JP2004319074A - 金属のリフトオフに2層レジストを用いる離散トラック記録ディスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】連結したモールド/ディスクを分離する前に、それらを室温まで冷却すると、分離が困難であること、ならびにレジスト膜に生じたインプリント・パターンを分離中に損傷することなどの問題が発生しうる。
【解決手段】リフトオフでランドのパターンを形成する。具体的には、基板を備えるベース構造体の上に2層レジスト膜を配置し、ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する方法であって、その離散トラック・パターンが、2層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフすることによって形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】リフトオフでランドのパターンを形成する。具体的には、基板を備えるベース構造体の上に2層レジスト膜を配置し、ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する方法であって、その離散トラック・パターンが、2層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフすることによって形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、磁気記録ディスクの分野、より詳細には磁気記録ディスクの製造に関する。
ディスク・ドライブ装置は、1つまたは複数の磁気記録ディスクと、ディスクにデータを記録する制御機構を備えている。データの読取りと書込みは、ディスク上方に読み書きヘッドを浮かせて動かしディスクの磁性層の性質を変えることにより実施される。読み書きヘッドは通常、「スライダ」と呼ばれる、磁気ディスク上を浮動するより大きな本体の一部分であるか、あるいはそれに取り付けられている。
磁気ハード・ディスク・ドライブの設計の傾向は、ディスク・ドライブ装置の記録密度を増大させることである。記録密度は、ディスクの一定の領域に記録しうるデータ量の尺度である。記録密度を増加させるために、例えばヘッド技術は、フェライト・ヘッドから薄膜ヘッドへ、そして後には磁気抵抗(MR)ヘッドならびに巨大磁気抵抗(GMR)ヘッドへと移行してきた。
面密度(すなわち、単位表面積あたりの記録ビット数)をより大きくするためには、データ・トラックが互いに接近している必要がある。また、トラック幅は非常に小さいので、トラックの位置ずれ(例えば、熱膨張)により、ヘッドを用いる読出しおよび/または書込みは隣接するトラックにより影響を受ける。この挙動は一般に、隣接トラックの干渉(adjacent track interference:ATI)と呼ばれる。ATIに対処する1つの方法は、ディスクの表面をパターン化して、離散トラック記録(discrete track recording:DTR)と呼ばれる離散的なデータ・トラックを形成することである。
先行技術の1つのDTR構造では、磁気記録層に同心円状に形成させた隆起ゾーンおよび凹んだゾーンのパターンが利用される。隆起ゾーン(丘、ランド、エレベーションなどとしても知られている)はデータを記録するために用いられ、凹みゾーンは(トラフ、谷、溝などとしても知られている)はノイズを減らすためにトラック間を分離するために形成されている。隆起ゾーンの幅は、作動中ヘッドの一部分が凹みゾーン上に張り出しているように、記録ヘッドの幅より小さい。凹みゾーンは記録ヘッドの浮揚高さと隆起ゾーンに対応した深さをもつ。凹みゾーンは、ヘッドにより凹みゾーンの下側の磁性層にデータが記録されないように、ヘッドから十分に離れている。隆起ゾーンはヘッドに十分近く、データを隆起ゾーンのすぐ上の磁性層に書き込むことができる。
したがって、データが記録媒体に書き込まれる時、隆起ゾーンがデータ・トラックに相当する。凹みゾーンは隆起ゾーン(例えばデータ・トラック)を互いに分離し、データ・トラックを物理的にも磁気的にも定めている。このような凹みゾーンにはサーボ情報を記録することもできる。ヘッドによりデータが特定のデータ・トラック(隆起ゾーン)に書き込まれる時、凹みゾーンの表面の磁性層はヘッドが磁性転移を引き起こすにはヘッドから離れすぎているために、データは隣接する凹みゾーンには書き込まれないようになっている。
別のタイプのDTR構造では、同心円状の離散ゾーンからなるパターンが記録媒体として用いられる。この離散的磁気ゾーンは、非磁性基板の凹んだ領域に配置されている。データが記録媒体に書き込まれる時、離散的磁気領域がデータ・トラックに相当する。磁性材料を含んでいない基板表面領域がデータ・トラックを互いに分離する。
先行技術によるいずれのタイプのDTR構造でも、磁気記録ディスクは、ディスクの全表面に配置されるカーボンのオーバーコートにより保護されている。この保護オーバーコートは、ドライブの作動で記録ヘッドとディスクの間で起こる接触から磁性層を保護する等の、様々な機能を果している。オーバーコートはまた、ディスク・ドライブが作動する環境条件の中で、記録媒体が腐蝕されないように保護している。
出願第10/418,436号
「Bilayer、Nanoimprint Lithography(2層、ナノインプリント・リソグラフィ)」、Brian Faircloth et al.,J.Vac.Sci.Technol.B 18(4),July/August 2000
係属出願第10/306,182号
出願第10/306,315号
しかし、それらを分離する前に、連結させたモールド/ディスクを室温まで冷却すると、分離が困難であること、ならびにレジスト膜に生じたインプリント・パターンが分離中に損傷されることなどの問題が発生する。
前記の問題は、ほとんどのNILシステムでは、熱膨張係数の異なるモールドとワークピース(例えば、レジスト膜でコーティングされたディスク)を用いる必要があるという事実に根ざしている。モールドとワークピースの温度変化と組み合わさって、熱膨張係数の違いが、NIL法により得ようとする寸法精度を超える歪み、あるいはモールドとワークピースの間の相対的移動を引き起こす。
基板を備えるベース構造体の上に2層レジスト膜を配置し、ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する方法であって、その離散トラック・パターンが、2層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフすることによって形成されることを特徴とする。
本発明が限定でなく例としての添付図に示される。
以下の説明において、本発明が十分に理解されるように、特定の材料または成分の例のような数多くの具体的な詳細が記載される。しかし、本発明を実施するために、これらの具体的な詳細を用いる必要はないことは当分野の技術者には明らかであろう。別の事例では、本発明を不必要に不明瞭にしないように、よく知られた成分あるいは方法は、詳細に記載されていない。
本明細書では、「上」、「下」、「間」、「下部」、「上部」という用語は、他の層に対する1つの層の相対的な位置を表す。このため、例えば、別の1つの層の上または下に堆積または配置された1つの層は、その別の層と直接接触していることも、あるいは1つまたは複数の介在層を有することもある。さらに、層の間に堆積または配置された1つの層は、それらの層に直接接触していることも、あるいは1つまたは複数の介在層を有することもある。
金属のリフトオフに2層薄膜法を用いる離散トラック記録ディスクの製造方法が記載される。一実施形態では、ベース構造体として、ニッケル−リン(NiP)メッキされた基板を有するDTR水平磁気記録ディスクを製造するために、この方法が用いられる。ベース構造体として、基板上に配置された軟磁性薄膜を有するDTR垂直磁気記録ディスクを製造するためにも、この方法が用いられる。ベース構造体の軟磁性薄膜は通常、単一の軟磁性下層、あるいは間に配置されたルテニウム(Ru)介在層を有する複数の軟磁性体下層からなる。
リフトオフのための2層膜法は、ベース構造体の上方に2層のレジスト膜を堆積すること、2層の膜にインプリントすること、膜の表面上の不純物を除去すること、金属薄膜スタックの堆積、2層膜とその上に堆積した薄膜スタックのリフトオフを含む。不連続堆積磁性薄膜スタックを作り出すために、2層膜法により、一方のレジスト層にアンダーカットが形成される。次に、2層膜上に堆積した磁性薄膜スタックは、2層膜の一方あるいは両方のレジスト層の選択的エッチングによりリフトオフされて、ベース構造体の上方にDTRパターン化磁性薄膜スタックが得られる。
金属薄膜スタックは、カーボンのような材料からなる少なくとも1つの保護層を含んでいてもよい。金属薄膜スタックの(複数の)(例えば、カーボンの)保護層を後でリフトオフすると、不連続な保護層をもつ磁気記録ディスクが得られる。別の実施形態では、連続的な保護層をもつ磁気記録ディスクを得るために、リフトオフに続いて保護層が堆積される。さらに別の実施形態では、リフトオフの後にさらなる保護層が堆積されて、連続および不連続保護層の両方をもつ磁気記録ディスクが得られる。
図1A〜1Eおよび2は、金属のリフトオフに2層レジストを用いる離散トラック記録ディスク製造方法の一実施形態を示している。詳細には、図1Aは、ディスクのベース構造体の上方に配置された2層レジスト膜の一実施形態を示す横断面図である。ベース構造体10上に不連続薄膜スタック50を作り出すために、2層レジスト30により、一方のレジスト層のアンダーカットが形成される。2層膜30上に堆積した薄膜スタック50は、後に2層膜30の下部レジスト層32のエッチングによりリフトオフされて、ベース構造体の上に離散薄膜スタックが形成される。下に記載されるように、一実施形態では、例えば、「Bilayer、Nanoimprint Lithography(2層、ナノインプリント・リソグラフィ)」、Brian Faircloth et al.,J.Vac.Sci.Technol.B 18(4),July/August 2000に記載されるものに部分的に似たナノインプリント・リソグラフィ法が用いられる。
2層レジスト膜30がベース構造体10上に配置される(ステップ110)。一実施形態では、例えば、ベース構造体10は、基板15とNiPメッキ層20からなる。基板15は、例えばガラス、または金属/金属合金の材料で作られている。使用されるガラス基板には、例えば、ホウケイ酸ガラスおよびアルミノケイ酸塩ガラスのようなシリカ含有ガラスが含まれる。使用される金属合金基板には、例えば、アルミニウム−マグネシウム(AlMg)基板が含まれる。別の実施形態では、ポリマーおよびセラミックを含めて、他の基板材料が用いられる。
NiP層20は、電気メッキ、無電解メッキにより、あるいは当技術分野において知られている他の方法により形成される。NiPのような硬い材料、あるいは金属材料でディスク基板15をメッキすることにより、例えば後の研磨、および/またはインプリント過程に対して、ディスク基板15が機械的に補強される。NiP層20を、研磨、平坦化、および/またはテクスチャ化してもよい。NiP層20は、例えば、一様なエッチング、あるいは当技術分野において知られている他の研磨法により研磨される。固定されているか、あるいは固定されていない研磨粒子(例えば、ダイヤモンド)を用いる機械的テクスチャ化などの様々な方法により、NiP層20にパターンをもつテクスチャを付与してもよい。別法として、例えばレーザによるテクスチャ化のような他のタイプのテクスチャ付与方法を用いることもできる。しかし、ディスク基板15がガラスなど十分に剛性または硬質な材料であれば、ディスク基板15のメッキは必要ではないかもしれない。その結果として、基板15自体が、前記の方法を用いて、研磨、平坦化、および/またはテクスチャ化される。
別の実施形態では、ベース構造体10は、その上に配置された他の層、例えば軟磁性薄膜を有する基板15からなる。その場合、層20は軟磁性薄膜、あるいはNiP層上に配置された軟磁性薄膜を表す。軟磁性薄膜は、垂直磁気記録に関連する適切な磁気特性を実現するために用いられる。軟磁性薄膜20は、鉄−コバルト−ニッケル(FeCoNi)材料の層でよい。軟磁性薄膜として使用される他の材料には、コバルト−鉄(CoFe)、ニッケル−鉄(NiFe)、およびこれらの合金が含まれる。軟磁性薄膜および軟磁性薄膜を製造するために用いられる材料は、磁気記録ディスクの技術分野においてよく知られているので、詳細は記載されない。軟磁性薄膜を研磨および/またはテクスチャ化してもよい。固定されているか、あるいは固定されていない研磨粒子(例えば、ダイヤモンド)を用いる機械的テクスチャ化のような様々な方法により、軟磁性薄膜にパターンをもつテクスチャを付与してもよい。別法として、例えばレーザによるテクスチャ付与のような他のタイプのテクスチャ化の方法を用いて、軟磁性薄膜にテクスチャを付与してもよい。さらに別の実施形態では、薄いNiP層が軟磁性薄膜の上部に配置され、研磨および/またはテクスチャ化される。さらに別の実施形態では、軟磁性薄膜は、1つまたは複数の軟磁性下層、ならびに軟磁性下層の間に配置された一つまたは複数のRu介在層からなる。
すでに記載されたように、ステップ110では、2層レジスト膜30がベース構造体10の上に配置されて、インプリント可能な(すなわち、エンボス可能な)層を形成する。2層レジスト膜30は、上部レジスト層31と下部レジスト層32からなる。下部レジスト層32は、上部レジスト層よりエッチング(例えば、ドライまたはウェット)を受けやすいレジスト材料を有する。2層膜30を形成するために様々なレジスト材料を用いることができる。一実施形態では、例えば、下部レジスト層32としてポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)が用いられ、また上部レジスト層31としてコポリマーのポリ(メチルメタクリレート−メタクリル酸コポリマー)(P(MMA−MAA))が用いられる。別法として、他のレジスト材料、例えば、PMMAと、ドイツのMicro Resists Technologyが市販するMR−I9000のような熱硬化性ポリマーが用いられる。2つの層31、32用の具体的なレジスト材料は、ソフト・ベーク過程の間にも、あるいはそれらの転移温度(Tg)を超えて加熱された時にも、それらの材料が実質的に混ざらないように選択されるべきである。
一実施形態では、例えば、層31、32は、ベース構造体10上にスピン・コートされて2層膜30となる。最初に下部レジスト層32をベース構造体10上にスピン・コートされる。次に、ソフト・ベークが実施されて、溶剤が追い出される。次に、上部レジスト層31の材料(例えば、P(MMA−MAA)コポリマー)が下部層32(例えば、PMMA)上にスピン・コートされる。上部レジスト層31にもソフト・ベークが行なわれる。一実施形態では、例えば、上部と下部レジスト層31、32は、総膜厚が約20から100nmの範囲の場合、それぞれ約10から50nmの範囲の厚さであるように形作られる。他のコーティング法、例えば、ディップ・コーティング、ディップ−スピン・コート、スプレ・コーティング、スパッタリングおよび真空蒸着(例えば、CVD)を用いることもできる。
2層膜30はその転移温度を超えて加熱され(ステップ130)、それは粘弾性体となる。次に、スタンパ90が2層膜30に押し付けられる(ステップ135)。一実施形態では、システムは冷却されて(ステップ143)、(図1Bに示されるように)2層膜にトレンチ領域(別称として、凹領域、溝、谷など)とプラトー(別称として、隆起領域)からなるインプリント・パターンを作り、次に、スタンパ90は2層膜30から分離される(ステップ140)。別法として、スパンパ90を2層膜30から引き離して(ステップ140)、次に、分離後に、冷却してもよい(ステップ143)。冷却前の2層膜30からのスタンパ90の分離は、1つには、スタンパ90の材料と2層膜30の材料の、相対的な熱膨張係数に依存するであろう。
一実施形態では、スタンパ90は、使用前に、インプリント後にスタンパ90を2層膜30から分離し易いように、離型ポリマーでコーティングされる。例えば、浅くインプリントして、後で、そのパターンをレジスト内にさらに深く切り込ませるエッチングを用いる別の方法をトレンチを形成するために用いてもよい。
スタンパ90が2層膜30から分離された後、少量の残留離型ポリマー(示されていない)がトレンチの底に残っている可能性がある。ステップ145では、図1Cに示されるように、残留離型ポリマーを全て除去するために、例えば、酸素プラズマエッチングを用いて、あるいは溶剤ウェットエッチングにより、トレンチの表層を剥がす(すなわち、付着した不純物を除去してトレンチの表面を洗浄する)。スタンパが、トレンチの側壁が垂直になっていても、表層を剥がすステップ145により、図1Cに示されるように、凹んだ構造の端部は丸くなり、側壁はわずかに傾いたものとなるであろう。
残留離型ポリマーを除去した後も、トレンチの内側を覆う上部レジスト31(例えば、P(MMA−MAA))の薄い膜36が残っている。このトレンチ内の薄い膜36を除去すると(ステップ150)、次の下部レジスト32のアンダーカットが促進される。膜36は、例えば、ウェット化学エッチングを用いて除去される。その際、スタンパ90によるインプリント時に傾斜した側面と底面の膜36は薄くなっている。溶剤(例えば、メタノール)が、下側のレジスト32(例えば、PMMAポリマー)には影響を与えることなく、上部レジスト(例えば、P(MMA−MAA)ポリマー)膜36を優先的にエッチング除去するように選択される。これは、トレンチ内の薄い上部層レジスト膜36を取り除くだけでなく、2層レジスト膜30の上部層31の厚さを薄くする等方的なエッチングである。他のタイプのエッチング法(例えば、プラズマ、e−ビーム、イオン−ビーム、およびスパッタ・エッチング)により、膜36を除去しうることに注意すべきである。
ディスクを金属の堆積とリフトオフのために準備する次のステップ155は、下部レジスト32にアンダーカットを作り出しながら、トレンチの底部から不要な下部レジスト層32(例えば、PMMA)を除去することである。2層膜30に一定のアンダーカットを形成させると、リフトオフがかなり改善される。フォトリソグラフィでの回折による広がり効果、ならびに電子ビーム・リソグラフィでの電子の散乱とレジスト内の2次電子生成により、電子ビーム・リソグラフィとフォトリソグラフィでは、自然に(ポジレジストに)アンダーカットが生じる。インプリント・リソグラフィでは、アンダーカットは2層レジスト30を用いて実現される。2層レジスト30に用いられる2種の材料、例えばPMMAとP(MMA−MAA)は、かなり異なる化学的性質をもつように選択される。例えば、PMMAを攻撃するが、P(MMA−MAA)はしない、またその逆である広範な溶剤がある。このために、上部層レジスト31には影響を与えないで、下部レジスト材料(例えば、PMMA)を優先的にエッチング除去する溶剤(例えば、クロロベンゼン溶液)を用いて不要部分の除去とアンダーカットを行うことができる。ステップ155では、ディスクは、少なくとも下部レジスト32を攻撃し、場合によっては上部レジストもまた攻撃するような溶剤に曝される。このようにして、図1Cに示されるように、インプリントされた形状にアンダーカットを作り出すことができる。さらに、後に気相堆積される金属薄膜は、堆積した金属の厚さが下部レジスト層32の厚さより薄い限り、連続膜を形成しないであろう。アンダーカットの度合いは溶剤エッチングの時間調節により制御される。
ステップ165では、1つまたは複数の金属層53をもつ金属薄膜スタック50が、図1Dに示されるように、アンダーカット2層膜30上に堆積される。一実施形態では、磁性薄膜50は、特定の結晶形態が磁性層53内で成長しやすくなるように、1つまたは複数の核層51を含む。これらの層は、磁性層53に用いられる材料に理に適った優れた格子整合を提供する材料層である。磁性層および核層の製造と組成は当技術分野において知られているので、詳細は記載されない。
磁性薄膜スタック50は、磁性層53の上に配置された、1つまたは複数の保護層58を含んでいてもよい。例えば、2層保護薄膜58が、接触−始動−停止(CSS)および腐食防止などの摩擦学的な要件を満たすのに十分な性質をもたせるために、磁性層53の上部に配置される。保護層の主な材料は、水素化または窒素化カーボンのようなカーボン系材料である。保護層の合計の厚さは、上側保護層の厚さが例えば約50オングストロームより小さい場合、例えば約50オングストロームより小さい。別法では、保護層は別の厚さである。別の実施形態では、保護薄膜58は2層より多いか、または少ない保護層を含む。(複数の)保護層は、例えば、図3に関連して下に記載される化学気相堆積(CVD)を用いて磁性層53上に配置される。
ステップ170では、磁性薄膜スタック50のリフトオフが、少なくとも下部レジスト層32をエッチング除去する溶剤を用いて実施される。リフトオフにより、図1Eに示されるように、薄膜スタック50がベース構造体10上の離散的な領域に残される。こうして、不連続保護層をもつDTRパターン化磁気記録ディスクが作り出される。別の実施形態では、1つまたは複数の保護層は、薄膜スタック50に含まれていないが、薄膜スタック50のリフトオフ後に堆積される。下で図5Aおよび5Bに関連して記載されるように、摩擦学的性能をさらに向上させるために、潤滑層59を、ディスクの表面全体の上部に乗せてもよい。潤滑層59は、例えば、パーフルオロポリマーまたはホスファゼン潤滑剤からなる。別法では、潤滑層59に他の潤滑材料が用いられる。潤滑層59は、様々な方法、例えば、スピン・コート、ディップ・コーティング、スピン−ディップ・コーティングなどを用いて、ディスク上に配置される(ステップ175)。潤滑層および材料は当技術分野において知られているので、詳細は記載されない。
様々な洗浄および/または研磨作業が、例えば、1つまたは複数の層の表面から凹凸を除去するために、前記の工程間に実施されうることに注意すべきである。
図3は、堆積させる方法の一種である化学気相成長法の一実施形態を示している。特定の一実施形態では、プラズマCVD(PECVD)装置300が用いられる。PECVD装置は、例えば、日本の東京のアネルバ(株)(Anelva Corporation)から市販されている。この例示的な実施形態では、図3に示されるように、PECVD法で、イオン化炭素分子335を含むプラズマ330を作り出すために、炭素含有ガス320の高周波(rf)励起310が用いられている。特定の一実施形態では、水素化炭素ガス、例えば、エチレン、アセチレン、ブタン、ナフタレンその他が用いられる。図3では、わかりやすいように、堆積チャンバの片側だけが示されている。チャンバの図に示されていない側も動作し、ディスク301の両側が同時にコーティングされて、両面ディスクを製造しうるように、図に示された側と同様の構成部品をもつ。カソードとして機能する炭素プレート340に、rf電力が印加される。このrf電力により、カソード・プレート340の前にプラズマ330が形成されて、正に帯電した炭化水素ガス・イオン335を作り出す。アネルバのPECVD装置は、基板がカソードの前に固定されている静止堆積システムである。一実施形態では、ディスク301は、約170から500℃の範囲の温度に加熱され、装置は約15〜50ミリTorrの範囲の圧力下に置かれる。別法では、装置は50ミリTorrより高いか、15ミリTorrより低い圧力下に置かれる。イオン化炭化水素分子335は、ディスク301の表面で炭素に分解する。一実施形態では、正に荷電したイオン分子335がディスク表面、特にアンダーカット・レッジ(アンダーカットの上端部)の上部レジスト層31より下方の表面に向かって一層強く引き付けられるように、バイアス電位350(例えば、約−200Vから−400V)がディスク301に加えられる。別法として、より大きな、例えば−600V以上のバイアス電位が用いられる。
前記のように、CVD堆積装置は運転中、ある圧力下に置かれる。堆積装置の圧力はイオン化炭化水素分子335の平均自由行程に影響を及ぼす。堆積中の装置の圧力が高い程、斜め方向からの(例えば、破線360)堆積の度合いが大きくなる。斜め方向からの堆積は、図4に示されるように、アンダーカット・レッジの上部レジスト層31より下方の表面でのカーボン層の形成を促進する。静止CVD堆積装置は通常、スパッタリングまたはIBD装置より高い圧力で運転される。スパッタリングまたはIBD装置は通常、3ミリTorrより低い圧力で運転される。しかし、静止またはインライン装置を用いるスパッタリング(例えば、DC、AC、AC/DCスパッタリング)、高エネルギー(パルス)スパッタリング、およびイオンビーム堆積(IBD)法もまた、(複数の)保護層の堆積に用いることができる。
静止スパッタ装置は、カルフォルニア州サンタ・クララ(Santa Clara)のIntevac Inc.、ドイツ、AlzenauのBalzers Process Systems,Inc.などの製造業者から市販されている。インライン・スパッタリング装置では、ディスク基板は、連続して次々に基板に薄膜を堆積させる一連の堆積チャンバを通過するパレット上に装着される。インライン・スパッタリング装置は、日本の(株)アルバック(Ulvac Corp.)から市販されている。上の例示的実施形態で記載されたもの以外の温度、圧力、バイアス、および厚さを、特に他の装置および方法が用いられる場合、用いてもよいことに注意すべきである。
別の実施形態では、分子の平均自由行程を変えて斜め方向からの堆積度合いを大きくし、アンダーカット・レッジの上部レジスト層31の下方での保護層(例えば、カーボン)の形成を促進するために、システムの通常の運転圧力が上げられる。例えば、PECVD装置では、堆積装置の圧力は、約60ミリTorr以上に上げられる。圧力増加は、他のタイプの堆積装置でも用いられ、例えば、スパッタリングまたはIBD装置では3ミリTorr以上が用いられる。
図5Aは、不連続保護層をもつディスクの一実施形態を示す横断面図である。一実施形態では、磁気記録ディスク530は、ベース構造体10、複数のデータ記録層55、(複数の)保護層58、および潤滑層59を含む。一実施形態では、データ記録層55は、図1Dに関連して上に記載された、核層51および/あるいは、1つまたは複数の磁性層53を含む。保護層58は、ベース構造体10の上に不連続的に配置された、1つまたは複数の保護層を含む。一実施形態では、保護層58は、データ記録層55の端部551を覆い、ベース構造体10に接触している。ベース構造体10は、前記のように、様々な層と材料からなる。別の実施形態では、図5Bに示されるように、1つまたは複数の連続保護層561が、潤滑層59の下、不連続保護層58の上に配置される。さらに別の実施形態では、ベース構造体10とデータ記録層55の上に連続的に配置される。
図6は、不連続保護層付きディスク(例えば、ディスク530)を有するディスク・ドライブを示している。ディスク・ドライブ500は、データを記録するための、1つまたは複数のディスクを含んでいる。(複数の)ディスク530は、ドライブ・ハウジング580に装備されたスピンドル・アセンブリ560上にある。データは、ディスク530の磁気記録層のトラックに沿って記録される。データの書込みと読出しは、書込みおよび読出し素子の両方をもつヘッド550で実施される。書込み素子は、ディスク530の磁気記録層の性質を変えるように使用される。一実施形態では、読出し素子ヘッド550は、磁気抵抗(MR)、および特に巨大磁気抵抗(GMR)読出し素子である。別の実施形態では、ヘッド550は、別のタイプのヘッド、例えば、誘導読出し素子をもつヘッドあるいはホール効果ヘッドである。スピンドル・モータ(示されていない)がスピンドル・アセンブリ560、従ってまたディスク530を回転させて、望みのディスク・トラックに沿った特定の位置にヘッド550を位置づける。ディスクに対するヘッド550の位置は、位置制御回路570により制御される。
前記明細書において、本発明が、その特定の例示的実施形態を参照して説明された。しかし、添付の特許請求の範囲に記載される、本発明のより広い精神と範囲から逸脱することなく、それに対して様々な修正と変更をなしうることが明らかであろう。したがって、本明細書および図は限定でなく例示と見なされるべきである。
10…ベース構造体、15…基板、20…NiPメッキ層、または(NiPメッキ層)+軟磁性薄膜、30…2層レジスト膜、31…上部レジスト層、32…下部レジスト層、36…上部レジスト31の薄い膜、50…不連続薄膜スタック、51…核層、53…金属薄膜スタック、55…データ記録層、58…保護層、59…潤滑層、90…インプリント・スタンパ
Claims (40)
- 基板を備えるベース構造体の上に2層レジスト膜を配置すること、および
前記ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成すること
を含み、前記離散トラック・パターンが、前記2層レジスト膜を用い、その2層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフして形成されることを特徴とする製造方法。 - 前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記2層レジスト膜にインプリントすること、
前記2層レジスト膜の層を選択的にエッチングして、前記ベース構造体の上に、前記2層レジストがない領域のパターンを形成すること、および
前記ベース構造体の上の前記2層レジストがない領域に磁性層を配置すること
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記方法が、少なくとも前記2層レジストがない領域の前記磁性層を覆って、カーボンを含む保護層を配置し、前記基板の上に不連続保護層を形成することをさらに含む前記保護層が請求項2に記載の方法。
- 前記磁性層が端部を有し、前記方法が前記磁性層の前記端部を覆って前記保護層を配置することを含む請求項3に記載の方法。
- 前記保護層を前記ベース構造体に直接接触させて配置することをさらに含む請求項4に記載の方法。
- 前記ベース構造体が前記基板を覆ってメッキされたNiP層を備え、前記保護層を配置することが、前記保護層を前記NiP層に直接接触させて配置することを含む請求項5に記載の方法。
- 前記ベース構造体が前記基板を覆って配置された軟磁性下層を備え、前記保護層を配置することが、前記保護層を前記軟磁性下層に直接接触させて配置することを含む請求項5に記載の方法。
- 前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記2層膜の上に前記磁性層を配置すること、および
前記保護層を前記2層膜の上にある前記磁性層の上に配置すること
をさらに含む請求項3に記載の方法。 - 前記の形成することが、前記2層レジスト膜の上に配置された前記保護層をリフトオフすることをさらに含む請求項8に記載の方法。
- 前記不連続保護層の上に潤滑層を配置することをさらに含む請求項9に記載の方法。
- 前記不連続保護層の上に、カーボンを含む連続保護層を配置することをさらに含む請求項9に記載の方法。
- 前記連続保護層の上に潤滑層を配置することを含む請求項10に記載の方法。
- 前記保護層を配置することが、40ミリTorrより大きな圧力で気相化学成長を用いて、前記保護層を堆積させることを含む請求項3に記載の方法。
- 前記保護層を配置することが、ほぼ−220ボルトのバイアス電位を前記ベース構造体にかけることをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記保護層を配置することが、ほぼ−400から−600ボルトの範囲のバイアス電位を前記ベース構造体にかけることをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記保護層を配置することが、ほぼ60ミリTorrの圧力で気相化学成長を用いて、前記保護層を堆積させることを含む請求項3に記載の方法。
- 前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記2層レジストにスタンパでインプリントすること、
前記スタンパを前記2層レジストから分離すること、および
分離後に前記スタンパおよび前記2層レジストを冷却すること
を含む請求項1に記載の方法。 - 基板を備えるベース構造体の上に2層レジスト膜を配置する手段と、
前記ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する手段と
を含み、前記離散トラック・パターンが、前記2層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフするように2層レジスト膜を用いて形成される装置。 - 前記離散トラック記録パターンを形成する前記手段が、
前記2層レジスト膜にインプリントする手段と、
前記2層レジスト膜の層を選択的にエッチングして、前記基板の上に、前記2層レジストがない領域のパターンを形成する手段と、
前記ベース構造体の上の前記2層レジストがない前記領域に磁性層を配置する手段と
を含む請求項18に記載の装置。 - 前記2層レジストがない領域の前記磁性層を覆って、カーボンを含む保護層を配置し、前記基板の上に不連続保護層を形成する手段をさらに含む請求項19に記載の装置。
- 前記磁性層が端部を有し、前記装置が前記磁性層の前記端部を覆って前記保護層を配置する手段を含む請求項20に記載の装置。
- 離散トラック記録パターンを有する磁気記録層と、
前記磁気記録層の上に配置された、カーボンを含む不連続保護層と
を備える磁気記録ディスク。 - 前記磁気記録層が端部を有し、前記保護層が前記磁気記録層の前記端部を覆っている請求項22に記載の磁気記録ディスク。
- 前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項23に記載の磁気記録ディスク。
- 前記磁気記録層の下に軟磁性層をさらに備え、前記保護層が前記軟磁性下層に接触している請求項23に記載の磁気記録ディスク。
- 前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項25に記載の磁気記録ディスク。
- 前記磁気記録層の下にNiP層をさらに備え、前記保護層が前記NiP層に接触している請求項23に記載の磁気記録ディスク。
- 前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項26に記載の磁気記録ディスク。
- 前記磁気記録層の下に基板をさらに備え、前記保護層が前記基板に接触している請求項23に記載の磁気記録ディスク。
- 前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項29に記載の磁気記録ディスク。
- 前記不連続保護層の上に配置された、カーボンを含む連続保護層をさらに備える請求項22に記載の磁気記録ディスク。
- 前記磁性層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁性層の前記端部を覆っている請求項22に記載の磁気記録ディスク。
- 前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項32に記載の磁気記録ディスク。
- 離散トラック記録パターンを有する磁気記録層、および
前記磁気記録層上に配置された、カーボンを含む不連続保護層
を備える磁気記録ディスクと、
前記磁気記録ディスクと連動する磁気抵抗読取り素子を有するヘッドと
を備えるディスク・ドライブ。 - 前記磁気記録層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁気記録層の前記端部を覆っている請求項34に記載のディスク・ドライブ。
- 前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下に軟磁性層をさらに備え、前記保護層が前記軟磁性下層に接触している請求項35に記載のディスク・ドライブ。
- 前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下にNiP層をさらに備え、前記保護層が前記NiP層に接触している請求項35に記載のディスク・ドライブ。
- 前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下に基板をさらに備え、前記保護層が前記基板に接触している請求項35に記載のディスク・ドライブ。
- 前記磁気記録ディスクが、前記不連続保護層の上に配置された、カーボンを含む連続保護層をさらに備える請求項34に記載のディスク・ドライブ。
- 前記の磁性層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁性層の前記端部を覆っている請求項34に記載のディスク・ドライブ。
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