JP4460987B2 - 電子線描画方法および磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子線描画方法および磁気記録媒体の製造方法に関する。

ハードディスクの高密度化に対する技術潮流のなかで、磁気信号を発する磁性部領域が非磁性部によって区分けされたいわゆるディスクリート型の媒体構造が提案されている。データゾーンおよびサーボゾーンを有するディスクリート型の媒体の記録再生システムが特許文献１に記載されているが、そのディスクリート型の媒体がどのような手法で作製されるのかは明示されていない。

一方、特許文献２には、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれる２００ｎｍ以下のモールドパターンをフィルムに転写する技術が記載されている。また、特許文献３にはディスクリート型の磁気ディスクのパターンをインプリント法によって転写する技術が記載されている。この特許文献３においては、媒体パターンは電子線リソグラフィ技術により作製された原盤からおこしたスタンパによって形成したものであり、その電子線リソグラフィの手法については述べられていない。

一般に、磁気ディスク装置では、筐体の内部に、ドーナツ型の円盤形状の磁気ディスクと、磁気ヘッドを含むヘッドスライダと、ヘッドスライダを支持するヘッドサスペンションアッセンブリと、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）と、回路基板とを備える。

磁気ディスク内部は、輪切りされた同心円状のトラックに区分され、そのトラックが一定角度毎に区切られたセクタを有し、磁気ディスクはスピンドルモータに取り付けられて回転され、磁気ヘッドにより各種のディジタルデータが記録・再生される。そのため円周方向にユーザーデータトラックが配される一方、位置制御のためのサーボ領域が各トラックを跨ぐ方向に配される。サーボ領域の中にはプリアンブル部、アドレス部、バースト部などの領域を含む。また、これらの領域に加えてギャップ部を含んでいることもある。

インプリント方式でディスクリート型の磁気ディスクを作製するためのスタンパ原盤においてはユーザーデータトラック領域およびサーボ領域の双方を同時に形成することが望まれる。さもないと後からどちらかを付加するという、位置合わせが困難で、複雑な工程を経ることとなるからである。

原盤の作製においてはそのパターンを水銀ランプ、紫外線、電子線、エックス線等の化学線によって感光性樹脂を露光して形成することが出来るが、同心円を描く必要があることから、偏向がかけられる電子線での描画が好ましい。また、トラックピッチがサブミクロンであるというハードディスクパターンのような細かなパターンを精度良く繋ぐ必要がある。このため、電子ビームによって描画している時はステージを静止しておき、１つのフィールド内の全パターンを描画し終えると次のフィールドまでステージを移動するステップアンドリピート方式よりもステージが連続して移動する方式の方が望ましい。

同心円を描くことができる電子線描画装置のうち、図８に示すようにステージを１水平方向に移動させる移動機構と、ステージを回転させる回転機構とを有するステージ連続移動方式の電子線描画装置を用いることが好ましい。この電子線描画装置において、ステージに載置された基板上の感光性樹脂に対して上記移動軸上の１点からスポットビームを当てて電子線露光する場合は、電子線になにも外力を与えないで偏向させないと、基板の回転中心と、電子線照射位置までの距離が時間とともに大きくなるので、図９に示すように螺旋を描くことになる。このため、電子線露光工程において１回転毎に偏向強度（偏向量）を次第に変化させながら電子線を偏向させることにより、図１０に示すように同心円を描くことができる。

一方、半径方向の線はその角度位置に来たときのみ毎周ビームを出すもしくは出さないようにすれば、それが繋がって線を描くことができる。具体的には図１１に示すように４個のサーボ領域ｓ１〜ｓ４と４個のデータ領域ｄ１〜ｄ４が配置される媒体を得ようとする場合には、図１２に示すように、ｋ＋１周目では、サーボ領域ｓ１、データ領域ｄ１、サーボ領域ｓ２、データ領域ｄ２、サーボ領域ｓ３、データ領域ｄ３、サーボ領域ｓ４、データ領域ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させ、次の周、すなわちｋ＋２周目では、偏向量を零に戻してサーボ領域ｓ１、データ領域ｄ１、サーボ領域ｓ２、データ領域ｄ２、サーボ領域ｓ３、データ領域ｄ３、サーボ領域ｓ４、データ領域ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させる。そして、次の周とその次の周、すなわちｋ＋３周目およびｋ＋４周目では、再び偏向量を零に戻してサーボ領域ｓ１、データ領域ｄ１、サーボ領域ｓ２、データ領域ｄ２、サーボ領域ｓ３、データ領域ｄ３、サーボ領域ｓ４、データ領域ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させるが、データ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４はブランキングし、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４にのみ電子線を照射する。このような電子線の偏向を行うと、図１３に示すような露光パターンが得られる。実際には、図１３においてサーボ領域ｓ１とデータ領域ｄ４は輪になって繋がり、図１１に示すパターンに対応する。

しかしながら、このように円周方向と半径方向の線を半径方向のカッティング・トラックピッチａで露光する場合において、カッティング・トラックピッチａが小さいと図１４に示すように半径方向の線が露光過剰となり易く、逆にカッティング・トラックピッチａが大きいと図１５に示すように円周方向の線を複数回以上の露光で形成するときにその形成された線が太くなってしまう問題があった。
特開２００４−１１０８９６号公報 米国特許第５，７７２，９０５号明細書 特開２００３−１５７５２０号公報

円周方向の線を細くしようとして、１回即ち１周の露光のみで形成しようとすると、円周方向の線で露光量不足が生じたりまたは半径方向の線で露光量過剰になったり精細なパターンが形成できなくなったりする問題が生じる。

また、矩形性が悪いパターンでは、インプリント時にコントラスト良く押せなかったり、高い圧力を要するという問題も生じる。インプリント法で媒体を作製する際に、電子線の露光部が非磁性部となる場合、非磁性体で形成されるディスクリートトラックの溝は記録密度や信号強度増加の観点から、細くしかも矩形性良く形成されることが望まれる。

本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、精細なパターンを形成することができる電子線描画方法およびこの電子線描画方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様による電子線描画方法は、レジストが塗布された基板が載置されるステージを１水平方向に移動させる移動機構と、前記ステージを回転させる回転機構とを備えた電子線描画装置を用いて前記レジストに電子線を照射して描画する電子線描画方法であって、１回転毎に前記レジストに同心円を描くように電子線の偏向量を次第に変化させて露光する場合に、１度露光した場所を、次回転以降に少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光することを特徴とする。

なお、前記次回転以降に少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する際の電子線の偏向量を、前記１度露光した場所の再度露光する前の露光像と、前記次回転以降に少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する露光像が実質的に重なるように変化させてもよい。

なお、前記次回転以降に少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する際の電子線の偏向量を、前記１度露光した場所の再度露光する前の露光像と、前記次回転以降に少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する露光像が一部分重なるように変化させてもよい。

また、本発明の第２の態様による磁気記録媒体の製造方法は、少なくともサーボ領域とデータ領域を有し、前記データ領域の隣接トラック間が非磁性部によって分離されている磁気記録媒体の製造をインプリント法に行う磁気記録媒体の製造方法であって、前記インプリント法に用いるスタンパを作製するためのレジスト原盤の、前記データ領域部に対応する部分を形成する際に請求項１乃至３のいずれかに記載の電子線描画方法を用いて行うことを特徴とする。

本発明によれば、精細なパターンを形成することができ、磁気記録媒体の製造に用いれば、記録密度を向上および信号強度を高めることが可能となる。

（実施形態）
本発明の一実施形態による電子線描画方法を図１乃至図４を参照して説明する。この実施形態による電子線描画方法は、ディスクリート型の磁気記録媒体の製造方法に用いられるものであって、例えば図８に示すように、ステージを１水平方向に移動させる移動機構と、ステージを回転させる回転機構とを有するステージ連続移動方式の電子線描画装置を用いて行う。

本実施形態の電子線描画方法は、１度露光した特定の場所において次回転以降も電子ビームに対する偏向強度を変化させて露光するものである。本実施形態においては、特定の場所とは少なくともディスクリートトラックの溝に対応する部分であり、例えばバースト信号部などその他の部分を含んでいて構わないし、セクタ数にも制限はない。

図３乃至図４に本実施形態の電子線描画方法を用いて製造されるディスクリート型の磁気記録媒体の製造工程を示す。この磁気記録媒体は、例えば図１１に示すように、４個のサーボ領域ｓ１〜ｓ４と４個のデータ領域ｄ１〜ｄ４が配置された構成となっている。

まず、基板２上に感光性樹脂（以下、レジストという）４を塗布する（図３（ａ）参照）。レジスト４はポジ型でもネガ型でも、化学増幅型でも非化学増幅型でも構わないが、非化学増幅型のポジ型レジストなどが、電子線に対する感度が良好で、解像度も良く好ましい。他にもＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）やノボラック樹脂などを主成分とする材料を用いることができる。レジスト４を塗布後、プリベークを行った後、電子線描画装置の真空チャンバー内に入れ、電子銃１００から電子線を放出してレジスト４を露光する（図３（ｂ）参照）。

この露光工程で本実施形態の電子線描画方法が用いられる。本実施形態の電子線描画方法のカッティング周回数と電子線の偏向量との関係を図１に、このときの露光例を図２に示す。図１に示すように、ある周、例えばｋ＋１周目にトラックの溝を形成するための露光を行う場合を考える。なお、カッティング・トラックピッチ（毎周の送り量）をａとする。

図１に示すように、本実施形態においては、ｋ＋１周目では、サーボ領域ｓ１、データ領域ｄ１、サーボ領域ｓ２、データ領域ｄ２、サーボ領域ｓ３、データ領域ｄ３、サーボ領域ｓ４、データ領域ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させ、次の周、すなわちｋ＋２周目では、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４では、偏向量を零に戻し、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４に進むにつれて偏向量を増大させ、データ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４では、ｋ＋１周目のデータ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の偏向量特性の延長線上にあるように、データ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させる。

ｋ＋３周目以降、次のトラックの溝を露光するまでは、図１に示すように、再び偏向量を零に戻してサーボ領域ｓ１、データ領域ｄ１、サーボ領域ｓ２、データ領域ｄ２、サーボ領域ｓ３、データ領域ｄ３、サーボ領域ｓ４、データ領域ｄ４に進むにつれて偏向量を増大させるが、データ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４はブランキングし、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４にのみ電子線を照射する。

本実施形態においては、ｋ＋１周目のデータ領域ｄ４の露光終了時の偏向量はカッティング・トラックピッチａとなるが、ｋ＋２周目のデータ領域ｄ４の露光終了時の偏向量は２ａとなる。また、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４における偏向量は、ｋ＋１周目とｋ＋２周目では同じとなる。

したがって、ｋ＋２周目に露光されるデータ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の露光位置は、ｋ＋１周目に露光されるデータ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の露光位置と同じとなり、同じデータ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４が２回連続して露光されることになる。しかし、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４はｋ＋１周目とｋ＋２周目では偏向量が同じであるから、ｋ＋１周目とｋ＋２周目で露光されるサーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４はそれぞれ異なることになる。

したがって、図２に示すように、データトラック部の溝となるデータ領域ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４では露光像がｋ＋１周目とｋ＋２周目で重なり、細い溝を形成することが可能となる。

再び図３（ｂ）に戻り、このようにして、レジスト４を露光する。その後、レジスト４を、このレジスト４に適した現像液によって現像し、レジストパターン４ａを形成し、レジスト原盤を作成する（図３（ｃ）参照）。なお、現像の前にポストベーク工程を含んでいても良い。

次に、レジスト原盤のレジストパターン４ａ上に、Ｎｉスパッタ等によって薄い導電膜６を形成する（図３（ｄ）参照）。このとき、レジストパターン４ａの膜厚はレジストパターン４ａの凹部の形状が充分に保たれる程度の厚さとする。その後、電鋳によってＮｉ膜８を、レジストパターン４ａの凹部を充分埋め込み、所望の膜厚となるように形成する（図３（ｅ）参照）。

次に、Ｎｉ膜８をレジスト４ａおよび基板２から剥離し、Ｎｉからなるスタンパ８を形成する（図３（ｆ）参照）。なお、このとき、スタンパ８についたレジストを除去するため、酸素ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等を行う。

次に、図４（ａ）に示すように、基板１０上に記録層となる磁性層１２が形成され、この磁性層１２上にレジスト１４が塗布された磁気ディスク媒体基板を用意する。この磁気ディスク媒体基板上に塗布されたレジスト１４に、上述のスタンパ８を用いてインプリントし（図４（ａ）参照）、スタンパ８のパターンをレジスト１４に転写する（図４（ｂ）参照）。

次に、レジスト１４に転写されたパターンをマスクとしてレジスト１４をエッチングし、レジストパターン１４ａを形成する（図４（ｃ）参照）。その後、このレジストパターン１４ａをマスクとして磁性層１２をイオンミリングする（図４（ｄ）参照）。その後、レジストパターン１４をドライエッチングないし薬液によって除去し、ディスクリートな磁性層１２ａが形成される（図４（ｅ）参照）。

次に、全面に保護膜１６を形成し（図４（ｆ）参照）、磁気ディスク媒体を完成する。

本実施形態の電子線描画方法を用いてパターンを形成する基板の形状は特に限定されるものではないが、円盤形状のもの、例えばシリコンウエハーなどが好ましい。ここで、円盤にノッチやオリフラがあっても構わない。他に基板としては、ガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、化合物半導体基板などを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラスまたは結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。化合物半導体基板としては、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓなどがある。

磁気ディスク媒体形状はその方式上、円盤形状、特にドーナツ型形状が好ましいが、そのサイズは方式上特に限定されるものではない。しかしながら、電子線による描画時間が過剰なものにならないよう３．５インチ以下であることが望ましい。さらにインプリント時に用いるプレス能力が過大なものにならないために、２．５インチ以下であることが望ましい。より好ましくは量産性の観点から、電子線描画時間が相対的に短く、インプリント時の圧力が相対的に低く済む０．８５インチや１インチ、１．８インチといった、１．８インチ以下のサイズであることが望ましい。また、磁気ディスク媒体として使用される面が片面であっても両面であっても構わない。

磁気ディスク媒体内部は、輪切りされた同心円状のトラックに区分され、そのトラックが一定角度毎に区切られたセクタを有し、磁気ディスクはスピンドルモータに取り付けられて回転され、ヘッドにより各種のディジタルデータが記録・再生される。そのため円周方向にユーザーデータトラックが配される一方、位置制御のためのサーボ領域が各トラックを跨ぐ方向に配される。サーボ領域の中にはプリアンブル部、トラックまたはセクタ番号情報が書きこまれたアドレス部、トラックに対するヘッドの相対位置検出のためのバースト部などの領域を含む。また、これらの領域に加えてギャップ部を含んでいることもある。本実施形態においてはサーボ領域とデータ領域は図１１に示すように配されていたが、サーボ領域ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４が図５に示すようにアームの軌跡に沿った弧状に形成されているものであっても良い。

トラックピッチは記録密度向上の観点からより狭いものが要求される。１つのトラックにおいてもユーザーデータ領域部の分離部となる非磁性部とデータの記録領域となる磁性部を形成したり、対応するサーボ領域のアドレスビットを形成したり、バーストマークなどを形成したりする必要があるため、カッティングに際しては数周〜数十周で１トラックを形成するように描画することが求められる。ここで、構成するカッティング周回が少ないと形状分解能が低くなり、パターン形状が良好に反映できなくなるし、カッティング周回数が多いと制御信号が複雑化・大容量化する問題があるので、６周以上３６周以下の周回数で１トラックが形成されることが望ましく、また、約数を多く持つ数字の周回数であることが、パターン配置設計上有利である。

また、露光されるフィルムの感度は通常面内で均一であるから、電子線描画装置のステージは線速度を一定に保ちながら回転することが望ましい。重ね書きするための偏向量は、適正に偏向出来る幅以下であればよい。例えば、１ユーザーデータ領域のトラックが３００ｎｍのピッチからなる場合に、１２周のカッティングで１トラックを形成しようとすると、カッティング・トラックピッチは３００÷１２＝２５ｎｍとなる。よって、描画を１回重ねる場合は、最大２５ｎｍ偏向できれば良く、２回重ねる場合は最大５０ｎｍないし±２５ｎｍ（相互に逆方向に偏向させて重ねる場合）の偏向ができれば良い。また、完全に重ねる必要がない場合はそれ以下の最大偏向量でも構わない。

また、重ねる回数は、用いる感光性樹脂が、露光部が現像除去されるいわゆるポジ型のものである場合において、線速度Ｖ（ｍ／ｓ）でｎ回露光後・現像したときには当該露光・現像除去すべき膜厚ｔまで達せず、線速度Ｖ（ｍ／ｓ）でｎ＋１回露光後・現像したときには当該露光・現像除去すべき膜厚ｔまで達する条件であるときには、ｎ＋１回以上の重ね書きが必要である。

逆に、用いる感光性樹脂が、未露光部が現像除去されるいわゆるネガ型のものである場合において、線速度Ｖ（ｍ／ｓ）でｎ回露光後・現像したときには当該露光部の残膜が残すべき膜厚ｔで形成できず、線速度Ｖ（ｍ／ｓ）でｎ＋１回露光後・現像したときには膜厚ｔで形成できる条件であるときには、ｎ＋１回以上の重ね書きが必要である。

例えば、ビーム径が５０ｎｍ、電流値が１５ｎＡの電子ビームがあり、シリコン基板上に１００ｎｍの膜厚で形成されたポジ型レジスト（例えば、ＺＥＰ−５２０（日本ゼオン社製））の膜が、線速度０．７ｍ／ｓで露光され、現像液（例えば、ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製））に９０秒間浸漬して現像し、その後、リンス液（例えば、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製））に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥されるとき、１回の露光では露光部に残膜が存在し、２回の露光では残膜が存在しないので、２回以上の重ね書きが必要である。なお、重ね描画する回数の上限は特に限定されるものではないが、重ね描画することによって、線幅を細く形成するという趣旨から、必要回数の倍を超える重ね書きは好ましくない。

上述したように、本実施形態によれば、従来の場合に比べて、図２に示すようにデータトラック領域の溝を細く形成することができる。このため、ユーザーデータ領域を増加させることが可能となるとともにトラックピッチをつめることも可能となり、記録密度を向上させることができる。さらに、磁気記録媒体の溝部分のテーパーが立った形状になり、信号強度が高まってＳ／Ｎ比が低減するとともに、インプリント時に押しやすくなる。

なお、本実施形態において、必ずしもｋ＋２周目のデータトラック領域においてはｋ＋１周目と完全に重なるようにする必要はなく、図６に示すような偏向をかけて、図７に示すようにある程度重なるようにすることもできる。偏向の大きさを調整することで、形成される溝幅を変化させることができる点で有効である。なお、図６においては、ｋ＋２周目のデータトラック領域ｄ１を露光し始める際の電子線の偏向量は零より大きくカッティング・トラックピッチａよりも小さくしてある。

電子線描画装置のステージと電子ビームを走査する光学系とそれらを動作させる信号については、少なくとも、偏向の強度を変化させる地点とその強さの信号およびブランキングさせる地点とその信号と半径方向および回転方向の移動制御のステージ動作信号とが同期していることが必要である。

次に、本発明の実施例を説明する。

（実施例１）
本発明の実施例１による磁気記録媒体の製造方法を図３および図４を参照して説明する。

電子銃、コンデンサレンズ、対物レンズ、ブランキング電極および２０ｍＶの電圧を与えることにより２０ｎｍ偏向させ、４０ｍＶの電圧を与えることにより４０ｎｍ偏向する偏向器を備えたＺｒＯ／Ｗ熱電界放射型の電子銃エミッターを有する加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置を用いた。

一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０をアニソールで２倍に希釈し、０．２μｍのメンブランフィルタでろ過後、ＨＭＤＳ処理した８インチシリコンウエハー基板２にスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、膜厚が０．１μｍのレジスト４を形成した（図３（ａ）参照）。

この基板２を上記電子線描画装置内の所定位置に装置の搬送系によって搬送し、真空のもと、以下の条件の同心円型パターンを得るべく露光を行った（図３（ｂ）参照）。
露光部分半径：４．８ｍｍ〜１０．２ｍｍ
セクタ数：１２０
トラックピッチ：３００ｎｍ
送り量：２０ｎｍ
アドレス部ビット：０〜１０００
トラック部ビット：１００１〜９９９９

ここでトラックピッチは送り量の１５倍であるので、１トラックは１５周で形成される。通常の周においては０ｍＶから２０ｍＶまでその１回転の間に徐々に増加しながら偏向強度を強めて同心円を描いたが、１５ｋ＋８（ｋは０または自然数）周についてはｍ（ｍは１〜１２０）セクタにおいてアドレス部を
２０×（ｍ−１）／１２０［ｍＶ］〜２０×（ｍ−１）／１２０＋２０×１／１２０×１０００／１００００［ｍＶ］
に、トラック部を
２０＋２０×（ｍ−１）／１２０＋２０×１／１２０×１０００／１００００［ｍＶ］〜２０＋２０×ｍ／１２０［ｍＶ］
に偏向強度を強めて露光した。

なお、アドレス部にはプリアンブルパターン、バーストパターン、セクタおよびトラックアドレスパターン、ギャップパターンを含んでいた。

ここでパターンを形成するための信号と露光装置のステージ駆動系へ送る信号と電子ビームの偏向制御は同期させて発生できる信号源を用いた。露光中はステージを線速度５００ｍｍ／ｓのＣＬＶ（Constant Linear Velocity）で回転させるとともに、回転半径方向にもステージを移動させた。

露光後、上記シリコンウエハー基板２を現像液（例えば、ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製））に９０秒間浸漬して現像し、その後、リンス液（例えば、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製））に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、凹凸あるレジスト原盤が作製できた（図３（ｃ）参照）。

そのレジスト原盤上にスパッタリング法によっての導電膜６を形成した。ターゲットには純ニッケルを使用し、８×１０^−３Ｐａ迄真空引きした後、アルゴンガスを導入して１Ｐａに調整されたチャンバー内で４００ＷのＤＣパワーをかけて４０秒間スパッタリングさせて、３０ｎｍの導電膜を得た（図３（ｄ）参照）。

導電膜６のついたレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）を使用し、９０分間電鋳した（図３（ｅ）参照）。電鋳浴条件は次の通りである。
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０.１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
Ｐ.Ｈ：４.０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ^２

電鋳膜８の厚さは３００μｍであった。この後、レジスト原盤から電鋳膜８を剥離することにより、導電膜６及び電鋳膜８及びレジスト残渣を備えたスタンパ８を得た（図３（ｆ）参照）。

レジスト残渣を酸素プラズマアッシング法で除去した。酸素プラズマアッシングは酸素ガスを１００ｍｌ/ｍｉｎで導入し４Ｐａの真空に調整されたチャンバー内で１００Ｗで２０分間プラズマアッシングを行なった。導電膜及び電鋳膜を備えたファザースタンパ８を得た。その後、得られたスタンパ８の不要部を金属刃で打ち抜くことによりインプリント用スタンパ８とした。

スタンパ８をアセトンで１５分間超音波洗浄をした後、インプリント時の離型性を高めるため、フルオロアルキルシラン［ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_３］（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、ＴＳＬ８２３３）をエタノールで５％に希釈した溶液で３０分浸し、ブロアーで溶液をとばした後に、１２０℃で１時間アニールした。

一方、被加工材基板として、０．８５インチドーナツ型ガラス基板１０上に磁気記録層１２をスパッタリング法で形成し、この記録層１２上にノボラック系レジスト（ローム・アンド・ハース製、Ｓ１８０１）１４を回転数３８００ｒｐｍでスピンコータした（図４（ａ）参照）。その後、上述のスタンパ８を２０００ｂａｒで１分間プレスすることによって、レジスト１４にそのパターンを転写した（図４（ｂ）参照）。パターンが転写されたレジスト１４を５分間ＵＶ照射した後、１６０℃で３０分間加熱した。

以上のようにインプリントされた基板１０をＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置を用い、２ｍＴｏｒｒのエッチング圧下で酸素ＲＩＥを行い（図４（ｃ）参照）、続いてＡｒイオンミリングで記録層１２をエッチングした（図４（ｄ）参照）。磁性層１２のエッチング後、レジストからなるエッチングマスク１４ａを剥離するため、４００Ｗ、１Ｔｏｒｒで酸素ＲＩＥを行った。エッチングマスク１４ａの剥離後、保護膜１６としてＣＶＤ（化学気相成膜法）で３ｎｍ厚のＤＬＣ(Diamond Like Carbon)を成膜した。さらに、潤滑剤をディップ法で１ｎｍ厚となるように塗布した。

このようにインプリントおよび加工された媒体のトラック部の溝の幅を測定したところ、８０ｎｍであった。

（実施例２）
本発明の実施例２による磁気記録媒体の製造方法を説明する。本実施例は、電子線の偏向強度以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を制作した。本実施例における電子線の偏向強度は、１５ｋ＋８（ｋは０または自然数）周についてはｍ（ｍは１〜１２０）セクタにおいてアドレス部を
２０×（ｍ−１）／１２０［ｍＶ］〜２０×（ｍ−１）／１２０＋２０×１／１２０×１０００／１００００［ｍＶ］
に、トラック部を
１５＋２０×（ｍ−１）／１２０＋２０×１／１２０×１０００／１００００［ｍＶ］〜１５＋２０×ｍ／１２０［ｍＶ］
に偏向強度を強めて露光した。インプリントおよび加工された媒体のトラック部溝の幅を測定したところ、１００ｎｍであって、実施例１の場合よりも幅が広いものが形成された。

（比較例）
偏向強度以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を製作した。この比較例においては、すべての周において０ｍＶから２０ｍＶまでその１回転の間に徐々に増加させながら偏向強度を強めて同心円を描いた。インプリントおよび加工された媒体のトラック部の溝の幅を測定したところ、１５０ｎｍであった。

また、インプリント時の圧力においては実施例１と同様の２０００ｍｂａｒの圧力では押しが不足して押しムラが生じ、２２００ｍｂａｒの圧力をかけなければ実施例１乃至実施例２と同様にはインプリント出来なかった。

本発明の一実施形態による電子線描画方法のカッティング周回数と偏向量との関係を示す図。 図１に示す偏向量にしたがって電子線を描画した場合の露光例を示す図。 本発明の一実施形態による電子線描画方法を用いてディスクリート型の磁気記録媒体の製造した場合の製造工程断面図。 本発明の一実施形態による電子線描画方法を用いてディスクリート型の磁気記録媒体の製造した場合の製造工程断面図。 ディスクリート型の磁気記録媒体の一具体例の上面図。 本発明の一実施形態の変形例による電子線描画方法のカッティング周回数と偏向量との関係を示す図。 図６に示す偏向量にしたがって電子線を描画した場合の露光例を示す図。 ステージ連続移動方式の電子線描画装置のステージの動きと電子線との関係を示す図。 電子線を偏向させない場合の露光例を示す図。 同心円を描くために電子線を偏向させた場合の露光例を示す図。 ディスクリート型の磁気記録媒体の一具体例の上面図。 従来の電子線描画方法のカッティング周回数と偏向量との関係を示す図。 図１２に示す偏向量にしたがって電子線を描画した場合の露光例を示す図。 カッティングトラックピッチが小さい場合の露光例を示す図。 カッティングトラックピッチが大きい場合の露光例を示す図。

符号の説明

２ 基板
４ レジスト
４ａ レジストパターン
６ 導電膜
８ スタンパ
１０ 基板
１２ 磁性層（記録層）
１４ レジスト
１６ 保護膜

Claims (5)

1. レジストが塗布された基板が載置されるステージを１水平方向に移動させる移動機構と、前記ステージを回転させる回転機構とを備えた電子線描画装置を用いて前記レジストに電子線を照射して描画する電子線描画方法において、
   少なくとも、データを記録するためのデータ領域と、前記データ領域のトラックを跨ぐように半径方向に配置されるサーボ領域とを備えたパターンを前記レジストに描画する際に、１回転毎に前記レジストに同心円を描くように電子線の偏向量を次第に変化させて露光する場合に、前記データ領域を描画するときにのみ、前記データ領域の１回転分の露光領域に対して電子線の偏向量を次第に変化させて露光を行った後、次回転以降に前記データ領域の１回転分の露光領域に対して少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光することを特徴とする電子線描画方法。
2. 前記次回転以降に前記データ領域の１回転分の露光領域に対して少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する際の電子線の偏向量を、前記データ領域の１回転分の露光領域の再度露光する前の露光像と、前記次回転以降に前記データ領域の１回転分の露光領域に対して少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する露光像が実質的に重なるように変化させることを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
3. 前記次回転以降に前記データ領域の１回転分の露光領域に対して少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する際の電子線の偏向量を、前記データ領域の１回転分の露光領域の再度露光する前の露光像と、前記次回転以降に前記データ領域の１回転分の露光領域に対して少なくとも１回以上前記電子線の偏向量を変化させて露光する露光像が一部分重なるように変化させることを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
4. 前記サーボ領域を描画する際は、同心円状に描画するための偏向量を電子線に与えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子線描画方法。
5. 少なくともサーボ領域とデータ領域を有し、前記データ領域の隣接トラック間が非磁性部によって分離されている磁気記録媒体の製造をインプリント法で行う磁気記録媒体の製造方法において、
   前記インプリント法に用いるスタンパを作製するためのレジスト原盤の、前記データ領域部に対応する部分を形成する際に請求項１乃至４のいずれかに記載の電子線描画方法を用いて行うことを特徴とする磁気記録媒体製造方法。

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