JP4594811B2 - 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体および磁気記録装置 - Google Patents
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Description
(a)凹部表面は凸部表面よりも表面エネルギーが小さい、
(b)凹部表面は熱分解性もしくは熱変形性の物質で修飾されている、
(d)凹部表面は凸部表面よりも結晶配向が乱れている、
(e)凹部表面は磁性体と反応するかもしくは磁性体中に拡散する物質で修飾されている、および
(f)凹部表面は溶媒に対して可溶性もしくは変形性の物質で修飾されている、
のうち少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする。
低表面エネルギーの表面修飾層を用いた例について説明する。図1に本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体用基板(以下、HDD基板という)の断面図を示す。ガラス基板11の表面には、記録トラックに対応する円周状の凸部と記録トラック間の溝に対応する円周状の凹部のパターンが形成されている。凹部の表面にはフッ素を含む表面修飾層13が形成されている。
フッ素原子を有する表面処理剤で処理しないことを除いては実施例1と同様にしてHDD基板を作製し、その上に実施例1と同様な方法によりDTR媒体を作製した。得られたDTR媒体を断面TEMにより観察したところ、凹部と凸部で磁性結晶格子の配向に変化は見られなかった。
熱分解性物質であり、かつ溶媒に対して可溶な表面修飾層を用いた例について説明する。直径1インチのガラス基板上にポリメチルメタクリレート(PMMA)膜を80nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、頂上の幅50nm、高さ50nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。Ni金型をPMMA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、基板をArイオンミリングにより、PMMA膜の凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPMMA膜は残しておく。次に、熱分解性のポリエチレングリコールの水溶液をスピンコートした。次に、有機溶剤リフトオフによりPMMA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ150nm、頂上の幅90nm、高さ40nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
分解性物質を成膜しないことを除いては実施例2と同様にしてHDD基板を作製し、その上に実施例2と同様の方法によりDTR媒体を作製した。得られたDTR媒体を断面TEMにより観察したところ、凹部と凸部で磁性結晶格子の配向に変化は見られなかった。
熱変形物質で、かつ溶媒に対して可溶な表面修飾層を用いた例について説明する。直径1.8インチのガラス基板上にポリメチルメタクリレート(PMMA)膜を50nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、頂上の幅50nm、高さ20nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。Ni金型をPMMA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPMMA膜は残しておく。次に、熱変形性のポリビニルアルコールの水溶液をスピンコートした。次に、溶剤リフトオフによりPMMA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板は、ピッチ150nm、頂上の幅90nm、高さ10nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
熱変形性物質で、かつ溶媒に対して可溶な表面修飾層を用いた例について説明する。直径1.8インチのガラス基板上にポリビニルアルコール(PVA)膜を120nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、頂上の幅40nm、高さ70nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPVA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPVA膜は残しておく。次に、熱変形性のポリイソブチルメタクリレートのトルエン溶液をスピンコートした。次に水でのリフトオフによりPVA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ150nm、頂上の幅95nm、高さ60nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
熱分解性物質で、かつ溶媒に対して可溶な表面修飾層を用いた例について説明する。直径1.8インチのガラス基板上にポリビニルアルコール(PVA)膜を90nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ100nm、頂上の幅35nm、高さ40nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPVA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPVA膜は残しておく。次に、熱分解性のポリ(テトラメチレングリコール)の酢酸エチル溶液をスピンコートした。次に、水でのリフトオフによりPVA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ100nm、頂上の幅55nm、高さ25nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
凹部表面の方が凸部表面よりも表面粗さを小さくした例について説明する。直径1.8インチのガラス基板を微粒子研磨してRa2nmの凹凸を形成した。次にポリスチレン(PSt)膜を100nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、幅50nm、高さ60nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPSt膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、ArイオンミリングでPSt膜と凹部の下地ガラス面をエッチングした。さらにフッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。これにより凹部の下地ガラス面の凹凸のRaは0.5nmになった。次に、酸素アッシャーでPSt層を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ150nm、頂上の幅90nm、高さ45nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
凹部表面の方が凸部表面よりも結晶配向が乱れている例について説明する。直径1インチのSiディスク基板上にポリメチルメタクリレート(PMMA)膜を80nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ100nm、頂上の幅35nm、高さ30nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPMMA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地Siディスク面をエッチングして、凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPMMA膜は残しておく。次に、有機溶剤によりPMMA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。凹部のSi結晶表面はArイオンの照射により結晶配向が凸部よりも乱れていることが断面TEMの観察によりわかった。この基板はピッチ100nm、頂上の幅60nm、高さ15nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
凹部表面に磁性体に対して反応性のある物質で、かつ溶媒に対して可溶な表面修飾層を用いた例について説明する。直径1.8インチのSi/SiO2基板上にポリビニルアルコール(PVA)膜を100nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、頂上の幅50nm、高さ15nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPVA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPVA膜は残しておく。次に、磁性体と反応する塩素原子を有するポリ塩化ビニルのトルエン溶液をスピンコートした。次に、水でのリフトオフによりPVA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ150nm、頂上の幅95nm、高さ10nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
凹部表面に磁性体に対して拡散性のある物質からなる表面修飾層を用いた例について説明する。直径1.8インチのガラス基板上にポリビニルアルコール(PVA)膜を100nmの厚さでスピンコートした。一方、電子線リソグラフィー、メッキにより作製したピッチ150nm、頂上の幅50nm、高さ50nmの円周状凸部およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凸部を持つNi金型を用意した。このNi金型をPVA膜に押しつけ、凹凸パターンを転写した。Ni金型を剥離した後、Arイオンミリングで凹部の下地ガラス面が出るまでエッチングした。さらに、フッ素系ガスのRIEにより凹凸パターンをガラス基板に転写した。この段階で、凸部のPVA膜は残しておく。次に、磁性体中に拡散するCuをスパッタで成膜した。次に、水でのリフトオフによりPVA膜を除去することにより、目的とするHDD基板を作製した。この基板はピッチ150nm、頂上の幅90nm、高さ40nmの円周状凸部、およびアドレス信号、サーボ信号に対応した凹凸パターンを有していた。
図4に本発明の他の実施形態に係るHDD基板の断面図を示す。ガラス基板21上には軟磁性下地層22が形成され、その上に形成されたPdからなる配向制御膜23によって記録トラックに対応する円周状の凸部が形成され、配向制御膜23のない部分が記録トラック間の溝に対応する円周状の凹部のパターンとなっている。
Claims (6)
- 表面に記録トラックに対応する円周状の凸部と記録トラック間の溝に対応する円周状の凹部を有し、下記(a)、(b)、(d)、(e)、および(f)の条件:
(a)凹部表面は凸部表面よりも表面エネルギーが小さい、
(b)凹部表面は熱分解性もしくは熱変形性の物質で修飾されている、
(d)凹部表面は凸部表面よりも結晶配向が乱れている、
(e)凹部表面は磁性体と反応するかもしくは磁性体中に拡散する物質で修飾されている、および
(f)凹部表面は溶媒に対して可溶性もしくは変形性の物質で修飾されている、
のうち少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする磁気記録媒体用基板。 - 凹部表面がフッ素を含有する物質で修飾されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用基板。
- 凸部と凹部との高さの差が10nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体用基板。
- ガラスまたはシリコンで形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用基板。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用基板上にグラニュラー型の磁性層が形成され、凹部の磁性層の方が凸部の磁性層よりも磁性結晶格子の配向が乱れていることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項5に記載の磁気記録媒体を具備したことを特徴とする磁気記録装置。
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