JP5254381B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 84
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 76
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 27
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 20
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 35
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 10
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229920007962 Styrene Methyl Methacrylate Polymers 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N cyclononane Chemical compound C1CCCCCCCC1 GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- -1 cellosolves Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
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- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0147—Film patterning
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
シリコンウエハーの表面をUV洗浄機で5分間処理した。シラノール置換架橋型ポリシラン(大阪ガスケミカル社製 オグソールSI−20)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解して1w/w%溶液を調製し、この溶液をスピンコートによりシリコンウエハー上に塗布することにより高分子膜を形成した。水銀ランプを照射し、高分子膜上に露光部および未露光部のパターンを形成した後、250℃で30分、ベーカーにより加熱した。
シリコンウエハーの表面をUV洗浄機で5分間処理した。シラノール置換架橋型ポリシラン(大阪ガスケミカル社製 オグソールSI−20)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解して1%溶液を調製し、この溶液をスピンコートによりシリコンウエハー上に塗布し、110℃で90秒加熱した。その後、10および100μm角のマスク部を配置したレチクルをポリシラン膜上に配置し、水銀ランプで10秒露光して、露光部および未露光部のパターンを形成した。露光部における水の接触角は80°であり、未露光部における水の接触角は83°であった。その後、250℃で30分、ベーカーにより加熱した。
露光時間を120秒とした以外は、実施例2と同様に実験を行った。露光部における水の接触角は79°であり、未露光部における水の接触角は83°であった。その結果、マスクにより遮光された部分では、基板に垂直なラメラ相が観察され、露光部では基板に平行なラメラ相が観察された。
用いるブロックコポリマーをP2813−SMMAとした以外は、実施例3と同様に実験を行った。P2813−SMMAは、PSブロックとPMMAブロックの数平均分子量(Mn)がそれぞれ130000および133000であり、分散度(Mw/Mn)は1.1である。露光部における水の接触角は79°であり、未露光部における水の接触角は83°であった。このように実験を行うと、マスクに遮光された部分では、基板に垂直なラメラ相が観察され、露光部では基板に平行なラメラ相が観察される。
用いるブロックコポリマーをP3964−SMMAとした以外は、実施例3と同様に実験を行った。
水銀ランプでの露光の代わりにArFエキシマレーザーステッパーを用い、透過部と不透過部が1μmの間隔で交互かつライン状に形成されたマスクを通じて露光量500mJ/cm2で露光する以外は、実施例2と同様に実験を行うと、露光部における水の接触角は76°であり、未露光部における水の接触角は83°となる。その結果、図2(a)に示すように、マスクに遮光された未露光部分22では基板に垂直なラメラ相が形成され、PSブロックの層22aとPMMAブロックの層22bとが交互に並んでいることが確認できる。一方、露光部21では基板に平行なラメラ相が形成される。
水銀ランプでの露光の代わりにKrFエキシマレーザーステッパーを用い、透過部と不透過部が1μmの間隔で交互かつライン状に形成されたマスクを通じて露光量500mJ/cm2で露光する以外は、実施例2と同様に実験を行うと、露光部における水の接触角は76°であり、未露光部における水の接触角は83°となる。その結果、図2(a)に示すような相分離パターンとなる。
Claims (12)
- 基板上に高分子膜を形成し、
前記高分子膜に対して選択的に第1および第2の条件でエネルギー線を照射することにより、前記高分子膜表面に、表面自由エネルギーの異なる第1および第2の領域を形成し、
前記高分子膜上に、第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成し、
前記ブロックコポリマーをミクロ相分離させ、前記第1および第2の領域の表面自由エネルギーに基づいて、前記第1および第2のブロック鎖を前記基板に対して垂直または平行に配向させることにより、前記第1の領域上のブロックコポリマー層と前記第2の領域上のブロックコポリマー層とで異なるミクロ相分離パターンを同時に形成する
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記ミクロ相分離パターンは、前記第1および第2のブロック鎖の配向により形成される第1および第2のブロック鎖のミクロ相分離層を含むラメラ相またはシリンダー相であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記ミクロ相分離パターンは、前記第1の領域上では、前記第1および第2のブロック鎖の層が前記基板に対して垂直に交互に積層されたラメラ相であり、前記第2の領域上では、前記第1および第2のブロック鎖の層が前記基板に対して平行に交互に積層されたラメラ相であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記第1のブロック鎖はポリスチレンからなり、前記第2のブロック鎖はポリメチルメタクリレートからなり、前記第1の領域上における水の接触角は80°より大きく90°未満であり、前記第2の領域上における水の接触角は75〜80°または90°以上であることを特徴とする、請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第1または第2のブロック鎖のパターンを選択的に除去し、残存した前記第2または第1のブロック鎖のパターンをエッチングマスクとして用いることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記高分子は、ケイ素系材料であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記ケイ素系材料は、ポリシランであることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 基板と、
基板上に形成された高分子膜と、
第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマーの層であって、前記第1および第2のブロック鎖の配向により形成される第1および第2のブロック鎖の層が前記基板に対して垂直に交互に積層された第1のラメラ相と、前記第1および第2のブロック鎖の層が前記基板に対して平行に交互に積層された第2のラメラ相とを含むブロックコポリマー層と
を具備することを特徴とする、請求項3に記載のパターン形成方法により得られる構造体。 - 前記第1のラメラ相における前記第1および第2のブロック鎖の層は、前記第1のラメラ相と前記第2のラメラ相の界面に対して垂直に並ぶことを特徴とする請求項8に記載の構造体。
- 前記第1のラメラ相における前記第1および第2のブロック鎖の層は、前記第1のラメラ相と前記第2のラメラ相の界面に対して平行に並ぶことを特徴とする請求項8に記載の構造体。
- 前記高分子は、ケイ素系材料であることを特徴とする請求項8に記載の構造体。
- 前記ケイ素系材料は、ポリシランであることを特徴とする請求項11に記載の構造体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011037273A JP5254381B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | パターン形成方法 |
KR1020120015224A KR101343760B1 (ko) | 2011-02-23 | 2012-02-15 | 패턴 형성 방법 |
TW101105510A TWI464544B (zh) | 2011-02-23 | 2012-02-20 | Pattern formation method |
US13/402,400 US8808973B2 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-22 | Method of forming pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011037273A JP5254381B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012174984A JP2012174984A (ja) | 2012-09-10 |
JP5254381B2 true JP5254381B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=46653015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011037273A Expired - Fee Related JP5254381B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | パターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8808973B2 (ja) |
JP (1) | JP5254381B2 (ja) |
KR (1) | KR101343760B1 (ja) |
TW (1) | TWI464544B (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5484817B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2014120526A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP6002056B2 (ja) | 2013-02-18 | 2016-10-05 | 株式会社東芝 | ガイドパターンデータ補正方法、プログラム、及びパターン形成方法 |
US9209014B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control |
JP5802233B2 (ja) | 2013-03-27 | 2015-10-28 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP6094311B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-15 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
WO2014188806A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Jsr株式会社 | 自己組織化リソグラフィープロセス及び下層膜形成用組成物 |
JP6023010B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
CN105960422B (zh) | 2013-12-06 | 2019-01-18 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2015084121A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084131A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084123A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6496318B2 (ja) | 2013-12-06 | 2019-04-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
JP6419820B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-11-07 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
JP6402867B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-10-10 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
EP3101043B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3078690B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6334706B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-05-30 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
KR102238922B1 (ko) | 2013-12-26 | 2021-04-12 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 하지막 형성용 조성물 및 자기 조직화 리소그래피 방법 |
JP6398695B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-03 | Jsr株式会社 | 下地膜形成用組成物及び自己組織化リソグラフィープロセス |
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JP2015170723A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び自己組織化組成物 |
JP6129773B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-05-17 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP6237423B2 (ja) * | 2014-04-08 | 2017-11-29 | 株式会社デンソー | 機能膜を有する構造体の製造方法 |
US9690192B2 (en) | 2014-04-21 | 2017-06-27 | Jsr Corporation | Composition for base, and directed self-assembly lithography method |
JP6357054B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-07-11 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法 |
WO2016052994A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016052999A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6538159B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-07-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
EP3202798B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-12 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3214102B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-05 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107077066B9 (zh) | 2014-09-30 | 2021-05-14 | 株式会社Lg化学 | 制造图案化基底的方法 |
CN107075028B (zh) | 2014-09-30 | 2020-04-03 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
CN107075054B (zh) | 2014-09-30 | 2020-05-05 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
JP6928764B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属酸化物のスピンオン堆積の方法 |
KR102443384B1 (ko) | 2016-07-06 | 2022-09-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막 형성용 조성물, 막 형성 방법 및 자기 조직화 리소그래피 프로세스 |
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TWI805617B (zh) * | 2017-09-15 | 2023-06-21 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | 層壓板 |
KR102399191B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2022-05-18 | 주식회사 엘지화학 | 적층체 |
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KR20200040668A (ko) | 2018-10-10 | 2020-04-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 패턴화된 기판 |
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DE102020131642A1 (de) * | 2020-06-02 | 2021-12-02 | Intel Corporation | Strukturen und techniken der gerichteten selbstorganisation |
US12002678B2 (en) | 2020-09-25 | 2024-06-04 | Intel Corporation | Gate spacing in integrated circuit structures |
KR102595510B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2023-10-27 | 포항공과대학교 산학협력단 | 기판의 표면장력을 조절하여 형성된 이중 나노 중공 패턴을 포함하는 이중 나노 중공 패턴 공중합체 박막 적층체 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4127682B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US6746825B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-06-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates |
JP5377857B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2013-12-25 | ウィスコンシン・アラムナイ・リサーチ・ファウンデーション | 非周期的パターン共重合体フィルムのための方法及び組成 |
KR101366792B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2014-02-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 폴리실란화합물을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물 |
JP5414011B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2014-02-12 | 国立大学法人京都大学 | 微細構造体、パターン媒体、及びそれらの製造方法 |
JP4673266B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2011-04-20 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法及びモールド |
JP5340530B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2013-11-13 | リンテック株式会社 | ミクロ相分離構造物の製造方法 |
JP5132117B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2013-01-30 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
US8404124B2 (en) * | 2007-06-12 | 2013-03-26 | Micron Technology, Inc. | Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces |
KR101355167B1 (ko) | 2007-12-14 | 2014-01-28 | 삼성전자주식회사 | 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US8999492B2 (en) * | 2008-02-05 | 2015-04-07 | Micron Technology, Inc. | Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers |
JP5651288B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2015-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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JP2009298911A (ja) | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Canon Inc | ブロック共重合体および基板の加工方法 |
US8349203B2 (en) * | 2009-09-04 | 2013-01-08 | International Business Machines Corporation | Method of forming self-assembled patterns using block copolymers, and articles thereof |
JP5112562B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2012004434A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037273A patent/JP5254381B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-15 KR KR1020120015224A patent/KR101343760B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-20 TW TW101105510A patent/TWI464544B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-02-22 US US13/402,400 patent/US8808973B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012174984A (ja) | 2012-09-10 |
US20120214094A1 (en) | 2012-08-23 |
TWI464544B (zh) | 2014-12-11 |
KR101343760B1 (ko) | 2013-12-19 |
KR20120096888A (ko) | 2012-08-31 |
US8808973B2 (en) | 2014-08-19 |
TW201250409A (en) | 2012-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130212 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |