JPH11306533A

JPH11306533A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11306533A
Application number: JP11381398A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Uchiyama; 浩内山; Susumu Haga; 進芳賀
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-04-23
Filing date: 1998-04-23
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】更なる高記録密度化が実現されノイズが低減
される磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気ディスク１は、基板２上に形成され
Ｃｒを含む非磁性層３と、非磁性層３上に形成されＣｏ
ＰｔＣｒ合金を含む磁性層４とを備え、中心線平均粗さ
Ｒａが２ｎｍ〜３ｎｍである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ等に用いる磁気記録媒体に関し、詳しくは、基板
上に形成される非磁性層及び磁性層の構成の改良に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録分野においては、年々高記録密
度化が要求されており、加えて信号形態もアナログ信号
からデジタル信号に変わる傾向にあるため、高記録密度
化とともに信号形態に合わせた磁気記録媒体の設計が必
要となってくる。

【０００３】従来の磁気記録方式としては、磁気記録媒
体とリング形ヘッドとを組み合わせた方式が主流であっ
た。しかし、この磁気記録方式では、磁気記録媒体のト
ラック密度を上げた場合に、リング形ヘッドからの出力
が極端に少なくなり、必要とするＳ／Ｎを得ることがで
きないため、結果的に磁気記録媒体の高記録密度化に限
界があった。

【０００４】そこで、近年、磁気記録分野における再生
専用ヘッドとして、磁気抵抗効果を用いたいわゆる磁気
抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）
の開発が進められており、実際に、ハードディスクにお
いて実用化されている。このＭＲヘッドは、単位長さに
入る磁束量変化によって出力が決まるため、基本的に
は、トラック密度をいくら高めても出力の減少は生じな
い。よって、このような再生専用のＭＲヘッドを用いる
ことにより、磁気記録媒体のトラック密度を大幅に増大
することが可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、磁気記録媒体
の記録密度を向上させるには、線記録密度と、トラック
密度を上げる２つの方法がある。

【０００６】ＭＲヘッドを用いて磁気記録媒体の記録密
度を飛躍的に増大させることは、磁気記録媒体のトラッ
ク密度についてであり、線記録密度を大幅に増大させる
ものではない。そのため、ＭＲヘッドを用いた磁気記録
媒体の高記録密度化は、磁気記録媒体のトラックの高密
度化しか実現できないため、おのずと限界がある。

【０００７】しかも、このＭＲヘッドを用いて磁気記録
媒体の記録密度を飛躍的に増大させると、この磁気記録
媒体から得られる出力に対するノイズ量が問題となる。
具体的には、ＭＲヘッドに配されるアンプのノイズが小
さいことから、磁気記録媒体自体からのノイズが特に目
立ってしまい、信号とノイズの比を表すＳ／Ｎが小さく
なる。

【０００８】このため、磁気記録媒体からのノイズを下
げるために、アルミニウム製基板やガラス製基板におい
ては、高温下で磁性層をスパッタリングにより形成する
ことによって、磁性層の組成を制御している。

【０００９】ところが、ガラス転移温度１３０℃程度で
あるプラスチックを用いた基板においては、１００℃以
上の高温下で用いることは不可能である。このことか
ら、プラスチック製基板を用いた磁気記録媒体を作製す
る際には、高温下で磁性層を成膜するという方法を用い
ることはできない。

【００１０】また、磁性層中にＳｉＯ₂、ＣｏＯ等の酸
化物を混入したり、或いは磁性層形成中の雰囲気内に酸
素を導入することにより、磁気記録媒体からのノイズを
低減する方法も提案されている。

【００１１】ところが、このような磁気記録媒体におい
ては、酸化物に起因する錆びの進行が他の媒体に比べて
早くなる欠点がある。

【００１２】そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、更なる高記録密度化が実現
されノイズが低減される磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の課題
を解決するため、鋭意研究を重ねた結果、磁気記録媒体
の中心線平均粗さＲａが磁気記録媒体のＳ／Ｎに密接に
関連することを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００１４】すなわち、本発明に係る磁気記録媒体は、
基板上に形成されＣｒを含む非磁性層と、非磁性層上に
形成されＣｏＰｔＣｒ合金を含む磁性層とを備え、中心
線平均粗さＲａが２ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴とす
るものである。

【００１５】このように、本発明に係る磁気記録媒体
は、中心線平均粗さＲａが規定されているため、表面性
が磁気特性及び電磁変換特性に対して最適化され、高い
保磁力が確保されるとともにＳ／Ｎが向上する。

【００１６】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、圧力が１．５Ｐａ〜５．０Ｐａの雰囲気条件下で
Ｃｒを含む材料を用いて基板上に非磁性層を成膜する工
程と、上記非磁性層上にＣｏＰｔＣｒ合金を含む材料を
用いて磁性層を成膜する工程とを備えることを特徴とす
る。

【００１７】このように、本発明に係る磁気記録媒体の
製造方法は、非磁性層の成膜条件が規定されることによ
り、高い保磁力が確保されるとともにＳ／Ｎが向上され
た磁気記録媒体が得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は、本発明を適用
した磁気ディスク１の要部断面図である。

【００１９】本発明を適用した磁気ディスク１は、基板
２上に、非磁性層３、磁性層４、保護層５がこの順で積
層形成されている。

【００２０】基板２は、一主面２ａ上に、記録トラック
に沿って所定の凹凸パターンが形成されている。これら
凹凸パターンは、ガードバンドやサーボ信号や読み出し
専用信号等に対応して形成されている。この基板２とし
ては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）等よりなるプラスチック製
基板や、ガラス製基板や、Ａｌ等よりなる金属製基板等
が挙げられる。そして、基板２は、例えば、射出成形法
やフォトポリマー法（２Ｐ法）等によって成形される。
この基板２は、一主面２ａにおいて、中心線平均粗さＲ
ａが２ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは
１ｎｍである。

【００２１】なお、本発明は、プラスチック製基板を用
いた磁気ディスクに適用すると非常に有効である。これ
は、従来、プラスチック製基板においては、保磁力を向
上させるための加熱処理を施すことができなかったた
め、保磁力等の磁気特性の制御が困難であったからであ
る。本発明では、加熱処理を経ずに磁気特性を向上させ
ることができるので、特に、プラスチック製基板を有す
る磁気ディスクに有効であるといえる。

【００２２】非磁性層３は、基板２上に、スパッタリン
グ等の従来公知の薄膜形成法により形成されている。特
に、本発明における非磁性層３は、Ｃｒを含有する。そ
して、この非磁性層３は、膜厚が１０ｎｍ〜７５ｎｍで
あることが好ましい。

【００２３】磁性層４は、非磁性層３上に、スパッタリ
ング等の従来公知の薄膜形成法により形成されている。
特に、本発明における磁性層４は、ＣｏＰｔＣｒ合金を
含む材料からなる。そして、磁性層４は、厚さが５ｎｍ
〜５０ｎｍであることが好ましい。

【００２４】保護層５は、磁性層４上に、例えば、Ｃを
原料として用いてスパッタリング等の従来公知の薄膜形
成法により形成したり、又は、紫外線硬化樹脂をスピン
コート法により塗布形成したものである。この保護層６
は、厚さが１０ｎｍ程度が好ましい。

【００２５】以上のように構成される本発明を適用した
磁気ディスク１は、その表面の中心線平均粗さＲａが２
ｎｍ〜３ｎｍである。このように、本発明を適用した磁
気ディスク１は、中心線平均粗さＲａが規定されている
ため、表面性が磁気特性及び電磁変換特性に対して最適
化され、高い保磁力が確保されるとともにＳ／Ｎが向上
し、更なる高記録密度化にも十分対応可能な優れた記録
媒体となる。

【００２６】また、この磁気ディスク１は、適正なＭＲ
ヘッドと組み合わせることにより、１．５×１０⁶ｂｉ
ｔ／ｍｍ²以上の高密度記録領域においても、１×１０
^-7以下のシンボルエラーレートを得ることができ、高密
度磁気記録システムを構築することが可能になる。

【００２７】なお、本発明を適用した磁気ディスクで
は、基板２上にＮｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｃ等からなる下地層を
形成し、当該下地層上に非磁性層３、磁性層４、保護層
５が積層形成されているものでも良い。

【００２８】また、本発明を適用した磁気ディスクとし
ては、磁性層が２層構造となされているものでも良い。
図２に、磁性層を２層構造とした磁気ディスク２０を示
す。この磁気ディスク２０は、基板２上に、非磁性層
３、第１の磁性層２１、Ｃｒからなる非磁性層２２、第
２の磁性層２３、保護層５が順次積層形成されているも
のである。

【００２９】また、本発明を適用した磁気ディスクとし
ては、非磁性層と磁性層との間に非磁性の中間層が形成
されていても良い。図３に、中間層が形成された磁気デ
ィスク３０を示す。この磁気ディスク３０は、基板２上
に、非磁性層３、非磁性のＣｒ或いはＣｒ合金からなる
中間層３１、磁性層４、保護層５が順次積層形成されて
いるものである。ここで、上記中間層の厚さは、３ｎｍ
以下であることが好ましい。

【００３０】つぎに、以上のように構成される磁気ディ
スク１の製造方法について、以下に詳細を説明する。

【００３１】先ず、基板２は、次のようにして射出成形
される。以下、基板２として、プラスチック基板を用い
た場合を取り挙げて製造方法を説明するが、勿論これに
限らない。始めに、射出成形用金型の母材としてガラス
ディスクを用意し、このガラスディスクの基準面となる
表面にレジストを塗布する。そして、このレジスト上に
カッティングデータに基づいて所定の凹凸パターンの露
光を行い、その後、現像を行って、ガラスディスクの表
面にレジストパターンを形成する。そして、レジストパ
ターンが形成されたガラスディスク上にＮｉメッキを施
し、このＮｉメッキの裏面を研磨して所望の厚みに整え
ることにより、スタンパが得られる。最終的に、このス
タンパを配した射出成形装置を用いて、プラスチック製
の基板２を射出成形法により作製する。

【００３２】このとき、基板２の表面は、中心線平均粗
さＲａが２ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以下となされ、
最大高さＲｍａｘが２５ｎｍ以下となされるように調整
される。詳しくは、この基板２の表面粗さは、上記レジ
スト表面の表面粗さにほぼ匹敵する。このことから、上
記基板２の表面粗さは、レジスト表面の表面粗さを予め
調整することによって得られる。ここで、これら表面粗
さは、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscopy）に
より測定される。

【００３３】なお、基板２は、上記のような所定の凹凸
パターンが形成されているものではなく、一主面２ａが
平滑な面となされているものでも勿論良い。このような
凹凸パターンがない基板２を作製する場合には、ガラス
ディスク上にレジスト塗布のみを行ってパターンに沿っ
たカッティングは行わず、そのレジスト上にＮｉメッキ
を施して、このＮｉメッキの裏面を研磨して所望の厚み
に整えることによりスタンパを作製し、このスタンパを
用いて射出成形により作製する。

【００３４】次に、このようにして得られた基板２上
に、図４に示すインライン型スパッタリング装置１０を
用いて、スパッタリング法により非磁性層３、磁性層４
及び保護層５を順次成形する。

【００３５】インライン型スパッタリング装置１０は、
排気系１１ａ〜１１ｄによって高真空になされるチャン
バー１２ａ〜１２ｄを備える。そして、このインライン
型スパッタリング装置１０は、チャンバー１２ａ〜１２
ｃ内のそれぞれの略中央部において配された円盤状のカ
ソード１３ａ〜１３ｃと、チャンバー１２ｄ内の略中央
部にカソード１３ａ〜１３ｃの底面と並列して配された
パレット１４とを有する。

【００３６】パレット１４は、その表面にアノード１４
ａが設けられている。そして、このアノード１４ａ上に
は、被成膜物である基板２が配される。また、パレット
４は、これらチャンバー１２ａ〜１２ｄ間を図示しない
駆動源によりカソード１３ａ〜１３ｃと平行な方向であ
る図中Ａ方向に自在に移動することができ、所望のチャ
ンバー内のカソードと対向するように配される。

【００３７】一方、カソード１３ａ〜１３ｃは、各表面
に所望の材料からなるターゲットが配される。具体的に
は、本発明の磁気ディスク１を作製する際には、カソー
ド１３ａ上に配されるターゲットとしてＣｒを用い、カ
ソード１３ｂ上に配されるターゲットとしてＣｏＰｔＣ
ｒを用い、カソード１３ｃ上に配されるターゲットとし
てＣを用いる。上記ターゲット組成の表示には、各原子
の組成比を省略する。

【００３８】このような構成のインライン型スパッタリ
ング装置１０においては、次のようにして、上述のよう
に作製された基板２上に非磁性層３、磁性層４、保護層
５が順次形成されて、本発明の磁気ディスク１が製造さ
れる。

【００３９】先ず、インライン型スパッタリング装置１
０において、排気系１１ａ〜１１ｄによりチャンバー１
２ａ〜１２ｄ内が高真空とされる。

【００４０】その後、基板２が設置されたパレット１４
を移動させてチャンバー１２ａ内に配する。このとき、
パレット１４上のアノード１４ａをチャンバー１２ａ内
に設けられたカソード１３ａと対向するように配する。

【００４１】そして、チャンバー１２ａに接続されたア
ルゴン導入口１５ａよりチャンバー１２ａ内にアルゴン
を所定量導入することにより、チャンバー１２ａ内を
１．５Ｐａ〜５．０Ｐａの低圧力に設定する。

【００４２】その後、圧力が１．３Ｐａに設定されたア
ルゴンガスに対して、アノード１４ａとカソード１３ａ
との間に電圧を印加して、プラズマ状態にしたイオンを
Ｃｒからなるターゲットに叩きつけ、このターゲットか
ら飛び出した分子や原子を基板２上に成膜させて、非磁
性層３を形成する。

【００４３】以上述べたように、本発明を適用した磁気
ディスク１の製造方法においては、圧力が１．５Ｐａ〜
５．０Ｐａのチャンバー内で、Ｃｒを含む材料を用いて
基板２上に非磁性層３を成膜する。このように、この磁
気ディスクの製造方法は、非磁性層３の成膜条件が規定
されることにより、高い保磁力が確保されるとともにＳ
／Ｎが向上された磁気ディスク１が得られる。

【００４４】次に、非磁性層３の形成された基板２が配
されたパレット１４をチャンバー１２ｂ内に移動させ
て、ＣｏＰｔＣｒからなるターゲットを用いて、上記の
工程と同様にしてチャンバー１２ｂ内にてスパッタリン
グを行い、非磁性層３上に磁性層４を形成する。

【００４５】次に、非磁性層３及び磁性層４が順次形成
された基板２が配されたパレット１４をチャンバー１２
ｃ内に移動させて、Ｃからなるターゲットを用いて、上
記の工程と同様にしてチャンバー１２ｃ内にてスパッタ
リングを行い、磁性層４上に保護層５を形成して、最終
的に、磁気ディスク１を得る。

【００４６】なお、図２に示す磁気ディスク２０を作製
する際には、先ず、磁気ディスク１を作製する際と同様
にして、基板２上に非磁性層３を形成する。次に、この
非磁性層３上に第１の磁性層２１を形成する。そして、
この第１の磁性層２１上に非磁性のＣｒ等からなる非磁
性層２２を形成する。その後、この非磁性層２２上に第
２の磁性層２３を形成する。そして、この第２の磁性層
２３上に保護層５を形成して、最終的に磁気ディスク２
０を得る。

【００４７】また、図３に示す磁気ディスク３０を作製
する際には、先ず、磁気ディスク１を作製する際と同様
にして、基板２上に非磁性層３を形成する。次に、この
非磁性層３上に非磁性のＣｒ合金からなる中間層３１を
形成する。その後、この中間層３１上に磁性層４を形成
する。そして、この磁性層４上に保護層５を形成して、
最終的に磁気ディスク３０を得る。

【００４８】

【実施例】以下、本発明を適用した実施例について実験
結果に基づいて説明する。なお、以下では、下地層と磁
性層との間に形成される非磁性層の厚さ及び組成が磁気
ディスクの特性に及ぼす影響を評価するため、以下のよ
うに磁気ディスクを作製した。

【００４９】実施例１先ず、日本ゼオン社製のＺＥＯＮＥＸ（商品名）を用い
て、射出成形法により所定の凹凸パターンが形成された
直径３．５インチのプラスチック製基板を成形した。こ
のとき、得られる基板の表面粗さとしては、中心線平均
粗さＲａを２ｎｍ以下とし、最大高さＲｍａｘを２５ｎ
ｍ以下に調整した。

【００５０】そして、この基板上に、上記のインライン
型スパッタリング装置を使用して、Ｃｒからなる非磁性
層、ＣｏＰｔＣｒからなる磁性層、Ｃからなる保護層を
順次形成し、その後にこの保護層上にフッ素系潤滑剤を
塗布して、最終的に磁気ディスクを得た。

【００５１】なお、ここで、インライン型スパッタリン
グ装置における成膜条件を以下のように設定した。

【００５２】インライン型スパッタリング装置に用いら
れるターゲットとしては、非磁性層形成用のターゲット
としてＣｒを用い、磁性層形成用のターゲットとしてＣ
ｏ₆₄Pt₂₀Ｃｒ₁₆及びＣｏ₇₅Ｐｔ₁₂Ｃｒ₁₃の２種を用い、
保護層形成用のターゲットとしてＣを用いた。

【００５３】また、このインライン型スパッタリング装
置では、基板とターゲットの距離を６０ｍｍとし、上記
ターゲットとして直径が１５２．４ｍｍのものを用い
た。

【００５４】そして、このインライン型スパッタリング
装置における成膜速度としては、Ｃｒからなる非磁性層
の成膜速度を２ｎｍ／ｓ，ＣｏＰｔＣｒからなる磁性層
の成膜速度を２ｎｍ／ｓ，Ｃからなる保護層の成膜速度
を０．５ｎｍ／ｓとした。

【００５５】また、インライン型スパッタリング装置内
の圧力としては、スパッタリング前のチャンバー１２ａ
〜１２ｄ内の圧力を２×１０^-6Ｐａとし、スパッタリン
グ時のチャンバー１２ａ〜１２ｄ内の圧力を約１．３Ｐ
ａとした。

【００５６】このインライン型スパッタリング装置に
は、スパッタリング時にカソード１３ａ〜１３ｄの電位
が約−６００Ｖ〜−８００Ｖとなるように、アノード１
４ａとカソード１３ａ〜１３ｄとの間に電圧を印加し
た。

【００５７】＜磁気特性及び電磁変換特性の評価＞次
に、非磁性層の厚み及び非磁性層形成用のチャンバー１
２ａ内のアルゴン圧力をそれぞれ変化させて非磁性層を
形成した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを
複数作製し、これら磁気ディスクについて、磁気特性と
して保磁力Ｈｃを測定し、電磁変換特性としてＳ／Ｎを
測定した。さらに、これらの磁気ディスクの中心線平均
粗さＲａを原子間力顕微鏡を用いて測定した。

【００５８】以上の測定結果として、保磁力の測定結果
を図５に示し、Ｓ／Ｎの測定結果を図６に示し、磁気デ
ィスクの中心線平均粗さＲａの測定結果を図７に示し
た。ここで、図５〜図７では、縦軸に非磁性層の厚さを
とり、横軸に非磁性層成膜時のアルゴン圧力をとった。

【００５９】そして、図５〜図７中では、磁気ディスク
面にクラックが発生したものについて、その磁気ディス
クの非磁性層の厚さ及び非磁性層成膜時のアルゴン圧力
に相当する領域をクラック発生域として示した。このよ
うなクラック発生域に属する非磁性層の厚さ及び非磁性
層成膜時のアルゴン圧力の条件にて、非磁性層が形成さ
れた磁気ディスクは、クラックが発生してしまい、好ま
しくない記録媒体といえる。

【００６０】なお、上記全ての磁気ディスクについて、
保磁力以外の磁気特性、例えば、磁性層の残留磁化（Ｍ
ｒ）と磁性層の厚み（ｔ）との積である残留磁化厚み
（Ｍｒｔ）を０．９ｍｅｍｕ／ｃｍ²とした。また、上
記全ての磁気ディスクについて、保磁力角形比を約０．
８〜０．８５程度に揃えた。

【００６１】通常、磁気特性の他の測定結果が同じであ
れば保磁力Ｈｃが増えるに従って、分解能が高まり、磁
化反転の遷移幅が小さくなり、Ｓ／Ｎは大きくなると考
えられる。しかし、磁気特性の保磁力Ｈｃを示す図５と
Ｓ／Ｎを示す図６との相関はなく、保磁力Ｈｃが大きく
てもＳ／Ｎが小さくなる場合がある。

【００６２】そこで、中心線平均粗さＲａを基準とした
ときのＳ／Ｎを表したものが図８である。この図８の結
果から、得られた磁気ディスクの中心線平均粗さＲａが
２〜３ｎｍ程度であるとき、Ｓ／Ｎが最も大きくなって
いることがわかった。

【００６３】実施例２次に、磁性層として２層構造の磁性層を形成する以外
は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した。こ
こで、磁性層を２層構造となるように形成した具体的な
方法は、以下の通りである。先ず、基板上に非磁性層を
形成し、その後、非磁性層上に所望の膜厚の半分の磁性
層を膜形成した後、非磁性のＣｒを厚さ約３ｎｍとなる
ように形成し、続いて残りの磁性膜を形成し、最後に保
護層を形成した。これにより、磁気特性は、保磁力角形
比が０．７５〜０．８程度に変化した。

【００６４】＜磁気特性及び電磁変換特性の評価＞そし
て、非磁性層の厚さ及び非磁性層形成用のチャンバー１
２ａ内のアルゴン圧力をそれぞれ変化させて非磁性層を
形成した以外は、実施例２と同様にして磁気ディスクを
複数作製し、これら磁気ディスクについて、Ｓ／Ｎ及び
磁気ディスクの中心線平均粗さＲａを測定した。以上の
測定結果を図８と同様に示したのが図９である。

【００６５】図９の結果から明らかなように、図８の結
果と同様に、磁気ディスクの中心線表面粗さＲａが２〜
３ｎｍ程度のとき、Ｓ／Ｎが最も大きくなることがわか
った。

【００６６】実施例３次に、非磁性層と磁性層との間に非磁性のＣｒ合金から
なる中間層を形成した以外は、実施例１と同様にして磁
気ディスクを作製した。ここで、上記中間層を形成した
具体的な方法は、以下の通りである。先ず、基板上に形
成された非磁性層上にＣｒ₈₀Ｔｉ₂₀とＣｏ₆₅Ｃｒ₃₅のタ
ーゲットを用いてスパッタリングにより中間層を形成
し、その後、実施例１と同様にして磁性層、保護層を順
次積層形成した。

【００６７】＜磁気特性及び電磁変換特性の評価＞そし
て、非磁性層の厚さ及び非磁性層形成用のチャンバー１
２ａ内のアルゴン圧力をそれぞれ変化させて非磁性層を
形成した以外は、実施例３と同様にして磁気ディスクを
複数作製し、これら磁気ディスクについて、Ｓ／Ｎ及び
磁気ディスクの中心線平均粗さＲａを測定した。以上の
測定結果を図８と同様に示したのが図１０である。

【００６８】図１０の結果から明らかなように、図８の
結果と同様に、磁気ディスクの中心線表面粗さＲａが２
〜３ｎｍ程度のとき、Ｓ／Ｎが最も大きくなることがわ
かった。

【００６９】以上の図８、図９及び図１０の結果から明
らかなように、磁気ディスクの電磁変換特性であるＳ／
Ｎは、磁気ディスクにおいて、基板上に形成される非磁
性層や磁性層等の構成を変化させても、得られた磁気デ
ィスクの表面性に依存していることが判明した。なお、
図８、図９及び図１０に示すＳ／Ｎの絶対値がそれぞれ
若干異なるのは、磁性層における磁性粒子間の相互作用
が膜構成により異なるため磁化反転の単位長さ当たりの
ノイズ量が違うためであると考えられる。

【００７０】実施例４磁気記録媒体の表面性がＳ／Ｎに影響を及ぼすことを再
確認するために、プラスチック製基板の表面性を変えた
磁気ディスクを作製した。ここで、プラスチック製基板
の表面性は、次のようにして制御した。一般に、プラス
チック製基板の表面製はその成形に用いるＮｉスタンパ
の表面性に依存し、このＮｉスタンパの表面製は、レジ
ストの表面性で決定される。そこで、レジストを塗布す
るガラス原板を研磨し、ＳｉＯ₂粒子でブラスト処理を
行い必要な表面性を得た後に、直接このガラス原板上に
Ｎｉメッキを施して所望の表面性の得られたＮｉスタン
パを作製した。そして、このＮｉスタンパを用いて射出
成形を行い、プラスチック製基板を得た。

【００７１】＜基板の表面性とＳ／Ｎとの関係評価＞こ
のように、基板の表面性を変えて作製した磁気ディスク
のＳ／Ｎを測定した。その結果を図１１に示す。

【００７２】図１１の結果から、基板の中心線平均粗さ
Ｒａ’が２〜５ｎｍ程度で若干Ｓ／Ｎが大きくなってい
ることが確認されたが、磁気記録媒体の表面性による依
存性程大きな差は得られず、誤差の範囲程度であるとい
える。よって、Ｓ／Ｎが依存するのは、基板の表面性で
はなく、磁気記録媒体自体の表面性であることが判明し
た。

【００７３】つぎに、非磁性層の成膜条件を検討するた
めに、図６に示された結果に基づいて、非磁性層成膜時
の雰囲気におけるチャンバー内のガス圧とＳ／Ｎとの関
係を図１２に示した。

【００７４】図１２の結果に示されるように、Ｓ／Ｎが
３０ｄＢといった高レベルを示すには、非磁性層成膜時
の雰囲気におけるチャンバー内のガス圧が１．５Ｐａ〜
５．０Ｐａであることが好ましいことがわかった。

【００７５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気記録媒体は、中心線平均粗さＲａが規定されてい
るため、表面性が磁気特性及び電磁変換特性に対して最
適化され、高い保磁力が確保されるとともにＳ／Ｎが向
上して、更なる高記録密度化に十分対応可能な記録媒体
となる。

【００７６】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性層の成膜条件が上述したように規定される
ことにより、高い保磁力が確保されるとともにＳ／Ｎが
向上され、更なる高密度記録化に十分対応可能な磁気記
録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部断面図である。

【図２】本発明を適用した磁気記録媒体の他の例を示す
要部断面図である。

【図３】本発明を適用した磁気記録媒体の他の例を示す
要部断面図である。

【図４】インライン型スパッタリング装置の概略を示す
模式図である。

【図５】実施例１における保磁力の測定結果を示す図で
ある。

【図６】実施例１におけるＳ／Ｎの測定結果を示す図で
ある。

【図７】実施例１における中心線平均粗さＲａの測定結
果を示す図である。

【図８】実施例１における中心線平均粗さＲａとＳ／Ｎ
との関係を示す図である。

【図９】実施例２における中心線平均粗さＲａとＳ／Ｎ
との関係を示す図である。

【図１０】実施例３における中心線平均粗さＲａとＳ／
Ｎとの関係を示す図である。

【図１１】実施例４における基板の中心線平均粗さＲ
ａ’とＳ／Ｎとの関係を示す図である。

【図１２】実施例１における非磁性層成膜時の雰囲気圧
力とＳ／Ｎとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１磁気ディスク、２基板、３下地層、４
磁性層、５保護層、１０インライン型スパッタ
リング装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成されＣｒを含む非磁性層
と、上記非磁性層上に形成されＣｏＰｔＣｒ合金を含む磁性
層とを備え、中心線平均粗さＲａが２ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記基板は、プラスチック製であること
を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】圧力が１．５Ｐａ〜５．０Ｐａの雰囲気
条件下で、Ｃｒを含む材料を用いて基板上に非磁性層を
成膜する工程と、上記非磁性層上にＣｏＰｔＣｒ合金を含む材料を用いて
磁性層を成膜する工程とを備えることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
【請求項４】磁気記録媒体の中心線平均粗さＲａが２
ｎｍ〜３ｎｍとなるように、上記非磁性層を成膜する工
程と上記磁性層を成膜する工程とを行うことを特徴とす
る請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】上記基板として、プラスチック製の基板
を用いることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体
の製造方法。