JP2000293893A

JP2000293893A - 情報記録媒体

Info

Publication number: JP2000293893A
Application number: JP11096519A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Uchiyama; 浩内山; Susumu Haga; 進芳賀
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-04-02
Filing date: 1999-04-02
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂製の基板を用いた情報記録媒体におい
て、基板へのクラックの発生を効果的に抑制すると共
に、良好なＣＳＳ特性を発揮させる。【解決手段】樹脂基板２上に形成される積層膜６の内
部応力を０．３ＧＰａ以下にすると共に、下地膜３の平
均結晶粒径を３〜３０ｎｍの範囲内にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂製の基板上
に、少なくとも下地膜を介して情報記録膜が形成されて
なる情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの記憶装置等として、従来
より、ハードディスクシステムが普及している。このハ
ードディスクシステムは、一般に、表面が高精度に研磨
されたアルミニウム等の金属板やガラス等よりなる基板
上に、Ｃｒを主体とする下地膜やＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金
等の磁気記録膜、Ｃを主体とする保護膜等が形成されて
なる磁気ディスクを記録媒体として用いている。そし
て、ハードディスクシステムは、この磁気ディスクの信
号記録領域上に、磁気ヘッドを搭載した浮上スライダを
所定の浮上量で浮上させて、信号の書き込み及び／又は
読み出しを行うようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このハード
ディスクシステムにおいては、広く普及するに従って低
価格化が求められてきている。そして、この低価格化の
要求に応えるために、磁気ディスクのディスク基板とし
て、光ディスク等で一般的に用いられている樹脂製のデ
ィスク基板を適用することが検討されている。

【０００４】ディスク基板の材料として樹脂材料を用い
るようにすれば、材料自体のコストが大幅に削減される
ことに加えて、射出成形によりサーボ信号等をプリフォ
ーマットすることが容易に行えるので、磁気ディスクの
製造コストを大幅に削減することが可能となる。

【０００５】しかしながら、樹脂製のディスク基板を磁
気ディスクの基板として用いた場合には、以下のような
問題が生じていた。すなわち、樹脂製のディスク基板上
に、スパッタリング等によりＣｒを主体とする保護膜を
形成する際に、樹脂製のディスク基板にクラックが発生
してしまう場合があった。磁気ディスクは、ディスク基
板にクラックが発生すると、適切に信号の記録再生を行
うことが阻害されるばかりでなく、磁気記録膜の変質が
増長されてしまう。したがって、ディスク基板にクラッ
クが発生した磁気ディスクは、クラックが生じた箇所の
みでなく磁気ディスク全体が不良となってしまう。

【０００６】また、ハードディスクシステムにおいて
は、磁気ディスクが停止しているときは、磁気ヘッドを
搭載した浮上スライダを磁気ディスクに接触させてお
き、記録再生時は、磁気ディスクを回転操作させること
により生じる空気流により浮上スライダを浮上させるよ
うにしているので、磁気ディスクに対しては、起動時又
は停止時における浮上スライダとの接触や摩擦に対する
耐久性、いわゆるＣＳＳ（Contact Start and Stop）特
性が良好であることが望まれる。

【０００７】本発明は、以上のような点に鑑みて創案さ
れたものであり、樹脂製の基板を用いた情報記録媒体に
おいて、基板へのクラックの発生が効果的に抑制される
と共に、良好なＣＳＳ特性を発揮して、ハードディスク
システムの記録媒体として好適な情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意検討を重ねた結果、樹脂製の基板上に形
成される積層膜の内部応力が大きいと、これに起因し
て、樹脂製の基板にクラックが発生してしまうことを見
出すに至った。

【０００９】また、本発明者は、上記課題を解決すべく
鋭意検討を重ねた結果、Ｃｒを主体とする下地膜の結晶
粒径を制御することにより、ＣＳＳ特性の向上を図るこ
とができることを見出すに至った。

【００１０】本発明に係る情報記録媒体は、以上のよう
な知見に基づいて創案されたものであって、樹脂製の基
板上に、少なくとも情報記録膜とこの情報記録膜の下地
となるＣｒを主体とした下地膜とを有する積層膜が形成
されてなり、上記積層膜の内部応力が０．３ＧＰａ以下
とされていると共に、上記下地膜の平均結晶粒径が３〜
３０ｎｍの範囲内とされていることを特徴としている。

【００１１】この情報記録媒体は、積層膜の内部応力が
０．３ＧＰａ以下とされていることにより、樹脂製の基
板に対するクラックの発生が効果的に抑制される。ま
た、この情報記録媒体は、Ｃｒを主体とした下地膜の平
均結晶粒径が３ｎｍ以上とされていることにより、良好
なＣＳＳ特性を発揮することができる。なお、下地膜の
平均結晶粒径が３０ｎｍを超えると、情報記録膜のＳ／
Ｎが大幅に低下するので望ましくない。

【００１２】上記積層膜の内部応力を０．３ＧＰａ以下
とし、また、上記下地膜の平均結晶粒径を３〜３０ｎｍ
の範囲内にするには、例えば、樹脂製の基板上に積層膜
を構成する各膜をスパッタリング等により成膜する際の
ガス圧等を調整し、最適な条件下で積層膜を構成する各
膜を成膜するようにすればよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。なお、ここでは、本発明をハード
ディスクシステムの記録媒体として構成される磁気ディ
スク１に適用した例について説明するが、本発明に係る
情報記録媒体はこの例に限定されるものではなく、樹脂
製の基板上に下地膜と情報記録膜とを含む積層膜が形成
されてなるあらゆる情報記録媒体に対して適用可能であ
る。

【００１４】本発明を適用した磁気ディスクの要部を拡
大した断面図を図１に示す。この図１に示す磁気ディス
ク１は、ハードディスクシステムの記録媒体として用い
られるものであり、樹脂材料がディスク状に成形されて
なる樹脂基板２を備え、この樹脂基板２の一主面２ａ上
に、磁気記録膜の下地となる下地膜３と、磁気記録膜４
と、磁気記録膜４を保護する保護膜５とが、この順で順
次積層されてなる。そして、この磁気ディスク１は、ス
ピンドルモータ等により回転操作され、当該磁気ディス
ク１上を所定の浮上量で浮上する浮上スライダに搭載さ
れた磁気ヘッドにより、磁気記録膜４に対して信号が書
き込まれ、又は磁気記録膜４に書き込まれた信号が読み
出される。

【００１５】樹脂基板２は、例えば、熱可塑性樹脂等の
樹脂材料が射出成形等によりディスク状に成形されてな
る。この樹脂基板２の一主面２ａ上には、サーボ信号等
を示す凹凸が予め形成されていることが望ましい。この
凹凸は、樹脂基板２を射出成形する際にこの凹凸の反転
パターンを有するスタンパ或いは金型を用いることによ
り形成することができる。

【００１６】下地膜３は、磁気記録膜４の磁場配向を円
周方向に揃え、磁気記録膜４の磁気特性を良好なものと
するためのものであり、例えば、Ｃｒや、Ｃｒ−Ｘ（Ｘ
＝Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ）等のＣｒ合金等が、スパッタリング
等により、樹脂基板２の一主面２ａ上に成膜されてな
る。

【００１７】この下地膜３の膜厚は、３０〜１００ｎｍ
の範囲内とされていることが望ましい。下地膜３の膜厚
が３０ｎｍよりも薄いと、磁気記録膜４の磁気特性を良
好なものとする下地膜３本来の機能が十分に発揮されな
い。また、下地膜３の膜厚が１００ｎｍを超えると、下
地膜３の内部応力が非常に大きくなってしまい、樹脂基
板２にクラックを発生させる要因となる。

【００１８】また、下地膜３は、その平均結晶粒径が３
ｎｍ以上とされていることが望ましく、５ｎｍ以上とさ
れていることがより望ましい。下地膜３の平均結晶粒径
が３ｎｍ以上とされることにより、磁気ディスク１は、
良好なＣＳＳ特性を発揮し、下地膜３の平均結晶粒径が
５ｎｍ以上とされた場合には、磁気ディスク１は更に良
好なＣＳＳ特性を発揮することができる。一方、下地膜
３の平均結晶粒径が３０ｎｍを超えると、磁気記録膜４
のＳ／Ｎを大幅に低下させてしまうので、望ましくな
い。

【００１９】なお、下地膜３は、樹脂基板２の一主面２
ａ上に直接成膜されるのではなく、いわゆるＳｅｅｄ層
となるＮｉ−Ｐ膜やＴｉ膜、Ｃ膜等を介して、樹脂基板
２の一主面２ａ上に形成されるようにしてもよい。

【００２０】磁気記録膜４は、例えば、ＣｏＰｔＣｒ合
金等の磁性材料が、スパッタリング等により、例えば、
２５ｎｍ程度の膜厚で、下地膜３上に成膜されてなる。

【００２１】また、保護膜５は、例えば、Ｃ等の材料
が、スパッタリング等により、例えば、２０ｎｍ程度の
膜厚で、磁気記録膜４上に成膜されてなる。

【００２２】そして、以上のように構成される磁気ディ
スク１は、樹脂基板２の一主面２ａ上に積層形成された
下地膜３、磁気記録膜４、保護膜５、或いはこれらの間
に付加された例えばＳｅｅｄ層等の他の膜を含めた全体
（以下、これら樹脂基板２の一主面２ａ上に積層形成さ
れた膜の全体を積層膜６という。）の内部応力が、０．
３ＧＰａ以下とされている。この磁気ディスク１は、積
層膜６の内部応力が０．３ＧＰａ以下とされていること
により、樹脂基板２にクラックが発生するといった不都
合が有効に防止され、信号の記録再生を適切に行うこと
ができる。

【００２３】以上のように構成される磁気ディスク１
は、例えば、図２に示すようなインライン型のスパッタ
リング装置により、樹脂基板２の一主面２ａ上に、積層
膜６を構成する下地膜３、磁気記録膜４、保護膜５等が
順次成膜されることにより製造される。

【００２４】この図２に示すインライン型のスパッタリ
ング装置１０は、インライン（直線状）に配列された複
数のチャンバ１１，１２，１３を備えている。これら複
数のチャンバ１１，１２，１３には、それぞれ、排気口
１４が設けられており、この排気口１４を介して真空ポ
ンプ１５が接続されている。そして、これら各チャンバ
１１，１２，１３内は、真空ポンプ１５により所定の真
空度に排気することができるようになされている。

【００２５】また、複数のチャンバ１１，１２，１３に
は、それぞれ、ガス導入口１６が設けられており、この
ガス導入口１６を介してスパッタガス供給源１７が接続
されている。そして、これら各チャンバ１１，１２，１
３内には、Ａｒガス等のスパッタガスが、スパッタガス
供給源１７から供給されるようになされている。

【００２６】また、複数のチャンバ１１，１２，１３内
には、それぞれ、ターゲットを保持するターゲットホル
ダ１８が配設されている。これらターゲットホルダ１８
は、それぞれ、図示しないターゲット電極に接続されて
おり、このターゲット電極に、例えば６００〜８００Ｖ
のマイナス電位を印加することにより、ターゲットホル
ダ１８に保持されたターゲットをスパッタリングするこ
とができるようになされている。

【００２７】また、複数のチャンバ１１，１２，１３の
いずれか一つのチャンバ内には、基板が載置されるパレ
ット１９が設けられている。このパレット１９は、複数
のチャンバ１１，１２，１３間を自由に移動することが
できるようになされている。

【００２８】このインライン型のスパッタリング装置１
０を用いて磁気ディスク１を製造する際は、先ず、チャ
ンバ１１のターゲットホルダ１８に下地膜３を構成する
材料、例えばＣｒのターゲットを保持させ、チャンバ１
２のターゲットホルダ１８に磁気記録膜４を構成する材
料、例えばＣｏＰｔＣｒのターゲットを保持させ、チャ
ンバ１３のターゲットホルダ１８に保護膜５を構成する
材料、例えばＣのターゲットを保持させる。

【００２９】また、パレット１９上に樹脂基板２を載置
し、このパレット１９をチャンバ１１内に移動させて、
樹脂基板２の一主面２ａをターゲットホルダ１８に保持
されたＣｒのターゲットに対向させる。そして、各チャ
ンバ１１，１２，１３内を真空ポンプ１５により所定の
真空度、例えば２Ｅ^-5Ｐａ程度に排気する。

【００３０】その後、スパッタガス供給源１７より、Ｃ
ｒターゲットが配設されたチャンバ１１内に、例えば
２．０Ｐａ程度のガス圧でＡｒガス等のスパッタリング
ガスを導入し、例えば３００Ｗ程度の電力にてＣｒター
ゲットのスパッタリングを行い、樹脂基板２の一主面２
ａ上に、３０〜１００ｎｍの膜厚で下地膜３を成膜す
る。

【００３１】次に、パレット１９をチャンバ１２内に移
動させて、下地膜３が成膜された樹脂基板２の一主面２
ａをターゲットホルダ１８に保持されたＣｏＰｔＣｒの
ターゲットに対向させる。そして、スパッタガス供給源
１７より、ＣｏＰｔＣｒターゲットが配設されたチャン
バ１２内に、例えば１．０Ｐａのガス圧でＡｒガス等の
スパッタリングガスを導入し、例えば３５０Ｗ程度の電
力にてＣｏＰｔＣｒターゲットのスパッタリングを行
い、樹脂基板２の一主面２ａ上に形成された下地膜３上
に、２５ｎｍ程度の膜厚で磁気記録膜４を成膜する。

【００３２】次に、パレット１９をチャンバ１３内に移
動させて、下地膜３及び磁気記録膜４が成膜された樹脂
基板２の一主面２ａをターゲットホルダ１８に保持され
たＣのターゲットに対向させる。そして、スパッタガス
供給源１７より、Ｃターゲットが配設されたチャンバ１
３内に、例えば０．６Ｐａ程度のガス圧でＡｒガス等の
スパッタリングガスを導入し、例えば４５０Ｗ程度の電
力にてＣターゲットのスパッタリングを行い、磁気記録
膜４上に、２０ｎｍ程度の膜厚で保護膜５を成膜する。

【００３３】以上のようにして、樹脂基板２の一主面２
ａ上に下地膜３と磁気記録膜４と保護膜５とを順次成膜
した後に、保護膜５上にフッ素系潤滑剤を塗布すること
により、ハードディスクシステムの記録媒体として用い
られる磁気ディスク１が完成する。

【００３４】以上のように製造される磁気ディスク１
は、樹脂基板２の一主面２ａ上に積層形成された下地膜
３と磁気記録膜４と保護膜５とを含む積層膜６の内部応
力が０．３ＧＰａ以下とされているので、樹脂基板２に
クラックが発生するといった不都合が有効に防止され
る。また、この磁気ディスク１は、下地膜３の平均結晶
粒径が３〜３０ｎｍの範囲内とされているので、良好な
ＣＳＳ特性を発揮することができると共に、磁気記録膜
４のＳ／Ｎの低下を招くことなく、適切に情報の記録再
生を行うことができる。

【００３５】

【実施例】本発明の効果を確認すべく、積層膜の内部応
力とクラック発生との関係を調査すると共に、実際に磁
気ディスクを作製し、下地膜の平均結晶粒径とＣＳＳ特
性との関係を調査した。

【００３６】積層膜の内部応力とクラックの発生との関
係先ず、積層膜を構成する下地膜、磁気記録膜及び保護
膜の内部応力とスパッタリングガスのガス圧との関係を
確認するために、直径１０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍの光学
的に平らな円形のガラス板上に、スパッタリングガス
（Ａｒガス）のガス圧を変化させながら膜厚が５０ｎｍ
のＣｒ膜、膜厚が２５ｎｍのＣｏＰｔＣｒ膜、膜厚が２
０ｎｍのＣ膜をそれぞれスパッタリングにより形成し
た。そして、それぞれの膜が形成されたガラス板のニュ
ートンリングの数を測定し、このニュートンリングの数
を基にして、以下のような方法でそれぞれの膜の内部応
力を計算した。

【００３７】円形のガラス板上に厚さｄの薄膜を形成す
ることによりガラス板が変形し、曲率半径ｒが得られた
とき、このガラス板上に形成された薄膜の内部応力α
は、ガラス板のヤング率をＥ（７．０×１０¹⁰Ｐａ）と
し、ガラス板の厚さをｂ（０．１×１０^-3ｍ）とし、ポ
アソン比をν（０．２）とすると、以下の式（１）で求
められる。

【００３８】 α＝Ｅｂ²／６（１−ν）ｒｄ・・・（１）ここで、曲率半径ｒは、ガラス板の半径Ｒとニュートン
リングの数ｎから求めることができる。すなわち、図３
に示すように、変形したガラス板の変形高さをｈとする
と、Ｒ・ｓｉｎθ＝ｈ、ｒ・ｓｉｎθ＝Ｒｃｏｓθと表
される。ここで、θ≒０の場合、ｓｉｎθ＝ｔａｎθ＝
θであることから、Ｒ・θ＝ｈ、ｒ・θ＝Ｒとなり、ｒ
＝Ｒ²／ｈと表される。

【００３９】ここで、今回の測定において使用した緑色
フィルタの波長は５４６．１ｎｍであるので、ガラス板
の変形高さｈは、５４６．１×ｎ（ｎｍ）で表される。
したがって、曲率半径ｒは、以下の式（２）で求められ
る。

【００４０】ｒ≒Ｒ²／５４６・ｎ・・・（２）以上の式（１）及び式（２）により、ニュートンリング
の数を基にして、上記各膜の内部応力を計算した。結果
を図４に示す。

【００４１】この図４から、Ｃｒ膜の内部応力は、スパ
ッタリングガスのガス圧に大きく依存し、スパッタリン
グガスのガス圧が０．１〜１．５Ｐａの条件下で成膜さ
れたＣｒ膜には、大きな引っ張り応力が働いていること
が分かる。これに対して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜及びＣ膜
の内部応力は、スパッタリングガスのガス圧にあまり依
存せず、常に所定の圧縮応力が働いていることが分か
る。

【００４２】次に、スパッタリングガスのガス圧を変化
させながら樹脂基板上にＣｒ膜を成膜し、このＣｒ膜上
にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜とＣ膜とを成膜して積層膜を形成
し、積層膜の内部応力とスパッタリングガスのガス圧と
の関係を調べた。結果を図５に示す。

【００４３】この図５から、Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
膜、Ｃ膜が積層されてなる積層膜には、Ｃｒ膜の引っ張
り応力が大きく作用し、全体として、Ｃｒ膜成膜時のス
パッタリングガスのガス圧に依存する引っ張り応力が働
いていることが分かる。そして、積層膜の内部応力が
０．３ＧＰａを超えたときにのみ樹脂基板にクラックが
発生することが分かった。

【００４４】以上の結果から、Ｃｒ膜成膜時のスパッタ
リングガスのガス圧を調整し、積層膜の内部応力を０．
３ＧＰａ以下とすることにより、樹脂基板に対するクラ
ックの発生を効果的に防止することができることが分か
った。

【００４５】下地膜の平均結晶粒径とＣＳＳ特性との関
係次に、下地膜の平均結晶粒径とＣＳＳ特性との関係を調
べるために、実際に樹脂基板を用いた磁気ディスクを製
造した。

【００４６】先ず、樹脂基板を成形するためのスタンパ
を、光ディスク用のスタンパ作製方法と同様の方法で作
製した。

【００４７】具体的には、先ず、表面が高精度に研磨さ
れたガラス基板上にレジストを塗布し、このレジストに
対してレーザカッティングを行った。ここでは、樹脂基
板の信号記録領域に、深さ２００ｎｍ程度、凸部の幅
（トラック幅）が３．２μｍ程度の凹凸パターンが同心
円状に形成され、その内周部にＣＳＳ特性を測定するた
めのパターンが形成されるようにレーザ光を変調してパ
ターン露光を行い、現像工程、レジスト剥離工程を経て
レジストパターンを得た。次に、レジストパターンが形
成されたガラス基板に対してＮｉメッキを施し、レジス
トパターンに応じた凹凸パターンを有するＮｉメッキ層
を形成した。次に、このＮｉメッキ層をレジストパター
ンが形成されたガラス基板から剥離し、凹凸パターンが
形成された側と逆側を研磨し、所定の厚みに整えてスタ
ンパを得た。

【００４８】次に、このスタンパを用いて、熱可塑性樹
脂材料を射出成形し、樹脂基板を作製した。熱可塑性樹
脂材料としては、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＥ
Ｘ」（商品名）を用いた。得られた樹脂基板の表面平均
粗さＲａは、ＡＦＭ（AtomicForce Microscope）で測定
したところ、殆どが１ｎｍ以下であり、最も粗いもので
も２ｎｍ以下であった。また、最大突起高さは、２５ｎ
ｍ以下であった。

【００４９】次に、先に図２で示したスパッタリング装
置１０を用いて、樹脂基板の一主面上にＣｒ下地膜、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒ磁気記録膜、Ｃ保護膜を順次成膜した。
それぞれの膜の成膜速度は、Ｃｒ下地膜を２ｎｍ／ｓｅ
ｃ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ磁気記録膜を２ｎｍ／ｓｅｃ、Ｃ
保護膜を０．５ｎｍ／ｓｅｃに設定した。そして、Ｃｒ
下地膜の膜厚を変化させると共に、Ｃｒ下地膜を成膜す
る際のスパッタリングガス（Ａｒガス）のガス圧を変化
させ、８枚のサンプルを作製した。

【００５０】以上のように作製された８枚のサンプルに
それぞれフッ素系潤滑剤を塗布し、その内周部に形成さ
れたＣＳＳ特性測定用のパターンを利用して、ＣＳＳ特
性を評価した。ＣＳＳ特性の評価は、磁気ヘッドを搭載
した浮上スライダを接触させた状態でサンプルとなる磁
気ディスクを回転操作させて浮上スライダを浮上させ、
その後、磁気ディスクを停止させて浮上スライダを磁気
ディスク上に接触させるまでを１ｃｙｃｌｅとし、所定
の摩擦力以下で適切に浮上スライダを浮上又は接触させ
ることができる回数を測定することにより行った。結果
を表１に示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１に示した結果から、磁気ディスクのＣ
ＳＳ特性は、Ｃｒ下地膜を形成する際のスパッタリング
ガスのガス圧に依存し、このガス圧が高すぎると、磁気
ディスクのＣＳＳ特性が劣化することが分かった。

【００５３】また、これらサンプルとなる磁気ディスク
のＣｒ下地膜の平均結晶粒径を調べるために、これらサ
ンプルとなる磁気ディスクをトルエンに浸して樹脂基板
を溶融し、積層膜のみを取り出した。そして、Ｃｒ下地
膜の結晶粒の平均的な大きさを走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて測定した。結果を表１に合わせて示す。

【００５４】その結果、上述したＣＳＳ特性の評価で１
００００ｃｙｃｌｅ以上の良好なＣＳＳ特性を示したサ
ンプルは、Ｃｒ下地膜の平均結晶粒径が３ｎｍ以上であ
り、上述したＣＳＳ特性の評価で５００００ｃｙｃｌｅ
以上の特に良好なＣＳＳ特性を示したサンプルは、Ｃｒ
下地膜の平均結晶粒径が５ｎｍ以上であることが分かっ
た。以上の結果から、スパッタリングガスのガス圧を
調整してＣｒ下地膜の平均結晶粒径を３ｎｍ以上、好ま
しくは、５ｎｍ以上とすることにより、磁気ディスクの
ＣＳＳ特性を良好なものとすることができることが分か
った。

【００５５】なお、磁気ディスクは、Ｃｒ下地膜の平均
結晶粒径が大きければ大きいほど、そのＣＳＳ特性は良
好なものとなるが、Ｃｒ下地膜の平均結晶粒径が３０ｎ
ｍを超えると、磁気記録膜のＳ／Ｎが低下する。したが
って、磁気ディスクは、Ｃｒ下地膜の平均結晶粒径が３
〜３０ｎｍの範囲内とされていることが望ましく、Ｃｒ
下地膜の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍの範囲内とされて
いることがより望ましい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る情報
記録媒体は、樹脂基板上に形成された積層膜の内部応力
が０．３ＧＰａ以下とされているので、樹脂基板にクラ
ックが発生するといった不都合を有効に防止することが
できる。

【００５７】また、この情報記録媒体は、下地膜の平均
結晶粒径が３〜３０ｎｍの範囲内とされているので、良
好なＣＳＳ特性を発揮することができると共に、磁気記
録膜のＳ／Ｎの低下を招くことなく、適切に情報の記録
再生を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る情報記録媒体の要部断面図であ
る。

【図２】上記情報記録媒体の製造に用いられるスパッタ
リング装置の模式図である。

【図３】薄膜の内部応力の測定の仕方を説明するための
図である。

【図４】下地膜、情報記録膜、保護膜の成膜時のガス圧
と内部応力との関係を示す図である。

【図５】積層膜形成時のガス圧と内部応力との関係を示
す図である。

【符号の説明】

１磁気ディスク、２樹脂基板、３下地膜、４磁
気記録膜、５保護膜、６積層膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製の基板上に、少なくとも情報記録
膜とこの情報記録膜の下地となるＣｒを主体とした下地
膜とを有する積層膜が形成されてなり、上記積層膜の内部応力が０．３ＧＰａ以下とされている
と共に、上記下地膜の平均結晶粒径が３〜３０ｎｍの範囲内とさ
れていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】上記下地膜の膜厚が、３０〜１００ｎｍ
の範囲内とされていることを特徴とする請求項１記載の
情報記録媒体。
【請求項３】上記下地膜がＣｒよりなることを特徴と
する請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項４】上記下地膜が、Ｃｒ_(100-y)−Ｘ_y（Ｘ＝
Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏのいずれかであり、１０≦ｙ≦３０であ
る）よりなることを特徴とする請求項１記載の情報記録
媒体。