JPH0785406A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH0785406A JPH0785406A JP23114593A JP23114593A JPH0785406A JP H0785406 A JPH0785406 A JP H0785406A JP 23114593 A JP23114593 A JP 23114593A JP 23114593 A JP23114593 A JP 23114593A JP H0785406 A JPH0785406 A JP H0785406A
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- track
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ディスクリート・トラック方式の磁気ディス
クを用いた磁気ディスク装置において、記録トラック密
度を増加する。 【構成】 磁気ディスク１の記録トラック１１の幅をＷ
t，ガードバンド１２の幅をＷg，磁気ヘッドの再生素子
のトラック幅をＷh，磁気ヘッドの位置決め精度（ずれ
量）を±Ｅ、最高線記録密度の記録トラックにおける記
録データの最長ビット長をｂmax、再生時のクロストー
ク許容量を示す定数をａとしたとき、ガードバンド１２
の幅をＷgの下限を Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmaxとなる
ように設定する。その上限をＷg＜４Ｅ＋ａ・ｂmaxとな
るように設定する。 【効果】 クロストークを抑制しながら記録トラック密
度を増加できる。
クを用いた磁気ディスク装置において、記録トラック密
度を増加する。 【構成】 磁気ディスク１の記録トラック１１の幅をＷ
t，ガードバンド１２の幅をＷg，磁気ヘッドの再生素子
のトラック幅をＷh，磁気ヘッドの位置決め精度（ずれ
量）を±Ｅ、最高線記録密度の記録トラックにおける記
録データの最長ビット長をｂmax、再生時のクロストー
ク許容量を示す定数をａとしたとき、ガードバンド１２
の幅をＷgの下限を Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmaxとなる
ように設定する。その上限をＷg＜４Ｅ＋ａ・ｂmaxとな
るように設定する。 【効果】 クロストークを抑制しながら記録トラック密
度を増加できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置に
関し、さらに詳しくいえば、ディスクリート・トラック
を有する磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置に関す
る。
関し、さらに詳しくいえば、ディスクリート・トラック
を有する磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置において記録密度を増
大させるには、磁気ディスクの円周方向の情報密度すな
わち「線記録密度」と半径方向の情報密度すなわち「ト
ラック密度」との双方を増加させることが必要である。
しかし、トラック密度を増加させると、隣接する記録ト
ラック間のガードバンド幅が狭くなるため、記録トラッ
ク間の磁気的な干渉（クロストーク）が増大し、再生信
号のＳ／Ｎの確保が困難になることが指摘されている。
大させるには、磁気ディスクの円周方向の情報密度すな
わち「線記録密度」と半径方向の情報密度すなわち「ト
ラック密度」との双方を増加させることが必要である。
しかし、トラック密度を増加させると、隣接する記録ト
ラック間のガードバンド幅が狭くなるため、記録トラッ
ク間の磁気的な干渉（クロストーク）が増大し、再生信
号のＳ／Ｎの確保が困難になることが指摘されている。
【０００３】そこで、ガードバンドに溝や非磁性領域を
形成するなどして隣接する記録トラック間の磁気的な干
渉を抑制した「ディスクリート・トラック」方式が提案
されている。この方式によれば、記録トラックの端部か
らのノイズの低減および磁気ヘッドの位置ずれの影響の
緩和が可能となる（例えば、アイ・イー・イー・イー、
トランザクションズ オン マグネティクス、エム エ
ー ジー２３、第６巻（1987年）第3690頁から第3692頁
（IEEE Trans. Magn.，MAG-23（6）（1987）pp3690-369
2）参照）。
形成するなどして隣接する記録トラック間の磁気的な干
渉を抑制した「ディスクリート・トラック」方式が提案
されている。この方式によれば、記録トラックの端部か
らのノイズの低減および磁気ヘッドの位置ずれの影響の
緩和が可能となる（例えば、アイ・イー・イー・イー、
トランザクションズ オン マグネティクス、エム エ
ー ジー２３、第６巻（1987年）第3690頁から第3692頁
（IEEE Trans. Magn.，MAG-23（6）（1987）pp3690-369
2）参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記文献では、ディス
クリート・トラック方式を採用した磁気ディスクの記録
／再生の基本特性を把握するため、ガードバンドを２０
０μｍの幅でエッチングして溝を形成しそれによって記
録トラック相互の磁気的干渉を抑制しているのみであ
り、記録トラックの高密度化については考慮されていな
い。
クリート・トラック方式を採用した磁気ディスクの記録
／再生の基本特性を把握するため、ガードバンドを２０
０μｍの幅でエッチングして溝を形成しそれによって記
録トラック相互の磁気的干渉を抑制しているのみであ
り、記録トラックの高密度化については考慮されていな
い。
【０００５】そこで、この発明の目的は、ディスクリー
ト・トラック方式の磁気ディスクを備えた磁気ディスク
装置において、従来よりも記録トラックの密度を向上す
ることができる磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
ト・トラック方式の磁気ディスクを備えた磁気ディスク
装置において、従来よりも記録トラックの密度を向上す
ることができる磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
【０００６】この発明の他の目的は、ディスクリート・
トラック方式の磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置
において、従来よりも信頼性を向上することができる磁
気ディスク装置を提供することにある。
トラック方式の磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置
において、従来よりも信頼性を向上することができる磁
気ディスク装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気ディスク
装置は、ディスクリート・トラック方式の記録トラック
を有する磁気ディスクと、その磁気ディスクに情報を記
録する記録素子および記録した情報を再生する再生素子
を有する磁気ヘッドとを備えた磁気記録装置において、
前記磁気ディスクの記録トラックおよびガードバンドの
幅をそれぞれＷt、Ｗgとし、前記再生素子のトラック幅
をＷh、最大線記録密度の記録トラックにおける記録デ
ータの最長ビット長をｂmax、再生時のクロストーク許
容量を示す定数をａとしたとき、それらが Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax の関係を満たすことを特徴とする。
装置は、ディスクリート・トラック方式の記録トラック
を有する磁気ディスクと、その磁気ディスクに情報を記
録する記録素子および記録した情報を再生する再生素子
を有する磁気ヘッドとを備えた磁気記録装置において、
前記磁気ディスクの記録トラックおよびガードバンドの
幅をそれぞれＷt、Ｗgとし、前記再生素子のトラック幅
をＷh、最大線記録密度の記録トラックにおける記録デ
ータの最長ビット長をｂmax、再生時のクロストーク許
容量を示す定数をａとしたとき、それらが Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax の関係を満たすことを特徴とする。
【０００８】この磁気ディスク装置では、好ましくはａ
＝０．５とし、より好ましくはａ＝０．９とする。ａ＝
０．５とすると、例えば、再生時のクロストークを−２
６ｄＢ以下に抑制することができる。ａ＝０．９とする
と、例えば、再生時のクロストークを−３０ｄＢ以下に
抑制することができる。
＝０．５とし、より好ましくはａ＝０．９とする。ａ＝
０．５とすると、例えば、再生時のクロストークを−２
６ｄＢ以下に抑制することができる。ａ＝０．９とする
と、例えば、再生時のクロストークを−３０ｄＢ以下に
抑制することができる。
【０００９】好ましくは、前記再生素子の最大位置ずれ
量を±Ｅとしたとき、前記磁気ディスクの記録トラック
幅Ｗtと前記再生素子のトラック幅Ｗhとが、 Ｗh≧Ｗt＋２Ｅ の関係を満たしているようにする。
量を±Ｅとしたとき、前記磁気ディスクの記録トラック
幅Ｗtと前記再生素子のトラック幅Ｗhとが、 Ｗh≧Ｗt＋２Ｅ の関係を満たしているようにする。
【００１０】こうすれば、目的とする記録トラックから
情報信号を最大強度で読み出すことが可能となる。
情報信号を最大強度で読み出すことが可能となる。
【００１１】また、 Ｗg＜４Ｅ＋ａ・ｂmax の関係を満たすように、前記ガードバンド幅Ｗgの上限
を設定するのが好ましい。あるいは、 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋ａ・ｂmax の関係を満たすように上限を設定してもよい。
を設定するのが好ましい。あるいは、 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋ａ・ｂmax の関係を満たすように上限を設定してもよい。
【００１２】こうすれば、クロストークを抑制しながら
従来例よりもトラック密度を向上させることができる。
従来例よりもトラック密度を向上させることができる。
【００１３】前記磁気ディスクは、好ましくは、表面の
平坦な基板の上に直接または下地層を介して形成された
記録層を有していると共に、前記各ガードバンドには溝
が形成されており、しかも、前記記録層は前記記録トラ
ック上にのみ存在し、前記溝の内部には存在していない
ものとする。
平坦な基板の上に直接または下地層を介して形成された
記録層を有していると共に、前記各ガードバンドには溝
が形成されており、しかも、前記記録層は前記記録トラ
ック上にのみ存在し、前記溝の内部には存在していない
ものとする。
【００１４】あるいは、表面に凹凸を持つ基板の上に直
接または下地層を介して形成された記録層を有している
と共に、前記凹凸に対応するパターンで前記ガードバン
ドに溝が形成されており、しかも、前記記録層は前記記
録トラック上および前記ガードバンドの溝の内部に存在
しているものとする。
接または下地層を介して形成された記録層を有している
と共に、前記凹凸に対応するパターンで前記ガードバン
ドに溝が形成されており、しかも、前記記録層は前記記
録トラック上および前記ガードバンドの溝の内部に存在
しているものとする。
【００１５】しかし、ディスクリート・トラック方式で
あれば、これら以外の構成の磁気ディスクも使用可能で
ある。
あれば、これら以外の構成の磁気ディスクも使用可能で
ある。
【００１６】
【作用】この発明の磁気ディスク装置では、磁気ディス
クの記録トラックの幅Ｗt、ガードバンドのＷg、前記再
生素子のトラック幅Ｗh、最大線記録密度の記録トラッ
クにおける記録データの最長ビット長ｂmax、再生時の
クロストーク許容量ａが Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax の関係を満たすので、これら以外の磁気的性能が同じ従
来の磁気ディスク装置に比べて、隣接する記録トラック
間のクロストークが減少し、再生信号に十分なＳ／Ｎが
得られる。その結果、記録トラックのいっそうの高密度
化が図れる。記録トラックの密度を従来と同じにした場
合は、信頼性が改善される。
クの記録トラックの幅Ｗt、ガードバンドのＷg、前記再
生素子のトラック幅Ｗh、最大線記録密度の記録トラッ
クにおける記録データの最長ビット長ｂmax、再生時の
クロストーク許容量ａが Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax の関係を満たすので、これら以外の磁気的性能が同じ従
来の磁気ディスク装置に比べて、隣接する記録トラック
間のクロストークが減少し、再生信号に十分なＳ／Ｎが
得られる。その結果、記録トラックのいっそうの高密度
化が図れる。記録トラックの密度を従来と同じにした場
合は、信頼性が改善される。
【００１７】
【実施例】以下、添付図面を参照しながらこの発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００１８】［第１実施例］図３は、この発明の第１実
施例の磁気ディスク装置の要部構成を示す。図３におい
て、ディスクリート・トラック方式の磁気ディスク１
は、表面に同心円状に形成された複数の記録トラック１
１を有しており、隣接する記録トラック１１の間のガー
ドバンド１２には溝が形成されている。この溝により、
隣接する記録トラック１１間の磁気的な干渉（クロスト
ーク）が抑制される。磁気ディスク１はスピンドルに固
定されていて、図示しない磁気ディスク駆動手段により
回転せしめられる。
施例の磁気ディスク装置の要部構成を示す。図３におい
て、ディスクリート・トラック方式の磁気ディスク１
は、表面に同心円状に形成された複数の記録トラック１
１を有しており、隣接する記録トラック１１の間のガー
ドバンド１２には溝が形成されている。この溝により、
隣接する記録トラック１１間の磁気的な干渉（クロスト
ーク）が抑制される。磁気ディスク１はスピンドルに固
定されていて、図示しない磁気ディスク駆動手段により
回転せしめられる。
【００１９】磁気ヘッド２は、図示しない磁気ヘッド駆
動手段によって制御・駆動され、目的とする記録トラッ
ク１１上に位置決めされる。磁気ヘッド２の先端には、
記録トラック１１に記録された情報を再生する再生素子
２１が取り付けてある。再生素子２１は磁気抵抗効果
（ＭＲ）型である。また、再生素子２１に隣接して、記
録トラック１１に情報を記録するための記録素子（図示
せず）が取り付けてある。記録素子および再生素子２１
は、記録時および再生時に、目的とする記録トラック１
１の上方でその表面に所定間隙で近接して位置決めされ
る。
動手段によって制御・駆動され、目的とする記録トラッ
ク１１上に位置決めされる。磁気ヘッド２の先端には、
記録トラック１１に記録された情報を再生する再生素子
２１が取り付けてある。再生素子２１は磁気抵抗効果
（ＭＲ）型である。また、再生素子２１に隣接して、記
録トラック１１に情報を記録するための記録素子（図示
せず）が取り付けてある。記録素子および再生素子２１
は、記録時および再生時に、目的とする記録トラック１
１の上方でその表面に所定間隙で近接して位置決めされ
る。
【００２０】記録すべき情報は、当該磁気ディスク装置
の外部の情報処理手段から、図示しない記録／再生信号
処理手段を介して前記記録素子に送られ、その記録素子
によって磁気ディスク１の前記記録トラック１１に記録
される。再生素子２１により前記記録トラック１１から
再生された情報は、その記録／再生信号処理手段を介し
て外部の情報処理手段に送られる。
の外部の情報処理手段から、図示しない記録／再生信号
処理手段を介して前記記録素子に送られ、その記録素子
によって磁気ディスク１の前記記録トラック１１に記録
される。再生素子２１により前記記録トラック１１から
再生された情報は、その記録／再生信号処理手段を介し
て外部の情報処理手段に送られる。
【００２１】次に、図１を参照しながら、この磁気ディ
スク装置における磁気ディスク１の記録トラック１１お
よびガードバンド１２と、磁気ヘッド２の再生素子２１
のトラック２２との位置関係について説明する。ここ
で、記録トラック１１の幅をＷt、ガードバンド（溝）
１２の幅をＷg、再生素子２１のトラック２２の幅をＷh
とする。したがって、トラックピッチは（Ｗt＋Ｗg）と
なる。また、目的とする記録トラック１１上に磁気ヘッ
ド２を位置決めする場合の位置決め精度、換言すれば、
目的とする記録トラック１１の中心からの再生素子２１
のトラック２２の最大位置ずれ量（トラック幅方向のず
れ量）を±Ｅとする。
スク装置における磁気ディスク１の記録トラック１１お
よびガードバンド１２と、磁気ヘッド２の再生素子２１
のトラック２２との位置関係について説明する。ここ
で、記録トラック１１の幅をＷt、ガードバンド（溝）
１２の幅をＷg、再生素子２１のトラック２２の幅をＷh
とする。したがって、トラックピッチは（Ｗt＋Ｗg）と
なる。また、目的とする記録トラック１１上に磁気ヘッ
ド２を位置決めする場合の位置決め精度、換言すれば、
目的とする記録トラック１１の中心からの再生素子２１
のトラック２２の最大位置ずれ量（トラック幅方向のず
れ量）を±Ｅとする。
【００２２】まず、再生トラック２２の位置ずれ量が＋
Ｅの時でも、その記録トラック１１から情報信号を最大
強度で読み出せるようにするには、その時に記録トラッ
ク１１の全面にわたって再生トラック２２が重なってい
る必要がある。よって、再生トラック２２の幅Ｗhは記
録トラック１１の幅Ｗtよりも最大位置ずれ量Ｅだけ大
きいことが必要である。
Ｅの時でも、その記録トラック１１から情報信号を最大
強度で読み出せるようにするには、その時に記録トラッ
ク１１の全面にわたって再生トラック２２が重なってい
る必要がある。よって、再生トラック２２の幅Ｗhは記
録トラック１１の幅Ｗtよりも最大位置ずれ量Ｅだけ大
きいことが必要である。
【００２３】再生素子２１が反対側に位置ずれした場
合、すなわち位置ずれ量が−Ｅの時もこれと同様であ
る。したがって、再生素子２１のトラック２２の幅Ｗh
は記録トラック１１の幅Ｗtよりも最大位置ずれ量Ｅの
２倍だけ大きいことが必要である。これを数式で表わせ
ば、 Ｗh≧Ｗt＋２Ｅ （１） となる。
合、すなわち位置ずれ量が−Ｅの時もこれと同様であ
る。したがって、再生素子２１のトラック２２の幅Ｗh
は記録トラック１１の幅Ｗtよりも最大位置ずれ量Ｅの
２倍だけ大きいことが必要である。これを数式で表わせ
ば、 Ｗh≧Ｗt＋２Ｅ （１） となる。
【００２４】数式（１）において、トラック密度を向上
させるには、再生素子２１のトラック２２の幅Ｗhが最
小であるのが好ましい。その場合のトラック２２の幅Ｗ
hは、 Ｗh＝Ｗt＋２Ｅ （２） となる。
させるには、再生素子２１のトラック２２の幅Ｗhが最
小であるのが好ましい。その場合のトラック２２の幅Ｗ
hは、 Ｗh＝Ｗt＋２Ｅ （２） となる。
【００２５】そこで、この実施例では、再生素子２１の
トラック幅Ｗhを数式（２）を満たすように設定してい
る。このため、図１に示すように、最大位置ずれ時（ず
れ量＋Ｅ）において、ずれた向きとは反対側のトラック
２２の端（図１では左端）が、その記録トラック１１の
対応する一方の端（図１では左端）に一致している。ま
た、トラック２２のずれた側の端（図１では右端）は、
その記録トラック１１の対応する端（図１では右端）よ
りガードバンド１２側に距離２Ｅだけ突出している。
トラック幅Ｗhを数式（２）を満たすように設定してい
る。このため、図１に示すように、最大位置ずれ時（ず
れ量＋Ｅ）において、ずれた向きとは反対側のトラック
２２の端（図１では左端）が、その記録トラック１１の
対応する一方の端（図１では左端）に一致している。ま
た、トラック２２のずれた側の端（図１では右端）は、
その記録トラック１１の対応する端（図１では右端）よ
りガードバンド１２側に距離２Ｅだけ突出している。
【００２６】次に、再生素子２１のトラック２２のガー
ドバンド１２側に突出した部分の端と、その記録トラッ
ク１１に隣接する記録トラック１１の端までの距離ｄ
は、 ｄ＝Ｗt＋Ｗg−Ｗh （３） で表わされる。
ドバンド１２側に突出した部分の端と、その記録トラッ
ク１１に隣接する記録トラック１１の端までの距離ｄ
は、 ｄ＝Ｗt＋Ｗg−Ｗh （３） で表わされる。
【００２７】他方、隣接する記録トラック１１からの磁
気的干渉の大きさを示すクロストークは、数式（３）で
表わされる距離ｄと、記録ビット長（磁化反転間隔）ｂ
との比（ｄ／ｂ）によって決定される。この場合、記録
ビット長ｂは、動作マージンが最も狭くなる最大線記録
密度の記録トラック１１における最長ビット長（最長磁
化反転間隔）ｂmaxで考えるべきである。そこで、（ｄ
／ｂmax）＝ａとおくと、ａはクロストーク許容量を示
す定数である。定数ａが大きくなれば再生時のクロスト
ークは小さくなる。
気的干渉の大きさを示すクロストークは、数式（３）で
表わされる距離ｄと、記録ビット長（磁化反転間隔）ｂ
との比（ｄ／ｂ）によって決定される。この場合、記録
ビット長ｂは、動作マージンが最も狭くなる最大線記録
密度の記録トラック１１における最長ビット長（最長磁
化反転間隔）ｂmaxで考えるべきである。そこで、（ｄ
／ｂmax）＝ａとおくと、ａはクロストーク許容量を示
す定数である。定数ａが大きくなれば再生時のクロスト
ークは小さくなる。
【００２８】数式（３）より、 ｄ＝Ｗt＋Ｗg−Ｗh＝ａ・ｂmax （４） が成り立つから、数式（４）より、クロストークを所定
のクロストーク許容量以下に抑えるには、ガードバンド
幅Ｗgを Ｗt＋Ｗg−Ｗh≧ａ・ｂmax したがって Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax （５） の条件を満たすように設定することが必要である。
のクロストーク許容量以下に抑えるには、ガードバンド
幅Ｗgを Ｗt＋Ｗg−Ｗh≧ａ・ｂmax したがって Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax （５） の条件を満たすように設定することが必要である。
【００２９】このように、クロストークを所定の許容量
以下に抑えるには、ガードバンド幅Ｗgの下限を数式
（５）を満たすように設定する必要があることが分か
る。
以下に抑えるには、ガードバンド幅Ｗgの下限を数式
（５）を満たすように設定する必要があることが分か
る。
【００３０】この実施例では、数式（２）よりＷh−Ｗt
＝２Ｅであるから、 Ｗg≧２Ｅ＋ａ・ｂmax （６） に設定すればよいことが分かる。
＝２Ｅであるから、 Ｗg≧２Ｅ＋ａ・ｂmax （６） に設定すればよいことが分かる。
【００３１】ところで、数式（５）または（６）を満た
しながらガードバンド幅Ｗgを大きくすれば、それだけ
クロストークは低減されるが、反面、記録トラック１１
の密度が減少する。そこで、クロストークを所定の許容
量以下に抑えながら記録トラック１１の密度を従来より
向上させるためには、ガードバンド幅Ｗgに上限がある
と考えられる。その上限は次のようにして求められる。
しながらガードバンド幅Ｗgを大きくすれば、それだけ
クロストークは低減されるが、反面、記録トラック１１
の密度が減少する。そこで、クロストークを所定の許容
量以下に抑えながら記録トラック１１の密度を従来より
向上させるためには、ガードバンド幅Ｗgに上限がある
と考えられる。その上限は次のようにして求められる。
【００３２】従来例として、ディスクリート・トラック
方式でない表面が平坦な従来の磁気ディスクを用いた磁
気ディスク装置を採り上げる。この種の装置では、磁気
ヘッドの位置ずれによって生じるＳ／Ｎの低下を防ぐた
めに、記録素子と再生素子とを分離し記録素子のトラッ
ク幅を再生素子のトラック幅よりも広くする方法が知ら
れている。この方法を採用した従来の磁気ディスク装置
における記録トラックなどの位置関係を図４に示す。
方式でない表面が平坦な従来の磁気ディスクを用いた磁
気ディスク装置を採り上げる。この種の装置では、磁気
ヘッドの位置ずれによって生じるＳ／Ｎの低下を防ぐた
めに、記録素子と再生素子とを分離し記録素子のトラッ
ク幅を再生素子のトラック幅よりも広くする方法が知ら
れている。この方法を採用した従来の磁気ディスク装置
における記録トラックなどの位置関係を図４に示す。
【００３３】図４では、記録素子のトラック４２の幅
は、磁気ディスク３に形成された記録トラック３１の幅
に等しく、再生素子のトラック４１の幅よりも大きくな
っている。また、磁気ヘッドの位置決め精度は、図１の
ディスクリート・トラック方式の磁気ディスク装置と同
様に±Ｅであるとする。
は、磁気ディスク３に形成された記録トラック３１の幅
に等しく、再生素子のトラック４１の幅よりも大きくな
っている。また、磁気ヘッドの位置決め精度は、図１の
ディスクリート・トラック方式の磁気ディスク装置と同
様に±Ｅであるとする。
【００３４】まず、図４の磁気ディスク装置において、
図１のディスクリート・トラック方式の磁気ディスク１
と同じ強度の再生出力を得るためには、再生素子のトラ
ック４１の幅は、図１の磁気ディスク１の記録トラック
１１の幅Ｗtに一致する必要がある。そこで、再生素子
のトラック４１の幅はＷtとしてある。
図１のディスクリート・トラック方式の磁気ディスク１
と同じ強度の再生出力を得るためには、再生素子のトラ
ック４１の幅は、図１の磁気ディスク１の記録トラック
１１の幅Ｗtに一致する必要がある。そこで、再生素子
のトラック４１の幅はＷtとしてある。
【００３５】次に、記録時の磁気ヘッドの位置ずれによ
り、本来の中心位置から一方の側（図４では左側）に最
大位置ずれ量−Ｅで記録トラック３１が形成されている
とする。そして、再生時の磁気ヘッドの位置ずれによ
り、再生素子のトラック４１が前記中心位置から記録時
とは反対側（図４では右側）に最大位置ずれ量＋Ｅで記
録トラック３１上を走行するとする。この場合に、その
記録トラック３１から情報信号を最大強度で読み出せる
ようにするには、再生素子のトラック４１の幅Ｗtの両
側に２Ｅの幅の余裕が必要なため（図１参照）、記録素
子のトラック４２の幅、すなわち磁気ディスク３の記録
トラック３１の幅は（Ｗt＋４Ｅ）に設定する必要があ
る。こうすると、図４に示すように、再生素子のトラッ
ク４１のずれた側（図４では右側）の端は、記録トラッ
ク３１の対応する側の端と一致する。 さらに、目的の
記録トラック３１に隣接する記録トラック３２が、本来
の中心位置から記録トラック３１と同じ側（図４では左
側）に最大位置ずれ量−Ｅで形成されているとする。こ
の場合、その隣接記録トラック３２の記録トラック３１
側の端と、本来の中心位置から記録時とは反対側（図４
では右側）に最大位置ずれ量＋Ｅで記録トラック３１上
を走行する再生素子のトラック４１の端との間の距離
を、図１の磁気ディスク装置における距離ｄに等しくす
るためには、トラックピッチＴPは、 ＴP＝（Ｗt＋４Ｅ）＋ｄ （７） の関係を満たすことが必要である。
り、本来の中心位置から一方の側（図４では左側）に最
大位置ずれ量−Ｅで記録トラック３１が形成されている
とする。そして、再生時の磁気ヘッドの位置ずれによ
り、再生素子のトラック４１が前記中心位置から記録時
とは反対側（図４では右側）に最大位置ずれ量＋Ｅで記
録トラック３１上を走行するとする。この場合に、その
記録トラック３１から情報信号を最大強度で読み出せる
ようにするには、再生素子のトラック４１の幅Ｗtの両
側に２Ｅの幅の余裕が必要なため（図１参照）、記録素
子のトラック４２の幅、すなわち磁気ディスク３の記録
トラック３１の幅は（Ｗt＋４Ｅ）に設定する必要があ
る。こうすると、図４に示すように、再生素子のトラッ
ク４１のずれた側（図４では右側）の端は、記録トラッ
ク３１の対応する側の端と一致する。 さらに、目的の
記録トラック３１に隣接する記録トラック３２が、本来
の中心位置から記録トラック３１と同じ側（図４では左
側）に最大位置ずれ量−Ｅで形成されているとする。こ
の場合、その隣接記録トラック３２の記録トラック３１
側の端と、本来の中心位置から記録時とは反対側（図４
では右側）に最大位置ずれ量＋Ｅで記録トラック３１上
を走行する再生素子のトラック４１の端との間の距離
を、図１の磁気ディスク装置における距離ｄに等しくす
るためには、トラックピッチＴPは、 ＴP＝（Ｗt＋４Ｅ）＋ｄ （７） の関係を満たすことが必要である。
【００３６】ここで、隣接記録トラック３２からの再生
クロストークが所定値ａ以下に抑えられる最小のトラッ
クピッチＴPminは、数式（４）より ＴPmin＝（Ｗt＋４Ｅ）＋ａ・ｂmax （８） となる。
クロストークが所定値ａ以下に抑えられる最小のトラッ
クピッチＴPminは、数式（４）より ＴPmin＝（Ｗt＋４Ｅ）＋ａ・ｂmax （８） となる。
【００３７】図１のディスクリート・トラック方式の磁
気ディスク１では、トラックピッチは（Ｗt＋Ｗg）で表
わされるから、磁気ディスク１のトラックピッチを磁気
ディスク３の最小トラックピッチＴPminより狭くすれ
ば、従来の磁気ディスク３よりも記録トラックの密度を
高くすることができる。したがって、 Ｗt＋Ｗg＜ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋ａ・ｂmax （９） つまり、ガードバンド幅Ｗgを Ｗg＜４Ｅ＋ａ・ｂmax （１０） の関係を満たすように選べばよいことが分かる。
気ディスク１では、トラックピッチは（Ｗt＋Ｗg）で表
わされるから、磁気ディスク１のトラックピッチを磁気
ディスク３の最小トラックピッチＴPminより狭くすれ
ば、従来の磁気ディスク３よりも記録トラックの密度を
高くすることができる。したがって、 Ｗt＋Ｗg＜ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋ａ・ｂmax （９） つまり、ガードバンド幅Ｗgを Ｗg＜４Ｅ＋ａ・ｂmax （１０） の関係を満たすように選べばよいことが分かる。
【００３８】この実施例の磁気ディスク１では、記録ト
ラック幅Ｗtと再生素子２１のトラック２２の幅Ｗhの関
係は前記数式（２）のように選ばれているので、結局、
ガードバンド幅Ｗgは、 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋ａ・ｂmax （１１） を満たすように設定すればよいことが分かる。
ラック幅Ｗtと再生素子２１のトラック２２の幅Ｗhの関
係は前記数式（２）のように選ばれているので、結局、
ガードバンド幅Ｗgは、 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋ａ・ｂmax （１１） を満たすように設定すればよいことが分かる。
【００３９】以上述べたように、この第１実施例の磁気
ディスク装置では、ガードバンド幅Ｗgを数式（１１）
を満たすように設定すれば、再生クロストークを抑制し
ながら図４の従来の磁気ディスク装置よりも記録トラッ
ク１１の密度を大きくすることが可能となる。
ディスク装置では、ガードバンド幅Ｗgを数式（１１）
を満たすように設定すれば、再生クロストークを抑制し
ながら図４の従来の磁気ディスク装置よりも記録トラッ
ク１１の密度を大きくすることが可能となる。
【００４０】次に、（ｄ／ｂmax）＝ａの具体的な値を
適用した例について説明する。◆図２は、図１の磁気デ
ィスク装置において、再生素子２１のトラック幅Ｗh＝
２μｍ、磁気ディスク１の記録トラック１１の幅Ｗt＝
１．５μｍとした場合に、情報再生時に検出されるクロ
ストークを（ｄ／ｂmax）＝ａの値を種々変えて測定し
た結果を示す。
適用した例について説明する。◆図２は、図１の磁気デ
ィスク装置において、再生素子２１のトラック幅Ｗh＝
２μｍ、磁気ディスク１の記録トラック１１の幅Ｗt＝
１．５μｍとした場合に、情報再生時に検出されるクロ
ストークを（ｄ／ｂmax）＝ａの値を種々変えて測定し
た結果を示す。
【００４１】一般に、磁気ディスク装置の動作に必要な
Ｓ／Ｎを考慮すると、クロストークは−２６ｄＢ以下に
抑えられ、いっそうの高信頼性が要求される場合は−３
０ｄＢ以下に抑えられる。図２より、クロストークを−
２６ｄＢ以下にするには（ｄ／ｂmax）＝ａ≧０．５と
すればよく、−３０ｄＢ以下にするには（ｄ／ｂmax）
＝ａ≧０．９とすればよいことが読み取れる。
Ｓ／Ｎを考慮すると、クロストークは−２６ｄＢ以下に
抑えられ、いっそうの高信頼性が要求される場合は−３
０ｄＢ以下に抑えられる。図２より、クロストークを−
２６ｄＢ以下にするには（ｄ／ｂmax）＝ａ≧０．５と
すればよく、−３０ｄＢ以下にするには（ｄ／ｂmax）
＝ａ≧０．９とすればよいことが読み取れる。
【００４２】したがって、クロストークを−２６ｄＢ以
下に抑えるためには、数式（５）より、ガードバンド幅
Ｗgを Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋０．５ｂmax （１２） を満たすように設定する必要があることが分かる。同様
に、クロストークを−３０ｄＢ以下に抑えるためには、
ガードバンド幅Ｗgを Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋０．９ｂmax （１３） を満たすように設定する必要があることが分かる。
下に抑えるためには、数式（５）より、ガードバンド幅
Ｗgを Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋０．５ｂmax （１２） を満たすように設定する必要があることが分かる。同様
に、クロストークを−３０ｄＢ以下に抑えるためには、
ガードバンド幅Ｗgを Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋０．９ｂmax （１３） を満たすように設定する必要があることが分かる。
【００４３】他方、図４の従来の磁気ディスク装置で
は、再生クロストークを−２６ｄＢ以下に抑えるために
は、最小のトラックピッチＴPminは、数式（８）より ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋０．５ｂmax （１４） で表わされる。また、再生クロストークを−３０ｄＢ以
下に抑えるためには、 ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋０．９ｂmax （１５） とすればよい。
は、再生クロストークを−２６ｄＢ以下に抑えるために
は、最小のトラックピッチＴPminは、数式（８）より ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋０．５ｂmax （１４） で表わされる。また、再生クロストークを−３０ｄＢ以
下に抑えるためには、 ＴPmin＝Ｗt＋４Ｅ＋０．９ｂmax （１５） とすればよい。
【００４４】よって、図１のディスクリート・トラック
方式の磁気ディスク１のトラックピッチ（Ｗt＋Ｗg）を
ＴPminより狭くし、再生クロストークを−２６ｄＢ以下
に抑えながらトラック密度を大きくするには、数式（１
４）より Ｗt＋Ｗg＜Ｗt＋４Ｅ＋０．５ｂmax （１６） したがって、 Ｗg＜４Ｅ＋０．５ｂmax （１７） の関係を満たすようにガードバンド幅Ｗgを選べばよい
ことが分かる。
方式の磁気ディスク１のトラックピッチ（Ｗt＋Ｗg）を
ＴPminより狭くし、再生クロストークを−２６ｄＢ以下
に抑えながらトラック密度を大きくするには、数式（１
４）より Ｗt＋Ｗg＜Ｗt＋４Ｅ＋０．５ｂmax （１６） したがって、 Ｗg＜４Ｅ＋０．５ｂmax （１７） の関係を満たすようにガードバンド幅Ｗgを選べばよい
ことが分かる。
【００４５】同様にして、 Ｗg＜４Ｅ＋０．９ｂmax （１８） の関係を満たすようにガードバンド幅Ｗgを選べば、再
生クロストークを−３０ｄＢ以下に抑えながら従来より
高い記録トラック密度が得られる。
生クロストークを−３０ｄＢ以下に抑えながら従来より
高い記録トラック密度が得られる。
【００４６】この実施例では、前述のように、記録トラ
ック１１の幅Ｗtと再生素子２１のトラック２２の幅Ｗh
とは数式（２）の関係にあるので、ガードバンド幅Ｗg
を Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋０．５ｂmax （１９） の関係を満たすようにすれば、再生クロストーク−２６
ｄＢ以下を確保しながら従来の磁気ディスクより高い記
録トラック密度が得られる。
ック１１の幅Ｗtと再生素子２１のトラック２２の幅Ｗh
とは数式（２）の関係にあるので、ガードバンド幅Ｗg
を Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋０．５ｂmax （１９） の関係を満たすようにすれば、再生クロストーク−２６
ｄＢ以下を確保しながら従来の磁気ディスクより高い記
録トラック密度が得られる。
【００４７】 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋０．９ｂmax （２０） の関係を満たすようにすれば、再生クロストーク−３０
ｄＢ以下を確保しながら従来の磁気ディスクより高い記
録トラック密度が得られる。
ｄＢ以下を確保しながら従来の磁気ディスクより高い記
録トラック密度が得られる。
【００４８】次に、図５を参照しながら、この第１実施
例の磁気ディスク装置の具体例について説明する。◆図
５の磁気ディスク１は、表面が平坦な直径６５ｍｍ
（２．５インチ）の非磁性基板５１ａと、基板５１ａ上
に形成されたＣｒ膜（厚さ１５０ｎｍ）からなる下地層
５２と、ＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）からなる記録
層５３と、カーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層
５４とを順に積層した構成である。この磁気ディスク１
は次のようにして製作した。
例の磁気ディスク装置の具体例について説明する。◆図
５の磁気ディスク１は、表面が平坦な直径６５ｍｍ
（２．５インチ）の非磁性基板５１ａと、基板５１ａ上
に形成されたＣｒ膜（厚さ１５０ｎｍ）からなる下地層
５２と、ＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）からなる記録
層５３と、カーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層
５４とを順に積層した構成である。この磁気ディスク１
は次のようにして製作した。
【００４９】まず、非磁性基板５１ａの上にＣｒ膜（厚
さ１５０ｎｍ）からなる下地層５２を形成し、次いで、
下地層５２の上にＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）から
なる記録層５３を形成した。これらの工程はスパッタリ
ングにより行なった。
さ１５０ｎｍ）からなる下地層５２を形成し、次いで、
下地層５２の上にＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）から
なる記録層５３を形成した。これらの工程はスパッタリ
ングにより行なった。
【００５０】次に、前記記録層５３の上にフォトレジス
トを塗布した後、その上にガードバンド１２に形成する
溝のパターンを有する原盤マスクを密着して露光・現像
した。これにより、ガードバンド１２の溝に対応する箇
所のフォトレジストが除去されたフォトレジスト膜を得
た。
トを塗布した後、その上にガードバンド１２に形成する
溝のパターンを有する原盤マスクを密着して露光・現像
した。これにより、ガードバンド１２の溝に対応する箇
所のフォトレジストが除去されたフォトレジスト膜を得
た。
【００５１】その後、フォトレジスト膜の上からイオン
ミリング等の方法でエッチングを行ない、ガードバンド
１２の溝に対応する箇所の記録層５３を選択的に除去し
た。エッチング深さは記録層５３の厚さより深い５０ｎ
ｍとした。こうしてディスクリート・トラック方式の記
録トラック１１を得た。最後に、記録層５３の表面に残
っているフォトレジスト膜を除去してから、記録層５３
の上にカーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層５４
を形成した。
ミリング等の方法でエッチングを行ない、ガードバンド
１２の溝に対応する箇所の記録層５３を選択的に除去し
た。エッチング深さは記録層５３の厚さより深い５０ｎ
ｍとした。こうしてディスクリート・トラック方式の記
録トラック１１を得た。最後に、記録層５３の表面に残
っているフォトレジスト膜を除去してから、記録層５３
の上にカーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層５４
を形成した。
【００５２】図５の磁気ディスクでは、エッチング深さ
を記録層５３の厚さより深くしているので、ガードバン
ド１２に記録層５３は残っていない。ガードバンド１２
では、エッチングにより選択的に除去された下地層５２
の中に保護層５４が形成されている。
を記録層５３の厚さより深くしているので、ガードバン
ド１２に記録層５３は残っていない。ガードバンド１２
では、エッチングにより選択的に除去された下地層５２
の中に保護層５４が形成されている。
【００５３】図５の磁気ディスクを組み込む磁気ディス
ク装置の磁気ヘッドの位置決め精度は±０．２μｍであ
った。そこで、これを考慮して、磁気ディスクの記録ト
ラック１１の幅Ｗtを１．５μｍ、再生素子２１のトラ
ック幅Ｗhを２．０μｍとした。ガードバンド１２の幅
Ｗgは０．６〜２μｍの範囲で各種作製した。磁気ヘッ
ドは、記録素子として磁気誘導型の薄膜素子を用い、再
生素子２１としてシールド型の磁気抵抗効果型（ＭＲ）
素子を用いた、記録再生分離型とした。記録素子のトラ
ック幅は２．０μｍとした。
ク装置の磁気ヘッドの位置決め精度は±０．２μｍであ
った。そこで、これを考慮して、磁気ディスクの記録ト
ラック１１の幅Ｗtを１．５μｍ、再生素子２１のトラ
ック幅Ｗhを２．０μｍとした。ガードバンド１２の幅
Ｗgは０．６〜２μｍの範囲で各種作製した。磁気ヘッ
ドは、記録素子として磁気誘導型の薄膜素子を用い、再
生素子２１としてシールド型の磁気抵抗効果型（ＭＲ）
素子を用いた、記録再生分離型とした。記録素子のトラ
ック幅は２．０μｍとした。
【００５４】以上の条件の下、最大線記録密度を１５０
ｋＢＰＩとして、最大位置ずれ時（ずれ量０．２μｍ）
の隣接トラックからのクロストークを測定した結果を図
６の曲線６１に示す。図６の横軸はトラックピッチとし
てある。したがって、図５の磁気ディスクでは、記録ト
ラック１１の幅Ｗtとガードバンド１２の幅Ｗgの和（Ｗ
t＋Ｗg）＝（１．５＋Ｗg）μｍとなる。
ｋＢＰＩとして、最大位置ずれ時（ずれ量０．２μｍ）
の隣接トラックからのクロストークを測定した結果を図
６の曲線６１に示す。図６の横軸はトラックピッチとし
てある。したがって、図５の磁気ディスクでは、記録ト
ラック１１の幅Ｗtとガードバンド１２の幅Ｗgの和（Ｗ
t＋Ｗg）＝（１．５＋Ｗg）μｍとなる。
【００５５】この測定では、信号処理にＰＲＭＬ（Part
ial Response Maximum Likelihood）方式を用いること
を仮定し、記録変調方式にデータ“０”の最大ラン長が
４である（８／９）変換符号を用いるとしているため、
最大線記録密度の記録トラック１１における最長ビット
長（最長磁化反転間隔）ｂmaxを０．７５μｍとした。
図６の曲線６２は、図４に示す従来の磁気ディスク３
を用いた磁気ディスク装置のクロストーク測定結果を示
す。この測定では、この発明の磁気ディスク装置と同じ
位置決め精度（±０．２μｍ）で同一の再生出力が得ら
れるように、再生素子のトラック幅を磁気ディスク１の
記録トラック１１の幅Ｗtに等しく１．５μｍとし、ま
た磁気ヘッドの記録素子のトラック幅を２．３μｍとし
た。
ial Response Maximum Likelihood）方式を用いること
を仮定し、記録変調方式にデータ“０”の最大ラン長が
４である（８／９）変換符号を用いるとしているため、
最大線記録密度の記録トラック１１における最長ビット
長（最長磁化反転間隔）ｂmaxを０．７５μｍとした。
図６の曲線６２は、図４に示す従来の磁気ディスク３
を用いた磁気ディスク装置のクロストーク測定結果を示
す。この測定では、この発明の磁気ディスク装置と同じ
位置決め精度（±０．２μｍ）で同一の再生出力が得ら
れるように、再生素子のトラック幅を磁気ディスク１の
記録トラック１１の幅Ｗtに等しく１．５μｍとし、ま
た磁気ヘッドの記録素子のトラック幅を２．３μｍとし
た。
【００５６】曲線６１および６２から、この発明の磁気
ディスク装置によれば、従来例に比べて再生クロストー
クを５〜１２ｄＢ改善できることが分かる。
ディスク装置によれば、従来例に比べて再生クロストー
クを５〜１２ｄＢ改善できることが分かる。
【００５７】曲線６１から分かるように、この発明の磁
気ディスク装置では、磁気ディスク１のガードバンド１
２の幅Ｗgを０．９μｍとした場合、すなわちトラック
ピッチを（Ｗt＋Ｗg）＝（１．５＋０．９）＝２．４μ
ｍとした場合、トラック密度は１０．６ｋＴＰＩであ
り、このときのクロストークは−２６ｄＢであった。
気ディスク装置では、磁気ディスク１のガードバンド１
２の幅Ｗgを０．９μｍとした場合、すなわちトラック
ピッチを（Ｗt＋Ｗg）＝（１．５＋０．９）＝２．４μ
ｍとした場合、トラック密度は１０．６ｋＴＰＩであ
り、このときのクロストークは−２６ｄＢであった。
【００５８】同じクロストーク−２６ｄＢを従来の磁気
ディスク装置で得るためには、曲線６２から分かるよう
に、トラックピッチを２．７５μｍまで広げる（トラッ
ク密度を９．２ｋＴＰＩまで落とす）必要がある。
ディスク装置で得るためには、曲線６２から分かるよう
に、トラックピッチを２．７５μｍまで広げる（トラッ
ク密度を９．２ｋＴＰＩまで落とす）必要がある。
【００５９】なお、この場合、数式（５）の左辺はＷg
＝０．９μｍとなる。また、その右辺はＷh＝２．０μ
ｍ、Ｗt＝１．５μｍ、ｂmax＝０．７５μｍであるか
ら、ａ＝０．５とすると、 Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax＝２．０−１．５＋０．５×０．
７５＝０．８７５ となる。したがって、０．９≧０．８７５となり、数式
（５）を満たしていることが分かる。
＝０．９μｍとなる。また、その右辺はＷh＝２．０μ
ｍ、Ｗt＝１．５μｍ、ｂmax＝０．７５μｍであるか
ら、ａ＝０．５とすると、 Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax＝２．０−１．５＋０．５×０．
７５＝０．８７５ となる。したがって、０．９≧０．８７５となり、数式
（５）を満たしていることが分かる。
【００６０】また、Ｅ＝０．２μｍであるから、数式
（１０）の右辺は ４Ｅ＋ａ・ｂmax＝４×０．２＋０．５×０．７５＝
１．１７５ したがって、０．９≦１．１７５となり、数式（１０）
を満たしていることが分かる。
（１０）の右辺は ４Ｅ＋ａ・ｂmax＝４×０．２＋０．５×０．７５＝
１．１７５ したがって、０．９≦１．１７５となり、数式（１０）
を満たしていることが分かる。
【００６１】磁気ディスク１のガードバンド１２の幅Ｗ
gを１．２μｍとした場合、すなわちトラックピッチを
（Ｗt＋Ｗg）＝（１．５＋１．２）＝２．７μｍとした
場合、トラック密度は９．４ｋＴＰＩであり、このとき
のクロストークは−３０．５ｄＢであった。
gを１．２μｍとした場合、すなわちトラックピッチを
（Ｗt＋Ｗg）＝（１．５＋１．２）＝２．７μｍとした
場合、トラック密度は９．４ｋＴＰＩであり、このとき
のクロストークは−３０．５ｄＢであった。
【００６２】同じクロストーク−３０．５ｄＢを従来の
磁気ディスク装置で得るためには、曲線６２から分かる
ように、トラックピッチを３．１μｍまで広げる（トラ
ック密度を８．３ｋＴＰＩまで落とす）必要がある。
磁気ディスク装置で得るためには、曲線６２から分かる
ように、トラックピッチを３．１μｍまで広げる（トラ
ック密度を８．３ｋＴＰＩまで落とす）必要がある。
【００６３】この場合、数式（５）の左辺はＷg＝１．
２であり、その右辺はＷh＝２．０μｍ、Ｗt＝１．５μ
ｍ、ｂmax＝０．７５μｍであるから、ａ＝０．９とす
ると、 Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax＝２．０−１．５＋０．９×０．
７５＝１．１７５となる。したがって、１．２≧１．１
７５となり、この場合も数式（５）を満たしていること
が分かる。
２であり、その右辺はＷh＝２．０μｍ、Ｗt＝１．５μ
ｍ、ｂmax＝０．７５μｍであるから、ａ＝０．９とす
ると、 Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax＝２．０−１．５＋０．９×０．
７５＝１．１７５となる。したがって、１．２≧１．１
７５となり、この場合も数式（５）を満たしていること
が分かる。
【００６４】また、数式（１０）の右辺は ４Ｅ＋ａ・ｂmax＝４×０．２＋０．９×０．７５＝
１．４７５ したがって、１．２≦１．４７５となり、数式（１０）
を満たしていることが分かる。
１．４７５ したがって、１．２≦１．４７５となり、数式（１０）
を満たしていることが分かる。
【００６５】［第２実施例］図７は、この発明の第２実
施例の磁気ディスク装置に用いる、ディスクリート・ト
ラック方式の磁気ディスクを示す。第１実施例の磁気デ
ィスク１は、記録層５３のエッチングによりディスクリ
ート・トラックを形成しているが、この第２実施例の磁
気ディスクは、表面にガードバンド１２の溝のパターン
が予め形成された基板を使用するものである。
施例の磁気ディスク装置に用いる、ディスクリート・ト
ラック方式の磁気ディスクを示す。第１実施例の磁気デ
ィスク１は、記録層５３のエッチングによりディスクリ
ート・トラックを形成しているが、この第２実施例の磁
気ディスクは、表面にガードバンド１２の溝のパターン
が予め形成された基板を使用するものである。
【００６６】直径６５ｍｍ（２．５インチ）の非磁性基
板５１ｂの表面の溝は、記録トラック１１の幅Ｗtが
１．５μｍ、ガードバンド１２の深さが５０ｎｍであ
る。また、ガードバンド１２の幅Ｗgは０．６〜２μｍ
の範囲で各種設定した。この溝パターンの形成は、第１
実施例の溝形成プロセスと同様に、フォトリソグラフィ
ー法で行なった。
板５１ｂの表面の溝は、記録トラック１１の幅Ｗtが
１．５μｍ、ガードバンド１２の深さが５０ｎｍであ
る。また、ガードバンド１２の幅Ｗgは０．６〜２μｍ
の範囲で各種設定した。この溝パターンの形成は、第１
実施例の溝形成プロセスと同様に、フォトリソグラフィ
ー法で行なった。
【００６７】この基板５１ｂ上に、第１実施例と同様に
して、Ｃｒ膜（厚さ１５０ｎｍ）からなる下地層５２
と、ＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）よりなる記録層５
３と、カーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層５４
をこの順に積層し、図７に示す構成の磁気ディスクを得
た。この磁気ディスクは、第１実施例とほぼ同一の記録
トラック１１とガードバンド１２を有している。
して、Ｃｒ膜（厚さ１５０ｎｍ）からなる下地層５２
と、ＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ３０ｎｍ）よりなる記録層５
３と、カーボン膜（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層５４
をこの順に積層し、図７に示す構成の磁気ディスクを得
た。この磁気ディスクは、第１実施例とほぼ同一の記録
トラック１１とガードバンド１２を有している。
【００６８】図７の磁気ディスクでは、基板５１ｂの全
表面を覆う下地層５２の表面に、基板５１ｂの表面の凹
凸を反映した凹凸が形成されている。下地層５２の上に
形成された記録層５３は、下地層５２に比べて厚さが小
さいので、下地層５２の凸部（記録トラック１１）の表
面と凹部（ガードバンド１２）の底面にほとんど分離し
て形成されており、それら凸部の側面にはほとんど存在
していない。保護層５４は、記録層５３の全表面を覆っ
ているが、これも記録層５３と同様に、記録層５３の凸
部の表面と凹部の底面にほとんど分離して形成されてお
り、それら凸部の側面にはほとんど存在していない。
表面を覆う下地層５２の表面に、基板５１ｂの表面の凹
凸を反映した凹凸が形成されている。下地層５２の上に
形成された記録層５３は、下地層５２に比べて厚さが小
さいので、下地層５２の凸部（記録トラック１１）の表
面と凹部（ガードバンド１２）の底面にほとんど分離し
て形成されており、それら凸部の側面にはほとんど存在
していない。保護層５４は、記録層５３の全表面を覆っ
ているが、これも記録層５３と同様に、記録層５３の凸
部の表面と凹部の底面にほとんど分離して形成されてお
り、それら凸部の側面にはほとんど存在していない。
【００６９】この磁気ディスクを第１実施例と同じ磁気
ヘッドと組み合わせて磁気ディスク装置を構成し、第１
実施例と同様にしてクロストークの測定を行なった。そ
の結果を図６の曲線６３に示す。図６より明らかなよう
に、第１実施例とほぼ同等の結果が得られている。
ヘッドと組み合わせて磁気ディスク装置を構成し、第１
実施例と同様にしてクロストークの測定を行なった。そ
の結果を図６の曲線６３に示す。図６より明らかなよう
に、第１実施例とほぼ同等の結果が得られている。
【００７０】この第２実施例の磁気ディスクを用いれ
ば、ガードバンド１２の記録層５３を取り除くことなく
ほぼ同等の効果が得られるので、磁気ディスクの作製プ
ロセスが簡略化される利点がある。また、ガードバンド
１２の溝を形成するためのエッチング・プロセスが不要
となる利点もある。
ば、ガードバンド１２の記録層５３を取り除くことなく
ほぼ同等の効果が得られるので、磁気ディスクの作製プ
ロセスが簡略化される利点がある。また、ガードバンド
１２の溝を形成するためのエッチング・プロセスが不要
となる利点もある。
【００７１】この第２実施例では、基板５１ｂの表面の
溝パターンをフォトリソグラフィー法で形成している
が、スタンパ法などを用いれば基板５１ｂの量産が可能
である。この場合、磁気ディスクの作製がいっそう容易
になる。
溝パターンをフォトリソグラフィー法で形成している
が、スタンパ法などを用いれば基板５１ｂの量産が可能
である。この場合、磁気ディスクの作製がいっそう容易
になる。
【００７２】なお、前記磁気ディスクの記録トラック１
１の幅Ｗtおよびガードバンド１２の幅Ｗgは、図５およ
び図７のようにその境界面がテーパ状になっている場合
は、その先端（表面）で測定する。
１の幅Ｗtおよびガードバンド１２の幅Ｗgは、図５およ
び図７のようにその境界面がテーパ状になっている場合
は、その先端（表面）で測定する。
【００７３】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の磁気ディ
スクおよび磁気ディスク装置によれば、従来よりも記録
トラック密度を向上することができる。例えば、従来と
同じ磁気性能の磁気ヘッドと従来と同じ精度の機構系を
用いて、記録トラックの密度を１０％以上向上すること
が可能である。
スクおよび磁気ディスク装置によれば、従来よりも記録
トラック密度を向上することができる。例えば、従来と
同じ磁気性能の磁気ヘッドと従来と同じ精度の機構系を
用いて、記録トラックの密度を１０％以上向上すること
が可能である。
【００７４】また、記録トラック密度が同じ場合は、従
来よりも信頼性を向上することができる。
来よりも信頼性を向上することができる。
【図１】この発明の第１実施例の磁気ディスク装置にお
いて、磁気ディスクの記録トラックおよびガードバンド
と磁気ヘッドの再生素子のトラックとの位置関係を示す
説明図である。
いて、磁気ディスクの記録トラックおよびガードバンド
と磁気ヘッドの再生素子のトラックとの位置関係を示す
説明図である。
【図２】この発明の第１実施例の磁気ディスク装置にお
いて、再生素子のトラック端から隣接する記録トラック
端までの距離とビット長の比（ｄ／ｂ）に対する再生ク
ロストークの変化を示すグラフである。
いて、再生素子のトラック端から隣接する記録トラック
端までの距離とビット長の比（ｄ／ｂ）に対する再生ク
ロストークの変化を示すグラフである。
【図３】この発明の第１実施例の磁気ディスク装置の要
部構成を示す図である。
部構成を示す図である。
【図４】従来の磁気ディスク装置における図１と同様の
図である。
図である。
【図５】この発明の第１実施例の磁気ディスク装置に用
いる磁気ディスクの半径方向断面図である。
いる磁気ディスクの半径方向断面図である。
【図６】この発明の第１実施例および第２実施例の磁気
ディスク装置と従来の磁気ディスク装置において、トラ
ックピッチおよびトラック密度に対する再生クロストー
クの変化を示すグラフである。
ディスク装置と従来の磁気ディスク装置において、トラ
ックピッチおよびトラック密度に対する再生クロストー
クの変化を示すグラフである。
【図７】この発明の第２実施例の磁気ディスク装置に用
いる磁気ディスクの半径方向断面図である。
いる磁気ディスクの半径方向断面図である。
１ ディスクリート・トラック方式の磁気ディスク １１ 磁気ディスクの記録トラック １２ 磁気ディスクのガードバンド ２ 磁気ヘッド ２１ 磁気ヘッドの再生素子 ２２ 再生素子のトラック位置 ３ 従来の磁気ディスク ３１ 磁気ディスクの記録トラック ３２ 磁気ディスクの記録トラック ４１ 磁気ヘッドの再生素子のトラック位置 ４２ 磁気ヘッドの記録素子のトラック位置 ５１ａ、５１ｂ 非磁性基板 ５２ 下地層 ５３ 記録層 ５４ 保護層 ６１ 第１実施例の再生クロストーク曲線 ６２ 従来例の再生クロストーク曲線 ６３ 第２実施例の再生クロストーク曲線
Claims (10)
- 【請求項１】 ディスクリート・トラック方式の記録ト
ラックを有する磁気ディスクと、その磁気ディスクに情
報を記録する記録素子および記録した情報を再生する再
生素子を有する磁気ヘッドとを備えた磁気ディスク装置
において、 前記磁気ディスクの記録トラックおよびガードバンドの
幅をそれぞれＷt、Ｗgとし、前記再生素子のトラック幅
をＷh、最大線記録密度の記録トラックにおける記録デ
ータの最長ビット長をｂmax、再生時のクロストーク許
容量を示す定数をａとしたとき、それらが Ｗg≧Ｗh−Ｗt＋ａ・ｂmax の関係を満たすことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 ａ＝０．５である請求項１に記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項３】 ａ＝０．９である請求項１に記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項４】 前記再生素子の最大位置ずれ量を±Ｅと
したとき、前記磁気ディスクの記録トラック幅Ｗtと前
記再生素子のトラック幅Ｗhとが、 Ｗh≧Ｗt＋２Ｅ の関係を満たしている請求項１〜３のいずれかに記載の
磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記再生素子の最大位置ずれ量を±Ｅと
したとき、前記ガードバンド幅Ｗgが、 Ｗg＜４Ｅ＋ａ・ｂmax の関係を満たす請求項１〜４のいずれかに記載の磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項６】 前記ガードバンド幅Ｗgが、 Ｗg＜２（Ｗh−Ｗt）＋ａ・ｂmax の関係を満たす請求項５に記載の磁気ディスク装置。
- 【請求項７】 ａ＝０．５である請求項５または６に記
載の磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 ａ＝０．９である請求項５または６に記
載の磁気ディスク装置。 - 【請求項９】 前記磁気ディスクが、表面の平坦な基板
の上に直接または下地層を介して形成された記録層を有
していると共に、前記各ガードバンドには溝が形成され
ており、しかも、前記記録層は前記記録トラック上にの
み存在し、前記溝の内部には存在していない請求項１〜
８のいずれかに記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項１０】 前記磁気ディスクが、表面に凹凸を持
つ基板の上に直接または下地層を介して形成された記録
層を有していると共に、前記凹凸に対応するパターンで
前記ガードバンドに溝が形成されており、しかも、前記
記録層は前記記録トラック上および前記ガードバンドの
溝の内部に存在している請求項１〜８のいずれかに記載
の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23114593A JPH0785406A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23114593A JPH0785406A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785406A true JPH0785406A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16919000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23114593A Pending JPH0785406A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785406A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004086968A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2006252772A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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| US8257560B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Patterned media and method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
| US8318332B2 (en) | 2009-06-22 | 2012-11-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method for fabricating the same, and magnetic storage device |
| US8687309B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-04-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system |
| US9275670B2 (en) | 2012-05-08 | 2016-03-01 | HGST Netherlands B.V. | Methods of production for corrosion-resistant bit patterned media (BPM) and discrete track media (DTM) |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23114593A patent/JPH0785406A/ja active Pending
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