他の基板、例えばＮｉ−Ｐめっき基板，セラミックス基
板，シリコン基板，カーボン基板の材質を用いて前記同
様に製造した磁気ディスクの磁気異方性を実験した結
果、下記[表２]に示す如く基板材料によって程度の差は
あるものの保磁力比Ｈｃ（θ）／Ｈｃ（Ｒ）は、ＵＶ処
理部分では１.１〜１.４程度と高く、角型比Ｓ*（θ）
／Ｓ*（Ｒ）は、非ＵＶ処理部分ではほとんどないのに
対しＵＶ処理部分では１.１〜１.２程度と高くなること
が判明した。
【００１４】
【表２】
【００１５】前述の様に本実施例による磁気ディスク
は、磁気ディスク基板面に同心円状にＵＶ処理を行なっ
たＵＶ処理領域を設け、この磁気ディスク基板上に下地
膜乃至保護膜を形成することによって、磁気ヘッドとの
粘着性／浮上安定性に加えて磁気異方性を確保すること
ができる。また前記ＵＶ処理条件，下地膜乃至保護膜の
成膜条件並びに基板等の材質を変化させることによって
所望の低粘着性，浮上安定性，磁気異方性を確保した磁
気ディスクを得ることができる。
は、磁気ディスク基板面に同心円状にＵＶ処理を行なっ
たＵＶ処理領域を設け、この磁気ディスク基板上に下地
膜乃至保護膜を形成することによって、磁気ヘッドとの
粘着性／浮上安定性に加えて磁気異方性を確保すること
ができる。また前記ＵＶ処理条件，下地膜乃至保護膜の
成膜条件並びに基板等の材質を変化させることによって
所望の低粘着性，浮上安定性，磁気異方性を確保した磁
気ディスクを得ることができる。
【００１６】また前記実施例においては磁気ディスク基
板上に活性化した複数の処理領域所を定間隔毎に同心円
状に設ける工程としてＵＶ処理を行なう例を示したが、
本発明はこれに限られるものではなく例えばレーザ，電
子線並びにオゾン等によって基板上を活性化しても良
く、更に表面に保護膜を成膜した磁気ディスクのみでな
くとも、例えば保護膜の代りに潤滑剤を塗布した磁気デ
ィスク等にも適用することができる。
板上に活性化した複数の処理領域所を定間隔毎に同心円
状に設ける工程としてＵＶ処理を行なう例を示したが、
本発明はこれに限られるものではなく例えばレーザ，電
子線並びにオゾン等によって基板上を活性化しても良
く、更に表面に保護膜を成膜した磁気ディスクのみでな
くとも、例えば保護膜の代りに潤滑剤を塗布した磁気デ
ィスク等にも適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明による磁気ディス
クは、磁気ディスク基板が所定間隔毎に同心円状に設け
た複数の活性化処理領域と該活性化処理領域外の非活性
化領域を持ち、下地膜及び磁性膜を成膜する際に前記活
性化した同心円状の領域の膜の結晶成長が優れて表面の
凸凹が小さくなり、非活性化処理領の膜の結晶成長が不
均一になって表面の凸凹が大きくなることによって、磁
気ヘッドとの低粘着性，浮上安定性並びに磁気異方性を
確保することができる。
クは、磁気ディスク基板が所定間隔毎に同心円状に設け
た複数の活性化処理領域と該活性化処理領域外の非活性
化領域を持ち、下地膜及び磁性膜を成膜する際に前記活
性化した同心円状の領域の膜の結晶成長が優れて表面の
凸凹が小さくなり、非活性化処理領の膜の結晶成長が不
均一になって表面の凸凹が大きくなることによって、磁
気ヘッドとの低粘着性，浮上安定性並びに磁気異方性を
確保することができる。
【図１】本発明による磁気ディスクの構造を説明するた
めの図。
めの図。
【図２】本発明による磁気ディスクの製造工程を説明す
るための図。
るための図。
【図３】本実施例による磁気ディスク表面状態を示す
図。
図。
【図４】本実施例による磁気ディスクの磁気異方性を示
す図。
す図。
【図５】本実施例による磁気ディスクのＣＳＳ時におけ
る摩擦力を示す図。
る摩擦力を示す図。
２：下地膜，３：磁性膜，４：カーボン保護膜，９：Ｕ
Ｖ処理領域，１０：磁気ディスク基板，７：ＵＶ透過
穴，７０：ＵＶコントロール円板，８：ＵＶランプ，２
０：クランプローラ。
Ｖ処理領域，１０：磁気ディスク基板，７：ＵＶ透過
穴，７０：ＵＶコントロール円板，８：ＵＶランプ，２
０：クランプローラ。
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気ディスク基板上に下地膜及び磁性膜
を成膜した磁気ディスクにおいて、前記磁気ディスク基
板が所定間隔毎に同心円状に設けた複数の活性化処理領
域と該活性化処理領域外の非活性化領域を持ち、該活性
化処理領域及び非活性化領域に保護膜及び磁性膜が成膜
されていることを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23031192A JPH0676278A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23031192A JPH0676278A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676278A true JPH0676278A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16905849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23031192A Pending JPH0676278A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676278A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580223B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording media, substrate for magnetic recording media, and magnetic recording apparatus |
| US7635529B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-12-22 | Showa Denko K.K. | Substrate for magnetic recording media, magnetic recording media and magnetic recording apparatus |
| US7662264B2 (en) | 2005-04-19 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing magnetic recording medium |
| US7898768B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Patterned medium with magnetic pattern depth relationship |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23031192A patent/JPH0676278A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662264B2 (en) | 2005-04-19 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing magnetic recording medium |
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