JP6173989B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態にかかるガイドパターン5の形成方法の手順を示す図である。第1の実施形態において、ガイドパターン5は、フォトリソグラフィ技術を利用して形成される。ガイドパターン5は、後述するとおりDSAプロセスに利用される。
図3は、第2の実施形態にかかるガイドパターン5の形成方法の手順を示す図である。第2の実施形態は、ガイドパターン5を1度の露光処理によって形成される点で第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同様の構成には同一の符号を付して、重複説明を省略する。
図4は、第3の実施形態にかかるガイドパターン5の形成方法の手順を示す図である。第3の実施形態は、ガイドパターン5を、ナノインプリントリソグラフィ技術を利用して形成する点で第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同様の構成には同一の符号を付して、重複説明を省略する。
Claims (5)
- 被加工膜の上に、第1開口パターンと、前記第1開口パターンよりも浅い第2開口パターンと、を有するガイドパターンを形成するガイド形成工程と、
前記第1開口パターンおよび前記第2開口パターンに自己組織化材料であるDSA材料を充填するとともに、前記第2開口パターンでの前記DSA材料の膜厚を、前記第1開口パターンでの前記DSA材料の膜厚より小さくする充填工程と、
前記第1開口パターンおよび前記第2開口パターン内で、前記DSA材料を第1相と第2相とに相分離させる相分離工程と、
前記第1相を残すとともに前記第2相を除去することによって、前記第1開口パターン内の前記第1相で第3開口パターンを形成するとともに、前記第2開口パターン内の前記第1相で第4開口パターンを形成する開口縮小工程と、
前記第2から第4開口パターンの上からの前記被加工膜に対する1度のエッチングによって、前記第2開口パターン内に充填された前記DSA材料を除去して前記第4開口パターンを消滅させ、前記第2および第3開口パターンを前記被加工膜に転写する転写工程と、
を含むパターン形成方法。 - 前記ガイド形成工程では、前記ガイドパターンの膜厚が、前記ガイドパターンの形成されている位置での前記転写工程における第1のエッチング深さ以上となるように前記ガイドパターンを形成し、
前記開口縮小工程では、前記第1開口パターンでの前記第1相の膜厚が、前記第1相の形成されている位置での前記転写工程における第2のエッチング深さ以上となるように前記第1相を形成するとともに、前記第2開口パターンでの前記DSA材料の膜厚が、前記第2開口パターンで前記DSA材料の充填されている位置での前記転写工程における第3のエッチング深さより小さくなるように前記DSA材料を加工する、
請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記ガイド形成工程では、第1ガイド領域および第2ガイド領域を有するように前記ガイドパターンを形成し、
前記ガイドパターンは、前記第1ガイド領域で前記第1開口パターンを包囲するとともに、前記第2ガイド領域で前記第2開口パターンを包囲する、
請求項1または2に記載のパターン形成方法。 - 前記ガイドパターンは、前記第1ガイド領域と前記第2ガイド領域の間に段差を有する、
請求項3に記載のパターン形成方法。 - 前記ガイド形成工程では、前記被加工膜の上に形成されたガイド膜をフォトマスクを介して1度露光することによって前記ガイドパターンを形成し、
前記フォトマスクは、前記第1開口パターンの形成に用いられる第1マスクエリアと、前記第2開口パターンの形成に用いられる第2マスクエリアを有し、前記第1マスクエリアと前記第2マスクエリアとでは、異なる光透過率のマスクパターンが配置されている、
請求項4に記載のパターン形成方法。
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