JP4191096B2 - 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4191096B2 JP4191096B2 JP2004174263A JP2004174263A JP4191096B2 JP 4191096 B2 JP4191096 B2 JP 4191096B2 JP 2004174263 A JP2004174263 A JP 2004174263A JP 2004174263 A JP2004174263 A JP 2004174263A JP 4191096 B2 JP4191096 B2 JP 4191096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- mask layer
- magnetic material
- magnetic
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
Description
真空チャンバー内の圧力:1Pa
ソースパワー :1000W
バイアスパワー :50W
真空チャンバー内の圧力:1Pa
ソースパワー :1000W
洗浄時間 :約60秒
上記実施例1に対し、SF6ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、記録要素20Aの上面に残存する第1のマスク層22を除去した後、洗浄を行わないで、50個の試料10を作製し、温度80℃、湿度80%の高温高湿環境に保持された恒温槽内に約40時間載置した。
上記実施例1に対し、SF6ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、記録要素20Aの上面に残存する第1のマスク層22を除去した後、NH3ガスを供給し、プラズマ化しないで、約30分間ドライ洗浄し、50個の試料10を作製した。これらの試料10を、温度80℃、湿度80%の高温高湿環境に保持された恒温槽内に約40時間載置した。
真空チャンバー内の圧力:1Pa
ソースパワー :1000W
真空チャンバー内の圧力:1Pa
ソースパワー :1000W
洗浄時間 :約50秒
上記実施例2に対し、O2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、記録要素20Aの上面に残存する第1のマスク層22を除去した後、洗浄を行わないで、VSMにより記録要素20Aの保磁力を測定した。いずれの試料についても、磁気特性(保磁力)が低下していた。表1に実施例2、比較例3における記録要素20Aの保磁力の測定結果(50個の試料の平均値)を未加工の試料の保磁力の測定結果と対比して示す。
12…ガラス基板
14…下地層
16…軟磁性層
18…配向層
20…磁性薄膜層
22…第1のマスク層
24…第2のマスク層
26…レジスト層
30…反応性イオンエッチング装置
S102、S202…試料の加工出発体作製工程
S104、S204…レジスト層加工工程
S106、S206…第2のマスク層加工工程
S108、S208…第1のマスク層加工工程
S110、S210…磁性薄膜層加工工程
S112、S212…第1のマスク層除去工程
S114、S214…ドライ洗浄工程
Claims (6)
- 磁性材及び該磁性材の上に形成されたマスク層を含む被加工体の前記マスク層を、酸化性を有するガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより加工するマスク層加工工程と、前記磁性材を、前記マスク層に基いて希ガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより加工する磁性材加工工程と、水素元素を含む非酸化物のガスを洗浄用ガスとし、且つ、該洗浄用ガスをプラズマ化して前記磁性材をドライ洗浄するドライ洗浄工程と、を有し、前記マスク層加工工程の後に前記ドライ洗浄工程を実行することを特徴とする磁性材を含む被加工体の加工方法。
- 磁性材及び該磁性材の上に形成されたマスク層を含む被加工体の前記磁性材を、前記マスク層に基いて希ガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより加工する磁性材加工工程と、前記マスク層を、酸化性を有するガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより除去するマスク層除去工程と、水素元素を含む非酸化物のガスを洗浄用ガスとし、且つ、該洗浄用ガスをプラズマ化して前記磁性材をドライ洗浄するドライ洗浄工程と、を有し、前記マスク層除去工程の後に前記ドライ洗浄工程を実行することを特徴とする磁性材を含む被加工体の加工方法。
- 請求項1又は2において、
前記ドライ洗浄工程は、前記洗浄用ガスとして、アンモニアガス、水素ガス、水素ガスと窒素ガスとの混合ガス、オレフィン系炭化水素ガス、アセチレン系炭化水素ガスのうち、少なくとも一種類のガスを含むガスを用いるようにしたことを特徴とする磁性材を含む被加工体の加工方法。 - 請求項1において、
前記マスク層加工工程は、前記酸化性を有するガスとして、ハロゲン系ガス、酸素、オゾンのうち、少なくとも一種類のガスを含むガスを用いるようにしたことを特徴とする磁性材を含む被加工体の加工方法。 - 請求項2において、
前記マスク層除去工程は、前記酸化性を有するガスとして、ハロゲン系ガス、酸素、オゾンのうち、少なくとも一種類のガスを含むガスを用いるようにしたことを特徴とする磁性材を含む被加工体の加工方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の磁性材を含む被加工体の加工方法を用いて、磁性層を含む磁気記録媒体を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004174263A JP4191096B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-06-11 | 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
US10/892,373 US20050060874A1 (en) | 2003-07-18 | 2004-07-16 | Method for processing work piece including magnetic material and method for manufacturing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003276571 | 2003-07-18 | ||
JP2004174263A JP4191096B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-06-11 | 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005056547A JP2005056547A (ja) | 2005-03-03 |
JP4191096B2 true JP4191096B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=34315598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004174263A Expired - Fee Related JP4191096B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-06-11 | 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050060874A1 (ja) |
JP (1) | JP4191096B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8206602B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-06-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4528677B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | パターンド媒体の製造方法及び製造装置 |
JP4221415B2 (ja) | 2006-02-16 | 2009-02-12 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP4421582B2 (ja) | 2006-08-15 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2008065944A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Ulvac Japan Ltd | 磁性層パターンの形成方法、磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気記憶媒体の製造方法 |
TW200910336A (en) * | 2007-07-18 | 2009-03-01 | Ulvac Inc | Method for manufacturing perpendicular magnetic recording media |
JP4843825B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2011-12-21 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
JP4445538B2 (ja) | 2007-09-26 | 2010-04-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP5105248B2 (ja) | 2008-08-26 | 2012-12-26 | 富士電機株式会社 | 凹凸パターンの形成方法およびパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 |
JP4776719B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP4869396B2 (ja) | 2009-12-07 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 電鋳用原盤、及びその製造方法 |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
JP5106659B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2012-12-26 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
JP5914007B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-05-11 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP6661283B2 (ja) | 2015-05-14 | 2020-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089441A (en) * | 1990-04-16 | 1992-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers |
US5350484A (en) * | 1992-09-08 | 1994-09-27 | Intel Corporation | Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects |
KR0179116B1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-03-20 | 구자홍 | 자가정렬형 티형 게이트 제조방법 |
US6149483A (en) * | 1998-07-30 | 2000-11-21 | Candescent Technologies Corporation | Cleaning of components of flat panel display |
US6204192B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-03-20 | Lsi Logic Corporation | Plasma cleaning process for openings formed in at least one low dielectric constant insulation layer over copper metallization in integrated circuit structures |
US6090707A (en) * | 1999-09-02 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a conductive silicide layer on a silicon comprising substrate and method of forming a conductive silicide contact |
US6758223B1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-07-06 | Infineon Technologies Ag | Plasma RIE polymer removal |
JP2002103207A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-09 | Hitachi Ltd | 乾式化学機械研磨方法 |
MY134099A (en) * | 2000-11-28 | 2007-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transferring method, and method and apparatus for cleaning magnetic transfer master medium |
TW527646B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-11 | United Microelectronics Corp | Method for pre-cleaning residual polymer |
US7061716B2 (en) * | 2003-01-30 | 2006-06-13 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
US6987645B2 (en) * | 2003-04-01 | 2006-01-17 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, and thin-film magnetic head substructure |
-
2004
- 2004-06-11 JP JP2004174263A patent/JP4191096B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-16 US US10/892,373 patent/US20050060874A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8206602B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-06-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005056547A (ja) | 2005-03-03 |
US20050060874A1 (en) | 2005-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4191096B2 (ja) | 磁性材を含む被加工体の加工方法及び磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4626600B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4357570B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4489132B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4309945B1 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4223348B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
JP2001274144A (ja) | ドライエッチング方法、微細加工方法及びドライエッチング用マスク | |
JP4309944B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2008065944A (ja) | 磁性層パターンの形成方法、磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気記憶媒体の製造方法 | |
JP2007257801A (ja) | パターンド媒体の製造方法 | |
US20050161427A1 (en) | Method of working a workpiece containing magnetic material and method of manufacturing a magnetic recording medium | |
WO2005015549A1 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
JP4170165B2 (ja) | 反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法 | |
US20080149590A1 (en) | Substrate-Holder, Etching Method of the Substrate, and the Fabrication Method of a Magnetic Recording Media | |
JP2009015892A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 | |
JPH08253881A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2001274143A (ja) | ドライエッチング方法、微細加工方法及びドライエッチング用マスク | |
JP2009169993A (ja) | パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2004269910A (ja) | 磁性材のドライエッチング方法、磁性材及び磁気記録媒体 | |
JP3131594B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP4538090B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5106659B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
WO2011048746A1 (ja) | 磁気転写用原盤の製造方法 | |
JP5605941B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2005093672A (ja) | プラズマ処理装置及び情報記録媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080916 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |