JP2009037696A - インプリント方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スタンパの塑性変形を可及的に防止し、スタンパの寿命の長いインプリント方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板上に粘性係数が２ポアズ以上４０ポアズ未満のレジストを塗布する工程と、表面に凹凸を有するスタンパを前記レジストに押圧することによって、前記スタンパの凹凸を前記レジストに転写する工程と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、インプリント方法に関する。

近年のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）のトラック密度の向上においては、隣接トラックとの干渉という問題が顕在化している。特に、記録ヘッドの磁界フリンジ効果による書きにじみの低減は重要な技術課題である。記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターン媒体（以下、ＤＴＲ媒体ともいう）は、記録時におけるサイドイレース現象、再生時に隣接トラックの情報が混合してしまうサイドリード現象などを低減できるため、クロストラック方向の密度を高めることが可能となり、高密度な磁気記録媒体を提供できる。

ＤＴＲ媒体は、ＨＤＤ媒体に必要な情報（プリアンブル、アドレス、バースト）と記録トラックが媒体表面に描画されているが、これらの情報を１枚１枚描画していたのではコストの面から実用化は不可能である。そこで、ＨＤＤ媒体に必要な情報がＥＢ（電子ビーム）描画されたスタンパを作製し、このスタンパを用いて媒体表面にインプリントすることによって、媒体を作製する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。このインプリント法を用いることにより媒体の大量生産が可能となる。
米国特許第５，７７２，９０５号明細書

しかし、このインプリント法においては、スタンパの使用回数が多くなると転写されるパターンが変形するという問題があった。このパターンの変形は後述するようにスタンパが塑性変形していることに起因している。

本発明は、スタンパの塑性変形を可及的に防止し、スタンパの寿命の長いインプリント方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によるインプリント方法は、基板上に粘性係数が２ポアズ以上４０ポアズ未満のレジストを塗布する工程と、表面に凹凸を有するスタンパを前記レジストに押圧することによって、前記スタンパの凹凸を前記レジストに転写する工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、スタンパの塑性変形を可及的に抑制することが可能となり、スタンパの寿命が長いインプリント方法を提供することができる。

本発明の実施形態を説明する前に、本発明に至った経緯について説明する。

インプリント法は、Ｎｉスタンパをレジストにプレスすることによってパターンの転写を行うが、通常は約３０ＭＰａ〜１８０ＭＰａの圧力を印加することにより行う。一方、電鋳法で作製するＮｉスタンパの降伏点は１５０ＭＰａ〜２００ＭＰａであり、この降伏点は、インプリント時に印加する圧力とほぼ等しい。このため、スタンパの使用回数が多くなると転写されるパターンが変形するのは、Ｎｉスタンパが変形しているからではないかと本発明者達は考えた。

そこで、本発明者達は、１７８ＭＰａの圧力で１０００回のインプリントを行った。すると、インプリント前のＮｉスタンパの凹凸高さは８５ｎｍであったのが、１０００回インプリントした後のＮｉスタンパの凹凸高さは８０ｎｍであり、５ｎｍ高さが低くなっていた。

本発明者達は、Ｎｉスタンパの塑性変形の原因を探るため、有限要素法のソフトＡＮＳＹＳを用いてＮｉスタンパの塑性変形シミュレーションを行った。すると、スタンパの凹凸の先端部に非常に大きな圧力がかかることが判った。スタンパの凹凸の先端部が受ける圧力は、インプリントの際のレジストの変形抵抗で決まり、この変形抵抗はレジストの粘性係数とプレスの降下速度で決まる。そこで、レジストの粘性抵抗とプレスの降下速度を規定することで、Ｎｉスタンパに塑性変形が生じないインプリント方法が可能になると本発明者達は考えた。

次に、本発明の一実施形態によるインプリント方法を説明する。

インプリントに関しては、例えば、特開Ｐ２００６−１００７２３号公報に詳しく記載されているが、簡単に説明する。油圧プレス装置にダイセットを組み込み、ダイセット中央部に表面研磨された金型を設置する。金型上に例えば１．８インチ径のＨＤＤ用垂直記録膜上にレジストを１００ｎｍ程度の膜厚で塗布したものをセットし、Ｎｉスタンパ、必要な場合はバッファを載せ、金型で挟み込むようにプレスする。プレス圧力３０ｔｏｎの場合、１．８インチ全面では１７８ＭＰａの圧力を印加できる。油圧プレスは圧力印加動力源であるから、他の動力源でも良い。例えばサーボモータを用いたサーボプレスは、油圧のミストが発生しないため、クリーンルーム環境下で用いる際には好ましい。

インプリントに用いるＮｉスタンパは、Ｓｉ基板に電子線描画用レジストを塗布し、ＥＢ描画の後に現像した原盤上に、Ｎｉ導電化処理（一般的にはＮｉスパッタ）を施し、メッキ装置でＮｉ電鋳を行い、Ｎｉ電鋳膜をレジストと剥離することで得られる。

本実施形態のインプリント方法は、ディスクリートトラック型パターン媒体（以下、ＤＴＲ媒体ともいう）の作成に用いられる。このＤＴＲ媒体の作製方法を、図１（ａ）乃至図２（ｃ）を参照して説明する。

図１（ａ）に示したように、ガラス基板２上にＣｏＺｒＮｂからなる層厚が１２０ｎｍの軟磁性層４、Ｒｕからなる層厚２０ｎｍの配向制御用下地層６、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２からなる層厚２０ｎｍの強磁性記録層８、Ｃ（炭素）からなる層厚４ｎｍの保護層１０を順次成膜する。保護層１０上にスピンコート法で、レジストとしてＳＯＧ(Spin-On-Glass)を厚さ１１０ｎｍになるように塗布しＳＯＧ層２０を形成する。その後、サーボパタンが形成されたインプリントスタンパ３０を用いて、インプリントを行う（図１（ｂ））。このインプリントを行った後には、一般に図１（ｂ）に示すように、インプリント残渣２１が形成される。そこで、ＣＦ_４ガスを用いて、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置でインプリント残渣２１を除去することにより、ＳＯＧからなるマスク２０ａを形成する（図１（ｃ））。このとき、プロセスガスはＣＦ_４、チャンバー圧は２ｍＴｏｒｒ、コイルＲＦとプラテンＲＦをそれぞれ１００Ｗとし、エッチング時間は３０秒であった。

続いて、マスク２０ａを用いて、エッチング装置で、保護層１０および強磁性記録層８をエッチングする。このとき、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンガンを用いて、プロセスガスＡｒ、マイクロ波パワー８００Ｗ、加速電圧５００Ｖで３分間エッチングすることにより、強磁性記録層８を完全に分断し、底面に下地層６の上面を露出する高さ２４ｎｍの凹部１１を形成する。その後、ＲＩＥ装置でＣＦ_４ガスを用いて、１００ｍＴｏｒｒ、１００ＷでＳＯＧからなるマスク２０ａの剥離を行う（図１（ｄ））。

次に、全面に、凹部を埋め込むように、非磁性の埋め込み膜１２を形成する（図２（ａ））。続いて、ＥＣＲイオンガンを用いて非磁性の埋め込み膜１２をエッチバックする（図２（ｂ））。ＥプロセスガスとしてＡｒ、マイクロ波パワーが８００Ｗ、加速電圧が７００Ｖでエッチングする。エッチバック終点検出はＱ−ＭＡＳＳ（四重極式質量分析計）を用いて、強磁性記録層８の上面のＣｏが検出されるまで行う（約３分間）。したがって、このエッチングによって、強磁性記録層８の上面のＣからなる保護膜１０は除去され、強磁性記録層８の凹部にのみ、非磁性膜１２が残置される（図２（ｂ））。

最後にＣＶＤ（化学気相堆積法）を用いて、表面にＣからなる保護膜１４を形成し、潤滑剤を塗布することでＤＴＲ媒体を得る（図２（ｃ））。

次に、本実施形態のインプリント法を実施例を参照して詳細に説明する。

実施例１
垂直磁気記録媒体上にＳＯＧを１１０ｎｍの膜厚になるようにスピンコートした。凹凸の高さは８０ｎｍ、凸部の幅（トラック幅方向の長さ）が６０ｎｍ、凹部の幅が１２０ｎｍ（パタンデューティ比２：１）のＬ／Ｓパタンが形成されたＮｉスタンパを用いてインプリントしたところ、図３に示したような綺麗な形状でインプリントできた。この時のＳＯＧの粘性係数は１２ポアズであり、プレス圧が１１８ＭＰａ、プレスの降下速度が４ｎｍ／ｓｅｃ、１．５ｔｏｎ／ｓｅｃである。この条件で１０００回インプリントした後、スタンパの凹凸を測定したところ、凹凸は８０ｎｍであり、スタンパの塑性変形が無い事が判った。なお、図３は、本実施例によってインプリントされたＳＯＧのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像を示す写真である。

本実施例の場合を有限要素法ソフトＡＮＳＹＳを用いてシミュレーションした。Ｎｉスタンパの凸部の先端部に２００ＭＰａの圧力負荷がかかっていると計算された。今回用いたＮｉスタンパの降伏点は２００ＭＰａであるため、塑性変形のギリギリの負荷であった。一方、スタンパの凹部底面に印加される圧力は８０ＭＰａと計算された。この圧力は、Ｎｉ降伏点を越えていないため、Ｎｉスタンパの塑性変形を議論する際には、凸部の先端部のみ考慮すれば良い事が判った。

比較例
垂直磁気記録媒体上にＳＯＧを１００ｎｍの膜厚になるようにスピンコートした事以外は実施例１と同様にインプリントしたところ、図４に示したように、インプリントされるＳＯＧの凸部中央にレジスト未充填部位が残ってしまうような形状にインプリントされた。この状態で１０００回インプリントを行った後、スタンパの凹凸高さを測定したところ、凹凸７５ｎｍになっていた。このインプリント条件では、スタンパの塑性変形が生じてしまい、ＤＴＲ媒体量産に適さない事が判った。なお、図４は、比較例によってインプリントされたＳＯＧのＳＥＭ像を示す写真である。

比較例の場合を有限要素法ソフトＡＮＳＹＳを用いてシミュレーションしたところ、Ｎｉスタンパの凸部の先端部に８００ＭＰａの超高圧負荷がかかっている事が判った。実施例２で計算された値は２００ＭＰａであるため、４倍の負荷がかかっていることになる。そこで、図４で示したようなインプリント形状になるインプリント条件を鋭意検討した結果、以下に示した経験式を満たした場合に図４で示したインプリント形状になる事が判った。
Ｔｓ＞［（ａ＋ｂ）／ａ］ｘ（Ｔ−Ｔｒ） （１）
ここで、Ｔｓはスタンパ３０の凹凸高さ、Ｔはレジスト２０の膜厚、Ｔｒはインプリント後の残渣の高さ、ａはスタンパ３０の凸部の幅、ｂはスタンパ３０の凹部の幅、［（ａ＋ｂ）／ａ］はスタンパのパタンデユーティ比を表している（図５（ａ）、５（ｂ）参照）。

よって、上記（１）式で表される設計でインプリントした場合、Ｎｉスタンパの凸部の先端部に通常の４倍の負荷がかかり、スタンパ塑性変形に繋がる。

実施例２
そこで、上の式を満たさない、すなわち下記の（２）式
Ｔｓ≦［（ａ＋ｂ）／ａ］ｘ（Ｔ−Ｔｒ） （２）
を満たすように設計し、プレス印加圧力を５９ＭＰａ〜１７６ＭＰａの幅で変化させてシミュレーションしたところ、Ｎｉスタンパの凸部の先端部の負荷圧力は全ての場合で２００ＭＰａ程度であった。このことは、Ｎｉスタンパが受ける反力はインプリント圧力ではなくレジストの物性値（例えばレジスト粘性係数）に依存するという事を示している。レジストには粘性があるため、スタンパの下降速度が変われば反力も変わる。つまり、最適なインプリント条件を用いればインプリント圧力によらずＮｉスタンパが受ける反力を降伏点以下にする事が可能となり、スタンパが塑性変形しない事が判った。

実施例３
ＳＯＧの粘性係数を、１．６ポアズ、２．０ポアズ、５．０ポアズ、１０．０ポアズ、１５．０ポアズ、２０．０ポアズ、４０．０ポアズと変化させて、実施例１の条件でインプリントを行った。粘性係数はＳＯＧの溶剤を変えることで行った。この実験結果を図６に示す。図６の縦軸はＮｉスタンパの沈下量を示している。ある沈下量で飽和しているのは、Ｎｉスタンパが着底している状態を示している。着底状態は比較例１の状態とほぼ同じであり、スタンパ凸部先端に大きなダメージを与える。プレス降下速度４ｎｍ／ｓｅｃ、１．５ｔｏｎ／ｓｅｃの条件では、粘性係数が１．６ポアズ（Ｐ）では、プレス時間１８秒で着底してしまい、スタンパに大きなダメージを与える。粘性係数が２ポアズ（Ｐ）程度あればＮｉスタンパは着底する事なく塑性変形する事はない。よって、被インプリントレジストの粘性係数は２ポアズ以上が好ましいことがわかる。

比較例
ＳＯＧの粘度係数を４０ポアズに調整して実施例１と同様の条件でインプリントしたところ、インプリント後の凹凸の高さが３０ｎｍ程度しか得られなかった。明らかな転写不良であり、４０ポアズ以上の高粘性レジストをインプリントするのは現実的でない事が判った。

実施例４
プレス降下速度を６ｎｍ／ｓｅｃに調整した事以外は実施例１と同様の条件でインプリントを行った。１０００回インプリントした後にスタンパの凹凸を測定したところ、凹凸が５ｎｍ減少していた。プレス降下速度を５ｎｍ／ｓｅｃにしたところ、スタンパの凹凸減少は殆どなかった。よって、プレス降下速度５ｎｍ／ｓｅｃ以下のインプリントが好ましい事が判った。

プレス速度６ｎｍ／ｓｅｃでＮｉスタンパ凸部先端部に印加される圧力を計算すると、約３００ＭＰａであった。この圧力はＮｉの降伏点２００ＭＰａを越えているため、塑性変形が生じたと考えられる。

実施例５
プレス加圧速度を５ｔｏｎ／ｓｅｃに調整した事以外は実施例１と同様の条件でインプリントを行った。１０００回インプリントした後にスタンパの凹凸を測定したところ、凹凸が５ｎｍ減少していた。プレス加圧速度を３ｔｏｎ／ｓｅｃにしたところ、スタンパの凹凸減少は殆どなかった。よって、プレス加圧速度を３ｔｏｎ／ｓｅｃ以下のインプリントが好ましい事が判った。

プレス加圧速度を５ｔｏｎ／ｓｅｃでＮｉスタンパの凸部先端部に印加される圧力を計算すると、約３００ＭＰａであった。この圧力はＮｉの降伏点２００ＭＰａを越えているため、塑性変形が生じたと考えられる。

なお、レジストの粘性係数の単位はポアズであらわされるが、１ポアズ（Ｐｏｉｓｅ）は、流体内に１センチメートル（ｃｍ）につき１センチメートル毎秒（ｃｍ／ｓ）の速度勾配があるとき、その速度勾配の方向に垂直な面において速度の方向に１平方センチメートル（ｃｍ^２）につき１ダイン（ｄｙｎ）の力の大きさの応力が生ずる粘度と定義されている。すなわち、１ポアズ＝１ｄｙｎ・ｓ／ｃｍ^２＝１ｇ／ｃｍ・ｓとなる。

なお、本発明の一実施形態において、基板としては、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。また，基板上への薄膜の形成方法として以下ではスパッタリング法のみを取り上げたが，真空蒸着法や電解メッキ法などでも同様の効果を得ることができる。

なお、本発明の一実施形態においては、軟磁性（裏打ち）層（ＳＵＬ）としては、垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド、例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。

このため、軟磁性層には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金例えばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金例えばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金例えばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金例えばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金例えばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。

また、軟磁性層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏは、好ましくは８０ａｔ％以上含まれる。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすく、アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。

軟磁性層の下には、軟磁性層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。ＳＵＬと記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、ＳＵＬと記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。スパイクノイズ防止のためにＳＵＬ層を複数の層に分け０．５ｎｍ〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させても良い。また、ＣｏＣｒＰｔやＳｍＣｏ、ＦｅＰｔ等の面内異方性を持った硬磁性膜、あるいはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ等の反強磁性体からなるピンニング層と軟磁性層とを交換結合させても良い。その際に、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の前後に磁性（例えばＣｏ）あるいは非磁性の膜（例えばＰｔ）を積層させても良い。

また、本発明の一実施形態において、垂直磁気記録層としては、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなり、この酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有する結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得ることができる。

このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化、微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が１２ｍｏｌ％を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が３ｍｏｌ％未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。

垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好適だからである。Ｃｒ含有量が１６ａｔ％を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。

垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であるのは、垂直磁性層に必要なＫｕを得、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるため、好適だからである。Ｐｔ含有量が２５ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ｐｔ含有量が１０ａｔ％未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るためのＫｕが得られないため好ましくない。

垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、あるいは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。

また、垂直磁気記録層としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ，およびＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは５ｎｍないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。

本発明の一実施形態のインプリント方法の工程を示す断面図。 本発明の一実施形態のインプリント方法の工程を示す断面図。 本発明の実施例１のインプリント方法によってインプリントされたＤＴＲ媒体のＳＥＭ写真。 比較例のインプリント方法によってインプリントされたＤＴＲ媒体のＳＥＭ写真。 インプリント前後のスタンパとＤＴＲ媒体の寸法を説明する図。 レジストの粘性係数を変えた場合のインプリント時間とスタンパの沈下量との関係を示す図。

符号の説明

２ ガラス基板
４ 軟磁性層
６ 配向制御用下地層
８ 強磁性記録層
１０ 保護層
１１ 凹部
１２ 非磁性埋め込み膜
１４ 保護膜
２０ ＳＯＧ層
２０ａ マスク
２１ インプリント残渣

Claims (5)

1. 基板上に粘性係数が２ポアズ以上４０ポアズ未満のレジストを塗布する工程と、
   表面に凹凸を有するスタンパを前記レジストに押圧することによって、前記スタンパの凹凸を前記レジストに転写する工程と、
   を備えたことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記スタンパの先端部が前記レジストに触れてから、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の降下速度で前記スタンパを押圧することを特徴とする請求項１記載のインプリント方法。
3. 前記スタンパの先端部が前記レジストに触れてから、３ｔｏｎ／ｓｅｃ以下の加圧速度で前記スタンパを押圧することを特徴とする請求項１または２記載のインプリント方法。
4. Ｔｓを前記スタンパの凹凸高さ、Ｔを前記レジストの膜厚、Ｔｒをインプリント後の前記レジストの残渣の高さ、ａを前記スタンパの凸部の幅、ｂを前記スタンパの凹部の幅とするとき、
   Ｔｓ≦［（ａ＋ｂ）／ａ］ｘ（Ｔ−Ｔｒ）
   の条件を満たしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリント方法。
5. 前記基板と前記レジストとの間に記録用磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリント方法。