JP5259661B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態では、サイドローブによるパターンを含むケミカルガイドにポリマーブロック鎖を並べることにより、規則的なパターンを形成する方法について説明する。
図1(a)は、第1の実施の形態に係るブロック共重合体の模式図である。図1(b)は、第1の実施の形態に係るブロック共重合体が自己組織化する前の様子を示す概略図である。図1(c)は、第1の実施の形態に係るブロック共重合体が自己組織化した後の様子を示す概略図である。図1(d)は、第1の実施の形態に係るミクロ相分離によって形成される構造体と、ポリマーブロック鎖の長さ、及び2つのポリマーブロック鎖の長さの比の関係を示す概略図である。
図2(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。以下に、サイドローブを用いたラインアンドスペースパターンの形成について説明する。
上記の第1の実施の形態によれば、サイドローブによるパターンをケミカルガイドとして用いることにより、規則的なラインパターン3が容易に得られる。
第2の実施の形態は、ホールパターンを形成する点で第1の実施の形態と異なっている。以下に記載の各実施の形態において、第1の実施の形態と構成及び機能が同じ場合は、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は、省略するものとする。
図3(a)〜(d)は、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。ホールパターンを形成しようとすると、ポリマーの自己組織化によって形成出来るパターンは図4(a)に示すような六方細密充填となる三角格子状の配置が安定となる。図4(b)に示すように、ケミカルガイド121aを四角格子で形成してやると、ポリマー2aを四角格子状に配置させることが可能であると考えられるが、この場合、ケミカルガイド121aにより無理矢理四角格子形状に配置させているため、ポリマー2aの自己組織化による空間補間でさらに微細なパターンを形成することが困難である。
図4(c)は、第1の実施の形態に係る露光処理後のSAM膜の上面図である。本実施形態では、図4(c)に示すように、四角格子形状のケミカルガイドとしての第1の親水部121の格子内にさらにケミカルガイドとしての第2の親水部122を形成している。なお、図4(a)乃至(c)に示す実線は、説明のために付したものである。以下に、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
上記の第2の実施の形態によれば、サイドローブによるパターンをケミカルガイドとして用いることにより、露光では形成できないような微細なパターンであっても安定的にポリマーを配置することが出来、ホールパターン4を形成することができる。
第3の実施の形態は、フォトマスクとして位相シフトマスクを用いる点で上記の各実施の形態と異なっている。第3の実施の形態は、位相シフトマスクによって露光光の位相をシフトさせることにより、ケミカルガイドを形成する。
上記の第3の実施の形態によれば、第1及び第2の実施の形態に係るケミカルガイドを形成する方法と比べて、より間隔の狭いケミカルガイドを形成することができるので、ブロック共重合体の自己修復機能を利用した、より安定したパターンを形成することができる。
以上説明した実施の形態によれば、サイドローブによるパターンを用いたケミカルガイドを用いるので、短時間で規則的な微細パターンを形成することができる。
Claims (5)
- 露光処理により、ラインパターンを有するフォトマスクのパターンを下地材に転写して前記下地材の表面エネルギーを変化させて、ラインパターン状の第1のガイドを形成すると共に、前記露光処理により生じる露光光の回折により、前記第1のガイド間に前記下地材の表面エネルギーを変化させた第2のガイドであって、前記第1のガイドの幅と異なる幅を有し、且つ、点線状の第2のガイドを形成し、
前記下地材に複数種類のポリマーブロック鎖からなるブロック共重合体を塗布し、
加熱処理による前記ブロック共重合体のミクロ相分離により、前記第1及び第2のガイドに従っていずれかのポリマーブロック鎖が規則的なラインパターンを形成する、
ことを含むパターン形成方法。 - 露光処理により、ラインパターンを有する位相シフトマスクのパターンを下地材に転写して前記下地材の表面エネルギーを変化させて、ラインパターン状の第1のガイドを形成すると共に、露光光の位相シフトにより、前記第1のガイド間に前記下地材の表面エネルギーを変化させた第2のガイドであって、前記第1のガイドの幅と異なる幅を有し、且つ、点線状の第2のガイドを形成し、
前記下地材に複数種類のポリマーブロック鎖からなるブロック共重合体を塗布し、
加熱処理による前記ブロック共重合体のミクロ相分離により、前記第1及び第2のガイドに従っていずれかのポリマーブロック鎖が規則的なラインパターンを形成する、
ことを含むパターン形成方法。 - 前記ブロック共重合体は、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートからなる請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記第1及び第2のガイドは、親水性を有し、
前記いずれかのポリマーブロック鎖は、前記ポリメチルメタクリレートである請求項3に記載のパターン形成方法。 - 前記下地材は、オルガノシランからなる請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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