JP2008034034A - 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁性層パターン上の平坦化層表面に適切な凹凸を安価に再現性よく形成することができ、低浮上型ヘッドまたは接触型ヘッドの安定走行を可能にする磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に磁性層を成膜し、磁性層を加工して凸状の磁性層パターンを形成し、磁性層パターン間の凹部および磁性層パターン上に平坦化層を成膜し、前記平坦化層の表面に段差を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【選択図】 図２

Description

本発明は磁気記録媒体、特にパターンドメディアの製造方法、この方法を用いて製造された磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置に関する。

近年、磁気ディスク装置（ハードディスクドライブ）においては、隣接トラック間の干渉や熱揺らぎ耐性が高密度化を阻害する要因になってきている。このような問題に対して、記録トラックを互いに分離された凸状の磁性層のパターンで形成したディスクリートトラックメディアや、磁性層を互いに分離された磁性ドットの形態に加工して１つの磁性ドットを１ビットとして用いるパターンドメディアが提案されている。なお、ディスクリートトラックメディアは、広義にはパターンドメディアに含まれる。

従来、磁性層を所望のパターン形状に加工するために、たとえば凸部の周縁に対応して突起を形成し、磁性層を加工した後に突起を除去する方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、磁性層のパターンの周縁が丸まった形状に加工されるのを防止できる。

しかし、パターンドメディアにおいては、表面に凸状の磁性層パターンの形状を反映した凹凸がある場合でも、磁性層パターン上に平坦化膜を形成した表面を非常に平坦にした場合でも、ヘッドスライダの走行安定性を確保するのが困難であるという問題がある。このため、パターンとメディアの表面には制御された段差が形成されていることが好ましい。
特開２００５−２６７７３６号公報

本発明の目的は、磁性層パターン上の平坦化層表面に適切な凹凸を安価に再現性よく形成することができ、低浮上型ヘッドまたは接触型ヘッドの安定走行を可能にする磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディアやパターンドメディア）、およびこのような磁気記録媒体を搭載した高記録密度の磁気記録装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁性層を成膜し、磁性層を加工して凸状の磁性層パターンを形成し、磁性層パターン間の凹部および磁性層パターン上に平坦化層を成膜し、前記平坦化層の表面に段差を形成することを特徴とする。

本発明の他の態様に係る磁気記録媒体は、上記の方法を用いて製造されたものである。

本発明のさらに他の態様に係る磁気記録装置は、上記の磁気記録媒体と、浮上量が１０ｎｍ以下である浮上型磁気ヘッドまたは接触型磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする。

本発明によれば、磁性層パターン上の平坦化層表面に適切な凹凸を安価に再現性よく形成することができ、低浮上型ヘッドまたは接触型ヘッドの安定走行を可能にする磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディアやパターンドメディア）を提供することができる。また、この磁気記録媒体と、浮上量１０ｎｍ以下の低浮上型ヘッドまたは接触型ヘッドを搭載した高記録密度の磁気記録装置を提供することができる。

図１（ａ）〜（ｅ）および図２（ａ）〜（ｄ）を参照して、本発明の実施形態における磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディアまたはパターンドメディア）の製造方法を説明する。

図１（ａ）に示すように、基板１１上に、軟磁性下地層１２、磁気記録層１３、保護層１４を成膜し、その上にレジスト１５を塗布する。

基板１１としては、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板、Ｓｉ基板などを用いることができる。これらの基板は、表面に金属膜または誘電体膜が形成されたものであってもよい。基板の形状は特に限定されず、たとえば０．８５インチ、１インチ、１．８インチ、２．５インチ、３インチのディスク形状の基板が挙げられる。基板の平坦性は高い方が好ましい。

軟磁性下地層１２は、一般的に垂直磁気記録媒体の磁気記録層１３の下に設けられる。なお、磁気記録層１３の結晶配向を整える目的などにより、磁気記録層１３の下地層として複数層の金属または誘電体の薄膜を形成するのが一般的である。

磁気記録層１３は、強磁性材料からなる。具体的には、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉから選択される少なくとも１種の強磁性金属を含んでいる。通常は、強磁性金属のほかに、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｂ、ＳｍおよびＧｄなどから選択される少なくとも１種の金属を含むものが用いられる。磁気記録層１３はこれらの材料の含む複数層を積層した構造でもよい。この場合、複数層の層間にＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ以外の金属または金属酸化膜を挿入してもよい。磁気記録層１３はスパッタリングによって成膜される。

保護層１４は磁気記録層１３の酸化を防止するために設けられる。保護層１４はたとえばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなり、その厚さは４ｎｍ程度が好ましい。

レジスト１５としては、たとえばノボラック系フォトレジスト（シップレー社Ｓ１８０１、Ｓ１８１８など）を用いることができる。レジスト１５はスピンコーティングされ、膜厚は１２０ｎｍ程度が好ましい。

その後、レジスト１５に対向してスタンパ２１を配置し、インプリントによりスタンパ２１の凹凸パターンをレジスト１５に転写する。凹凸パターンの転写されたレジスト１５にＵＶ照射を行い、１６０℃程度でベークする。この結果、ノボラック樹脂が架橋し、イオンミリングに十分耐えうる硬度が得られる。

図１（ｂ）に示すように、インプリント法による凹凸形成プロセスでは、スタンパ２１除去後にレジストパターンの凹部の底にレジスト残渣が残る。レジスト残渣が少ないほど磁気記録層の加工には好ましいが、レジスト残渣が少なすぎるとインプリントによる形状転写性が悪くなる。

図１（ｃ）に示すように、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、レジスト残渣を除去する。レジスト１５に転写された凹凸形状をできるだけ変化させずにレジスト残渣を除去するには、低圧、高密度のプラズマソースでＲＩＥを行うのが好適である。したがって、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型または電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型のエッチング装置を用いることが好ましい。たとえばＩＣＰエッチング装置を用い、約２ｍＴｏｒｒのエッチング圧で酸素ＲＩＥを行い、レジスト残渣を除去する。この際、凹部の底では、保護層１４（ＤＬＣ）も同時に剥離される。

図１（ｄ）に示すように、Ａｒイオンミリングにより磁気記録層１３をエッチングする。磁気記録層１３のダメージをなくすため、再付着（リデポジション）現象を抑えるようにイオン入射角を３０°、７０°と変化させてエッチングする。再付着現象を抑えることに伴い、磁気記録層１３のパターンの側壁には４０°〜７５°程度のテーパー角がつく。その後、酸素ＲＩＥによりレジスト１５を剥離する。レジスト１５を効果的に剥離するには、高圧、高パワーで酸素プラズマを発生させるのが好適である。たとえば、１Ｔｏｒｒ、４００Ｗ程度の条件で酸素ＲＩＥを行う。この際、磁気記録層１３のパターンの上部に残っている保護層１４（ＤＬＣ）も剥離される。なお、磁気記録層１３の酸化防止を考慮すると、磁気記録層１３上のＤＬＣが完全に剥離される前に酸素ＲＩＥを止めることが好ましい。本実施形態においては、この段階で高さ約２０ｎｍの凸状をなす磁気記録層１３のパターンが形成される。

図１（ｅ）に示すように、平坦化層１６としてスパッタリングまたは化学気相成長（ＣＶＤ）により厚さ約５０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜し、磁気記録層１３パターン間の凹部を埋め込み、磁気記録層１３パターン上に積層する。このとき、平坦化層１６の平均表面粗さＲａは約０．６ｎｍとなった。磁気記録層１３パターン上に成膜される平坦化層１６の厚さを１０ｎｍ以上とすることが好ましい。

本実施例では、ＤＬＣのみを用いて磁気記録層１３パターン間の凹部を埋め込むとともに磁気記録層１３パターン上に積層しているが、複数の材料を用いてもよい。たとえば、磁気記録層１３パターン表面に薄い保護層を形成し、ＤＬＣ以外の埋め込み材料を用いて磁気記録層１３パターン間の凹部を埋め込み、さらにＤＬＣからなる平坦化層を積層してもよい。この場合、保護層としては、ｓｐ³結合炭素の割合が大きいＤＬＣが好適である。ＤＬＣはグラファイトターゲットを用いたスパッタリングまたはＣＶＤによって成膜されるが、よりｓｐ³結合炭素に富んだＤＬＣを成膜するにはＣＶＤが好適である。この保護層の膜厚はできるだけ薄いほうがよいが、薄すぎると磁気記録層１３パターンのカバレッジが悪くなるので膜厚は３〜４ｎｍが好ましい。埋め込み材料は非磁性材料たとえばＳｉＯ₂、ＴｉＯ_x、Ａｌ₂Ｏ₃などの酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＴｉＣなどの炭化物、ＢＮなどの硼化物、Ｃ、Ｓｉなどの単体から幅広く選択できる。

次に、図２（ａ）〜（ｄ）を参照して、平坦化層１６の表面に段差を形成する方法を説明する。

図２（ａ）に示すように、平坦化層１６上にマスク下地層１７を形成し、その上に島状をなすエッチングマスクパターン１８を形成する。マスク下地層１７に要求される特性は、その上に形成されるエッチングマスク材料との親和性がＤＬＣと比較して低く、エッチングマスクパターン１８を島状に形成しやすくすることである。本実施形態ではマスク下地層１７として、パーフルオロポリエーテル（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ、Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）を約２ｎｍ塗布する。なお、マスク下地層１７としては、高分子膜やプラズマ重合膜などを用いることもできる。

本実施例では、低分子有機化合物の自己組織化を利用してエッチングマスクパターン１８を形成する。低分子有機化合物としては、テトラトリフェニルアミノエチレン（ＴＴＰＡＥ）、たとえばテトラ（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４−アミノフェニル）エチレン；トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）、たとえばＮ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ビスフェニルベンジジンや、トリスヒドロキシキノリノアルミニウム（Ａｌｑ₃）、たとえばトリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウムを用いることができる。これらの低分子有機化合物は、４００℃以下の低温に加熱することによって昇華する。昇華した低分子有機化合物をマスク下地層１７上に薄く付着させることによって、島状をなすエッチングマスクパターン１８を形成することができる。

島状をなすエッチングマスクパターン１８を有利に形成するには、以下のような方法を用いてもよい。たとえば、低分子有機化合物の成膜時に基板を加熱してもよいし、低分子有機化合物の成膜後に基板を加熱してもよい。これらの方法は、島状をなすエッチングマスクパターン１８の占有面積を制御するのに有効である。低分子有機化合物の成膜速度によっても、エッチングマスクパターン１８のサイズおよび占有面積を制御できる。つまり、成膜速度が遅いと、島状成長する低分子有機化合物の核密度が高くなるため、エッチングマスクパターン１８をより高密度に形成できる。本実施形態では、エッチングマスク材料としてトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）を用い、成膜後に１１０℃で１分間加熱して、高さ約５０ｎｍの島状をなすエッチングマスクパターン１８を形成している。エッチングマスクパターン１８の直径は５０〜１００ｎｍであり、面積は数μｍ²程度である。

なお、フォトリソグラフィー法によりパターニングしたレジストをエッチングマスクパターンに用いることも考えられるが、サブミクロンのパターンを形成するために高額な露光装置が必要となり、時間およびコストの点で量産に適さないので好ましくない。また、比較的安価なナノインプリント法によりパターニングしたレジストをエッチングマスクパターンに利用することも考えられるが、インプリント時に生じるレジスト残渣の厚さのばらつきによって平坦化層１６のエッチングが不均一になるため好ましくない。

図２（ｂ）に示すように、エッチングマスクパターン１８をマスクとして平坦化層１６の一部をエッチングする。以下、このエッチングを初期エッチングという。この初期エッチングにより、平坦化層１６の表面に深さ８ｎｍ以下２ｎｍ以上の段差を形成する。

たとえば、酸素ガスを用いたプラズマエッチングによって平坦化層１６をエッチングできる。また、アルゴンイオンなどの不活性ガスを用いたイオンビームエッチングによっても平坦化層１６をエッチングできる。イオンビームエッチングを用いる場合、ＤＬＣのスパッタエッチング速度が非常に遅いため、エッチングマスクパターン１８の高さを高くすることが好ましい。なお、エッチングガスは、酸素、アルゴンに限定されない。

本実施形態ではＩＣＰエッチング装置を用い、ガス流量４０ｓｃｃｍ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、コイルパワー１０Ｗの条件で酸素ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、エッチングマスクパターン１８をマスクとして平坦化層１６をエッチングしている。圧力をより低くすると、さらに異方性が強くなるため、凹凸形状を維持させるという点では好ましい。

この際、初期エッチング時間を３０秒間または２分間とした。初期エッチング時間を３０秒間とした場合には平坦化層１６の表面に深さ８ｎｍ以下の段差が形成され、初期エッチング時間を２分間とした場合には平坦化層１６の表面に深さ８ｎｍを超える段差が形成される。

図２（ｃ）に示すように、エッチングマスクパターン１８を除去する。エッチングマスクパターン１８は構成分子が４００度以下の低温で昇華するため、基板加熱処理によっても容易にその残渣を除去できる。本実施形態では、基板を１ｔｏｒｒ以下の真空オーブンに入れて、２００℃で２．５時間加熱してエッチングマスクパターン１８を除去している。エッチングマスクパターン１８の残渣は有機分子の凝集体であるため、有機溶剤を用いても容易に剥離できる。

図２（ｄ）に示すように、再び酸素ＲＩＥにより平坦化層１６を表面の段差を維持した状態でエッチバックして、その残存厚さを５ｎｍ以下２ｎｍ以上にする。このときの酸素ＲＩＥの条件は、初期エッチングと同じでよい。

平坦化層１６の残存厚さを５ｎｍ以下にするには、初期エッチング時間を３０秒とした場合にはエッチバック時間を３．５分間以上、初期エッチング時間を２分間とした場合にはエッチバック時間を２分間以上とする。

なお、図２（ｃ）のようにエッチングマスクパターン１８を除去することなく、平坦化層１６上にエッチングマスクパターン１８が存在する状態でエッチバックを行い、平坦化層１６の表面に段差を形成する方法では問題が生じる。このような方法を採用すると、平坦化層１６上に存在するエッチングマスクパターン１８の周縁の膜厚が薄いため、長時間のエッチバックを行うと、平坦化層１６の頂部の周縁がエッチングされて丸まった形状になる。このように、平坦化層１６の頂部の周縁が丸まった形状になると、ヘッドの走行安定性が劣り、ヘッドとの接触によって磨耗しやすくなるため好ましくない。

図示しないが、エッチバック後の平坦化層１６の表面に潤滑剤としてＦｏｍｂｌｉｎＺ−Ｔｅｔｒａｏｌ（Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）を約２．０ｎｍディップコートして、ハードディスクドライブ用の媒体を作製する。

図３を参照して、本発明の実施形態に係る磁気ディスク装置（ハードディスクドライブ）の斜視図を示す。この磁気記録再生装置は、筐体５０の内部に、上記のようにして製造された磁気ディスク５１と、磁気ヘッドを含むヘッドスライダ５６と、ヘッドスライダ５６を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ（サスペンション５５とアクチュエータアーム５４）と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５７と、回路基板とを備える。ヘッドスライダ５６は、浮上量が１０ｎｍ以下である浮上型または接触型のものである。

本発明に係る磁気ディスク（パターンド媒体）５１はスピンドルモータ５２に取り付けられて回転され、垂直磁気記録方式により各種のデジタルデータが記録される。ヘッドスライダ５６に組み込まれている磁気ヘッドはいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、シールド型ＭＲ再生素子（ＧＭＲ膜、ＴＭＲ膜など）を用いたリードヘッドとを含む。アクチュエータアーム５４の一端にサスペンション５５が保持され、サスペンション５５によってヘッドスライダ５６を磁気ディスク５１の記録面に対向するように支持する。アクチュエータアーム５４はピボット５３に取り付けられる。アクチュエータアーム５４の他端にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５７が設けられている。ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５７によってヘッドサスペンションアッセンブリを駆動して、磁気ヘッドを磁気ディスク５１の任意の半径位置に位置決めする。回路基板はヘッドＩＣを備え、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の駆動信号、および磁気ヘッドによる読み書きを制御するための制御信号などを生成する。

作製した媒体および磁気ディスク装置を、以下のようにして評価した。
（１）媒体の表面構造の評価
上記のようにして作製した媒体について、デジタルインスツルメンツ社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ナノスコープIIIａを用いて表面構造を評価した。測定範囲は１μｍ×１μｍ、スキャンライン数は２５６本とした。表面粗さ負荷曲線の演算を行う前に、測定データのフィルター処理Ｆｌａｔｔｅｎ（ｏｒｄｅｒ＝０）を行った。得られた表面粗さ負荷曲線を２つのガウス分布曲線でフィッティングさせた。これらのガウス分布曲線は以下の数式で表される。

図４に表面粗さ負荷曲線にフィッティングさせた２つのガウス分布曲線の例を示す。図４において、横軸は表面からの距離、縦軸は２５６×２５６の測定点のうち、特定の表面からの距離を示した測定点の数である。図４において、表面から遠いピークが平坦化層の表面段差の底部に相当し、表面に近いピークが平坦化層の表面段差の頂部に相当する。こうして、２つのガウス分布曲線のσ値（σ₁，σ₂）および２つのガウス分布曲線の平均値の差（Δ＝μ₁−μ₂）を求める。このΔ値が表面段差の深さに相当する。

図５に、３０秒間または２分間の初期エッチングを施した平坦化層について、エッチバック時間と平均値差（Δ値）との関係を示す。３０秒間の初期エッチングを施した平坦化層は、初期の段差の深さが約８ｎｍである。この平坦化層はエッチバック時間が長くなるとともにΔ値が直線的に小さくなり、エッチバック厚さを４０ｎｍ以上にしても表面段差を制御できることがわかる。２分間の初期エッチング時間を施した平坦化層は、初期の段差の深さが約１５ｎｍである。この平坦化層は、エッチバック時間に対するΔ値の変化に一定の傾向がなく、表面段差の制御が難しいことがわかる。また、この平坦化層を４分間エッチバックしたときにΔ値が大幅に小さくなっているのは、底部の平坦化層が除去されて磁性層パターンが現れた後に、残った平坦化層のエッチングが進行したためであると考えられる。

図６に、３０秒間または２分間の初期エッチングを施した平坦化層について、エッチバック時間と表面に近いガウス分布曲線の分散σ₂ ²との関係を示す。２分間の初期エッチングを施した平坦化層は、３０秒間の初期エッチングを施した平坦化層と比較して、分散σ₂ ²が非常に大きいことから、頂部の周縁が丸まった形状になっていることがわかる。このように、頂部の周縁が丸まった形状になると、ヘッドとの接触によって磨耗しやすくなるため好ましくない。

（２）接触ヘッドによる評価
初期エッチング時間を変化させて、Δ値が１から８ｎｍ、分散σ₂ ²が９以下である磁気記録媒体と、Δ値が５〜１５ｎｍ、分散σ₂ ²が５から１００である磁気記録媒体を作製した。各々の磁気記録媒体と、ヘッド荷重が２．５ｇｆの接触型磁気ヘッド（Ｐｉｃｏスライダー）とをテスターに組み込み、摩擦力を測定した。図７に、Δ値と摩擦力との関係を示す。このときの摩擦力は、５秒後に測定したものである。図８に、分散σ₂ ²と摩擦力との関係を示す。このときの摩擦力は、５分後に測定したものである。

図７に示されるように、Δ値が２ｎｍ未満になると、摩擦力が急激に増加している。このことから、Δ値は２ｎｍ以上であることが望ましい。

図８に示されるように、分散σ₂ ²が９を超えると、摩擦力が急激に増加している。これは、σ₂ ²が９を超え、平坦化層の頂部の周縁が丸まった形状になると、ヘッドとの接触によって磨耗しやすくなり、その磨耗粉がさらに磨耗を進行させるというサイクルを繰り返すためであると考えられる。したがって、σ₂ ²は９以下であることが望ましい。

（３）浮上ヘッドによる評価
Δ値が２．５ｎｍ、分散σ₂ ²が５である磁気記録媒体と、浮上量が１０ｎｍ以下である低浮上型ヘッド（Ｆｅｍｔｏスライダー）とを磁気ディスク装置に組み込み、０．７ａｔｍの減圧環境下で全面ランダムシーク試験（全面Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅに要する時間の測定）を行った。その結果、２４時間後にも、パフォーマンスの劣化やエラー発生はなかった。

本発明の実施形態における磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。 本発明の実施形態における磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。 本発明の実施形態に係る磁気ディスク装置の斜視図。 表面粗さ負荷曲線にフィッティングさせた２つのガウス分布曲線の例を示す図。 初期エッチングを施した平坦化層について、エッチバック時間と平均値差（Δ値）との関係を示す図。 初期エッチングを施した平坦化層について、エッチバック時間と表面に近いガウス分布曲線の分散σ₂ ²との関係を示す図。 Δ値と摩擦力との関係を示す図。 分散σ₂ ²と摩擦力との関係を示す図。

符号の説明

１１…基板、１２…軟磁性下地層、１３…磁気記録層、１４…保護層、１５…レジスト、１６…平坦化膜、１７…マスク下地層、１８…エッチングマスクパターン、２１…スタンパ、５０…筐体、５１…磁気ディスク、５２…スピンドルモータ、５３…ピボット、５４…アクチュエータアーム、５５…サスペンション、５６…ヘッドスライダ、５７…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）。

Claims (6)

1. 基板上に磁性層を成膜し、磁性層を加工して凸状の磁性層パターンを形成し、
   磁性層パターン間の凹部および磁性層パターン上に平坦化層を成膜し、
   前記平坦化層の表面に段差を形成する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 前記平坦化層を成膜した後、前記平坦化層上にマスク下地層を形成し、
   前記マスク下地層上に島状をなすエッチングマスクパターンを形成し、
   前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記平坦化層の一部をエッチングすることにより、前記平坦化層の表面に段差を形成し、
   前記エッチングマスクパターンを除去し、
   前記平坦化層を、表面の段差を維持した状態で、エッチバックする
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記磁性層パターン上に成膜される前記平坦化層の厚さを１０ｎｍ以上とし、
   前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記平坦化層の一部をエッチングすることによって、前記平坦化層の表面に深さ８ｎｍ以下の段差を形成し、
   前記平坦化層をエッチバックすることによって、平坦化層の残存厚さを５ｎｍ以下にする
   ことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. エッチバック後の平坦化層の表面粗さ負荷曲線が２つのガウス分布曲線で表され、表面に近いガウス分布曲線の分散値が９以下であり、２つのガウス分布曲線の平均値の差が２ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 請求項１に記載の方法を用いて製造された磁気記録媒体。
6. 請求項５に記載の磁気記録媒体と、浮上量が１０ｎｍ以下である浮上型磁気ヘッドまたは接触型磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。

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