JP2009169993A - パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、軟磁性層、エッチングストップ層、シード層、中間層、ハードマスク層、およびレジストを順次形成する工程、上記レジストをパターニングして、レジストパターンを得る工程、上記レジストパターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングし、パターン状ハードマスク層を得る工程、上記レジストパターンを剥離する工程、上記パターン状ハードマスク層をマスクとして上記中間層をエッチングし、パターン状中間層を得る工程、上記パターン状ハードマスク層を剥離する工程、および磁気記録層を形成する工程であって、上記パターン状中間層上に垂直配向部を形成するとともに上記シード層上にランダム配向部を形成する工程、を含む。
【選択図】図1
Description
基板上に、軟磁性層、エッチングストップ層、シード層、中間層、ハードマスク層、およびレジストを順次形成する工程(以下、単に「第1工程」と称する場合がある)、
上記レジストをパターニングして、レジストパターンを得る工程(以下、単に「第2工程」と称する場合がある)、
上記レジストパターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングして、パターン状ハードマスク層を得る工程(以下、単に「第3工程」と称する場合がある)、
上記レジストパターンを剥離する工程(以下、単に「第4工程」と称する場合がある)、
上記パターン状ハードマスク層をマスクとして上記中間層をエッチングし、パターン状中間層を得る工程(以下、単に「第5工程」と称する場合がある)、
上記パターン状ハードマスク層を剥離する工程(以下、単に「第6工程」と称する場合がある)、および
磁気記録層を形成する工程であって、上記パターン状中間層上に垂直配向部を形成するとともに上記シード層上にランダム配向部を形成する工程(以下、単に「第7工程」と称する場合がある)
を含む。
第1工程は、図1(a)に示すように、基板12上に、軟磁性層14、エッチングストップ層16、シード層18、中間層20、ハードマスク層22、およびレジスト24を順次形成する工程である。
基板12は、通常の磁気記録媒体の基板として用いられる材料を使用することができる。例えば、アルミニウム、ガラス、およびシリコンのいずれかを含むものとすることができる。アルミニウムを含む材料としては、NiPメッキを施したAl合金を用いることができる。また、ガラス材料としては、強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。さらに、シリコンを含む材料としては、シリコン基板およびシリコンカーバイド基板を用いることができる。基板12の膜厚は、基板の大きさに応じて調整され、0.3〜1.3mmの範囲とすることが好ましい。
軟磁性層14は、記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを抑制し、垂直方向の磁界を十分に確保する役割を担う層である。軟磁性層14の材料としては、Ni合金、Fe合金、およびCo合金を用いることができる。例えば、非晶質のCoZrNb、CoTaZr、CoTaZrNb、CoFeNb、CoFeZrNb、およびCoFeTaZrNbなどを用いることにより、良好な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性層14の膜厚は、記録の際に使用する磁気ヘッドの構造を考慮するとともに生産性を考慮して、5nm〜100nmの範囲とすることが好ましい。当該膜厚を5nm以上とすることで、磁束の広がりを抑える効果を有することができる。また、当該膜厚を100nm以下とすることで、優れた生産性を実現することができる。
エッチングストップ層16は、その上方に形成する中間層20(後述)の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、軟磁性層14まで加工がなされることを防止するために形成する層である。
シード層18は、この上層として形成する中間層20、ひいては磁気記録層26の配向性および粒径を制御する役割を担う層である。シード層18は、このような目的のため、fcc構造またはhcp構造の材料を用いることが好ましい。例えば、NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo、NiFeCr、CoNiFe、およびCoNiFeB等を用いることができる。シード層18の膜厚は、最終的に磁気記録層26の磁気特性および電磁変換特性が所望の値になるように適宜調製され、2nm〜5nmの範囲とすることが好ましい。当該膜厚を2nm以上とすることで、中間層20ひいては磁気記録層26の配向性の劣化が抑制される。一方、当該膜厚を5nm以下とすることで、シード層18の粒径を過度に大きくせず、これにより中間層20を介して磁気記録層26の粒径の微細化を実現することができ、電磁変換特性の劣化を抑制することができる。
中間層20は、それ自身の配向性の向上および粒径の微細化によって、この上層として形成する磁気記録層26の配向性の向上および粒径の微細化を実現し、磁気特性という点で不所望な磁気記録層26の初期層の発生を抑制する非磁性層である。中間層20にはRuを用いることが高度な垂直配向性を実現するために好ましく、またその膜厚を1〜10nmとすることが好ましい。
ハードマスク層22は、中間層20を凹凸加工する際に用いるマスク層である。ハードマスク層22の材料としては、Si、Ti、Ta、またはそれらの酸化物もしくは窒化物等を用いることができる。このような材料を用いることで、後述するイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどのドライエッチングにおいて、中間層20とのエッチング速度比を十分に小さくすることができる。このため、ハードマスク層22の厚みは、中間層20の厚みよりも小さくすることができる。具体的には、ハードマスク層22の膜厚を1〜5nmとすることが、ハードマスク剥離の際のエッチング時間が短くなり、エッチングストップ層16を残す点で好ましい。
レジスト24は、ハードマスク層22を中間層20の凹凸パターンの凸部にのみ選択的に形成するために、ハードマスク層22上に形成し、後述するレジストパターンを形成するための層である。レジスト24の材料としては、光重合性モノマーを主成分とする感光性樹脂を用いることができる。このような材料を用いることで、インプリントによるパターン転写時の成形性が良いという利点がある。レジスト24の膜厚を100〜1000nmとすることが、基板全面でパターンの高さを十分に確保することができる点で好ましい。
第2工程は、図1(b),(c)に示すように、レジスト24をパターニングして、レジストパターン34を得る工程である。
第1工程で形成したレジスト24を、80℃以下まで加熱して仮硬化させる。仮硬化したレジスト24を、露光、現像し、加熱硬化させレジストパターン34を形成することができる。この場合、露光条件はおよび現像条件は、特に限定されない。なお、パターン転写時には、加熱またはUV照射によってレジストを硬化させる。加熱条件およびUV照射条件も、特に限定されない。
ナノインプリント法によりスタンパーのパターンをレジスト24に転写してレジストパターン34を形成する場合には、凹凸パターンが転写されて得られたレジストパターン34の凹部にはレジスト残膜が生ずる。このため、O2ガスプラズマなどにより当該残膜を除去する。残膜除去の条件としては、RFパワー50〜100W、基板バイアスパワー100〜200W、圧力0.1〜2Paとすることが好ましい。
第3工程は、図1(d)に示すように、レジストパターン34をマスクとしてハードマスク層22をエッチングして、パターン状ハードマスク層32を得る工程である。
第4工程は、図1(e)に示すように、レジストパターン34を剥離する工程である。
第5工程は、図1(e)に示すように、パターン状ハードマスク層32をマスクとして中間層30をエッチングし、パターン状中間層30を得る工程である。
第6工程は、図1(f)に示すように、パターン状ハードマスク層32を剥離する工程である。
第7工程は、図1(g)に示すように、磁気記録層26を形成する工程であって、パターン状中間層30上に垂直配向部26aを形成するとともにシード層18上にランダム配向部26bを形成する工程である。
磁気記録層26は、情報を記録および再生するための層である。磁気記録層26は、磁化容易軸を基板面に対して垂直方向に配向させる必要がある。このため、磁気記録層26は、hcp(0002)面を基板面に平行に配向させる。
第8工程は、図1(h)に示すように、磁気記録層26上への保護層28形成工程である。本工程は、本発明においては任意選択的に用いられる工程である。
保護層28は、磁気記録層26の腐食防止と、磁気ヘッドの媒体接触時における磁気記録層26の損傷の防止とを目的として形成される層である。保護層28には、通常使用される材料、例えば、C(ダイヤモンドライクカーボン)、SiO2、およびZrO2のいずれかを主体とする層を用いることができる。保護層28の厚さは、通常の磁気記録媒体で用いる膜厚の範囲、例えば、1nm〜5nmの範囲とすることが好ましい。
図1(h)には図示しないが、保護層28上には潤滑層を形成することができる。潤滑層は、磁気ヘッドと媒体との間の潤滑特性を確保する目的で形成される層である。潤滑層は、通常使用される材料、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、およびフッ素化カルボン酸の潤滑剤を用いることができる。潤滑層の厚さは、通常磁気記録媒体で用いられる膜厚の範囲、例えば、0.5nm〜2nmの範囲とすることができる。
14 軟磁性層
16 エッチングストップ層
18 シード層
20 中間層
22 ハードマスク層
24 レジスト
26 磁気記録層
26a 垂直配向部
26b ランダム配向部
28 保護層
30 パターン状中間層
32 パターン状ハードマスク層
34 レジストパターン
Claims (10)
- 基板上に、軟磁性層、エッチングストップ層、シード層、中間層、ハードマスク層、およびレジストを順次形成する工程、
前記レジストをパターニングして、レジストパターンを得る工程、
前記レジストパターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングし、パターン状ハードマスク層を得る工程、
前記レジストパターンを剥離する工程、
前記パターン状ハードマスク層をマスクとして前記中間層をエッチングし、パターン状中間層を得る工程、
前記パターン状ハードマスク層を剥離する工程、および
磁気記録層を形成する工程であって、前記パターン状中間層上に垂直配向部を形成するとともに前記シード層上にランダム配向部を形成する工程、
を含むことを特徴とする、パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。 - 前記エッチングストップ層に非磁性材料を用いることを特徴する、請求項1に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記エッチングストップ層に非晶質材料を用いることを特徴とする、請求項1または2に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記中間層のエッチングにイオンビームエッチングを用いるとともに、前記エッチングストップ層に前記中間層の材料よりもスパッタ率の低い材料を用いることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記中間層のエッチングに反応性イオンエッチングを用いるとともに、前記中間層の材料に反応性ガスに耐性のある非磁性材料を用いることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記エッチングストップ層の厚さを10nm以下とすることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記レジストのパターニングに、電子ビーム露光法またはインプリント法を用いることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層上に保護層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記ハードマスク層および前記中間層の少なくとも一方のエッチングに、ドライエッチング法を用いることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記レジストパターンの剥離と前記中間層のエッチングとを同時に行い、前記中間層にRuを含む材料を用い、前記エッチングにO2系ガスプラズマを用いることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
WO2013164881A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | 信越エンジニアリング株式会社 | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
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Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
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JP5578215B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-08-27 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US20150248909A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | HGST Netherlands B.V. | Structure with seed layer for controlling grain growth and crystallographic orientation |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006092659A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
JP2006252772A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2007012115A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP2007250059A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JP2004332045A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 多層膜材料のドライエッチング方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006092659A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
JP2007012115A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP2007250059A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2006252772A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103765512A (zh) * | 2011-09-22 | 2014-04-30 | 日产化学工业株式会社 | 形成硬盘用平坦化膜的组合物 |
CN103765512B (zh) * | 2011-09-22 | 2017-06-30 | 日产化学工业株式会社 | 形成硬盘用平坦化膜的组合物 |
WO2013164881A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | 信越エンジニアリング株式会社 | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
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