JP4686623B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の方法を用いて製造されるパターンド媒体の一例であるディスクリートトラック媒体(DTR媒体)の周方向に沿う平面図を示す。図1に示すように、パターンド媒体1の周方向に沿って、サーボ領域2と、データ領域3が交互に形成されている。サーボ領域2には、プリアンブル部21、アドレス部22、バースト部23が含まれる。データ領域3には隣接するトラック同士が互いに分離されたディスクリートトラック31が含まれる。
本発明の方法における第1のハードマスクは、カーボンを主成分とする。原子数比で、カーボンの割合が75%を超えることが望ましい。カーボンの割合が75%以下であると、エッチング選択比が低下し、形状よく磁性層を加工できなくなる傾向がある。第1のハードマスクは、スパッタまたはCVDで堆積することができる。第1のハードマスクの膜厚は4〜50nmが好ましい。膜厚が厚すぎると剥離の際にエッチング時間がかかり、パターン化された膜のサイドにおけるダメージの原因となる。薄すぎるとエッチングの際のハードマスクとしての機能が果たせない。また、必要に応じて、第1のハードマスクと磁気記録層との間に酸化防止層を成膜することができる。
本発明の方法における第2のハードマスク54は、O2またはO3ガスに耐性を有する、Ag、Au、Co、Cr、Cu、Ni、Pd、PtもしくはRu、または、Si、SiO2、SixNy(ここで、x:y=1:1〜3:4である)、SiON、Al、TaもしくはTiを主成分とするものが望ましい。また、これらの単体、窒化物、酸化物、合金、混合物が使用できる。第2のハードマスク54の膜厚は1〜15nmであることが好ましく、特に2〜5nmであることが好ましい。この膜厚が厚すぎる場合、第2のハードマスク54の除去の際に磁気記録層に対するダメージの原因となる。逆に、薄すぎる場合、一様な膜として成膜できない。
ここで、図3(g)の工程をより詳細に説明する。本発明の方法では、第2のハードマスク54と第1のハードマスク53との間に生じる汚染層59をフッ素系ガスと酸素系ガスとの混合ガスによって除去する。汚染層59の由来は、スパッタプロセスによるミキシングである。第1のハードマスク53はCを主成分としており、その上に直接第2のハードマスク54を成膜した場合、界面にミキシング層が生じる。
本方法の製造方法に含まれる磁気記録層のパターニングの工程は、例えば、反応性ガスによる失活によって行うことができる。磁気記録層52の凹部の磁性失活によって、磁気記録媒体のフリンジ特性が向上する。本明細書における磁性失活工程とは、磁気記録層52のマスクから露出した領域の磁性を、マスクで覆われた領域の磁性と比較して弱める工程を指す。磁性を弱めるとは、軟磁性化させたり、非磁性化または反磁性化させたりすることを意味する。このような磁性の変化は、VSM(試料振動型磁力計)やKerr(磁気光学カー効果)測定装置によりHn、Hs、Hcなどの値を測定することで観測することができる。
本発明の製造方法では、第1のハードマスク53を除去した後、保護膜57を形成する前に、任意に還元工程を行うことができる。還元工程を行うことで、第1のハードマスク53の除去の際に用いる酸素によって生じた、磁気記録層52の酸化ダメージが解消され、最終的に得られる磁気記録媒体の磁気特性が向上する。還元工程は、ECRやRF電源などによって発生させたイオンビームを照射する方法で行うことができ、または、RIE装置によって行うことができる。還元ガスとしては、H2、NH3またはCOを単独で使用することができ、あるいは、これらのガスに、表面洗浄のための微量なHe、Ne、Ar、Xe等の希ガスを混合したものを使用することができる。
基板としては、たとえばガラス基板、Al系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するSi単結晶基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラスおよび結晶化ガラスが用いられる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが挙げられる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが挙げられる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが挙げられる。基板としては、上述した金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてNiP層が形成されたものを用いることもできる。また、基板上への薄膜の形成方法としては、スパッタリング法だけでなく、真空蒸着法または電解メッキ法などを使用して同様な効果を得ることができる。
軟磁性裏打ち層(SUL)は、垂直磁気記録層を磁化するための単磁極ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。軟磁性裏打ち層には、Fe、NiまたはCoを含む材料を用いることができる。このような材料として、FeCo系合金たとえばFeCo、FeCoVなど、FeNi系合金たとえばFeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSiなど、FeAl系合金、FeSi系合金たとえばFeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlOなど、FeTa系合金たとえばFeTa、FeTaC、FeTaNなど、FeZr系合金たとえばFeZrNなどを挙げることができる。Feを60at%以上含有するFeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrNなどの微結晶構造または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。軟磁性裏打ち層の他の材料として、Coと、Zr、Hf、Nb、Ta、TiおよびYのうち少なくとも1種とを含有するCo合金を用いることもできる。Co合金には80at%以上のCoが含まれることが好ましい。このようなCo合金は、スパッタ法により成膜した場合にアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示すとともに、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばCoZr、CoZrNbおよびCoZrTa系合金などを挙げることができる。
垂直磁気記録層としては、Coを主成分とし、少なくともPtを含み、さらに酸化物を含む材料を用いることが好ましい。垂直磁気記録層は、必要に応じて、Crを含んでいてもよい。酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子(磁性を有した結晶粒子)が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号ノイズ比(SN比)を得ることができる。このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。
保護膜は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。保護膜の材料としては、たとえばC、SiO2、ZrO2を含むものが挙げられる。保護膜の厚さは1から10nmとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、sp2結合炭素(グラファイト)とsp3結合炭素(ダイヤモンド)に分類できる。耐久性、耐食性はsp3結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、sp2結合炭素とsp3結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。sp3結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれ、耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護膜として利用されている。CVD(chemical vapor deposition)法によるDLCの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってDLCを生成させるため、条件を合わせることで、よりsp3結合炭素に富んだDLCを形成することができる。
媒体の表面に、スピンコート法、ディップ法、インクジェット法等で均一にレジストを塗布する。レジストには一般的な感光性樹脂や熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いることが出来る。樹脂は酸素やフッ素を含むガスによるRIEでエッチングされるものが望ましい。
RIE(反応性イオンエッチング)でインプリント後のレジスト残渣除去を行う。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能なICP(inductively coupled plasma)が好適であるが、ECR(electron cyclotron resonance)プラズマや、一般的な並行平板型RIE装置を用いてもよい。レジストに感光性樹脂を用いた場合には、O2ガスまたはCF4ガス、O2とCF4との混合ガスを用いる。レジストにSi系の材料(例えば、SOG(Spin−On−Glass))を用いた場合には、CF4またはSF6等のフッ素ガスRIEを用いる。残渣除去はレジスト下の第2のハードマスクが露出した段階で終了とする。
インプリント及びレジスト残渣除去の後、インプリントされたレジストのパターンを元に、第2のハードマスクをパターニングする。第2のハードマスクのパターニングにはRIEを用いてもよいし、Ar、Kr、Xe等によるイオンビームエッチング法を用いてもよい。例えば、第2のハードマスクの主成分がAl、Si、Ta、Tiであれば、CF4などのフッ素系ガスの使用が好適である。第2のハードマスクの材料がAg、Au、Co、Cr、Cu、Ni、Pd、Ptであれば、Ar等の希ガスによるイオンビームエッチングを用いてもかまわない。第2のハードマスクのパターニングは第1のハードマスクの表面が露出した段階で終了とする。
第1のハードマスクはカーボンを主成分とするため、O2やO3ガスに対する耐性が低く、エッチングレートが速い。そのため、第2のハードマスクをO2やO3ガスに耐性のあるものとすることによって、矩形性のよいマスクを形成することができる。第1のハードマスクのパターニングには、O2やO3を含むガスを用いたRIEが好適である。レジストが、O2ガスまたはO3ガスに対する耐性が弱いものである場合、第1のハードマスクのパターニングと同時に、第2のハードマスクの凸部に残ったレジストを剥離してもよい。第1のハードマスクのパターニングは凹部の磁気記録層の表面が露出するまで行う。
第1のハードマスク53のパターニング後(図3fまたは図4f)、または、磁気記録層52のパターニング後(図5g)、第2のハードマスク54の除去を行う。これは、汚染層59が露出するまで行われる。第2のハードマスク54の除去を行わないと、その後に磁性失活工程を行う場合に、第2のハードマスク54と失活ガスとが反応を起こし、除去困難な再付着物が生じる。加工プロセスの最後(DLC成膜直前)に再付着物を剥離することもできるが、剥離に時間がかかるため記録層にダメージが生じ、磁気記録媒体としての使用が困難になる。
第1のハードマスクは酸素アッシングやICPエッチング装置、RIE装置等で容易に剥離することができる。マスク厚さに対して剥離時間を長くすることは、磁気記録層に酸化によるダメージをもたらし、S/Nを悪化させるため、好ましくない。これを防止する目的で、第1のハードマスクと磁気記録層との間に酸化防止層を設けても良い。
マスク剥離後、非磁性体で凹凸の埋め込みを行ってもよい。埋め込みには、非磁性材料をバイアススパッタ法、または通常のスパッタ法で成膜する。非磁性材料は、無機物や金属、それらの酸化物や窒化物であるSi、SiC、SiC−C、SiOC、SiON、Si3N4、Al、AlxOy、Ti、TiOx、Ru、Pd、NiNb、NiNbTi、NiTa、NiSi、Zr、ZrOx、W、Ta、Cr、CrN、CNの単体または混合物から選択できる。バイアススパッタ法は、基板にバイアスをかけながらスパッタ成膜する方法で、容易に凹凸を埋め込みながら成膜できる。
カーボン保護膜は、凹凸へのカバレッジをよくするためにCVD法で成膜することが望ましいが、スパッタ法または真空蒸着法により成膜してもよい。CVD法によれば、sp3結合炭素を多く含むDLC膜が形成される。膜厚は2nm以下だとカバレッジが悪くなり、10nm以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってSNRが低下するので好ましくない。保護膜上に潤滑剤を塗布する。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
図3に示される方法に従って、DTR媒体を作製した。
図4に示される製造方法に従ってDTR媒体を作製した。図4に示される方法は、図3における図3(g)および図3(h)の工程の順番を入れ替えたものである。従って、本実施例の図4(e)までの工程は、実施例1の図3(e)までの工程と同一である。以下に、図4(f)以降の工程について示す。
図5に示される製造方法に従ってDTR媒体を作製した。図5に示される方法は、図3における図3(f)から図3(h)の工程の順番を入れ替えたものである。従って、本実施例の図5(e)までの工程は、実施例1の図3(e)までの工程と同一である。以下に、図5(f)以降の工程について示す。
実施例1から3の製造方法のそれぞれに、磁気記録層52の還元工程を追加することでDTR媒体を作製した。すなわち、図3(i)と図3(j)の間、図4(i)と図4(j)の間または図5(i)と図5(j)の間に、水素ガスを使用したRIE装置によって、コイルRFパワーを200W、プラテンRFパワーを20Wとし、処理時間20秒間で行う還元工程を行った。
実施例1に記載の製造方法において、汚染層59の除去の工程に使用するCF4とO2との混合ガスの流量比を変更してDTR媒体を作製した。具体的には、CF4の割合を、0.5%、10%、50%または90%として、4種のDTR媒体を作製した。
実施例1に記載の製造方法において、汚染層59の除去の工程に使用する混合ガスのフッ素系ガス種を変更してDTR媒体を作製した。具体的には、フッ素系ガス種を、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、SF6、NF3、CHF3またはHFとして、8種のDTR媒体を作製した。
実施例1の製造方法に基づき、第2のハードマスク54の材料を、Ag、Au、Co、Cr、Cu、Ni、Pd、PtまたはRuへと変更して媒体を作製した。詳細は以下のように行った。
実施例1の製造方法において、第2のハードマスク54の材料を、Si、SiO2、SixNy(ここで、x:y=1:1〜3:4である)、SiON、SiC、Al、TaまたはTiへと変更してDTR媒体を作製した。
実施例1の製造方法において、磁気記録層52の失活に使用するガスを、H2、O2、N2、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、SF6、NF3、CHF3、HF、CO、NH3、Cl2、He、Ar、Ne、KrまたはXeへと変更してDTR媒体を作製した。
実施例9の製造方法において、磁性失活の前に、イオンビームの照射によって磁気記録層52の一部をエッチングする工程を加えて、DTR媒体を作製した。具体的には、図3(g)による汚染層59の除去の後に、以下に説明するエッチングの工程を行い、その終了後に図3(h)による失活の工程を行った。
実施例1の製造方法において、磁気記録層52のパターニングとして、失活工程(図3h)を行う代わりに、ガラス基板51上の下地層が露出するまでエッチングし、磁気記録層52を分断させることで、DTR媒体を作製した。具体的には、図3(h)の工程の代わりに、以下の工程を行った。
実施例1の製造方法において、スタンパ60として図2に示されるドットパターンが形成されたものを使用した点、および、磁気記録層52として、膜厚20nmのCoPt合金を用いた点を変更して、パターンド媒体を作製した。
実施例1の製造方法において、図3(g)に対応する工程を除いた製造方法にてDTR媒体を作製した。すなわち、第2のハードマスク54を除去した後(図3f)、CF4とO2との混合ガスで汚染層59を除去する工程を行わず、そのまま磁性失活の工程(図3h)および第1のハードマスク53の除去の工程(図3i)を行った。
実施例1の製造方法において、比較例1と同様に図3(g)に対応する工程を除き、さらに、図3(i)に対応する第2のハードマスク53の除去の工程において、O2ガスによるエッチング時間を適宜延長した方法によってDTR媒体を作製した。エッチング時間を150秒とした場合に、汚染層の剥離が確認できた。
Claims (11)
- 磁気記録層上に、カーボンを主成分とする第1のハードマスク、Ag、Au、Co、Cr、Cu、Ni、Pd、PtもしくはRu、またはこれらの合金、あるいはSi、SiO 2 、SixNy(ここで、x:y=1:1〜3:4である)、SiON、SiC、Al、TaまたはTiを主成分とする第2のハードマスクおよびレジストを形成し、
前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、
パターン化されたレジストの凹部に残存している残渣を除去し、
パターン化されたレジストをマスクとして、前記第2のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写し、
前記第2のハードマスクをマスクとして、前記第1のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写し、
前記磁気記録層をパターニングし、
前記第1のハードマスクを除去する
ことを含む磁気記録媒体の製造方法において、
前記第1のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写する工程と、前記第1のハードマスクを除去する工程との間に、前記第1のハードマスクの凸部に残存している前記第2のハードマスクを除去し、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによってマスク表面のミキシング層をエッチングにより除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第1のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写する工程の後に、前記第1のハードマスクの凸部に残存している前記第2のハードマスクを除去し、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによってマスク表面のミキシング層をエッチングにより除去し、前記磁気記録層をパターニングし、前記第1のハードマスクを除去することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第1のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写する工程の後に、前記第1のハードマスクの凸部に残存している前記第2のハードマスクを除去し、前記磁気記録層をパターニングし、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによってマスク表面のミキシング層をエッチングにより除去し、前記第1のハードマスクを除去することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第1のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写する工程の後に、前記磁気記録層をパターニングし、前記第1のハードマスクの凸部に残存している前記第2のハードマスクを除去し、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによってマスク表面のミキシング層をエッチングにより除去し、前記第1のハードマスクを除去することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第1のハードマスクを除去した後に、還元ガスの曝露による還元工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記混合ガスにおけるフッ素系ガスの分圧が、0.5%以上90%以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記フッ素系ガスが、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、SF6、NF3、CHF3もしくはHFまたはこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層のパターニングが、反応性ガスによる失活によって行われることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記失活が、H2、O2、O3、N2、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、SF6、NF3、CHF3、HF、CO、NH3、Cl2、He、Ar、Ne、KrもしくはXeのガス、またはそれらの混合ガスによるイオンビームの照射によって行われることを特徴とする請求項8に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記失活の前に、He、Ar、Ne、KrもしくはXeの希ガス、または、O2、N2、Cl2、CF4、NH3もしくはCOによって、前記磁気記録層を15nm以下の深さにエッチングし、凸部との段差をつけることを特徴とする請求項9に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層のパターニングが、He、Ar、Ne、KrもしくはXeの希ガスまたはO2、N2、Cl2、CF4、NH3もしくはCOを用いたエッチングによる、前記磁気記録層の完全な分断であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5244380B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-07-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
JP4776719B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2012164388A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
US8491800B1 (en) * | 2011-03-25 | 2013-07-23 | WD Media, LLC | Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media |
US8525168B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit (IC) test probe |
JP5651616B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
WO2014078800A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Dmitri Litvinov | System and method for selectively removing atoms |
JP2018152418A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びエッチング用マスク |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050468A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
JP2010192070A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5052178A (en) | 1989-08-08 | 1991-10-01 | Cummins Engine Company, Inc. | Unitary hybrid exhaust system and method for reducing particulate emmissions from internal combustion engines |
JP2857671B2 (ja) | 1990-11-27 | 1999-02-17 | 三菱樹脂株式会社 | 可視記録カード |
US5925501A (en) * | 1997-12-15 | 1999-07-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd | Dark CF4 flash |
JP2005008909A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
JP4191096B2 (ja) | 2003-07-18 | 2008-12-03 | Tdk株式会社 | 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP4128509B2 (ja) | 2003-09-26 | 2008-07-30 | Tdk株式会社 | 情報記録媒体製造方法 |
JP3802539B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2006-07-26 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2006032655A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Kyoto Univ | 炭化珪素基板の製造方法 |
JP4881908B2 (ja) | 2007-06-19 | 2012-02-22 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
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JP2005050468A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
JP2010192070A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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